JPH0987036A - 窒化ケイ素焼結体とその製造方法 - Google Patents
窒化ケイ素焼結体とその製造方法Info
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- JPH0987036A JPH0987036A JP7269487A JP26948795A JPH0987036A JP H0987036 A JPH0987036 A JP H0987036A JP 7269487 A JP7269487 A JP 7269487A JP 26948795 A JP26948795 A JP 26948795A JP H0987036 A JPH0987036 A JP H0987036A
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 71
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims abstract description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 28
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 12
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 11
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高強度の表面を有する窒化ケイ素焼結体を得
る。 【解決手段】 窒化ケイ素を主成分とし、アルミニウム
（Al），イツトリウム（Y ），タンタル（Ta）の酸化物
または窒化物の少なくとも１種を含む粉末から成形体を
成形し、成形体を焼結する。成形体の表面をケイ素粉末
により被覆し、窒素を含有する雰囲気中で焼成する。窒
化ケイ素焼結体の表面近傍部、つまり表面から深さが０
〜５００μｍの表層部に含まれるアルミニウム成分の含
有率εA に対する、表面から深さが５００〜１０００μ
ｍの内層部に含まれるアルミニウム成分の含有率εB の
割合（εA/εB） を１．５以下にする。
る。 【解決手段】 窒化ケイ素を主成分とし、アルミニウム
（Al），イツトリウム（Y ），タンタル（Ta）の酸化物
または窒化物の少なくとも１種を含む粉末から成形体を
成形し、成形体を焼結する。成形体の表面をケイ素粉末
により被覆し、窒素を含有する雰囲気中で焼成する。窒
化ケイ素焼結体の表面近傍部、つまり表面から深さが０
〜５００μｍの表層部に含まれるアルミニウム成分の含
有率εA に対する、表面から深さが５００〜１０００μ
ｍの内層部に含まれるアルミニウム成分の含有率εB の
割合（εA/εB） を１．５以下にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は安価なケイ素（Si）
粉末を主原料とする、高強度の表面を備えた窒化ケイ素
焼結体とその製造方法に関するものである。
粉末を主原料とする、高強度の表面を備えた窒化ケイ素
焼結体とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】特開平６−３４５５３６号公報には、窒
化ケイ素焼結体の焼成面の強度向上法として、焼成時に
窒化ケイ素（Si3N4） の粉末、Si3N4+Siの粉末、または
Si3N4+Y2O3+Al2O3の粉末をつめ粉（坩堝と成形体との空
間に充填するもの）として用いて焼成を行うことが開示
されている。しかし、窒化ケイ素（Si3N4） 粉末やSi3N
4+Si粉末を用いると、成形体中の焼結助剤成分がつめ粉
としての窒化ケイ素（Si3N4） 粉末の内部へ拡散してし
まい、焼成体の焼結が促進されず、密度が低いものにな
り、強度もあまり望めない。また、Si3N4+Y2O3+Al2O3の
粉末を用いると、つめ粉自身が焼結しやすく、焼結した
つめ粉が焼成体の表面に付着し、焼成体の表面を粗くし
てしまう。
化ケイ素焼結体の焼成面の強度向上法として、焼成時に
窒化ケイ素（Si3N4） の粉末、Si3N4+Siの粉末、または
Si3N4+Y2O3+Al2O3の粉末をつめ粉（坩堝と成形体との空
間に充填するもの）として用いて焼成を行うことが開示
されている。しかし、窒化ケイ素（Si3N4） 粉末やSi3N
