JPS5864274A - 窒化けい素の焼結方法 - Google Patents
窒化けい素の焼結方法Info
- Publication number
- JPS5864274A JPS5864274A JP56163278A JP16327881A JPS5864274A JP S5864274 A JPS5864274 A JP S5864274A JP 56163278 A JP56163278 A JP 56163278A JP 16327881 A JP16327881 A JP 16327881A JP S5864274 A JPS5864274 A JP S5864274A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintering
- atmosphere
- silicon nitride
- atm
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高温強度が高く、高密度を有する窒化けい素
焼給体を得る丸めの窒化けい素の焼結方法に関するもの
である。
焼給体を得る丸めの窒化けい素の焼結方法に関するもの
である。
最近セラミックス材料、特に耐熱性材料としてのセラミ
ックスの開発が盛んに行われており、なかでも高１ｋに
おいて安定な耐熱性物質である共有結合性化合物、特に
’ｌｌ化ゆい素（Ｓｉ、Ｎ４）が非常′にすぐれ丸材料
であることが知られている。
ックスの開発が盛んに行われており、なかでも高１ｋに
おいて安定な耐熱性物質である共有結合性化合物、特に
’ｌｌ化ゆい素（Ｓｉ、Ｎ４）が非常′にすぐれ丸材料
であることが知られている。
一般にセラミックスは、＃Ｎセラミックス粉末を成形焼
結して使用されるものであるが、５１ｇＮ４の場合は、
一般の酸化物セラミックスと異なり、難焼結性物質であ
るため、単独組成たとえばＳｉ ＩＮ４粉末のみを焼結
しても緻密な焼結一体を得ることけ困難である。
結して使用されるものであるが、５１ｇＮ４の場合は、
一般の酸化物セラミックスと異なり、難焼結性物質であ
るため、単独組成たとえばＳｉ ＩＮ４粉末のみを焼結
しても緻密な焼結一体を得ることけ困難である。
コ１２） ＊ Ｊ６ Ｓｔ、Ｎ４粉、ｔ４Ｄ場合＆ ト
Ｋ ＦｉＭｇＯ，Ａｚ、ｏ、 。
Ｋ ＦｉＭｇＯ，Ａｚ、ｏ、 。
Ｙ２Ｏ２ｅ ＣｅＯ２、ＢｅＯなどの酸化物粉末を焼結
助剤として添加して焼結することが行われている。
助剤として添加して焼結することが行われている。
しかしてこのような焼結助剤を加えた別ａＮ４粉末を使
用して辿常行われているプレス成形をして真空あるいは
常圧で加熱焼結する方法は、焼結コストが低く工業的に
有用ではあるが、Ｓ輸Ｎ、焼結体に微孔がそのまま残存
するので高密度の焼結体を得ることは困難である。
用して辿常行われているプレス成形をして真空あるいは
常圧で加熱焼結する方法は、焼結コストが低く工業的に
有用ではあるが、Ｓ輸Ｎ、焼結体に微孔がそのまま残存
するので高密度の焼結体を得ることは困難である。
これに対して、高配下で加圧しながら焼結するホットプ
レス＆ハ、より緻密な焼結体を得ることはできるが、高
温において強度低下が生ずる欠点があり、また焼結コス
トが高くつくという難点がある。
レス＆ハ、より緻密な焼結体を得ることはできるが、高
温において強度低下が生ずる欠点があり、また焼結コス
トが高くつくという難点がある。
この高温における強度低下は、焼結助剤の添加により５
ｉｌＮ４の粉末界面に低融点物質か生成することによる
ものであると考えられ、焼結助剤を使用する場合は不可
避である。
ｉｌＮ４の粉末界面に低融点物質か生成することによる
ものであると考えられ、焼結助剤を使用する場合は不可
避である。
さらＫｆ＃：、結助剤の混合割合を減少し、あるいは焼
結助剤を添加せずに高圧ガス雰ａＸ中で焼結し九り、爆
発成型などで粉末に瞬間的に高圧を加えて粉砕し九のち
、焼結するなどの方法が試みられているが、何れの方法
も焼結コストが高く、また高温強度の敏下現象が伐る欠
点があり、工柴的な方法としてｔＬ功していない。
結助剤を添加せずに高圧ガス雰ａＸ中で焼結し九り、爆
発成型などで粉末に瞬間的に高圧を加えて粉砕し九のち
、焼結するなどの方法が試みられているが、何れの方法
も焼結コストが高く、また高温強度の敏下現象が伐る欠
点があり、工柴的な方法としてｔＬ功していない。
本発明者らは上記のＪ：ＬＫ鑑みて焼結助剤を用いなが
ら高温強度、高密度の５ｌＩＮ４焼結体を得るＳｉ、Ｎ
４粉本の焼結法について、けい素以外の各柚査鵬鹸化物
