JPH0936432A - 横発光型ledおよびその製造方法 - Google Patents

横発光型ledおよびその製造方法

Info

Publication number
JPH0936432A
JPH0936432A JP17974695A JP17974695A JPH0936432A JP H0936432 A JPH0936432 A JP H0936432A JP 17974695 A JP17974695 A JP 17974695A JP 17974695 A JP17974695 A JP 17974695A JP H0936432 A JPH0936432 A JP H0936432A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
led
substrate
type led
recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP17974695A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3158018B2 (ja
Inventor
Atsushi Okazaki
淳 岡▲崎▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP17974695A priority Critical patent/JP3158018B2/ja
Publication of JPH0936432A publication Critical patent/JPH0936432A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3158018B2 publication Critical patent/JP3158018B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3431Leadless components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の横発光型LEDは基板等への接続強度
が十分でないという問題があった。これに対し、補強用
パターンを設けても、余分なスペースを必要とする上、
接続強度の大きな改善は見込めなかった。 【解決手段】 LEDの基板部3の内、固着部(外部基
板)10へハンダ付けされる両端部に、該両端部をハン
ダが固着部10に対して押圧するように、基板部3底面
より上の領域に凹部8が形成され、且つ少なくとも凹部
8の曲面部に電極パターン4、5の部分を構成する金属
層が形成されてなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種表示パネルの
光源、液晶表示装置のバックライト、照光スイッチの光
源等として使用される発光デバイスに関し、特に横発光
型のチップLEDに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体発光素子について、図4及
び図5を参照して説明する。図4及び図5はそれぞれ、
従来例による横発光型LED(以下、単にLEDと記
す)の斜視図及び断面図である。図4に示すように、横
発光型LED100が、基板101の電極パターン10
2に対してハンダ103によって固定されている。10
4はLED100のチップ発光方向に設けられた樹脂コ
ーテイング部、105は基板等へのハンダ接続用の金属
メッキ部、106はLEDの固定の補強用に設けられた
補強用金属メッキ部である。
【0003】上記LEDの製造方法について、図6
(a)及び(b)を参照して説明する。図6(a)及び
(b)はそれぞれ、一製造工程を示す上面図及び単品の
LEDの断面図である。まず、図6に示すように、スリ
ット部200の内壁に形成したメッキ201で表裏の電
気的導通をとるように構成した両面基板202上に、L
EDチップ203を複数個配列し、金銭204で電気的
接続、さらに樹脂205で封止した後に、X方向にダイ
シングカットし、個別のLEDを得る。
【0004】このように、X方向でダイシングカットす
ると、そのカット断面(A面)にはメッキ層がほとんど
残留しない。このカット面(A面)は基板等への接続固
定面であり、このようにメッキが無いカット面はLED
の固定には寄与しない。従って、図5においても、ハン
ダ103が基板101とLED100との間隙(B面)
に入り込むことはなく、LED100の基板101への
固定は、外部に露出した金属メッキ105及び補強用金
属メッキ部106のみにおいて行われることになる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図5に示す
LED固定方法によれば、前述したように、LEDの基
板等への実装面(B面)には金属層がないので、ハンダ
で固定する場合、基板と垂直な面のみによってハンダ接
続することになる。この結果、従来より以下のような問
題があった。
【0006】即ち、ハンダ付けを、特にクリームハンダ
を使用してリフロー法により行う場合、LED100の
底面に金属層がないために、LEDの位置ずれが生じる
場合があった。また、基板101への実装後に、実装基
板101が反った場合にLED100が脱落するという
問題がある。
【0007】これに対して、図4に示すように、LED
100の発光側と反対面にダミーの補強用金属メッキ部
106を設けて位置の安定化を図る方法もあるが、この
方法でも、この補強用金属メッキ部106は基板と垂直
方向であるので、上記問題はやはり生じ、根本的な解決
にはならない。また、余分なハンダ付け部を必要とする
ことから、スペース的にも問題が生じコストアップにも
つながる。
【0008】また、LED100の底面に金属層を設け
