JP2002353270A - 表面実装型の半導体装置 - Google Patents
表面実装型の半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田付けによる実装の際に半田がボンディン
グされたワイヤに影響を及ぼさないようにして導通構造
の保全が可能な表面実装型の半導体装置を提供するこ
と。 【解決手段】 絶縁性の基板１に設けた一対の電極２，
３のうち一方の電極２に発光素子４を導通搭載するとと
もに、この発光素子４と他方の電極３との間をワイヤ５
でボンディングし、さらにワイヤ５より外側で樹脂パッ
ケージ６により封止される電極３のボンディングエリア
３ｅ上にワイヤ７をボンディングし、ワイヤ５およびワ
イヤ７を含んで樹脂パッケージ６で封止し、ワイヤ７に
よって半田５３がウェッジボンディングされているワイ
ヤ５側に進行するのを防いでワイヤ５の浮き上がりを防
止し、導通構造の保全を図る。
グされたワイヤに影響を及ぼさないようにして導通構造
の保全が可能な表面実装型の半導体装置を提供するこ
と。 【解決手段】 絶縁性の基板１に設けた一対の電極２，
３のうち一方の電極２に発光素子４を導通搭載するとと
もに、この発光素子４と他方の電極３との間をワイヤ５
でボンディングし、さらにワイヤ５より外側で樹脂パッ
ケージ６により封止される電極３のボンディングエリア
３ｅ上にワイヤ７をボンディングし、ワイヤ５およびワ
イヤ７を含んで樹脂パッケージ６で封止し、ワイヤ７に
よって半田５３がウェッジボンディングされているワイ
ヤ５側に進行するのを防いでワイヤ５の浮き上がりを防
止し、導通構造の保全を図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子ま
たは受光素子などを備える半導体装置に係り、特にプリ
ント配線基板などの表面に実装されて半田付けにより固
定される表面実装型の半導体装置に関する。
たは受光素子などを備える半導体装置に係り、特にプリ
ント配線基板などの表面に実装されて半田付けにより固
定される表面実装型の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光素子を使用した半導体発光装
置には、リードフレームのマウント部に発光素子を実装
してワイヤボンディングするとともにエポキシ樹脂によ
り封止した砲弾型のＬＥＤランプと、プリント配線基板
の上に半田付けにより導通実装が可能な表面実装型のも
のがある。表面実装型の半導体発光装置は、ＬＥＤラン
プに比べて小型薄型化できるため、各種の小型電子機器
に多用されている。
置には、リードフレームのマウント部に発光素子を実装
してワイヤボンディングするとともにエポキシ樹脂によ
り封止した砲弾型のＬＥＤランプと、プリント配線基板
の上に半田付けにより導通実装が可能な表面実装型のも
のがある。表面実装型の半導体発光装置は、ＬＥＤラン
プに比べて小型薄型化できるため、各種の小型電子機器
に多用されている。
【０００３】図３は従来の表面実装型の半導体発光装置
の概略を示す透視図、図４はプリント配線基板上への実
装状態を示す概略縦断面図である。
の概略を示す透視図、図４はプリント配線基板上への実
装状態を示す概略縦断面図である。
【０００４】表面実装型の半導体発光装置は、図示のよ
うに絶縁性の樹脂などを利用した基板１とその両端に形
成された一対の電極２，３と、一方の電極２の上に導通
搭載された発光素子４と、この発光素子４の上端の電極
と他方の電極３との間をボンディング接続するワイヤ５
と、このワイヤ５を含んで封止するエポキシ系の樹脂を
使用した樹脂パッケージ６とから構成されたものであ
る。
うに絶縁性の樹脂などを利用した基板１とその両端に形
成された一対の電極２，３と、一方の電極２の上に導通
搭載された発光素子４と、この発光素子４の上端の電極
と他方の電極３との間をボンディング接続するワイヤ５
と、このワイヤ５を含んで封止するエポキシ系の樹脂を
使用した樹脂パッケージ６とから構成されたものであ
る。
【０００５】このような構成の表面実装型の半導体発光
装置は、図４に示すようにプリント配線基板５１の上に
導通実装される。この導通実装は、プリント配線基板５
１の表面に形成された配線パターン５１ａ，５１ｂに半
導体発光装置の電極２，３を位置合わせして搭載し、そ
れぞれ半田５２，５３付けによって固定される。これに
より、発光素子４は電源側と導通し通電によって発光す
る。
装置は、図４に示すようにプリント配線基板５１の上に
導通実装される。この導通実装は、プリント配線基板５
１の表面に形成された配線パターン５１ａ，５１ｂに半
導体発光装置の電極２，３を位置合わせして搭載し、そ
れぞれ半田５２，５３付けによって固定される。これに
より、発光素子４は電源側と導通し通電によって発光す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】錫と鉛の合金による半
田５２，５３は、約２５０℃で溶融したものをソルダリ
ングして電極２，３をそれぞれ配線パターン５１ａ，５
１ｂに導通固定する。ところが、２５０℃程度の高温に
樹脂パッケージ６が曝されるので、図４に示すように半
