CN100391896C - 氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料及其制备方法和用途 - Google Patents

氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料及其制备方法和用途 Download PDF

Info

Publication number
CN100391896C
CN100391896C CNB2005100258137A CN200510025813A CN100391896C CN 100391896 C CN100391896 C CN 100391896C CN B2005100258137 A CNB2005100258137 A CN B2005100258137A CN 200510025813 A CN200510025813 A CN 200510025813A CN 100391896 C CN100391896 C CN 100391896C
Authority
CN
China
Prior art keywords
transparent ceramic
solid solution
preparation
hafnium oxide
solution transparent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2005100258137A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1800092A (zh
Inventor
吉亚明
蒋丹宇
施鹰
施剑林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ningbo Yunsheng Photo-Communication Technology Co. Ltd.
Original Assignee
Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Ceramics of CAS filed Critical Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Priority to CNB2005100258137A priority Critical patent/CN100391896C/zh
Publication of CN1800092A publication Critical patent/CN1800092A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100391896C publication Critical patent/CN100391896C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明涉及一种以HfO2稳定Gd2O3的固溶体为基体,Eu3+为发光激活离子的透明陶瓷闪烁材料及其制备方法,属于透明陶瓷和闪烁材料领域,其特征在于透明陶瓷的组成为:Gd2-2x-2yEu2yHf2xO3+x;其中,0.10<X<0.40,O<y<0.1,其发光最强峰位于612nm。本发明采用真空或氢气气氛中无压烧结工艺为,烧结温度为1600-1900℃,适合大规模生产。本发明提供的1mm厚经抛光的透明陶瓷在612nm最大透过率大于70%,密度高于7.6克/厘米3,具有很高的射线吸收能力和发光强度,可用于X-CT探测器和与CCD耦合的大面积X射线成像领域。