るために、各LEDをダイシングカットした後に底部に
メッキを施すことも考えられるが、個別のLEDに対し
てメッキを行うこととなって工程数が極めて増加し、や
はりコストアップにつながるので望ましくない。
【0009】そこで、本発明の目的は、簡易な構造で基
板等に対する固定強度を向上できる横発光型LEDを提
供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、発光チップと、該発光チップが搭載され
る基板部とを有し、前記基板部が外部の固着部に対して
垂直方向に固定される横発光型LEDであって、前記基
板部には前記発光チップの電気的接続を行うための電極
パターンが裏面側にまで引き回されてなり、前記基板部
の端部の電極パターンが前記固着部に対してハンダ付け
固定される横発光型LEDにおいて、前記基板部のハン
ダ付けされる両端部に、該両端部をハンダが前記固着部
に対して押圧するように前記基板部底面より上の領域に
凹部が形成され、少なくとも前記凹部の曲面部に前記電
極パターンの部分を構成する金属層が形成されてなるこ
とを特徴とする。
【0011】このように、本発明では基板部の両端面に
凹部を設けて基板部の端部を固着部(外部基板等)に対
して押圧するようにしているので、LEDの接着強度を
向上できる。従来であれば、LEDは外部基板に対して
垂直方向の接続が行われるのみであるので接続強度が不
十分であり、クリームハンダを使用してリフロー法によ
りハンダ固定する場合、LEDの位置ずれが生じる場合
があった。また、基板への実装後に、実装基板が反った
場合にLEDが脱落するという問題があったが、上記構
造によればこれらの問題は解消でき、位置精度や機械的
強度に高い信頼性が得られる。或は、ハンダ強度向上の
ために従来必要であった補強用金属メッキ部を設ける必
要も無いので、スペースを有効に活用できるという利点
もある。
【0012】また、前記凹部は前記固着部の平面と略平
行な方向に前記基板部の両端面を横切るカマボコ形状と
してなることを特徴とする。
【0013】このカマボコ形状は、本発明で示す製造方
法によって得られる形状であり、後述するように従来の
製造工程を大幅に変更する事なく実現できるという利点
がある。ここで、さらに本発明の特徴として挙げられる
点は、凹面が固着部の平面と略平行な方向に形成されて
いることである。単に凹部を設けるだけならば、固着部
の平面に垂直方向に形成することも考えられるが、この
場合にはハンダの接着面積は増加するものの、基板端部
を固着面に押圧する力は生じないため、従来より大きな
接続強度は得られない。
【0014】本発明の横発光型LEDの製造方法として
は、パターニングされた基板部に複数の発光チップを搭
載、ワイヤボンディングを行い、その後各発光チップ毎
に切断分割して個別の横発光型のLEDを得る製造方法
において、前記パターニング時に、個別のLEDのハン
ダ付け部となる両端部部分に予めスルーホールを形成す
る工程と、各発光チップ毎の切断時に前記スルーホール
を同時に切断して該切断後のスルーホールの曲面を、各
LEDの基板部の両端部を外部の固着部に押圧する凹部
とする工程と、を含むことを特徴とする。
【0015】このように、本発明によれば、パターニン
グ時にスルーホールを設けるという簡易な工程追加のみ
で、高い位置精度や機械的強度が得られる。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の特徴は、従来の横発光型
LEDにおいて、LED基板部の底面には工程上、金属
メッキ等が施されておらず接続力が不十分であったの
を、LED基板部の両端面に凹部を設けることによっ
て、基板に対する密着力を向上させた点にある。また、
この凹部を特に工程を大幅に変更することなく形成する
方法を提供した点にある。
【0017】以下、本発明による一実施例について、図
1(a)乃至(c)を参照して具体的に説明する。図1
(a)乃至(c)はそれぞれ、本実施例による横発光型
LED(以下、単にLEDと記す)の上面図、正面図お
よび側面図である。
【0018】図1に示すように、LEDチップ1は導電
性ペースト2によって、基板部3の電極パターン4上に
搭載されている。電極パターン4は基板部3の長手方向
の端面(後述する凹部8の金属メッキ部)を通って裏面
に、また同様に電極パターン5も基板部3の反対側の長
手方向の端面(後述する凹部8の金属メッキ部)を通っ
て裏面に引き回されている。また、LEDチップ1は金
線6によって電極パターン5に接続されている。LED
チップ1と金線6は樹脂7によってモールドされてい
る。
【0019】そして、基板部3の長手方向の両端面には
カマボコ状の凹部8が設けられている。この凹部8は基
板部3の底面(C面)より上方で(即ち、間隔を開け
て)、且つ端面を横切るように形成されている。そし
て、両端面の金属層は図1(c)から明らかなように、
凹部8の凹面にのみ金属メッキが施されている。これ
は、後述するこのLEDの製造工程に因るものであり、
当然ながら端面全面に金属メッキが施されていてもなん
ら問題はない。
【0020】このLEDの構造によれば、外部基板10
にハンダ接続した時に、接続強度を向上できる。即ち、
図2に示すように、凹部8を設けているので、ハンダ9
がこの凹部8に入り込み、図中、P,Q方向に押圧する
固着力が発生し、外部基板10への密着力が向上する。
従来であれば、図5に示すように、外部基板と垂直方向
の接続が行われるのみであるので、接続強度が不十分で
あり、クリームハンダを使用してリフロー法によりハン
ダ固定する場合、LEDの底部に金属層がないために、
LEDの位置ずれが生じる場合があった。また、基板へ
の実装後に、実装基板が反った場合にLEDが脱落する
という問題があったが、本実施例によれば上記問題は解
消でき、位置精度や機械的強度に高い信頼性が得られ
