JPH0155465B2 - - Google Patents

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JPH0155465B2
JPH0155465B2 JP58155888A JP15588883A JPH0155465B2 JP H0155465 B2 JPH0155465 B2 JP H0155465B2 JP 58155888 A JP58155888 A JP 58155888A JP 15588883 A JP15588883 A JP 15588883A JP H0155465 B2 JPH0155465 B2 JP H0155465B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は螢光体発光を利用して文字・記号等を
表示する螢光表示装置に関し、特に発光エレメン
トをマトリツクス状に配列してなる発光表示部を
備えた螢光表示装置に関するものである。
〔従来技術〕
文字・記号等を表示する螢光表示管としては、
例えば特開昭53−141570に記載された、所定文字
数分のグリツドとグリツドに対向して複数個の螢
光体ドツトをマトリツクス状（例えば５×７ドツ
ト）に配置し、グリツドに順次時分割パルスを印
加して駆動するものが実用化されている。
しかし、このような螢光表示管では、表示文字
の多様性に伴うドツト数の増加および発光文字数
の増加、すなわちグリツド数の増加に伴つて螢光
表示管の管外導出リード線数が増加し、その接続
作業が煩雑になるとともにグリツドおよびけい光
体ドツトを駆動する駆動素子数が増加して装置が
高価とならざるを得なかつた。また、グリツドを
順次時分割パルスを印加して駆動することから文
字数の増加、すなわちグリツド数の増加によりデ
ユーテイフアクターが低下するため、必要輝度を
得るために必要な駆動電圧が高くなり、高価な高
耐圧素子を必要としたり、あるいは駆動素子の入
手が困難な場合も生じていた。
その他に、画像表示を行なわせる目的で開発さ
れた特公昭56−24993、特開昭57−99688などに記
載されたものが提案されている。これらは、
MOS−FETからなるスイツチング素子と、この
スイツチング素子に接続された螢光面形成電極
と、コンデンサからなるメモリ部と、上記スイツ
チング素子を駆動するシフトレジスタ等を同一半
導体基板に集積化して表示部を形成するものであ
る。
しかし、この表示装置は、前述したような螢光
表示管の外部導出リード線数の増加に対しては効
果があるものの、メモリ部がコンデンサによるダ
イナミツクメモリであるため、高輝度の表示を得
るにはリフレツシユ回数を多く、すなわち高周波
数で駆動する必要があり、特に表示エレメントが
増加するとリフレツシユを必要回数行なうことが
困難となつて輝度の低下もしくは発光のちらつき
を生ずることがあつた。
〔発明の目的および構成〕
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、表示管外への導出リード線
数が少なく、かつメモリのリフレツシユの必要が
なく低電圧駆動で高輝度の表示が得られる螢光表
示装置を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、
フリツプフロツプで構成したスタテツクRAM
（ランダムアクセスメモリ）（以後Ｓ―RAMと略
記する）のＱ出力点または出力点に螢光面形成
電極への電圧印加をスイツチングするトランジス
タを接続して発光エレメントを構成し、このエレ
メントを多数マトリツクス配列してなる発行表示
部と、これを制御する駆動部とを同一半導体集積
基板に形成したものである。以下、実施例を用い
て本発明を詳細に説明する。
〔実施例〕 例えば漢字表示を目的とする発光ドツト数24×
24ドツトの表示装置では、第１図に示すような回
路部を１個の半導体基板に集積化する。そして、
表示文字数に相当する同様の半導体集積基板をガ
ラス等の絶縁基板上に位置し、表示画素に対向配
置したフイラメント状陰極を設け、その上から透
