JPS63285657A - 記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は、不揮発性メモリを備えた記憶装置に関するも
のである。

〔従来の技術〕

レーザプリンタやＬＥＤプリンタ等では、動作中におけ
る各種状態を示すデータ等を電源遮断後も記憶し、電源
の再投入時に再利用するためにＥＥＰＲＯＭなどの不揮
発性メモリを備えている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、不揮発性メモリはその害き々ッみ回数が例え
ば１０万回以下であれば、最新に記憶されたデータを１
０年間程度保持し青るという性能が保証されている。と
ころが、１０万回以上の書き込み動作が行なわれるシス
テムに適用した場合には、不揮発性メモリ自体の記憶保
持性能が劣化し、記憶データを確実に保持し得なくなる
という問題があった。また、不揮発性メモリは揮発性メ
モリに比べて書込み時間が長くかかるため、データの読
み書きが頻繁に行なわれるシステムにおいては処理効率
が著しく低下してしまうという問題があった。

本発明の目的は、不揮発性メモリの長り白化とデータ処
理効率の向上を図ることができる記・填装置を提供する
ことにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本光明では、不揮発性メモリの他に揮発性メモリを設け
ると共に、動作用電源が投入されたか遮断されたかを検
出する電源監視手段を設け、かつ不揮発性メモリおよび
揮発性メモリの制御手段には電源監視手段の検出出力に
琺づいて動作用電源の投入時は不揮発性メモリの記・ｎ
データを揮光性メモリに転送した後、該揮発性メモリと
の間でデータの読み占きを行うぼ能と、動作用電源の遮
断時は揮発性メモリの記憶データを不揮発性メモリに転
送して記憶させる糎能とを設けることにより、不揮発性
メモリの読み古き回数を減少させ、その結果として不揮
発性メモリの長寿命化とデータ処理効率の向上を図るも
のである。

〔作用〕 電源投入によって不揮発性メモリの記憶データは揮発性
メモリに転送される。制御手段は、電源投入後のデータ
処理を揮発性メモリとの間で実行する。その後、電源が
遮断されると、制御手段は揮発性メモリの記憶データを
不揮発性メモリに転送して記憶さゼる。これにより、動
作中におけるデータは不揮発性メモリによって保持され
る。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例を示すブロック図であり、コ
ントローラ１のパスライン２には揮光性メモリ３と不揮
発性メモリ４とが接続され、これらのメモリ３．４に対
してコントローラ１からデータの読み田きが可能なよう
に構成されている。

一方、コントローラ１には、動作用電源が投入されたか
遮断されたかを検出する電源監視回路５の検出出力が入
力されている。

この構成において、動作用電源（図示せず）が投入され
ると、このことを示す検出信号が監視回路５からコント
ローラ１に入力される。そこで、コントロ〜う１は不揮
発性メモリ４に記憶されているデータを読み出した後、
揮発性メモリ３に転送して記憶させる。そして、所要の
データ処理命令が入力されたならば、この揮発性メモリ
３との間でデータの読み書きを実行する。

その後、動作用電源が遮断されると、電８Ｉ監視回路５
がこのことを示す検出信号をコントローラ１に入力する
ため、コントローラ１は揮発性メモリ３の記憶データを
不揮発性メモリ４に転送して記憶させる。

この場合、揮発性メモリ３には電源遮断後は不必要とな
るデータも記憶されているが、このデータを除いたもの
だけが不揮発性メモリ４にに転送される。

第２図は第１図の具体的な構成を示したブロック図であ
り、例えばレーザプリンタの表示器をコントロールする
サブコントローラの記憶装置に適用したものである。同
図において、１０はレーザプリンタ全体の動作を制御す
るメインコントローラであり、１１は表示器（図示せず
）の表示を制御するサブコントローラである。さらに、
１２は動作状態における各種データを記憶するランダム
アクセスメモリ（ＲＡＭ＞、１３はこのＲＡＭ１２に対
するアドレスデータをラッチするラッチ回路、１４は不
揮発性メモリ、１５は動作用交流電源、１６は電１監視
回路である。

以上の構成において、電源１５が投入されると、交流電
圧が電源監視回路１６に入力される。電源監視回路１６
では交流電圧が入力されると、それがダイオードＤによ
って整流されてトランジスタＱのベースに印加される。