る。
【0021】また、図4に示すような、補強用金属メッ
キ部106を設ける必要も無いので、スペースを有効に
活用できるという利点もある。
【0022】ところで、上記のP,Q方向の固着力を発
生させるためには、両端面を下方に押圧するための引っ
掛かり部(図2では凹部8の曲面の下方)が必要であ
る。例えば、基板部3の底面の角部に凹部を設けても、
下方に押圧する力は生じないので、本実施例のような効
果は期待できない。或は、単に凹部を設けるだけなら
ば、固着部の平面に垂直方向に形成することも考えられ
るが、この場合にはハンダの接着面積は増加するもの
の、基板端部を固着面に押圧する力は生じないため、従
来より大きな接続強度は得られない。
【0023】また、下方に押圧する力を生じさせる構造
であれば、必ずしもカマボコ状の凹部に限ることは無
く、断面形状が三角、四角等の多角形状であってもよ
い。さらに、端面全体を横切る形状でなくても端面の一
部に凹部が形成されたものであってもよい。
【0024】なお、図1に示した11はレジストであ
り、これを設けることによってハンダ固定時の樹脂クラ
ックを回避することができる。LEDを外部基板10に
ハンダ付けする際には、ハンダ9が電極パターン4,5
を伝って樹脂7に接触することによって、1)線膨張係
数の違いから樹脂7にクラックが生じる、2)樹脂7と
基板部3との剥離が生じる、そして、この結果、3)熱
ストレスによって金線が断線する、4)発光チップに水
分が侵入するという問題が生じ得るが、このハンダ9の
接触を上記レジスト11によって防止することによっ
て、上記問題を回避できる。レジスト11の材料として
は、エポキシ、アクリル等が使用できる。
【0025】次に、上記LEDの製造方法について、図
3の一製造工程図を参照して説明する。図3に示す方法
は、パターニングされた基板部に複数の発光チップを搭
載、ワイヤボンディングを行い、その後各発光チップ毎
に切断分割して個別の横発光型のLEDを得る製造方法
を行うものである。
【0026】このように、一度に多数の発光チップの接
続等を行った後に、個別の分断を行う方法は図6に示す
ように周知技術であるが、本発明の特徴は、基板のパタ
ーニング時に、個別のLEDのハンダ付け部となる両端
部部分に予めスルーホール12を形成、スルーホール内
壁を金属メッキする工程を含む点にある。そして、従来
と同様、ワイヤーボンディング、樹脂コーティング等を
行った後に、ダイシングライン13、14に沿って各発
光チップ毎に分断して個別LEDを得る。
【0027】この結果、ダイシングライン13に沿って
切断したLEDの切断面には、従来構造と同様、メッキ
は存在しない。一方、ダイシングライン14に沿って分
断したLEDの切断面については、平面部にはメッキは
存在しないが、曲面部、即ち分断されたスルーホール1
2の内壁にはメッキが存在している。そして、このスル
ーホール12の内壁が凹部8となる。
【0028】このように本発明の製造方法によって作成
されたLEDは、ハンダ固定するべき端部に電極パター
ンを構成するカマボコ状の凹部8を有する構造となる。
ここで、凹部8の両側にある平面部のみにはメッキがな
いことになるが、LED側面部から凹部8にかけて電極
パターンは一続きとなっており、しかも、従来構造とは
異なり、凹部8に回り込んだハンダ9がLEDの端部を
外部基板10に押圧する作用を有するので、従来よりも
非常に大きな接着強度が得られる。
【0029】以上のように、従来工程と比較しても大き
な変更を要することなく、大きな接続強度を有するLE
Dを提供できる。
【0030】なお、本実施例においては、発光チップと
して金線によってワイヤ接続するタイプのものを使用し
たが、例えば、金線を使用しないタイプの発光チップに
も本発明は適用できる。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、横発光型LEDの基板
部の両端面に凹部を設けて基板部の端部を固着部(外部
基板等)に対して押圧するようにしているので、LED
の接着強度を向上できる。従来であれば、LEDは外部
基板に対して垂直方向の接続が行われるのみであるので
接続強度が不十分であり、クリームハンダを使用してリ
フロー法によりハンダ固定する場合、LEDの位置ずれ
が生じる場合があった。また、基板への実装後に、実装
基板が反った場合にLEDが脱落するという問題があっ
たが、上記構造によればこれらの問題は解消でき、位置
精度や機械的強度に高い信頼性が得られる。
【0032】或は、ハンダ強度向上のために従来設けて
いた補強用金属メッキ部も不要となるので、スペースを
有効に活用できる。
【0033】また、前記凹部の形成はスルーホールを切
断する本発明の製造方法によって、容易に実現できる。
この場合、凹部の形状は固着部の平面と略平行な方向
に、基板部の両端面を横切るカマボコ形状となる。この
形状であれば、従来の製造工程を大幅に変更する事なく
実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)乃至(c)はそれぞれ、本発明の一実施
例による横発光型LEDの上面図、正面図及び側面図で
ある。
【図2】本発明の一実施例による横発光型LEDの基板
接続状態を示す側面図である。
【図3】(a)及び(b)はそれぞれ、本発明の一実施
例による横発光型LEDの製造工程を説明するための上
面図及び断面図である。
【図4】従来例による横発光型LEDの斜視図である。
【図5】従来例による横発光型LEDの基板接続状態を
示す側面図である。
【図6】(a)及び(b)はそれぞれ、従来例による横
発光型LEDの製造工程を説明するための上面図及び断
面図である。
【符号の説明】
1 発光チップ 3 基板部 4、5 電極パターン 8 凹部 9 ハンダ 10 固着部(外部基板) 12 スルーホール