明なカバーガラスをかぶせて絶縁基板と気密封止
した後、内部を真空排気して目的とする螢光表示
装置が構成される。なお、フイラメント状陰極と
表示画素との間の空間に、全表示画素を覆う１枚
のグリツド電極を必要に応じて配置してもよい。
第１図において、１は表示画素部、２はこの表
示画素部１を駆動制御する駆動部を構成する行選
択回路、３ａは入出力回路、３ｂは列選択回路、
４は入力データコントロール回路、５はパワーダ
ウン回路であり、表示画素部１以外は通常のＳ―
RAMで用いられると同様の回路構成であるが、
またA0〜A6、Ｉ／O1〜Ｉ／O8、、の各端
子は各表示文字に対応する各半導体集積基板間で
対応するものをそれぞれ共通接続し、表示管外に
導出して用いる。端子については各半導体集
積基板別に表示文字数に相当する数だけ表示管外
へ導出する。
そこで、次に表示画素部１を形成する１発光エ
レメントの構成例を説明する。
第２図は、Ｃ−MOS基板を用い、駆動用トラ
ンジスタをＰ−MOSによつて構成した例を示す。
同図において、６はフイラメント状陰極、７はフ
イラメント電源、８は螢光表示管駆動電源、９は
グリツド、１０は螢光体、１１は螢光面を形成す
る発光電極（陽極）、１２は駆動用トランジスタ、
１３はフリツプフロツプ構成のＳ−RAM部、１
４ａ，１４ｂは各エレメント間で共通接続されて
第１図に示した列選択回路３ｂに接続される１お
よび０の各ビツトライン、１５は行ごとに共通接
続されて第１図に示す行選択回路２に接続される
ワードセレクトラインを示す。なお、TL1，TL2
およびT1〜T4はＳ−RAM部１３を構成するトラ
ンジスタである。
上記構成において、ビツトライン１４ａまたは
１４ｂとワードセレクトライン１５との組合せに
より、各エレメントに発光または非発光の信号が
選択付加され、Ｓ−RAM部１３に記憶される
と、Ｓ−RAM部１３の出力点の電圧により駆
動用トランジスタ１２がスイツチングし、VSS電
源ラインを通じて螢光表示管駆動電源８の電圧が
発光電極１１を介して螢光体１０に供給される。
その結果、フイラメント電源７により加熱されグ
リツド９によつて加速・拡散された熱電子は駆動
電源８の加速電圧により螢光体１０を衝撃して発
光表示が行なわれる。一度発光表示を開始した螢
光体１０は、ビツトライン１４ａ，１４ｂとワー
ドセレクトライン１５との組合せにより非発光の
信号が入力されるまで、Ｓ−RAM部１３の記憶
により発光を持続する。したがつて、記憶状態を
発光の持続中リフレツシユする必要がなく、螢光
体１０に直流電圧が印加されるので低電圧で高輝
度、かつちらつきのない表示が行なえる。なお、
先にも述べた通りグリツド９は必要に応じて設け
ればよい。
次に、発光エレメントの他の構成例を第３図に
示す。同図は、第２図と同様Ｃ−MOS基板を用
い、駆動用トランジスタ１２をＰ−MOSによつ
て構成した例で、第２図と同等部分は同一記号で
示してある。すなわち、第３図は第２図の回路
に、さらに第１の端子がワードセレクトライン１
５に、第２の端子が発光電極１１に、第３の端子
が読出しライン１６にそれぞれ接続された読出し
用トランジスタ１７を付加したもので、読出しラ
イン１６は列ごとに共通接続されて列選択回路３
ｂに接続される。
上記構成において、基本的な発光表示メカニズ
ムは第２図の場合と同様であるが、さらに、ワー
ドセレクトライン１５に検査信号を順次印加して
走査することにより読出しライン１６を通じてＳ
−RAM部１３の記憶状態を読出すことが可能と
なり、この半導体集積基板単体で、その検査が可
能となつて、表示装置の製造過程での良品の選別
が可能となる。また、この読出しライン１６は、
当該螢光表示装置の駆動中にその発光状態を他の
機器に転送する信号線としても用いることができ
る。
同様に、第４図にＣ−MOS基板を用い、駆動
用トランジスタ１２をＰ−MOS、読出し用トラ
ンジスタ１７をＮ−MOS構成とした回路例を、
第５図にＣ−MOS基板を用い、駆動用トランジ
スタ１２および読出し用トランジスタ１７をＰ−
MOS構成とした回路例を、第６図に駆動用トラ
