JPH01263708A - 電子記憶処理装置 - Google Patents
電子記憶処理装置Info
- Publication number
- JPH01263708A JPH01263708A JP63092109A JP9210988A JPH01263708A JP H01263708 A JPH01263708 A JP H01263708A JP 63092109 A JP63092109 A JP 63092109A JP 9210988 A JP9210988 A JP 9210988A JP H01263708 A JPH01263708 A JP H01263708A
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- Japan
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- battery
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- processing device
- memory
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Power Sources (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野−〉
本発明は電池交換時等の記憶情報保持回路に関するもの
で、さらに詳しく言えば、処理装置暴走時にも記憶情報
を確実に保持出来しかも常に処理装置から制御信号を確
実に記憶装置に伝える事が出来る電子記憶処理装置に関
するものである。
で、さらに詳しく言えば、処理装置暴走時にも記憶情報
を確実に保持出来しかも常に処理装置から制御信号を確
実に記憶装置に伝える事が出来る電子記憶処理装置に関
するものである。
〈従来の技術〉
従来、記憶装置を有する処理装置は処理装置駆
゛動用の電池を交換時記憶装置の記憶情報を保持しでお
く為にバックアップ用として前記電池とは別に電池を設
けている。しかしながら前記処理装置駆動用の電池交換
後処理装置は不安定な状態にあり時には記憶装置の重要
な記憶情報を消去又は、書き替えを行う等の暴走を行う
ことがある。これに対処する為に従来処理装置からの記
憶装置への書き込み信号ライン間直列にスライドスイッ
チ等のゲートを設は電池交換前に該スライドスイッチを
ＯＦＦとし処理装置からの書き込み信号を阻止しでおき
その代わりに前記バックアップ用電池から抵抗を通して
記憶装置に読み出しレベルの電圧をかけ書き込み禁止状
態とする事により処理装置が暴走し書き込み信号が発生
しても記憶装置の記憶情報は保持され、さらにリセット
信号を処理装置に与える事により処理装置を正常に戻す
ことができるように考慮されている。
゛動用の電池を交換時記憶装置の記憶情報を保持しでお
く為にバックアップ用として前記電池とは別に電池を設
けている。しかしながら前記処理装置駆動用の電池交換
後処理装置は不安定な状態にあり時には記憶装置の重要
な記憶情報を消去又は、書き替えを行う等の暴走を行う
ことがある。これに対処する為に従来処理装置からの記
憶装置への書き込み信号ライン間直列にスライドスイッ
チ等のゲートを設は電池交換前に該スライドスイッチを
ＯＦＦとし処理装置からの書き込み信号を阻止しでおき
その代わりに前記バックアップ用電池から抵抗を通して
記憶装置に読み出しレベルの電圧をかけ書き込み禁止状
態とする事により処理装置が暴走し書き込み信号が発生
しても記憶装置の記憶情報は保持され、さらにリセット
信号を処理装置に与える事により処理装置を正常に戻す
ことができるように考慮されている。
第２図を参照して今少し詳細に従来技術を説明すると、
１は読み出し書き込み自在の記憶装置２に書き込み信号
等の制御信号により各種制御処理を行う処理装置、３は
処理装置１及び記憶装置２を駆動させる為のメイン電池
、４はメイン電池３の交換時記憶装置２の記憶情報を保
持する為のサブ電池、５は、逆電流防止用のダイオード
でメイン電池では処理装置ｌと記憶装置２の駆動が行え
、サブ電池では記憶装置２のみの駆動を行うように配置
されている。６は、処理装置１の読み出し／書き込み（
以下Ｒ／Ｗにて記載）端子と記憶装置２のＲ／Ｗ端子を
つなぐ配線回路に直列に設けられたスライドスイッチ、
該スライドスイッチ６から記憶装置２のＲ／Ｗ’端子側
に接続された配線回路には、プルアップ抵抗７が接続さ
れてお！ｌｌ記憶装置２のＲ／Ｗ端子がＨｌインピーダ