Description

氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料及其制备方法和用途
技术领域
本发明涉及氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料及其制备方法和用途,属于透明陶瓷闪烁材料领域。
背景技术
Gd2O3:Eu是一种具有很高发光效率的红色荧光粉,在等离子彩电和X-射线成像领域具有重要的应用价值。Gd2O3的密度为7.6g/cm3,有效原子序数为64,对X射线具有很高的吸收能力,掺杂三价铕激活离子的Gd2O3:Eu的发光波长位于硅光电二极管、CCD敏感区间。因此,透明的Gd2O3:Eu块体材料在X-CT、与CCD耦合的大面积X射线成像等领域极具应用前景;同时与Lu2O3相比,Gd2O3的价格低廉,因此Gd2O3:Eu也极具实际应用价值。Gd2O3具有非常高的熔点(2673K),难以通过熔体法制备具有实用价值的单晶;Gd2O3在~1200℃发生立方到单斜相变,难以通过无压烧结技术在高温下制备成透明陶瓷。到目前为止,还没有通过无压烧结技术将其制备成透明陶瓷的专利、文献报道。如果能通过掺杂稳定成立方相的Gd2O3固溶体,则可以通过纳米技术在无压的条件下制备成透明陶瓷,使这种具有优异性能的传统荧光粉能够在X-CT、与CCD耦合的大面积X射线成像领域得到应用,就引发本发明的目的。
发明内容
本发明的目的在于采用真空或氢气中无压烧结制备一种具有高密度、高光输出的红光氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料。
本发明制备的三价铕掺杂氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料,其通式表示为:Gd2-2x-2yEu2yHf2xO3+x;其中,0.10<x<0.40;0<y<0.1。该透明陶瓷闪烁材料具有高光输出、高密度,发光的峰值为612nm位于硅光电二极管和CCD感光敏感区,在X-CT成像和与CCD耦合大面积成像领域具有重要应用价值。
本发明使用的粉料为具有立方萤石结构的纳米粉体。
可采用利用甘氨酸与金属硝酸盐溶液燃烧合成方法制备纳米粉料,具体步骤和工艺参数采用中国发明专利“一种铪酸镧基透明陶瓷及其制备方法”,申请号:200410053428.9,发明人:吉亚明、蒋丹宇、施剑林。
本发明提供的三价铕掺杂氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷包括粉料的合成、干压或冷等静压成型,真空或氢气中无压烧结等工艺。烧结过程的特征在于:
(1)采用真空烧结工艺,真空度大于10-3Pa。
(2)烧结的气氛为真空流动的氢气;压力为常压。
(3)采用干压或等静压成型。
(4)在1600-1900℃保温2-10小时,随炉冷却。
(5)烧结的陶瓷样品需在空气或氧气气氛中1200-1300℃退火2-4小时。退火气氛为空气或氧气,升温速率为3-5℃/分钟,样品随炉冷却。
本发明的结构由X射线衍射仪确定,用扫描电镜检测样品的微结构,用分光光度计测定其透过率,用荧光光谱器测定其发射光谱,发光的相对强度为紫外激发下的强度与Lu2O3:5%Eu闪烁陶瓷的发光强度(100)相比。
通过燃烧法合成了具有立方萤石结构(图1)的HfO2-Gd2O3:Eu纳米粉体(图2),合成的粉体具有高的烧结活性,通过氢气中无压条件下烧结工艺首次成功制得具有良好透明性的HfO2-Gd2O3:Eu陶瓷(图3),经抛光1mm厚的试样在可见光波段的最高透过率高于70%,发光波长为612nm(图4)。晶粒的平均尺寸~500nm,但陶瓷的微结构中未检测到气孔(图5),具有典型的透明陶瓷的微结构特征。
本发明提供的HfO2-Lu2O3:Eu透明陶瓷闪烁材料的特点是:
(1)HfO2-Lu2O3:Eu陶瓷在可见光波段为透明,在发光波段(~612nm)具有高的透过率。
(2)HfO2-Lu2O3:Eu透明陶瓷具有高密度、高有效原子序数和高X射线吸收能力。
(3)HfO2-Lu2O3:Eu透明陶瓷具有高的光输出,发光波段为红光位于~612nm,位于硅光电二极管和CCD的光敏感波段。
附图说明
图1是合成Gd1.48Eu0.02Hf0.5O3.25粉体的X射线衍射谱,表明其为立方萤石结构。
图2合成起始粉料的TEM图,表明合成的粉体具有纳米结构。
图3是直径为1.5cm,厚度为1mm经抛光的透明Gd1.48Eu0.02Hf0.5O3.25陶瓷样品,表明其在可见光光波段是透明的。
图4厚度为1mm经抛光的透明Gd1.48Eu0.02Hf0.5O3.25陶瓷在可见光波段的透过率曲线(a)和发光光谱(b),横坐标为波长,纵坐标透过率和发光强度。
图5是陶瓷烧结体的显微结构,晶粒~500nm,扫描电镜下没有观察到气孔。
具体实施方式
下面通过实施例进一步阐明本发明实质性的特点和显著的进步,然而本发明绝非仅局限于所述的实施例。
实施例1
采用燃烧法合成的组成为Gd1.48Eu0.02Hf0.5O3.25的高烧结活性的纳米粉体经等静压或干压成型后在1850℃氢气气氛中保温6个小时。得到的陶瓷制品在1200℃空气中退火2个小时,升温的速度为3℃/分钟,样品随炉冷却。
得到陶瓷的性能为:
化学组成                Gd1.48Eu0.02Hf0.5O3.25
相对密度                >99.9%
发光波长                612nm
可见光最大透过率        >70%
发光相对强度            32
实施例2
组成为Gd1.46Eu0.04Hf0.5O3.25的高烧结活性的纳米粉体经等静压或干压成型后在1850℃氢气气氛中保温6个小时。得到的陶瓷制品在1200℃空气中退火2个小时,升温的速度为3℃/分钟,样品随炉冷却。
得到陶瓷的性能为:
化学组成                Gd1.46Eu0.04Hf0.5O3.25
相对密度                >99.9%
发光波长                612nm
可见光最大透过率        >70%
发光相对强度            36
实施例3
组成为Gd1.44Eu0.06Hf0.5O3.25的高烧结活性的纳米粉体经等静压或干压成型后在1850℃氢气气氛中保温6个小时。得到的陶瓷制品在1200℃空气中退火2个小时,升温的速度为3℃/分钟,样品随炉冷却。
得到陶瓷的性能为:
化学组成:            Gd1.44Eu0.06Hf0.5O3.25
相对密度              >99.9%
发光波长              612nm
可见光最大透过率      >70%
发光相对强度          50
实施例4
组成为Gd1.4Eu0.1Hf0.5O3.25的高烧结活性的纳米粉体经等静压或干压成型后在1850℃氢气气氛中保温6个小时。得到的陶瓷制品在1200℃空气中退火2个小时,升温的速度为3℃/分钟,样品随炉冷却。
得到陶瓷的性能为:
化学组成            Gd1.4Eu0.1Hf0.5O3.25
相对密度            >99.9%
发光波长            612nm
可见光最大透过率    >70%
发光相对强度        85
实施例5
组成为Gd1.3Eu0.1Hf0.6O3.3的高烧结活性的纳米粉体经等静压或干压成型后在1850℃氢气气氛中保温6个小时。得到的陶瓷制品在1200℃空气中退火2个小时,升温的速度为3℃/分钟,样品随炉冷却。
得到陶瓷的性能为:
化学组成:            Gd1.3Eu0.1Hf0.6O3.3
相对密度              >99.5%
发光波长              612nm
可见光最大透过率      >30%
发光相对强度          20
实施例6
组成为Gd1.58Eu0.02Hf0.4O3.2的高烧结活性的纳米粉体经等静压或干压成型后在1800℃氢气气氛中保温9个小时。得到的陶瓷制品在1200℃空气中退火2个小时,升温的速度为3℃/分钟,样品随炉冷却。
化学组成:            Gd1.58Eu0.02Hf0.4O3.2
相对密度              >99.5%
发光波长              612nm
可见光最大透过率      >60%
发光相对强度          40。