を添加し九５ｉｓＮ４粉末をプレス成形し友のち、真空
、減圧あるいは加圧などの各種の雰囲気および麺皮など
焼結条件を変化させて焼結を行って試験を繰返した結果
、この発明に至ったものである。
ら高温強度、高密度の５ｌＩＮ４焼結体を得るＳｉ、Ｎ
４粉本の焼結法について、けい素以外の各柚査鵬鹸化物
を添加し九５ｉｓＮ４粉末をプレス成形し友のち、真空
、減圧あるいは加圧などの各種の雰囲気および麺皮など
焼結条件を変化させて焼結を行って試験を繰返した結果
、この発明に至ったものである。
卸ち、こＯ発ｌｊ１は焼結助剤としてＳｉＯ□以外のＭ
ｇＯ，Ａ１．２０Ｂ、 Ｚｒ０１などの金属鹸化物を添
加したＳｉ、Ｎ４粉末の成形体を焼結するに際して焼結
温度に達するまでの昇温過程の雰囲気を１１０−８ａｔ
以下の真空雰囲気から１０−′〜Ｇ、９ａｔｍの減圧窒
素雰囲気、ついて１ ａｔｍ以上の加圧室ＪＩ！雰囲気
と段階的にかえて焼結することを特徴とするものであり
、これによって前記焼結体特性の欠点卸ち、高温特性の
劣化を解消し、高密度で高温強度にすぐれたＳｉ＠Ｎ４
焼結体が得られるのである。
ｇＯ，Ａ１．２０Ｂ、 Ｚｒ０１などの金属鹸化物を添
加したＳｉ、Ｎ４粉末の成形体を焼結するに際して焼結
温度に達するまでの昇温過程の雰囲気を１１０−８ａｔ
以下の真空雰囲気から１０−′〜Ｇ、９ａｔｍの減圧窒
素雰囲気、ついて１ ａｔｍ以上の加圧室ＪＩ！雰囲気
と段階的にかえて焼結することを特徴とするものであり
、これによって前記焼結体特性の欠点卸ち、高温特性の
劣化を解消し、高密度で高温強度にすぐれたＳｉ＠Ｎ４
焼結体が得られるのである。
以１この発明の焼結法を詐１１１１ｃ説用する。
即ち、けい素以外の全綱酸化物の少くとも１種以上を焼
結助剤とし゛［％加した窒化けい素粉末を成形体とした
のち、この成形体を焼結炉に装填して焼結するに際し、
焼結時の昇温過程を（１） ０〜１１００℃壕での４
ＪＳ１段階を１０−”ａｔｍ以上の真空雰囲気とする。
結助剤とし゛［％加した窒化けい素粉末を成形体とした
のち、この成形体を焼結炉に装填して焼結するに際し、
焼結時の昇温過程を（１） ０〜１１００℃壕での４
ＪＳ１段階を１０−”ａｔｍ以上の真空雰囲気とする。
（２）１１００〜１６００℃の第２段階を１０ 〜０９
ｉｔｍの窒豪分圧を有する減圧雰囲気とする。
ｉｔｍの窒豪分圧を有する減圧雰囲気とする。
（３１１６００〜２０００℃の＠８段階を１ ａｔｍ以
トの加圧窒素雰囲気とする。
トの加圧窒素雰囲気とする。
のｓ段階の雰囲気とするものであり、Ｃ１）の１０−’
ａｔｍ以下の真空雰囲気によって焼結助剤を含有するＳ
ｉ＠Ｎ４粉末成形体に吸着している酸素や水分を除去し
、（２）の段階で該Ｓ１．Ｎ４粉末成形体表向の酸化層
を除去するものであり、そして（３）の１ ａｔｍ以上
の加圧窒素雰囲気にてＳｉ３Ｈ４の分解を抑制しつつ焼
結を完結させるのである。
ａｔｍ以下の真空雰囲気によって焼結助剤を含有するＳ
ｉ＠Ｎ４粉末成形体に吸着している酸素や水分を除去し
、（２）の段階で該Ｓ１．Ｎ４粉末成形体表向の酸化層
を除去するものであり、そして（３）の１ ａｔｍ以上
の加圧窒素雰囲気にてＳｉ３Ｈ４の分解を抑制しつつ焼
結を完結させるのである。
しかしてＳｉ３Ｈ４の焼結Ｆｉ４１，２ｐｉ階の１１０
０〜１４ｉ ００ＣＫて大きく進行するのであし、その
時の雰囲気圧力はできるたけ小さい方か、焼結体中に微
孔が残存しない点から好ましい。
０〜１４ｉ ００ＣＫて大きく進行するのであし、その
時の雰囲気圧力はできるたけ小さい方か、焼結体中に微
孔が残存しない点から好ましい。
またこの第２段ＦＩｋＫおける１ ０４〜０．９ ａｔ
ｍ １．） Ｂ圧雰−気−としては、Ｎ重ガス、Ｎ２＋
Ｈ２の混合ガスＮ１＋ＣＯの混合ガスあるいｔｉＮ！十
〇、＋ＣＯの混合ガスが有効である。
ｍ １．） Ｂ圧雰−気−としては、Ｎ重ガス、Ｎ２＋
Ｈ２の混合ガスＮ１＋ＣＯの混合ガスあるいｔｉＮ！十
〇、＋ＣＯの混合ガスが有効である。
第１図、第２図は上記に説明したこの発明の焼結工ＷＫ
おける雰囲気圧力と焼結時間、温度の関係を示したもの
であり、第１図（Ａ） Ｆｉ第２段階の減圧雰囲気ＫＮ
、＊スを用いたものの雰囲気圧力と焼結時ｍおよび第１
図（Ｂ） Ｖｉその場合の焼結温度と時間の関係を示し
、後述する実施例１に相当する鋺輿図である。
おける雰囲気圧力と焼結時間、温度の関係を示したもの
であり、第１図（Ａ） Ｆｉ第２段階の減圧雰囲気ＫＮ
、＊スを用いたものの雰囲気圧力と焼結時ｍおよび第１
図（Ｂ） Ｖｉその場合の焼結温度と時間の関係を示し
、後述する実施例１に相当する鋺輿図である。
