JP2003122648A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置Info
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/30—Power supply circuits
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- Read Only Memory (AREA)
- Dram (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電力供給が杜絶した場合に、大規模なバック
アップ電源を要することなく、かつ書き換え回数の制限
に煩わされずにデータを保持することができる半導体記
憶装置を提供する。 【解決手段】 電力供給部１０５は、半導体記憶装置１
の外部から供給された電力を制御部１０２等に供給しつ
つ、制御部１０２が揮発メモリ１０３上の記憶データを
不揮発性メモリ１０４に退避するのに必要な電力を蓄積
する。制御部１０２は、外部からの電力供給が開始され
たら不揮発性メモリ１０４の記憶データを揮発性メモリ
１０３に展開する。一方、外部からの電力供給が杜絶え
たら揮発性メモリ１０３の記憶データを不揮発性メモリ
１０４に退避する。
アップ電源を要することなく、かつ書き換え回数の制限
に煩わされずにデータを保持することができる半導体記
憶装置を提供する。 【解決手段】 電力供給部１０５は、半導体記憶装置１
の外部から供給された電力を制御部１０２等に供給しつ
つ、制御部１０２が揮発メモリ１０３上の記憶データを
不揮発性メモリ１０４に退避するのに必要な電力を蓄積
する。制御部１０２は、外部からの電力供給が開始され
たら不揮発性メモリ１０４の記憶データを揮発性メモリ
１０３に展開する。一方、外部からの電力供給が杜絶え
たら揮発性メモリ１０３の記憶データを不揮発性メモリ
１０４に退避する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不揮発性の半導体
記憶装置に関し、特にそのような半導体記憶装置の記憶
内容の書き換え技術に関する。
記憶装置に関し、特にそのような半導体記憶装置の記憶
内容の書き換え技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報通信技術の発展に伴ってパー
ソナルコンピュータを始めとして、各種コンピュータが
広く普及している。このようなコンピュータは通常、主
記憶装置としてＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memo
ry）やＳＲＡＭ（Static RAM）を使用している。このＤ
ＲＡＭやＳＲＡＭは揮発性メモリであるため、記憶デー
タを保持するためには常に電力の供給を受けなければな
らず、不慮の原因等により電力供給が杜絶えると、記憶
データが失われてしまう。
ソナルコンピュータを始めとして、各種コンピュータが
広く普及している。このようなコンピュータは通常、主
記憶装置としてＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memo
ry）やＳＲＡＭ（Static RAM）を使用している。このＤ
ＲＡＭやＳＲＡＭは揮発性メモリであるため、記憶デー
タを保持するためには常に電力の供給を受けなければな
らず、不慮の原因等により電力供給が杜絶えると、記憶
データが失われてしまう。
【０００３】この問題に対して、例えば、特開平６−２
５９１７２号公報に開示の情報処理装置が提案されてい
る。当該情報処理装置は、図７に示すような構成を備え
ており、バッテリ制御装置にてバッテリ電圧の低下を検
出するとサブバッテリから電力の供給を受けながら、Ｃ
ＰＵ（Central Processing Unit）からの命令によって
ＲＡＭ上のデータを外部記憶装置に退避する。
５９１７２号公報に開示の情報処理装置が提案されてい
る。当該情報処理装置は、図７に示すような構成を備え
ており、バッテリ制御装置にてバッテリ電圧の低下を検
出するとサブバッテリから電力の供給を受けながら、Ｃ
ＰＵ（Central Processing Unit）からの命令によって
ＲＡＭ上のデータを外部記憶装置に退避する。
【０００４】このように、主電源の電圧低下を検出した
のを契機としてバックアップ電源に切り換えると共に、
揮発性メモリが記憶しているデータを不揮発性メモリに
退避すれば、主電源の不調に起因する記憶データの喪失
を回避することができる。
のを契機としてバックアップ電源に切り換えると共に、
揮発性メモリが記憶しているデータを不揮発性メモリに
退避すれば、主電源の不調に起因する記憶データの喪失
を回避することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記情
報処理装置は、ＣＰＵの命令によって揮発性メモリから
記憶データを読み出して不揮発性メモリに退避するの
で、この退避を完了するまでの間、ＣＰＵを含む情報処
理装置の全ての回路構成要素に電力を供給し続けなけれ
ばならない。このため、バックアップ電源を大規模なも
のとせざるをえないという問題がある。
報処理装置は、ＣＰＵの命令によって揮発性メモリから
記憶データを読み出して不揮発性メモリに退避するの
で、この退避を完了するまでの間、ＣＰＵを含む情報処
理装置の全ての回路構成要素に電力を供給し続けなけれ
ばならない。このため、バックアップ電源を大規模なも
のとせざるをえないという問題がある。
【０００６】然りとて、不揮発性メモリには書き換え回
数の制限（例えば、強誘電体メモリでは１０10回、フラ
ッシュメモリでは１０5回程度である。）があるため、
揮発性メモリに代えて、不揮発性メモリを主記憶装置と
して採用することはできない。本発明は、このような問
題に鑑みてなされたものであって、電力供給が杜絶した
場合に、大規模なバックアップ電源を要することなく、
かつ書き換え回数の制限に煩わされずにデータを保持す
ることができる半導体記憶装置を提供することを目的と
する。
数の制限（例えば、強誘電体メモリでは１０10回、フラ
ッシュメモリでは１０5回程度である。）があるため、
揮発性メモリに代えて、不揮発性メモリを主記憶装置と
して採用することはできない。本発明は、このような問
題に鑑みてなされたものであって、電力供給が杜絶した
場合に、大規模なバックアップ電源を要することなく、
かつ書き換え回数の制限に煩わされずにデータを保持す
ることができる半導体記憶装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明にかかる半導体記憶装置は、揮発性メモリと