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光チップと、該発光チップが搭載され
    る基板部とを有し、前記基板部が外部の固着部に対して
    垂直方向に固定される横発光型LEDであって、前記基
    板部には前記発光チップの電気的接続を行うための電極
    パターンが裏面側にまで引き回されてなり、前記基板部
    の端部の電極パターンが前記固着部に対してハンダ付け
    固定される横発光型LEDにおいて、 前記基板部のハンダ付けされる両端部に、該両端部をハ
    ンダが前記固着部に対して押圧するように前記基板部底
    面より上の領域に凹部が形成され、少なくとも前記凹部
    の曲面部に前記電極パターンの部分を構成する金属層が
    形成されてなることを特徴とする横発光型LED。
  2. 【請求項2】 請求項1の横発光型LEDにおいて、前
    記凹部は前記固着部の平面と略平行な方向に前記基板部
    の両端面を横切るカマボコ形状としてなることを特徴と
    する横発光型LED。
  3. 【請求項3】 パターニングされた基板部に複数の発光
    チップを搭載、ワイヤボンディングを行い、その後各発
    光チップ毎に切断分割して個別の横発光型のLEDを得
    る横発光型LEDの製造方法において、 前記パターニング時に、個別のLEDのハンダ付け部と
    なる両端部部分に予めスルーホールを形成する工程と、
    各発光チップ毎の切断時に前記スルーホールを同時に切
    断して該切断後のスルーホールの曲面を、各LEDの基
    板部の両端部を外部の固着部に押圧する凹部とする工程
    と、を含むことを特徴とする横発光型LEDの製造方
    法。
JP17974695A 1995-07-17 1995-07-17 横発光型ledおよびその製造方法 Expired - Fee Related JP3158018B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17974695A JP3158018B2 (ja) 1995-07-17 1995-07-17 横発光型ledおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17974695A JP3158018B2 (ja) 1995-07-17 1995-07-17 横発光型ledおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0936432A true JPH0936432A (ja) 1997-02-07
JP3158018B2 JP3158018B2 (ja) 2001-04-23