そしテ電！ ＩＩ （Ａ）、（Ｂ）も第１図（Ａ）、（
１１）と同様の崗Ｏ＃を示すが、第２設階の減圧雰囲気
をＮ２カスとＣＯガスの混合ガス雰＠気としたもので後
述の実施例２に相当するｍ用図である。
１１）と同様の崗Ｏ＃を示すが、第２設階の減圧雰囲気
をＮ２カスとＣＯガスの混合ガス雰＠気としたもので後
述の実施例２に相当するｍ用図である。
ま友、この発明にで５ｉＩＮ、粉末に混合する焼結助剤
としてＨｌＳｉｎ、以外の金属酸化物でめれはよく、例
えば目ｅ Ｂ ｅ ｔ Ｍｇ ｅ ＡＺ ｅ ’ｒｌ
ｅ Ｃａ ｅ Ｙ ａ Ｚｒ ｅ ｈａ ＃Ｃｅなどの
酸化物の少くとも１ｆ（ｌ［以上が良好である。
としてＨｌＳｉｎ、以外の金属酸化物でめれはよく、例
えば目ｅ Ｂ ｅ ｔ Ｍｇ ｅ ＡＺ ｅ ’ｒｌ
ｅ Ｃａ ｅ Ｙ ａ Ｚｒ ｅ ｈａ ＃Ｃｅなどの
酸化物の少くとも１ｆ（ｌ［以上が良好である。
以下この発明を実施例により詳細に説明する。
実施例１
１型を９０ｇ６以上含むＳｉ３Ｎ２ （西独シュタルク
社製）ｌｏＯｆＫ対してＭｇ０５ ｆをボールミルで混
合し粉砕を行った。
社製）ｌｏＯｆＫ対してＭｇ０５ ｆをボールミルで混
合し粉砕を行った。
次いでこの粉末を２ ｔ、／ｃｉの圧力で擾さ５０■、
＃１ｉＩ２５園、厚さ１０ｍの＆に成形したのち、′焼
結炉に装填した。
＃１ｉＩ２５園、厚さ１０ｍの＆に成形したのち、′焼
結炉に装填した。
そして炉内を真空（１，８Ｘ １０−’ａｔｍ）にした
のち、昇温をけじめ１１００℃に達したところで流＠
６ ｔ／―でＮ、ガスを導入し、排気パルプを１１１ｉ
１ｑｋして０．６ａｔｍＫ設定し、さらに昇温をつづけ
、１６００℃に達したところで排気バルブを止め、ＮＬ
ガスを導入して雰囲気圧力を１０ａｔｍとし’７１１１
１８００℃まで昇温し九のち同温度に１時開保持して焼
結を行った。
のち、昇温をけじめ１１００℃に達したところで流＠
６ ｔ／―でＮ、ガスを導入し、排気パルプを１１１ｉ
１ｑｋして０．６ａｔｍＫ設定し、さらに昇温をつづけ
、１６００℃に達したところで排気バルブを止め、ＮＬ
ガスを導入して雰囲気圧力を１０ａｔｍとし’７１１１
１８００℃まで昇温し九のち同温度に１時開保持して焼
結を行った。
次いで炉内を１ｏＯＯ１１１：ｔで降温したのち、雰−
気圧力を１ａｔｍＫしてさらに降′Ｍをつづけた。
気圧力を１ａｔｍＫしてさらに降′Ｍをつづけた。
十分に冷却したのち焼結体を炉から取出し、得られた焼
結体の特性を―べたところ第１−ｋに示す結果を得え。
結体の特性を―べたところ第１−ｋに示す結果を得え。
なお比較例として実施例１と向じ粉末を用いて昇諷初胸
よ？） １ ａｉｍあるい＃ｉｌ （ｌ ａｔｍのＮ２
ガス雰−気で焼結したもの、および１１００ｔ：までは
真空、１１００℃以上を１０ ａｔｍのＮ２力°ス雰囲
気として焼結した焼結体を示し良。
よ？） １ ａｉｍあるい＃ｉｌ （ｌ ａｔｍのＮ２
ガス雰−気で焼結したもの、および１１００ｔ：までは
真空、１１００℃以上を１０ ａｔｍのＮ２力°ス雰囲
気として焼結した焼結体を示し良。
実施例２
実施例ＩＫおゆる流量６ｔ／―のＮ！ガスを導入Ｌテ（
Ｌ ６ ａｔｍ Ｋ１１ｋ’ｉｌＴ Ｊ）という１１０
０〜１６００’Ｃの舛ム過程を流量５７／廟のＮ２ガス
と流１に２ｔ／ｍのＨ，ガスを同時に導入して圧カ倉◎
、８ａｔｍＫ［定した以外ｔｉｔ夾施稠ｌと全く同様に
して焼結し、５ｉｌＮ４焼結体を得え。
Ｌ ６ ａｔｍ Ｋ１１ｋ’ｉｌＴ Ｊ）という１１０
０〜１６００’Ｃの舛ム過程を流量５７／廟のＮ２ガス
と流１に２ｔ／ｍのＨ，ガスを同時に導入して圧カ倉◎
、８ａｔｍＫ［定した以外ｔｉｔ夾施稠ｌと全く同様に
して焼結し、５ｉｌＮ４焼結体を得え。
その物性Ｆｉ第２表に示した。
第 ２ 表
上表の第１表、１Ｂ２表をみると実施例１に比べて綾索
含有蓋の低い実施例２の方が鳥湿曲げ１度も高くなるこ
とが―められた。
含有蓋の低い実施例２の方が鳥湿曲げ１度も高くなるこ
とが―められた。
第１図（Ａ）はこの発明の一実施例の焼結工程における
焼結雰囲気圧力と焼結時ｉ−のｌｌ係を示す図表、第１
図（Ｂ）は同じく焼結−灰と焼結時間の１佳を示す図表
、第２図（Ａ）は他の実施例としての焼結雰囲気圧力と
焼結時間の関係を示す図表、第２図（Ｂ） １ｉ１−し
く焼結温度と焼結時−の−係を下す図表である。 特許出願人 住友電気工業株式会社同
