JPH06326365A - チップ部品型の発光ダイオードおよびその製造方法 - Google Patents
チップ部品型の発光ダイオードおよびその製造方法Info
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- JPH06326365A JPH06326365A JP11277493A JP11277493A JPH06326365A JP H06326365 A JPH06326365 A JP H06326365A JP 11277493 A JP11277493 A JP 11277493A JP 11277493 A JP11277493 A JP 11277493A JP H06326365 A JPH06326365 A JP H06326365A
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線基板の表面にボンディングワイヤを介さ
ずに直接実装でき、小型で薄型かつ安価なチップ部品型
の発光ダイオードを提供する。 【構成】 Ｐ型層１とＮ型層２のＰＮ接合面と平行をな
して互いに対向するチップの両端面に設けられたＰ型,
Ｎ型の電極部３,４が、表面にはんだのコーティング層
５,６を夫々有するとともに、チップの両端面以外の側
面が、表面に絶縁樹脂のコーティング層を有する。
ずに直接実装でき、小型で薄型かつ安価なチップ部品型
の発光ダイオードを提供する。 【構成】 Ｐ型層１とＮ型層２のＰＮ接合面と平行をな
して互いに対向するチップの両端面に設けられたＰ型,
Ｎ型の電極部３,４が、表面にはんだのコーティング層
５,６を夫々有するとともに、チップの両端面以外の側
面が、表面に絶縁樹脂のコーティング層を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、配線基板の表面にボン
ディングワイヤを介さずに直接実装できる極めて小型か
つ薄型のチップ部品型の発光ダイオード及びその製造方
法に関する。
ディングワイヤを介さずに直接実装できる極めて小型か
つ薄型のチップ部品型の発光ダイオード及びその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオードは、表示パネルや液晶表
示装置のバックライト、携帯機器のインジケータ、照光
スイッチおよびＯＡ機器の光源等として用いられ、従
来、例えば図６に示すようなものが知られている。この
発光ダイオードは、隙間をあけて対向する１対のリード
端子の一方２６の先端に、発光ダイオード２１の下面の
電極２２を導電性ペースト２４で接着し、上面の電極２
３をボンディングワイヤとしての金線２５で他方のリー
ド端子２７の先端に接続するとともに、これと同じもの
を図６(Ａ)に示すように長手方向に並べて、これらを透
明の樹脂２８内にモールドしたものである。この例で
は、図中左側のリード端子２７が陰極,右側のリード端
子２６が陽極であり、製品の長さＬ,幅Ｗ,高さＨは、夫
々Ｌ＝2.9mm，Ｗ＝1.5mm，Ｈ＝1.1mmであり、発光ダイ
オード間の距離は、0.8mmである。そして、モールドで
作られた発光ダイオードは、図示しない配線基板上の配
線パターンに各リード端子２６,２７を載せ、両者をは
んだ付けして実装される。
示装置のバックライト、携帯機器のインジケータ、照光
スイッチおよびＯＡ機器の光源等として用いられ、従
来、例えば図６に示すようなものが知られている。この
発光ダイオードは、隙間をあけて対向する１対のリード
端子の一方２６の先端に、発光ダイオード２１の下面の
電極２２を導電性ペースト２４で接着し、上面の電極２
３をボンディングワイヤとしての金線２５で他方のリー
ド端子２７の先端に接続するとともに、これと同じもの
を図６(Ａ)に示すように長手方向に並べて、これらを透
明の樹脂２８内にモールドしたものである。この例で
は、図中左側のリード端子２７が陰極,右側のリード端
子２６が陽極であり、製品の長さＬ,幅Ｗ,高さＨは、夫
々Ｌ＝2.9mm，Ｗ＝1.5mm，Ｈ＝1.1mmであり、発光ダイ
オード間の距離は、0.8mmである。そして、モールドで
作られた発光ダイオードは、図示しない配線基板上の配
線パターンに各リード端子２６,２７を載せ、両者をは
んだ付けして実装される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
発光ダイオードは、上方に凸をなすリード端子の一方２
６の先端に発光ダイオードチップ２１の下面電極２２を
接着し、上面電極２３を金線２５でリード端子の他方２
７にボンディングし、金線２５等を外力から保護すべく
樹脂２８内にモールドするものである為、チップ自体の
高さは、0.2〜0.3mmであるにすぎないのに、製品全体の
高さが、上述の如く1.1mmと３倍程度にもなり、配線基
板上にかなりのスペースを必要とする。また、構成部材
が多い為、材料費や加工費が嵩み、製品のコストアップ
を招くという問題がある。
発光ダイオードは、上方に凸をなすリード端子の一方２
６の先端に発光ダイオードチップ２１の下面電極２２を
接着し、上面電極２３を金線２５でリード端子の他方２
７にボンディングし、金線２５等を外力から保護すべく
樹脂２８内にモールドするものである為、チップ自体の
高さは、0.2〜0.3mmであるにすぎないのに、製品全体の
高さが、上述の如く1.1mmと３倍程度にもなり、配線基
板上にかなりのスペースを必要とする。また、構成部材
が多い為、材料費や加工費が嵩み、製品のコストアップ
を招くという問題がある。
【０００４】そこで、本発明の目的は、発光ダイオード
チップ自体の構造を工夫することによって、配線基板の
表面にボンディングワイヤを介さずに直接実装できて、
コストダウンが図れ、かつ実装の際のろう材の供給がい
らない極めて小型かつ薄型のチップ部品型の発光ダイオ
ードおよびその製造方法を提供することにある。
