JPH06505225A - 無圧焼結法または低圧気体焼結法により製造した高密度の自己強化性窒化ケイ素セラミック - Google Patents

無圧焼結法または低圧気体焼結法により製造した高密度の自己強化性窒化ケイ素セラミック

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 無圧焼結法または低圧気体焼結法により製造した高密度の自己強化性窒化ケイ素 セラミック本発明は、窒化ケイ素(Si3N4)セラミック物体およびそのセラ ミック物体の製造方法に関するものである。
窒化ケイ素セラミックは、良好な耐摩耗性、低い熱膨張係数、良好な耐熱衝撃性 、高い耐クリープ性および耐性電気抵抗を含むその優れた機械的性質および物理 的性質に関して認知されている。加えて、窒化ケイ素セラミックは化学的攻撃に 対して、特に酸化に対して抵抗性を有する。
これらの属性のために、窒化ケイ素は種々の摩耗および高温の伴う応用面、たと えば切削工具、ならびにポンプおよびエンジンの部品に有用である。
典型的には、窒化ケイ素の高密度化には高密度化助剤、たとえばMg0SYt、 Os、Altos、CeO*、Sin、またはzro、の存在が必qである。通 常は窒化ケイ素と上記の高密度化助剤の1種または2種以上とよりなる粉末混合 物を製造し、以下に記述する条件下で加熱する。高密度化助剤が液相を形成し、 窒化ケイ素がこれに溶解する。その後、溶解した窒化ケイ素が合体して高密度化 された窒化ケイ素物体を形成する。
典型的には、上記の粉末混合物の高密度化は以下の4種の一般的な方法:熱プレ ス成形(HP)、熱等圧プレス成形(HrP) 、無圧焼結または低圧気体焼結 の一つにより実施する。熱ブレス成形は、高密度化を引き起こすのに十分な高温 における、熱と機械的圧力との粉末混合物への同時適用を包含する。典型的な熱 プレス成形条件には、窒素雰囲気、1650℃ないし1900℃の範囲内の温度 、および2000psigないし5.000ps ig (13,8MPaない し34.5MP a)の範囲内の圧力が含まれる。この圧力は、通常は一層ラム プレスの手段により粉末混合物に適用する。
熱等圧プレス成形においては、上記の粉末混合物を非透過性の変形可能な容器に 入れ、これに熱と圧力とを適用する。この方法においては、10.000psi gないし30,000psig (68,9MPaないし206.8MP a) の範囲内の圧力を、通常は圧縮気体の手段により、粉末成形体の全ての表面に一 様に適用する。この方法の温度は典型的には1800℃ないし2100℃の範囲 である。
無圧焼結は一般に、予備プレス成形した粉末成形体を成形体用の容器を使用する ことなく、また成形体に外部から高圧を適用することなく、熱的に高密度化する 工程を包含している。したがって、上記の粉末混合物を所望の近似最終形状に予 備成形し、ついで、大気圧の不活性気体、たとえば窒素の気流下で、典型的には 1650℃ないし1000℃の範囲内の高温に加熱する。低圧気体焼結は、不活 性気体の約150ps ig (1,0MP a)以内の低い過剰圧を適用する ことを除いて、無圧焼結と同様である。
窒化ケイ素単独の高密度化は通常は高圧の不存在では完了にまで至らない。たと えば、窒化ケイ素セラミック物体の密度はその理論値の80ないし90パーセン トに達するのみであり得る。優れた機械的性質および物理的性質、たとえば高い 破断強度および破断強靭性を有するセラミックを得るためには、98パーセント またはそれ以上の密度が必要である。加えて、高温および低圧においては窒化ケ イ素は単体ケイ素と窒素とに分解する。したがって、優れた破断強度と破断強靭 性とを有する完全に高密度化された窒化ケイ素セラミックに対する市場の要求は 、現在では主として、高密度化助剤を用いる窒素ケイ素の熱ブレス成形または熱 等圧プレス成形により満たされている。
しかし、不利なことには、熱プレス成形法および熱等圧成形法は複雑な高圧装置 を必要とする。その上、簡単な形状を有するセラミック物体のみが製造可能であ る。形状は、その後に、より複雑な最終形状にダイヤモンド研磨しなければなら ない。
本発明の一つの態様は、無圧焼結または低圧気体焼結による高密度の自己強化性 窒化ケイ素セラミック物体の製造方法である。本件方法は=(a) セラミック 物体を与えるのに十分な量の窒化ケイ素;(b) 粉末の高密度化を促進するの に十分な量の酸化マグネシウム; (c) 出発窒化ケイ素のβ−窒化ケイ素への実質的に完全な転化を促進するの に十分な量の酸化イツトリウム;(d) 触媒量の酸化ジルコニウム;および( e) β−窒化ケイ素髭結晶(whiskers)の生成を促進するのに十分な 量の、カルシウム、タンタル、ガリウム、ハフニウムまたはインジウムから選択 した元素の酸化物である髭結晶成長強調性化合物; よりなる粉末混合物を大気圧(1気圧)ないし100気圧の範囲の圧力に、また 理論値の少なくとも98パーセントの値にまで高密度化するのに十分な温度の条 件に置くことよりなるものである。加えて、この温度および圧力の条件は、高い 平均縦横比を有するβ−窒化ケイ素髭結晶の工程内生成を与えるのに十分なもの である。本発明の目的には、”高い”平均縦横比は少なくとも2.5のへいきん 縦横比を意味する。この手法で、37kg/mmを超えるパルムクピスト強靭性 を有する高密度の、自己強化性窒化ケイ素セラミック物体が得られる。
有利なことには、本発明記載の方法は無圧焼結または低圧焼結により、はとんど 完全に高密度化された、または完全に高密度化された窒化ケイ素セラミック物体 を与える。 ”はとんど完全に高密度化された”は焼結した物体の密度が理論値 の少なくとも98パーセントであることを意味する。“完全に高密度化された” は焼結した物体の密度が理論値の少なくとも99.5パーセントであることを意 味する。本発明記載の無圧法は高圧装置の必要を減少させ、ダイヤモンド研磨の 必要を消滅させ、さらに、多くの複雑な近似最終形状を容易に与える。
本発明の第2の態様は、理論値の少なくとも98パーセントの密度と37 k  g/mmを超えるパルムクピスト強靭性とを有する窒化ケイ素セラミック物体で ある。この窒化ケイ素は:(a) iI化ケイ素セラミック物体の一つの面を走 査電子顕微鏡で観測して測定して、その少なくとも20体積パーセントが少なく とも2.5の平均 縦横比を有する髭結晶の形状である β−窒化ケイ素の結晶 相;Cb’) 全物体重量の2重量パーセントないし10ffi量パーセントの 範囲の量の、酸化マグネシウム、酸化イツトリウム、シリカ、およびジルコニア と酸化カルシウム、酸化ガリラム、酸化ハフニウムまたは酸化インジウムから選 択した1橿の酸化物とよりなるガラス様の粒子境界相;(c) 全物体重量の0 .2重量パーセントないし3.0ffi量パーセントの範囲の量のジルコニアよ りなる第2の結晶性相;および、 (d) 全物体重量の0.1重量パーセントないし3.0重量パーセントの範囲 の量の、その金属がタンタル、カルシウム、ガリウム、ハフニウムまたはインジ ウムから選択したものであり、その金属がカルシウム、ガリウム、ハフニウムま たはインジウムである場合には同一の金属が上記のガラス様の相(b)にも酸化 物として現れる、ケイ化ジルコニウム金属および/または窒化ケイ素ジルコニウ ム金属よりなる、少なくとも1種の結晶性相よりなるものである。
第3の態様においては、本発明は上に定義した窒化ケイ素セラミ・ツク物体より なる切削工具である。
本発明記載の窒化ケイ素セラミック物体は、通常の単一結晶性の窒化ケイ素セラ ミックより有意に寓い破断強靭性を示す。本発明記載の窒化ケイ素セラミックの 破断強靭性を密度に関して標準化すれば、標準化した破断強靭性と破断強度とは 、全てのセラミック材料に関して知られているものの中で最高の値である。