不揮発性メモリとが１チップに集積されている半導体記
憶装置であって、半導体記憶装置の外部からのデータア
クセスに対して前記揮発性メモリの記憶データを参照さ
せる揮発性メモリ参照手段と、前記揮発性メモリの記憶
データを前記不揮発性メモリに退避する記憶データ退避
手段と、電力を蓄積すると共に、蓄積した電力を用い
て、前記記憶データ退避手段にて記憶データを退避する
ための電力を供給する電力供給手段とが集積されている
ことを特徴とする。
め、本発明にかかる半導体記憶装置は、揮発性メモリと
不揮発性メモリとが１チップに集積されている半導体記
憶装置であって、半導体記憶装置の外部からのデータア
クセスに対して前記揮発性メモリの記憶データを参照さ
せる揮発性メモリ参照手段と、前記揮発性メモリの記憶
データを前記不揮発性メモリに退避する記憶データ退避
手段と、電力を蓄積すると共に、蓄積した電力を用い
て、前記記憶データ退避手段にて記憶データを退避する
ための電力を供給する電力供給手段とが集積されている
ことを特徴とする。
【０００８】このようにすれば、半導体記憶装置の外部
からのデータアクセスについては揮発性メモリを参照さ
せるため、半導体記憶装置の外部からのデータアクセス
に起因する不揮発性メモリの書き換え回数の増加を回避
することができる。また、電力供給手段はバックアップ
電源として半導体記憶装置内で記憶データを退避するに
足る電力を供給できればよいので、従来技術のように記
憶データを退避するに際して半導体メモリを含む回路全
体の動作を継続させる必要がなく、従って、大規模なバ
ックアップ電源を要しない。
からのデータアクセスについては揮発性メモリを参照さ
せるため、半導体記憶装置の外部からのデータアクセス
に起因する不揮発性メモリの書き換え回数の増加を回避
することができる。また、電力供給手段はバックアップ
電源として半導体記憶装置内で記憶データを退避するに
足る電力を供給できればよいので、従来技術のように記
憶データを退避するに際して半導体メモリを含む回路全
体の動作を継続させる必要がなく、従って、大規模なバ
ックアップ電源を要しない。
【０００９】なお、半導体記憶装置の外部からの電力供
給状態の変化を検出する状態変化検出手段が集積されて
おり、前記記憶データ退避手段は、前記状態変化検出手
段が前記電力供給されている状態から電力供給されてい
ない状態への変化を検出したら、前記揮発性メモリの記
憶データを前記不揮発性メモリに退避する命令を送信す
ることを特徴とする。
給状態の変化を検出する状態変化検出手段が集積されて
おり、前記記憶データ退避手段は、前記状態変化検出手
段が前記電力供給されている状態から電力供給されてい
ない状態への変化を検出したら、前記揮発性メモリの記
憶データを前記不揮発性メモリに退避する命令を送信す
ることを特徴とする。
【００１０】また、前記状態変化検出手段が前記電力供
給されていない状態から電力供給されている状態への変
化を検出したら、前記不揮発性メモリの記憶データを前
記揮発性メモリに展開する記憶データ展開手段が集積さ
れていることを特徴とする。以上のようにすれば、本発
明に係る半導体記憶装置をあたかも揮発性メモリである
かのようにしてユーザに使用させることができる。
給されていない状態から電力供給されている状態への変
化を検出したら、前記不揮発性メモリの記憶データを前
記揮発性メモリに展開する記憶データ展開手段が集積さ
れていることを特徴とする。以上のようにすれば、本発
明に係る半導体記憶装置をあたかも揮発性メモリである
かのようにしてユーザに使用させることができる。
【００１１】また、前記不揮発性メモリ上の記憶領域を
指定する領域指定を受け付ける領域指定受付手段が集積
されており、前記記憶データ退避手段は、前記領域指定
にて指定された記憶領域に前記記憶データを退避するこ
とを特徴とする。また、半導体記憶装置の外部からのデ
ータ読み出しアクセスに対して前記不揮発性メモリの記
憶データを参照させる不揮発性メモリ参照手段が集積さ
れていることを特徴とする。このようにすれば、揮発性
メモリの記憶容量を増大させることなく、半導体記憶装
置の不揮発性メモリとしての記憶容量を増大させること
ができるので、半導体記憶装置のコストを低減すると同
時に、装置サイズを小型化することができる。
指定する領域指定を受け付ける領域指定受付手段が集積
されており、前記記憶データ退避手段は、前記領域指定
にて指定された記憶領域に前記記憶データを退避するこ
とを特徴とする。また、半導体記憶装置の外部からのデ
ータ読み出しアクセスに対して前記不揮発性メモリの記
憶データを参照させる不揮発性メモリ参照手段が集積さ
れていることを特徴とする。このようにすれば、揮発性
メモリの記憶容量を増大させることなく、半導体記憶装
置の不揮発性メモリとしての記憶容量を増大させること
ができるので、半導体記憶装置のコストを低減すると同
時に、装置サイズを小型化することができる。
【００１２】また、前記不揮発性メモリは、フラッシュ
メモリまたは強誘電体メモリのいずれかであることを特
徴とする。このようにすれば、揮発性メモリから不揮発
性メモリに記憶データを退避する際に必要となる電力量
を低減することができる。したがって、半導体記憶装置
内部に蓄積すべき電力量を削減することができるので、
半導体記憶装置の小型化を実現することができる。
メモリまたは強誘電体メモリのいずれかであることを特
徴とする。このようにすれば、揮発性メモリから不揮発
性メモリに記憶データを退避する際に必要となる電力量
を低減することができる。したがって、半導体記憶装置
内部に蓄積すべき電力量を削減することができるので、
半導体記憶装置の小型化を実現することができる。
【００１３】また、前記電力供給手段は、充放電可能な
二次電池、コンデンサ、またはリアクタンス素子のいず
れかであって、半導体記憶装置の外部から電力供給を受
けて蓄電することを特徴とする。このような素子を用い
ることによって、半導体記憶装置の外部から電力供給を
受けている間に必要な電力を蓄積し、外部からの電力の
供給がされなくなったときに、蓄積した電力を利用する
ことができる。
二次電池、コンデンサ、またはリアクタンス素子のいず
れかであって、半導体記憶装置の外部から電力供給を受
けて蓄電することを特徴とする。このような素子を用い
ることによって、半導体記憶装置の外部から電力供給を
受けている間に必要な電力を蓄積し、外部からの電力の
供給がされなくなったときに、蓄積した電力を利用する
ことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体記憶装