田５２，５３が樹脂パッケージ６の中まで浸潤しやす
い。
田５２，５３は、約２５０℃で溶融したものをソルダリ
ングして電極２，３をそれぞれ配線パターン５１ａ，５
１ｂに導通固定する。ところが、２５０℃程度の高温に
樹脂パッケージ６が曝されるので、図４に示すように半
田５２，５３が樹脂パッケージ６の中まで浸潤しやす
い。
【０００７】一方、ワイヤ５は発光素子４の上面の電極
にダイボンディングされた後に電極３のボンディングエ
リア３ｅにウェッジボンディングされる。このウェッジ
ボンディングは、ワイヤ５の一端側をボンディングエリ
ア３ｅの表面にこすり付けるようにして接合する手法で
ある。
にダイボンディングされた後に電極３のボンディングエ
リア３ｅにウェッジボンディングされる。このウェッジ
ボンディングは、ワイヤ５の一端側をボンディングエリ
ア３ｅの表面にこすり付けるようにして接合する手法で
ある。
【０００８】ところが、半田５３が樹脂パッケージ６の
中まで浸潤してくると、ウェッジボンディングされたワ
イヤ５の先端部分の樹脂パッケージ６の樹脂が高温にな
って軟化したり膨張したりする。このような樹脂の軟化
や膨張は、ワイヤ５のウェッジボンディングを上に持ち
上げるように作用し、ワイヤ５の先端がボンディングエ
リア３ｅから浮き上がってしまうことがある。このた
め、ワイヤ５と電極３との導通が切れてしまい、発光素
子４への通電ができなくなる。
中まで浸潤してくると、ウェッジボンディングされたワ
イヤ５の先端部分の樹脂パッケージ６の樹脂が高温にな
って軟化したり膨張したりする。このような樹脂の軟化
や膨張は、ワイヤ５のウェッジボンディングを上に持ち
上げるように作用し、ワイヤ５の先端がボンディングエ
リア３ｅから浮き上がってしまうことがある。このた
め、ワイヤ５と電極３との導通が切れてしまい、発光素
子４への通電ができなくなる。
【０００９】このように、一方の電極３にワイヤ５をウ
ェッジボンディングするものでは、プリント配線基板５
１への実装時に半田５３の影響を受けて発光素子４への
通電に影響を及ぼす場合がある。したがって、実装製品
の歩留りの低下などの問題を引き起こすことになる。そ
して、半導体発光装置の分野だけでなく受光装置などの
ようにワイヤボンディングしたものを樹脂封止して半田
付けによって表面実装する全ての半導体装置についても
同様の問題がある。
ェッジボンディングするものでは、プリント配線基板５
１への実装時に半田５３の影響を受けて発光素子４への
通電に影響を及ぼす場合がある。したがって、実装製品
の歩留りの低下などの問題を引き起こすことになる。そ
して、半導体発光装置の分野だけでなく受光装置などの
ようにワイヤボンディングしたものを樹脂封止して半田
付けによって表面実装する全ての半導体装置についても
同様の問題がある。
【００１０】そこで、本発明は、半田付けによる実装の
際に半田がボンディングされたワイヤに影響を及ぼさな
いようにして導通構造の保全が可能な表面実装型の半導
体装置を提供することを目的とする。
際に半田がボンディングされたワイヤに影響を及ぼさな
いようにして導通構造の保全が可能な表面実装型の半導
体装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の表面実装型の半
導体装置は、絶縁性の基板と、前記基板に形成した一対
の電極と、前記基板または前記一対の電極のうち一方に
搭載される半導体素子と、前記半導体素子と前記電極の
少なくとも一方との間をボンディングするワイヤと、前
記半導体素子およびワイヤを封止する樹脂パッケージと
を備えた半導体装置において、前記ワイヤより外側で前
記樹脂パッケージにより封止される領域の電極上にワイ
ヤボンディングを施したことを特徴とする。
導体装置は、絶縁性の基板と、前記基板に形成した一対
の電極と、前記基板または前記一対の電極のうち一方に
搭載される半導体素子と、前記半導体素子と前記電極の
少なくとも一方との間をボンディングするワイヤと、前
記半導体素子およびワイヤを封止する樹脂パッケージと
を備えた半導体装置において、前記ワイヤより外側で前
記樹脂パッケージにより封止される領域の電極上にワイ
ヤボンディングを施したことを特徴とする。
【００１２】これにより、基板と樹脂パッケージとの付
着力を増加させるというアンカー効果によって、半導体
素子と電極との間をボンディングするワイヤのボンディ
ング点への半田の浸入を防止することができ、半田付け
による実装の際に半田がボンディングされたワイヤに影
響を及ぼさないようにした導通構造の保全が可能な表面
実装型の半導体装置が得られる。
着力を増加させるというアンカー効果によって、半導体
素子と電極との間をボンディングするワイヤのボンディ
ング点への半田の浸入を防止することができ、半田付け
による実装の際に半田がボンディングされたワイヤに影
響を及ぼさないようにした導通構造の保全が可能な表面
実装型の半導体装置が得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、絶縁性
の基板と、前記基板に形成した一対の電極と、前記基板
または前記一対の電極のうち一方に搭載される半導体素
子と、前記半導体素子と前記電極の少なくとも一方との