本発明記載のセラミック物体の製造に使用する窒化ケイ素出発材料には、結晶形 状のα−窒化ケイ素およびβ−窒化ケイ素、もしくは非結晶性の無定形窒化ケイ 素、またはこれらの混合物を含むいかなる窒化ケイ素粉末も可能であるが、好ま しくは、この窒化ケイ素粉末は主とし【α結晶形状もしくは無定形の形状のもの 、またはこわらの混合物である。
より好まjパは、この窒化う゛イ素は主としてα結晶形状のものである。
また、好ましい出発粉末が高いα/β重量比を有することも有利である。。
本件出発粉末が含有するβ−窒化ケイ素は好ましくは20重量パーセントを超え ない。このβ−窒化ケイ素の含有量は好ましくは〕0重量パーセントを超えず、 より好ましくは6重量パーセントを超えない。
一般には出発窒化ケイ素粉末の純度が高ければ最終製品のセラミック物体の性質 も良好になるが、窒化ケイ素粉末は供靴源に応じて非金属性の不純物を含有する ことがあり得る。ある種の不純物は粉末中に許容し得るが、これらは可能な限り 最小限に抑制するのが好ましい。たとえば、焼結中に炭素ケイ素を形成し易い炭 素は少量ならば許容し得る。ンリカ(SiOz)の形状である程度存在する酸素 は、通常は窒化ケイ素粒子の表面上の被覆物質として見いだされる。シリカの量 は、出発窒化ケイ素粉末の純度とその製造方法とに応じて変化する。その量は、 典型的には、粉末混合物の全重量を基準にして1.0ないし5.0重量パーセン トの範囲である。この量は好ましくは3.0重量パーセントないし4,0重量パ ーセントの範囲である。
本件窒化ケイ素出発粉末は、無圧焼結または低圧焼結により本発明記載の高密度 の、自己強化性のセラミック物体が得られるならば、いかなるサイズまたは表面 積のものであってもよい。U、S、 −A4,883゜776のカラム4.33 −50行に特定されているサイズが満足すべき結果を与える。
本件窒化ケイ素は、粉末混合物の全重量を基準にして90ないし98重量パーセ ントの範囲内の量で好適に存在する。この範囲は望ましくは、低圧気体焼結法に 関しては90ないし98重量パーセントであり、無圧焼結法に関しては92ない し97重量パーセントである。この範囲は好ましくは、低圧気体焼結法に関して は92ないし97重量パーセントであり、無圧焼結法に関しては93ないし96 重量パーセントである。
原料窒化ケイ素粉末は、高密度化助剤の不存在においては高密度に高密度化する ことができない。したがって、工程中に窒化ケイ素の高密度化を促進するために は、高密度化助剤を窒化ケイ素出発粉末に混合しなければならない。高密度化助 剤は、好適には酸化マグネシウムである。
マグネシウム含有ガラスは、1300℃ないし1500℃の温度において液相を 形成し、α−窒化ケイ素がこれに溶解する。α−窒化ケイ素の質量移動速度は、 通常は、マグネシウムベースの液相中においては極めて迅速である。
無圧焼結または低圧気体焼結により本発明記載の高密度の、自己強化性の窒化ケ イ素セラミック物体を製造する、いかなる量の酸化マグネシウムも許容すること ができる。この量は好適には、粉末混合物の全重量を基準にして0.5ないし3 .0重量パーセントの範囲内である。この範囲は望ましくは0.7ないし2.5 重量パーセント、好ましくは0.9ないし2.0重量パーセントである。
本発明記載の高密度の、自己強化性の窒化ケイ素セラミック物体を与える粉末混 合物は、高密度化助剤に加えて転化助剤をも含有しなければならない。この転化 助剤は好適には酸化イツトリウムである。転化助剤は、その中を通ずる物質移動 が一般には高密度化助剤中よりもかなり遅い、ガラス様の粒子境界相を形成する 。したがって、加熱に際してα−窒化ケイ素は転化助剤に溶解するが、容易には 高密度化されない。しかし、有利なことには、上記の転化助剤はβ−窒化ケイ素 へのα−窒化ケイ素の迅速な、実質的に完全な転化を促進する。延長された単結 晶の髭結晶または粒子の形状のβ−窒化ケイ素が本発明記載の窒化ケイ素セラミ ック物体の高い破断強靭性と高い破断強度とに寄与するので、この転化が最も望 ましい。窒化ケイ素髭結晶、単結晶の髭結晶および単結晶の窒化ケイ素髭結晶と いう以下の全ての表現は同義語であることが意図され、互換的に使用されるであ ろう。
その量が出発窒化ケイ素のβ−窒化ケイ素への実質的に完全な転化を引き起こす のに十分なものであり、かつ、無圧焼結または低圧気体焼結により本発明記載の 高密度の、自己強化性の窒化ケイ素セラミック物体を製造するのに十分なもので あるならば、いかなる量の酸化イツトリウムも出発粉末中に使用することができ る。この量は、望ましくは、粉末混合物の全重量を基準にして1.0重量パーセ ントないし6.0重量パーセントの範囲内である。この範囲は、好ましくは2重 量パーセントないし4重量パーセントである。
驚くべきことには、髭結晶成長強調性化合物も粉末混合物中に存在することを前 提として、転化助剤(YzOs)対高密度化助剤(MgO)の重量比が(a)セ ラミック物体の密度および(b)セラミック物体の破断強靭性に影響を与えるこ とが見いだされた。(a)達成された密度が理論値の少なくとも98パーセント であり、(b)破断強靭性が未強化の、単一結晶の窒化ケイ素に対して5MP、 a (Hl) I/1の破断強靭性値を超える改良を示すならば、転化助剤対高 密度化助剤のいかなる重量比\ 。
も許容することかで名乙が、典型的には、イツトリア対マグネシアの重量比は好 適には5:1ないし1:2である。この重量比は、好ましくは4:工ないし1: 1の範囲内である。髭結晶成長強調性の化合物の不存在においては、転化助剤/ 高密度化助剤の重量比は破断強靭性に対して有意の効果を持たない。
本件粉末混合物はまた、数種の機能を果たす成分である酸化ジルコニウムをも含 有しなければならない。第1に、酸化ジルコニウムは、延長されたβ−窒化ケイ 素髭結晶の形成を触媒する。この意味では、この化合物は第4の成分、髭結晶成 長強調性化合物と同様に作用する。第2に、酸化ジルコニウムは高密度化助剤と して作用する。第3に、酸化ジルコニウムの添加は十分な密度を達成し得る本発 明の組成範囲を拡大する。
第4に、酸化ジルコニウムは金属性の不純物のゲッターとして作用し、ガラス様 の相を清浄化する。たとえば、鉄およびクロミウムはジルコニアと反応して複合 構造体を形成し、これが結晶相として分離する。ジルコニアの不存在においては 金属性の不純物はガラス様の相に留まり、セラミックの融点と破断強度とを低下 させる。この種の複数の機能が酸化ジルコニウム成分により達成されるために、 ジルコニアは本発明の目的に関しては“触媒”と呼ばれる。
上記の機能を達成し、無圧焼結または低圧気体焼結により本発明記載の高密度の 、自己強化性の窒化ケイ素セラミック組成物の形成を促進するのに十分であるな らば、酸化ジルコニウムのいかなる触媒量も許容さしくは0.5重量パーセント ないし1.0重量パーセントである。
U、S、−A4.891..342は、窒素雰囲気中での焼結の際にジルコニア が窒化ジルコニウムに転化することを示唆している。窒化ケイ素セラミック中に おける窒化ジルコニウムの存在は、その高温物性を不利益に低下させる。この低 下は、酸化雰囲気中での窒化ジルコニウムの酸化ジルコニウムへの逆転化に関連 するものである。この逆転化は、セラミックの体積の約30パーセントの増加を 伴う。したがって、窒化ジルコニウムを含有する焼結物体は容易にひび割れする 。
予期しなかったことであるが、本発明記載の方法においては、酸化ジルコニウム がマグネシア、イツトリア、シリカおよび髭結晶成長強調性化合物から形成され たガラスにより安定化されることがここに見いだされた。したがりて、望ましく ない窒化ジルコニウムは本発明記載の焼結工程中には実質的に形成されないので ある。結果的に、本発明記載の組成物は優れた物理的性質、特に破断強度および 破断強靭性を保有する。
