JPH1117225A

JPH1117225A - 光電装置

Info

Publication number: JPH1117225A
Application number: JP16623997A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Tamemoto; 広昭為本
Original assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Current assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date: 1997-06-23
Filing date: 1997-06-23
Publication date: 1999-01-22
Anticipated expiration: 2017-06-23
Also published as: JP3900595B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、フォトインタラプタ、ＬＥＤディス
プレイ、イメージスキャナー等に利用される発光素子や
受光素子を有する光電装置に係わり、特に、使用環境に
よらず安定した光電特性を有する光電装置に関する。【解決手段】本発明は、基板表面に設けられた一対の電
極上に導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続された
同一平面上に正極及び負極を有するプレーナー構造型の
光半導体素子と、この光半導体素子の少なくとも一部を
封止するモールド部材と、を有する光電装置である。特
に、本発明は、一対の外部電極の電極面積は、互いに対
向する電極間に近づくにつれ小さくなるものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、フォトインタラプタ、
ＬＥＤディスプレイ、イメージスキャナー等に利用され
る発光素子や受光素子を有する光電装置に係わり、特
に、製造条件や使用環境によらず安定した光電特性を有
する光電装置に関するものである。

【０００２】

【従来技術】今日、ＬＳＩなどのシリコンテクノロジー
等の発展により、多量の情報を処理し利用することが可
能となった。これに伴い、種々の情報を検知或いは表示
可能な光電装置に対する社会の要求がますます高まりを
見せている。

【０００３】具体的には、光半導体素子としてＬＥＤチ
ップ、ＬＤ（以下、レーザーダイオードとも呼ぶ）など
の発光素子や光センサー、太陽電池などの受光素子が挙
げられる。光半導体素子は、素子自体を水分や塵芥など
から保護する或いは実装しやすくする等の観点から基板
上に配置させモールド樹脂で被覆される。このような構
成の光電装置は、ＬＥＤディスプレイ、光ディスクやＦ
Ａ（ファクトリー・オートメーション）など種々の分野
で利用され始めている。利用分野が広がるにつれ野外な
ど種々の環境下で使用され始めている。

【０００４】光電装置に利用される光半導体素子として
は、半導体を介して一対の電極が設けられた構造のもの
と、光半導体素子の同一平面側に正極及び負極に相当す
る電極が設けられた構造（以下、プレーナー構造とも呼
ぶ。）のものとが挙げられる。

【０００５】半導体を介して電極が設けられた光半導体
素子を利用した光電装置は、図６の如く、一方をＡｇペ
ースを用いて基板上の一方の外部電極と電気的に接続さ
せる。また、光半導体素子の他方の電極を一対に形成さ
れた他方の外部電極に金線などを利用してワイヤーボン
ディングすることにより電気的に接続させる。外部電極
と電気的に接続された光半導体素子は、エポキシ樹脂な
どによりモールドすることで種々の環境下で使用可能な
光電装置が形成される。基板に設けられた外部電極に電
力を供給する或いは、受け取ることにより光半導体素子
を発光させたり発電などすることができる。このような
光電装置は、比較的簡単に形成できる反面、外力により
ワイヤーが損傷しやすい、小型化がしにくい。さらに
は、ワイヤーが光の妨げになるという問題を有する。

【０００６】一方、プレーナー構造の光半導体素子を利
用した光電装置は、図５の如き、基板に設けられた一対
の外部電極と、同一平面側に設けられた光半導体素子の
各電極をＡｇペーストを用いて接続する。基板上に形成
された外部電極と電気的に接続された光半導体素子は、
エポキシ樹脂などによりモールドすることにより光電装
置が形成される。この光電装置は、ワイヤーによる不都
合がない特徴を持つ。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
素子を介して電極が形成された光半導体素子を利用した
光電装置に比べてプレーナー構造の光半導体素子を利用
した光電装置は、モールド部材形成後に接触抵抗が増え
る、光半導体素子が駆動しない傾向が強い。また、温湿
度サイクルの激しい使用環境下では発光輝度などの低下
や不点灯になる確率が高い傾向にある。同様に、外部環
境下から保護するモールド部材である透光性樹脂を厚く
するにつれ、逆に発光輝度の低下や不点灯になる確率が
高い傾向にある。より優れた光電特性が求められる今日
においては上記構成の光電装置では十分ではなく、更な
る特性向上が求められる。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板に設けら
れた一対の電極上に導電性部材を介してそれぞれ電気的
に接続された同一平面上に正極及び負極を有するプレー
ナー構造型の光半導体素子と、この光半導体素子を封止
するモールド部材と、を有する光電装置である。特に、
本発明は、一対の外部電極の電極面積は、互いに対向す
る電極間に近づくにつれ小さくなるものである。