置の実施の形態について、図面を参照しながら説明す
る。 （第１の実施の形態）図１は、第１の実施の形態に係る
半導体記憶装置について、その構成を示した機能ブロッ
ク図である。図１において、半導体記憶装置１は、半導
体記憶装置１の動作を制御する制御部１０２、揮発性メ
モリ１０３、不揮発性メモリ１０４、揮発性メモリ１０
３に対するアクセスを切り替えるセレクタ１０１、およ
び半導体記憶装置外部から受電して制御部１０２等に給
電する電力供給部１０５を備えている。
置の実施の形態について、図面を参照しながら説明す
る。 （第１の実施の形態）図１は、第１の実施の形態に係る
半導体記憶装置について、その構成を示した機能ブロッ
ク図である。図１において、半導体記憶装置１は、半導
体記憶装置１の動作を制御する制御部１０２、揮発性メ
モリ１０３、不揮発性メモリ１０４、揮発性メモリ１０
３に対するアクセスを切り替えるセレクタ１０１、およ
び半導体記憶装置外部から受電して制御部１０２等に給
電する電力供給部１０５を備えている。
【００１５】制御部１０２は半導体記憶装置１の外部か
ら基準信号を受け付け、この基準信号に応じて揮発性メ
モリ１０３と不揮発性メモリ１０４の間で記憶データの
コピー（退避または展開）を実行する。図２は、揮発性
メモリ１０３と不揮発性メモリ１０４の間で記憶データ
をコピーする際に制御部１０２が実行する処理の内容を
示したフローチャートである。
ら基準信号を受け付け、この基準信号に応じて揮発性メ
モリ１０３と不揮発性メモリ１０４の間で記憶データの
コピー（退避または展開）を実行する。図２は、揮発性
メモリ１０３と不揮発性メモリ１０４の間で記憶データ
をコピーする際に制御部１０２が実行する処理の内容を
示したフローチャートである。
【００１６】図２において、制御部１０２は、先ず、基
準信号を参照する（ステップＳ１）。基準信号がＬから
Ｈに変化した場合（ステップＳ２でＹｅｓ）、制御部１
０２は電力の供給が開始されたと判断して、揮発性メモ
リ１０３に対する外部からのアクセスを遮断し、制御部
１０２が揮発性メモリ１０３にアクセスできるようにす
る。すなわち、セレクタ１０１に対して選択信号（Ｌ）
を入力する（ステップＳ７）。
準信号を参照する（ステップＳ１）。基準信号がＬから
Ｈに変化した場合（ステップＳ２でＹｅｓ）、制御部１
０２は電力の供給が開始されたと判断して、揮発性メモ
リ１０３に対する外部からのアクセスを遮断し、制御部
１０２が揮発性メモリ１０３にアクセスできるようにす
る。すなわち、セレクタ１０１に対して選択信号（Ｌ）
を入力する（ステップＳ７）。
【００１７】その後、制御部１０２は不揮発性メモリ１
０４から記憶データを読み出して、揮発性メモリ１０３
に記憶データをコピー（展開）する（ステップＳ８）。
揮発性メモリ１０３に記憶データを展開し終わったら、
揮発性メモリ１０３に対する外部からのアクセスを許可
するために、セレクタ１０１に選択信号（Ｈ）を入力す
る（ステップＳ９）。
０４から記憶データを読み出して、揮発性メモリ１０３
に記憶データをコピー（展開）する（ステップＳ８）。
揮発性メモリ１０３に記憶データを展開し終わったら、
揮発性メモリ１０３に対する外部からのアクセスを許可
するために、セレクタ１０１に選択信号（Ｈ）を入力す
る（ステップＳ９）。
【００１８】またこれとは逆に、基準信号がＨからＬに
変化した場合には（ステップＳ３でＹｅｓ）、制御部１
０２は電力の供給が杜絶えたと判断して、セレクタ１０
１に対し選択信号（Ｌ）を入力する（ステップＳ４）。
その後、揮発性メモリ１０３から不揮発性メモリ１０４
に記憶データをコピー（退避）し（ステップＳ５）、セ
レクタ１０１に選択信号（Ｈ）を入力する（ステップＳ
９）。ステップＳ３でＮｏの場合、若しくはステップＳ
６、Ｓ９の処理の後、再びステップＳ１に進んで、基準
信号を参照する。
変化した場合には（ステップＳ３でＹｅｓ）、制御部１
０２は電力の供給が杜絶えたと判断して、セレクタ１０
１に対し選択信号（Ｌ）を入力する（ステップＳ４）。
その後、揮発性メモリ１０３から不揮発性メモリ１０４
に記憶データをコピー（退避）し（ステップＳ５）、セ
レクタ１０１に選択信号（Ｈ）を入力する（ステップＳ
９）。ステップＳ３でＮｏの場合、若しくはステップＳ
６、Ｓ９の処理の後、再びステップＳ１に進んで、基準
信号を参照する。
【００１９】なお、揮発性メモリ１０３と不揮発性メモ
リ１０４とは同一記憶容量のメモリであって、制御部１
０２は記憶データのコピーに際して、コピー元のメモリ
を先頭から順に参照して、コピー先のメモリに対して、
これも先頭から順番にデータを書き込む。制御部１０２
はこれらのメモリにアクセスするために、制御信号やア
ドレス信号を出力し、記憶データの読み書きを実行す
る。
リ１０４とは同一記憶容量のメモリであって、制御部１
０２は記憶データのコピーに際して、コピー元のメモリ
を先頭から順に参照して、コピー先のメモリに対して、
これも先頭から順番にデータを書き込む。制御部１０２
はこれらのメモリにアクセスするために、制御信号やア
ドレス信号を出力し、記憶データの読み書きを実行す
る。
【００２０】電力供給部１０５は、半導体記憶装置１の
外部から電力の供給を受けて、これを制御部１０２等に
供給する一方、これと同時に電力供給部１０５内部に電
力を蓄積する。この電力供給部１０５は、外部からの電
力供給が杜絶した際に制御部１０２が揮発メモリ１０３
上の記憶データを不揮発性メモリ１０４に退避できるに
足るだけの電力のみを蓄積する。そして、外部からの電
力供給の杜絶を検出したら蓄積しておいた電力を制御部
１０２等に供給する。
外部から電力の供給を受けて、これを制御部１０２等に
供給する一方、これと同時に電力供給部１０５内部に電
力を蓄積する。この電力供給部１０５は、外部からの電
力供給が杜絶した際に制御部１０２が揮発メモリ１０３
上の記憶データを不揮発性メモリ１０４に退避できるに
足るだけの電力のみを蓄積する。そして、外部からの電
力供給の杜絶を検出したら蓄積しておいた電力を制御部
１０２等に供給する。
【００２１】なお、電力の蓄積は、例えば、誘電体コン
デンサやリアクタンス素子、或いは薄膜電池など、充放
電可能な小電力容量の電力蓄積手段を半導体記憶装置１
上に集積することにより実現する。これによって、半導
体記憶装置１は外部からの電力供給を一切受けることな
く揮発性メモリ１０３の記憶データを不揮発性メモリ１
０４に退避することができる。
デンサやリアクタンス素子、或いは薄膜電池など、充放
電可能な小電力容量の電力蓄積手段を半導体記憶装置１
上に集積することにより実現する。これによって、半導
体記憶装置１は外部からの電力供給を一切受けることな
