JP2018133522A - 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1 :半導体素子
2 :支持部材
21 :隆起平面
3 :基材
31 :基材主面
32 :基材裏面
33,34 :第1基材側面
331,341:スルーホール部
35,36 :第2基材側面
371,372:貫通孔
39 :欠損部
4 :配線パターン
41 :主面電極
411 :ダイボンディング部
412 :ワイヤボンディング部
413 :第1端縁部
414 :第2端縁部
415 :第1連結部
416 :第2連結部
417 :第1延出部
418 :第2延出部
42,43 :裏面電極
44,45 :側面電極
461,462:貫通電極
5 :レジスト層
51 :基材主面側レジスト
511 :パターン被覆部
513 :基材被覆部
514 :極性判断目印部
515 :被覆連続部
52 :基材裏面側レジスト
53 :円環部
6 :ワイヤ
7 :封止樹脂
71 :突出部
300a,300b,300c,300d,300e:集合基材
301 :貫通孔
91,92 :金型
911 :凹部
912 :当接面
913 :角部
914 :傾斜部
93 :キャビティ
94 :樹脂注入路
Claims (22)
- 半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を覆う封止樹脂と、
厚さ方向である第1方向において、前記第1方向一方を向く基材主面および前記第1方向他方を向く基材裏面と、前記第1方向に直交する第2方向において、互いに反対側を向く一対の第1基材側面と、前記第1方向および前記第2方向に直交する第3方向において、互いに反対側を向く一対の第2基材側面とを有する基材を具備し、前記半導体発光素子および前記封止樹脂を支持する支持部材と、
を備えた半導体発光装置において、
前記支持部材は、前記第1方向において前記基材主面より隆起し、かつ、平面である隆起平面を有しており、
前記隆起平面は、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第1方向視において、前記第3方向の一方の端縁から他方の端縁まで、前記第3方向に繋がる部分を有する、
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記隆起平面はすべて、前記封止樹脂から露出している、
請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記隆起平面は、前記第1方向視において、前記封止樹脂の前記第2方向の端縁に接している、
請求項2に記載の半導体発光装置。 - 前記封止樹脂は、前記第2方向に突出する突出部を有しており、
前記突出部は、前記基材主面が向く方向と同じ方向を向く面が、前記第1方向において、前記隆起平面と同じ位置である、
請求項3に記載の半導体発光装置。 - 前記隆起平面は、前記支持部材のうち前記封止樹脂から露出している部分において、最も前記基材主面が向く方向側に位置する、
請求項4に記載の半導体発光装置。 - 前記支持部材は、前記基材上に形成された配線パターンをさらに具備する、
請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 前記配線パターンは、前記基材主面に形成された主面電極を有する、
請求項6に記載の半導体発光装置。 - 前記隆起平面は、前記主面電極の一部である、
請求項7に記載の半導体発光装置。 - 前記支持部材は、絶縁性の材質からなるレジスト層をさらに具備する、
請求項7に記載の半導体発光装置。 - 前記レジスト層は、前記基材主面上に形成された基材被覆部を有しており、
前記隆起平面は、前記基材被覆部の一部である、
請求項9に記載の半導体発光装置。 - 前記レジスト層は、前記主面電極上に形成されたパターン被覆部を有しており、
前記隆起平面は、前記パターン被覆部の一部である、
請求項9に記載の半導体発光装置。 - 前記配線パターンは、前記基材裏面に形成され、互いに離間した一対の裏面電極を有する、
請求項11に記載の半導体発光装置。 - 前記半導体発光素子と前記配線パターンとを接続するワイヤを、さらに備える、
請求項12に記載の半導体発光装置。 - 前記主面電極は、前記半導体発光素子がダイボンディングされるダイボンディング部と、前記ワイヤを介して前記半導体発光素子と導通するワイヤボンディング部と、を有する、
請求項13に記載の半導体発光装置。 - 前記配線パターンは、前記第1基材側面に形成され、かつ、前記主面電極と前記裏面電極とを繋ぐ一対の側面電極を有する、
請求項14に記載の半導体発光装置。 - 前記第1基材側面は、前記第2方向に凹み、かつ、前記基材主面から前記基材裏面まで貫通するスルーホールを有し、
前記配線パターンは、前記スルーホールの表面に形成された一対の側面電極を有する、
請求項14に記載の半導体発光装置。 - 前記主面電極は、前記第1方向視において、前記側面電極につながる一対の端縁部と、一方が前記端縁部の一方と前記ダイボンディング部とを繋ぎ、他方が前記端縁部の他方と前記ワイヤボンディング部とを繋ぐ一対の連結部とを有する、
請求項15または請求項16に記載の半導体発光装置。 - 前記主面電極は、前記連結部に繋がり、かつ、前記第1方向視において、前記基材主面の前記第3方向の一方の端縁から他方の端縁に向け延びる一対の延出部を、さらに有する、
請求項17に記載の半導体発光装置。 - 前記隆起平面は、前記延出部上に形成された前記パターン被覆部の一部である、
請求項18に記載の半導体発光装置。 - 前記レジスト層は、前記第1方向視において前記ダイボンディング部の周囲を囲う円環部を有する、
請求項14ないし請求項19のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 請求項1ないし請求項20のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法であって、
前記隆起平面を有する前記支持部材を形成する支持部材形成工程と、
前記支持部材に前記半導体発光素子を接合する素子接合工程と、
一対の金型で前記支持部材を前記第1方向から挟み込み、前記金型の内部のキャビティ内に樹脂材料を注入し、前記封止樹脂を成形する金型成形工程と、を有しており、
前記金型成形工程の前工程において、前記金型が当接する金型押圧領域を考慮して、前記隆起平面が、前記金型押圧領域内で、一方の前記第3方向端縁から他方の前記第3方向端縁まで前記第3方向に連続的に繋がるように、前記支持部材形成工程を行う、
ことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 前記支持部材形成工程は、
前記基材を準備する基材準備工程と、
前記基材に配線パターンを形成するパターン形成工程と、
レジスト層を形成するレジスト形成工程と、
を有しており、
前記レジスト形成工程において、フィルム状のレジストを圧着させて貼り付けた後、硬化させて前記レジスト層を形成する、
請求項21に記載の半導体発光装置の製造方法。
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