ンスとなったときにサブ電池４からの読み出しレベルで
ある電圧がかかるようになっている。
等の制御信号により各種制御処理を行う処理装置、３は
処理装置１及び記憶装置２を駆動させる為のメイン電池
、４はメイン電池３の交換時記憶装置２の記憶情報を保
持する為のサブ電池、５は、逆電流防止用のダイオード
でメイン電池では処理装置ｌと記憶装置２の駆動が行え
、サブ電池では記憶装置２のみの駆動を行うように配置
されている。６は、処理装置１の読み出し／書き込み（
以下Ｒ／Ｗにて記載）端子と記憶装置２のＲ／Ｗ端子を
つなぐ配線回路に直列に設けられたスライドスイッチ、
該スライドスイッチ６から記憶装置２のＲ／Ｗ’端子側
に接続された配線回路には、プルアップ抵抗７が接続さ
れてお！ｌｌ記憶装置２のＲ／Ｗ端子がＨｌインピーダ
ンスとなったときにサブ電池４からの読み出しレベルで
ある電圧がかかるようになっている。
□ 次にメイン電池交換時の動作について説明するま
ず、メイン電池３を取り出す前にスライドスイッチ６を
ＯＦＦにする。すると記憶装置２のＲ／Ｗ端子にはプル
アップ抵抗７によりサブ電池４の電圧とほぼ同じ電圧が
かかり記憶装置２は記憶情報読み出し状態に保持される
。この状態にてメイン電池を取り外しメイン電池の交換
を行う。メイン電池が外されても記憶装置２の記憶情報
はサブ電池により保持され、しかもダイオード５の働き
によシサブ電池電流は処理装置１には流れず記憶装置２
のみに働く為サブ電池としてコンデンサー等を代用した
としても長時間の保持を可能とする事が出来る。メイン
電池交換後は、処理装置１が不安定である為図示してい
ないリセット手段にて処理装置１を一度リセットする事
により処理装置１は安定した働きを行う。そして最後に
スライドスイッチ６をＯＮとし処理装置１のＲ／Ｗ端子
と記憶装置２のＲ／Ｗ端子を接続させる事によりメイン
電池の交換を終了する。
ず、メイン電池３を取り出す前にスライドスイッチ６を
ＯＦＦにする。すると記憶装置２のＲ／Ｗ端子にはプル
アップ抵抗７によりサブ電池４の電圧とほぼ同じ電圧が
かかり記憶装置２は記憶情報読み出し状態に保持される
。この状態にてメイン電池を取り外しメイン電池の交換
を行う。メイン電池が外されても記憶装置２の記憶情報
はサブ電池により保持され、しかもダイオード５の働き
によシサブ電池電流は処理装置１には流れず記憶装置２
のみに働く為サブ電池としてコンデンサー等を代用した
としても長時間の保持を可能とする事が出来る。メイン
電池交換後は、処理装置１が不安定である為図示してい
ないリセット手段にて処理装置１を一度リセットする事
により処理装置１は安定した働きを行う。そして最後に
スライドスイッチ６をＯＮとし処理装置１のＲ／Ｗ端子
と記憶装置２のＲ／Ｗ端子を接続させる事によりメイン
電池の交換を終了する。
〈発明が解決しようとする問題点〉
この従来の方式では通常処理状態にて処理装置 瓢ｌの
Ｒ／Ｗ端子と記憶装置２のＲ／Ｗをスライドスイッチ６
の接点を通して接続している為信号の伝達はスライドス
イッチ６の信頼性に左右されてしまう。
Ｒ／Ｗ端子と記憶装置２のＲ／Ｗをスライドスイッチ６
の接点を通して接続している為信号の伝達はスライドス
イッチ６の信頼性に左右されてしまう。
く問題を解決するための手段〉
本発明の電子記憶装置は各種処理を実行する処理手段と
、該処理手段により情報を読み出し書き込み自在の記憶
手段と前記処理装置に電力を供給する第１の電源および
該第１の電源の電力供給が停止した時前記記憶手段の記
憶情報を保持し前記記憶手段の読み出し電位を発生する
第２の電源の少なくとも２つの電源を有する電源手段と
、前記処理手段と前記記憶手段の制御端子間を接点を通
さずに接続する配線手段と、ＯＮ／ＯＦＦを保持する事
の出来るスイッチ手段を設け、該スイッチの一方の端子
は前記配線手段に接続し他方の端子を前記電源手段の第
２の電源よりの読み出し電位に接続する事を特徴とする
。
、該処理手段により情報を読み出し書き込み自在の記憶
手段と前記処理装置に電力を供給する第１の電源および
該第１の電源の電力供給が停止した時前記記憶手段の記
憶情報を保持し前記記憶手段の読み出し電位を発生する
第２の電源の少なくとも２つの電源を有する電源手段と
、前記処理手段と前記記憶手段の制御端子間を接点を通
さずに接続する配線手段と、ＯＮ／ＯＦＦを保持する事
の出来るスイッチ手段を設け、該スイッチの一方の端子
は前記配線手段に接続し他方の端子を前記電源手段の第
２の電源よりの読み出し電位に接続する事を特徴とする
。
く作用〉