チップ自体の構造を工夫することによって、配線基板の
表面にボンディングワイヤを介さずに直接実装できて、
コストダウンが図れ、かつ実装の際のろう材の供給がい
らない極めて小型かつ薄型のチップ部品型の発光ダイオ
ードおよびその製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のチップ部材型の第１の発光ダイオードは、
配線基板の表面にボンディングワイヤを介さずに直接実
装できるものであって、ＰＮ接合面と平行をなして互い
に対向するチップの両端面に設けられた正,負の電極部
が、表面にろう材のコーティング層を有するとともに、
上記チップの両端面以外の側面の少なくとも１つが、表
面に絶縁材料のコーティング層を有することを特徴とす
る。また、上記第１の発光ダイオードの製造方法は、ウ
エハ状態の発光ダイオードの表,裏面に設けられた正,負
の電極部を、ろう材によってコーティングした後、ウエ
ハを縦横にダイシングし、このダイシングで分離された
各チップの側面を、絶縁材料によってコーティングする
ことを特徴とする。
め、本発明のチップ部材型の第１の発光ダイオードは、
配線基板の表面にボンディングワイヤを介さずに直接実
装できるものであって、ＰＮ接合面と平行をなして互い
に対向するチップの両端面に設けられた正,負の電極部
が、表面にろう材のコーティング層を有するとともに、
上記チップの両端面以外の側面の少なくとも１つが、表
面に絶縁材料のコーティング層を有することを特徴とす
る。また、上記第１の発光ダイオードの製造方法は、ウ
エハ状態の発光ダイオードの表,裏面に設けられた正,負
の電極部を、ろう材によってコーティングした後、ウエ
ハを縦横にダイシングし、このダイシングで分離された
各チップの側面を、絶縁材料によってコーティングする
ことを特徴とする。
【０００６】更に、本発明のチップ部材型の第２の発光
ダイオードは、配線基板の表面にボンディングワイヤを
介さず直接実装できるものであって、複数のチップが、
そのチップのＰＮ接合面と平行をなす両端面に設けられ
た正,負の電極部において、上記ＰＮ接合面と直交する
方向に順次導電材料またはろう材によって接続され、接
続された一連のチップの両端の電極部が、表面にろう材
のコーティング層を有するとともに、上記一連のチップ
の両端面以外の側面の少なくとも１つが、表面に絶縁材
料のコーティング層を有することを特徴とする。また、
上記第２の発光ダイオードの製造方法は、複数枚のウエ
ハ状態の発光ダイオードの表,裏面に設けられた正,負の
電極部を、ろう材または導電材料によってコーティング
した後、これらのウエハを両端面にろう材のコーティン
グ層が現われるように重ねて接合し、次いで重ねて接合
されたウエハを縦横にダイシングし、このダイシングで
分離された各チップの側面を、絶縁材料によってコーテ
ィングすることを特徴とする。
ダイオードは、配線基板の表面にボンディングワイヤを
介さず直接実装できるものであって、複数のチップが、
そのチップのＰＮ接合面と平行をなす両端面に設けられ
た正,負の電極部において、上記ＰＮ接合面と直交する
方向に順次導電材料またはろう材によって接続され、接
続された一連のチップの両端の電極部が、表面にろう材
のコーティング層を有するとともに、上記一連のチップ
の両端面以外の側面の少なくとも１つが、表面に絶縁材
料のコーティング層を有することを特徴とする。また、
上記第２の発光ダイオードの製造方法は、複数枚のウエ
ハ状態の発光ダイオードの表,裏面に設けられた正,負の
電極部を、ろう材または導電材料によってコーティング
した後、これらのウエハを両端面にろう材のコーティン
グ層が現われるように重ねて接合し、次いで重ねて接合
されたウエハを縦横にダイシングし、このダイシングで
分離された各チップの側面を、絶縁材料によってコーテ
ィングすることを特徴とする。
【０００７】
【作用】請求項１に記載の発光ダイオードは、チップの
両端面に設けられた正,負の電極部の表面が、ろう材で
コーティングされ、両端面以外の側面の少なくとも１つ
の表面が、絶縁材料でコーティングされている。従っ
て、発光ダイオードの寸法が、略チップ自体の寸法まで
小型化,薄型化できる。また、発光ダイオードの絶縁材
料でコーティングされた側面を、配線基板面に対向さ
せ、かつ両端の正,負の電極部を、配線基板上の一方,他
方の配線パターン上にそれぞれ垂直に載せ、炉中等で上
記ろう材の融点以上に加熱すると、両電極部のろう材が
溶融して配線パターンとのろう接が行なわれる。請求項
２に記載の発光ダイオードの製造方法では、正,負の電
極部のろう材によるコーティングと、絶縁材料による側
面のコーティングとをウエハの状態で一括して行なえ、
しかも、従来のワイヤボンディングや樹脂モールドが不
要になるので、極めて小型かつ薄型の請求項１に記載の
発光ダイオードを安価に製造することができる。
両端面に設けられた正,負の電極部の表面が、ろう材で
コーティングされ、両端面以外の側面の少なくとも１つ
の表面が、絶縁材料でコーティングされている。従っ
て、発光ダイオードの寸法が、略チップ自体の寸法まで
小型化,薄型化できる。また、発光ダイオードの絶縁材
料でコーティングされた側面を、配線基板面に対向さ
せ、かつ両端の正,負の電極部を、配線基板上の一方,他
方の配線パターン上にそれぞれ垂直に載せ、炉中等で上
記ろう材の融点以上に加熱すると、両電極部のろう材が
溶融して配線パターンとのろう接が行なわれる。請求項
２に記載の発光ダイオードの製造方法では、正,負の電
極部のろう材によるコーティングと、絶縁材料による側
面のコーティングとをウエハの状態で一括して行なえ、
しかも、従来のワイヤボンディングや樹脂モールドが不
要になるので、極めて小型かつ薄型の請求項１に記載の
発光ダイオードを安価に製造することができる。
【０００８】請求項３に記載の発光ダイオードは、複数
のチップを導電材料またはろう材で順次接続してなる一
連のチップの両端の電極部の表面が、ろう材でコーティ