【０００９】本発明の請求項２に記載の光電装置は、光
半導体素子の電極と対向する基板表面に設けられた外部
電極の面積が、光半導体素子の電極面積よりもそれぞれ
小さいものである。

【００１０】本発明の請求項３に記載の光電装置は、外
部電極の表面高さが、基板表面より高いものである。

【００１１】本発明の請求項４に記載の光電装置は、光
半導体素子が、サファイア基板上に形成された窒化物系
化合物半導体であるものである。

【００１２】

【作用】本発明は、同一平面側に電極を有する光半導体
素子を導電性部材を用いて基板上の外部電極に電気的に
接続させる場合、光半導体素子、基板及び対向する外部
電極の空間にモールド部材が流れ込みやすい形状とする
ことにより、密着性を向上させうるものである。さら
に、余分な導電性部材の流れ込みによる電極間のショー
トを防止しつつ更なる密着性を向上させ得る。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明者は、種々の実験の結果、
同一平面側に電極を有する光半導体素子を利用した光電
装置における光電特性が、基板に設けられた特定の電極
形状により大きく変わることを見いだし、これに基づい
て本発明を成すに至った。

【００１４】本発明による特性向上の理由は定かではな
いが、光半導体素子に設けられた同一平面側にある電極
間と基板に設けられた外部電極と、の空間に流れ込むモ
ールド部材と密着性に大きな関係があると考えられる。

【００１５】即ち、モールド部材は、光半導体素子を保
護すると共に固定させる働きもする。しかしながら、モ
ールド部材は、硬化時や温度変化が生じるとモールド部
材の略中心方向に収縮する応力がかかる。通常、光半導
体素子上にモールド部材が形成されるためモールド部材
が収縮する中心は、光半導体素子上にある。そのため光
半導体素子側から見ると図３の如く、基板から光半導体
素子を引き剥がされる方向に力が掛かる。

【００１６】同一平面側に設けられた外部電極間は、通
常小型化するにつれ数百μｍ以下と極めて狭い。また、
一対の電極間の隙間からモールド部材を入れなければな
らないので、モールド部材が入り込みにくい。そのため
光半導体素子の電極間にモールド部材がない或いは少な
くなる箇所ができやすい。モールド部材が入り込まない
場所は、空孔となり光半導体素子と外部電極を接着させ
る力が弱くなる。そのため、光半導体素子と基板との接
着が強固に行われていないと熱硬化時や温度変化の激し
い環境下においては、導電性部材の剥離、クラックや光
半導体素子自体が損傷し、不良が生じやすい傾向にある
と考えられる。以下、図２に本発明の具体的構成例を示
す。

【００１７】光半導体素子としてサファイア基板上に形
成させた窒化物半導体を利用した。窒化物半導体は、Ｎ
型半導体及びＰ型半導体を順に形成させＰ型半導体の一
部をエッチングすることにより窒化ガリウム系化合物半
導体のＰＮ各半導体表面を露出してある。半導体露出面
にスパッタリング法を用いて各電極を形成させてある。
こうして同一平面側に電極を有する光半導体素子である
ＬＥＤチップを形成する。

【００１８】一方、外部電極として銅板を折り曲げ加工
する。インサート成形により銅板を外部電極とするパッ
ケージを形成させた。ここで銅板は、実装されるＬＥＤ
チップの電極間の距離に合わせてある。また、対向する
基板の電極は、近づくにつれ面積が小さくなるように互
いに凸状（三角形状）に形成させてある。基板の外部電
極にそれぞれＡｇペーストを塗布した後、ＬＥＤチップ
の各電極を位置合わせしてダイボンディングさせた。Ａ
ｇペーストを硬化後ＬＥＤチップの周囲にモールド部材
を注入することにより本発明の光電装置を構成させた。
基板外部に設けられた外部電極に電力を供給することに
よりＬＥＤチップを発光させることができる。また、温
湿度サイクルが比較的厳しい環境下においても優れた光
電特性を有する発光装置とすることができる。以下、本
発明の各構成について詳述する。