酸化マグネシウムおよびジルコニアは、本発明記載の高密度の自己強化性窒化ケ イ素組成物を製造する酸化マグネシウム対ジルコニア重量比を与えるのに十分な 量存在する。この重量比は、好適には15:1ないし1:10の、望ましくは1 0:1ないしに1の、好ましくは5:1ないし1:1の範囲である。
本件粉末混合物の第4の成分は髭結晶強調性化合物である。この化合物は、セラ ミック物体に優れた破断強靭性と破断強度とを与える助けとなる。β−窒化ケイ 素髭結晶の形成を促進し、無圧焼結または低圧気体焼結により本発明記載の高密 度の自己強化性窒化ケイ素セラミック物体を製造するならば、出発粉末中のいか なる量の髭結晶成長強調性化合物も許容し得る。この量は、好適には粉末混合物 の全重量を基準にして0.01重量パーセントないし3.0重量パーセントの範 囲内である。この範囲は、望ましくは0.1重量パーセントないし1.0重量パ ーセント、好ましくは0,15重量パーセントないし0.5重量パーセントであ る。
U、S、、−A4,883.776は、カルシウム、特に酸化カルシウムが、窒 化ケイ素粉末組成物を最終セラミック物体に熱プレス成形する場合に、髭結晶成 長強調性化合物としての利点を与えることを示唆している。酸化カルシウムはま た、本発明記載の無圧焼結法または低圧気体焼結法に有利に使用される。酸化カ ルシウムを0.01重量パーセントないし3、Of重量パーセント範囲の量塗布 した窒化ケイ素粉末から所望の結果が得られる。市販の窒化ケイ素粉末は110 0ppまたはそれ以下の酸化カルシウムを含有するのみであると考えられる。
カルシウム以外の元素もβ−窒化ケイ素髭結晶の成長を促進し、無圧焼結または 低圧気体焼結により、約37 k g/mm以上の破断強靭性(パルムクピスト )を有する窒化ケイ素セラミック物体を与える。これも0.01重量パーセント ないし3.0重量パーセントの範囲の量の酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化 ガリウムまたは酸化リチウムを用いても、満足すべき結果が得られる。
上記の髭結晶成長強調性化合物、ならびにマグネシウム、イツトリウムおよびジ ルコニウムの酸化物は、望ましくは純粋な、サイズの十分に小さい粉末の形状の ものである。髭結晶成長強調性化合物、高密度化助剤および転化助剤としての使 用のために規定されている市販の材料、特に酸化物の粉末は一般に、それぞれ2 0ppm未満の雑多な不純物を含有している。これらの不純物のレベルは許容し 得るものである。0.5重量パーセントまたはそれ以上の不純物レベルは、最終 セラミック組成物の組成と諸性質との変化の原因となり得るので推奨できない。
小さな粉末粒子は大きな粉末粒子より容易に分散する。ここで使用する酸化物の 粉末は、望ましくは直径5μmを超えない平均粒子サイズを有するものである。
本発明記載の方法においては、出発物質の窒化ケイ素粉末を高密度化助剤、転化 助剤、酸化ジルコニウム触媒および髭結晶成長強調性化合物の組合わせと混合し て、本発明記載の高密度の、強靭な窒化ケイ素セラミック物体の製造に使用する 粉末混合物を得る。通常は、酸化マグネシウム、酸化イツトリウム、酸化ジルコ ニウム、髭結晶成長強調性化合物の合計量は粉末混合物の合計量重量の10重量 パーセントを超えないが、この合計量は、粉末混合物から製造される焼結セラミ ックに関する予想される最終使用の応用面に応じて異なるであろう。この合計量 は好ましくは3重量パーセントないし7重量パーセントの範囲である。
窒化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化イツトリウム、酸化ジルコニウムおよび髭 結晶成長強調性の化合物を含有する粉末混合物は、通常の方法により好適に製造 される。粉末形状の各成分のボールミル加工が許容し得る方法の一つである。こ れに替えて、粉末ジルコニアを粉末混合物に添加することを要せず、他の粉末成 分の磨砕機混合中におけるジルコニア球体の使用からジルコニアを得ることもで きる。
本件粉末混合物を製造する好ましい方法は、ジルコニア球体を有する磨砕混合機 を使用して、粉末混合物の各成分の担体媒体中の微細に分割された懸濁液を製造 し、この懸濁液と摩砕機球体との混合物を、有利には濾過または他の方法により 過剰の担体媒体を除去したのちに乾燥し、その後、摩砕機球体を分離して粉末混 合物を得ることよりなるものである。
微細に分割された懸濁液の製造には、各成分の添加の特定の験序は必要ではない 。たとえば窒化ケイ素以外の粉末成分は。、別個にでも同時にでも窒化ケイ素の 担体媒体中の:]0イド状懸濁液に添加することができ、順序を逆にしてもよい 。これに替えて、磨砕機ミル加工に先立ゲC1粉末混合物の全ての成分を同時に 担体媒体に添加することもできる。特に有機の担体媒体を使用する場合には後者 の方法が好ましい。この製造方法は、典型的には大型の容器中で、室温(23℃ を想定する)で、空気中で激しく撹拌しながら行う。所望ならば、超音波発振器 を補助的に使用して、より小さな凝集体にすることもできる。
この担体媒体は、室温、大気圧で液体である、セラミ・ツク粉末がその中に分散 し得る無機または有機のいかなる化合物であってもよい。適当な担体担体の例に は、水;アルコール類、たとえばメタノール、エタノールまたはイソプロパツー ル;ケトン類、たとえばアセトンまたはメチルエチルケトン;脂肪族炭化水素、 たとえばペンタンまたはヘキサン;ならびに芳香族炭化水素、たとえばベンゼン およびトルエンが含まれる。
この担体媒体は、望ましくは有機液体、好ましくはアルコール、たとえばメタノ ールである。担体媒体の機能は、混合に適した粘性を固体粉末に与えることであ る。この目的を達成する担体媒体のいかなる量も十分であり、許容することがで きる。担体媒体の量は、望ましくは15体積パーセントないし40体積パーセン トの範囲の固体含有量を与えるようなものである。この範囲は好ましくは20体 積パーセントないし30体積パーセントである。15体積パーセント未満では固 体懸濁液の粘性が低過ぎて解凝集混合が効率的でなくなることがあり得る。40 体積ツクーセントを超えれば粘性が高過ぎて解凝集混合が困難になることがあり 得る。
粉末混合物の各成分の分散を助けるためには、′3種または2種以]−の界面活 性剤または分散剤を懸濁液に添加する6、とができる。当該技(・k?″′周知 され′rいるよう6、−1界面活性剤または分散剤の選択幅は極めてj太い。
アルコール、たとえばメタノールを使用する場合には、ボリゴチ1ノンイミンの ような分散剤を使用して混合を容易にすることができ、第1ツイン酸のような凝 集剤を使用して粉末混合物の回収を容易にすることもできる。
粉末混合物の各成分の分散が改良されるならば、界面活性剤または分散剤のいか なる量も許容される。その量は、典型的には粉末混合物の0.01ないし1,0 重量パーセントの範囲である。
微細に分割した懸濁液を通常の技術、たとえばスリップ鋳型成形により生素地に 転化させる。これに替えて、懸濁液を乾燥して粉末にし、磨砕して所望の形状の 鋳型に注入することもできる。乾燥は通常の手段、たとえばスプレー乾燥、また は窒素パージ下の炉乾燥により行う。粉末混合物と摩砕機球体との混合物は、好 ましくは過剰の担体媒体を除去したのちに窒素パージ下の炉中で乾燥する。乾燥 に使用する温度は、使用する担体媒体の沸点に応じて異なる。乾燥は、典型的に は大気圧における担体媒体の沸点の直下の温度で行う。好ましくは担体媒体はメ タノールであり、乾燥温度は約60℃である。乾燥後に、得られる粉末を摩砕機 球体から分離し、ふるい分けして約100μmの最大凝集体直径を有する粉末を 得る。ふるいのサイズは通常は 60メツシユ(タイラー等56> (250μ m)以下であるが、より好ましくは80メツシユ(タイラー等価)(180μm )以下である。ふるい上で得られる粉末は、無圧焼結または低圧気体焼結におけ る使用に適した粉末混合物である。