このため、トランジスタＱが導通し、そのコレクタ電圧
が“Ｌ″レベルなる。このコレクタ電圧はメインコント
ローラ１１の割込み入力ＩＮＴに入力される。

メインコントローラ１１は、電源１５が投入されたこと
を示す“Ｌ”レベルの？Ｊ込み信号が入力されると、サ
ブコントローラ１１内の不揮発性メモリ１４の記憶デー
タを読出す。具体的には、記憶データをシリアルに読出
すために、シリアル転送用のクロック信号と転送方向制
御信号とをクロック端子Ｓ　ＣＬＫおよび出力ボートＰ
Ｏからサブコントローラ１１に入力し、３ステートゲー
ト１８を介して不揮発性メモリ１４の記憶データを読出
すだめの命令を転送する。これによって、不揮発性メモ
リ１４の記憶データの読出しが開始されるので、メイン
コントローラ１１は３ステートゲート１７を能動状態に
切替え、読出しデータをシリアル入出力ボートＳＩＯを
介してメインコントローラ１０内に読込む。

メインコントローラ１０は所定ビットのデータが読込ま
れたならば、アドレスバスＡＯ〜Ａ１０にその占込みア
ドレスデータを送出する。この占込みアドレスデータの
うち下位のデータ（ＡＯ〜Ａ７）はアドレスラッチイネ
ーブル信号ＡＬＥによってラッチ回路１３にラッチされ
る。ＲＡＭ１２に対するデータの書込み（または読出し
）のアドレスはこのラッチ回路１３にラッチされたアド
レスデータと上位のアドレスデータ（Ａ８〜Ａ１０）に
よって指定される。

メインコントローラ１１は内込みアドレスの指定が終了
すると、下位のアドレスバス（ＡＯ〜Ａ７）に対して書
込みデータを出力し、この内込みデータをＲＡＭ１２の
入出力ボート１０・０〜Ｉ０・７に入力する。

このような処理が繰返されることにより、不揮発性メモ
リ１４の記憶データがＲＡＭ１２に転送されて記憶され
る。

なお、ＲＡＭ１２はアドレスバスの最上位のデータ（Ａ
１５）を“Ｌ′にすることによって読み古き可能な状態
になる。

次に、電源１５が遮断されると、監視回路１６がＨ”レ
ベルの割込み信号を入力する状態になるので、メインコ
ントローラ１１はこの割込み信号によって電ｇｉ１５が
遮断されたことを認識する。

メインコントローラ１０．サブコントローラ１１゜ＲＡ
Ｍ１２．ラッチ回路１３等に対する動作用の電源電圧は
電源１５の遮断後、数秒間だけ動作時と同じ電圧を維持
するように構成されているため、メインコントローラ１
１はこの時間を利用してＲＡＭ１２の記憶データを不揮
発性メモリ１４に転送する。

これによって、ＲＡＭ１２に記憶されていたデータは電
源遮断後は不揮発性メモリ１４によって保持される。以
上の動作をフローチャートで示すと第３図のようになる
。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、不揮発性メモリは電源の
投入時と遮断時のみ読み書きを行うため、読み出き回数
が大幅に減少する。

この結果、不揮発性メモリの寿命を延ばすことができた
うえ、通常の動作時は揮発性メモリとの間でデータの読
み書きを行うために、データ処理効率が向上するという
効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
第１図の具体的構成を示すブロック図、第３図は同実施
例の動作を説明するフローチャートである。 １・・・コントローラ、２−・・パスライン、３・・・
揮発性メモリ、４，１４・・・不揮発性メモリ、５，１
６・・・電源監視回路、１１・・・メインコントローラ
、１２・・・ＲＡＭ１１３・・・ラッチ回路、１５・・
・動作用交流電源。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 不揮発性メモリと、この不揮発性メモリに対してデータ
   の書込みおよび読出しを行う制御手段とを備えた記憶装
   置において、 前記不揮発性メモリの他に揮発性メモリを設けると共に
   、動作用電源が投入されたか遮断されたかを検出する電
   源監視手段を設け、かつ前記制御手段には電源監視手段
   の検出出力に基づいて動作用電源の投入時は不揮発性メ
   モリの記憶データを揮発性メモリに転送した後、該揮発
   性メモリとの間でデータの読み書きを行う機能と、動作
   用電源の遮断時は揮発性メモリの記憶データを不揮発性
   メモリに転送して記憶させる機能とを設けたことを特徴
   とする記憶装置。