【００１９】（外部電極１０１、１１１、１２１）外部
電極１０１は、少なくとも基板上に設けられプレーナー
構造型の光半導体素子に形成された各電極１１３と導電
性部材２０１により接続できるものである。外部電極１
０１は、基板上に設けられた導電性パターンにより形成
させても良いし、リードフレームを加工させて形成させ
ても良い。外部電極１０１は光半導体素子の電極と接続
されることから電気伝導性及び密着性に優れたものであ
ることが望まれる。また、本発明に用いられる外部電極
１０１は、基板と光半導体素子の空間にモールド部材が
入りやすい構造とさせ密着性を向上させるものである。
具体的な構造としては、図１に示す如く、先端が互いに
凸状の一対の電極形状であり、三角状が挙げられる。こ
の他、モールド部材が入りやすい構造としては、円状、
楕円状、多角形形状さらには、立体的に多角形な形状な
ど種々の形状が挙げられる。

【００２０】特に、光半導体素子の電極１１３は、それ
自体が極めて小さく光電特性、電気伝導性及び密着性を
考慮しなければならず設計の自由度が少ない。これに対
して外部電極１０１は、基板上に設けられた銅箔などの
導電性パターンをエッチングにより形成する、或いは所
望の形状に予め形成させたリードフレームをインサート
成形などにより形成させる。そのため光半導体素子１０
３の光特性などに関係なく設計自由度を広くすることが
できる。また、比較的大面積に簡単に形成させることが
できる。

【００２１】さらに、外部電極１０１は、一体となった
基板平面１０２と同一平面上に形成させることができる
し、基板平面１０２よりも高くさせることもできる。外
部電極１０１を基板平面１０２よりも高くさると外部電
極以外の可とう性導電樹脂部材２０１の厚みが厚くな
る。そのため光半導体素子１０３の自己発熱或いは周囲
よりの加熱時に熱などにより歪みが生じても吸収可能な
歪み量が多く導通接触を安定化させることができる。ま
た、先端が凸状になっていることからモールド部材２０
２が流入しやすくなる。

【００２２】このような外部電極１０１の具体的材料と
しては、銅、アルミニウムやこれらに金、銀、白金など
をメッキさせたものが好適に挙げられる。

【００２３】（基板１０２）基板１０２は、光半導体素
子１０３を支持すると共に光半導体素子１０３の電極と
電気的に接続可能な外部電極１０１、１１１、１２１を
有するものである。また、基板１０２上に固定させた光
半導体素子１０３の少なくとも一部を透光性モールド部
材２０２で被覆し接着するものである。基板１０２は、
平面上のみの構成としても良いし、光半導体素子が収納
可能なパッケージと一体化させ側壁１１２などを有する
ものでも良い。

【００２４】具体的には、パッケージ内部に開口部を有
し開口部の底面に光半導体素子１０３を搭載させる形態
とすることもできる。このような側壁１１２を利用する
こと光利用効率を向上させることもできる。何れにして
も、光半導体素子１０３が支持可能な平面を有するもの
である。したがって、これらと基板１０２とは、密着性
がよいことが望まれる。さらに、可視光域に分光特性を
有する光半導体素子１０３を収容し利用させるためには
遮光性の反射部材などとして機能させるために着色して
いることが好ましい。また、光半導体素子１０３と外部
との電気的に遮断させるために絶縁性を有することが望
まれる。

【００２５】基板１０２は光半導体素子１０３などから
の熱の影響をうけた場合、モールド部材２０２との密着
性を考慮して熱膨張率の小さい物が好ましい。基板１０
２表面は、エンボス加工させて接着面積を増やしたり、
プラズマ処理してモールド部材２０２や導電性部材２０
１との密着性を向上させることもできる。

【００２６】基板１０２に利用される材料として、具体
的には、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルフ
ァイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹
脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、Ｐ
ＢＴ樹脂等の樹脂やＡｌＮ、ＢＮ、Ａｌ₂Ｏ₃などよりな
るセラミックなどが好適に用いることができる。