ングされ、一連のチップの両端面以外の側面の少なくと
も１つの表面が、絶縁材料でコーティングされている。
従って、発光ダイオードの寸法が、略一連のチップ自体
の寸法まで小型化,薄型化できる。また、発光ダイオー
ドの絶縁材料でコーティングされた側面を、配線基板面
に対向させ、かつ両端の電極部および中間のろう材接続
部を、配線基板上の一方,他方および中間の配線パター
ン上に夫々垂直に載せ、炉中等で上記ろう材の融点以上
に加熱すると、両電極部および中間接続部のろう材が溶
融して各配線パターンとのろう接が行なわれる。請求項
４に記載の発光ダイオードの製造方法では、複数枚のウ
エハ状態の発光ダイオードの表,裏面の電極部のろう材
または導電材料によるコーティングと、両端面にろう材
のコーティング層が現われるようにした上記複数ウエハ
の重ね接合と、ダイシングで分離された各チップの側面
の絶縁材料によるコーティングとをウエハの状態で一括
して行なえ、しかも、従来のワイヤボンディングや樹脂
モールドが不要になるので、極めて小型かつ薄型のチッ
プ部品型の請求項３に記載の発光ダイオードを安価に製
造することができる。
のチップを導電材料またはろう材で順次接続してなる一
連のチップの両端の電極部の表面が、ろう材でコーティ
ングされ、一連のチップの両端面以外の側面の少なくと
も１つの表面が、絶縁材料でコーティングされている。
従って、発光ダイオードの寸法が、略一連のチップ自体
の寸法まで小型化,薄型化できる。また、発光ダイオー
ドの絶縁材料でコーティングされた側面を、配線基板面
に対向させ、かつ両端の電極部および中間のろう材接続
部を、配線基板上の一方,他方および中間の配線パター
ン上に夫々垂直に載せ、炉中等で上記ろう材の融点以上
に加熱すると、両電極部および中間接続部のろう材が溶
融して各配線パターンとのろう接が行なわれる。請求項
４に記載の発光ダイオードの製造方法では、複数枚のウ
エハ状態の発光ダイオードの表,裏面の電極部のろう材
または導電材料によるコーティングと、両端面にろう材
のコーティング層が現われるようにした上記複数ウエハ
の重ね接合と、ダイシングで分離された各チップの側面
の絶縁材料によるコーティングとをウエハの状態で一括
して行なえ、しかも、従来のワイヤボンディングや樹脂
モールドが不要になるので、極めて小型かつ薄型のチッ
プ部品型の請求項３に記載の発光ダイオードを安価に製
造することができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を図示の実施例により詳細に説
明する。図１(Ａ)は、本発明の請求項１に記載のチップ
部品型の発光ダイオードの一実施例を示す斜視図であ
る。この発光ダイオードは、互いに接合されるＰ型層１
およびＮ型層２と、このＰ型,Ｎ型層１,２の端面にＰＮ
接合面と平行に互いに対向して設けられたＰ型,Ｎ型の
電極部３,４と、この電極部３,４の表面に設けられたろ
う材としてのはんだのコーティング層５,６と、このコ
ーティング層５,６以外の４つの側面の表面に設けられ
た絶縁材料としての絶縁樹脂のコーティング層７(図２
(Ｃ),(Ｄ)参照)からなり、直方体状のチップを呈する。
明する。図１(Ａ)は、本発明の請求項１に記載のチップ
部品型の発光ダイオードの一実施例を示す斜視図であ
る。この発光ダイオードは、互いに接合されるＰ型層１
およびＮ型層２と、このＰ型,Ｎ型層１,２の端面にＰＮ
接合面と平行に互いに対向して設けられたＰ型,Ｎ型の
電極部３,４と、この電極部３,４の表面に設けられたろ
う材としてのはんだのコーティング層５,６と、このコ
ーティング層５,６以外の４つの側面の表面に設けられ
た絶縁材料としての絶縁樹脂のコーティング層７(図２
(Ｃ),(Ｄ)参照)からなり、直方体状のチップを呈する。
【００１０】上記構成の発光ダイオードは、配線基板上
に次のようにして実装される。即ち、図１(Ａ)に示すよ
うに、発光ダイオードのチップを横向きにして、両端の
はんだコーティングされた電極部３,４を、配線基板８
上の一方,他方の配線パターン９a,９bに垂直に載せ、絶
縁樹脂コーティングされた底部中央を接着剤１０で配線
基板８に仮止めする。次いで、この配線基板８を、はん
だの融点以上に加熱されたリフロー炉に入れると、図１
(Ｂ)に示すように、両端の電極部３,４のはんだ５,６が
溶融して両電極部３,４と配線パターン９a,９bとのはん
だ付けが夫々行なわれる。上記発光ダイオードは、図６
で述べた従来例のような配線基板から突出するリード端
子２６,２７,ボンディングワイヤ２５,モールド樹脂２
８がないので、その寸法を略素子チップ自体の寸法まで
減じて小型化,薄型化が図れるとともに、ボンディング
ワイヤが外力や熱応力で断線することもないうえ、実装
時にチップに加わる外力が、側面の絶縁樹脂のコーティ
ング層７で緩和されるので、実装された発光ダイオード
の信頼性が向上する。さらに、配線パターンへの接続作
業が容易,迅速,高精度に行なえるとともに、クリームは
んだのスクリーン印刷等によってはんだを供給する必要
がなく、部品点数の減少による材料費,加工費の低減と
相俟って、実装作業のコストダウンを図ることができ
る。
に次のようにして実装される。即ち、図１(Ａ)に示すよ
うに、発光ダイオードのチップを横向きにして、両端の
はんだコーティングされた電極部３,４を、配線基板８
上の一方,他方の配線パターン９a,９bに垂直に載せ、絶
縁樹脂コーティングされた底部中央を接着剤１０で配線
基板８に仮止めする。次いで、この配線基板８を、はん
だの融点以上に加熱されたリフロー炉に入れると、図１
(Ｂ)に示すように、両端の電極部３,４のはんだ５,６が
溶融して両電極部３,４と配線パターン９a,９bとのはん
だ付けが夫々行なわれる。上記発光ダイオードは、図６
で述べた従来例のような配線基板から突出するリード端
子２６,２７,ボンディングワイヤ２５,モールド樹脂２
８がないので、その寸法を略素子チップ自体の寸法まで