上記の乾燥粉末混合物を製造したのちに、これを室温で所望の近似最終形状の生 素地に乾燥プレス成形する。通常の乾燥プレス成形装置のいかなるものも、たと えば−軸的に、かつダイ板に垂直に移動するラムを有する水圧プレスも、またい かなる通常の等圧プレスも好適である。その後、圧縮成形した粉末を乾燥プレス 成形装置から取り出し、本発明記載の方法に従って無圧焼結または低圧気体焼結 にかける。
本発明記載の高密度の、自己強化性の窒化ケイ素セラミック物体が形成されるな らば、無圧焼結または低圧気体焼結に適したいかなる通常の装置も許容すること ができる。典型的には、上記の圧縮成形した粉末をグラファイト坩堝に入れ、こ れを窒化ケイ素粉末床、または、好ましくは粉末混合物と同一組成の粉末床中に 置(。この床を不活性雰囲気、好ましくは窒素気体下に維持して、高温における 窒化ケイ素の酸化および分解を防止する。上記の不活性雰囲気は静的なものであ っても流動性のものであってもよいが、好ましくは静的なものである。流動雰囲 気を使用するならば、極めて低い、たとえば0.01 1/分ないし0.11/ 分の範囲のものが適当である。典型的には、焼結中の圧力は大気圧(1気圧(a tm))ないし1100atの範囲である。この圧力は望ましくはlatmない しlQatmである。この圧力は好ましくは約1atmである。大気圧(lat m)においては、本件方法は“無圧焼結法”と呼ばれる。10atmまでの、ま たは最高でも100気圧の範囲の大気圧を超える圧力においては、本件方法は“ 低圧気体焼結法”と呼ばれる。
本発明記載の高密度の、自己強化性の窒化ケイ素セラミックを形成させるならば 、いかなる焼結温度も十分ではあろうが、2種の理由から、この温度は典型的に は注意深く制御しなければならない。第1に、延長されたβ−窒化ケイ素髭結晶 は狭い温度範囲で形成されることが見いだされている。第2に、窒化ケイ素は高 温、低圧においては分解し昌い。
この温度は、望ましくは1650ないし1825℃の範囲内に維持する。
好ましい温度範囲は1700℃ないし1750℃である。1650℃未満では延 長されたβ−窒化ケイ素髭結晶の形成が遅延する。1825℃を超えれば窒化ケ イ素が分解する可能性が生ずる。高温、たとえば1650℃ないしユ825℃の 正確な測定は技術的に困難であるので、好ましい温度範囲においては温度測定に 使用する方法に応じて若干の差異が観察され得るであろう。この温度は望ましく は、オメガ社(OmegaCompany)から得られる、同社で較正されたタ ングステン−レニウム熱電対を用いて測定する。
生素地を焼結する時間量は、個々の粉末組成物に応じて異なるが、生素地をほと んど完全に、または完全に高密度化するのに十分なものであるべきである。本発 明の目的には、“はとんど完全な高密度化”は理論値の少なくとも98パーセン トの密度を呼ぶものであり、“完全な高密度化”は理論値の少なくとも99.5 パーセントの密度を呼ぶものである。典型的には、試料を焼結温度にまで加熱す るには2時間ないし3時間が必要である。所望の温度において、試料を好ましく は3時間ないし36時間の範囲内の時間、好ましくは12時間ないし15時間焼 結する。
その後、2時間かけて試料を室温に冷却する。
上記の無圧焼結法および低圧気体焼結法は、切削工具として使用し得る窒化ケイ 素セラミック物品の形成を可能にする。平板または管のような種々の形状を製造 することができ札これらの平板には長さGイソチ(15,2ern、) 、幅6 インチ(IS、2cm) 、厚さ0、フインチ(:1..8cm)ないじ、さ1 6インチ(40,5cm)、、幅16インチ(40,6cm) 、厚さ1.0イ ンチ(2,5ern)のサイズ範囲が可能である。圧縮成彫板のシイズ6、−よ り決定される、これより小さし1、または大きい板も製造するJとができる。管 には長さ4イソチ(1,0,2cm)、直径Oj3インチ(1,3cm、)ない し長さ8インチ(20,3cm)、直径1.5インチ(3,8cm)の範囲が可 能である。切肖11工貴は、これらの板および−を種々の切削工具の形状に薄切 りし、研磨して製造することができる。本発明記載の無圧焼結法および低圧焼結 法(嘘、典型的には近似最終形状の形成を可能にする。
本発明記載の方法により製造した窒化ケイ素セラミ・ツク物体1よ、有意の多孔 性を持たない高密度材料である。高密度化は、望ましり1マ理論値の98パーセ ントを超えるところまで、好ましくは理論値の99)(−セントを超えるところ まで、より好ましくは理論値の99.5)く−セントを超えるところまで進行さ せる。当業者は、理論密度がセラミ・ツクの組成に応じて変化することを認める であろう。X−線回折により測定すね、ば、本件窒化ケイ素はβ−結晶性の形状 で存在する。これは、工程中1こおけるαからβへの実質的に完全な転化を示し ている。全く予期しなめ九つたことであるが、走査電子顕微鏡法(SEM)およ び透過電子顕微鏡法(TEM)の双方で測定して、本件β−窒化ケイ素は主とし て単結晶の“針状”髭結晶、または延長粒子として存在する。六角形のβ−窒イ しケイ素粒子のサイズは、通常は長さが1μmないし20μmの範囲、平均直径 が0.2μmないし1,5μmである。好ましし)サイズ1ま長さ力<3μmな い1ノ10μm、平均直径が0.3anvないし160μrnである。
本件髭結晶は不規則に配向しているので、等釉粒′i晃−」5反対に、髭結晶と して存在する窒化ケイ素の百分率を正確δ、ニ測定することは困虹1%・ノる。
1丁の測定は、窒化ゲイ素セラミックの・一つの面を走査電子顕微鏡法 積百分率を測定り、T行う。(γラミック物体の全体を通して髭結晶が均一=に 分布し、不規則に配向していることが、また髭結晶により占められる体積が全て の面においてほぼ同等であることが観測される。典型的には、2ないし16の縦 横比を有する窒化ケイ素髭結晶の百分率は、面内で測定して少な(とも20体積 パーセントである。好ましくは、2ないし16の縦横比を有する窒化ケイ素髭結 晶の百分率は、面内で測定して少なくとも35体積パーセントである。予期に反 して、本件髭結晶は高い平均縦横比を有することが見いだされている。本件窒化 ケイ素髭結晶の平均縦横比は、典型的には少なくとも2.5、好ましくは少なく とも約4.0である。縦横比を面内で測定するので、平均縦横比か低目に得られ ることに注意すべきである。たとえば面に垂直な髭結晶は、真の縦横比が2より はるかに大きいであろうと考えられる場合にも2より小さい見掛けの縦横比を有 する可能性がある。
窒化ケイ素の結晶相に加えて、本発明記載の組成物はセラミックの全重量の2重 量パーセントないし10重量パーセントの範囲の量のガラス様の粒子境界相をも 含有する。この量は、好ましくは全重量の5重量パーセントないし7重量パーセ ントの範囲である。このガラス様の相は酸化マグネシウム、酸化イツトリウム、 シリカおよびジルコニアを含有する。このジルコニアの量には、痕跡量から存在 し得る全ジルコニアの有意の部分までの範囲があり得る。このガラス様相はまた 、酸化カルシウム、酸化ガリウム、酸化ハフニウムまたは酸化リチウムから選択 した付加的な酸化物の1種をも含有する。