代理人 弁理士和１） 昭第１図（Ａ） 第１図（Ｂ） 所＠（Ｈ） 第２図（Ａ） 時開 （１−１） 第２図（Ｂ） 面間 （Ｈ） 昭和５７年 ９月２０日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５６年特許顧第１６３２７８号 ２、発明の名称 窒化けい素の焼結方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪市東区北浜５丁目１５番地名 称
（２１３）住友電気工業株式会社４、代理人 住 所 大阪市大淀区中津１丁目１８番１８号６、
補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 ’７−、−、 ルし・、 −二ｉ １、特許請求の範囲を別紙の通り訂正（−ます。 ２、明ｍ＠第５頁７行目 「焼結時の昇温過程を１を 「焼結時の昇温がら焼結児了１での過程？、例えば」と
訂正します。 ３、同第５頁１８行目 「除去するものであり、」と［そして１の間に次の文章
を挿入し１丁。 「かつ粒界組成金コントロールし、５ＩＢＮ４結Ｍ。 の粗大成長を抑制し均一化する効果がある。づらに柱状
晶成長のＣ軸／ａ軸比を大ならしめ締維強大の効果もあ
る。」 ４、同第５＠最下行の次に下記の文章全挿入（７１すＯ 「ｌａｔｍ以−ヒの加圧窒素雰囲気とけ、２〜１５０ａ
ｔｍの加圧雰囲気、 ２０００ａｔｍ程度の熱間静圧成
型（ＨＩ Ｐ）のいずれでもよい。」 ５、同第６頁４行１１と５行日の間に次の文章を挿入し
ます 「これらのことにより、気孔残存が少なく、密度向上刃
Ｉすれ強度強化が可能になる。」特許請求の範囲 （１） けい素板外の金属酸化物の１種またＶｉ２種
以上ｋｆｉ結助剤として添加した窒化けい素粉末の成形
体を焼結するに際し、昇温から焼結に至る過程の雰囲気
を真空雰囲気から減圧窒素雰囲気についで加圧窒素雰囲
気と段階的にかえて焼結することを特徴とする窒化けい
素の焼結方法。 （２）真空雰囲気が１００−８ａｔ以下であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の窒化けい素の焼結
方法。 （３）減圧窒素雰囲気が窒素分圧１０−３〜０．９ａｔ
ｍであることを特徴とする特許請求の範囲第１工自ｎ己
載の窒化けい素の焼結方法。 （４）加圧窒素雰囲気がｌａｔｍ以上であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項ｍｌ賊の窒化けい素の焼結
方法。 （５）焼結助剤がＳｉ以外のＬＬ Ｂｅ、 Ｍｇ、 Ａ
／、Ｃａ、 Ｔｉ、 Ｙ、 Ｚｒ。 Ｂａ、Ｃｅ等の全域の酸化物であることを特徴とする特
許請求の範囲＠ １ ｆｔ４記載の窒化けい素の＃結方
法・・
焼結雰囲気圧力と焼結時ｉ−のｌｌ係を示す図表、第１
図（Ｂ）は同じく焼結−灰と焼結時間の１佳を示す図表
、第２図（Ａ）は他の実施例としての焼結雰囲気圧力と
焼結時間の関係を示す図表、第２図（Ｂ） １ｉ１−し
く焼結温度と焼結時−の−係を下す図表である。 特許出願人 住友電気工業株式会社同
代理人 弁理士和１） 昭第１図（Ａ） 第１図（Ｂ） 所＠（Ｈ） 第２図（Ａ） 時開 （１−１） 第２図（Ｂ） 面間 （Ｈ） 昭和５７年 ９月２０日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５６年特許顧第１６３２７８号 ２、発明の名称 窒化けい素の焼結方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪市東区北浜５丁目１５番地名 称
（２１３）住友電気工業株式会社４、代理人 住 所 大阪市大淀区中津１丁目１８番１８号６、
補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 ’７−、−、 ルし・、 −二ｉ １、特許請求の範囲を別紙の通り訂正（−ます。 ２、明ｍ＠第５頁７行目 「焼結時の昇温過程を１を 「焼結時の昇温がら焼結児了１での過程？、例えば」と
訂正します。 ３、同第５頁１８行目 「除去するものであり、」と［そして１の間に次の文章
を挿入し１丁。 「かつ粒界組成金コントロールし、５ＩＢＮ４結Ｍ。 の粗大成長を抑制し均一化する効果がある。づらに柱状
晶成長のＣ軸／ａ軸比を大ならしめ締維強大の効果もあ
る。」 ４、同第５＠最下行の次に下記の文章全挿入（７１すＯ 「ｌａｔｍ以−ヒの加圧窒素雰囲気とけ、２〜１５０ａ
ｔｍの加圧雰囲気、 ２０００ａｔｍ程度の熱間静圧成
型（ＨＩ Ｐ）のいずれでもよい。」 ５、同第６頁４行１１と５行日の間に次の文章を挿入し
ます 「これらのことにより、気孔残存が少なく、密度向上刃
Ｉすれ強度強化が可能になる。」特許請求の範囲 （１） けい素板外の金属酸化物の１種またＶｉ２種