く揮発性メモリ１０３の記憶データを不揮発性メモリ１
０４に退避することができる。
【００２２】また、上記基準信号として、既存の信号で
あって、いわゆるＣＥ（Chip Enable）、或いはＣＳ（C
hip Select）といった信号を流用するとしても良い。こ
れらの信号を流用すれば、半導体記憶装置１について、
そのピン数を増加させることなく、本発明の機能を果た
させることができる。したがって、本発明に係る半導体
記憶装置１は既存の半導体記憶装置と同様にして、回路
基板に実装することができる。
あって、いわゆるＣＥ（Chip Enable）、或いはＣＳ（C
hip Select）といった信号を流用するとしても良い。こ
れらの信号を流用すれば、半導体記憶装置１について、
そのピン数を増加させることなく、本発明の機能を果た
させることができる。したがって、本発明に係る半導体
記憶装置１は既存の半導体記憶装置と同様にして、回路
基板に実装することができる。
【００２３】上記において、揮発性メモリ１０３は、例
えば、ＳＲＡＭやＤＲＡＭとすればよい。また、不揮発
性メモリ１０４は、例えば、強誘電体メモリ（Ferroele
ctronic RAM）とするのが好ましい。強誘電体メモリを
適用すれば、揮発性メモリ１０３と不揮発性メモリ１０
４の間で記憶データをコピーするのに必要となる電力量
を低減することができる。したがって、電力供給部１０
５をより小型化できる。また、不揮発性メモリ１０４は
フラッシュメモリであってもよい。
えば、ＳＲＡＭやＤＲＡＭとすればよい。また、不揮発
性メモリ１０４は、例えば、強誘電体メモリ（Ferroele
ctronic RAM）とするのが好ましい。強誘電体メモリを
適用すれば、揮発性メモリ１０３と不揮発性メモリ１０
４の間で記憶データをコピーするのに必要となる電力量
を低減することができる。したがって、電力供給部１０
５をより小型化できる。また、不揮発性メモリ１０４は
フラッシュメモリであってもよい。
【００２４】以上のように、揮発性メモリ１０３、不揮
発性メモリ１０４、制御部１０２、電力供給部１０５等
を１チップに集積すれば、電力供給が杜絶した場合の記
憶データの退避に際して、半導体記憶装置１内で記憶デ
ータをコピーするのに足るだけの電力しか必要としない
ので、記憶データを退避するのに際して、大規模なバッ
クアップ電源を要することない。
発性メモリ１０４、制御部１０２、電力供給部１０５等
を１チップに集積すれば、電力供給が杜絶した場合の記
憶データの退避に際して、半導体記憶装置１内で記憶デ
ータをコピーするのに足るだけの電力しか必要としない
ので、記憶データを退避するのに際して、大規模なバッ
クアップ電源を要することない。
【００２５】また、半導体記憶装置１は、外部から電力
の供給を受けている間は揮発性メモリ１０３部分に対し
てのみ記憶データの書き換えがされるので、不揮発性メ
モリ１０４の書き換え回数を抑制することができる。し
たがって、従来の不揮発性メモリと比較して書き換え回
数の制限を大幅に緩和することができ、事実上、書き換
え回数に制限のない不揮発性メモリとなっている。
の供給を受けている間は揮発性メモリ１０３部分に対し
てのみ記憶データの書き換えがされるので、不揮発性メ
モリ１０４の書き換え回数を抑制することができる。し
たがって、従来の不揮発性メモリと比較して書き換え回
数の制限を大幅に緩和することができ、事実上、書き換
え回数に制限のない不揮発性メモリとなっている。
【００２６】また、半導体記憶装置１の外部からのメモ
リアクセスは揮発性メモリ部分に対してのみ行なわれる
ので、従来の揮発性メモリと同等のアクセス速度を実現
することができる。従って、本発明により、大規模なバ
ックアップ電源を必要とせず、ほぼ無制限に書き換えが
可能であって、しかも従来の揮発性メモリと同等のアク
セス速度を有する半導体記憶装置を得ることができる。
リアクセスは揮発性メモリ部分に対してのみ行なわれる
ので、従来の揮発性メモリと同等のアクセス速度を実現
することができる。従って、本発明により、大規模なバ
ックアップ電源を必要とせず、ほぼ無制限に書き換えが
可能であって、しかも従来の揮発性メモリと同等のアク
セス速度を有する半導体記憶装置を得ることができる。
【００２７】（第２の実施の形態）次に、第２の実施の
形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施の
形態に係る半導体記憶装置の構成は第１の実施の形態に
係る半導体記憶装置の構成と概ね同じであるが、不揮発
性メモリの容量において相異している。図３は、本実施
の形態に係る半導体記憶装置について、その構成を示し
た機能ブロック図である。
形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施の
形態に係る半導体記憶装置の構成は第１の実施の形態に
係る半導体記憶装置の構成と概ね同じであるが、不揮発
性メモリの容量において相異している。図３は、本実施
の形態に係る半導体記憶装置について、その構成を示し
た機能ブロック図である。
【００２８】図３において、半導体記憶装置２は、半導
体記憶装置１と同様に、セレクタ２０１、制御部２０
２、揮発性メモリ２０３、不揮発性メモリ２０４、電力
供給部２０５を備えている。特に、不揮発性メモリ２０
４は、記憶領域＃１から記憶領域＃ＮまでのＮ個の記憶
領域からなっており、各記憶領域の記憶容量はそれぞれ
揮発性メモリ２０３の記憶容量に等しい。
体記憶装置１と同様に、セレクタ２０１、制御部２０
２、揮発性メモリ２０３、不揮発性メモリ２０４、電力
供給部２０５を備えている。特に、不揮発性メモリ２０
４は、記憶領域＃１から記憶領域＃ＮまでのＮ個の記憶
領域からなっており、各記憶領域の記憶容量はそれぞれ
揮発性メモリ２０３の記憶容量に等しい。
【００２９】また、制御部２０２は、制御部１０２が入
出力する各信号に加えて、半導体記憶装置２の外部から
領域選択信号を受け付ける。制御部２０２は、受け付け
た領域選択信号に応じて、揮発性メモリ２０３との間で
記憶データのコピーを行う記憶領域を、不揮発性メモリ
２０４の記憶領域＃１から記憶領域＃Ｎの何れかから選
択する。
出力する各信号に加えて、半導体記憶装置２の外部から
領域選択信号を受け付ける。制御部２０２は、受け付け
た領域選択信号に応じて、揮発性メモリ２０３との間で
記憶データのコピーを行う記憶領域を、不揮発性メモリ
２０４の記憶領域＃１から記憶領域＃Ｎの何れかから選
択する。
【００３０】すなわち、制御部２０２は、基準信号がＬ
からＨに変化したらセレクタ２０１に選択信号（Ｌ）を
入力し、領域選択信号に応じた不揮発性メモリ２０４か