ンジスタ１２および読出し用トランジスタ１７を
Ｎ−MOS構成とした回路例を示す。各図中、第
３図と同一記号は同等部分を示し、基本的な作用
効果も第３図と同様である。
以上、いずれもＣ−MOS基板を用いた場合を
例にとつて説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えばバイポーラトランジス
タ、その他どのようなスイツチング素子構成を用
いても、また基板もシリコン以外の他の基板を用
いても、同様に実施することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、メモリ
部をフリツプフロツプを用いたＳ−RAMで形成
し、かつ当該フリツプフロツプのＱもしくは出
力点に螢光面形成電極への電圧印加をスイツチン
グするトランジスタを接続して１発光エレメント
を構成し、この発光エレメントを多数マトリツク
ス配列した発行表示部を駆動部とともに同一半導
体集積基板に形成したことにより、表示管外への
導出リード線数が少なく、かつメモリのリフレツ
シユの必要がなく低電圧で高輝度の表示が行なえ
る螢光表示装置が得られる。さらに、上記構成に
おいて螢光面形成電極の信号状態を読出す読出し
用トランジスタを付加した場合には、当該半導体
集積基板を単体で検査することが可能となり、製
造過程での良品の選別が容易となる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す同一半導体集
積基板に形成される発光表示部および駆動部回路
のブロツク図、第２図ないし第６図はそれぞれ１
発光エレメントの構成例を示す回路図である。 １……表示画素部、２……行選択回路、３ａ…
…入出力回路、３ｂ……行選択回路、４……入力
データコントロール回路、６……陰極、８……螢
光表示管駆動電源、１０……螢光体、１１……発
光電極（螢光面形成電極）、１２……駆動用トラ
ンジスタ、１３……Ｓ−RAM、１５……ワード
セレクトライン、１６……読出しライン、１７…
…読出し用トランジスタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ フリツプフロツプからなるスタテイツク
    RAM部と、上記フリツプフロツプのＱ出力点ま
    たは出力点に接続された第１の端子および螢光
    面形成電極に接続された第２の端子ならびに電源
    ラインに接続された第３の端子を有する駆動用ト
    ランジスタ部とで１発光エレメントを形成し、こ
    の発光エレメントを多数マトリツクス状に配列し
    た発光表示部と、この発光表示部を制御する駆動
    部とを同一半導体集積基板に一体に形成し、この
    半導体集積基板と、当該半導体集積基板の上記発
    光表示部搭載面に対向配置した陰極とを少なくと
    も一面が透光性を有する真空容器に内蔵してなる
    螢光表示装置。 ２ フリツプフロツプからなるスタテイツク
    RAM部と、上記フリツプフロツプのＱ出力点ま
    たは出力点に接続された第１の端子および螢光
    面形成電極に接続された第２の端子ならびに電源
    ラインに接続された第３の端子を有する駆動用ト
    ランジスタ部と、上記スタテイツクRAMのワー
    ドセレクトラインに接続された第１の端子および
    上記螢光面形成電極に接続された第２の端子なら
    びにデータ読出しラインに接続された第３の端子
    を有する読出し用トランジスタ部とで１発光エレ
    メントを形成し、この発光エレメントを多数マト
    リツクス状に配列した発光表示部と、この発光表
    示部を制御する駆動部とを同一半導体集積基板に
    一体に形成し、この半導体集積基板と、当該半導
    体集積基板の上記発光表示部搭載面に対向配置し
    た陰極とを少なくとも一面が透光性を有する真空
    容器に内蔵してなる螢光表示装置。
JP58155888A 1983-08-26 1983-08-26 螢光表示装置 Granted JPS6048090A (ja)