減じて小型化,薄型化が図れるとともに、ボンディング
ワイヤが外力や熱応力で断線することもないうえ、実装
時にチップに加わる外力が、側面の絶縁樹脂のコーティ
ング層７で緩和されるので、実装された発光ダイオード
の信頼性が向上する。さらに、配線パターンへの接続作
業が容易,迅速,高精度に行なえるとともに、クリームは
んだのスクリーン印刷等によってはんだを供給する必要
がなく、部品点数の減少による材料費,加工費の低減と
相俟って、実装作業のコストダウンを図ることができ
る。
【００１１】図２は、上記発光ダイオードの製造方法
を、請求項２に記載の製造方法の一実施例として示して
いる。上記発光ダイオードは、ウエハ１１状態の発光ダ
イオードの表,裏面に形成されたＰ型,Ｎ型の電極部３,
４を、はんだで被覆してはんだコーティング層５,６を
設けた後、図２(Ａ)に示すように、Ｎ側のはんだコーテ
ィング層６をシート１２上に載せて貼り付ける。次に、
図２(Ｂ)の如く、ウエハ１１を縦横にダイシングして各
チップに分離し、さらに、図２(Ｃ)の如く、各チップの
上面をシート１３でマスキングし、各チップの側面方向
から保護用の絶縁樹脂を注入して硬化させ、側面のコー
ティング層７を形成する。最後に、図２(Ｄ)に示すよう
に、上面のシートを除去すれば、各チップが完成する。
を、請求項２に記載の製造方法の一実施例として示して
いる。上記発光ダイオードは、ウエハ１１状態の発光ダ
イオードの表,裏面に形成されたＰ型,Ｎ型の電極部３,
４を、はんだで被覆してはんだコーティング層５,６を
設けた後、図２(Ａ)に示すように、Ｎ側のはんだコーテ
ィング層６をシート１２上に載せて貼り付ける。次に、
図２(Ｂ)の如く、ウエハ１１を縦横にダイシングして各
チップに分離し、さらに、図２(Ｃ)の如く、各チップの
上面をシート１３でマスキングし、各チップの側面方向
から保護用の絶縁樹脂を注入して硬化させ、側面のコー
ティング層７を形成する。最後に、図２(Ｄ)に示すよう
に、上面のシートを除去すれば、各チップが完成する。
【００１２】上述の製造方法では、Ｐ型,Ｎ型の電極部
３,４のはんだによるコーティングと、絶縁樹脂による
側面のコーティングとをウエハ１１の状態で一括して行
なえ、しかも、従来のワイヤボンディングや樹脂モール
ドが不要になるので、極めて小型かつ薄型のチップ部品
型の発光ダイオードを安価に製造することができる。な
お、上記実施例では、電極部３,４をコーティングする
ろう材を、はんだとしたが、これを比較的低融点の他の
ろう材にすることもできる。また、チップ側面のコーテ
ィング層７は、実施例の絶縁樹脂に限らず、絶縁材料で
あればセラミック,ガラス等でもよく、また、実施例の
ように４つの側面の総てでなく、配線基板８に対向する
１つの側面のみに設けてもよい。さらに、図２(Ｃ)の上
面のマスキングシート１３は、コーティング層７の絶縁
材料と反応しないレジスト膜であってもよく、また、マ
スキングシート１３を省略して、ダイシングでできた溝
に絶縁樹脂を滴下してチップ側面のコーティング層７を
形成することもできる。
３,４のはんだによるコーティングと、絶縁樹脂による
側面のコーティングとをウエハ１１の状態で一括して行
なえ、しかも、従来のワイヤボンディングや樹脂モール
ドが不要になるので、極めて小型かつ薄型のチップ部品
型の発光ダイオードを安価に製造することができる。な
お、上記実施例では、電極部３,４をコーティングする
ろう材を、はんだとしたが、これを比較的低融点の他の
ろう材にすることもできる。また、チップ側面のコーテ
ィング層７は、実施例の絶縁樹脂に限らず、絶縁材料で
あればセラミック,ガラス等でもよく、また、実施例の
ように４つの側面の総てでなく、配線基板８に対向する
１つの側面のみに設けてもよい。さらに、図２(Ｃ)の上
面のマスキングシート１３は、コーティング層７の絶縁
材料と反応しないレジスト膜であってもよく、また、マ
スキングシート１３を省略して、ダイシングでできた溝
に絶縁樹脂を滴下してチップ側面のコーティング層７を
形成することもできる。
【００１３】図３(Ａ)は、本発明の請求項３に記載のチ
ップ部品型の発光ダイオードの一実施例を示す斜視図で
ある。この発光ダイオードは、図１（Ａ)で述べたと同
じチップ２つを、Ｎ型の電極部４の表面に設けたはんだ
のコーティング層６同士で接合して、ＰＮ接合面と直交
する方向に伸びる長いチップとしたものである。従っ
て、図１(Ａ)で述べたと同じ部材には、同一番号を付し
て説明を省略する。
ップ部品型の発光ダイオードの一実施例を示す斜視図で
ある。この発光ダイオードは、図１（Ａ)で述べたと同
じチップ２つを、Ｎ型の電極部４の表面に設けたはんだ
のコーティング層６同士で接合して、ＰＮ接合面と直交
する方向に伸びる長いチップとしたものである。従っ
て、図１(Ａ)で述べたと同じ部材には、同一番号を付し
て説明を省略する。
【００１４】上記発光ダイオードは、図３(Ｂ)に示すよ
うに、チップを横向きにして、両端のはんだコーティン
グされた電極部５,５を、配線基板８上の一方,他方の配
線パターン９a,９bに、中央のはんだコーティングされ
た電極部４,４を、中間の配線パターン９cに夫々垂直に
載せられ、絶縁樹脂コーティングされた底部両側を接着
剤１０,１０で配線基板８に仮止めされる。次いで、こ
の配線基板８が、はんだの融点以上に加熱されたリフロ
ー炉に入れられると、図３(Ｂ)に示すように、両端の電
極部３,３のはんだ５,５および中央の電極部４,４間の
はんだ６が溶融して、これらの電極部と配線パターン９
a,９b,９cとがはんだ付けされる。上記発光ダイオード
も、図１で述べた実施例と同様、従来例の如きボンディ
ングワイヤ２５(図６参照)やモールド樹脂２８等がない
ので、その寸法を略素子チップ自体の寸法にまで減じて
小型化,薄型化が図れ、配線パターンへの接続作業が容
易,迅速,高精度にでき、部品点数の減少による材料費,
加工費の低減と相俟って、実装作業のコストダウンを図
