JP2013190893A - マルチタスク処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マルチタスク処理装置1は、複数のタスクデータを切り替えて処理するシーケンサ10と、タスクデータを格納するメモリ20と、を有し、メモリ20は、タスクデータの切替時に揮発性メモリセル21とこれに関連付けられた複数の不揮発性メモリセル22との間でタスクデータの格納/読出を行う。
【選択図】図1
Description
図1は、マルチタスク処理装置の一構成例を示すブロック図である。本構成例のマルチタスク処理装置1は、シーケンサ10と、不揮発SRAM20と、液晶ディスプレイドライバ30と、液晶ディスプレイ40と、ヒューマンインタフェイスデバイス50と、バス60と、を有する。
(第1構成例)
図3は、不揮発SRAM20の第1構成例を示す回路図である。先に述べたように、不揮発SRAM20は、SRAM21とこれに関連付けられた複数のFeRAM22−1〜3をアレイ状に複数組有するものである。図3では、センスアンプSA1のビット線BL及び反転ビット線BLNに各々接続されるSRAM100及び200と、これらに各々関連付けられたFeRAM110〜130及び210〜230が代表的に描写されている。
図5は、不揮発SRAM20の第2構成例を示す回路図である。先に述べたように、不揮発SRAM20は、SRAM21とこれに関連付けられた複数のFeRAM22−1〜3をアレイ状に複数組有するものである。図5では、センスアンプSA1のビット線BL及び反転ビット線BLNに各々接続されるSRAM100及び200と、これらに各々関連付けられたFeRAM110〜130及び210〜230が代表的に描写されている。
図7は、不揮発SRAMを搭載したデスクトップパソコンの一構成例を示す外観図である。本構成例のデスクトップパソコンXは、本体ケースX10と、液晶モニタX20と、キーボードX30と、マウスX40と、を有する。
本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、上記実施形態のほか、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。例えば、揮発性メモリセルとこれに関連付けられる複数の不揮発性メモリセルについては、SRAMとFeRAMの組み合わせに限定されるものではなく、他方式のメモリセルを用いても構わない。また、1つの揮発性メモリセルに関連付けられる不揮発性メモリセルの数についても、3つに限定されるものではなく、2つであっても構わないし4つ以上であっても構わない。
10 シーケンサ
20 不揮発SRAM
21 SRAM
22 FeRAM
30 液晶ディスプレイドライバ
40 液晶ディスプレイ
50 ヒューマンインタフェイスデバイス
60 バス
SA1 センスアンプ
VL1 揮発性ブロック
NVL1 不揮発性ブロック
CELL1、CELL2 メモリセルブロック
100、200 SRAM
110〜130、210〜230 FeRAM
101、102、201、202 インバータ
103、104、203、204 トランジスタ
111、112、121、122、131、132 強誘電体キャパシタ
211、212、221、222、231、232 強誘電体キャパシタ
113、114、123、124、133、134 トランジスタ
213、214、223、224、233、234 トランジスタ
X デスクトップパソコン
X10 本体ケース
X11 中央演算処理装置
X12 メモリ
X13 光学ドライブ
X14 ハードディスクドライブ
X20 液晶モニタ
X30 キーボード
X40 マウス
Claims (10)
- 複数のタスクデータを切り替えて処理するシーケンサと、
前記タスクデータを格納するメモリと、
を有し、
前記メモリは、前記タスクデータの切替時に揮発性メモリセルとこれに関連付けられた複数の不揮発性メモリセルとの間で前記タスクデータの格納/読出を行うことを特徴とするマルチタスク処理装置。 - 前記メモリは、前記揮発性メモリセルと前記複数の不揮発性メモリセルを複数組備えていることを特徴とする請求項1に記載のマルチタスク処理装置。
- 前記メモリは、電源投入後に前記揮発性メモリセルを電源遮断前の状態に復帰させることを特徴とする請求項2に記載のマルチタスク処理装置。
- 前記揮発性メモリセルはSRAM[static random access memory]であり、前記不揮発性メモリセルはFeRAM[ferroelectric RAM]であることを特徴とする請求項3に記載のマルチタスク処理装置。
- 前記SRAMは、
ループ状に接続された第1及び第2インバータと、
前記第1及び第2インバータとビット線との間に接続された第1スイッチと、
前記第1及び第2インバータと反転ビット線との間に接続された第2スイッチと、
を含むことを特徴とする請求項4に記載のマルチタスク処理装置。 - 前記FeRAMは、
共通のプレート線に接続された第1及び第2強誘電体キャパシタと、
前記第1強誘電体キャパシタと前記ビット線との間に接続された第3スイッチと、
前記第2強誘電体キャパシタと前記反転ビット線との間に接続された第4スイッチと、
を含むことを特徴とする請求項5に記載のマルチタスク処理装置。 - 前記SRAMは揮発性ブロックに集約されており、前記FeRAMは不揮発性ブロックに集約されていることを特徴とする請求項6に記載のマルチタスク処理装置。
- 前記FeRAMは、
共通のプレート線に接続された第1及び第2強誘電体キャパシタと、
前記第1強誘電体キャパシタと前記第1及び第2インバータとの間に接続された第3スイッチと、
前記第2強誘電体キャパシタと前記第1及び第2インバータとの間に接続された第4スイッチと、
を含むことを特徴とする請求項5に記載のマルチタスク処理装置。 - 互いに関連付けられた前記SRAMと前記FeRAMは、1つのメモリセルブロックに集約されていることを特徴とする請求項8に記載のマルチタスク処理装置。
- 前記シーケンサは、中央演算処理装置であることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれか一項に記載のマルチタスク処理装置。
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