以上ｋｆｉ結助剤として添加した窒化けい素粉末の成形
体を焼結するに際し、昇温から焼結に至る過程の雰囲気
を真空雰囲気から減圧窒素雰囲気についで加圧窒素雰囲
気と段階的にかえて焼結することを特徴とする窒化けい
素の焼結方法。 （２）真空雰囲気が１００−８ａｔ以下であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の窒化けい素の焼結
方法。 （３）減圧窒素雰囲気が窒素分圧１０−３〜０．９ａｔ
ｍであることを特徴とする特許請求の範囲第１工自ｎ己
載の窒化けい素の焼結方法。 （４）加圧窒素雰囲気がｌａｔｍ以上であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項ｍｌ賊の窒化けい素の焼結
方法。 （５）焼結助剤がＳｉ以外のＬＬ Ｂｅ、 Ｍｇ、 Ａ
／、Ｃａ、 Ｔｉ、 Ｙ、 Ｚｒ。 Ｂａ、Ｃｅ等の全域の酸化物であることを特徴とする特
許請求の範囲＠ １ ｆｔ４記載の窒化けい素の＃結方
法・・
Claims (3)
- （１）けい素以外の金属酸化物の１種また＃′ｉ２ｍ以
上を焼結助剤として添加した窒化ゆい素粉束の成形体を
焼結するに際し、焼結温度に達するまでの昇温過程の雰
囲気を真空雰囲気から減圧窒素雰囲気ついで加圧窒素雰
囲気と段階的Ｋかえて焼結することを特徴とする窒化け
い素の焼結方法。 - （２）真空雰囲気が１０””ａｔｍ以下であることを特
徴とする特許ｖＩ求の範囲第１ｒｊ４記載の窒化けい素
の焼結方法。 - （３） 減圧窒素雰囲気が窒素分圧１０−”〜０．９
ａｔｍであることを特徴とする特ｉｓ求の範囲第１項記
載の窒化けい素の焼結方法。 素の焼結方法。 （＆） 焼結助剤がＳｉ以外のＬ＋、 Ｂｅ、 Ｍｇ
、 Ａｊ、 Ｃａ。 Ｔｉ ＊ Ｙｅ Ｚｒ ＊ Ｂｉ ｅ Ｃｅ ｑＩの金
属の酸化物であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の窒化けい素の焼結方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56163278A JPS5864274A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 窒化けい素の焼結方法 |
| DE8282305421T DE3266050D1 (en) | 1981-10-12 | 1982-10-12 | Method for sintering silicon nitride |
| EP19820305421 EP0079678B1 (en) | 1981-10-12 | 1982-10-12 | Method for sintering silicon nitride |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56163278A JPS5864274A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 窒化けい素の焼結方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5864274A true JPS5864274A (ja) | 1983-04-16 |
| JPH021793B2 JPH021793B2 (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=15770767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56163278A Granted JPS5864274A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 窒化けい素の焼結方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5864274A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60171268A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-09-04 | トヨタ自動車株式会社 | 窒化珪素焼結体の製造方法 |
| US4883776A (en) * | 1988-01-27 | 1989-11-28 | The Dow Chemical Company | Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness and a method of preparing the same |