本発明記載の組成物はまた、セラミックの全重量の0.5重量パーセントないし 5.0重量パーセントの範囲の量の第2の結晶相をも含有する。この第2の結晶 相は酸化ジルコニウムである。他の2種の結晶相も結合した1個の相として、ま たは全体として3.0重量パーセントを超えない量で存在することができる。特 定的には、これらの他の結晶相は、その金属がタンタル、カルシウム、ガリウム 、ハフニウムまたはインジウムから選択したものであるケイ化ジルコニウム金属 および窒化ケイ素ジルコニウム金属を含有する。金属がカルシウム、ガリウム、 ハフニウムまたはインジウムである場合には、同一の金属がガラス様相にも金属 酸化物として現れる。金属がタンタルである場合には、ガラス様相は検出可能な 量の酸化タンタルを含有しない。
本発明によりカバーされる特定的な組成物は、上記のβ−窒化ケイ素の結晶相を 含有し、さらに、以下のものから選択したガラス様相および付加的な結晶性の粒 子境界相をも含有する:(A) 酸化マグネシウム、酸化イツトリウム、シリカ およびジルコニアを含有するガラス様粒子境界相;ジルコニアの第2の結晶相; ケイ化ジルコニウム金属相も窒化ケイ素ジルコニウム金属相も存在しない;(B ) 酸化マグネシウム、酸化イツトリウム、シリカおよびジルコニアを含有する ガラス様粒子境界相;ジルコニアの第2の結晶相:およびケイ化ジルコニウムタ ンタルまたは窒化ケイ素ジルコニウムタンタルから選択した1種または2種の付 加的な相;(C) 酸化マグネシウム、酸化イツトリウム、シリカ、ジルコニア および酸化カルシウムを含有するガラス様粒子境界相;ジルコニアの第2の結晶 相;およびケイ化ジルコニウムカルシウムまたは窒化ケイ化ジルコニウムカルシ ウムから選択した1種または2種の付加的な相;(D) 酸化マグネシウム、酸 化イツトリウム、シリカ、ジルコニアおよび酸化ガリウムを含有するガラス様粒 子境界相;ジルコニアの第2の結晶相;およびケイ化ジルコニウムガリウムまた は窒化ケイ素ジルコニウムガリウムから選択した1種または2種の付加的な相; (E) 酸化マグネシウム、酸化イツトリウム、シリカ、ジルコニアおよび酸化 ハフニウムを含有するガラス様粒子境界相;ジルコニアの第2の結晶相;および ケイ化ジルコニウムハフニウムまたは窒化ケイ素ジルコニウムハフニウムから選 択した1種または2種の付加的な相:ならびに、 (F) 酸化マグネシウム、酸化イツトリウム、シリカ、ジルコニアおよび酸化 インジウムを含有するガラス様粒子境界相:ジルコニアの第2の結晶相:および ケイ化ジルコニウムインジウムまたは窒化ケイ素ジルコニウムインジウムから選 択した1種または2種の付加的な相。
好ましくは、本件組成物は上記のβ−窒化ケイ素結晶相;酸化マグネシウム、酸 化イツトリウム、シリカおよびジルコニアを含有するガラス様粒子境界相;ジル コニアの第2の結晶相;およびケイ化ジルコニウムタンタルまたは窒化ケイ素ジ ルコニウムタンタルから選択した1種または2種の付加的な相よりなるものであ る。
本件自己強化窒化ケイ素セラミック物体の機械的性質は、標準的な試験を使用し て容易に測定される。特に破断強靭性(K、c)は、以下に記述するシェブロン (Chevron)ノツチ法およびパルムクピスト法に従って測定する。破断強 度(破壊モジュラス)は、陸軍標準(Mili tary 5tandard) 1942b試験に従って測定する。硬度はビッカース(Vickers)窪み試 験に従って測定する。
破断強度(破壊モジュラス)は、負荷下における材料の破断に対する抵抗性を測 定するものである。破断強度は、破断が生ずる際の最大単位の応力として定義さ れる。U、S、−A4,883.776のカラム10.61−68行に記載され ているようにして試験棒状体を製造し、試験する。典型吐には、室温における破 断強度は少なくとも95];si(650MPa)である。好ましくは、室温に おける破断強度は120ksi(825MP a)ないし150ks i (1 050MPa)の範囲である。
1200℃においては、破断強度は典型的には少なくとも65ks i(450 MP a)である。
強靭性はU、S、−A4,883,776のカラム11.14−27行に記載さ れているように定義され、測定される。本発明記載の窒化ケイ素セラミック物体 の室温(23℃を想定する)破断強靭性は6MPa(m)1/2を超える。この 室温破断強靭性は望ましくは7 M P a(m) 1′tを超え、好ましくは 8MPa、(m)”を超える。室温破断強靭性は、より好ましくは8MPa ( m)”ないしI IMP a (m) l/!の範囲である。
切削工具材料の評価においては、パルムクピスト強靭性およびビ・ソカース硬度 を測定するのが有用である。1個の試験試料について双方の測定を同時に行うこ とができるので、これらの試験は極めて便利である。
ビッカース硬度試験は、セラミック材料の窪みに対する抵抗性を測定するもので ある。U、S、−A4,883.776のカラム11.44−64行に記載され ているようにして試料を製造し、試験する。本発明記載の窒化ケイ素セラミック のビッカース硬度値は、室温において少なくとも1400 k g/mm”であ る。このビッカース硬度値は、望ましくは室温において1425 k g/mm ”ないし1700 k g/mm”ノ;好ましくは1550 k g/mm”な いし1700 k g/mm”ノ範囲である。
パルムクピスト強靭性試験はU、S、−A4,883,776のカラム12.3 −13行に記載されているようにして行う。本発明記載の窒化ケイ素セラミック 物体は、有利なことには少なくとも37 k g/mmの室温におけるパルムク ピスト強靭性を示す。この室温におけるパルムクピスト強靭性は、望ましくは3 7 k g/mmないし52kg/mm、好ましくは40 k g/mmないし 46 k g/mmの範囲内である。
以下の実施例は、本発明記載の新規な高密度の、自己強化性の窒化ケイ素組成物 および、この新規な窒化ケイ素セラミックの製造方法を説明するためのものであ る。これらの実施例は本発明の範囲を限定することを意図したものではない。こ れと異なる記述のない限り、全ての百分率は重量パーセントである。
ウベ工業社(Ube Industries、Ltd)から5N−Eloの商品 名で市販されている窒化ケイ素粉末は、1.6バーセントの酸素、xooppm 未満のC1,1100pp未満のFe、50ppm未満のCa、および50 p  pm 未満のAIを含有していた。この材料は、99.5パーセントを超える 結晶化度、95パーセントを超えるα−si、N、含有量、および11.2m” /Hの表面積を有していた。そり一社(Mo I yCo r p、 )からは イツトリアの供給を受け、ベーカー社(Baker Incorporated )からはマグネシアおよびカルシアの供給を受けた。ジルコニア球体の形状のジ ルコニアはユニオンプロセス(Union Process)力)ら入手した。
ジルコニア粉末ハト−ヨーソーダ(Toyo 5oda)から入手した(TZ− 3Y20A 型)。酸化タンタル、酸化ガリウム、酸化11フニウムおよび酸化 リチウムはアルファプロダクツ(Alfa Products)力、ら入手した 。
実施例 1 (a) 粉末の製造 以下の一般的方法に従って一連の乾燥粉末混合物を製造した:所望の量の窒化ケ イ素、マグネシア、イツトリア、および酸化タンタルを、ジルコニア球体を含有 する磨砕機(ユニオンプロセスノ<・ンチ磨砕機、0IHD型−容量750cc 、ポリテトラフルオロエチレン被覆管および撹拌機を装備)中で、毎分350回 転(rpm)の撹拌速度で1時間の混合時間混合した。固体分を20重重量く− セントとするのに十分な量のメタノールを混合媒体として使用した。擾乱したの ち、過剰のメタノールを真空濾過により除去した。ついで、この混合物を乾燥窒 素気流下で乾燥した。乾燥後、30メツシユ(米国系列)(600μm)のステ ンレススチール類のふるいを用いてこの混合物をジルコニア球体から分離し、続 いて40メツシユ(米国系列”)(425μm)および60メツシュ(米国系列 )(250μm)のステンレススチール類ふるいを通過させて、表Iに示した乾 燥粉末混合物を得た。