4+Si粉末を用いると、成形体中の焼結助剤成分がつめ粉
としての窒化ケイ素（Si3N4） 粉末の内部へ拡散してし
まい、焼成体の焼結が促進されず、密度が低いものにな
り、強度もあまり望めない。また、Si3N4+Y2O3+Al2O3の
粉末を用いると、つめ粉自身が焼結しやすく、焼結した
つめ粉が焼成体の表面に付着し、焼成体の表面を粗くし
てしまう。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は上述の
ような問題がなく、安価なケイ素を主原料とし、高強度
の窒化ケイ素の表面が得られる窒化ケイ素焼結体とその
製造方法を提供することにある。
ような問題がなく、安価なケイ素を主原料とし、高強度
の窒化ケイ素の表面が得られる窒化ケイ素焼結体とその
製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は窒化ケイ素を主成分とし、アルミニウム
（Al），イツトリウム（Y ），鉄（Fe），タンタル（T
a）の酸化物または窒化物の少なくとも１種を含む窒化
ケイ素焼結体であつて、窒化ケイ素焼結体の表面からの
深さ０〜５００μｍの層に含まれるアルミニウム成分の
含有率εA に対する窒化ケイ素焼結体の表面から深さ５
００〜１０００μｍの層に含まれるアルミニウム成分の
含有率εB の割合εA/εB が１．５以下であることを特
徴とする。
に、本発明は窒化ケイ素を主成分とし、アルミニウム
（Al），イツトリウム（Y ），鉄（Fe），タンタル（T
a）の酸化物または窒化物の少なくとも１種を含む窒化
ケイ素焼結体であつて、窒化ケイ素焼結体の表面からの
深さ０〜５００μｍの層に含まれるアルミニウム成分の
含有率εA に対する窒化ケイ素焼結体の表面から深さ５
００〜１０００μｍの層に含まれるアルミニウム成分の
含有率εB の割合εA/εB が１．５以下であることを特
徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明では、窒化ケイ素焼結体の
主原料として安価なケイ素（Si）粉末を用い、焼結助剤
としてアルミニウム（Al），イツトリウム（Y ）などを
用いて成形体を成形し、該成形体を焼結する際に、予め
焼結助剤の蒸発を抑制する粉末、特にケイ素粉末で成形
体を被覆したうえ焼成することにより、焼結助剤の偏析
がなく、均一な組織を有し、機械的強度の大なる表面を
有する窒化ケイ素焼結体を得られる。
主原料として安価なケイ素（Si）粉末を用い、焼結助剤
としてアルミニウム（Al），イツトリウム（Y ）などを
用いて成形体を成形し、該成形体を焼結する際に、予め
焼結助剤の蒸発を抑制する粉末、特にケイ素粉末で成形
体を被覆したうえ焼成することにより、焼結助剤の偏析
がなく、均一な組織を有し、機械的強度の大なる表面を
有する窒化ケイ素焼結体を得られる。
【０００６】つまり、焼成前に窒化ケイ素を主成分とす
る成形体の表面を、ケイ素（Si）粉末で被覆し、窒素を
含む雰囲気中にて焼成して、焼成面の機械的強度を高め
る。成形体の焼成時に、成形体の表面を覆うケイ素（S
i）は窒化ケイ素（Si3N4） に転化して焼成面を覆い、
焼結助剤成分の偏析を抑え、均一で緻密な焼成面および
表層部を形成する。均一で緻密な表層部により、窒化ケ
イ素焼結体の機械的特性が向上される。
る成形体の表面を、ケイ素（Si）粉末で被覆し、窒素を
含む雰囲気中にて焼成して、焼成面の機械的強度を高め
る。成形体の焼成時に、成形体の表面を覆うケイ素（S
i）は窒化ケイ素（Si3N4） に転化して焼成面を覆い、
焼結助剤成分の偏析を抑え、均一で緻密な焼成面および
表層部を形成する。均一で緻密な表層部により、窒化ケ
イ素焼結体の機械的特性が向上される。
【０００７】本発明による窒化ケイ素焼結体は、ケイ素
（Si），アルミニウム（Al），イツトリウム（Y ），鉄
（Fe），タンタル（Ta），窒素（N ），酸素（O ）の各
成分を含み、各成分の重量割合は、窒化ケイ素（Si3N
4 ），アルミナ（Al2O3 ），酸化イツトリウム（Y
2O3），酸化第１鉄（Fe2O3 ），酸化タンタル（Ta2O
3 ）に換算した重量をそれぞれａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅとす
る時、次の式を満足するものである。
（Si），アルミニウム（Al），イツトリウム（Y ），鉄