【００２７】（光半導体素子１０３）光半導体素子１０
３としては、光を電気に変える受光素子或いは電気を光
に変える発光素子が用いられる。受光素子は、液相成長
法を利用して形成させたＧｅ、Ｓｉ、ＩｎＡｓ、ＣｄＳ
等の単結晶半導体を用いたもの、プラズマ、熱、光など
のエネルギーによる各種ＣＶＤ法を利用して形成させた
Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ等の微結晶、非晶質半導体の非
単結晶半導体を利用した光センサー、太陽電池などが好
適に挙げられる。半導体の構造としては、ショットキー
接合、ＭＩＳ接合、ＰＮ接合やＰＩＮ接合を有したホモ
構造、ヘテロ構造のものが挙げられる。半導体の材料や
その混晶度によって受光素子の受光波長を種々選択でき
る。ガラス、耐熱性樹脂や金属基体上に上記構成の半導
体を所望の大きさに形成し電気的接続をとることによっ
て受光素子が形成できる。受光素子の電極としてはスパ
ッタリングや真空蒸着により形成させたＡｌ、Ａｇ、Ａ
ｕ等の各種金属、ＳｎＯ₂、ＺｎＯなどの金属酸化物や
ｎ⁺の半導体などを利用することができる。

【００２８】一方、発光素子としては液相成長法やＭＯ
ＣＶＤ法等により基体上にＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、
ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｌＰ、ＡｌＩ
ｎＧａＰ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、Ｇａ
ＡｌＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成
させたＬＥＤ、ＬＤ等が用いられる。半導体の構造とし
ては、ＭＩＳ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ
構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半
導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光か
ら赤外光まで種々選択することができる。さらに、量子
効果を持たせるため発光層を単一井戸構造、多重井戸構
造とさせても良い。

【００２９】形成された半導体は、選択的に形成させる
か、或いは形成させた後にエッチングさせることにより
同一平面側に正極及び負極に相当する電極を形成させた
プレーナー構造の光半導体素子とすることができる。

【００３０】（導電性部材２０１、３０１、３０２）導
電性部材２０１としては、光半導体素子１０３の各電極
１１３と外部電極１０１とを電気的に接続させると共に
固定可能なものである。導電性部材２０１は、外部電極
１０１、光半導体素子の電極１１３材料によって種々選
択させることができるが、各種半田や、金、銀、白金、
銅やカーボンなどの導電性部材をエポキシ樹脂、アクリ
ル樹脂、イミド樹脂などの樹脂中に含有させた導電性ペ
ーストなどを好適に利用することができる。

【００３１】（モールド部材２０２）モールド部材２０
２は、各光半導体素子１０３やその電気的接続のための
導電性部材２０１等を外力や水分などから保護するため
に設けられる。モールド部材２０２の材料として具体的
には、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコン樹脂、フッ
素樹脂、ポリカーボネート樹脂などなどの耐候性に優れ
た樹脂が好適に用いられる。モールド部材２０２は、基
板１０２及び導電性部材２０１と光半導体素子の電極１
１３を被覆させるため光半導体素子１０３全体を被覆す
ることもできるし、少なくとも一部を被覆させることも
できる。

【００３２】光半導体素子１０３が発光する波長や受光
する波長に合わせてフィルター効果として働く着色剤や
光半導体素子１０３から発光する光の少なくとも一部或
いは、外部からの波長を変換する蛍光物質を含有させる
こともできる。さらに、所望に応じて拡散剤を混合して
も良い。以下本願発明の具体的実施例について詳述する
がこれのみに限られるものではない。

【００３３】

【実施例】

（実施例１）プレーナー構造を有する光半導体素子とし
てサファイア基板上に窒化ガリウム系半導体を発光層と
して利用したＬＥＤチップを利用した。ＬＥＤチップ
は、サファイア基板上にＭＯＣＶＤ法を用いてＮ型Ｇａ
Ｎ及びノンドープのＩｎＧａＮ及びＰ型ＧａＡｌＮを積
層させてある。なお、サファイア基板上には、バッファ
層としてＧａＮが形成され、ノンドープの発光層となる
ＩｎＧａＮは、量子効果が生ずる程度の薄膜とさせてあ
る。形成されたＰ型半導体の一部を部分的にエッチング
させＮ型半導体表面を露出させる。正極及び負極の電極
と接触する面を除いて絶縁層を形成させるためにマスク
を形成させる。フォトマスクを利用して、正負両電極を
大きく形成できるように絶縁層であるＳｉＯ₂をスパッ
タリング法により形成させる。ＰＮの各半導体露出表面
及び絶縁層上に長方形の電極をスパッタリング法により
形成させる。