記憶装置のり一ド／ライト信号ラインを切替える切替え
スイッチにてリード側に固定し、スイッチ接点を浮かせ
た状態にして書込みを防止する。
スイッチにてリード側に固定し、スイッチ接点を浮かせ
た状態にして書込みを防止する。
〈実施例〉
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
第１図は本発明のブロック図を示している。
第１図図面に於ｒて、先に示した従来技術である第２図
と同様の働きをしているものについては同番号を付して
説明を省略する。
と同様の働きをしているものについては同番号を付して
説明を省略する。
第１図において８は、スライドスイッチであり電池交換
時にＯＮとすることによりサブ電池４とほぼ同じ電圧が
強制的に記憶装置２のＲ／Ｗ端子に引加され記憶装置２
は読み出し状態となる。
時にＯＮとすることによりサブ電池４とほぼ同じ電圧が
強制的に記憶装置２のＲ／Ｗ端子に引加され記憶装置２
は読み出し状態となる。
次にメイン電池交換時の動作につめて説明するまず、メ
イン電池３を取り出す前にスライドスイッチ８をＯＮに
する。すると記憶装置２のＲ／ Ｗ端子にはスライドス
イッチによりサブ電池４の電圧とほぼ同じ電圧がかがシ
記憶装置２は強制的に記憶情報読み出し状態に保持され
る。この状態にてメイン電池を取り外しメイン電池の交
換を行う。
イン電池３を取り出す前にスライドスイッチ８をＯＮに
する。すると記憶装置２のＲ／ Ｗ端子にはスライドス
イッチによりサブ電池４の電圧とほぼ同じ電圧がかがシ
記憶装置２は強制的に記憶情報読み出し状態に保持され
る。この状態にてメイン電池を取り外しメイン電池の交
換を行う。
メイン電池が外されても記憶装置２の記憶情報はサブ電
池により保持され、しかもダイオード５の働きによりサ
ブ電池電流は処理装置１には流れず記憶装置２のみに働
く為サブ電池としてコンデンサー等を代用したとしても
長時間の保持を可能とする事が出来る。メイン電池交換
後は、処理装置１が不安定である為Ｒ／Ｗ端子より書き
込み信号が発生される可能性があるがスライドスイッチ
８により強制的に書き込み禁止状態となっている為記憶
装置２の記憶情報は保持される。この時サブ電池４から
の大電流がｉの経路を回りこみ処理装置１に流れる可能
性が有るがこれを防ぐためにはたとえばＡの位置に小抵
抗を直列に挿入する事によりこの問題も解決することが
出来る。処理装置１の状態を安定させる。には図示して
いないリセット手段にて処理装置１を一度リセットする
事により処理装置１は安定した働きを行うことが出来る
。
池により保持され、しかもダイオード５の働きによりサ
ブ電池電流は処理装置１には流れず記憶装置２のみに働
く為サブ電池としてコンデンサー等を代用したとしても
長時間の保持を可能とする事が出来る。メイン電池交換
後は、処理装置１が不安定である為Ｒ／Ｗ端子より書き
込み信号が発生される可能性があるがスライドスイッチ
８により強制的に書き込み禁止状態となっている為記憶
装置２の記憶情報は保持される。この時サブ電池４から
の大電流がｉの経路を回りこみ処理装置１に流れる可能
性が有るがこれを防ぐためにはたとえばＡの位置に小抵
抗を直列に挿入する事によりこの問題も解決することが
出来る。処理装置１の状態を安定させる。には図示して
いないリセット手段にて処理装置１を一度リセットする
事により処理装置１は安定した働きを行うことが出来る
。
そして最後にスライドスイッチ８をＯＦＦとし書き込み
禁止を解除する事によシメイン電池の交換を終了する。
禁止を解除する事によシメイン電池の交換を終了する。
く効果ン
以上のように本発明によれば、メイン電池交換時にも記
憶装置の記憶情報を確実に保持することが出来、しかも
処理実行中に制御信号がスイッチ等の接点を通さずに伝
わるため信頼性の高い処理装置を提供することが出来る
。
憶装置の記憶情報を確実に保持することが出来、しかも
処理実行中に制御信号がスイッチ等の接点を通さずに伝
わるため信頼性の高い処理装置を提供することが出来る
。
第１図は本発明に係る電子記憶処理装置のブロック図、
第２図は従来技術を示したブロック図である。 １：処理装置 ２：記憶装置 ３：メイン電池４：サブ
電池 ５：ダイオード ６，８ニスライドスイツチ ７
：プルアノプ抵抗
第２図は従来技術を示したブロック図である。 １：処理装置 ２：記憶装置 ３：メイン電池４：サブ
電池 ５：ダイオード ６，８ニスライドスイツチ ７
：プルアノプ抵抗
Claims (1)
- １、各種処理を実行する処理手段と、該処理手段により