ら揮発性メモリ２０３に記憶データをコピーして、セレ
クタ２０１に選択信号（Ｈ）を入力する。逆に、基準信
号がＨからＬに変化したら、制御部２０２はセレクタ２
０１に選択信号（Ｌ）を入力し、揮発性メモリ２０３か
ら領域選択信号に応じた不揮発性メモリ２０４に記憶デ
ータをコピーして、セレクタ２０１に選択信号（Ｈ）を
入力する。
からＨに変化したらセレクタ２０１に選択信号（Ｌ）を
入力し、領域選択信号に応じた不揮発性メモリ２０４か
ら揮発性メモリ２０３に記憶データをコピーして、セレ
クタ２０１に選択信号（Ｈ）を入力する。逆に、基準信
号がＨからＬに変化したら、制御部２０２はセレクタ２
０１に選択信号（Ｌ）を入力し、揮発性メモリ２０３か
ら領域選択信号に応じた不揮発性メモリ２０４に記憶デ
ータをコピーして、セレクタ２０１に選択信号（Ｈ）を
入力する。
【００３１】上記第１の実施の形態においては、半導体
記憶装置１の記憶容量を増大させようとすると揮発性メ
モリ１０３の記憶容量を増大させなければならないのに
対して、本実施の形態のようにすれば、揮発性メモリ２
０３の記憶容量を増大させることなく、半導体記憶装置
２の不揮発性メモリとしての記憶容量を増大させること
ができる。したがって、半導体記憶装置のコストを低減
すると同時に、装置サイズを小型化することができると
いう利点がある。
記憶装置１の記憶容量を増大させようとすると揮発性メ
モリ１０３の記憶容量を増大させなければならないのに
対して、本実施の形態のようにすれば、揮発性メモリ２
０３の記憶容量を増大させることなく、半導体記憶装置
２の不揮発性メモリとしての記憶容量を増大させること
ができる。したがって、半導体記憶装置のコストを低減
すると同時に、装置サイズを小型化することができると
いう利点がある。
【００３２】（第３の実施の形態）次に、第３の実施の
形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施の
形態に係る半導体記憶装置の構成は第２の実施の形態に
係る半導体記憶装置の構成と概ね同じであるが、不揮発
性メモリの容量を増大させるのに代えて、不揮発性メモ
リの個数を増大させている点が異なっている。図４は本
実施の形態に係る半導体記憶装置の構成を示した機能ブ
ロック図である。
形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施の
形態に係る半導体記憶装置の構成は第２の実施の形態に
係る半導体記憶装置の構成と概ね同じであるが、不揮発
性メモリの容量を増大させるのに代えて、不揮発性メモ
リの個数を増大させている点が異なっている。図４は本
実施の形態に係る半導体記憶装置の構成を示した機能ブ
ロック図である。
【００３３】図４において、半導体記憶装置３は、セレ
クタ３０１、制御部３０２、揮発性メモリ３０３、不揮
発性メモリ３０４１〜３０４Ｎ、および電力供給部３０
５を備えている。不揮発性メモリ３０４１〜３０４Ｎは
それぞれ揮発性メモリ３０３の記憶容量に等しい記憶容
量を有し、いずれも電力供給部３０５から電力の供給を
受けている。
クタ３０１、制御部３０２、揮発性メモリ３０３、不揮
発性メモリ３０４１〜３０４Ｎ、および電力供給部３０
５を備えている。不揮発性メモリ３０４１〜３０４Ｎは
それぞれ揮発性メモリ３０３の記憶容量に等しい記憶容
量を有し、いずれも電力供給部３０５から電力の供給を
受けている。
【００３４】制御部３０２は、上記第２の実施の形態に
おけるの制御部２０２と同様の構成に加えて、不揮発性
メモリ３０４１〜３０４Ｎのそれぞれにアクセスするた
めのＮ個のインタフェースを備えている。制御部３０２
は、半導体記憶装置３の外部から受け付けた領域選択信
号に応じて、不揮発性メモリ３０４１〜３０４Ｎの何れ
かから選択し、揮発性メモリ３０３との間で記憶データ
のコピーを行う。
おけるの制御部２０２と同様の構成に加えて、不揮発性
メモリ３０４１〜３０４Ｎのそれぞれにアクセスするた
めのＮ個のインタフェースを備えている。制御部３０２
は、半導体記憶装置３の外部から受け付けた領域選択信
号に応じて、不揮発性メモリ３０４１〜３０４Ｎの何れ
かから選択し、揮発性メモリ３０３との間で記憶データ
のコピーを行う。
【００３５】このようにすれば、上記第２の実施の形態
における半導体記憶装置２とは異なって、揮発性メモリ
３０３との間で記憶データのコピーを行わなかった不揮
発性メモリの書き換え回数が他の不揮発性メモリへの書
き換えによってカウントアップされないので、半導体記
憶装置３の寿命を全体として更に延長することができ
る。
における半導体記憶装置２とは異なって、揮発性メモリ
３０３との間で記憶データのコピーを行わなかった不揮
発性メモリの書き換え回数が他の不揮発性メモリへの書
き換えによってカウントアップされないので、半導体記
憶装置３の寿命を全体として更に延長することができ
る。
【００３６】なお、半導体記憶装置３のユーザは、半導
体記憶装置３を揮発性メモリ３０３の記憶容量分の記憶
容量を有し、極めて寿命の長い不揮発性メモリとして利
用することもできるし（このように使用すれば書き換え
回数の上限が更にＮ倍される。）、また、基準信号と領
域選択信号を操作して、適宜、不揮発性メモリ３０４と
揮発性メモリ３０３の間で記憶データのコピーをさせる
ことによって、記憶容量の大きい不揮発性メモリとして
使用することもできる。
体記憶装置３を揮発性メモリ３０３の記憶容量分の記憶
容量を有し、極めて寿命の長い不揮発性メモリとして利
用することもできるし（このように使用すれば書き換え
回数の上限が更にＮ倍される。）、また、基準信号と領
域選択信号を操作して、適宜、不揮発性メモリ３０４と
揮発性メモリ３０３の間で記憶データのコピーをさせる
ことによって、記憶容量の大きい不揮発性メモリとして
使用することもできる。
【００３７】（第４の実施の形態）次に、第４の実施の
形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施の
形態に係る半導体記憶装置の構成は第１の実施の形態に
係る半導体記憶装置の構成と概ね同じであるが、外部か
らの基準信号の入力を必要としない点で第１の実施の形
態に係る半導体記憶装置とは異なっている。図５は本実
施の形態に係る半導体記憶装置の構成を示した機能ブロ
ック図である。
形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施の
形態に係る半導体記憶装置の構成は第１の実施の形態に
係る半導体記憶装置の構成と概ね同じであるが、外部か
らの基準信号の入力を必要としない点で第１の実施の形
態に係る半導体記憶装置とは異なっている。図５は本実
