JPH0690661B2 - 電子記憶処理装置 - Google Patents

電子記憶処理装置

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JPH0690661B2
JPH0690661B2 JP63092109A JP9210988A JPH0690661B2 JP H0690661 B2 JPH0690661 B2 JP H0690661B2 JP 63092109 A JP63092109 A JP 63092109A JP 9210988 A JP9210988 A JP 9210988A JP H0690661 B2 JPH0690661 B2 JP H0690661B2
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利人 伊藤
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Sharp Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は電池交換時等の記憶情報保持回路に関するもの
で、さらに詳しく言えば、処理装置暴走時にも記憶情報
を確実に保持出来しかも常に処理装置から制御信号を確
実に記憶装置に伝える事が出来る電子記憶処理装置に関
するものである。
<従来の技術> 従来、記憶装置を有する処理装置は処理装置駆動用の電
池を交換時記憶装置の記憶情報を保持しておく為にバッ
クアップ用として前記電池とは別に電池を設けている。
しかしながら前記処理装置駆動用の電池交換後処理装置
は不安定な状態にあり時には記憶装置の重要な記憶情報
を消去又は、書き替えを行う等の暴走を行うことがあ
る。これに対処する為に従来処理装置からの記憶装置へ
の書き込み信号ライン間直列にスライドスイッチ等のゲ
ートを設けて電池交換前に該スライドスイッチをOFFと
し処理装置からの書き込み信号を阻止しておきその代わ
りに前記バックアップ用電池から抵抗を通して記憶装置
に読み出しレベルの電圧をかけ書き込み禁止状態とする
事により処理装置が暴走し書き込み信号が発生しても記
憶装置の記憶情報は保持され、さらにリセット信号を処
理装置に与える事により処理装置を正常に戻すことがで
きるように考慮されている。
第2図を参照して今少し詳細に従来技術を説明すると、 1は読み出し書き込み自在の記憶装置2に書き込み信号
等の制御信号により各種制御処理を行う処理装置、3は
処理装置1及び記憶装置2を駆動させる為のメイン電
池、4はメイン電池3の交換時記憶装置2の記憶情報を
保持する為のサブ電池、5は逆電流防止用のダイオード
でメイン電池では処理装置1と記憶装置2の駆動が行
え、サブ電池では記憶装置2のみの駆動を行うように配
置されている。6は、処理装置1の読み出し/書き込み
(以下R/Wにて記載)端子と記憶装置2のR/W端子をつな
ぐ配線回路に直列に設けられたスライドスイッチ、該ス
ライドスイッチ6から記憶装置2のR/W端子側に接続さ
れた配線回路には、プルアップ抵抗7が接続されており
記憶装置2のR/W端子がHIインピーダンスとなったとき
にサブ電池4からの読み出しレベルである電圧がかかる
ようになっている。
次にメイン電池交換時の動作について説明するまず、メ
イン電池3を取り出す前にスライドスイッチ6をOFFに
する。すると記憶装置2のR/W端子にはプルアップ抵抗
7によりサブ電池4の電圧とほぼ同じ電圧がかかり記憶
装置2は記憶情報読み出し状態に保持される。この状態
にてメイン電池を取り外しメイン電池の交換を行う。メ
イン電池が外されても記憶装置2の記憶情報はサブ電池
により保持され、しかもダイオード5の働きによりサブ
電池電流は処理装置1には流れず記憶装置2のみに働く
為サブ電池としてコンデンサー等を代用したとしても長
時間の保持を可能とする事が出来る。メイン電池交換後
は、処理装置1が不安定である為図示していないリセッ
ト手段にて処理装置1を一度リセットする事により処理
装置1は安定した働きを行う。そして最後にスライドス
イッチ6をONとし処理装置1のR/W端子と記憶装置2のR
/W端子を接続させる事によりメイン電池の交換を終了す
る。
<発明が解決しようとする問題点> この従来の方式では通常処理状態にて処理装置1のR/W
端子と記憶装置2のR/Wをスライドスイッチ6の接点を
通して接続している為信号の伝達はスライドスイッチ6
の信頼性に左右されてしまう。
<問題を解決するための手段> 本発明は、各種処理を実行する処理手段と、前記処理手
段により情報を読み出し書き込み自在とする記憶手段
と、前記処理手段に電力を供給する第1の電源および前
記記憶手段の読み出し電位を発生する第2の電源の2つ
の電源を有する電源手段と、前記処理手段と前記記憶手
段の読み出しおよび書き込み端子間を接続する配線手段
と、一方の端子は前記配線手段に接続し、他方の端子を
前記電源手段の第2の電源よりのみ読み出し電位に保持
したスイッチ手段と、前記スイッチ手段のON制御に応答
し、前記記憶手段に前記第2の電源の電位が加わり、前
記配線手段により該記憶手段が読み出し状態に保持され
書き込み禁止状態とし、該記憶手段の記憶情報が保持さ
れることで、前記第1の電源からの電力供給が停止する
ことを可能とし、前記スイッチ手段のON制御状態にて、
前記記憶手段の読み出し電位を発生する第2の電源から
の電流が、前記処理手段には流れず前記記憶手段に流れ
るため、該記憶手段の情報が保持されることを特徴とす
る電子記憶処理装置である。
<作用> 記憶装置のリード/ライト信号ラインを切替える切替え
スイッチにてリード側に固定し、スイッチ接点を浮かせ
た状態にして書込みを防止する。
<実施例> 以下、本発明の一実施例を第1図を参照して説明する。
第1図は本発明のブロック図を示している。
第1図図面に於いて、先に示した従来技術である第2図
と同様の働きをしているものについては同番号を付して
説明を省略する。
第1図において8は、スライドスイッチであり電池交換
時にONとすることによりサブ電池4とほぼ同じ電圧が強
制的に記憶装置2のR/W端子に引加され記憶装置2は読
み出し状態となる。
次にメイン電池交換時の動作について説明するまず、メ
イン電池3を取り出す前にスライドスイッチ8をONにす
る。すると記憶装置2のR/W端子にはスライドスイッチ
によりサブ電池4の電圧とほぼ同じ電圧がかかり記憶装
置2は強制的に記憶情報読み出し状態に保持される。こ
の状態にてメイン電池を取り外しメイン電池の交換を行
う。メイン電池が外されても記憶装置2の記憶情報はサ
ブ電池により保持され、しかもダイオード5の働きによ
りサブ電池電流は処理装置1には流れず記憶装置2のみ
に働く為サブ電池としてコンデンサー等を代用したとし
ても長時間の保持を可能とする事が出来る。メイン電池
交換後は、処理装置1が不安定である為R/W端子より書
き込み信号が発生される可能性があるがスライドスイッ
チ8により強制的に書き込み禁止状態となっている為記
憶装置2の記憶情報は保持される。この時サブ電池4か
らの大電流がiの経路を回りこみ処理装置1に流れる可
能性が有るがこれを防ぐためにはたとえばAの位置に小
抵抗を直列に挿入する事によりこの問題も解決すること
が出来る。処理装置1の状態を安定させるには図示して
いないリセット手段にて処理装置1を一度リセットする
事により処理装置1は安定した働きを行うことが出来
る。そして最後にスライドスイッチ8をOFFとし書き込
み禁止を解除する事によりメイン電池の交換を終了す
る。
<効果> 以上のように本発明によれば、メイン電池交換時にも記
憶装置の記憶情報を確実に保持することが出来、しかも
処理実行中に制御信号がスイッチ等の接点を通さずに伝
わるため信頼性の高い処理装置を提供することが出来
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る電子記憶処理装置のブロック図、
第2図は従来技術を示したブロック図である。 1:処理装置、2:記憶装置、3:メイン電池、4:サブ電池、
5:ダイオード、6,8:スライドスイッチ、7:プルアップ抵