ることができる。
うに、チップを横向きにして、両端のはんだコーティン
グされた電極部５,５を、配線基板８上の一方,他方の配
線パターン９a,９bに、中央のはんだコーティングされ
た電極部４,４を、中間の配線パターン９cに夫々垂直に
載せられ、絶縁樹脂コーティングされた底部両側を接着
剤１０,１０で配線基板８に仮止めされる。次いで、こ
の配線基板８が、はんだの融点以上に加熱されたリフロ
ー炉に入れられると、図３(Ｂ)に示すように、両端の電
極部３,３のはんだ５,５および中央の電極部４,４間の
はんだ６が溶融して、これらの電極部と配線パターン９
a,９b,９cとがはんだ付けされる。上記発光ダイオード
も、図１で述べた実施例と同様、従来例の如きボンディ
ングワイヤ２５(図６参照)やモールド樹脂２８等がない
ので、その寸法を略素子チップ自体の寸法にまで減じて
小型化,薄型化が図れ、配線パターンへの接続作業が容
易,迅速,高精度にでき、部品点数の減少による材料費,
加工費の低減と相俟って、実装作業のコストダウンを図
ることができる。
【００１５】図４は、図３で述べた発光ダイオードの製
造方法を、請求項４に記載の製造方法の一実施例として
示している。上記発光ダイオードは、まず、ウエハの
表,裏面にあたるＰ,Ｎ型の電極部３,４を、夫々はんだ
で被覆してはんだコーティング層５,６設けて２枚のウ
エハ１１,１１を製作した後、両ウエハをはんだコーテ
ィング層６,６で互いに重ね合わせ、リフロー炉内など
で接合して一体のウエハ１４とし、図３（Ａ)に示すよ
うに、Ｐ側のはんだコーティング層５をシート１２上に
載せて貼り付ける。次に、図３(Ｂ)の如く、ウエハ１４
を縦横にダイシングして各チップに分離し、更に、図３
(Ｃ)の如く、各チップの上面に塗布によってレジスト層
１５を形成し、各チップの側面方向から保護用の絶縁樹
脂を注入して硬化させ、側面のコーティング層７を形成
する。最後に、図３(Ｄ)に示すように、上面のレジスト
層１５を除去すれば、各チップが完成する。なお、この
発光ダイオードの回路図は、図５(Ａ)に示すとおりであ
り、例えば一方を赤色,他方を緑色のものとすれば、２
色表示の発光ダイオードを構成できる。
造方法を、請求項４に記載の製造方法の一実施例として
示している。上記発光ダイオードは、まず、ウエハの
表,裏面にあたるＰ,Ｎ型の電極部３,４を、夫々はんだ
で被覆してはんだコーティング層５,６設けて２枚のウ
エハ１１,１１を製作した後、両ウエハをはんだコーテ
ィング層６,６で互いに重ね合わせ、リフロー炉内など
で接合して一体のウエハ１４とし、図３（Ａ)に示すよ
うに、Ｐ側のはんだコーティング層５をシート１２上に
載せて貼り付ける。次に、図３(Ｂ)の如く、ウエハ１４
を縦横にダイシングして各チップに分離し、更に、図３
(Ｃ)の如く、各チップの上面に塗布によってレジスト層
１５を形成し、各チップの側面方向から保護用の絶縁樹
脂を注入して硬化させ、側面のコーティング層７を形成
する。最後に、図３(Ｄ)に示すように、上面のレジスト
層１５を除去すれば、各チップが完成する。なお、この
発光ダイオードの回路図は、図５(Ａ)に示すとおりであ
り、例えば一方を赤色,他方を緑色のものとすれば、２
色表示の発光ダイオードを構成できる。
【００１６】上記製造方法では、２枚の発光ダイオード
ウエハの表,裏面の電極部のはんだによるコーティング
と、両ウエハの重ね接合と、ダイシングで分離された各
チップの側面の絶縁樹脂によるコーティングとを、ウエ
ハの状態で一括して行なえ、しかも、従来のワイヤボン
ディングや樹脂モールドが不要になり、中央の電極部
４,４を含む電極部の接合にはんだの供給がいらず、極
めて小型かつ薄型のチップ部品型の直列接続の発光ダイ
オードを安価に製造することができる。なお、上記２色
表示の発光ダイオードを例にとれば、その長さＬ,幅Ｗ,
高さＨは、Ｌ＝0.5mm,Ｗ＝0.3mm,Ｈ＝0.3mmとなって、
図６の従来例のもののＬ,Ｗ,Ｈと比して、いずれも略１
／３に短縮している。上記実施例では、中間の電極部
４,４間をろう材としてのはんだで接合したが、この電
極部４,４を配線パターン９cに接続する必要がない場合
は、上記電極部間を導電材料で接合してもよい。また、
図２の実施例で述べたと同様、両端の電極部をコーティ
ングするろう材を、はんだ以外の低融点ろう材とし、チ
ップ側面のコーティング層を、セラミック,ガラス等の
絶縁材料とし、１つの側面のみにコーティングするよう
にしてもよい。また、上面のレジスト層１５を、マスキ
ングシートに代えてもよく、これらを省略して、ダイシ
ング溝に絶縁材料を滴下してチップ側面をコーティング
することもできる。
ウエハの表,裏面の電極部のはんだによるコーティング
と、両ウエハの重ね接合と、ダイシングで分離された各
チップの側面の絶縁樹脂によるコーティングとを、ウエ
ハの状態で一括して行なえ、しかも、従来のワイヤボン
ディングや樹脂モールドが不要になり、中央の電極部
４,４を含む電極部の接合にはんだの供給がいらず、極
めて小型かつ薄型のチップ部品型の直列接続の発光ダイ
オードを安価に製造することができる。なお、上記２色
表示の発光ダイオードを例にとれば、その長さＬ,幅Ｗ,
高さＨは、Ｌ＝0.5mm,Ｗ＝0.3mm,Ｈ＝0.3mmとなって、
図６の従来例のもののＬ,Ｗ,Ｈと比して、いずれも略１
／３に短縮している。上記実施例では、中間の電極部
４,４間をろう材としてのはんだで接合したが、この電
極部４,４を配線パターン９cに接続する必要がない場合
は、上記電極部間を導電材料で接合してもよい。また、
図２の実施例で述べたと同様、両端の電極部をコーティ
ングするろう材を、はんだ以外の低融点ろう材とし、チ
ップ側面のコーティング層を、セラミック,ガラス等の
絶縁材料とし、１つの側面のみにコーティングするよう
にしてもよい。また、上面のレジスト層１５を、マスキ
ングシートに代えてもよく、これらを省略して、ダイシ