（Fe），タンタル（Ta），窒素（N ），酸素（O ）の各
成分を含み、各成分の重量割合は、窒化ケイ素（Si3N
4 ），アルミナ（Al2O3 ），酸化イツトリウム（Y
2O3），酸化第１鉄（Fe2O3 ），酸化タンタル（Ta2O
3 ）に換算した重量をそれぞれａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅとす
る時、次の式を満足するものである。
【０００８】１≦１００（ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）/（ａ＋ｂ
＋ｃ＋ｄ＋ｅ）≦１５ （ｂ＋ｃ）/ｄ≧１ ０．００５≦１００ｄ/（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）≦７．
５ ０．００５≦ｅ/（ｂ＋ｃ）≦１
＋ｃ＋ｄ＋ｅ）≦１５ （ｂ＋ｃ）/ｄ≧１ ０．００５≦１００ｄ/（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）≦７．
５ ０．００５≦ｅ/（ｂ＋ｃ）≦１
【０００９】
実施例１：ケイ素（Si）粉末と、窒化ケイ素（Si3N4）
粉末と、アルミナ（Al2O3） 粉末と、酸化イツトリウム
（Y2O3）粉末とを、それぞれ５８：３１：４：７の重量
比に計量し、これらの粉末をエタノールと一緒にボール
ミルにて混合し、スラリーを作成した。このスラリーを
乾燥・粉砕して混合粉末を作製した。この混合粉末から
ＣＩＰ成形により成形圧力約２０００ｋｇ／ｃｍ2 で、
寸法１５×６０×７ｍｍのブロツク状の成形体を成形し
た。この成形体を温度約１４００℃の窒素雰囲気中にて
約１０時間反応焼結させた。
粉末と、アルミナ（Al2O3） 粉末と、酸化イツトリウム
（Y2O3）粉末とを、それぞれ５８：３１：４：７の重量
比に計量し、これらの粉末をエタノールと一緒にボール
ミルにて混合し、スラリーを作成した。このスラリーを
乾燥・粉砕して混合粉末を作製した。この混合粉末から
ＣＩＰ成形により成形圧力約２０００ｋｇ／ｃｍ2 で、
寸法１５×６０×７ｍｍのブロツク状の成形体を成形し
た。この成形体を温度約１４００℃の窒素雰囲気中にて
約１０時間反応焼結させた。
【００１０】次いで、ケイ素（Si）の微細粉末をエタノ
ールと混合してスラリーを作成し、このスラリーを反応
焼結体の表面に塗布して厚さ約２００μｍの被覆層を形
成した。次いで、反応焼結体を温度約１９００℃の窒素
雰囲気中にて約５時間焼成して、窒化ケイ素焼結体を作
製した。
ールと混合してスラリーを作成し、このスラリーを反応
焼結体の表面に塗布して厚さ約２００μｍの被覆層を形
成した。次いで、反応焼結体を温度約１９００℃の窒素
雰囲気中にて約５時間焼成して、窒化ケイ素焼結体を作
製した。
【００１１】比較例として、同様の成形体を反応焼結さ
せ、さらにそのまま（ケイ素（Si）の微細粉末をエタノ
ールと混合してなるスラリーの被覆層を形成しないで）
焼成して、窒化ケイ素焼結体を作製した。
せ、さらにそのまま（ケイ素（Si）の微細粉末をエタノ
ールと混合してなるスラリーの被覆層を形成しないで）
焼成して、窒化ケイ素焼結体を作製した。
【００１２】実施例１と比較例の各窒化ケイ素焼結体に
ついて、焼成面と加工面の４点曲げ強度をJIS 1601に準
拠してそれぞれ測定した。図１はその測定結果を示す。
ついて、焼成面と加工面の４点曲げ強度をJIS 1601に準
拠してそれぞれ測定した。図１はその測定結果を示す。
【００１３】図１から明らかなように、本発明の方法に
より得られた窒化ケイ素焼結体の焼成面の強度は７２０
ＭＰａであり、比較例のそれが４５０ＭＰａであるのに
較べて非常に向上し、加工面の強度が損われていないこ
とが分かる。
より得られた窒化ケイ素焼結体の焼成面の強度は７２０
ＭＰａであり、比較例のそれが４５０ＭＰａであるのに
較べて非常に向上し、加工面の強度が損われていないこ
とが分かる。
【００１４】実施例１と比較例の各窒化ケイ素焼結体に
ついて、ＥＰＭＡ（electro-probemicro-analyzer）を
用いて窒化ケイ素焼結体の断面（研摩面）の分析を行つ
た。図２，８は実施例１の窒化ケイ素焼結体と比較例の
窒化ケイ素焼結体の各表層部を示す断面図である。図
３，９は実施例１の窒化ケイ素焼結体と比較例の窒化ケ
イ素焼結体の各表層部のアルミニウムとイツトリウムの