施の形態に係る半導体記憶装置の構成を示した機能ブロ
ック図である。
【００３８】図５において、半導体記憶装置４は、セレ
クタ４０１、制御部４０２、揮発性メモリ４０３、不揮
発性メモリ４０４、および電力供給部４０５を備えてい
る。電力供給部４０５は制御部４０２に対して供給状態
信号を入力する。電力供給部４０５は、半導体記憶装置
４の外部から電力の供給を受けて制御部４０２等に電力
を供給しているときは、供給状態信号としてＨを出力す
る。また、蓄積しておいた電力を用いて電力供給してい
るときには、供給状態信号をＬとして出力する。
クタ４０１、制御部４０２、揮発性メモリ４０３、不揮
発性メモリ４０４、および電力供給部４０５を備えてい
る。電力供給部４０５は制御部４０２に対して供給状態
信号を入力する。電力供給部４０５は、半導体記憶装置
４の外部から電力の供給を受けて制御部４０２等に電力
を供給しているときは、供給状態信号としてＨを出力す
る。また、蓄積しておいた電力を用いて電力供給してい
るときには、供給状態信号をＬとして出力する。
【００３９】制御部４０２は電力供給部４０５から受け
付けた供給状態信号がＬからＨに変化したのを検出した
ら、セレクタ４０１に対して選択信号（Ｌ）を入力し
て、不揮発性メモリ４０４から揮発性メモリ４０３に記
憶データをコピーした後、セレクタ４０１に選択信号
（Ｈ）を入力する。逆に、供給状態信号がＨからＬに変
化したのを検出したら、制御部４０２はセレクタ４０１
に対し選択信号（Ｌ）を入力し、揮発性メモリ４０３か
ら不揮発性メモリ４０４に記憶データをコピーした後、
セレクタ４０１に選択信号（Ｈ）を入力する。
付けた供給状態信号がＬからＨに変化したのを検出した
ら、セレクタ４０１に対して選択信号（Ｌ）を入力し
て、不揮発性メモリ４０４から揮発性メモリ４０３に記
憶データをコピーした後、セレクタ４０１に選択信号
（Ｈ）を入力する。逆に、供給状態信号がＨからＬに変
化したのを検出したら、制御部４０２はセレクタ４０１
に対し選択信号（Ｌ）を入力し、揮発性メモリ４０３か
ら不揮発性メモリ４０４に記憶データをコピーした後、
セレクタ４０１に選択信号（Ｈ）を入力する。
【００４０】なお、セレクタ４０１は、制御部４０２か
ら選択信号（Ｌ）を入力されると制御部４０２に揮発性
メモリ４０３へのアクセスを許可する。これによって、
制御部４０２による揮発性メモリ４０３と不揮発性メモ
リ４０４との間の記憶データのコピーが可能になる。ま
た、セレクタ４０１は選択信号（Ｈ）を受け付けると、
揮発性メモリ４０３に対する半導体記憶装置４の外部か
らのアクセスを許可する。
ら選択信号（Ｌ）を入力されると制御部４０２に揮発性
メモリ４０３へのアクセスを許可する。これによって、
制御部４０２による揮発性メモリ４０３と不揮発性メモ
リ４０４との間の記憶データのコピーが可能になる。ま
た、セレクタ４０１は選択信号（Ｈ）を受け付けると、
揮発性メモリ４０３に対する半導体記憶装置４の外部か
らのアクセスを許可する。
【００４１】（第５の実施の形態）次に、第５の実施の
形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施の
形態に係る半導体記憶装置の構成は第２の実施の形態に
係る半導体記憶装置の構成と第４の実施の形態に係る半
導体記憶装置の構成を兼ね備えたような構成となってい
るが、不揮発性メモリに対しても外部からのアクセスを
認める点で相違している。
形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施の
形態に係る半導体記憶装置の構成は第２の実施の形態に
係る半導体記憶装置の構成と第４の実施の形態に係る半
導体記憶装置の構成を兼ね備えたような構成となってい
るが、不揮発性メモリに対しても外部からのアクセスを
認める点で相違している。
【００４２】図６は、本実施の形態に係る半導体記憶装
置の構成を示した機能ブロック図である。図６におい
て、半導体記憶装置５はセレクタ５０１、制御部５０
２、揮発性メモリ５０３、不揮発性メモリ５０４、電力
供給部５０５を備えている。不揮発性メモリ５０４は、
上記第２の実施の形態におけるのと同様に、記憶領域＃
１から記憶領域＃ＮまでのＮ個の記憶領域からなってお
り、各記憶領域の記憶容量はそれぞれ揮発性メモリ５０
３の記憶容量に等しい。
置の構成を示した機能ブロック図である。図６におい
て、半導体記憶装置５はセレクタ５０１、制御部５０
２、揮発性メモリ５０３、不揮発性メモリ５０４、電力
供給部５０５を備えている。不揮発性メモリ５０４は、
上記第２の実施の形態におけるのと同様に、記憶領域＃
１から記憶領域＃ＮまでのＮ個の記憶領域からなってお
り、各記憶領域の記憶容量はそれぞれ揮発性メモリ５０
３の記憶容量に等しい。
【００４３】制御部５０２は、上記第２の実施の形態に
おけるのと同様に、供給状態信号がＬからＨに変化した
らセレクタ５０１に選択信号（Ｌ）を入力し、領域選択
信号に応じた不揮発性メモリ５０４から揮発性メモリ５
０３に記憶データをコピーして、セレクタ５０１に選択
信号（Ｈ）を入力する。逆に、供給状態信号がＨからＬ
に変化したら、制御部５０２はセレクタ５０１に選択信
号（Ｌ）を入力し、揮発性メモリ５０３から領域選択信
号に応じた不揮発性メモリ５０４に記憶データをコピー
して、セレクタ５０１に選択信号（Ｈ）を入力する。
おけるのと同様に、供給状態信号がＬからＨに変化した
らセレクタ５０１に選択信号（Ｌ）を入力し、領域選択
信号に応じた不揮発性メモリ５０４から揮発性メモリ５
０３に記憶データをコピーして、セレクタ５０１に選択
信号（Ｈ）を入力する。逆に、供給状態信号がＨからＬ
に変化したら、制御部５０２はセレクタ５０１に選択信
号（Ｌ）を入力し、揮発性メモリ５０３から領域選択信
号に応じた不揮発性メモリ５０４に記憶データをコピー
して、セレクタ５０１に選択信号（Ｈ）を入力する。
【００４４】セレクタ５０１は制御部５０２と同様に領
域選択信号を入力されており、半導体記憶装置５の外部
からのアクセス要求を受け付けると、入力されたアドレ
ス信号を参照して、アクセス要求に係るアドレスが領域
選択信号に係る記憶領域内を指している場合には、アク
セス要求をした外部装置（ＣＰＵ等）を揮発性メモリ５
０３にアクセスさせる。
域選択信号を入力されており、半導体記憶装置５の外部
からのアクセス要求を受け付けると、入力されたアドレ
ス信号を参照して、アクセス要求に係るアドレスが領域
選択信号に係る記憶領域内を指している場合には、アク
セス要求をした外部装置（ＣＰＵ等）を揮発性メモリ５
０３にアクセスさせる。
【００４５】一方、入力されたアドレス信号が領域選択
信号に係る記憶領域内を指していないときは、アクセス