(b) 乾燥プレス成形および無圧焼結上で製造した乾燥粉末混合物を以下の一 般的方法に従りで乾燥ブL−ス成形し、無圧焼結した:乾燥粉末混合物の試料( 80g)を直径2インf (5,1cm) 、厚さ0.5インチ(1,3cm) のステン1ノススチール製のダイに注入した。この粉末を室温、5ps i ( 35に、Pa)の圧力下で乾燥プレス成形して、理論値の約49−50 パーセ ントの密度を有する円盤を形成させた。ついで、この円盤を室温、45ksi( 310,3MPa)の圧力下で等圧的にプレス成形1ノで、理論値の約55パー セントの密度に達せしめた。得られたプレス成形した円盤をグラファイト坩堝に 入れた。この坩堝を、圧縮成形した粉末混合物と同一の組成の窒化ケイ素粉末床 に入れた。ついで、上記の円盤を4インチ(10゜1cm)のアスト0 (AS TRO)グラファイト炉中、1750℃で、1at、mの圧力の静的窒素雰囲気 下で12時間焼結した。
上で製造した窒化ケイ素セラミック円盤の密度を、リチャーソン(D。
W、Richerson)の“現代セラミック技術(ModernCerami c Engineering)″、マーセルデ・ツカ−(Marcel Dek ker)、1982に記載されている水浸漬法により、また、SEM顕微鏡写真 からの立体学分析により測定して、表Iに示した結果を得た。
窒化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化イツトリウム、酸化ジルコニウムおよび酸 化タンタルよりなる実施例1の粉末組成物は、無圧焼結し、て理論値の少なくと も98パーセントの密度を有するセラミック物体を形成させることができる。
(c) 相および形態学 上記のようにして、94.8パーセントの窒化ケーイ素、249パーセントの酸 化イッI・リウム、1.6バーセントの酸化マグネシウム、0.17バーセント の酸化タンタル、および0452パーセントの酸化ジ刀/ ::l 、、”−ラ ムを含有する乾燥粉末混合物を製造した1、この粉末を乾燥ブ1ノス成形()、 無圧焼結して理論値の1−00パーセン1−の密度を有するセラミックを得た。
窒化ケイ素はX’−線回折で測定して基本的にβ結晶性の相として存在1ノた。
このセラミックの微細構造を走査電子顕微鏡法(SEM)により、面内で観測し て測定した。窒化ケイ素の約55パーセントが、0.5μmないし1.0μmの 平均直径を有し、約2.5の平均縦横比を有する延長された髭結晶または粒子の 形状で現れた。
このセラミックの塊状の化学的組成物を中性子活性化分析により測定して、約9 2パーセントの窒化ケイ素、約6パーセントのガラス様の粒子境界相、および約 2パーセントの他の結晶相を含有することを見いだした。ガラス様の粒子境界相 は、TEMで測定して以下のような平均ガラス組成を有していた:47±10パ ーセントの酸化イツトリウム、32±11パーセントのシリカ、17±4パーセ ントのマグネシア、および4パーセントの窒素。酸化マグネシウムから来た痕跡 量の酸化カルシウム不純物および痕跡量の酸化ジルコニウムをガラス様粒子境界 相中で検出した。酸化ジルコニウムの第2の結晶相が0.1パーセントの濃度で 見いだされた。加えて、ケイ化タンタルジルコニウムおよび窒化ケイ素タンタル ジルコニウムを含有する2種の受皿の結晶相が、全重量を基準にして2,0パー セントの全濃度で見いだされた。
本件セラミックは室温において、パルムクピスト技術により測定して43、3  k g/mmの破断強靭性ニジエプロン試験により測定して7.8MP a − m”のKIC破断強靭性; 120ks i (827MPa)の曲げ強度;お よび1550kg/mm2のビッカース硬度を有していた。
1200℃においては、破断強度は79ksi (543MPa)であワた。
実施例2 窒化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化イツトリウム、酸化ジルコニウムおよび酸 化タンタルを含有する窒化ケイ素粉末混合物を製造し、ダイか長さツイフチ(1 7,8cm) 、幅ツイフチ(17,8cm) 、厚さ1、1−i’ ンチ(2 ,8cm)の寸法を有する板の形状であったことを除いて実施例 1(c)と同 様にして無圧焼結した。理論値の99.99パーセントの密度を有するセラミッ ク物体が得られた。加えて、このセラミックは約2.5の平均縦横比、酸化ジル コニウムの第2の結晶相、ケイ化ジルコニウムタンタル、および窒化ケイ素ジル コニウムタンタルよりなる2種の少量の結晶相、ならびに酸化マグネシウム、酸 化イツトリウムおよびシリカを含有するガラス様の粒子境界相を有するβ−窒化 ケイ素の延長された粒子を含有していた。
この実施例は、実施例1(C)の粉末組成物を大型の、完全に高密度化されたセ ラミック板に無圧焼結し得ることを示している。
実施例3 94.8パーセントの窒化ケイ素、2.9パーセントの酸化イツトリウム\1・ 6″−セントの酸化マグネシウム、0.5パーセントの酸化ジルコニウムおよび 02パーセントの酸化タンタルを含有する窒化ケイ素粉末混合物を製造し・実施 例1に記述したものと同様の円盤に乾燥プレス成形した。この円盤を、1気圧の 流動窒素下で無圧焼結して表IIに示した結果を得た。
実施例3の窒化ケイ素粉末組成物を、理論値の少な(とも98パーセントの密度 を有するセラミック物体に無圧焼結した。操作中の焼結温度は1700℃ないし 1800”Cの範囲であった。38 k g/mmないし45 k g/mmの 範囲のパルムクピスト強靭性値および1420kg/mm”ないし1580 k  g/mm”の範囲のビッカース硬度値が観測された。
実施例4 組成物が95.8パーセントの窒化ケイ素、2.3パーセントのイツトリア、1 .3パーセントのマグネシア、0.5パーセントのジルコニアおよび0.1パー セントの酸化カルシウムよりなるものであること除いて、実施例1の手順に従っ て粉末混合物を製造した。この粉末混合物を円盤に乾燥プレス成形し、これを実 施例1と同様の種々の焼結温度および時間で無圧焼結した。得られた密度は表I IIに示しである。
表IIIに示したデータは、実施例4の粉末組成物が完全な高密度化を有するセ ラミック物体に無圧焼結し得ることを示している。最適焼結条件は、1700℃ ないし1750℃の温度と少な(とも12時間の、好ましくは少なくとも18時 間の焼結時間とよりなるものである。X−線回折は、α−窒化ケイ素がβ−窒化 ケイ素に完全に転化し、後者が約0.7μmの平均直径を有する延長された粒子 を形成していることを示している。試料E−4Ca−e’)の室温で測定したパ ルムクピスト強靭性は41kg/mmであり、測定したビッカース硬度は145 0kg/mm”ないし1500 k g/ mm’ノ範囲になる。
実施例5 組酸物が95.3パーセントの窒化ケイ素、2.9パーセントのイツトリア、1 .6バーセントのマグネシア、0.2パーセントの酸化タンタルよりなるもので あり、ジルコニアの濃度が表IVに示したようなものであることを除いて、実施 例1と同様にして一連の粉末混合物を製造した。
表IV 実施例5 Zr0Bの重量% 理論値に対する%密度c O,299,2 d O,599,6 g 5.0 99.1 これらの粉末混合物を円盤にプレス成形し、1750℃で12時間、実施例1と 同様にして無圧焼結し、表IVに示した結果を得た。
表IVのデータは、理論値の少なくとも約98パーセントの焼結密度を有する窒 化ケイ素セラミック物体が、実施例5の粉末混合物を無圧焼結することにより製 造されることを示している。さらに、理論値の99゜0パーセントを上回る焼結 密度を達成するためには、0.2パーセントないし0.5パーセントの範囲の量 のジルコニアを必要とする。