Ｘ線分析結果（面積１ｍｍ2 の断面（研摩面）における
アルミニウム元素とイツトリウム元素の分析結果）を表
す線図である。これらの分析結果から、本発明の方法に
より得られた窒化ケイ素焼結体は比較例に較べて、アル
ミニウムとイツトリウムの元素が均一に分布しているこ
とが確められた。
ついて、ＥＰＭＡ（electro-probemicro-analyzer）を
用いて窒化ケイ素焼結体の断面（研摩面）の分析を行つ
た。図２，８は実施例１の窒化ケイ素焼結体と比較例の
窒化ケイ素焼結体の各表層部を示す断面図である。図
３，９は実施例１の窒化ケイ素焼結体と比較例の窒化ケ
イ素焼結体の各表層部のアルミニウムとイツトリウムの
Ｘ線分析結果（面積１ｍｍ2 の断面（研摩面）における
アルミニウム元素とイツトリウム元素の分析結果）を表
す線図である。これらの分析結果から、本発明の方法に
より得られた窒化ケイ素焼結体は比較例に較べて、アル
ミニウムとイツトリウムの元素が均一に分布しているこ
とが確められた。
【００１５】図４に示すように、実施例１により得られ
た窒化ケイ素焼結体の内層部Ｂ（表面から深さ５００〜
１０００μｍの層）におけるアルミニウム成分の含有率
εBに対する、表層部Ａ（表面からの深さ０〜５００μ
ｍの層）におけるアルミニウム成分の含有率εA の割合
（εA/εB ）と、機械的強度との関係を調べたところ、
図５に示すような結果が得られた。本発明によれば、成
形体をケイ素粉末で被覆したうえ焼成することにより、
窒化ケイ素焼結体として、焼結助剤の偏析がなく、均一
な組織を有し、機械的強度の大なる焼成面（表面）およ
び表層部が得られることが確められた。
た窒化ケイ素焼結体の内層部Ｂ（表面から深さ５００〜
１０００μｍの層）におけるアルミニウム成分の含有率
εBに対する、表層部Ａ（表面からの深さ０〜５００μ
ｍの層）におけるアルミニウム成分の含有率εA の割合
（εA/εB ）と、機械的強度との関係を調べたところ、
図５に示すような結果が得られた。本発明によれば、成
形体をケイ素粉末で被覆したうえ焼成することにより、
窒化ケイ素焼結体として、焼結助剤の偏析がなく、均一
な組織を有し、機械的強度の大なる焼成面（表面）およ
び表層部が得られることが確められた。
【００１６】実施例２：実施例１と同様の方法で、窒化
ケイ素（Si3N4） 粉末と、アルミナ（Al2O3）粉末と、
酸化イツトリウム（Y2O3）粉末とを、それぞれ９２：
３：５の重量比に計量し、これらの粉末をエタノールと
一緒にボールミルにて混合し、スラリーを作成した。こ
のスラリーを乾燥・粉砕して混合粉末を作製した。この
混合粉末から成形体を作製し、ＣＩＰ成形（冷間静水圧
成形）により、外径３５ｍｍ、内径２３ｍｍ、高さ２４
ｍｍの円筒状の成形体を成形した。この成形体を実施例
１と同様に、温度約１４００℃の窒素雰囲気中にて約１
０時間反応焼結させた。
ケイ素（Si3N4） 粉末と、アルミナ（Al2O3）粉末と、
酸化イツトリウム（Y2O3）粉末とを、それぞれ９２：
３：５の重量比に計量し、これらの粉末をエタノールと
一緒にボールミルにて混合し、スラリーを作成した。こ
のスラリーを乾燥・粉砕して混合粉末を作製した。この
混合粉末から成形体を作製し、ＣＩＰ成形（冷間静水圧
成形）により、外径３５ｍｍ、内径２３ｍｍ、高さ２４
ｍｍの円筒状の成形体を成形した。この成形体を実施例
１と同様に、温度約１４００℃の窒素雰囲気中にて約１
０時間反応焼結させた。
【００１７】次いで、ケイ素（Si）の微細粉末をエタノ
ールと混合してスラリーを作製し、このスラリーを反応
焼結体の表面に塗布して厚さ約２００μｍの被覆層を形
成した。次いで、反応焼結体を温度約１９００℃の窒素
雰囲気中にて約５時間焼成して、図７に示すような窒化
ケイ素焼結体を得た。
ールと混合してスラリーを作製し、このスラリーを反応
焼結体の表面に塗布して厚さ約２００μｍの被覆層を形
成した。次いで、反応焼結体を温度約１９００℃の窒素
雰囲気中にて約５時間焼成して、図７に示すような窒化
ケイ素焼結体を得た。
【００１８】比較例として、同じような円筒状の成形体
を反応焼結させ、さらにそのままケイ素（Si）の微細粉
末をエタノールと混合してなるスラリーの被覆層を形成
しないで）焼成して、窒化ケイ素焼結体を作製した。
を反応焼結させ、さらにそのままケイ素（Si）の微細粉
末をエタノールと混合してなるスラリーの被覆層を形成
しないで）焼成して、窒化ケイ素焼結体を作製した。
