JP2012257057A - データ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CPU101、揮発性RAM102、不揮発性FeRAM103、ROM104、CPU101のアクセス対象を選択する選択器105を有する。選択器105は、通常動作時においてはRAM102を選択し、データ処理装置100の電源遮断処理が開始され、且つHALT可能な状態に移行した段階で、FeRAM103を選択する。これにより、電源遮断時において、CPU101が保持しているレジスタ111のデータをFeRAM103に記録できるようにする。また選択器105は、データ処理装置100の電源起動処理が開始され、且つFeRAM103に記録されているレジスタデータをCPU101が読み出してレジスタ111に格納した段階で、RAM102を選択する。
【選択図】図1
Description
<その他の変形例>
101 CPU(電子回路部)
102 RAM(第一記録部)
103 FeRAM(第二記録部)
104 ROM
105 選択器
106 インバータ回路
111 レジスタ
INV1〜INV5 インバータ
INV6、INV7 インバータ(レベルシフト機能あり)
SW1〜SW4 パススイッチ
MUX1、MUX2 マルチプレクサ
Q1a、Q1b、Q2a、Q2b Nチャネル型電界効果トランジスタ
CL1a、CL1b、CL2a、CL2b 強誘電体素子
LOOP ループ構造部
NVM 不揮発性記憶部
SEP 回路分離部
P1〜P3 Pチャネル型MOS電界効果トランジスタ
N1〜N3 Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ
Claims (8)
- 揮発性の記録媒体を有する第一記録部と、
不揮発性の記録媒体を有する第二記録部と、
揮発性のレジスタを有する電子回路部と、
前記電子回路部によりアクセスされる記録部を選択する選択器と、を備えたデータ処理装置であって、
前記選択器は、前記電子回路部によりデータ処理が実施される状態において前記第一記録部を選択し、前記データ処理装置の電源遮断時に前記データ処理が終了した状態において前記第二記録部を選択し、
前記電子回路部は、前記電源遮断時に前記データ処理が終了した時点で、前記レジスタに記録されているデータを、前記選択器により選択されている記録部に記録することを特徴とするデータ処理装置。 - 前記選択器は、前記データ処理装置の電源遮断時において、前記選択の状態を示す選択情報を不揮発的に保持して停止し、前記データ処理装置の電源起動時において、前記選択情報が示す状態で起動することを特徴とする請求項1に記載のデータ処理装置。
- 前記選択器は、前記選択情報を不揮発的に保持する手段として、ループ状に接続された複数の論理ゲートを用いてデータを保持するループ構造部と、強誘電体素子のヒステリシス特性を用いて前記ループ構造部に保持されたデータを不揮発的に記憶する不揮発性記憶部と、前記ループ構造部と前記不揮発性記憶部とを電気的に分離する回路分離部とを有して成る不揮発性ロジックを備えることを特徴とする請求項2に記載のデータ処理装置。
- 前記電子回路部は、前記データ処理装置の電源起動時において、前記選択器により選択されている記録部に記録されているデータを読み出して前記レジスタに記録する復帰処理を実施し、
前記選択器は、前記復帰処理が完了した時点で、前記第一記録部を選択することを特徴とする請求項3に記載のデータ処理装置。 - 前記電子回路部は、前記復帰処理が完了し、且つ前記選択器により前記第一記録部が選択された時点で、前記レジスタに記録されているデータを、前記選択器により選択されている記録部に記録することを特徴とする請求項4に記載のデータ処理装置。
- 前記電子回路部は、前記電源遮断時において、前記第一記録部のワークエリアに記録されているデータを退避データとして前記第二記録部に記録し、前記電源起動時において、前記第二記録部より前記退避データを読み出して前記第一記録部のワークエリアに記録することを特徴とする請求項5に記載のデータ処理装置。
- 前記第一記録部、前記第二記録部、及び前記電子回路部は、アドレスバスにより電気的に接続され、
前記選択器は、前記第一記録部及び前記第二記録部のアドレス情報を変更することにより、前記電子回路部によりアクセスされる記録部を選択することを特徴とする請求項6に記載のデータ処理装置。 - 前記第一記録部は、揮発性の記録媒体としてRAM(Random Access Memory)を有し、
前記第二記録部は、不揮発性の記録媒体としてFeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)を有することを特徴とする請求項7に記載のデータ処理装置。
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