【００３４】一方、基板上に形成された外部電極とし
て、銅箔の打ち抜きによるリードフレームを外部電極と
して利用する。光半導体素子の電極と接続されるリード
フレームの先端は、光半導体素子の電極幅に合わせて細
くし半円形状を成している。このため光半導体素子の電
極に投影された外部電極の面積が、光半導体素子の電極
面積よりもそれぞれ小さくなっている。リードフレーム
の先端を互いに約１００μｍ程度にまで近接配置させ白
色顔料を含有させたＬＣＤによりインサート成形させ
る。このように形成された基板は、表面側の底辺に一対
のリードフレームが露出している。リードフレーム間
は、互いに向き合った先端が凸状の半円形状である。ま
た、底面の周囲には、光半導体素子からの光を反射させ
たり、光半導体素子への光を集光させたりする側壁が一
体に形成されている。基板表面であるパッケージ底面の
リードフレームは、ポリカーボネート樹脂表面より約１
０μｍ高く形成させてある。

【００３５】パッケージ底面のリードフレーム上にエポ
キシ樹脂中にＡｇが含有された銀ペーストを一対のリー
ドフレーム先端にそれぞれ塗布した。その後、Ａｇペー
ストが塗布されたリードフレームとＬＥＤチップの電極
とを合わせてダイボンディングさせた。ダイボンディン
グ後、Ａｇペーストを１２０℃２０分で硬化させ電気的
接続と仮固定を行った。この状態で外部電極に電力を供
給させＬＥＤチップが発光可能なものを３００個形成さ
せた。

【００３６】次に、パッケージの開口部内に透光性モー
ルド部材として働くエポキシ樹脂を注入させた。モール
ド部材であるエポキシ樹脂を１５０℃２時間で硬化させ
ることにより表面実装型ＬＥＤを構成させた。形成させ
た光電装置に電力を供給させ、光度計により各光電装置
をそれぞれ調べた。モールド部材形成前後においても全
ての光電装置が発光可能であった。光度は、モールド部
材によりＬＥＤチップとの屈折率差が緩和されたと考え
られる５０％の上昇を示した。さらに、温湿度サイクル
試験として−５度５分８０度１０分を１００サイクル繰
り返した後、同様にして形成された光電装置の発光特性
を調べたが変化がなかった。

【００３７】（比較例１）対向する外部電極先端が互い
に平面であり、外部電極表面と基板表面とが略平面であ
る以外は、実施例１と同様にして形成させた。モールド
部材形成前に発光可能であった表面実装型ＬＥＤである
発光ダイオードは、実施例１と同様の発光特性を示し
た。モールド部材形成後の同じ発光ダイオードを調べた
ところ実施例１に比べて発光輝度の低下している或いは
未発光の発光ダイオードが２１％もあった。

【００３８】（実施例２）発光素子であるＬＥＤチップ
の代わりに、受光素子を利用した。また、リードフレー
ムの先端を半円形から三角形状とした以外は実施例１と
同様にして形成させた。受光素子は、ＭＯＣＶＤ法を利
用してサファイア基板上にＮ型窒化ガリウム半導体を形
成させたものを利用した。Ｎ型窒化ガリウム半導体上に
は、プレーナー構造の光センサーとすべく一対のＡｕ電
極を真空蒸着法により形成させてある。温湿度サイクル
試験前後において、流れる電流にほとんど差がなかっ
た。

【００３９】（比較例１）光半導体素子として、実施例
２と同様の受光素子を利用した。また、対向する外部電
極先端が互いに平面であり、外部電極表面と基板表面と
が略平面である以外は、実施例２と同様にして光電装置
を形成させた。実施例１と同様にして温湿度サイクル試
験を行った。温湿度サイクル試験後、実施例２に比べて
内部抵抗の増えたものが約１５％もあった。