| US4919689A (en) * | 1988-01-27 | 1990-04-24 | The Dow Chemical Company | Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness |
| US5021372A (en) * | 1988-01-27 | 1991-06-04 | The Dow Chemical Company | Method of preparing a self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness |
| US5091347A (en) * | 1990-08-15 | 1992-02-25 | The Dow Chemical Company | Self-reinforced silicon nitride ceramic body and a method of preparing the same |
| US5098449A (en) * | 1990-08-24 | 1992-03-24 | The Dow Chemical Company | Self-reinforced silicon nitride ceramic with crystalline grain boundary phase, and a method of preparing the same |
| US5120328A (en) * | 1988-01-27 | 1992-06-09 | The Dow Chemical Company | Dense, self-reinforced silicon nitride ceramic prepared by pressureless or low pressure gas sintering |
| US5160508A (en) * | 1988-01-27 | 1992-11-03 | The Dow Chemical Company | Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness |
| US5312785A (en) * | 1993-05-18 | 1994-05-17 | The Dow Chemical Company | Sintered self-reinforced silicon nitride |
-
1981
- 1981-10-12 JP JP56163278A patent/JPS5864274A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60171268A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-09-04 | トヨタ自動車株式会社 | 窒化珪素焼結体の製造方法 |
| US4883776A (en) * | 1988-01-27 | 1989-11-28 | The Dow Chemical Company | Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness and a method of preparing the same |
| US4919689A (en) * | 1988-01-27 | 1990-04-24 | The Dow Chemical Company | Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness |
| US5021372A (en) * | 1988-01-27 | 1991-06-04 | The Dow Chemical Company | Method of preparing a self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness |
| US5118645A (en) * | 1988-01-27 | 1992-06-02 | The Dow Chemical Company | Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness and a method of preparing the same |