情報を読み出し書き込み自在の記憶手段と、前記処理装
置に電力を供給する第１の電源および該第１の電源の電
力供給が停止した時前記記憶手段の記憶情報を保持し前
記記憶手段の読み出し電位を発生する第２の電源の少な
くとも２つの電源を有する電源手段と、前記処理手段と
前記記憶手段の制御端子間を接点を通さずに接続する配
線手段と、ＯＮ／ＯＦＦを保持する事の出来るスイッチ
手段とを設け、該スイッチの一方の端子は前記配線手段
に接続し他方の端子を前記電源手段の第２の電源よりの
読み出し電位に接続した事を特徴とする電子記憶処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63092109A JPH0690661B2 (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 電子記憶処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63092109A JPH0690661B2 (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 電子記憶処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01263708A true JPH01263708A (ja) | 1989-10-20 |
| JPH0690661B2 JPH0690661B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=14045264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63092109A Expired - Lifetime JPH0690661B2 (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 電子記憶処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690661B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04109547A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-10 | Sharp Corp | メモリデータ保護装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5752800U (ja) * | 1980-09-10 | 1982-03-26 | ||
| JPS6091431A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-22 | Sharp Corp | メモリセルの補助電源動作チエツク回路 |
-
1988
- 1988-04-14 JP JP63092109A patent/JPH0690661B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5752800U (ja) * | 1980-09-10 | 1982-03-26 | ||
| JPS6091431A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-22 | Sharp Corp | メモリセルの補助電源動作チエツク回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04109547A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-10 | Sharp Corp | メモリデータ保護装置 |
| US5375246A (en) * | 1990-08-30 | 1994-12-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Back-up power supply apparatus for protection of stored data |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0690661B2 (ja) | 1994-11-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114 Year of fee payment: 14 |