【００１９】実施例２の窒化ケイ素焼結体と比較例の窒
化ケイ素焼結体について、外周面を研削した後にラツピ
ング加工し、内周面を未加工のままとした。図７に矢印
で示すように、実施例２と比較例の各窒化ケイ素焼結体
に径方向の荷重を加えた時の破壊荷重を測定した。図６
は本発明による円筒状の窒化ケイ素焼結体と比較例の窒
化ケイ素焼結体との破壊試験の結果を表す線図である。
化ケイ素焼結体について、外周面を研削した後にラツピ
ング加工し、内周面を未加工のままとした。図７に矢印
で示すように、実施例２と比較例の各窒化ケイ素焼結体
に径方向の荷重を加えた時の破壊荷重を測定した。図６
は本発明による円筒状の窒化ケイ素焼結体と比較例の窒
化ケイ素焼結体との破壊試験の結果を表す線図である。
【００２０】本発明の方法により得られた窒化ケイ素焼
結体は、比較例に較べて、内周面である焼成面の強度が
向上したことにより、破壊強度が向上したことが分か
る。
結体は、比較例に較べて、内周面である焼成面の強度が
向上したことにより、破壊強度が向上したことが分か
る。
【００２１】
【発明の効果】本発明は上述のように、窒化ケイ素を主
成分とし、アルミニウム，イツトリウム，鉄，タンタル
の酸化物または窒化物の少なくとも１種を含む窒化ケイ
素焼結体であつて、窒化ケイ素焼結体の表面からの深さ
０〜５００μｍの層に含まれるアルミニウム成分の含有
率εA に対する窒化ケイ素焼結体の表面から深さ５００
〜１０００μｍの層に含まれるアルミニウム成分の含有
率εBの割合（εA/εB）を１．５以下にしたことによ
り、安価な原料で高強度の窒化ケイ素焼結体が得られ
る。
成分とし、アルミニウム，イツトリウム，鉄，タンタル
の酸化物または窒化物の少なくとも１種を含む窒化ケイ
素焼結体であつて、窒化ケイ素焼結体の表面からの深さ
０〜５００μｍの層に含まれるアルミニウム成分の含有
率εA に対する窒化ケイ素焼結体の表面から深さ５００
〜１０００μｍの層に含まれるアルミニウム成分の含有
率εBの割合（εA/εB）を１．５以下にしたことによ
り、安価な原料で高強度の窒化ケイ素焼結体が得られ
る。
【００２２】窒化ケイ素を主成分とする成形体の表面を
ケイ素粉末により被覆し、窒素を含有する雰囲気中で焼
成することにより、窒化ケイ素焼結体の焼成面の機械的
特性が非常に向上し、焼成面を残したままで構造用部品
を作製することが可能になる。つまり、セラミツク焼結
体の製造コストの内で大きな割合を占める焼成面の加工
コストを大幅に低減でき、セラミツク部品を安価に提供
できる。
ケイ素粉末により被覆し、窒素を含有する雰囲気中で焼
成することにより、窒化ケイ素焼結体の焼成面の機械的
特性が非常に向上し、焼成面を残したままで構造用部品
を作製することが可能になる。つまり、セラミツク焼結
体の製造コストの内で大きな割合を占める焼成面の加工
コストを大幅に低減でき、セラミツク部品を安価に提供
できる。
【図１】本発明の方法により得られた窒化ケイ素焼結体
と比較例の４点曲げ強度を表す線図である。
と比較例の４点曲げ強度を表す線図である。
【図２】本発明による窒化ケイ素焼結体の表層部におけ
るアルミニウム成分の分布状態を表す断面図である。
るアルミニウム成分の分布状態を表す断面図である。
【図３】同窒化ケイ素焼結体の表層部のＥＰＭＡによる
アルミニウムとイツトリウムの分析結果を表す線図であ
る。
アルミニウムとイツトリウムの分析結果を表す線図であ
る。
【図４】同窒化ケイ素焼結体の断面を模式的に表す図で
ある。
ある。
【図５】同窒化ケイ素焼結体の内層部におけるアルミニ
ウム成分の含有率に対する、窒化ケイ素焼結体の表層部
におけるアルミニウム成分の含有率の割合と、機械的強
度との関係を表す線図である。
ウム成分の含有率に対する、窒化ケイ素焼結体の表層部
におけるアルミニウム成分の含有率の割合と、機械的強
度との関係を表す線図である。
【図６】同窒化ケイ素焼結体と比較例の破壊特性を表す
線図である。
線図である。
【図７】同窒化ケイ素焼結体の破壊試験方法を示す斜視
図である。
図である。
【図８】比較例としての窒化ケイ素焼結体の表層部にお
けるアルミニウム成分の分布状態を表す断面図である。
けるアルミニウム成分の分布状態を表す断面図である。
【図９】同比較例としての窒化ケイ素焼結体の表層部の
ＥＰＭＡによるアルミニウムとイツトリウムの分析結果
を表す線図である。