【００４０】

【効果】本発明の構成とすることにより、光電特性の安
定した光電装置とすることができる。特に、基板上に電
気的に接続させたプレーナー構造の光半導体素子をモー
ルド部材で被覆した光電装置の形成時及び使用環境に係
わらず安定した光電特性を示すことができる。なお、光
半導体素子は極めて小さくその電極を種々の形状に形成
させるのは設計の自由度が低下する。他方、本発明の如
く基板に設けられた外部電極を所望の形状とすることに
より設計の自由度を向上させることもできる。

【００４１】本発明の請求項２記載の構成とすることに
より、余分な導電性部材があったとしても、一対の外部
電極間で短絡することなく形成させることができる。即
ち、導電性部材を多くして密着性を向上させることもで
きるが、プレーナー構造型の光電装置においては、電極
間が極めて短いため導電性部材を多くすると短絡を生じ
る危険性がある。本発明は、基板上に塗布される導電性
部材の量を基板上の大きさにある程度依存することを利
用することにより短絡することなく密着性を向上させる
ことができる。

【００４２】本発明の請求項３記載の構成とすることに
より、外部電極からはみ出た余分な導電性部材を利用し
て、より密着性を向上させることができる。また、基板
表面と電極の間に形成された導電性部材の厚みを部分的
に厚くすることができるため電気伝導と密着性とを機能
分離させることができる。そのため、光半導体素子の電
極と外部電極間は、導電性部材の厚みを薄くし電気伝導
性を落とすことなく、熱収縮による吸収可能な歪み量を
多くすることができる。

【００４３】本発明の請求項４記載の構成とすることに
より、半導体素子自体にかかる力を抑制することができ
るため本発明の効果を顕著にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光電装置を示した模式的平面図であ
る。

【図２】本発明の光電装置を示した図１におけるＡ−Ａ
断面図である。

【図３】本発明の光電装置の作用を説明する図１におけ
るＢ−Ｂ断面図である。

【図４】本発明と比較のために示したプレーナー構造の
光半導体素子を利用した光電装置の平面図である。

【図５】本発明と比較のために示した光電装置である図
４におけるＡ−Ａ断面図である。

【図６】本発明と比較のために示した半導体を介して一
対の電極を持った光半導体素子を利用した光電装置の断
面図である。

【符号の説明】

１０１・・・光半導体素子の電極に投影される外部電極１１１・・・先端部と連続した外部電極１２１・・・外部と電気的に接続可能な外部電極１０２・・・パッケージ底面となる基板１１２・・・パッケージを構成する側壁１０３・・・プレーナー構造を有する光半導体素子１１３・・・光半導体素子に形成された一対の電極２０１・・・導電性部材２０２・・・モールド部材２０３・・・光半導体素子の電極間と、基板に設けられ
た外部電極との空間３０１・・・外部電極上の導電性部材３０２・・・外部電極からはみ出した導電性部材４０１・・・外部電極４２１・・・外部と電気的に接続可能な外部電極４０２・・・パッケージ底面となる基板４１２・・・パッケージを構成する側壁４０３・・・プレーナー構造を有する光半導体素子４１３・・・光半導体素子に形成された一対の電極５０１・・・導電性部材５０２・・・モールド部材５０３・・・光半導体素子の電極間と、基板に設けられ
た外部電極との空間６０１・・・導電性ワイヤー６０３・・・半導体を介して設けられた電極を持つ光半
導体素子６１３・・・光半導体素子に形成された電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に設けられた一対の外部電極上に導電
性部材を介してそれぞれ電気的に接続された同一平面上
に正極及び負極を有する光半導体素子と、該光半導体素
子を封止するモールド部材と、を有する光電装置であっ
て、前記一対の外部電極の面積は、互いに対向する電極間に
近づくにつれ小さくなることを特徴とする光電装置。
【請求項２】前記光半導体素子の電極に投影された外部
電極の面積が、前記光半導体素子の電極面積よりもそれ
ぞれ小さい請求項１記載の光電装置。
【請求項３】前記外部電極の表面高さは、基板の表面よ
り高い請求項１記載の光電装置。
【請求項４】前記光半導体素子は、サファイア基板上に
形成された窒化物系化合物半導体である請求項１記載の
光電装置。