要求をした外部装置（ＣＰＵ等）を不揮発性メモリ５０
４にアクセスさせる。なお、この場合には、不揮発性メ
モリ５０４からの記憶データの読み出し要求のみを受け
付けることとし、不揮発性メモリ５０４に対する書き込
み要求は受け付けない。
信号に係る記憶領域内を指していないときは、アクセス
要求をした外部装置（ＣＰＵ等）を不揮発性メモリ５０
４にアクセスさせる。なお、この場合には、不揮発性メ
モリ５０４からの記憶データの読み出し要求のみを受け
付けることとし、不揮発性メモリ５０４に対する書き込
み要求は受け付けない。
【００４６】以上のように、半導体記憶装置５において
は、書き込みの必要なデータは揮発性メモリ５０３上に
展開し、読み出すのみでよいデータについては不揮発性
メモリ５０４から直接読み出すので、揮発性メモリの容
量を抑えながら、大量のデータを参照させることができ
るようになる。また、この不揮発性メモリからのデータ
読み出し速度は、揮発性メモリからデータを読み出す場
合と同程度であるので、半導体記憶装置５によれば高速
かつ大量のデータ読み出しが可能となる。
は、書き込みの必要なデータは揮発性メモリ５０３上に
展開し、読み出すのみでよいデータについては不揮発性
メモリ５０４から直接読み出すので、揮発性メモリの容
量を抑えながら、大量のデータを参照させることができ
るようになる。また、この不揮発性メモリからのデータ
読み出し速度は、揮発性メモリからデータを読み出す場
合と同程度であるので、半導体記憶装置５によれば高速
かつ大量のデータ読み出しが可能となる。
【００４７】（変形例）以上、本発明を実施の形態に基
づいて説明してきたが、本発明は、上述の実施の形態に限
定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施
することができる。 （１） 電力供給部が蓄積する電力量 記憶データ保持にあたって信頼性確保の観点より、電力
供給部１０５等に蓄積する電力量は、揮発性メモリと不
揮発性メモリの間で記憶データをコピーするのに必要と
なる電力量の１０倍程度としても良い。このようにして
も、従来技術のように、回路全体を動作させて記憶デー
タをバックアップする場合に比べれば必要となる電力量
が小さくて済むので、電力の蓄積に要するコストを低減
することができる。
づいて説明してきたが、本発明は、上述の実施の形態に限
定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施
することができる。 （１） 電力供給部が蓄積する電力量 記憶データ保持にあたって信頼性確保の観点より、電力
供給部１０５等に蓄積する電力量は、揮発性メモリと不
揮発性メモリの間で記憶データをコピーするのに必要と
なる電力量の１０倍程度としても良い。このようにして
も、従来技術のように、回路全体を動作させて記憶デー
タをバックアップする場合に比べれば必要となる電力量
が小さくて済むので、電力の蓄積に要するコストを低減
することができる。
【００４８】（２） 揮発性メモリの記憶容量と不揮発
性メモリの記憶容量の関係 上記実施の形態においては、いずれも不揮発性メモリの
記憶容量は揮発性メモリの記憶容量よりも大きいとした
が、これに代えて、不揮発性メモリの記憶容量は揮発性
メモリの記憶容量としても小さいとしても良い。この場
合、揮発性メモリの特定の記憶領域のみを退避するとし
ても良いし、退避する記憶領域の指定を外部から受け付
けるとしても良い。
性メモリの記憶容量の関係 上記実施の形態においては、いずれも不揮発性メモリの
記憶容量は揮発性メモリの記憶容量よりも大きいとした
が、これに代えて、不揮発性メモリの記憶容量は揮発性
メモリの記憶容量としても小さいとしても良い。この場
合、揮発性メモリの特定の記憶領域のみを退避するとし
ても良いし、退避する記憶領域の指定を外部から受け付
けるとしても良い。
【００４９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、半
導体記憶装置に内蔵の電力供給部には必要量の電力を蓄
積して、揮発性メモリと不揮発性メモリとの間における
記憶データのコピーの用に供するので、半導体記憶装置
に対する外部から電力供給が杜絶しても、揮発性メモリ
上の記憶データが損なわれる事なく、不揮発性メモリに
退避される。
導体記憶装置に内蔵の電力供給部には必要量の電力を蓄
積して、揮発性メモリと不揮発性メモリとの間における
記憶データのコピーの用に供するので、半導体記憶装置
に対する外部から電力供給が杜絶しても、揮発性メモリ
上の記憶データが損なわれる事なく、不揮発性メモリに
退避される。
【００５０】例えば、いわゆる非接触型ＩＣカードは外
部からの電波によって電力を供給されるのだが、このよ
うな非接触型ＩＣカードについても本発明に係る半導体
記憶装置を実装すれば、不慮の原因によって電波の到達
圏外に出てしまい、電力供給が杜絶えてしまった場合で
あっても、半導体記憶装置の記憶データが損なわれるこ
となく保持される。
部からの電波によって電力を供給されるのだが、このよ
うな非接触型ＩＣカードについても本発明に係る半導体
記憶装置を実装すれば、不慮の原因によって電波の到達
圏外に出てしまい、電力供給が杜絶えてしまった場合で
あっても、半導体記憶装置の記憶データが損なわれるこ
となく保持される。
【００５１】また、半導体記憶装置外部からのメモリア
クセスは揮発性メモリ部分に対してのみ行なわれるの
で、不揮発性メモリ部分の書き換え回数を大幅に低減し
て、実質的に書き換え回数の制限を取り去ることがで
き、更にメモリアクセスの高速化を図ることができる。
したがって、例えば、本発明に係る半導体記憶装置から
ファイルデータなど大量のデータを読み出す際に、これ
に要する読み出し時間を短縮することができる。
クセスは揮発性メモリ部分に対してのみ行なわれるの
で、不揮発性メモリ部分の書き換え回数を大幅に低減し
て、実質的に書き換え回数の制限を取り去ることがで
き、更にメモリアクセスの高速化を図ることができる。
したがって、例えば、本発明に係る半導体記憶装置から
ファイルデータなど大量のデータを読み出す際に、これ
に要する読み出し時間を短縮することができる。
【００５２】また、半導体記憶装置の内部に蓄えられる
電力の容量は、記憶データを揮発性メモリから不揮発性
メモリにコピーするのに要する電力の１０倍もあれば十
分であるので、従来技術による場合と比較して蓄電量を
大幅に削減できるので、半導体記憶装置を含む回路規模
を小型化することができる。
電力の容量は、記憶データを揮発性メモリから不揮発性
メモリにコピーするのに要する電力の１０倍もあれば十