ング溝に絶縁材料を滴下してチップ側面をコーティング
することもできる。
【００１７】図５(Ｂ)〜(Ｅ)は、上述の請求項４の製造
方法で作られる請求項２に係る直列接続の発光ダイオー
ドの種々の変形例を、回路図で示している。これらの図
で、各発光ダイオード素子の接続点のうち、端子の表示
があるものは、はんだなどのろう材で接合されるが、そ
れ以外のものは、導電材料で接合すれば足りる。
方法で作られる請求項２に係る直列接続の発光ダイオー
ドの種々の変形例を、回路図で示している。これらの図
で、各発光ダイオード素子の接続点のうち、端子の表示
があるものは、はんだなどのろう材で接合されるが、そ
れ以外のものは、導電材料で接合すれば足りる。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
チップ部品型の第１の発光ダイオードは、ＰＮ接合面と
平行をなして互いに対向するチップの両端面に設けられ
た正,負の電極部が、表面にろう材のコーティング層を
有し、チップの両端面以外の側面の少なくとも１つが、
表面に絶縁材料のコーティング層を有しているので、従
来のボンディングワイヤやモールド樹脂がなくて、寸法
を素子チップ自体の寸法まで略減少して小型化,薄型化
が図れ、ボンディングワイヤの断線の虞もなくて信頼性
が向上し、配線基板のパターンへの接続作業がはんだ等
の供給なしで容易,迅速,高精度に行なえ、部品点数の減
少による材料費,加工費の低減と相俟って、実装作業の
コストダウンを図ることができる。また、本発明の第１
の発光ダイオードの製造方法は、ウエハ状態の発光ダイ
オードの表,裏面に設けられた正,負の電極部を、ろう材
によってコーティングした後、ウエハを縦横にダイシン
グし、ダイシングで分離された各チップの側面を、絶縁
材料によってコーティングするので、ろう材による電極
部のコーティングと、絶縁材料による側面のコーティン
グを、ウエハ状態で一括してでき、従来のワイヤボンデ
ィングや樹脂モールドが不要になって、極めて小型かつ
薄型の発光ダイオードを安価に製造することができる。
チップ部品型の第１の発光ダイオードは、ＰＮ接合面と
平行をなして互いに対向するチップの両端面に設けられ
た正,負の電極部が、表面にろう材のコーティング層を
有し、チップの両端面以外の側面の少なくとも１つが、
表面に絶縁材料のコーティング層を有しているので、従
来のボンディングワイヤやモールド樹脂がなくて、寸法
を素子チップ自体の寸法まで略減少して小型化,薄型化
が図れ、ボンディングワイヤの断線の虞もなくて信頼性
が向上し、配線基板のパターンへの接続作業がはんだ等
の供給なしで容易,迅速,高精度に行なえ、部品点数の減
少による材料費,加工費の低減と相俟って、実装作業の
コストダウンを図ることができる。また、本発明の第１
の発光ダイオードの製造方法は、ウエハ状態の発光ダイ
オードの表,裏面に設けられた正,負の電極部を、ろう材
によってコーティングした後、ウエハを縦横にダイシン
グし、ダイシングで分離された各チップの側面を、絶縁
材料によってコーティングするので、ろう材による電極
部のコーティングと、絶縁材料による側面のコーティン
グを、ウエハ状態で一括してでき、従来のワイヤボンデ
ィングや樹脂モールドが不要になって、極めて小型かつ
薄型の発光ダイオードを安価に製造することができる。
【００１９】さらに、本発明のチップ部品型の第２の発
光ダイオードは、複数のチップが、そのチップのＰＮ接
合面と平行をなす両端面に設けられた正,負の電極部に
おいて、上記ＰＮ接合面と直交する方向に順次導電材料
またはろう材によって接続され、接続された一連のチッ
プの両端面の電極部が、表面にろう材のコーティング層
を有すると共に、上記一連のチップの両端面以外の側面
の少なくとも１つが、表面に絶縁材料のコーティング層
を有しているので、従来のボンディングワイヤやモール
ド樹脂がなくて、寸法を一連のチップ自体の寸法にまで
略減少して小型化,薄型化が図れ、ボンディングワイヤ
の断線の虞もなくて信頼性が向上し、配線基板のパター
ンへの接続作業がはんだ等の供給なしで容易,迅速,高精
度に行なえ、部品点数の減少による材料費,加工費の低
減と相俟って、実装作業のコストダウンを一層図ること
ができる。また、本発明の第２の発光ダイオードの製造
方法は、複数枚のウエハ状態の発光ダイオードの表,裏
面に設けられた正,負の電極部を、ろう材または導電材
料によってコーティングした後、これらのウエハを両端
面にろう材のコーティング層が現われるように重ねて接
合し、次いで重ねて接合されたウエハを縦横にダイシン
グし、このダイシングで分離された各チップの側面を、
絶縁材料によってコーティングするので、ろう材または
導電材料による中間コーティングと、ろう材による両端
電極部のコーティングと、絶縁材料による側面のコーテ
ィングを、ウエハ状態で一括してでき、従来のワイヤボ
ンディングや樹脂モールドが不要になって、極めて小型
かつ薄型の発光ダイオードを一層安価に製造することが
できる。
光ダイオードは、複数のチップが、そのチップのＰＮ接
合面と平行をなす両端面に設けられた正,負の電極部に
おいて、上記ＰＮ接合面と直交する方向に順次導電材料
またはろう材によって接続され、接続された一連のチッ
プの両端面の電極部が、表面にろう材のコーティング層
を有すると共に、上記一連のチップの両端面以外の側面
の少なくとも１つが、表面に絶縁材料のコーティング層
を有しているので、従来のボンディングワイヤやモール
ド樹脂がなくて、寸法を一連のチップ自体の寸法にまで
略減少して小型化,薄型化が図れ、ボンディングワイヤ
の断線の虞もなくて信頼性が向上し、配線基板のパター
ンへの接続作業がはんだ等の供給なしで容易,迅速,高精
度に行なえ、部品点数の減少による材料費,加工費の低
減と相俟って、実装作業のコストダウンを一層図ること
ができる。また、本発明の第２の発光ダイオードの製造
方法は、複数枚のウエハ状態の発光ダイオードの表,裏