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】各種処理を実行する処理手段と、 前記処理手段により情報を読み出し書き込み自在とする
    記憶手段と、前記処理手段に電力を供給する第1の電源
    および前記記憶手段の読み出し電位を発生する第2の電
    源の2つの電源を有する電源手段と、 前記処理手段と前記記憶手段の読み出しおよび書き込み
    端子間を接続する配線手段と、 一方の端子は前記配線手段に接続し、他方の端子を前記
    電源手段の第2の電源よりの読み出し電位に保持したス
    イッチ手段と、 前記スイッチ手段のON制御に応答し、前記記憶手段に前
    記第2の電源の電位が加わり、前記配線手段により該記
    憶手段が読み出し状態に保持され書き込み禁止状態と
    し、該記憶手段の記憶情報が保持されることで、前記第
    1の電源からの電力供給が停止することを可能とし、 前記スイッチ手段のON制御状態にて、前記記憶手段の読
    み出し電位を発生する第2の電源からの電流が、前記処
    理手段には流れず前記記憶手段に流れるため、該記憶手
    段の情報が保持されることを特徴とする電子記憶処理装
    置。
JP63092109A 1988-04-14 1988-04-14 電子記憶処理装置 Expired - Lifetime JPH0690661B2 (ja)

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JPH01263708A JPH01263708A (ja) 1989-10-20
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JPH04109547A (ja) * 1990-08-30 1992-04-10 Sharp Corp メモリデータ保護装置

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JPS5752800U (ja) * 1980-09-10 1982-03-26
JPS6091431A (ja) * 1983-10-25 1985-05-22 Sharp Corp メモリセルの補助電源動作チエツク回路

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