間をボンディングするワイヤと、前記半導体素子および
ワイヤを封止する樹脂パッケージとを備えた半導体装置
において、前記ワイヤより外側で前記樹脂パッケージに
より封止される領域の電極上にワイヤボンディングを施
したことを特徴とする表面実装型の半導体装置であり、
ワイヤより外側で樹脂パッケージにより封止される領域
の電極上に施したワイヤボンディングによって基板と樹
脂パッケージとの付着力が増加するため、半導体素子と
電極との間をボンディングするワイヤのボンディング点
への半田の浸入を防止することができる。
の基板と、前記基板に形成した一対の電極と、前記基板
または前記一対の電極のうち一方に搭載される半導体素
子と、前記半導体素子と前記電極の少なくとも一方との
間をボンディングするワイヤと、前記半導体素子および
ワイヤを封止する樹脂パッケージとを備えた半導体装置
において、前記ワイヤより外側で前記樹脂パッケージに
より封止される領域の電極上にワイヤボンディングを施
したことを特徴とする表面実装型の半導体装置であり、
ワイヤより外側で樹脂パッケージにより封止される領域
の電極上に施したワイヤボンディングによって基板と樹
脂パッケージとの付着力が増加するため、半導体素子と
電極との間をボンディングするワイヤのボンディング点
への半田の浸入を防止することができる。
【００１４】以下、本発明の実施の形態について図面に
基づいて説明する。なお、本実施の形態では半導体発光
装置を例として説明し、図３，４で示した従来例と同じ
構成部材については共通の符号で指示する。
基づいて説明する。なお、本実施の形態では半導体発光
装置を例として説明し、図３，４で示した従来例と同じ
構成部材については共通の符号で指示する。
【００１５】図１は本発明の実施の形態における半導体
発光装置の概略を示す透視図であって、（ａ）は平面
図、（ｂ）は側面図、図２はプリント配線基板上への実
装時の概略を示す透視図であって、（ａ）は平面図、
（ｂ）は側面図である。
発光装置の概略を示す透視図であって、（ａ）は平面
図、（ｂ）は側面図、図２はプリント配線基板上への実
装時の概略を示す透視図であって、（ａ）は平面図、
（ｂ）は側面図である。
【００１６】図１および図２において、半導体発光装置
は従来例と同様に、絶縁性の樹脂などを利用した基板１
とその両端に形成された一対の電極２，３と、一方の電
極２の上に導通搭載された発光素子４と、この発光素子
４の上端の電極と他方の電極３のボンディングエリア３
ｅとの間をボンディング接続するワイヤ５と、このワイ
ヤ５を含んで封止するエポキシ系の樹脂を使用した樹脂
パッケージ６とから構成されている。
は従来例と同様に、絶縁性の樹脂などを利用した基板１
とその両端に形成された一対の電極２，３と、一方の電
極２の上に導通搭載された発光素子４と、この発光素子
４の上端の電極と他方の電極３のボンディングエリア３
ｅとの間をボンディング接続するワイヤ５と、このワイ
ヤ５を含んで封止するエポキシ系の樹脂を使用した樹脂
パッケージ６とから構成されている。
【００１７】そして、図１に示す半導体発光装置におい
ては、ワイヤ５より外側で樹脂パッケージ６により封止
される電極３のボンディングエリア３ｅ上にワイヤ７を
ボンディングした構成である。ワイヤ７は、図示のよう
にその一端のみを電極３上にボンディング接続したもの
であり、樹脂パッケージ６はワイヤ７を含んで封止して
いる。
ては、ワイヤ５より外側で樹脂パッケージ６により封止
される電極３のボンディングエリア３ｅ上にワイヤ７を
ボンディングした構成である。ワイヤ７は、図示のよう
にその一端のみを電極３上にボンディング接続したもの
であり、樹脂パッケージ６はワイヤ７を含んで封止して
いる。
【００１８】以上の構成において、半導体発光装置を図
２のようにプリント配線基板５１の上に実装搭載すると
き、電極２，３を配線パターン５１ａ，５１ｂに位置合
わせして搭載し、半田５２，５３によって導通固定す
る。一方、樹脂パッケージ６はワイヤ７によって電極３
との付着力が高められている。したがって、２５０℃程
度の高温の半田５３が樹脂パッケージ６の中に浸潤して
きても、ワイヤ５よりも外側でボンディングされている
ワイヤ７によってそれ以上ボンディングエリア３ｅの内
側に浸潤していくことが防止される。したがって、ワイ
ヤ５近傍の樹脂パッケージ６の樹脂の軟化及び膨張が阻
止されるため、ウェッジボンディングされているワイヤ
５がボンディングエリア３ｅから浮き上がることがな
く、ワイヤ５と電極３との間の導通構造が確実に保全さ
れる。
２のようにプリント配線基板５１の上に実装搭載すると
き、電極２，３を配線パターン５１ａ，５１ｂに位置合
わせして搭載し、半田５２，５３によって導通固定す
る。一方、樹脂パッケージ６はワイヤ７によって電極３
との付着力が高められている。したがって、２５０℃程
度の高温の半田５３が樹脂パッケージ６の中に浸潤して
きても、ワイヤ５よりも外側でボンディングされている
ワイヤ７によってそれ以上ボンディングエリア３ｅの内
側に浸潤していくことが防止される。したがって、ワイ
ヤ５近傍の樹脂パッケージ６の樹脂の軟化及び膨張が阻
止されるため、ウェッジボンディングされているワイヤ