ＥＰＭＡによるアルミニウムとイツトリウムの分析結果
を表す線図である。
Claims (4)
- 【請求項１】窒化ケイ素を主成分とし、アルミニウム
（Al），イツトリウム（Y ），鉄（Fe），タンタル（T
a）の酸化物または窒化物の少なくとも１種を含む窒化
ケイ素焼結体であつて、窒化ケイ素焼結体の表面からの
深さ０〜５００μｍの層に含まれるアルミニウム成分の
含有率εA に対する窒化ケイ素焼結体の表面から深さ５
００〜１０００μｍの層に含まれるアルミニウム成分の
含有率εB の割合εA/εBが１．５以下であることを特
徴とする窒化ケイ素焼結体。 - 【請求項２】前記窒化ケイ素焼結体に含まれるケイ素
（Si），アルミニウム（Al），イツトリウム（Y ），鉄
（Fe），タンタル（Ta），窒素（N ），酸素（O ）の各
成分を、窒化ケイ素（Si3N4 ），アルミナ（Al2O3 ），
酸化イツトリウム（Y2O3），酸化第１鉄（Fe2O3 ），酸
化タンタル（Ta2O3 ）として重量換算した値をそれぞれ
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅとする時、次の式を満足する、請求
項１に記載の窒化ケイ素焼結体。 １≦１００（ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）/（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋
ｅ）≦１５ （ｂ＋ｃ）/ｄ≧１ ０．００５≦１００ｄ/（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）≦７．
５ ０．００５≦ｅ/（ｂ＋ｃ）≦１ - 【請求項３】窒化ケイ素を主成分とする成形体の表面を
ケイ素粉末により被覆し、窒素を含有する雰囲気中で焼
成することを特徴とする、窒化ケイ素焼結体の製造方
法。 - 【請求項４】前記窒化ケイ素を主成分とする焼結体は、
アルミニウム（Al），イツトリウム（Y ），鉄（Fe），
タンタル（Ta）の酸化物または窒化物の少なくとも１種
を含むことを特徴とする、請求項３に記載の窒化ケイ素
焼結体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7269487A JPH0987036A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 窒化ケイ素焼結体とその製造方法 |
| US08/634,234 US5695544A (en) | 1995-09-22 | 1996-04-18 | Silicon nitride based sintered product |
| EP96302790A EP0764609A1 (en) | 1995-09-22 | 1996-04-19 | Silicon nitride based sintered product and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7269487A JPH0987036A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 窒化ケイ素焼結体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0987036A true JPH0987036A (ja) | 1997-03-31 |
Family
ID=17473132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7269487A Pending JPH0987036A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 窒化ケイ素焼結体とその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5695544A (ja) |
| EP (1) | EP0764609A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0987036A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110240131A (zh) * | 2019-05-13 | 2019-09-17 | 天津炜润达新材料科技有限公司 | 一种氮化硅的制备方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5826077A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-16 | 株式会社東芝 | セラミツクス焼結体及びその製造方法 |
| JPS5841770A (ja) * | 1981-09-01 | 1983-03-11 | 株式会社東芝 | セラミツクス焼結体及びその製造方法 |
| EP0107919A1 (en) * | 1982-10-01 | 1984-05-09 | The British Ceramic Research Association Limited | Silicon nitride ceramic bodies |
| CA1223013A (en) * | 1983-04-22 | 1987-06-16 | Mikio Fukuhara | Silicon nitride sintered body and method for preparing the same |
| JPS62153169A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-08 | 株式会社東芝 | 窒化ケイ素セラミツクス焼結体 |
| US5118645A (en) * | 1988-01-27 | 1992-06-02 | The Dow Chemical Company | Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness and a method of preparing the same |
| US5120328A (en) * | 1988-01-27 | 1992-06-09 | The Dow Chemical Company | Dense, self-reinforced silicon nitride ceramic prepared by pressureless or low pressure gas sintering |
| US5032554A (en) * | 1988-12-16 | 1991-07-16 | Ngk Spark Plug Co. | Sintered silicon nitride products |
| US5114888A (en) * | 1989-11-21 | 1992-05-19 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Silicon nitride sintered body and method for producing same |
| US5384292A (en) * | 1993-04-14 | 1995-01-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon nitride composite sintered body and process for producing the same |
| CA2116644A1 (en) * | 1994-02-28 | 1995-08-29 | Yasunobu Kawakami | Silicon nitride reaction-sintered body and method and apparatus for producing same |
-
1995
- 1995-09-22 JP JP7269487A patent/JPH0987036A/ja active Pending
-
1996
- 1996-04-18 US US08/634,234 patent/US5695544A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-19 EP EP96302790A patent/EP0764609A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0764609A1 (en) | 1997-03-26 |
| US5695544A (en) | 1997-12-09 |
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