面に設けられた正,負の電極部を、ろう材または導電材
料によってコーティングした後、これらのウエハを両端
面にろう材のコーティング層が現われるように重ねて接
合し、次いで重ねて接合されたウエハを縦横にダイシン
グし、このダイシングで分離された各チップの側面を、
絶縁材料によってコーティングするので、ろう材または
導電材料による中間コーティングと、ろう材による両端
電極部のコーティングと、絶縁材料による側面のコーテ
ィングを、ウエハ状態で一括してでき、従来のワイヤボ
ンディングや樹脂モールドが不要になって、極めて小型
かつ薄型の発光ダイオードを一層安価に製造することが
できる。
【図１】 本発明の請求項１に記載の発光ダイオードの
一実施例を示す斜視図である。
一実施例を示す斜視図である。
【図２】 図１の発光ダイオードの製造方法を示す図で
ある。
ある。
【図３】 本発明の請求項３に記載の発光ダイオードの
一実施例を示す斜視図である。
一実施例を示す斜視図である。
【図４】 図３の発光ダイオードの製造方法を示す図で
ある。
ある。
【図５】 図３の発光ダイオードの種々の変形例を示す
回路図である。
回路図である。
【図６】 従来の発光ダイオードを示す平面図および正
面図である。
面図である。
１…Ｐ型層、２…Ｎ型層、３…Ｐ型電極部、４…Ｎ型電
極部、５,６…はんだのコーティング層、７…絶縁樹脂
のコーティング層、８…配線基板、９a,９b,９c…配線
パターン、１０…接着剤、１１,１４…ウエハ、１２,１
３…シート、１５…レジスト層。
極部、５,６…はんだのコーティング層、７…絶縁樹脂
のコーティング層、８…配線基板、９a,９b,９c…配線
パターン、１０…接着剤、１１,１４…ウエハ、１２,１
３…シート、１５…レジスト層。
Claims (4)
- 【請求項１】 配線基板の表面にボンディングワイヤを
介さずに直接実装できるチップ部品型の発光ダイオード
であって、 ＰＮ接合面と平行をなして互いに対向するチップの両端
面に設けられた正,負の電極部が、表面にろう材のコー
ティング層を有するとともに、上記チップの両端面以外
の側面の少なくとも１つが、表面に絶縁材料のコーティ
ング層を有することを特徴とするチップ部品型の発光ダ
イオード。 - 【請求項２】 請求項１に記載のチップ部品型の発光ダ
イオードの製造方法であって、 ウエハ状態の発光ダイオードの表,裏面に設けられた正,
負の電極部を、ろう材によってコーティングした後、ウ
エハを縦横にダイシングし、このダイシングで分離され
た各チップの側面を、絶縁材料によってコーティングす
ることを特徴とするチップ部品型の発光ダイオードの製
造方法。 - 【請求項３】 配線基板の表面にボンディングワイヤを
介さずに直接実装できるチップ部品型の発光ダイオード
であって、 複数のチップが、そのチップのＰＮ接合面と平行をなす
両端面に設けられた正,負の電極部において、上記ＰＮ
接合面と直交する方向に順次導電材料またはろう材によ
って接続され、接続された一連のチップの両端の電極部
が、表面にろう材のコーティング層を有するとともに、
上記一連のチップの両端面以外の側面の少なくとも１つ
が、表面に絶縁材料のコーティング層を有することを特
徴とするチップ部品型の発光ダイオード。 - 【請求項４】 請求項３に記載のチップ部品型の発光ダ
イオードの製造方法であって、 複数枚のウエハ状態の発光ダイオードの表,裏面に設け
られた正，負の電極部を、ろう材または導電材料によっ
てコーティングした後、これらのウエハを両端面にろう
材のコーティング層が現われるように重ねて接合し、次
いで重ねて接合されたウエハを縦横にダイシングし、こ
のダイシングで分離された各チップの側面を、絶縁材料
によってコーティングすることを特徴とするチップ部品
型の発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11277493A JP3022049B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | チップ部品型の発光ダイオードの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11277493A JP3022049B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | チップ部品型の発光ダイオードの実装方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34948198A Division JP3312121B2 (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | チップ部品型の発光ダイオードの製造方法 |
| JP34948098A Division JP3312120B2 (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | チップ部品型の発光ダイオードの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326365A true JPH06326365A (ja) | 1994-11-25 |
| JP3022049B2 JP3022049B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=14595176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11277493A Expired - Fee Related JP3022049B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | チップ部品型の発光ダイオードの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3022049B2 (ja) |