実施例6 実施例1の手順に従って、窒化ケイ素(94,8パーセント)、イツトリア(2 ,9パーセント)、マグネシア(1,6パーセント)、ジルコニア(0,5パー セント)および酸化インジウム(0,2パーセント)よりなる組成を有する粉末 混合物を製造した。この粉末を 1750℃で12時間無圧焼結した。理論値の 99.7パーセントの焼結密度を有し、室温で115ks i (793MPa )の破断強度、1580kg/mmzのビッカース硬度および41.2 k g /mrnのパルムクピスト強靭性を有する窒化り゛イ素セラミック物体が得られ た。
実施例7 実施例1の手順に従って、窒化ケイ素(94,8パーセント)、イツトリア(2 ,9パーセント)、マグネシア(1,6バーセント)、ジルコニア(0,5パー セント)および酸化ガリウム(0,2パーセント)よりなる組成を有する粉末混 合物を製造した。この粉末を1750℃で12時間無圧焼結した。理論値のio o、oパーセントの焼結密度を有し、室温で40.2 k g/mmのパルムク ピスト強靭性、1575kg/ m m、 ”のビッカース硬度および120k s t (827MPa)の破断強度を有する窒化ケイ素セラミック物体が得ら れた。
実施例8 実施例1の手順に従って、窒化ケイ素(94,8パーセント)、イツトリア(2 ,9パーセント)、マグネシア(1,6バーセント)、ジルコニア(0,5パー セント)および酸化ハフニウム(0,2パーセント)よりなる組成を有する粉末 混合物を製造した。この粉末を 1750’cで12時間無圧焼結した。理論値 の98.1パーセントの焼結密度を有する窒化ケイ素セラミック物体が得られた 。
国際調査報告 国際調査報告 rMN aa++m ”””s”:==フ===”:”W”” m aN+m  k k ffr m mThaI %p−−k II l % M # −―m e m m fi $ $l+wlke pw6we m l−一一一。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.(a)セラミック物体を与えるのに十分な量の窒化ケイ素;(b)粉末の高 密度化を促進するのに十分な量の酸化マグネシウム; (c)出発窒化ケイ素のβ−窒化ケイ素への実質的に完全な転化を促進するのに 十分な量の酸化イットリウム;(d)触媒量の酸化ジルコニウム;および(e) β−窒化ケイ素髭結晶の生成を促進するのに十分な量の、酸化カルシウム、酸化 タンタル、酸化ガリウム、酸化ハフニウムまたは酸化インジウムから選択した酸 化物である髭結晶成長強調性化合物; よりなる粉末混合物を大気圧(1気圧)ないし100気圧の範囲の圧力に、また 理論値の少なくとも98パーセントの値にまで高密度化するのに十分な、かつ、 上記のセラミックが37kg/mmを超えるパルムクビスト強靭性を有すること になるような高い平均縦横比を有するβ−窒化ケイ素髭結晶の工程内生成を与え るのに十分な温度の条件に置くことよりなる、無圧焼結または低圧気体焼結によ る高密度の、自己強化性の窒化ケイ素セラミック物体の製造方法。
  2. 2.全ての重量百分率が粉末混合物の全重量を基準にしたものであるとして、上 記の窒化ケイ素の量が90ないし98重量パーセントの範囲であり、上記の酸化 マグネシウムの量が0.5ないし3.0重量パーセントの範囲であり、上記の酸 化イットリウムの量が1.0ないし6.0重量パーセントの範囲であり、上記の 酸化ジルコニウムの量が0.2ないし5.0重量パーセントの範囲であり、上記 の髭結晶成長強調性の化合物の量が0.01ないし3.0重量パーセントの範囲 であることを特徴とする請求の範囲1記載の方法。
  3. 3.上記の温度が1650℃ないし1825℃の範囲であり、上記の圧力が1a tmないし10atmの範囲内であることを特徴とする、先行する請求の範囲の いずれかに記載されている方法。
  4. 4.酸化イットリウムと酸化マグネシウムとが5:1ないし1:2の範囲内の酸 化イットリウム対酸化マグネシウムの重量比で存在し、酸化マグネシウムと酸化 ジルコニウムとが15:1ないし1:10の範囲内の酸化マグネシウム対酸化ジ ルコニウムの重量比で存在することを特徴とする、先行する各請求の範囲のいず れかに記載されている方法。
  5. 5.(a)窒化ケイ素セラミック物体の一つの面を走査電子顕微鏡で観測して測 定して、その少なくとも20体積パーセントが少なくとも2.5の平均縦横比を 有する髭結晶の形状であるβ−窒化ケイ素の結晶相; (b)全重量の2ないし10重量パーセントの範囲の量の、酸化マグネシウム、 酸化イットリウム、シリカおよびジルコニアと酸化カルシウム、酸化ガリウム、 酸化ハフニウムまたは酸化インジウムから選択した1種の酸化物とよりなるガラ ス様の粒子境界相; (c)全重量の0.5ないし5.0重量パーセントの範囲の量の、ジルコニアよ りなる第2の結晶相;および、(d)0.1ないし3.0重量パーセントの範囲 の量の、その金属がタンタル、カルシウム、ガリウム、ハフニウムまたはインジ ウムから選択したものであり、その金属がカルシウム、ガリウム、ハフニウムま たはインジウムである場合には同一の金属が上記のガラス様の相(b)にも酸化 物として現れる、ケイ化ジルコニウム金属および/または窒化ケイ素ジルコニウ ム金属よりなる、1種または2種の結晶性相 よりなる、理論値の少なくとも98パーセントの密度とパルムクビスト技術によ り測定して37kg/mmを超える強靭性とを有する窒化ケイ素セラミック物体 。
  6. 6.上記のガラス様の粒子境界相が酸化マグネシウム、酸化イットリウム、シリ カおよびジルコニアを含有し、ケイ化ジルコニウムタンタルと窒化ケイ素ジルコ ニウムタンタルとの2種の付加的な結晶相が存在することを特徴とする請求の範 囲5記載の組成物。
  7. 7.上記のガラス様の粒子境界相が酸化マグネシウム、酸化イットリウム、シリ カ、ジルコニアおよび酸化カルシウムを含有し、ケイ化ジルコニウムカルシウム と窒化ケイ素ジルコニウムカルシウムとの2種の付加的な結晶相が存在すること を特徴とする請求の範囲5記載の組成物。
  8. 8.上記のガラス様の粒子境界相が酸化マグネシウム、酸化イットリウム、シリ カ、ジルコニアおよび酸化ガリウムを含有し、ケイ化ジルコニウムガリウムと窒 化ケイ素ジルコニウムガリウムとの2種の付加的な結晶相が存在することを特徴 とする請求の範囲5記載の組成物。
  9. 9.上記のガラス様の粒子境界相が酸化マグネシウム、酸化イットリウム、シリ カ、ジルコニアおよび酸化ハフニウムを含有し、ケイ化ジルコニウムハフニウム と窒化ケイ素ジルコニウムハフニウムとの2種の付加的な結晶相が存在すること を特徴とする請求の範囲5記載の組成物。
  10. 10.上記のガラス様の粒子境界相が酸化マグネシウム、酸化イットリウム、シ リカ、ジルコニアおよび酸化インジウムを含有し、ケイ化ジルコニウムインジウ ムと窒化ケイ素ジルコニウムインジウムとの2種の付加的な結晶相が存在するこ とを特徴とする請求の範囲5記載の組成物。
  11. 11.ビッカース硬度が少なくとも1400kg/mm2であり、曲げ強度が少 なくとも95ksi(650MPa)であり、シェブロン技術により測定した破 断強靭性が少なくとも6MPa・m1/2であることを特徴とする、請求の範囲 5−10のいずれかに記載されている組成物。
  12. 12.請求の範囲5−11のいずれかに記載されている組成物から製造した切削 工具。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69206434T2 (de) * 1991-01-30 1996-05-02 Ngk Spark Plug Co Verfahren zur Herstellung von Keramik auf Siliciumnitridbasis.