分であるので、従来技術による場合と比較して蓄電量を
大幅に削減できるので、半導体記憶装置を含む回路規模
を小型化することができる。
【図１】第１の実施の形態に係る半導体記憶装置につい
て、その構成を示した機能ブロック図である。
て、その構成を示した機能ブロック図である。
【図２】揮発性メモリ１０３と不揮発性メモリ１０４の
間で記憶データをコピーする際に制御部１０２が実行す
る処理の内容を示したフローチャートである。
間で記憶データをコピーする際に制御部１０２が実行す
る処理の内容を示したフローチャートである。
【図３】第２の実施の形態に係る半導体記憶装置につい
て、その構成を示した機能ブロック図である。
て、その構成を示した機能ブロック図である。
【図４】第３の実施の形態に係る半導体記憶装置につい
て、その構成を示した機能ブロック図である。
て、その構成を示した機能ブロック図である。
【図５】第４の実施の形態に係る半導体記憶装置につい
て、その構成を示した機能ブロック図である。
て、その構成を示した機能ブロック図である。
【図６】第５の実施の形態に係る半導体記憶装置につい
て、その構成を示した機能ブロック図である。
て、その構成を示した機能ブロック図である。
【図７】特開平６−２５９１７２号公報に開示の情報処
理装置について、その構成を示した機能ブロック図であ
る。
理装置について、その構成を示した機能ブロック図であ
る。
１、２、３、４、５ 半導体記
憶装置 １０１、２０１、３０１、４０１、５０１ セレクタ １０２、２０２、３０２、４０２、５０２ 制御部 １０３、２０３、３０３、４０３、５０３ 揮発性メ
モリ １０４、２０４、３０４、４０４、５０４ 不揮発性
メモリ １０５、２０５、３０５、４０５、５０５ 電力供給
部
憶装置 １０１、２０１、３０１、４０１、５０１ セレクタ １０２、２０２、３０２、４０２、５０２ 制御部 １０３、２０３、３０３、４０３、５０３ 揮発性メ
モリ １０４、２０４、３０４、４０４、５０４ 不揮発性
メモリ １０５、２０５、３０５、４０５、５０５ 電力供給
部
フロントページの続き
(72)発明者 山田 隆善
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5B015 HH04 JJ07 KB68 KB73 MM06
PP06
5B018 GA04 HA04 KA03 NA03 NA06
QA05 QA06
5B025 AD00 AD04 AD05 AD09 AE06
AE08
5M024 AA14 AA20 BB29 BB30 BB37
FF20 FF22 KK33 PP01 PP10
Claims (7)
- 【請求項１】 揮発性メモリと不揮発性メモリとが１チ
ップに集積されている半導体記憶装置であって、 半導体記憶装置の外部からのデータアクセスに対して前
記揮発性メモリの記憶データを参照させる揮発性メモリ
参照手段と、 前記揮発性メモリの記憶データを前記不揮発性メモリに
退避する記憶データ退避手段と、 電力を蓄積すると共に、蓄積した電力を用いて、前記記
憶データ退避手段にて記憶データを退避するための電力
を供給する電力供給手段とが集積されていることを特徴
とする半導体記憶装置。 - 【請求項２】 半導体記憶装置の外部からの電力供給状
態の変化を検出する状態変化検出手段が集積されてお
り、 前記記憶データ退避手段は、前記状態変化検出手段が前
記電力供給されている状態から電力供給されていない状
態への変化を検出したら、前記揮発性メモリの記憶デー
タを前記不揮発性メモリに退避することを特徴とする請
求項１に記載の半導体記憶装置。 - 【請求項３】 前記状態変化検出手段が前記電力供給さ
れていない状態から電力供給されている状態への変化を
検出したら、前記不揮発性メモリの記憶データを前記揮
発性メモリに展開する記憶データ展開手段が集積されて
いることを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装
置。 - 【請求項４】 前記不揮発性メモリ上の記憶領域を指定
する領域指定を受け付ける領域指定受付手段が集積され
ており、 前記記憶データ退避手段は、前記領域指定にて指定され
た記憶領域に前記記憶データを退避することを特徴とす
る請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体記憶
装置。 - 【請求項５】 半導体記憶装置の外部からのデータ読み
出しアクセスに対して前記不揮発性メモリの記憶データ
を参照させる不揮発性メモリ参照手段が集積されている
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記
載の半導体記憶装置。 - 【請求項６】 前記不揮発性メモリは、フラッシュメモ
リまたは強誘電体メモリのいずれかであることを特徴と
する請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体記
憶装置。 - 【請求項７】 前記電力供給手段は、充放電可能な二次
電池、コンデンサ、またはリアクタンス素子のいずれか
であって、 半導体記憶装置の外部から電力供給を受けて蓄電するこ
とを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載
の半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001319525A JP4015835B2 (ja) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | 半導体記憶装置 |
| US10/271,139 US6693840B2 (en) | 2001-10-17 | 2002-10-15 | Non-volatile semiconductor memory device with enhanced erase/write cycle endurance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001319525A JP4015835B2 (ja) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003122648A true JP2003122648A (ja) | 2003-04-25 |
| JP4015835B2 JP4015835B2 (ja) | 2007-11-28 |
Family
ID=19137061
Family Applications (1)
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