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH063716B2 (ja) * 1986-01-09 1994-01-12 伊勢電子工業株式会社 螢光表示装置
JPS62160643A (ja) * 1986-01-09 1987-07-16 Ise Electronics Corp 螢光表示装置
JPS6369133A (ja) * 1986-09-11 1988-03-29 Canon Inc 電子放出装置
JP2517699Y2 (ja) * 1988-01-22 1996-11-20 日本電気株式会社 蛍光表示管
US4872002A (en) * 1988-02-01 1989-10-03 General Electric Company Integrated matrix display circuitry
US4963860A (en) * 1988-02-01 1990-10-16 General Electric Company Integrated matrix display circuitry
US4996523A (en) * 1988-10-20 1991-02-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent storage display with improved intensity driver circuits
JPH03134781A (ja) * 1989-10-20 1991-06-07 Futaba Corp 表示装置
JP3989718B2 (ja) * 2001-01-18 2007-10-10 シャープ株式会社 メモリ一体型表示素子
KR100658617B1 (ko) * 2004-05-24 2006-12-15 삼성에스디아이 주식회사 발광표시 장치용 정적램 코어 셀
JP2007328255A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Futaba Corp アクティブマトリクス型表示素子

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52123663A (en) * 1976-04-09 1977-10-18 Seiko Instr & Electronics Ltd Electronic watch
JPS5760644A (en) * 1980-09-26 1982-04-12 Futaba Corp Fluorescent display unit
JPS5799688A (en) * 1980-12-11 1982-06-21 Sharp Kk Display driving circuit

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA949159A (en) * 1970-06-20 1974-06-11 Teruo Sato Scanning apparatus for dc el crossed-grid panel
US3728714A (en) * 1971-03-11 1973-04-17 Stewart Warner Corp Non-flickering display system having multi-phase power source
NL7107040A (ja) * 1971-05-22 1972-11-24
US3793628A (en) * 1972-09-01 1974-02-19 Ncr Electroluminescent display device
US3913090A (en) * 1972-11-30 1975-10-14 Us Army Direct current electroluminescent panel using amorphous semiconductors for digitally addressing alpha-numeric displays
US3882355A (en) * 1972-12-29 1975-05-06 Ibm Flat screen display device using controlled cold cathodes
US4051389A (en) * 1975-03-12 1977-09-27 Hitachi, Ltd. Flip-flop circuit
US4162427A (en) * 1977-03-18 1979-07-24 Nippon Hoso Kyokai Gas-discharge display panel
US4112333A (en) * 1977-03-23 1978-09-05 Westinghouse Electric Corp. Display panel with integral memory capability for each display element and addressing system
JPS53141570A (en) * 1977-05-17 1978-12-09 Ise Electronics Corp Dot display multiple digit fluorescent display tube
US4133611A (en) * 1977-07-08 1979-01-09 Xerox Corporation Two-page interweaved random access memory configuration
US4104732A (en) * 1977-08-02 1978-08-01 Texas Instruments Incorporated Static RAM cell
DE2738678C3 (de) * 1977-08-27 1982-03-04 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Monolithisch integrierte Speicherzelle
JPS6057707B2 (ja) * 1978-01-25 1985-12-16 株式会社日立製作所 記憶回路
US4193126A (en) * 1978-12-04 1980-03-11 General Instrument Corporation I2 L Ram unit
US4246592A (en) * 1979-01-02 1981-01-20 Texas Instruments Incorporated High density static memory cell
GB2042238B (en) * 1979-02-14 1982-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Drive circuit for a liquid crystal display panel
US4236154A (en) * 1979-05-21 1980-11-25 Burroughs Corporation Selectable phase driver for dot matrix display panel
JPS5847796B2 (ja) * 1979-05-26 1983-10-25 富士通株式会社 半導体メモリ装置
US4368467A (en) * 1980-02-29 1983-01-11 Fujitsu Limited Display device
US4315259A (en) * 1980-10-24 1982-02-09 Burroughs Corporation System for operating a display panel having memory
US4400712A (en) * 1981-02-13 1983-08-23 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Static bipolar random access memory
JPS57202050A (en) * 1981-06-08 1982-12-10 Futaba Corp Fluorescent display unit
DE3235724A1 (de) * 1981-10-02 1983-04-21 Futaba Denshi Kogyo K.K., Mobara, Chiba Leuchtstoff-anzeigevorrichtung
JPS5890758A (ja) * 1981-11-25 1983-05-30 Mitsubishi Electric Corp 相補形集積回路装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52123663A (en) * 1976-04-09 1977-10-18 Seiko Instr & Electronics Ltd Electronic watch
JPS5760644A (en) * 1980-09-26 1982-04-12 Futaba Corp Fluorescent display unit
JPS5799688A (en) * 1980-12-11 1982-06-21 Sharp Kk Display driving circuit

Also Published As

Publication number Publication date
US4688030A (en) 1987-08-18
DE3431299C2 (ja) 1988-01-07
JPS6048090A (ja) 1985-03-15
DE3431299A1 (de) 1985-03-14

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