Cited By (11)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0936432A (ja) * | 1995-07-17 | 1997-02-07 | Sharp Corp | 横発光型ｌｅｄおよびその製造方法 |
| US6018167A (en) * | 1996-12-27 | 2000-01-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| JP2004281445A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 積層型発光ダイオード素子 |
| US7030445B2 (en) | 2003-05-20 | 2006-04-18 | Renesas Technology Corp. | Power MOSFET, power MOSFET packaged device, and method of manufacturing power MOSFET |
| US7126163B2 (en) | 2001-02-26 | 2006-10-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting diode and its manufacturing method |
| US7691728B2 (en) | 2006-05-12 | 2010-04-06 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2014067876A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
| KR102017554B1 (ko) * | 2018-03-27 | 2019-09-03 | (주)라이타이저 | 원칩 타입의 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR20190115838A (ko) * | 2018-04-04 | 2019-10-14 | (주)라이타이저 | 원칩 타입의 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| EP3944308A1 (en) * | 2020-07-20 | 2022-01-26 | Nexperia B.V. | A semiconductor device and a method of manufacture |
| WO2022069731A1 (de) * | 2020-10-02 | 2022-04-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische vorrichtung und verfahren zum erzeugen einer optoelektronischen vorrichtung |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP11277493A patent/JP3022049B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0936432A (ja) * | 1995-07-17 | 1997-02-07 | Sharp Corp | 横発光型ｌｅｄおよびその製造方法 |
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| US7126163B2 (en) | 2001-02-26 | 2006-10-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting diode and its manufacturing method |
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| KR102017554B1 (ko) * | 2018-03-27 | 2019-09-03 | (주)라이타이저 | 원칩 타입의 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| WO2019190090A1 (ko) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | ㈜라이타이저 | 원칩 타입의 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR20190115838A (ko) * | 2018-04-04 | 2019-10-14 | (주)라이타이저 | 원칩 타입의 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| EP3944308A1 (en) * | 2020-07-20 | 2022-01-26 | Nexperia B.V. | A semiconductor device and a method of manufacture |
| WO2022069731A1 (de) * | 2020-10-02 | 2022-04-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische vorrichtung und verfahren zum erzeugen einer optoelektronischen vorrichtung |
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| JP3022049B2 (ja) | 2000-03-15 |
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