US5269989A (en) * 1992-09-01 1993-12-14 The Dow Chemical Company Cermet or ceramic/glass composites including self-reinforced β-Silicon nitride, and method of making same
ATE164371T1 (de) * 1992-12-23 1998-04-15 Hoechst Ag Hochtemperaturfeste siliziumnitridkeramik und verfahren zu ihrer herstellung
EP0782555B1 (en) * 1993-01-22 2004-03-17 Eaton Corporation Processes for preparing a base nitridable silicon-containing material and silicon nitride materials
US5312785A (en) * 1993-05-18 1994-05-17 The Dow Chemical Company Sintered self-reinforced silicon nitride
CN1043035C (zh) * 1993-06-22 1999-04-21 武汉工业大学 一种自蔓延高温合成瞬间冲压快速制备金属陶瓷的方法
US5413972A (en) * 1993-12-23 1995-05-09 The Dow Chemical Company SiAlON composites and method of preparing the same
US5538675A (en) * 1994-04-14 1996-07-23 The Dow Chemical Company Method for producing silicon nitride/silicon carbide composite
JPH0987036A (ja) * 1995-09-22 1997-03-31 Isuzu Ceramics Kenkyusho:Kk 窒化ケイ素焼結体とその製造方法
JPH107466A (ja) * 1996-06-19 1998-01-13 Isuzu Ceramics Kenkyusho:Kk 低熱伝導率を有するセラミツクス
SE513938C2 (sv) * 1996-07-19 2000-11-27 Sandvik Ab Skärverktygsmaterial av kiselnitrid
DE19702465A1 (de) * 1997-01-24 1998-07-30 Heraeus Gmbh W C Tiegel zur Einkristall-Züchtung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
WO1998045355A1 (en) 1997-04-04 1998-10-15 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Cellulose ether slurries
US20040009866A1 (en) * 2002-06-13 2004-01-15 Ngk Spark Plug Co. Ltd. Sintered silicon nitride, cutting tip, wear-resistant member, cutting tool, and method for producing sintered silicon nitride
US7157394B2 (en) * 2004-07-17 2007-01-02 Adams Sr James Hugo Stoichiometrically balanced silicon nitride ceramic for high performance cutting tools
CN100358834C (zh) * 2004-08-04 2008-01-02 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高光输出快衰减闪烁陶瓷及其制备方法
CN100391896C (zh) * 2005-05-13 2008-06-04 中国科学院上海硅酸盐研究所 氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料及其制备方法和用途
WO2008111307A1 (ja) * 2007-03-15 2008-09-18 Kabushiki Kaisha Toshiba 窒化珪素焼結体とそれを用いた摺動部材
GB0713876D0 (en) * 2007-07-18 2007-08-29 3M Innovative Properties Co Manufacture of components for medicinal dispensers
US7968484B2 (en) * 2007-09-07 2011-06-28 Ut-Battelle, Llc Use of additives to improve microstructures and fracture resistance of silicon nitride ceramics
CN103025043A (zh) * 2012-12-13 2013-04-03 江苏达胜加速器制造有限公司 一种瓷环的处理工艺
CN107353014A (zh) * 2017-05-26 2017-11-17 东莞市镒凯模具科技有限公司 一种陶瓷定位梢及其制备工艺以及陶瓷定位梢结构
US11607733B2 (en) 2019-12-16 2023-03-21 Brown University Bulk grain boundary materials
CN115677357B (zh) * 2022-11-10 2023-07-11 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高耐磨氮化硅陶瓷及其制备方法
CN116217235B (zh) * 2023-02-10 2024-03-01 湖南星鑫航天新材料股份有限公司 一种氮化硅质大尺寸高温结构件及其制备方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4097293A (en) * 1969-04-30 1978-06-27 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Method for manufacturing heat-resistant reinforced composite materials
JPS523647B2 (ja) * 1972-10-24 1977-01-29
US4025351A (en) * 1972-10-24 1977-05-24 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Sintered silicon nitride base ceramic and said ceramic
US4004937A (en) * 1972-10-24 1977-01-25 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Method for producing a sintered silicon nitride base ceramic and said ceramic
US4046580A (en) * 1974-06-28 1977-09-06 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Silicon nitride-based sintered material and method for manufacturing the same
US4218257A (en) * 1975-04-07 1980-08-19 Ngk Insulators, Ltd. Sintered silicon nitride body and a method of producing the same
JPS51132207A (en) * 1975-05-14 1976-11-17 Tokyo Shibaura Electric Co Manufacture of high density and high strength sintering articles
US4119689A (en) * 1977-01-03 1978-10-10 General Electric Company Sintering of silicon nitride using Be additive
US4179301A (en) * 1979-01-08 1979-12-18 Gte Sylvania Incorporated Si3 N4 containing intergranular phase nucleating agent and method
US4323325A (en) * 1979-12-20 1982-04-06 Ford Motor Company ethod of using Si3 N4.Y2 O3.SiO2 ceramic system for machine cast iron
US4227842A (en) * 1979-12-20 1980-10-14 Ford Motor Company Method of using Si3 N4.Y2 O3.SiO2 ceramic system for machining cast iron
US4279657A (en) * 1980-01-30 1981-07-21 General Electric Company Light-transmitting silicon nitride
EP0100380B1 (en) * 1981-02-05 1987-06-16 Sumitomo Electric Industries Limited Method for plastic deformation of non-ferrous metals
JPS5826077A (ja) * 1981-08-10 1983-02-16 株式会社東芝 セラミツクス焼結体及びその製造方法
JPS5860676A (ja) * 1981-09-30 1983-04-11 日本特殊陶業株式会社 窒化珪素焼結体及びその製造方法
EP0079678B1 (en) * 1981-10-12 1985-09-04 Sumitomo Electric Industries Limited Method for sintering silicon nitride
JPS5864274A (ja) * 1981-10-12 1983-04-16 住友電気工業株式会社 窒化けい素の焼結方法
US4511525A (en) * 1981-11-26 1985-04-16 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Process for producing sintered silicon nitride-base body
US4406668A (en) * 1982-05-20 1983-09-27 Gte Laboratories Incorporated Nitride coated silicon nitride cutting tools
JPS5921413A (ja) * 1982-07-26 1984-02-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 圧延ロ−ル
US4753764A (en) * 1982-09-24 1988-06-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Manufacturing method for fiber reinforced silicon ceramics sintered body
CA1223013A (en) * 1983-04-22 1987-06-16 Mikio Fukuhara Silicon nitride sintered body and method for preparing the same
US4543345A (en) * 1984-02-09 1985-09-24 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Silicon carbide whisker reinforced ceramic composites and method for making same
JPS60186475A (ja) * 1984-03-06 1985-09-21 京セラ株式会社 窒化珪素質焼結体及びその製造方法
US4603116A (en) * 1984-04-09 1986-07-29 Gte Laboratories Incorporated Silicon nitride based ceramics and method
JPS6168373A (ja) * 1984-09-07 1986-04-08 日本碍子株式会社 窒化珪素焼結体およびその製造法
JPS6178657A (ja) * 1984-09-27 1986-04-22 Toshiba Corp プリンタ用ガイド部材
JPS6197167A (ja) * 1984-10-17 1986-05-15 住友電気工業株式会社 窒化珪素焼結体およびその製造法
JPS61106430A (ja) * 1984-10-31 1986-05-24 Noritake Co Ltd ガラス器ブロ−成形用セラミツク型
DE3504145A1 (de) * 1985-02-07 1986-08-07 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Neues verfahren zur herstellung hochfester und hochtemperaturbestaendiger keramischer formteile aus siliziumnitrid
US4891342A (en) * 1985-11-20 1990-01-02 Kyocera Corporation Process for preparing a silicon nitride sintered body
JPS62158166A (ja) * 1985-12-27 1987-07-14 三菱化学株式会社 窒化珪素混合粉末の製造法
US4652276A (en) * 1986-03-10 1987-03-24 Gte Valeron Corporation High toughness silicon nitride cutting tools
JPS62246865A (ja) * 1986-04-16 1987-10-28 日本碍子株式会社 窒化珪素焼結体およびその製造法
JPS63185864A (ja) * 1986-09-05 1988-08-01 株式会社日立製作所 複合セラミツクスおよびその製法
US4717693A (en) * 1986-10-24 1988-01-05 Gte Products Corporation Process for producing beta silicon nitride fibers
US4820665A (en) * 1986-12-16 1989-04-11 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic sintered bodies and a process for manufacturing the same
JPH0774103B2 (ja) * 1986-12-27 1995-08-09 日本碍子株式会社 高硬度窒化珪素焼結体
US4920085A (en) * 1987-04-02 1990-04-24 Kyocera Corporation Silicon nitride sintered body and process for preparation thereof
JP2512061B2 (ja) * 1987-11-26 1996-07-03 日本碍子株式会社 均質窒化珪素焼結体およびその製造方法
US5021372A (en) * 1988-01-27 1991-06-04 The Dow Chemical Company Method of preparing a self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness
US4870036A (en) * 1988-03-08 1989-09-26 Allied-Signal Inc. High strength silicon nitride

Also Published As

Publication number Publication date
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DE69200764T2 (de) 1995-04-06
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TW218001B (ja) 1993-12-21

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