５がボンディングエリア３ｅから浮き上がることがな
く、ワイヤ５と電極３との間の導通構造が確実に保全さ
れる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、基板と樹脂パッケージ
との付着力を増加して、半導体素子と電極との間をボン
ディングするワイヤのボンディング点への半田の浸入を
防止することができ、半田付けによる実装の際に半田が
ボンディングされたワイヤに影響を及ぼさないようにし
た導通構造の保全が可能な表面実装型の半導体装置が得
られる。
との付着力を増加して、半導体素子と電極との間をボン
ディングするワイヤのボンディング点への半田の浸入を
防止することができ、半田付けによる実装の際に半田が
ボンディングされたワイヤに影響を及ぼさないようにし
た導通構造の保全が可能な表面実装型の半導体装置が得
られる。
【図１】本発明の実施の形態における半導体発光装置の
概略を示す透視図であって、 （ａ）は平面図 （ｂ）は側面図
概略を示す透視図であって、 （ａ）は平面図 （ｂ）は側面図
【図２】プリント配線基板上への実装時の概略を示す透
視図であって、 （ａ）は平面図 （ｂ）は側面図
視図であって、 （ａ）は平面図 （ｂ）は側面図
【図３】従来の表面実装型の半導体発光装置の概略を示
す透視図
す透視図
【図４】図３の半導体発光装置のプリント配線基板上へ
の実装状態を示す概略縦断面図
の実装状態を示す概略縦断面図
１ 基板 ２，３ 電極 ３ｅ ボンディングエリア ４ 発光素子 ５，７ ワイヤ ６ 樹脂パッケージ ５１ プリント配線基板 ５１ａ，５１ｂ 配線パターン ５２，５３ 半田
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性の基板と、前記基板に形成した一
対の電極と、前記基板または前記一対の電極のうち一方
に搭載される半導体素子と、前記半導体素子と前記電極
の少なくとも一方との間をボンディングするワイヤと、
前記半導体素子およびワイヤを封止する樹脂パッケージ
とを備えた半導体装置において、前記ワイヤより外側で
前記樹脂パッケージにより封止される領域の電極上にワ
イヤボンディングを施したことを特徴とする表面実装型
の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001153527A JP4608810B2 (ja) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | 表面実装型の半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001153527A JP4608810B2 (ja) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | 表面実装型の半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002353270A true JP2002353270A (ja) | 2002-12-06 |
| JP4608810B2 JP4608810B2 (ja) | 2011-01-12 |
Family
ID=18998032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001153527A Expired - Fee Related JP4608810B2 (ja) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | 表面実装型の半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4608810B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012073572A1 (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置、および、半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176707A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Fujitsu General Ltd | Ｃｃｄ素子の実装方法 |
| JPH08330637A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード |
| JPH0936432A (ja) * | 1995-07-17 | 1997-02-07 | Sharp Corp | 横発光型ｌｅｄおよびその製造方法 |
| JP2001102638A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体装置 |
-
2001
- 2001-05-23 JP JP2001153527A patent/JP4608810B2/ja not_active Expired - Fee Related
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