| US5120328A (en) * | 1988-01-27 | 1992-06-09 | The Dow Chemical Company | Dense, self-reinforced silicon nitride ceramic prepared by pressureless or low pressure gas sintering |
| US5160508A (en) * | 1988-01-27 | 1992-11-03 | The Dow Chemical Company | Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness |
| US5091347A (en) * | 1990-08-15 | 1992-02-25 | The Dow Chemical Company | Self-reinforced silicon nitride ceramic body and a method of preparing the same |
| US5098449A (en) * | 1990-08-24 | 1992-03-24 | The Dow Chemical Company | Self-reinforced silicon nitride ceramic with crystalline grain boundary phase, and a method of preparing the same |
| US5312785A (en) * | 1993-05-18 | 1994-05-17 | The Dow Chemical Company | Sintered self-reinforced silicon nitride |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH021793B2 (ja) | 1990-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5864274A (ja) | 窒化けい素の焼結方法 | |
| JPS6152108B2 (ja) | ||
| JPS5860677A (ja) | 高靭性窒化珪素焼結体の製造法 | |
| JP2507479B2 (ja) | ＳｉＣ−Ａｌ▲下２▼Ｏ▲下３▼複合焼結体及びその製造法 | |
| JP2507480B2 (ja) | ＳｉＣ−Ａｌ▲下２▼Ｏ▲下３▼複合焼結体及びその製造法 | |
| JP2773439B2 (ja) | 炭化珪素含有窒化珪素複合体の製造方法 | |
| CN107056289A (zh) | 一种聚碳硅烷制备SiC基纳米复合陶瓷的方法及其应用 | |
| KR102012442B1 (ko) | 고인성 산화물 소결체의 제조 방법 | |
| JP2673523B2 (ja) | 切削工具用アルミナ質焼結体及びその製法 | |
| JPS6337060B2 (ja) | ||
| JPH0224790B2 (ja) | ||
| JPS6245194B2 (ja) | ||
| JPH05140613A (ja) | タングステン焼結体の製造方法 | |
| JPH05117032A (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
| JPH07247168A (ja) | 窒化珪素反応焼結体の製造方法 | |
| JPH07115927B2 (ja) | ＳｉＣ基セラミツクスとその製造方法 | |
| JPH06287064A (ja) | 窒化ケイ素系焼結体およびその製造方法 | |
| JP3115011B2 (ja) | チタン基複合材の製造方法 | |
| JPH0733291B2 (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
| JPH06345535A (ja) | 窒化ケイ素質焼結体の製造方法 | |
| CN114481115A (zh) | 一种硬质合金复合涂层及其制备方法 | |
| JP2706304B2 (ja) | 窒化けい素焼結体の製造方法 | |
| JPH03164472A (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
| JP2000095568A (ja) | バルク状Ｓｉ−Ｃ−Ｎ系セラミックス材料とその製造 方法 | |
| CN112030028A (zh) | 氧化铝基金属复合陶瓷及制备方法、氧化铝基金属复合陶瓷骨植入假体及应用 |