JPH10134558A - 半導体メモリ応用装置の電源供給回路 - Google Patents

半導体メモリ応用装置の電源供給回路

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JPH10134558A
JPH10134558A JP28828896A JP28828896A JPH10134558A JP H10134558 A JPH10134558 A JP H10134558A JP 28828896 A JP28828896 A JP 28828896A JP 28828896 A JP28828896 A JP 28828896A JP H10134558 A JPH10134558 A JP H10134558A
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voltage
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voltage source
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power supply
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電圧源の容量を有効利用する。 【解決手段】 電圧検出回路３は、電池１の電圧が降下
し所定の電圧範囲になったら電池消耗警告信号ａをマイ
コン５に供給する。マイコン５は、フラッシュメモリ７
に対してデータの書き込みと消去動作を禁止させる。電
池１の容量がさらに低下すると、電圧検出回路３は動作
停止信号ｂをマイコン５に供給する。マイコン５は、フ
ラッシュメモリ７に対してデータの読み出し動作も禁止
させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子スチルカメラ
や音声記憶装置等メモリを応用した装置の電源供給回路
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電池を使用した半導体メモリ応用
装置では、所定の電圧に降下するまでメモリへのデータ
の書き込み、消去、読み出しを行っていた。
【０００３】この場合、特にフラッシュメモリ等、書き
込み動作及び消去動作が増加するものは、電池の消耗時
又は使い古しの電池を使用した場合、書き込み動作や消
去動作を行っている状態で動作停止に至る可能性があ
る。このため通常は、動作停止電圧を高めに設定し、電
池容量に余力がある状態で動作を停止していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
では電圧源に余力がある状態でメモリへのデータの書き
込み動作、消去動作、読み出し動作を停止していた。
【０００５】そこで本発明は、電圧源を有効に利用する
半導体メモリ応用装置の電源供給回路を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
（第１の構成例）電圧変動が発生し得る電圧源と、前記
電圧源の電圧変動を検出する電圧検出回路と、メモリ手
段と、制御手段と、を具備し、前記電圧検出回路が前記
電圧源の電圧が降下し所定の電圧範囲に入ったと検出し
たとき、前記制御手段は前記メモリ手段のデータの書き
込み動作を禁止することを特徴とする。
【０００７】（第２の構成例）電圧変動が発生し得る電
圧源と、前記電圧源の電圧変動を検出する電圧検出回路
と、メモリ手段と、制御手段と、を具備し、前記電圧検
出回路が前記電圧源の電圧が降下し所定の電圧範囲に入
ったと検出したとき、前記制御手段は前記メモリ手段の
データの消去動作を禁止することを特徴とする。
【０００８】（第３の構成例）電圧変動が発生し得る電
圧源と、前記電圧源の電圧変動を検出する電圧検出回路
と、メモリ手段と、制御手段と、を具備し、前記電圧検
出回路が前記電圧源の電圧が降下し所定の電圧範囲に入
ったと検出したとき、前記制御手段は前記メモリ手段の
データの書き込み動作及び消去動作を禁止することを特
徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の半導体メモリ応
用装置の電源供給回路の実施の形態の構成を示す。また
図２に、図１の電源供給回路の動作を説明するための供
給電圧変化図を示す。
【００１０】電圧検出回路３は、電池１の電圧を検出す
る。電池１の電圧が図２のＡで示す電圧レベルになるま
では、電圧検出回路３はマイコン５に対して何ら信号を
供給しない。マイコン５は、フラッシュメモリ７に対し
例えば映像信号等のデータの書き込み動作、消去動作、
読み出し動作を行わせる。
【００１１】電池１の動作時間が経過し、電池１の電圧
が降下して図２のＡで示す電圧レベルからＢで示す電圧
レベルの間にある間、電圧検出回路３はマイコン５に対
し電池消耗警告信号ａを供給する。するとマイコン５
は、フラッシュメモリ７に対しデータの書き込み動作と
消去動作を禁止させる。ただしマイコン５は、フラッシ
ュメモリに対し読み出し動作は行わせる。つまりフラッ
シュメモリ７は、データの書き込み動作と消去動作を停
止し、読み出し動作のみとなる。
【００１２】電池１の動作時間が更に経過し、電池１の
電圧降下が進んで図２のＢで示す電圧レベル未満になっ
たら、電圧検出回路３はマイコン５に対して動作停止信
号ｂを供給する。するとマイコン５は、フラッシュメモ
リ７に対しデータの読み出し動作を禁止させる。つまり
フラッシュメモリ７は、全ての動作を停止する。
【００１３】上記実施の形態では電圧源は電池１であっ
たが、これに限定することなく交流電圧源からの交流電
圧を整流して生成した直流電圧であってもよい。またマ
イコンが制御するものは、フラッシュメモリに限定され
ず半導体メモリであれば良い。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、電源電圧の急激な変化
によるメモリ内情報の破壊を防止することを可能にし、
さらに電池等の電圧源の容量を無駄にすることなく、装
置を動作できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体メモリ応用装置の電源供給回路
の実施の形態の構成を示すブロック図である。
【図２】図１の電源供給回路の動作を説明するための供
給電圧変化図である。
【符号の説明】
１・・・電池、３・・・電圧検出回路、５・・・マイコ
ン、７・・・フラッシュメモリ。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｃ 11/413 Ｇ１１Ｃ 11/34 ３３５Ｚ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電圧変動が発生し得る電圧源と、 前記電圧源の電圧変動を検出する電圧検出回路と、 メモリ手段と、 制御手段と、 を具備し、 前記電圧検出回路が前記電圧源の電圧が降下し所定の電
    圧範囲に入ったと検出したとき、前記制御手段は前記メ
    モリ手段のデータの書き込み動作を禁止することを特徴
    とする半導体メモリ応用装置の電源供給回路。
  2. 【請求項２】 電圧変動が発生し得る電圧源と、 前記電圧源の電圧変動を検出する電圧検出回路と、 メモリ手段と、 制御手段と、 を具備し、 前記電圧検出回路が前記電圧源の電圧が降下し所定の電
    圧範囲に入ったと検出したとき、前記制御手段は前記メ
    モリ手段のデータの消去動作を禁止することを特徴とす
    る半導体メモリ応用装置の電源供給回路。
  3. 【請求項３】 電圧変動が発生し得る電圧源と、 前記電圧源の電圧変動を検出する電圧検出回路と、 メモリ手段と、 制御手段と、 を具備し、 前記電圧検出回路が前記電圧源の電圧が降下し所定の電
    圧範囲に入ったと検出したとき、前記制御手段は前記メ
    モリ手段のデータの書き込み動作及び消去動作を禁止す
    ることを特徴とする半導体メモリ応用装置の電源供給回
    路。
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