Claims (5)

1.氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料,其特征为化学组成为Gd2-2x-2yEu2yHf2xO3+x;其中,0.10<x<0.40,0<y<0.1。
2.按权利要求1所述的氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料的制备方法,包括粉料的成型,烧结,退火工艺步骤,其特征在于:
(1)采用高烧结活性的Gd2-2x-2yEu2yHf2xO3+x纳米粉料;
(2)采用真空烧结或流动的氢气中无压烧结;
(3)在1600-1900℃保温2-10小时,随炉冷却;
(4)烧结的陶瓷样品在空气或氧气气氛中退火。
3.按权利要求2所述的氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料的制备方法,其特征在于真空烧结的真空度大于10-3Pa。
4.按权利要求2或3所述的氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料的制备方法,其特征在于退火条件为1200-1300℃退火2-4小时,升温速率为3-5℃/分钟,样品随炉冷却。
5.按权利要求1所述的氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料用于X-CT探测器和与CCD耦合的大面积X射线成像领域。
CNB2005100258137A 2005-05-13 2005-05-13 氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料及其制备方法和用途 Expired - Fee Related CN100391896C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005100258137A CN100391896C (zh) 2005-05-13 2005-05-13 氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料及其制备方法和用途

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005100258137A CN100391896C (zh) 2005-05-13 2005-05-13 氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料及其制备方法和用途

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1800092A CN1800092A (zh) 2006-07-12
CN100391896C true CN100391896C (zh) 2008-06-04

Family

ID=36810353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100258137A Expired - Fee Related CN100391896C (zh) 2005-05-13 2005-05-13 氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料及其制备方法和用途