Family

ID=16071150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17974695A Expired - Fee Related JP3158018B2 (ja) 1995-07-17 1995-07-17 横発光型ledおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3158018B2 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000133845A (ja) * 1998-10-23 2000-05-12 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP2002280612A (ja) * 2001-03-15 2002-09-27 Rohm Co Ltd Led装置
JP2002353270A (ja) * 2001-05-23 2002-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型の半導体装置
US7126163B2 (en) 2001-02-26 2006-10-24 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting diode and its manufacturing method
JP2007201241A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Sanyo Electric Co Ltd 回路基板及び半導体装置
US7649270B2 (en) 2004-08-06 2010-01-19 A. L. M. T. Corp. Collective substrate, semiconductor element mount, semiconductor device, imaging device, light emitting diode component and light emitting diode
EP2372793A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-05 Hitachi Consumer Electronics Co. Ltd. LED package and LED package mounting structure
JP2014107307A (ja) * 2012-11-22 2014-06-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2017120929A (ja) * 2017-03-27 2017-07-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2018010949A (ja) * 2016-07-13 2018-01-18 ローム株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2018133522A (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 ローム株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2019054248A (ja) * 2018-09-19 2019-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2022180523A (ja) * 2017-08-25 2022-12-06 ローム株式会社 半導体装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01163352U (ja) * 1988-04-30 1989-11-14
JPH01283883A (ja) * 1988-05-10 1989-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオードおよびその電極の形成方法
JPH065926A (ja) * 1992-06-18 1994-01-14 Rohm Co Ltd チップ形発光ダイオード
JPH06326365A (ja) * 1993-05-14 1994-11-25 Sharp Corp チップ部品型の発光ダイオードおよびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01163352U (ja) * 1988-04-30 1989-11-14
JPH01283883A (ja) * 1988-05-10 1989-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオードおよびその電極の形成方法
JPH065926A (ja) * 1992-06-18 1994-01-14 Rohm Co Ltd チップ形発光ダイオード
JPH06326365A (ja) * 1993-05-14 1994-11-25 Sharp Corp チップ部品型の発光ダイオードおよびその製造方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000133845A (ja) * 1998-10-23 2000-05-12 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
US7126163B2 (en) 2001-02-26 2006-10-24 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting diode and its manufacturing method
JP2002280612A (ja) * 2001-03-15 2002-09-27 Rohm Co Ltd Led装置
JP2002353270A (ja) * 2001-05-23 2002-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型の半導体装置
JP4608810B2 (ja) * 2001-05-23 2011-01-12 パナソニック株式会社 表面実装型の半導体装置
US7737562B2 (en) 2004-08-06 2010-06-15 A. L. M. T. Corp. Semiconductor element mount, semiconductor device, imaging device, light emitting diode component and light emitting diode
US7649270B2 (en) 2004-08-06 2010-01-19 A. L. M. T. Corp. Collective substrate, semiconductor element mount, semiconductor device, imaging device, light emitting diode component and light emitting diode
JP2007201241A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Sanyo Electric Co Ltd 回路基板及び半導体装置
EP2372793A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-05 Hitachi Consumer Electronics Co. Ltd. LED package and LED package mounting structure
JP2014107307A (ja) * 2012-11-22 2014-06-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2018010949A (ja) * 2016-07-13 2018-01-18 ローム株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2018133522A (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 ローム株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2017120929A (ja) * 2017-03-27 2017-07-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2022180523A (ja) * 2017-08-25 2022-12-06 ローム株式会社 半導体装置
JP2019054248A (ja) * 2018-09-19 2019-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3158018B2 (ja) 2001-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4209490B2 (ja) 配線基板
KR101939864B1 (ko) 캐리어 장치, 캐리어 장치를 포함하는 전기 장치 및 이들의 제조 방법
US20030001289A1 (en) Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3158018B2 (ja) 横発光型ledおよびその製造方法
US20050046023A1 (en) Semiconductor device
JP3907145B2 (ja) チップ電子部品
JP4010424B2 (ja) 側面型電子部品の電極構造及びその製造方法
JPH08264842A (ja) 側面発光装置
US20070096271A1 (en) Substrate frame
JP2000269552A (ja) チップ型発光装置
KR20090084706A (ko) 배선 회로 기판 및 그 제조 방법
KR20000035207A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
US5406119A (en) Lead frame
JPH02260450A (ja) 半導体装置およびその実装方法
JP3139613B2 (ja) 表面実装型半導体発光装置及びその製造方法
KR100658120B1 (ko) 필름 기판을 사용한 반도체 장치 제조 방법
JP2737712B2 (ja) チップキャリアとその製造方法および素子のマウント方法
KR100774894B1 (ko) 반도체 장치
KR100396869B1 (ko) 연성인쇄회로기판의 접합방법
JP2000036621A (ja) 側面型電子部品の電極構造
JP2001024235A (ja) 表示装置
JP2000091722A (ja) プリント配線板及びその製造方法
JPH0547836A (ja) 半導体装置の実装構造
JP2013084858A (ja) リードフレームおよびその製造方法
JP2002016330A (ja) 部品実装用基板およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080209

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090209

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100209

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100209

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110209

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120209

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120209

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130209

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees