JPH0644927A - 電界放出形カソード - Google Patents
電界放出形カソードInfo
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- JPH0644927A JPH0644927A JP7727892A JP7727892A JPH0644927A JP H0644927 A JPH0644927 A JP H0644927A JP 7727892 A JP7727892 A JP 7727892A JP 7727892 A JP7727892 A JP 7727892A JP H0644927 A JPH0644927 A JP H0644927A
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- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
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- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
- H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
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- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表示密度が高く、FECと共に作り込む回路
の特性が良好で、スタティック駆動することができる電
界放出形カソードを提供する。 【構成】 Si単結晶基板1上には、各複数本の制御線
3とデータ線5がマトリクスを構成しており、複数の要
素領域6が形成されている。各要素領域6内において、
Si単結晶基板1上には回路要素7が形成され、その上
には電界放出部8が積層して形成されている。回路要素
7は、データ線5にドレインが接続され、制御線3にゲ
ートが接続されたスイッチング素子であるトランジスタ
Tr1 と、入力信号の記憶回路であるキャパシタC
s と、電界放出部8に入力信号を増幅して与えるトラン
ジスタTr2 とを有している。Si単結晶基板1上に作
り込む回路要素7の特性は良好であり、電界放出部8は
その上に積層するので密度が高くなる。また、回路要素
7はキャパシタCs を有しているのでスタティック駆動
ができる。
の特性が良好で、スタティック駆動することができる電
界放出形カソードを提供する。 【構成】 Si単結晶基板1上には、各複数本の制御線
3とデータ線5がマトリクスを構成しており、複数の要
素領域6が形成されている。各要素領域6内において、
Si単結晶基板1上には回路要素7が形成され、その上
には電界放出部8が積層して形成されている。回路要素
7は、データ線5にドレインが接続され、制御線3にゲ
ートが接続されたスイッチング素子であるトランジスタ
Tr1 と、入力信号の記憶回路であるキャパシタC
s と、電界放出部8に入力信号を増幅して与えるトラン
ジスタTr2 とを有している。Si単結晶基板1上に作
り込む回路要素7の特性は良好であり、電界放出部8は
その上に積層するので密度が高くなる。また、回路要素
7はキャパシタCs を有しているのでスタティック駆動
ができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、蛍光表示管や特にグラ
フィック蛍光表示管に適する電子源である電界放出形カ
ソードに関する。また本発明は、蛍光表示管の原理を応
用したリソグラフィ分野の光源における電子源として有
用である。
フィック蛍光表示管に適する電子源である電界放出形カ
ソードに関する。また本発明は、蛍光表示管の原理を応
用したリソグラフィ分野の光源における電子源として有
用である。
【0002】
【従来の技術】蛍光表示管等の表示素子における応用を
目指して各種構造の電界放出形カソードが開発されてい
る。例えばグラフィック蛍光表示管においては、電極を
XYマトリクス構造とし、陽極側の表示部における点灯
・非点灯を選択する構成をとることができる。
目指して各種構造の電界放出形カソードが開発されてい
る。例えばグラフィック蛍光表示管においては、電極を
XYマトリクス構造とし、陽極側の表示部における点灯
・非点灯を選択する構成をとることができる。
【0003】即ち、電界放出形カソードのエミッタ電極
列とゲート電極列、グリッド電極そしてアノード電極の
うち、二つの電極を互いに交差するマトリクス状に構成
する。そして、表示画像に応じてマトリクスの交点を選
択すれば、この交点に対応した電界放出素子から電子が
放出され、この電子がアノード電極の蛍光体に射突して
画素の選択が行なわれる。
列とゲート電極列、グリッド電極そしてアノード電極の
うち、二つの電極を互いに交差するマトリクス状に構成
する。そして、表示画像に応じてマトリクスの交点を選
択すれば、この交点に対応した電界放出素子から電子が
放出され、この電子がアノード電極の蛍光体に射突して
画素の選択が行なわれる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来のXYマ
トリクス構造の電界放出形カソードには次のような問題
点があった。 (1)ダイナミック駆動なので発光時間はデューティ比
に依存し、走査画素が多いほど一画素の発光時間が短く
なって輝度が低下する。 (2)ダイナミック駆動はスタティックに比べて回路が
複雑である。 (3)外部回路の形成によって外形の大型化又はコスト
高を生じる。
トリクス構造の電界放出形カソードには次のような問題
点があった。 (1)ダイナミック駆動なので発光時間はデューティ比
に依存し、走査画素が多いほど一画素の発光時間が短く
なって輝度が低下する。 (2)ダイナミック駆動はスタティックに比べて回路が
複雑である。 (3)外部回路の形成によって外形の大型化又はコスト
高を生じる。
【0005】そこで本出願人は、特願平2−95119
号において、次のような電子源を提案した。この電子源
においては、絶縁基板上にXYマトリクス配線を形成
し、XYマトリクス配線で絶縁基板上に区画された複数
の要素領域内に薄膜トランジスタ(TFT)と電界放出
素子(FEC)を並設している。
号において、次のような電子源を提案した。この電子源
においては、絶縁基板上にXYマトリクス配線を形成
し、XYマトリクス配線で絶縁基板上に区画された複数
の要素領域内に薄膜トランジスタ(TFT)と電界放出
素子(FEC)を並設している。
【0006】薄膜トランジスタ(TFT)で大電流を得
るためには、トランジスタの面積を大きくしなければな
らなかった。また、TFTを使用したFECにおいて
は、FECをTFTの上に絶縁層を介して形成すること
はTFTの性能上困難であり、両者は並設せざるを得な
かった。これらの事情から、本出願人の提案になるTF
TとFECを組合せた電子源は面積の利用効率が低いと
いう課題を有していた。
るためには、トランジスタの面積を大きくしなければな
らなかった。また、TFTを使用したFECにおいて
は、FECをTFTの上に絶縁層を介して形成すること
はTFTの性能上困難であり、両者は並設せざるを得な
かった。これらの事情から、本出願人の提案になるTF
TとFECを組合せた電子源は面積の利用効率が低いと
いう課題を有していた。
【0007】また、前述した従来の電界放出形カソード
及び本出願人の提案になる電子源では、ガラス基板等の
絶縁基板上に設けたSiにFECを作るが、このような
構造では電子移動度が低く、TFTについて所望の特性
を得にくいという課題を有していた。
及び本出願人の提案になる電子源では、ガラス基板等の
絶縁基板上に設けたSiにFECを作るが、このような
構造では電子移動度が低く、TFTについて所望の特性
を得にくいという課題を有していた。
【0008】本発明の電界放出形カソードは、表示密度
が高く、FECと共に作り込む回路の特性が良好で、ス
タティック駆動することも可能な電界放出形カソードを
提供することを目的としている。
が高く、FECと共に作り込む回路の特性が良好で、ス
タティック駆動することも可能な電界放出形カソードを
提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の電界放出形カソ
ードは、Si単結晶基板と、互いに交差する二方向につ
いて前記Si単結晶基板上に積層して配設された複数本
づつのマトリクス配線と、前記マトリクス配線によって
区画された前記Si単結晶基板上の複数の要素領域内に
それぞれ形成され、スイッチング素子と記憶回路を有す
るとともに入力側が前記マトリクス配線に接続された回
路要素と、前記各要素領域内にそれぞれ形成され、前記
各回路要素の出力側に接続された電界放出部とを有して
いる。
ードは、Si単結晶基板と、互いに交差する二方向につ
いて前記Si単結晶基板上に積層して配設された複数本
づつのマトリクス配線と、前記マトリクス配線によって
区画された前記Si単結晶基板上の複数の要素領域内に
それぞれ形成され、スイッチング素子と記憶回路を有す
るとともに入力側が前記マトリクス配線に接続された回
路要素と、前記各要素領域内にそれぞれ形成され、前記
各回路要素の出力側に接続された電界放出部とを有して
いる。
【0010】また本発明によれば、前記回路要素を、前
記マトリクス配線に接続されたスイッチング素子と、前
記スイッチング素子によって入力される信号を記憶する
記憶回路と、前記記憶回路に記憶された信号を増幅して
前記電界放出部に与える駆動回路とによって構成するこ
ともできる。
記マトリクス配線に接続されたスイッチング素子と、前
記スイッチング素子によって入力される信号を記憶する
記憶回路と、前記記憶回路に記憶された信号を増幅して
前記電界放出部に与える駆動回路とによって構成するこ
ともできる。
【0011】
【実施例】本発明の一実施例に係る電界放出形カソード
について図1〜図7によって説明する。図1〜図3に示
すように、Si単結晶基板1(以下、単にSi基板1と
呼ぶ。)上には、SiO2 の絶縁層2を介してX方向に
帯状の制御線3が所定間隔をおいて並設されている。制
御線3の上には、SiO2 の絶縁層4を介してY方向に
帯状のデータ線5が所定間隔をおいて並設されている。
制御線3とデータ線5はともにAlの薄膜からなり、互
いに交差するマトリクス配線としてSi基板1上に複数
の要素領域6を区画している。
について図1〜図7によって説明する。図1〜図3に示
すように、Si単結晶基板1(以下、単にSi基板1と
呼ぶ。)上には、SiO2 の絶縁層2を介してX方向に
帯状の制御線3が所定間隔をおいて並設されている。制
御線3の上には、SiO2 の絶縁層4を介してY方向に
帯状のデータ線5が所定間隔をおいて並設されている。
制御線3とデータ線5はともにAlの薄膜からなり、互
いに交差するマトリクス配線としてSi基板1上に複数
の要素領域6を区画している。
【0012】図1〜図3に示すように、前記Si基板1
上には、各要素領域6ごとに、回路要素7と電界放出部
8がそれぞれ設けられている。
上には、各要素領域6ごとに、回路要素7と電界放出部
8がそれぞれ設けられている。
【0013】本実施例の回路要素7は、図2に示すよう
に、スイッチング素子としてのトランジスタTr1 と、
記憶回路としてのキャパシタCS と、出力信号を増幅し
て電界放出部8に与える駆動回路としてのトランジスタ
Tr2 から成る。
に、スイッチング素子としてのトランジスタTr1 と、
記憶回路としてのキャパシタCS と、出力信号を増幅し
て電界放出部8に与える駆動回路としてのトランジスタ
Tr2 から成る。
【0014】両トランジスタTr1 ,Tr2 はSi基板
1上に作り込まれたMOS形トランジスタである。図2
又は図3に示すように、トランジスタTr1 は、入力側
であるドレインDがデータ線5に接続され、ゲートGが
制御線3に接続されている。トランジスタTr1 のソー
スSは、キャパシタCS の一端とトランジスタTr2の
ゲートGに入力されている。キャパシタCS の他端とト
ランジスタTr2 のドレインDは電源線9に接続されて
いる。そしてトランジスタTr2 の出力側であるソース
Sは電界放出部8の下敷電極10に接続されている。
1上に作り込まれたMOS形トランジスタである。図2
又は図3に示すように、トランジスタTr1 は、入力側
であるドレインDがデータ線5に接続され、ゲートGが
制御線3に接続されている。トランジスタTr1 のソー
スSは、キャパシタCS の一端とトランジスタTr2の
ゲートGに入力されている。キャパシタCS の他端とト
ランジスタTr2 のドレインDは電源線9に接続されて
いる。そしてトランジスタTr2 の出力側であるソース
Sは電界放出部8の下敷電極10に接続されている。
【0015】なお、前記トランジスタTr1 ,Tr2 の
ドレインとソースはSi基板1に形成したn+ 層であ
り、ゲートはポリシリコン又は高融点金属(メタルシリ
サイド)から成る。
ドレインとソースはSi基板1に形成したn+ 層であ
り、ゲートはポリシリコン又は高融点金属(メタルシリ
サイド)から成る。
【0016】電界放出部8は、前記要素領域6ごとに形
成された電界放出素子であって、図3に示すように前述
したマトリクス配線である制御線3及びデータ線5と回
路要素7の上に絶縁層11を介して積層して設けられて
いる。
成された電界放出素子であって、図3に示すように前述
したマトリクス配線である制御線3及びデータ線5と回
路要素7の上に絶縁層11を介して積層して設けられて
いる。
【0017】即ち、前記絶縁層11の上には下敷電極1
0が設けられ、その上にはSiO2又はSi3 N4 或い
はAl2 O3 等の絶縁層12が形成されている。さらに
この絶縁層12上にはNb層等のゲート13が形成され
ている。ゲート13及び絶縁層12にはホール14が形
成され、該ホール14内の下敷電極10上にはMo(又
はTi,W等)からなるコーン形状のエミッタ15が形
成されている。
0が設けられ、その上にはSiO2又はSi3 N4 或い
はAl2 O3 等の絶縁層12が形成されている。さらに
この絶縁層12上にはNb層等のゲート13が形成され
ている。ゲート13及び絶縁層12にはホール14が形
成され、該ホール14内の下敷電極10上にはMo(又
はTi,W等)からなるコーン形状のエミッタ15が形
成されている。
【0018】次に、以上の構成における作用を説明す
る。XYマトリクスを構成するデータ線5と制御線3の
任意の組合せを選択することにより、マトリクス上の任
意の交点にある要素領域6のトランジスタTr1 をON
とし、データ線5で与えられる表示信号をトランジスタ
Tr1 を介してキャパシタCS に記憶させることができ
る。
る。XYマトリクスを構成するデータ線5と制御線3の
任意の組合せを選択することにより、マトリクス上の任
意の交点にある要素領域6のトランジスタTr1 をON
とし、データ線5で与えられる表示信号をトランジスタ
Tr1 を介してキャパシタCS に記憶させることができ
る。
【0019】記憶後、この信号をトランジスタTr2 を
経て電界放出部8の下敷電極10に印加すれば、XYマ
トリクス内の所望の位置にある電界放出部8から電子を
放出させることができる。
経て電界放出部8の下敷電極10に印加すれば、XYマ
トリクス内の所望の位置にある電界放出部8から電子を
放出させることができる。
【0020】また、駆動回路であるトランジスタTr2
の制御により、電子の放出量を制御できるので、輝度調
整や階調表示を行なうことができる。
の制御により、電子の放出量を制御できるので、輝度調
整や階調表示を行なうことができる。
【0021】図4は、本実施例の電界放出カソード20
を蛍光表示管21の電子源として外囲器22内に実装し
た例を示している。外囲器22内の電界放出カソード2
0に対向する位置には、アノード電極23と蛍光体層2
4からなる発光表示部としての陽極25が構成されてい
る。陽極25の構成は、単色表示の場合にはベタで形成
すればよい。フルカラー表示の場合には、図4のように
赤,緑,青の各色に対応する表示セグメントR,G,B
を設け、各セグメントR,G,Bが電界放出カソード2
0の各要素領域6に対応するように構成すればよい。
を蛍光表示管21の電子源として外囲器22内に実装し
た例を示している。外囲器22内の電界放出カソード2
0に対向する位置には、アノード電極23と蛍光体層2
4からなる発光表示部としての陽極25が構成されてい
る。陽極25の構成は、単色表示の場合にはベタで形成
すればよい。フルカラー表示の場合には、図4のように
赤,緑,青の各色に対応する表示セグメントR,G,B
を設け、各セグメントR,G,Bが電界放出カソード2
0の各要素領域6に対応するように構成すればよい。
【0022】図5は、本実施例の電界放出カソード20
において、X側(制御線側)のドライバ30と、Y側
(データ線側)のドライバ31を、電界放出カソード2
0のXYマトリクス部と同一のSi基板1上に集積して
形成する例を示したものである。さらにドライバ回路以
外の画像信号処理等のためのその他の機能回路を同一S
i基板上に形成することもできる。
において、X側(制御線側)のドライバ30と、Y側
(データ線側)のドライバ31を、電界放出カソード2
0のXYマトリクス部と同一のSi基板1上に集積して
形成する例を示したものである。さらにドライバ回路以
外の画像信号処理等のためのその他の機能回路を同一S
i基板上に形成することもできる。
【0023】従来のグラフィック表示装置のなかには、
ガラス基板上にドライバICを取付けたいわゆるチップ
オングラスタイプの表示管はあったが、ICの端子と表
示素子の端子を接続するのが容易でなかった。
ガラス基板上にドライバICを取付けたいわゆるチップ
オングラスタイプの表示管はあったが、ICの端子と表
示素子の端子を接続するのが容易でなかった。
【0024】図5の構造によれば、共通の基板としてS
i基板1を用いているので、表示部の周辺に相当するS
i基板1の外周部にドライバ30,31を直接作り込む
ことができる。そして、作り込まれたドライバ30,3
1と前記マトリクス配線とは、Si基板1上の配線パタ
ーンで接続できる。
i基板1を用いているので、表示部の周辺に相当するS
i基板1の外周部にドライバ30,31を直接作り込む
ことができる。そして、作り込まれたドライバ30,3
1と前記マトリクス配線とは、Si基板1上の配線パタ
ーンで接続できる。
【0025】図6は、本実施例の回路要素7における記
憶回路の他の構成例を示している。これは、フリッププ
ロップ回路を使ったラッチ回路方式である。
憶回路の他の構成例を示している。これは、フリッププ
ロップ回路を使ったラッチ回路方式である。
【0026】図7は、本実施例の回路要素7における駆
動回路の他の構成例を示している。この例では、トラン
ジスタTr2 のソース側を抵抗32を介して接地すると
ともに、この抵抗32の前から出力信号を取り出して電
界放出部8の下敷電極10に接続している。
動回路の他の構成例を示している。この例では、トラン
ジスタTr2 のソース側を抵抗32を介して接地すると
ともに、この抵抗32の前から出力信号を取り出して電
界放出部8の下敷電極10に接続している。
【0027】図8は、本実施例の電界放出部8の他の構
成例を示している。この例では、要素領域6内の回路要
素7に隣接する部分に電界放出部8を形成している。即
ち、電界放出部8の下敷電極10はSi基板1に作り込
まれて駆動回路であるトランジスタTr2 のソースに接
続されている。
成例を示している。この例では、要素領域6内の回路要
素7に隣接する部分に電界放出部8を形成している。即
ち、電界放出部8の下敷電極10はSi基板1に作り込
まれて駆動回路であるトランジスタTr2 のソースに接
続されている。
【0028】図9は、本実施例の電界放出部8の他の構
成例を示している。この例においても、要素領域6内の
回路要素7に隣接する部分に電界放出部8が形成されて
いるが、その下敷電極10はSi基板1上に形成された
Al等の金属薄膜によって構成されている。なお、図8
及び図9において、図3と対応する部分については同一
の符号を付す。
成例を示している。この例においても、要素領域6内の
回路要素7に隣接する部分に電界放出部8が形成されて
いるが、その下敷電極10はSi基板1上に形成された
Al等の金属薄膜によって構成されている。なお、図8
及び図9において、図3と対応する部分については同一
の符号を付す。
【0029】
【発明の効果】本発明の電界放出形カソードによれば次
のような効果が得られる。 (1)マトリクス配線で区画された多数の各要素領域の
各々がメモリ機能を有しているので、スタティック駆動
が可能である。従って単色表示ではデューティサイクル
をほぼ1(フルカラーの場合には1/3)にでき、従来
のダイナミック駆動に比較して大きくすることができる
ので、陽極電圧が低くても高輝度が得られる。
のような効果が得られる。 (1)マトリクス配線で区画された多数の各要素領域の
各々がメモリ機能を有しているので、スタティック駆動
が可能である。従って単色表示ではデューティサイクル
をほぼ1(フルカラーの場合には1/3)にでき、従来
のダイナミック駆動に比較して大きくすることができる
ので、陽極電圧が低くても高輝度が得られる。
【0030】(2)回路要素を電界放出部の下に集積し
て形成することができるので、一画素分の電界放出素子
の面積を小さくすることができる。
て形成することができるので、一画素分の電界放出素子
の面積を小さくすることができる。
【0031】(3)ガラス基板上にアモルファスSiや
ポリSiを用いて形成した駆動用のICが知られている
が、回路要素をSi単結晶基板上に形成した本発明の方
が、電子移動度(mobility)を100〜1000倍に大
きくすることができ、良好な回路特性が得られる。
ポリSiを用いて形成した駆動用のICが知られている
が、回路要素をSi単結晶基板上に形成した本発明の方
が、電子移動度(mobility)を100〜1000倍に大
きくすることができ、良好な回路特性が得られる。
【0032】(4)カラー表示を行なう蛍光表示管では
陽極の表示部に硫化物系の蛍光体を使っている。従来の
電子源である熱酸化物陰極をこの種の蛍光表示管に用い
ると、硫化物系ガスが発生して該陰極と反応し、エミッ
ションが低下してしまう。ところが本発明は電界放出素
子を応用しているので、蛍光体からの硫化物系ガスによ
ってエミッションが低下することはない。
陽極の表示部に硫化物系の蛍光体を使っている。従来の
電子源である熱酸化物陰極をこの種の蛍光表示管に用い
ると、硫化物系ガスが発生して該陰極と反応し、エミッ
ションが低下してしまう。ところが本発明は電界放出素
子を応用しているので、蛍光体からの硫化物系ガスによ
ってエミッションが低下することはない。
【0033】(5)電界放出素子を応用しているので、
従来の熱電子放出型の陰極に比べて高輝度、高分解能の
表示が得られ、低電力かつ長寿命である。
従来の熱電子放出型の陰極に比べて高輝度、高分解能の
表示が得られ、低電力かつ長寿命である。
【図1】一実施例の全体回路図である。
【図2】一実施例の一要素領域における回路図である。
【図3】(a)は一実施例の断面図、(b)は平面図で
ある。
ある。
【図4】一実施例を応用した蛍光表示管の断面図であ
る。
る。
【図5】一実施例の他の構成例を示す平面図である。
【図6】一実施例における記憶回路の他の構成例を示す
回路図である。
回路図である。
【図7】一実施例における駆動回路の他の構成例を示す
回路図である。
回路図である。
【図8】一実施例における電界放出部の他の構成例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図9】一実施例における電界放出部の他の構成例を示
す断面図である。
す断面図である。
1 Si単結晶基板(Si基板) 3 マトリクス配線としての制御線 5 マトリクス配線としてのデータ線 6 要素領域 7 回路要素 8 電界放出部 20 電界放出カソード Tr1 スイッチング素子としてのトランジスタ CS 記憶回路としてのキャパシタ Tr2 駆動回路としてのトランジスタ
Claims (3)
- 【請求項1】 Si単結晶基板と、互いに交差する二方
向について前記Si単結晶基板上に積層して配設された
複数本づつのマトリクス配線と、前記マトリクス配線に
よって区画された前記Si単結晶基板上の複数の要素領
域内にそれぞれ形成され、スイッチング素子と記憶回路
を有するとともに入力側が前記マトリクス配線に接続さ
れた回路要素と、前記各要素領域内にそれぞれ形成さ
れ、前記各回路要素の出力側に接続された電界放出部と
を有する電界放出形カソード。 - 【請求項2】 前記回路要素が、前記マトリクス配線に
接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子
によって入力される信号を記憶する記憶回路と、前記記
憶回路に記憶された信号を増幅して前記電界放出部に与
える駆動回路とによって構成された請求項1記載の電界
放出形カソード。 - 【請求項3】 Si単結晶基板上のマトリクス周囲領域
にドライバ回路を有する請求項1記載の電界放出素子。
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