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100391896C (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101665694B (zh) * 2009-09-18 2012-11-28 华东师范大学 立方相的固溶体闪烁材料及其制备方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007022048A1 (de) * 2007-05-08 2008-11-20 Schott Ag Optokeramiken, daraus hergegestellte optische Elemente bzw. deren Verwendung sowie Abbildungsoptik
CN101247021B (zh) * 2007-08-24 2012-02-15 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种固体热容激光器用透明陶瓷激光材料及其制备方法
WO2010078220A2 (en) 2008-12-30 2010-07-08 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Scintillation device and method of producing a ceramic scintillator body
WO2010078223A2 (en) 2008-12-30 2010-07-08 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Ceramic scintillator body and scintillation device
CN102650076A (zh) * 2011-02-28 2012-08-29 上海硅酸盐研究所中试基地 一种生长氟氯化铅晶体的方法及该方法所得晶体的应用
CN104178153A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 铕铽掺杂二氧化铪基的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1064260A (zh) * 1991-02-19 1992-09-09 陶氏化学公司 用无压或低压气体烧结法制备的致密自增强氮化硅陶瓷
CN1198780A (zh) * 1995-10-02 1998-11-11 陶氏化学公司 陶瓷-陶瓷和陶瓷-金属复合材料的一步合成与致密化
US6258467B1 (en) * 2000-08-17 2001-07-10 Siemens Westinghouse Power Corporation Thermal barrier coating having high phase stability
JP2002050536A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Murata Mfg Co Ltd 耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
CN1495235A (zh) * 2002-08-21 2004-05-12 联合工艺公司 具有低导热率的绝热涂层
CN1587187A (zh) * 2004-08-04 2005-03-02 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种铪酸镧基透明陶瓷及其制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1064260A (zh) * 1991-02-19 1992-09-09 陶氏化学公司 用无压或低压气体烧结法制备的致密自增强氮化硅陶瓷
CN1198780A (zh) * 1995-10-02 1998-11-11 陶氏化学公司 陶瓷-陶瓷和陶瓷-金属复合材料的一步合成与致密化
JP2002050536A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Murata Mfg Co Ltd 耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
US6258467B1 (en) * 2000-08-17 2001-07-10 Siemens Westinghouse Power Corporation Thermal barrier coating having high phase stability
CN1495235A (zh) * 2002-08-21 2004-05-12 联合工艺公司 具有低导热率的绝热涂层
CN1587187A (zh) * 2004-08-04 2005-03-02 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种铪酸镧基透明陶瓷及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101665694B (zh) * 2009-09-18 2012-11-28 华东师范大学 立方相的固溶体闪烁材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1800092A (zh) 2006-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100391896C (zh) 氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料及其制备方法和用途
Wen et al. Synthesis of nanocrystalline yttria powder and fabrication of transparent YAG ceramics
Ikesue et al. Synthesis of Nd3+, Cr3+‐codoped YAG ceramics for high‐efficiency solid‐state lasers
CN103396121B (zh) 一种具有石榴石结构的新型透明闪烁陶瓷及其制备方法
Shi et al. Processing and scintillation properties of Eu3+ doped Lu2O3 transparent ceramics
Chen et al. Fabrication and photoluminescence characteristics of Eu3+‐doped Lu2O3 transparent ceramics
Sun et al. Production and optical properties of Ce3+‐activated and Lu3+‐stabilized transparent gadolinium aluminate garnet ceramics
CN107935581B (zh) 两相均匀分布的复合石榴石闪烁陶瓷及其制备方法
CN101560102B (zh) C掺杂α-Al2O3透明陶瓷热释光和光释光材料的制备方法
CN102815941B (zh) 稀土离子掺杂锆酸镧钆透明陶瓷材料及其制备方法
JP2008143726A (ja) 多結晶透明y2o3セラミックス及びその製造方法
CN102674838B (zh) Eu3+和Ce3+共掺氧化镧钇闪烁透明陶瓷材料的制备方法
CN101628811A (zh) 透明陶瓷及其制备方法
CN101665695A (zh) Pr3+掺杂(YXLa1-X)2O3发光材料制备方法
Zhao et al. Vacuum sintering of highly transparent La1. 28Yb1. 28Zr2O7. 84 ceramic using nanosized raw powders
CN106867523A (zh) 一种多孔长余辉发光材料及制备方法
Xie et al. Eu: Lu2O3 transparent ceramics fabricated by vacuum sintering of co-precipitated nanopowders
CN101580393A (zh) 一种铪酸钇透明陶瓷的制备方法
CN1289439C (zh) 一种铪酸镧基透明陶瓷及其制备方法
CN1256300C (zh) 一种氧化钇基透明陶瓷材料的制备方法
US7329370B2 (en) Transparent polycrystalline ceramic scintillators and methods of preparing the same
CN100358834C (zh) 一种高光输出快衰减闪烁陶瓷及其制备方法
CN102815945B (zh) 锆酸镧钆透明陶瓷材料及其制备方法
CN106588014B (zh) 一种发光增强的Tm3+掺杂氧化镥基透明陶瓷及制备方法
CN110550945B (zh) 一种LuAG:Ce透明陶瓷的制备方法及LuAG:Ce透明陶瓷

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NINGBO YUNSHENG PHOTO-COMMUNICATION TECHNOLOGY CO.

Free format text: FORMER OWNER: SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

Effective date: 20100604

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 200050 NO.1295, DINGXI ROAD, SHANGHAI CITY TO: 315000 NO.1, YANGFAN ROAD, NATIONAL NEW+HIGH-TECH ZONE, NINGBO CITY

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20100604

Address after: 315000, No. 1, sailing Road, Ningbo national hi tech Zone

Patentee after: Ningbo Yunsheng Photo-Communication Technology Co. Ltd.

Address before: 1295 Dingxi Road, Shanghai, No. 200050

Patentee before: Shanghai Silicates Institute, the Chinese Academy of Sciences

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080604

Termination date: 20190513

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee