JP2000206925A - 平面型表示装置 - Google Patents
平面型表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電界放出型カソード及びアノード電極間の放
射電流の上限を、安定に一定に抑えることができると共
に、データ駆動手段の負担を小さくすることができ、且
つ、電力消費の増大を抑制することのできる平面型表示
装置を得る。 【解決手段】 マトリックス状に配された電界放出型カ
ソードＫからなる画素が、マトリックス状に配列された
電界放出型カソード群と、マトリックス状に配された引
き出し電極ＤＲからなる引き出し電極群と、その引き出
し電極群に対向するアノード電極と、そのアノード電極
に設けられた蛍光体層と、引き出し電極群に引き出し電
圧を印加する走査駆動手段ＳＤと、電界放出型カソード
群に画像データに応じて選択的に低電圧を印加するデー
タ駆動手段ＤＤと、各電界放出型カソード電極Ｋ及び低
電圧点間にそれぞれ接続された定電流手段とを有する。
射電流の上限を、安定に一定に抑えることができると共
に、データ駆動手段の負担を小さくすることができ、且
つ、電力消費の増大を抑制することのできる平面型表示
装置を得る。 【解決手段】 マトリックス状に配された電界放出型カ
ソードＫからなる画素が、マトリックス状に配列された
電界放出型カソード群と、マトリックス状に配された引
き出し電極ＤＲからなる引き出し電極群と、その引き出
し電極群に対向するアノード電極と、そのアノード電極
に設けられた蛍光体層と、引き出し電極群に引き出し電
圧を印加する走査駆動手段ＳＤと、電界放出型カソード
群に画像データに応じて選択的に低電圧を印加するデー
タ駆動手段ＤＤと、各電界放出型カソード電極Ｋ及び低
電圧点間にそれぞれ接続された定電流手段とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電界放出型カソード
を備えた平面型表示装置に関する。
を備えた平面型表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に、図７及び図８を参照して、電界
放出型カソード（エミッタ）を備えた平面型表示装置の
従来例を説明する。図７及び図８において、ＫＫ及びＧ
は、ＸＹマトリックスを構成するそれぞれ複数本の等間
隔、等幅のカソード電極及びゲート電極（引き出し電
極）で、絶縁層Ｚを介して互いに交叉して対向する如く
配されている。Ａは複数のゲート電極Ｇに対し所定間隔
を以て対向するアノード電極である。アノード電極Ａの
上面（下面も可）には蛍光体層Ｐが塗布されている。
放出型カソード（エミッタ）を備えた平面型表示装置の
従来例を説明する。図７及び図８において、ＫＫ及びＧ
は、ＸＹマトリックスを構成するそれぞれ複数本の等間
隔、等幅のカソード電極及びゲート電極（引き出し電
極）で、絶縁層Ｚを介して互いに交叉して対向する如く
配されている。Ａは複数のゲート電極Ｇに対し所定間隔
を以て対向するアノード電極である。アノード電極Ａの
上面（下面も可）には蛍光体層Ｐが塗布されている。
【０００３】複数のカソード電極ＫＫ及び複数のゲート
電極Ｇの交叉部において、各ゲート電極Ｇには円形の孔
ｈが穿設されると共に、この孔ｈに連通するキャビティ
ＣＶが絶縁層Ｚ内に設けられる。このキャビティＣＶ内
において、カソード電極ＫＫ上に、円錐形形状のスピン
ト（ Spindt:人名) 型電界放出型カソード（エミッタ）
Ｋが植立される。電界放出型カソードＫは、０．０１Ｖ
／Å〜０．１Ｖ／Å程度の電界を選択的に与えることに
よって、トンネル効果により電子放出がなされる、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｃｒ等の材料から構成される。そして、カソー
ドＫの頂点が孔ｈの中心に位置するように、孔ｈ及びカ
ソードＫ間の位置関係が設定されている。
電極Ｇの交叉部において、各ゲート電極Ｇには円形の孔
ｈが穿設されると共に、この孔ｈに連通するキャビティ
ＣＶが絶縁層Ｚ内に設けられる。このキャビティＣＶ内
において、カソード電極ＫＫ上に、円錐形形状のスピン
ト（ Spindt:人名) 型電界放出型カソード（エミッタ）
Ｋが植立される。電界放出型カソードＫは、０．０１Ｖ
／Å〜０．１Ｖ／Å程度の電界を選択的に与えることに
よって、トンネル効果により電子放出がなされる、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｃｒ等の材料から構成される。そして、カソー
ドＫの頂点が孔ｈの中心に位置するように、孔ｈ及びカ
ソードＫ間の位置関係が設定されている。
【０００４】これらの電極Ｇ、カソード電極ＫＫ、カソ
ードＫ、アノード電極Ａ、蛍光体層Ｐ及び絶縁層Ｚは、
ガラス等からなる偏平管内に収納され、偏平管内は真空
となされる。
ードＫ、アノード電極Ａ、蛍光体層Ｐ及び絶縁層Ｚは、
ガラス等からなる偏平管内に収納され、偏平管内は真空
となされる。
【０００５】アノード電極Ａには、固定電圧、例えば、
＋３ｋＶの直流電圧が印加されている。複数のゲート電
極Ｇには、スキャンドライバＳＤからの、例えば、＋１
００Ｖの直流電圧が、図７において、上側のゲート電極
Ｇから下側のゲート電極Ｇへと順次循環的に印加され
る。複数のカソード電極ＫＫには、データドライバＤＤ
からの、画像信号に応じた０Ｖ（例えば、０Ｖ〜＋１０
Ｖの電圧も可）の電圧が選択に印加される。
＋３ｋＶの直流電圧が印加されている。複数のゲート電
極Ｇには、スキャンドライバＳＤからの、例えば、＋１
００Ｖの直流電圧が、図７において、上側のゲート電極
Ｇから下側のゲート電極Ｇへと順次循環的に印加され
る。複数のカソード電極ＫＫには、データドライバＤＤ
からの、画像信号に応じた０Ｖ（例えば、０Ｖ〜＋１０
Ｖの電圧も可）の電圧が選択に印加される。
【０００６】かくして、複数のゲート電極Ｇ及び複数の
カソード電極ＫＫのうち、＋１００Ｖの直流電圧が印加
さされたゲート電極Ｇと、０Ｖの電圧が印加されたカソ
ード電極ＫＫの交点において、カソードＫとアノード電
極Ａとの間で電界放射（電子放射）が開始され、ゲート
電極ＧによってカソードＫから引き出された電子が、ア
ノード電極Ａに衝撃されて、蛍光体層Ｐが発光する。
カソード電極ＫＫのうち、＋１００Ｖの直流電圧が印加
さされたゲート電極Ｇと、０Ｖの電圧が印加されたカソ
ード電極ＫＫの交点において、カソードＫとアノード電
極Ａとの間で電界放射（電子放射）が開始され、ゲート
電極ＧによってカソードＫから引き出された電子が、ア
ノード電極Ａに衝撃されて、蛍光体層Ｐが発光する。
【０００７】この平面型表示装置では、ゲート電極Ｇ及
びカソード電極ＫＫの交点の、例えば、１０００個分の
集まりが１画素として、画像が表示される。蛍光体層Ｐ
の全体を、白色発光蛍光体層にて構成すれば、モノクロ
ーム平面型表示装置が得られ、螢光体層Ｐを１画素毎の
幅を有する赤、緑及び青発光蛍光体ストライプにて構成
すれば、カラー平面型表示装置が得られる。
びカソード電極ＫＫの交点の、例えば、１０００個分の
集まりが１画素として、画像が表示される。蛍光体層Ｐ
の全体を、白色発光蛍光体層にて構成すれば、モノクロ
ーム平面型表示装置が得られ、螢光体層Ｐを１画素毎の
幅を有する赤、緑及び青発光蛍光体ストライプにて構成
すれば、カラー平面型表示装置が得られる。
【０００８】電界放出型カソード（エミッタ）Ｋの例と
しては、図８に図示したものの他に、種々あるが、その
一部の例を図９を参照して説明する。尚、図９Ａ１、Ｂ
１、Ｃ１はカソードの平面図、図９Ａ２、Ｂ２、Ｃ２
は、それぞれ図９Ａ１、Ｂ１、Ｃ１のカソードの断面図
である。
しては、図８に図示したものの他に、種々あるが、その
一部の例を図９を参照して説明する。尚、図９Ａ１、Ｂ
１、Ｃ１はカソードの平面図、図９Ａ２、Ｂ２、Ｃ２
は、それぞれ図９Ａ１、Ｂ１、Ｃ１のカソードの断面図
である。
【０００９】図９Ａ１、Ａ２は一対の電極を示し、その
一方がカソード、他方がゲート電極で、カソードのゲー
ト電極と対向する端部から、図示を省略したアノード電
極に向かって電子が放出される。尚、これら一対の電極
のいずれか一方、又は、両方を櫛歯状にしても良い。
一方がカソード、他方がゲート電極で、カソードのゲー
ト電極と対向する端部から、図示を省略したアノード電
極に向かって電子が放出される。尚、これら一対の電極
のいずれか一方、又は、両方を櫛歯状にしても良い。
【００１０】図９Ｂ１、Ｂ２は、例えば、四角形の孔を
有するカソードを示し、その四角形の孔のエッジから電
子が放出される。
有するカソードを示し、その四角形の孔のエッジから電
子が放出される。
【００１１】図９Ｃ１、Ｃ２は、円盤の上面が曲面、例
えば、球面を構成するように凹んだカソードを示し、そ
の凹みのエッジから電子が放出される。
えば、球面を構成するように凹んだカソードを示し、そ
の凹みのエッジから電子が放出される。
【００１２】電界放出型カソード（エミッタ）Ｋの例と
しては、金属／絶縁層／金属からなるＭＩＭ型の電子放
出素子にて構成しても良い。
しては、金属／絶縁層／金属からなるＭＩＭ型の電子放
出素子にて構成しても良い。
【００１３】さて、かかる電界放出型カソードを備えた
平面型表示装置では、図示を省略するも、各カソードＫ
と、カソード電極ＫＫとの間に、それぞれ、例えば、１
ＭΩ程度の高抵抗の抵抗器を接続して、各カソードＫか
らの放射電流の安定化を図っている。
平面型表示装置では、図示を省略するも、各カソードＫ
と、カソード電極ＫＫとの間に、それぞれ、例えば、１
ＭΩ程度の高抵抗の抵抗器を接続して、各カソードＫか
らの放射電流の安定化を図っている。
【００１４】しかし、この場合には、高抵抗の抵抗器に
電流が流れるので、これが平面型表示装置における消費
電力を増大させるので、好ましくない。
電流が流れるので、これが平面型表示装置における消費
電力を増大させるので、好ましくない。
【００１５】次に、図１０〜図１３を参照して、ＭＯＳ
トランジスタを使用することによって、平面型表示装置
における電力消費の増大を伴わずして、各カソードから
の放射電流の安定化を図るようにした他の従来例を説明
する。
トランジスタを使用することによって、平面型表示装置
における電力消費の増大を伴わずして、各カソードから
の放射電流の安定化を図るようにした他の従来例を説明
する。
【００１６】先ず、図１０及び図１０の一部を拡大して
示した図１１を参照して説明する。この従来例の平面型
表示装置は、マトリックス状に配されたｍ行ｎ列（但
し、ｍ、ｎは１以上の整数で、ここではｍ＝５、ｎ＝４
であるが、実際には、例えば、ｍ＝４０、ｎ＝２５であ
る）の電界放出型カソードＫからなる画素が、Ｍ行Ｎ列
（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリックス状に配
列された電界放出型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリッ
クス状に配列された画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列の
マトリックス状に配された引き出し電極ＤＲからなる引
き出し電極群と、その引き出し電極群に対向するアノー
ド電極（図示を省略）と、そのアノード電極の上側又は
下側に設けられた蛍光体層（図示を省略）と、引き出し
電極群に対し行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印加
するスキャンドライバＳＤと、電界放出型カソード群に
対し画素の列毎に画像データに応じて選択的に低電圧を
印加するデータドライバＤＤとを有する。
示した図１１を参照して説明する。この従来例の平面型
表示装置は、マトリックス状に配されたｍ行ｎ列（但
し、ｍ、ｎは１以上の整数で、ここではｍ＝５、ｎ＝４
であるが、実際には、例えば、ｍ＝４０、ｎ＝２５であ
る）の電界放出型カソードＫからなる画素が、Ｍ行Ｎ列
（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリックス状に配
列された電界放出型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリッ
クス状に配列された画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列の
マトリックス状に配された引き出し電極ＤＲからなる引
き出し電極群と、その引き出し電極群に対向するアノー
ド電極（図示を省略）と、そのアノード電極の上側又は
下側に設けられた蛍光体層（図示を省略）と、引き出し
電極群に対し行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印加
するスキャンドライバＳＤと、電界放出型カソード群に
対し画素の列毎に画像データに応じて選択的に低電圧を
印加するデータドライバＤＤとを有する。
【００１７】画素毎の電界放出型カソードＫは、それぞ
れカソード電極ＫＫ上に植立され、画素毎の電界放出型
カソードＫに対応する各引き出し電極ＤＲには、その各
カソードＫに対応する孔ｈが穿設されている。画素毎の
電界放出型カソードＫ及びそれに対応する引き出し電極
ＤＲの間には、図示を省略するも絶縁層（例えば、Ｓｉ
Ｏ2 ）が介在せしめられ、その絶縁層には、引き出し電
極ＤＲの各孔ｈに連通するキャビティ（図示せず）が設
けられている。
れカソード電極ＫＫ上に植立され、画素毎の電界放出型
カソードＫに対応する各引き出し電極ＤＲには、その各
カソードＫに対応する孔ｈが穿設されている。画素毎の
電界放出型カソードＫ及びそれに対応する引き出し電極
ＤＲの間には、図示を省略するも絶縁層（例えば、Ｓｉ
Ｏ2 ）が介在せしめられ、その絶縁層には、引き出し電
極ＤＲの各孔ｈに連通するキャビティ（図示せず）が設
けられている。
【００１８】電界放出型カソードＫは、例えば、円錐形
形状のスピント（ Spindt:人名) 型で、０．０１Ｖ／Å
〜０．１Ｖ／Å程度の電界を選択的に与えることによっ
て、トンネル効果により電子放出がなされる、Ｍｏ、
Ｗ、Ｃｒ等の材料から構成される。そして、カソードＫ
の頂点が孔ｈの中心に対応するように、孔ｈ及びカソー
ドＫ間の位置関係が設定されている。
形状のスピント（ Spindt:人名) 型で、０．０１Ｖ／Å
〜０．１Ｖ／Å程度の電界を選択的に与えることによっ
て、トンネル効果により電子放出がなされる、Ｍｏ、
Ｗ、Ｃｒ等の材料から構成される。そして、カソードＫ
の頂点が孔ｈの中心に対応するように、孔ｈ及びカソー
ドＫ間の位置関係が設定されている。
【００１９】全画面共通のアノード電極には、例えば、
＋３〜＋５ｋＶ程度の固定の高圧直流電圧が印加され
る。列毎の複数の引き出し電極ＤＲには、スキャンドラ
イバＳＤからの、例えば、＋１００Ｖの直流電圧が、そ
れぞれ行線Ｃを通じて上側の引き出し電極ＤＲの列から
下側の引き出し電極ＤＲの列へと順次循環的に印加され
る。各列の画素毎のカソードＫには、データドライバＤ
Ｄからの、画像信号に応じた０Ｖ（例えば、０Ｖ〜＋１
０Ｖの電圧も可）の電圧が、それぞれ列線Ｒ及び各列の
カソード電極ＫＫを通じて印加される。
＋３〜＋５ｋＶ程度の固定の高圧直流電圧が印加され
る。列毎の複数の引き出し電極ＤＲには、スキャンドラ
イバＳＤからの、例えば、＋１００Ｖの直流電圧が、そ
れぞれ行線Ｃを通じて上側の引き出し電極ＤＲの列から
下側の引き出し電極ＤＲの列へと順次循環的に印加され
る。各列の画素毎のカソードＫには、データドライバＤ
Ｄからの、画像信号に応じた０Ｖ（例えば、０Ｖ〜＋１
０Ｖの電圧も可）の電圧が、それぞれ列線Ｒ及び各列の
カソード電極ＫＫを通じて印加される。
【００２０】かくして、複数行の引き出し電極ＤＲ及び
カソード電極Ｋの複数列の画素のうち、＋１００Ｖの直
流電圧が印加さされた引き出し電極ＤＲの列と、０Ｖの
電圧が印加された列の画素のカソードＫの交点におい
て、引き出し電極ＤＲによって、１画素分のカソードＫ
から引き出された電子が、アノード電極によって引っ張
られて電界放射（電子放射）が開始され、アノード電極
の１画素分のカソードＫに対向する部分が電子によって
衝撃されて、その部分の蛍光体層が発光して、１画素分
の画像が表示される。
カソード電極Ｋの複数列の画素のうち、＋１００Ｖの直
流電圧が印加さされた引き出し電極ＤＲの列と、０Ｖの
電圧が印加された列の画素のカソードＫの交点におい
て、引き出し電極ＤＲによって、１画素分のカソードＫ
から引き出された電子が、アノード電極によって引っ張
られて電界放射（電子放射）が開始され、アノード電極
の１画素分のカソードＫに対向する部分が電子によって
衝撃されて、その部分の蛍光体層が発光して、１画素分
の画像が表示される。
【００２１】蛍光体層の全体を、白色発光蛍光体層にて
構成すれば、モノクローム平面型表示装置が得られ、蛍
光体層を１画素毎の幅を有する赤、緑及び青発光蛍光体
ストライプにて構成すれば、カラー平面型表示装置が得
られる。
構成すれば、モノクローム平面型表示装置が得られ、蛍
光体層を１画素毎の幅を有する赤、緑及び青発光蛍光体
ストライプにて構成すれば、カラー平面型表示装置が得
られる。
【００２２】これらの引き出し電極ＤＲ、カソード電極
ＫＫ、カソードＫ、アノード電極、蛍光体層及び絶縁層
が、ガラス等からなる偏平管内に収納され、偏平管内は
高真空となされる。
ＫＫ、カソードＫ、アノード電極、蛍光体層及び絶縁層
が、ガラス等からなる偏平管内に収納され、偏平管内は
高真空となされる。
【００２３】図１１において、ＭＴは、各カソード電極
ＫＫ及び各電界放出型カソードＫ間に接続されたｎチャ
ンネル型のＭＯＳトランジスタで、その断面構造を図１
２に示す。ＳＢはｐ型の基板、Ｄはｎ+ 型のドレイン、
Ｓは同じくｎ+ 型のソース、ＩＮは絶縁層、Ｇはゲート
電極である。ＭＯＳトランジスタＭＴのドレインがカソ
ードＫに接続され、そのソースがカソード電極ＫＫ（図
１２では図示を省略している）に接続される。このＭＯ
ＳトランジスタＭＴのゲートに、所定の固定電圧が印加
されて、ＭＯＳトランジスタＭＴがオンになされると共
に、カソード電極ＫＫに、例えば、接地電位が与えられ
ると共に、そのカソード電極ＫＫと交叉する引き出し電
極ＤＲに、例えば、＋１００Ｖの電圧が与えられたと
き、そのカソード電極ＫＫ及び引き出し電極ＤＲの交叉
部の画素を構成する各カソードＫからアノード電極に流
れる電子流、即ち、アノード電極からカソードＫに流れ
る放射電流が、図１３の曲線に示す如く引き出し電極
ＤＲに印加される電圧の上昇にも拘らず、一定値に抑え
られる。尚、図１３のは、ＭＯＳトランジスタを設け
ない場合の放射電流の特性を示し、引き出し電極の電圧
の増加に伴って無限大に近く上昇する。
ＫＫ及び各電界放出型カソードＫ間に接続されたｎチャ
ンネル型のＭＯＳトランジスタで、その断面構造を図１
２に示す。ＳＢはｐ型の基板、Ｄはｎ+ 型のドレイン、
Ｓは同じくｎ+ 型のソース、ＩＮは絶縁層、Ｇはゲート
電極である。ＭＯＳトランジスタＭＴのドレインがカソ
ードＫに接続され、そのソースがカソード電極ＫＫ（図
１２では図示を省略している）に接続される。このＭＯ
ＳトランジスタＭＴのゲートに、所定の固定電圧が印加
されて、ＭＯＳトランジスタＭＴがオンになされると共
に、カソード電極ＫＫに、例えば、接地電位が与えられ
ると共に、そのカソード電極ＫＫと交叉する引き出し電
極ＤＲに、例えば、＋１００Ｖの電圧が与えられたと
き、そのカソード電極ＫＫ及び引き出し電極ＤＲの交叉
部の画素を構成する各カソードＫからアノード電極に流
れる電子流、即ち、アノード電極からカソードＫに流れ
る放射電流が、図１３の曲線に示す如く引き出し電極
ＤＲに印加される電圧の上昇にも拘らず、一定値に抑え
られる。尚、図１３のは、ＭＯＳトランジスタを設け
ない場合の放射電流の特性を示し、引き出し電極の電圧
の増加に伴って無限大に近く上昇する。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】図１０及び図１１に示
した従来例の平面型表示装置では、データドライバの駆
動電流が大きくなり、データドライバの負担が大きくな
るという欠点がある。又、各電界放出型カソードに対
し、個別にＭＯＳトランジスタを設けるので、構造が複
雑になると共に、製造工程が複雑になる。
した従来例の平面型表示装置では、データドライバの駆
動電流が大きくなり、データドライバの負担が大きくな
るという欠点がある。又、各電界放出型カソードに対
し、個別にＭＯＳトランジスタを設けるので、構造が複
雑になると共に、製造工程が複雑になる。
【００２５】かかる点に鑑み、本発明は、アノード電極
及び電界放出型カソード間の放射電流の上限を、安定に
一定に抑えることができると共に、データ駆動手段の負
担を小さくすることができ、且つ、電力消費の増大を抑
制することのできる平面型表示装置を提案しようとする
ものである。
及び電界放出型カソード間の放射電流の上限を、安定に
一定に抑えることができると共に、データ駆動手段の負
担を小さくすることができ、且つ、電力消費の増大を抑
制することのできる平面型表示装置を提案しようとする
ものである。
【００２６】又、本発明は、アノード電極及び画素を構
成する複数の電界放出型カソード間の放射電流の上限
を、安定に一定に抑えることができると共に、データ駆
動手段の負担を小さくすることができ、電力消費の増大
を抑制することができ、且つ、構造及び製造工程が簡単
となる平面型表示装置を提案しようとするものである。
成する複数の電界放出型カソード間の放射電流の上限
を、安定に一定に抑えることができると共に、データ駆
動手段の負担を小さくすることができ、電力消費の増大
を抑制することができ、且つ、構造及び製造工程が簡単
となる平面型表示装置を提案しようとするものである。
【００２７】更に、本発明は、アノード電極及び画素を
構成する複数の電界放出型カソード間の放射電流の上限
を、安定に一定に抑えることができると共に、電力消費
の増大を抑制することができ、且つ、構造及び製造工程
が簡単となる平面型表示装置を提案しようとするもので
ある。
構成する複数の電界放出型カソード間の放射電流の上限
を、安定に一定に抑えることができると共に、電力消費
の増大を抑制することができ、且つ、構造及び製造工程
が簡単となる平面型表示装置を提案しようとするもので
ある。
【００２８】更に、本発明は、アノード電極及び画素を
構成する複数の電界放出型カソード間の放射電流の上限
を、安定に一定に抑えることができると共に、電力消費
の増大を抑制することができ、データ駆動手段の負担を
小さくすることができ、且つ、構造及び製造工程が簡単
となる平面型表示装置を提案しようとするものである。
構成する複数の電界放出型カソード間の放射電流の上限
を、安定に一定に抑えることができると共に、電力消費
の増大を抑制することができ、データ駆動手段の負担を
小さくすることができ、且つ、構造及び製造工程が簡単
となる平面型表示装置を提案しようとするものである。
【００２９】
【課題を解決するための手段】第１の本発明による平面
型表示装置は、マトリックス状に配されたｍ行ｎ列（但
し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電界放出型カソードから
なる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）
のマトリックス状に配列された電界放出型カソード群
と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列された画素にそれ
ぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に配された引き
出し電極からなる引き出し電極群と、その引き出し電極
群に対向するアノード電極と、そのアノード電極に設け
られた蛍光体層と、引き出し電極群に対し行毎に順次に
循環的に引き出し電圧を印加する走査駆動手段と、電界
放出型カソード群に対し画素の列毎に画像データに応じ
て選択的に低電圧を印加するデータ駆動手段とを有する
平面型表示装置において、各電界放出型カソード電極及
び低電圧点間にそれぞれ接続された定電流手段からなる
定電流手段群を設けてなり、データ駆動手段は、画像デ
ータに応じて、定電流手段群を画素の列毎に選択的に定
電流動作状態に制御すると共に、残りを高インピーダン
ス状態に制御するようにしたものである。
型表示装置は、マトリックス状に配されたｍ行ｎ列（但
し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電界放出型カソードから
なる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）
のマトリックス状に配列された電界放出型カソード群
と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列された画素にそれ
ぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に配された引き
出し電極からなる引き出し電極群と、その引き出し電極
群に対向するアノード電極と、そのアノード電極に設け
られた蛍光体層と、引き出し電極群に対し行毎に順次に
循環的に引き出し電圧を印加する走査駆動手段と、電界
放出型カソード群に対し画素の列毎に画像データに応じ
て選択的に低電圧を印加するデータ駆動手段とを有する
平面型表示装置において、各電界放出型カソード電極及
び低電圧点間にそれぞれ接続された定電流手段からなる
定電流手段群を設けてなり、データ駆動手段は、画像デ
ータに応じて、定電流手段群を画素の列毎に選択的に定
電流動作状態に制御すると共に、残りを高インピーダン
ス状態に制御するようにしたものである。
【００３０】かかる第１の本発明によれば、データ駆動
手段は、画像データに応じて、各電界放出型カソード電
極及び低電圧点間にそれぞれ接続された定電流手段から
なる定電流手段群を、画素の列毎に選択的に定電流動作
状態に制御すると共に、残りを高インピーダンス状態に
制御する。
手段は、画像データに応じて、各電界放出型カソード電
極及び低電圧点間にそれぞれ接続された定電流手段から
なる定電流手段群を、画素の列毎に選択的に定電流動作
状態に制御すると共に、残りを高インピーダンス状態に
制御する。
【００３１】
【発明の実施の形態】第１の本発明は、マトリックス状
に配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の
電界放出型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、
Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリックス状に配列された
電界放出型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に
配列された画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリッ
クス状に配された引き出し電極からなる引き出し電極群
と、その引き出し電極群に対向するアノード電極と、そ
のアノード電極に設けられた蛍光体層と、引き出し電極
群に対し行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印加する
走査駆動手段と、電界放出型カソード群に対し画素の列
毎に画像データに応じて選択的に低電圧を印加するデー
タ駆動手段とを有する平面型表示装置において、各電界
放出型カソード電極及び低電圧点間にそれぞれ接続され
た定電流手段からなる定電流手段群を設けてなり、デー
タ駆動手段は、画像データに応じて、定電流手段群を画
素の列毎に選択的に定電流動作状態に制御すると共に、
残りを高インピーダンス状態に制御するようにした平面
型表示装置である。
に配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の
電界放出型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、
Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリックス状に配列された
電界放出型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に
配列された画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリッ
クス状に配された引き出し電極からなる引き出し電極群
と、その引き出し電極群に対向するアノード電極と、そ
のアノード電極に設けられた蛍光体層と、引き出し電極
群に対し行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印加する
走査駆動手段と、電界放出型カソード群に対し画素の列
毎に画像データに応じて選択的に低電圧を印加するデー
タ駆動手段とを有する平面型表示装置において、各電界
放出型カソード電極及び低電圧点間にそれぞれ接続され
た定電流手段からなる定電流手段群を設けてなり、デー
タ駆動手段は、画像データに応じて、定電流手段群を画
素の列毎に選択的に定電流動作状態に制御すると共に、
残りを高インピーダンス状態に制御するようにした平面
型表示装置である。
【００３２】第２の本発明は、マトリックス状に配され
たｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電界放出
型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは
２以上の整数）のマトリックス状に配列された電界放出
型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列され
た画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に
配された引き出し電極からなる引き出し電極群と、その
引き出し電極群に対向するアノード電極と、そのアノー
ド電極に設けられた蛍光体層と、引き出し電極群に対し
行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印加する走査駆動
手段と、電界放出型カソード群に対し画素の列毎に画像
データに応じて選択的に低電圧を印加するデータ駆動手
段とを有する平面型表示装置において、電界放出型カソ
ード群に対し画素の列毎に低電圧点との間にそれぞれ接
続された定電流手段を有し、データ駆動手段は、画像デ
ータに応じて、Ｎ個の定電流手段を選択的に定電流動作
状態に制御すると共に、残りを高インピーダンス状態に
制御するようにした平面型表示装置である。
たｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電界放出
型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは
２以上の整数）のマトリックス状に配列された電界放出
型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列され
た画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に
配された引き出し電極からなる引き出し電極群と、その
引き出し電極群に対向するアノード電極と、そのアノー
ド電極に設けられた蛍光体層と、引き出し電極群に対し
行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印加する走査駆動
手段と、電界放出型カソード群に対し画素の列毎に画像
データに応じて選択的に低電圧を印加するデータ駆動手
段とを有する平面型表示装置において、電界放出型カソ
ード群に対し画素の列毎に低電圧点との間にそれぞれ接
続された定電流手段を有し、データ駆動手段は、画像デ
ータに応じて、Ｎ個の定電流手段を選択的に定電流動作
状態に制御すると共に、残りを高インピーダンス状態に
制御するようにした平面型表示装置である。
【００３３】第３の本発明は、マトリックス状に配され
たｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電界放出
型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは
２以上の整数）のマトリックス状に配列された電界放出
型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列され
た画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に
配された引き出し電極からなる引き出し電極群と、その
引き出し電極群に対向するアノード電極と、そのアノー
ド電極に設けられた蛍光体層と、引き出し電極群に対し
行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印加する走査駆動
手段と、電界放出型カソード群に対し画素の列毎に画像
データに応じて選択的に低電圧を印加するデータ駆動手
段とを有する平面型表示装置において、電界放出型カソ
ード群に対し画素の列毎にデータ駆動手段との間にそれ
ぞれ接続された常時定電流状態にある定電流手段を有す
る平面型表示装置である。
たｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電界放出
型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは
２以上の整数）のマトリックス状に配列された電界放出
型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列され
た画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に
配された引き出し電極からなる引き出し電極群と、その
引き出し電極群に対向するアノード電極と、そのアノー
ド電極に設けられた蛍光体層と、引き出し電極群に対し
行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印加する走査駆動
手段と、電界放出型カソード群に対し画素の列毎に画像
データに応じて選択的に低電圧を印加するデータ駆動手
段とを有する平面型表示装置において、電界放出型カソ
ード群に対し画素の列毎にデータ駆動手段との間にそれ
ぞれ接続された常時定電流状態にある定電流手段を有す
る平面型表示装置である。
【００３４】第４の本発明は、マトリックス状に配され
たｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電界放出
型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは
２以上の整数）のマトリックス状に配列された電界放出
型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列され
た画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に
配された引き出し電極からなる引き出し電極群と、その
引き出し電極群に対向するアノード電極と、そのアノー
ド電極に設けられた蛍光体層とを有する平面型表示装置
において、引き出し電極に対し列毎に画像データに応じ
て選択的に引き出し電圧を印加するデータ駆動手段と、
電界放出型カソード群に対し画素の行毎にそれぞれ一端
が接続されたＭ個の第１の定電流手段と、そのＭ個の第
１の定電流手段を順次に循環的に定電流動作状態に制御
すると共に、残りを高インピーダンス状態に制御する走
査駆動手段と、データ駆動手段によって、画像データに
応じて、選択的に定電流動作状態に制御されると共に、
残りは高インピーダンス状態に制御される、各一端が低
電圧点に接続され、各他端がＭ個の第１の定電流手段の
各他端に共通に接続されたＮ個の第２の定電流手段とを
有する平面型表示装置である。
たｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電界放出
型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは
２以上の整数）のマトリックス状に配列された電界放出
型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列され
た画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に
配された引き出し電極からなる引き出し電極群と、その
引き出し電極群に対向するアノード電極と、そのアノー
ド電極に設けられた蛍光体層とを有する平面型表示装置
において、引き出し電極に対し列毎に画像データに応じ
て選択的に引き出し電圧を印加するデータ駆動手段と、
電界放出型カソード群に対し画素の行毎にそれぞれ一端
が接続されたＭ個の第１の定電流手段と、そのＭ個の第
１の定電流手段を順次に循環的に定電流動作状態に制御
すると共に、残りを高インピーダンス状態に制御する走
査駆動手段と、データ駆動手段によって、画像データに
応じて、選択的に定電流動作状態に制御されると共に、
残りは高インピーダンス状態に制御される、各一端が低
電圧点に接続され、各他端がＭ個の第１の定電流手段の
各他端に共通に接続されたＮ個の第２の定電流手段とを
有する平面型表示装置である。
【００３５】〔発明の実施の形態の具体例〕以下に、図
１及びその一部の拡大図である図２を参照して、本発明
の実施の形態の具体例１の平面型表示装置を説明する。
この具体例１の平面型表示装置は、マトリックス状に配
されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数で、ここ
ではｍ＝５、ｎ＝４であるが、実際には、例えば、ｍ＝
４０、ｎ＝２５である）の電界放出型カソードＫからな
る画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）の
マトリックス状に配列された電界放出型カソード群と、
Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列された画素にそれぞれ
対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に配された引き出し
電極ＤＲからなる引き出し電極群と、その引き出し電極
群に対向するアノード電極（図示を省略）と、そのアノ
ード電極の上側又は下側に設けられた蛍光体層（図示を
省略）と、引き出し電極群に対し行毎に順次に循環的に
引き出し電圧を印加するスキャンドライバＳＤと、電界
放出型カソード群に対し画素の列毎に画像データに応じ
て選択的に低電圧を印加するデータドライバＤＤとを有
する。
１及びその一部の拡大図である図２を参照して、本発明
の実施の形態の具体例１の平面型表示装置を説明する。
この具体例１の平面型表示装置は、マトリックス状に配
されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数で、ここ
ではｍ＝５、ｎ＝４であるが、実際には、例えば、ｍ＝
４０、ｎ＝２５である）の電界放出型カソードＫからな
る画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）の
マトリックス状に配列された電界放出型カソード群と、
Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列された画素にそれぞれ
対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に配された引き出し
電極ＤＲからなる引き出し電極群と、その引き出し電極
群に対向するアノード電極（図示を省略）と、そのアノ
ード電極の上側又は下側に設けられた蛍光体層（図示を
省略）と、引き出し電極群に対し行毎に順次に循環的に
引き出し電圧を印加するスキャンドライバＳＤと、電界
放出型カソード群に対し画素の列毎に画像データに応じ
て選択的に低電圧を印加するデータドライバＤＤとを有
する。
【００３６】図２に示す如く、電界放出型カソードＫに
対応する各引き出し電極ＤＲには、その各カソードＫに
対応する孔ｈが穿設されている。電界放出型カソードＫ
及びそれに対応する引き出し電極ＤＲの間には、図示を
省略するも絶縁層（例えば、ＳｉＯ2 ）が介在せしめら
れ、その絶縁層には、引き出し電極ＤＲの各孔ｈに連通
するキャビティ（図示せず）が設けられている。
対応する各引き出し電極ＤＲには、その各カソードＫに
対応する孔ｈが穿設されている。電界放出型カソードＫ
及びそれに対応する引き出し電極ＤＲの間には、図示を
省略するも絶縁層（例えば、ＳｉＯ2 ）が介在せしめら
れ、その絶縁層には、引き出し電極ＤＲの各孔ｈに連通
するキャビティ（図示せず）が設けられている。
【００３７】電界放出型カソードＫは、例えば、円錐形
形状のスピント（ Spindt:人名) 型で、０．０１Ｖ／Å
〜０．１Ｖ／Å程度の電界を選択的に与えることによっ
て、トンネル効果により電子放出がなされる、Ｍｏ、
Ｗ、Ｃｒ等の材料から構成される。そして、カソードＫ
の頂点が孔ｈの中心に対応するように、孔ｈ及びカソー
ドＫ間の位置関係が設定されている。
形状のスピント（ Spindt:人名) 型で、０．０１Ｖ／Å
〜０．１Ｖ／Å程度の電界を選択的に与えることによっ
て、トンネル効果により電子放出がなされる、Ｍｏ、
Ｗ、Ｃｒ等の材料から構成される。そして、カソードＫ
の頂点が孔ｈの中心に対応するように、孔ｈ及びカソー
ドＫ間の位置関係が設定されている。
【００３８】全画面共通のアノード電極（図示を省略）
には、例えば、＋３〜＋５ｋＶ程度の固定の高圧直流電
圧が印加される。図１に示す如く、列毎の複数の引き出
し電極ＤＲには、スキャンドライバＳＤからの、例え
ば、＋１００Ｖの直流電圧が、それぞれ行線Ｃを通じて
上側の引き出し電極ＤＲの列から下側の引き出し電極Ｄ
Ｒの列へと順次循環的に印加される。
には、例えば、＋３〜＋５ｋＶ程度の固定の高圧直流電
圧が印加される。図１に示す如く、列毎の複数の引き出
し電極ＤＲには、スキャンドライバＳＤからの、例え
ば、＋１００Ｖの直流電圧が、それぞれ行線Ｃを通じて
上側の引き出し電極ＤＲの列から下側の引き出し電極Ｄ
Ｒの列へと順次循環的に印加される。
【００３９】図２において、ＭＴは、各カソード電極Ｋ
Ｋ及び各電界放出型カソードＫ間に接続されたｎチャン
ネル型のＭＯＳトランジスタで、ＭＯＳトランジスタＭ
ＴのドレインがカソードＫに接続され、そのソースが接
地され、そのゲートがカソード電極ＫＫに接続される。
このＭＯＳトランジスタＭＴのゲートに、データドライ
バＤＤによって、画像データに応じて、例えば、＋５Ｖ
の電圧が選択的に印加されたときは、ＭＯＳトランジス
タＭＴがオンになって、カソードＫに接地電位が与えら
れる。このとき、このカソードＫの画素に対応する引き
出し電極ＤＲに、例えば、＋１００Ｖの電圧が印加され
ているときは、カソードＫからアノード電極に電子が放
射されて、電子によって衝撃されたアノード電極の部分
の蛍光体層が発光する。又、ＭＯＳトランジスタＭＴの
ゲートに、データドライバＤＤによって、画像データに
応じて、例えば、０Ｖの電圧が選択的に印加されたとき
は、ＭＯＳトランジスタＭＴはオフとなり（高インピー
ダンスを呈する）、カソードＫの電位は浮いたままであ
る。このときは、このカソードＫの画素に対応する引き
出し電極ＤＲに、＋１００Ｖの電圧が印加されていて
も、カソードＫからアノード電極への電子の放射は行わ
れない。
Ｋ及び各電界放出型カソードＫ間に接続されたｎチャン
ネル型のＭＯＳトランジスタで、ＭＯＳトランジスタＭ
ＴのドレインがカソードＫに接続され、そのソースが接
地され、そのゲートがカソード電極ＫＫに接続される。
このＭＯＳトランジスタＭＴのゲートに、データドライ
バＤＤによって、画像データに応じて、例えば、＋５Ｖ
の電圧が選択的に印加されたときは、ＭＯＳトランジス
タＭＴがオンになって、カソードＫに接地電位が与えら
れる。このとき、このカソードＫの画素に対応する引き
出し電極ＤＲに、例えば、＋１００Ｖの電圧が印加され
ているときは、カソードＫからアノード電極に電子が放
射されて、電子によって衝撃されたアノード電極の部分
の蛍光体層が発光する。又、ＭＯＳトランジスタＭＴの
ゲートに、データドライバＤＤによって、画像データに
応じて、例えば、０Ｖの電圧が選択的に印加されたとき
は、ＭＯＳトランジスタＭＴはオフとなり（高インピー
ダンスを呈する）、カソードＫの電位は浮いたままであ
る。このときは、このカソードＫの画素に対応する引き
出し電極ＤＲに、＋１００Ｖの電圧が印加されていて
も、カソードＫからアノード電極への電子の放射は行わ
れない。
【００４０】かくして、複数行の引き出し電極ＤＲ及び
カソード電極Ｋの複数列の画素のうち、＋１００Ｖの直
流電圧が印加さされた引き出し電極ＤＲの列と、０Ｖの
電圧が印加された列の画素のカソードＫの交点におい
て、引き出し電極ＤＲによって、１画素分のカソードＫ
から引き出された電子が、アノード電極によって引っ張
られて電界放射（電子放射）が開始され、アノード電極
の１画素分のカソードＫに対向する部分が電子によって
衝撃されて、その部分の蛍光体層が発光して、１画素分
の画像が表示される。
カソード電極Ｋの複数列の画素のうち、＋１００Ｖの直
流電圧が印加さされた引き出し電極ＤＲの列と、０Ｖの
電圧が印加された列の画素のカソードＫの交点におい
て、引き出し電極ＤＲによって、１画素分のカソードＫ
から引き出された電子が、アノード電極によって引っ張
られて電界放射（電子放射）が開始され、アノード電極
の１画素分のカソードＫに対向する部分が電子によって
衝撃されて、その部分の蛍光体層が発光して、１画素分
の画像が表示される。
【００４１】蛍光体層の全体を、白色発光蛍光体層にて
構成すれば、モノクローム平面型表示装置が得られ、蛍
光体層を１画素毎の幅を有する赤、緑及び青発光蛍光体
ストライプにて構成すれば、カラー平面型表示装置が得
られる。
構成すれば、モノクローム平面型表示装置が得られ、蛍
光体層を１画素毎の幅を有する赤、緑及び青発光蛍光体
ストライプにて構成すれば、カラー平面型表示装置が得
られる。
【００４２】これらの引き出し電極ＤＲ、カソード電極
ＫＫ、カソードＫ、ＭＯＳトランジスタＭＴアノード電
極、蛍光体層及び酸化膜が、ガラス等からなる偏平管内
に収納され、偏平管内は高真空となされる。
ＫＫ、カソードＫ、ＭＯＳトランジスタＭＴアノード電
極、蛍光体層及び酸化膜が、ガラス等からなる偏平管内
に収納され、偏平管内は高真空となされる。
【００４３】図１及び図２に示した具体例１の平面型表
示装置によれば、ＭＯＳトランジスタＭＴによって、ア
ノード電極及び電界放出型カソードＫ間の放射電流の上
限を、安定に一定に抑えることができると共に、アノー
ド電極及びカソードＫ間の放射電流がデータドライバに
流れないので、データドライバＤＤの負担を小さくする
ことができ、且つ、定電流を得るための高抵抗器を用い
ないので、電力消費の増大を抑制することのできる。
示装置によれば、ＭＯＳトランジスタＭＴによって、ア
ノード電極及び電界放出型カソードＫ間の放射電流の上
限を、安定に一定に抑えることができると共に、アノー
ド電極及びカソードＫ間の放射電流がデータドライバに
流れないので、データドライバＤＤの負担を小さくする
ことができ、且つ、定電流を得るための高抵抗器を用い
ないので、電力消費の増大を抑制することのできる。
【００４４】次に、図３を参照して、本発明の実施の形
態の具体例２の平面型表示装置を説明するも、図１と対
応する部分には、同一符号を付して一部重複説明を省略
する。この具体例３の平面型表示装置は、マトリックス
状に配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数、
ここではｍ＝５、ｎ＝４、実際には、例えば、ｍ＝４
０、ｎ＝２５である）の電界放出型カソードＫからなる
画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマ
トリックス状に配列された電界放出型カソード群と、Ｍ
行Ｎ列のマトリックス状に配列された画素にそれぞれ対
応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に配された引き出し電
極ＤＲからなる引き出し電極群と、その引き出し電極群
に対向するアノード電極（図示を省略）と、そのアノー
ド電極に設けられた蛍光体層（図示を省略）と、引き出
し電極群に対し行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印
加するスキャンドライバＳＤと、電界放出型カソード群
に対し画素の列毎に画像データに応じて選択的に低電圧
を印加するデータドライバＤＤとを有する。
態の具体例２の平面型表示装置を説明するも、図１と対
応する部分には、同一符号を付して一部重複説明を省略
する。この具体例３の平面型表示装置は、マトリックス
状に配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数、
ここではｍ＝５、ｎ＝４、実際には、例えば、ｍ＝４
０、ｎ＝２５である）の電界放出型カソードＫからなる
画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマ
トリックス状に配列された電界放出型カソード群と、Ｍ
行Ｎ列のマトリックス状に配列された画素にそれぞれ対
応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に配された引き出し電
極ＤＲからなる引き出し電極群と、その引き出し電極群
に対向するアノード電極（図示を省略）と、そのアノー
ド電極に設けられた蛍光体層（図示を省略）と、引き出
し電極群に対し行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印
加するスキャンドライバＳＤと、電界放出型カソード群
に対し画素の列毎に画像データに応じて選択的に低電圧
を印加するデータドライバＤＤとを有する。
【００４５】そして、この平面型表示装置は、電界放出
型カソード群に対し画素の列毎に低電圧点との間にそれ
ぞれ接続されたＭＯＳトランジスタＭＴを有し、データ
ドライバＤＤは、画像データに応じて、Ｎ個のＭＯＳト
ランジスタＭＴを選択的に定電流動作状態に制御すると
共に、残りを高インピーダンス状態に制御するようにす
る。即ち、ＭＯＳトランジスタＭＴの各ドレインを、列
線Ｒ及びカソード電極ＫＫを通じて、カソードＫの画素
の列に接続し、その各ソースを接地し、その各ゲートを
データドライバＤＤに接続する。
型カソード群に対し画素の列毎に低電圧点との間にそれ
ぞれ接続されたＭＯＳトランジスタＭＴを有し、データ
ドライバＤＤは、画像データに応じて、Ｎ個のＭＯＳト
ランジスタＭＴを選択的に定電流動作状態に制御すると
共に、残りを高インピーダンス状態に制御するようにす
る。即ち、ＭＯＳトランジスタＭＴの各ドレインを、列
線Ｒ及びカソード電極ＫＫを通じて、カソードＫの画素
の列に接続し、その各ソースを接地し、その各ゲートを
データドライバＤＤに接続する。
【００４６】データドライバＤＤは、各ＭＯＳトランジ
スタＭＴに対し、画像データに応じて、＋５Ｖ及び０Ｖ
の電圧を選択的に印加する。スキャンドライバＳＤは、
引き出し電極ＤＲに対し、行毎に順次に循環的に、行線
Ｃを通じて、例えば、＋１００Ｖの電圧を印加する。
スタＭＴに対し、画像データに応じて、＋５Ｖ及び０Ｖ
の電圧を選択的に印加する。スキャンドライバＳＤは、
引き出し電極ＤＲに対し、行毎に順次に循環的に、行線
Ｃを通じて、例えば、＋１００Ｖの電圧を印加する。
【００４７】ＭＯＳトランジスタＭＴのゲートに、デー
タドライバＤＤによって、画像データに応じて、例え
ば、＋５Ｖの電圧が選択的に印加されたときは、ＭＯＳ
トランジスタＭＴがオンになって、カソードＫに接地電
位が与えられる。このとき、このカソードＫの画素に対
応する引き出し電極ＤＲに、例えば、＋１００Ｖの電圧
が印加されているときは、カソードＫからアノード電極
に電子が放射されて、電子によって衝撃されたアノード
電極の部分の蛍光体層が発光する。又、ＭＯＳトランジ
スタＭＴのゲートに、データドライバＤＤによって、画
像データに応じて、例えば、０Ｖの電圧が選択的に印加
されたときは、ＭＯＳトランジスタＭＴはオフとなり
（高インピーダンスを呈する）、カソードＫの電位は浮
いたままである。このときは、このカソードＫの画素に
対応する引き出し電極ＤＲに、＋１００Ｖの電圧が印加
されていても、カソードＫからアノード電極への電子の
放射は行われない。
タドライバＤＤによって、画像データに応じて、例え
ば、＋５Ｖの電圧が選択的に印加されたときは、ＭＯＳ
トランジスタＭＴがオンになって、カソードＫに接地電
位が与えられる。このとき、このカソードＫの画素に対
応する引き出し電極ＤＲに、例えば、＋１００Ｖの電圧
が印加されているときは、カソードＫからアノード電極
に電子が放射されて、電子によって衝撃されたアノード
電極の部分の蛍光体層が発光する。又、ＭＯＳトランジ
スタＭＴのゲートに、データドライバＤＤによって、画
像データに応じて、例えば、０Ｖの電圧が選択的に印加
されたときは、ＭＯＳトランジスタＭＴはオフとなり
（高インピーダンスを呈する）、カソードＫの電位は浮
いたままである。このときは、このカソードＫの画素に
対応する引き出し電極ＤＲに、＋１００Ｖの電圧が印加
されていても、カソードＫからアノード電極への電子の
放射は行われない。
【００４８】この図３に示した具体例２の平面型表示装
置によれば、ＭＯＳトランジスタＭＴによって、アノー
ド電極及び画素を構成する複数の電界放出型カソード間
の放射電流の上限を、安定に一定に抑えることができる
と共に、データドライバＤＤにアノード電極及びカソー
ドＫ間の放射電流が流れないので、データドライバの負
担を小さくすることができ、定電流を得るための高抵抗
器を用いないので、電力消費の増大を抑制することがで
き、且つ、ＭＯＳトランジスタを電界照射型カソードＫ
群の画素の列毎に設けるので、構造及び製造工程が簡単
となる平面型表示装置を得ることができる。アノード電
極及び画素を構成する複数の電界放出型カソード間の放
射電流の上限を、安定に一定に抑えることができるとい
うことは、換言すれば、画素を構成する複数の電界放出
型カソードのうちの１部のカソードから電子が放射され
なくとも、又、１個のカソードのみから電子が放出され
ても、アノード電極及び画素を構成する複数の電界放出
型カソード間のトータルの放射電流の上限は、安定に一
定に抑えられるということである。
置によれば、ＭＯＳトランジスタＭＴによって、アノー
ド電極及び画素を構成する複数の電界放出型カソード間
の放射電流の上限を、安定に一定に抑えることができる
と共に、データドライバＤＤにアノード電極及びカソー
ドＫ間の放射電流が流れないので、データドライバの負
担を小さくすることができ、定電流を得るための高抵抗
器を用いないので、電力消費の増大を抑制することがで
き、且つ、ＭＯＳトランジスタを電界照射型カソードＫ
群の画素の列毎に設けるので、構造及び製造工程が簡単
となる平面型表示装置を得ることができる。アノード電
極及び画素を構成する複数の電界放出型カソード間の放
射電流の上限を、安定に一定に抑えることができるとい
うことは、換言すれば、画素を構成する複数の電界放出
型カソードのうちの１部のカソードから電子が放射され
なくとも、又、１個のカソードのみから電子が放出され
ても、アノード電極及び画素を構成する複数の電界放出
型カソード間のトータルの放射電流の上限は、安定に一
定に抑えられるということである。
【００４９】次に、図４を参照して、本発明の実施の形
態の具体例３の平面型表示装置を説明するも、図１と対
応する部分には、同一符号を付して一部重複説明を省略
する。この具体例３の平面型表示装置は、マトリックス
状に配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数
で、ここではｍ＝５、ｎ＝４、実際には、例えば、ｍ＝
４０、ｎ＝２５である）の電界放出型カソードＫからな
る画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）の
マトリックス状に配列された電界放出型カソード群と、
Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列された画素にそれぞれ
対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に配された引き出し
電極ＤＲからなる引き出し電極群と、その引き出し電極
群に対向するアノード電極（図示を省略）と、そのアノ
ード電極に設けられた蛍光体層（図示を省略）と、引き
出し電極群に対し行毎に順次に循環的に引き出し電圧を
印加するスキャンドライバＳＤと、電界放出型カソード
群に対し画素の列毎に画像データに応じて選択的に低電
圧を印加するデータドライバＤＤとを有する。
態の具体例３の平面型表示装置を説明するも、図１と対
応する部分には、同一符号を付して一部重複説明を省略
する。この具体例３の平面型表示装置は、マトリックス
状に配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数
で、ここではｍ＝５、ｎ＝４、実際には、例えば、ｍ＝
４０、ｎ＝２５である）の電界放出型カソードＫからな
る画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）の
マトリックス状に配列された電界放出型カソード群と、
Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列された画素にそれぞれ
対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に配された引き出し
電極ＤＲからなる引き出し電極群と、その引き出し電極
群に対向するアノード電極（図示を省略）と、そのアノ
ード電極に設けられた蛍光体層（図示を省略）と、引き
出し電極群に対し行毎に順次に循環的に引き出し電圧を
印加するスキャンドライバＳＤと、電界放出型カソード
群に対し画素の列毎に画像データに応じて選択的に低電
圧を印加するデータドライバＤＤとを有する。
【００５０】そして、この平面型表示装置は、電界放出
型カソード群に対し画素の列毎にデータドライバＤＤと
の間にそれぞれ接続された常時定電流状態にあるＭＯＳ
トランジスタを有する。即ち、ＭＯＳトランジスタＭＴ
の各ドレインを、列線Ｒ及びカソード電極ＫＫを通じ
て、カソードＫの画素の列に接続し、その各ソースをデ
ータドライバＤＤに接続し、その各ゲートに、入力端子
ｔから、例えば、＋５Ｖの固定直流電圧を印加して、常
時オン状態にしておく。
型カソード群に対し画素の列毎にデータドライバＤＤと
の間にそれぞれ接続された常時定電流状態にあるＭＯＳ
トランジスタを有する。即ち、ＭＯＳトランジスタＭＴ
の各ドレインを、列線Ｒ及びカソード電極ＫＫを通じ
て、カソードＫの画素の列に接続し、その各ソースをデ
ータドライバＤＤに接続し、その各ゲートに、入力端子
ｔから、例えば、＋５Ｖの固定直流電圧を印加して、常
時オン状態にしておく。
【００５１】ＭＯＳトランジスタＭＴのソースに、デー
タドライバＤＤによって、画像データに応じて、例え
ば、０Ｖの電圧が選択的に印加されたときは、画素を構
成する複数のカソードＫの列毎に、接地電位が与えられ
る。このとき、この画素を構成する複数のカソードＫに
対応する引き出し電極ＤＲに、例えば、＋１００Ｖの電
圧が印加されているときは、カソードＫからアノード電
極に電子が放射されて、電子によって衝撃されたアノー
ド電極の部分の蛍光体層が発光する。又、ＭＯＳトラン
ジスタＭＴのゲートに、データドライバＤＤによって、
画像データに応じて、選択的に何らの電圧も与えられな
いときは、カソードＫの電位は浮いたままである。この
ときは、この画素を構成する複数のカソードＫに対応す
る引き出し電極ＤＲに、＋１００Ｖの電圧が印加されて
いても、カソードＫからアノード電極への電子の放射は
行われない。
タドライバＤＤによって、画像データに応じて、例え
ば、０Ｖの電圧が選択的に印加されたときは、画素を構
成する複数のカソードＫの列毎に、接地電位が与えられ
る。このとき、この画素を構成する複数のカソードＫに
対応する引き出し電極ＤＲに、例えば、＋１００Ｖの電
圧が印加されているときは、カソードＫからアノード電
極に電子が放射されて、電子によって衝撃されたアノー
ド電極の部分の蛍光体層が発光する。又、ＭＯＳトラン
ジスタＭＴのゲートに、データドライバＤＤによって、
画像データに応じて、選択的に何らの電圧も与えられな
いときは、カソードＫの電位は浮いたままである。この
ときは、この画素を構成する複数のカソードＫに対応す
る引き出し電極ＤＲに、＋１００Ｖの電圧が印加されて
いても、カソードＫからアノード電極への電子の放射は
行われない。
【００５２】図４に図示の具体例３の平面型表示装置に
よれば、ＭＯＳトランジスタＭＴによって、アノード電
極及び画素を構成する複数の電界放出型カソード間の放
射電流の上限を、安定に一定に抑えることができると共
に、定電流を得るための高抵抗器を用いないので、電力
消費の増大を抑制することができ、且つ、ＭＯＳトラン
ジスタを、画素を構成する複数のカソードＫの列毎に設
けるので、構造及び製造工程が簡単となる平面型表示装
置を得ることができる。
よれば、ＭＯＳトランジスタＭＴによって、アノード電
極及び画素を構成する複数の電界放出型カソード間の放
射電流の上限を、安定に一定に抑えることができると共
に、定電流を得るための高抵抗器を用いないので、電力
消費の増大を抑制することができ、且つ、ＭＯＳトラン
ジスタを、画素を構成する複数のカソードＫの列毎に設
けるので、構造及び製造工程が簡単となる平面型表示装
置を得ることができる。
【００５３】次に、図５を参照して、具体例４の平面型
表示装置を説明する。この平面型表示装置では、データ
ドライバＤＤと、カソード電極Ｋの画素の列との間に、
定電流供給回路ＣＩＳを設けた場合である。この定電流
供給回路ＣＩＳは、図３又は図４に類似した画素を構成
する複数の電界放出型カソードの画素の列毎のバイポー
ラトランジスタ等の半導体素子よりなる定電流手段から
構成される。その他の構成は、図３又は図４と同様であ
る。
表示装置を説明する。この平面型表示装置では、データ
ドライバＤＤと、カソード電極Ｋの画素の列との間に、
定電流供給回路ＣＩＳを設けた場合である。この定電流
供給回路ＣＩＳは、図３又は図４に類似した画素を構成
する複数の電界放出型カソードの画素の列毎のバイポー
ラトランジスタ等の半導体素子よりなる定電流手段から
構成される。その他の構成は、図３又は図４と同様であ
る。
【００５４】この図５に図示の平面型表示装置によれ
ば、定電流手段によって、アノード電極及び画素を構成
する複数の電界放出型カソード間の放射電流の上限を、
安定に一定に抑えることができると共に、定電流化のた
めの高抵抗器を用いないので、電力消費の増大を抑制す
ることができ、画素を構成する複数の電界放射型カソー
ドＫの列毎に、定電流供給器を設けるので、構造が簡単
で製造の容易な平面型表示装置を得ることができる。
ば、定電流手段によって、アノード電極及び画素を構成
する複数の電界放出型カソード間の放射電流の上限を、
安定に一定に抑えることができると共に、定電流化のた
めの高抵抗器を用いないので、電力消費の増大を抑制す
ることができ、画素を構成する複数の電界放射型カソー
ドＫの列毎に、定電流供給器を設けるので、構造が簡単
で製造の容易な平面型表示装置を得ることができる。
【００５５】次に、図６を参照して、本発明の実施の形
態の具体例４の平面型表示装置を説明するも、図１と対
応する部分には同一符号を付して、一部重複説明を省略
する。この具体例４の平面型表示装置は、マトリックス
状に配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数
で、ここでは、ｍ＝５、ｎ＝４、実際には、例えば、ｍ
＝４０、ｎ＝２５）の電界放出型カソードＫからなる画
素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマト
リックス状に配列された電界放出型カソード群と、Ｍ行
Ｎ列のマトリックス状に配列された画素にそれぞれ対応
するＭ行Ｎ列のマトリックス状に配された引き出し電極
ＤＲからなる引き出し電極群と、その引き出し電極群に
対向するアノード電極（図示を省略）と、そのアノード
電極に設けられた蛍光体層（図示を省略）とを有する。
態の具体例４の平面型表示装置を説明するも、図１と対
応する部分には同一符号を付して、一部重複説明を省略
する。この具体例４の平面型表示装置は、マトリックス
状に配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数
で、ここでは、ｍ＝５、ｎ＝４、実際には、例えば、ｍ
＝４０、ｎ＝２５）の電界放出型カソードＫからなる画
素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマト
リックス状に配列された電界放出型カソード群と、Ｍ行
Ｎ列のマトリックス状に配列された画素にそれぞれ対応
するＭ行Ｎ列のマトリックス状に配された引き出し電極
ＤＲからなる引き出し電極群と、その引き出し電極群に
対向するアノード電極（図示を省略）と、そのアノード
電極に設けられた蛍光体層（図示を省略）とを有する。
【００５６】そして、この平面型表示装置は、引き出し
電極ＤＲに対し列毎に画像データに応じて選択的に引き
出し電圧を印加するデータドライバＤＤと、電界放出型
カソード群に対し画素の行毎にそれぞれ一端が接続され
たＭ個の第１の定電流手段ＭＴ１と、そのＭ個の第１の
定電流手段ＭＴ１を順次に循環的に定電流動作状態に制
御すると共に、残りを高インピーダンス状態に制御する
スキャンドライバＳＤと、データドライバＤＤによっ
て、画像データに応じて、選択的に定電流動作状態に制
御されると共に、残りは高インピーダンス状態に制御さ
れる、各一端が接地に接続され、各他端がＭ個の第１の
定電流手段ＭＴ１の各他端に共通に接続されたＮ個の第
２の定電流手段ＭＴ２とを有する。
電極ＤＲに対し列毎に画像データに応じて選択的に引き
出し電圧を印加するデータドライバＤＤと、電界放出型
カソード群に対し画素の行毎にそれぞれ一端が接続され
たＭ個の第１の定電流手段ＭＴ１と、そのＭ個の第１の
定電流手段ＭＴ１を順次に循環的に定電流動作状態に制
御すると共に、残りを高インピーダンス状態に制御する
スキャンドライバＳＤと、データドライバＤＤによっ
て、画像データに応じて、選択的に定電流動作状態に制
御されると共に、残りは高インピーダンス状態に制御さ
れる、各一端が接地に接続され、各他端がＭ個の第１の
定電流手段ＭＴ１の各他端に共通に接続されたＮ個の第
２の定電流手段ＭＴ２とを有する。
【００５７】即ち、各ＭＯＳトランジスタＭＴ１のドレ
インが、画素に対応する複数のドレインが引き出し電極
ＤＲの行に接続され、その各ゲートが列線Ｃを通じてス
キャンドライバＳＤに接続され、そのドレイン他のＭＯ
ＳトランジスタＭＴ１のドレインとそれぞれと共通接続
される。又、各ＭＯＳトランジスタＭＴ２のゲートが、
データドライバＤＤの列線Ｒ及び画素を構成する複数の
電界放出型カソードＫの列に接続され、その各ソースが
接地され、その各ドレインが他のＭＯＳトランジスタＭ
Ｔ２のドレインと共通接続されると共に、各ＭＯＳトラ
ンジスタＭＴ１のソースに共通に接続される。
インが、画素に対応する複数のドレインが引き出し電極
ＤＲの行に接続され、その各ゲートが列線Ｃを通じてス
キャンドライバＳＤに接続され、そのドレイン他のＭＯ
ＳトランジスタＭＴ１のドレインとそれぞれと共通接続
される。又、各ＭＯＳトランジスタＭＴ２のゲートが、
データドライバＤＤの列線Ｒ及び画素を構成する複数の
電界放出型カソードＫの列に接続され、その各ソースが
接地され、その各ドレインが他のＭＯＳトランジスタＭ
Ｔ２のドレインと共通接続されると共に、各ＭＯＳトラ
ンジスタＭＴ１のソースに共通に接続される。
【００５８】ある列線Ｒに接続された、画素に対応する
引き出し電極ＤＲの列に、データドライバからの＋１０
０Ｖの電圧が印加されると共に、ある行線ＣのＭＯＳト
ランジスタＭＴ２ゲートに、スキャンドライバＳＤから
の＋５Ｖの電圧が印加されると、そのある行線Ｃにゲー
トが接続されがＭＯＳトランジスタＭＴ１がオンになる
と共に、そのある列線Ｒにゲートが接続されたＭＯＳト
ランジスタＭＴ２もオンになり、そのある行線Ｃにゲー
トが接続されたＭＯＳトランジスタＭＴ１のソース側に
接地電位が与えられて、そのある行及びそのある列の交
点の画素を構成する複数のカソードＫが電子を放出して
アノード電極との間で電界放出が行われると共に、その
画素の放射電流の上限が、ＭＯＳトランジスタＭＴ１、
ＭＴ２の直列回路によって、所定の一定値に抑えられ
る。
引き出し電極ＤＲの列に、データドライバからの＋１０
０Ｖの電圧が印加されると共に、ある行線ＣのＭＯＳト
ランジスタＭＴ２ゲートに、スキャンドライバＳＤから
の＋５Ｖの電圧が印加されると、そのある行線Ｃにゲー
トが接続されがＭＯＳトランジスタＭＴ１がオンになる
と共に、そのある列線Ｒにゲートが接続されたＭＯＳト
ランジスタＭＴ２もオンになり、そのある行線Ｃにゲー
トが接続されたＭＯＳトランジスタＭＴ１のソース側に
接地電位が与えられて、そのある行及びそのある列の交
点の画素を構成する複数のカソードＫが電子を放出して
アノード電極との間で電界放出が行われると共に、その
画素の放射電流の上限が、ＭＯＳトランジスタＭＴ１、
ＭＴ２の直列回路によって、所定の一定値に抑えられ
る。
【００５９】この図６の第５の具体例にによれば、デー
タドライバＤＤに照射電流がながれないので、データド
ライバＤＤの負担を小さくすることができ、定電流を得
るための高抵抗器を使用しないので、消費電力の増大が
抑制されると共に、アノード電極及び画素を構成する複
数の電界放出型カソード間の放射電流の上限を、安定に
一定に抑えることができると共に、画素を構成する複数
お電界放出型カソードＫの行及び画素に対応する引き出
し電極ＤＲの列にＭＯＳトランジスタＭＴ１、ＭＴ２が
接続されるので、構造及び製造工程が簡単となり、しか
も、同じ行又は同じ列における表示状態となる画素数が
多くなる場合に、各画素の放射電流の減少を緩和するこ
とができる。
タドライバＤＤに照射電流がながれないので、データド
ライバＤＤの負担を小さくすることができ、定電流を得
るための高抵抗器を使用しないので、消費電力の増大が
抑制されると共に、アノード電極及び画素を構成する複
数の電界放出型カソード間の放射電流の上限を、安定に
一定に抑えることができると共に、画素を構成する複数
お電界放出型カソードＫの行及び画素に対応する引き出
し電極ＤＲの列にＭＯＳトランジスタＭＴ１、ＭＴ２が
接続されるので、構造及び製造工程が簡単となり、しか
も、同じ行又は同じ列における表示状態となる画素数が
多くなる場合に、各画素の放射電流の減少を緩和するこ
とができる。
【００６０】上述の各具体例においては、ｎチャンネル
型ＭＯＳトランジスタを用いた場合ついて述べたが、ｐ
チャンネル型ＭＯＳトランジスタを用いることもでき
る。
型ＭＯＳトランジスタを用いた場合ついて述べたが、ｐ
チャンネル型ＭＯＳトランジスタを用いることもでき
る。
【００６１】
【発明の効果】第１の本発明によれば、マトリックス状
に配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の
電界放出型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、
Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリックス状に配列された
電界放出型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に
配列された画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリッ
クス状に配された引き出し電極からなる引き出し電極群
と、その引き出し電極群に対向するアノード電極と、そ
のアノード電極に設けられた蛍光体層と、引き出し電極
群に対し行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印加する
走査駆動手段と、電界放出型カソード群に対し画素の列
毎に画像データに応じて選択的に低電圧を印加するデー
タ駆動手段とを有する平面型表示装置において、各電界
放出型カソード電極及び低電圧点間にそれぞれ接続され
た定電流手段からなる定電流手段群を設けてなり、デー
タ駆動手段は、画像データに応じて、定電流手段群を画
素の列毎に選択的に定電流動作状態に制御すると共に、
残りを高インピーダンス状態に制御するようにしたの
で、アノード電極及び電界放出型カソード間の放射電流
の上限を、安定に一定に抑えることができると共に、デ
ータ駆動手段の負担を小さくすることができ、且つ、電
力消費の増大を抑制することのできる平面型表示装置を
得ることができる。
に配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の
電界放出型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、
Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリックス状に配列された
電界放出型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に
配列された画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリッ
クス状に配された引き出し電極からなる引き出し電極群
と、その引き出し電極群に対向するアノード電極と、そ
のアノード電極に設けられた蛍光体層と、引き出し電極
群に対し行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印加する
走査駆動手段と、電界放出型カソード群に対し画素の列
毎に画像データに応じて選択的に低電圧を印加するデー
タ駆動手段とを有する平面型表示装置において、各電界
放出型カソード電極及び低電圧点間にそれぞれ接続され
た定電流手段からなる定電流手段群を設けてなり、デー
タ駆動手段は、画像データに応じて、定電流手段群を画
素の列毎に選択的に定電流動作状態に制御すると共に、
残りを高インピーダンス状態に制御するようにしたの
で、アノード電極及び電界放出型カソード間の放射電流
の上限を、安定に一定に抑えることができると共に、デ
ータ駆動手段の負担を小さくすることができ、且つ、電
力消費の増大を抑制することのできる平面型表示装置を
得ることができる。
【００６２】第２の本発明によれば、マトリックス状に
配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電
界放出型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、
Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリックス状に配列された
電界放出型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に
配列された画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリッ
クス状に配された引き出し電極からなる引き出し電極群
と、その引き出し電極群に対向するアノード電極と、そ
のアノード電極に設けられた蛍光体層と、引き出し電極
群に対し行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印加する
走査駆動手段と、電界放出型カソード群に対し画素の列
毎に画像データに応じて選択的に低電圧を印加するデー
タ駆動手段とを有する平面型表示装置において、電界放
出型カソード群に対し画素の列毎に低電圧点との間にそ
れぞれ接続された定電流手段を有し、データ駆動手段
は、画像データに応じて、Ｎ個の定電流手段を選択的に
定電流動作状態に制御すると共に、残りを高インピーダ
ンス状態に制御するようにしたので、アノード電極及び
画素を構成する複数の電界放出型カソード間の放射電流
の上限を、安定に一定に抑えることができると共に、デ
ータ駆動手段の負担を小さくすることができ、電力消費
の増大を抑制することができ、且つ、構造及び製造工程
が簡単となる平面型表示装置を得ることができる。
配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電
界放出型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、
Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリックス状に配列された
電界放出型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に
配列された画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリッ
クス状に配された引き出し電極からなる引き出し電極群
と、その引き出し電極群に対向するアノード電極と、そ
のアノード電極に設けられた蛍光体層と、引き出し電極
群に対し行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印加する
走査駆動手段と、電界放出型カソード群に対し画素の列
毎に画像データに応じて選択的に低電圧を印加するデー
タ駆動手段とを有する平面型表示装置において、電界放
出型カソード群に対し画素の列毎に低電圧点との間にそ
れぞれ接続された定電流手段を有し、データ駆動手段
は、画像データに応じて、Ｎ個の定電流手段を選択的に
定電流動作状態に制御すると共に、残りを高インピーダ
ンス状態に制御するようにしたので、アノード電極及び
画素を構成する複数の電界放出型カソード間の放射電流
の上限を、安定に一定に抑えることができると共に、デ
ータ駆動手段の負担を小さくすることができ、電力消費
の増大を抑制することができ、且つ、構造及び製造工程
が簡単となる平面型表示装置を得ることができる。
【００６３】第３の本発明によれば、マトリックス状に
配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電
界放出型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、
Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリックス状に配列された
電界放出型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に
配列された画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリッ
クス状に配された引き出し電極からなる引き出し電極群
と、その引き出し電極群に対向するアノード電極と、そ
のアノード電極に設けられた蛍光体層と、引き出し電極
群に対し行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印加する
走査駆動手段と、電界放出型カソード群に対し画素の列
毎に画像データに応じて選択的に低電圧を印加するデー
タ駆動手段とを有する平面型表示装置において、電界放
出型カソード群に対し画素の列毎にデータ駆動手段との
間にそれぞれ接続された常時定電流状態にある定電流手
段を有するようにしたので、アノード電極及び画素を構
成する複数の電界放出型カソード間の放射電流の上限
を、安定に一定に抑えることができると共に、電力消費
の増大を抑制することができ、且つ、構造及び製造工程
が簡単となる平面型表示装置を得ることができる。
配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電
界放出型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、
Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリックス状に配列された
電界放出型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に
配列された画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリッ
クス状に配された引き出し電極からなる引き出し電極群
と、その引き出し電極群に対向するアノード電極と、そ
のアノード電極に設けられた蛍光体層と、引き出し電極
群に対し行毎に順次に循環的に引き出し電圧を印加する
走査駆動手段と、電界放出型カソード群に対し画素の列
毎に画像データに応じて選択的に低電圧を印加するデー
タ駆動手段とを有する平面型表示装置において、電界放
出型カソード群に対し画素の列毎にデータ駆動手段との
間にそれぞれ接続された常時定電流状態にある定電流手
段を有するようにしたので、アノード電極及び画素を構
成する複数の電界放出型カソード間の放射電流の上限
を、安定に一定に抑えることができると共に、電力消費
の増大を抑制することができ、且つ、構造及び製造工程
が簡単となる平面型表示装置を得ることができる。
【００６４】第４の本発明によれば、マトリックス状に
配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電
界放出型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、
Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリックス状に配列された
電界放出型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に
配列された画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリッ
クス状に配された引き出し電極からなる引き出し電極群
と、その引き出し電極群に対向するアノード電極と、そ
のアノード電極に設けられた蛍光体層とを有する平面型
表示装置において、引き出し電極群に対し列毎に画像デ
ータに応じて選択的に引き出し電圧を印加するデータ駆
動手段と、電界放出型カソード群に対し画素の行毎にそ
れぞれ一端が接続されたＭ個の第１の定電流手段と、そ
のＭ個の第１の定電流手段を順次に循環的に定電流動作
状態に制御すると共に、残りを高インピーダンス状態に
制御する走査駆動手段と、データ駆動手段によって、画
像データに応じて、選択的に定電流動作状態に制御され
ると共に、残りは高インピーダンス状態に制御される、
各一端が低電圧点に接続され、各他端がＭ個の第１の定
電流手段の各他端に共通に接続されたＮ個の第２の定電
流手段とを有するので、アノード電極及び画素を構成す
る複数の電界放出型カソード間の放射電流の上限を、安
定に一定に抑えることができると共に、電力消費の増大
を抑制することができ、データ駆動手段の負担を小さく
することができ、且つ、構造及び製造工程が簡単となる
平面型表示装置を得ることができる。又、この第５の本
発明によれば、同じ行又は同じ列における表示状態とな
る画素数が多くなる場合に、各画素の放射電流の減少を
緩和することができる。
配されたｍ行ｎ列（但し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電
界放出型カソードからなる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、
Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリックス状に配列された
電界放出型カソード群と、Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に
配列された画素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリッ
クス状に配された引き出し電極からなる引き出し電極群
と、その引き出し電極群に対向するアノード電極と、そ
のアノード電極に設けられた蛍光体層とを有する平面型
表示装置において、引き出し電極群に対し列毎に画像デ
ータに応じて選択的に引き出し電圧を印加するデータ駆
動手段と、電界放出型カソード群に対し画素の行毎にそ
れぞれ一端が接続されたＭ個の第１の定電流手段と、そ
のＭ個の第１の定電流手段を順次に循環的に定電流動作
状態に制御すると共に、残りを高インピーダンス状態に
制御する走査駆動手段と、データ駆動手段によって、画
像データに応じて、選択的に定電流動作状態に制御され
ると共に、残りは高インピーダンス状態に制御される、
各一端が低電圧点に接続され、各他端がＭ個の第１の定
電流手段の各他端に共通に接続されたＮ個の第２の定電
流手段とを有するので、アノード電極及び画素を構成す
る複数の電界放出型カソード間の放射電流の上限を、安
定に一定に抑えることができると共に、電力消費の増大
を抑制することができ、データ駆動手段の負担を小さく
することができ、且つ、構造及び製造工程が簡単となる
平面型表示装置を得ることができる。又、この第５の本
発明によれば、同じ行又は同じ列における表示状態とな
る画素数が多くなる場合に、各画素の放射電流の減少を
緩和することができる。
【図１】本発明の実施の形態の具体例１の平面型表示装
置を示すブロック線図である。
置を示すブロック線図である。
【図２】具体例１の一部の拡大接続図である。
【図３】本発明の実施の形態の具体例２の平面型表示装
置を示すブロック線図である。
置を示すブロック線図である。
【図４】本発明の実施の形態の具体例３の平面型表示装
置を示すブロック線図である。
置を示すブロック線図である。
【図５】本発明の実施の形態の具体例４の平面型表示装
置を示すブロック線図である。
置を示すブロック線図である。
【図６】本発明の実施の形態の具体例５の平面型表示装
置を示すブロック線図である。
置を示すブロック線図である。
【図７】従来の平面型表示装置の一部を示す平面図であ
る。
る。
【図８】従来の平面型表示装置の一部の断面図である。
【図９】平面型表示装置のカソードの例を示す平面図及
び断面図である。
び断面図である。
【図１０】従来例の平面型表示装置を示すブロック線図
である。
である。
【図１１】従来例の平面型表示装置の一部の拡大接続図
である。
である。
【図１２】従来例の平面型表示装置のカソードとＭＯＳ
トランジスタとの組み合わせ部分を示す断面図である。
トランジスタとの組み合わせ部分を示す断面図である。
【図１３】従来例の引き出し電圧と放射電流との間の関
係を示す特性曲線図である。
係を示す特性曲線図である。
Ｋ 電界放出型カソード、ＫＫ カソード電極、ＤＲ
引き出し電極、ｈ 孔、ＤＤ データドライバ、ＳＤ
スキャンドライバ。
引き出し電極、ｈ 孔、ＤＤ データドライバ、ＳＤ
スキャンドライバ。
Claims (4)
- 【請求項１】 マトリックス状に配されたｍ行ｎ列（但
し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電界放出型カソードから
なる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）
のマトリックス状に配列された電界放出型カソード群
と、上記Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列された上記画
素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に配さ
れた引き出し電極からなる引き出し電極群と、該引き出
し電極群に対向するアノード電極と、該アノード電極に
設けられた蛍光体層と、上記引き出し電極群に対し行毎
に順次に循環的に引き出し電圧を印加する走査駆動手段
と、上記電界放出型カソード群に対して上記画素の列毎
に画像データに応じて選択的に低電圧を印加するデータ
駆動手段とを有する平面型表示装置において、 上記各電界放出型カソード電極及び低電圧点間にそれぞ
れ接続された定電流手段からなる定電流手段群を設けて
なり、 上記データ駆動手段は、画像データに応じて、上記定電
流手段群を上記画素の列毎に選択的に定電流動作状態に
制御すると共に、残りを高インピーダンス状態に制御す
ることを特徴とする平面型表示装置。 - 【請求項２】 マトリックス状に配されたｍ行ｎ列（但
し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電界放出型カソードから
なる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）
のマトリックス状に配列された電界放出型カソード群
と、上記Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列された上記画
素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に配さ
れた引き出し電極からなる引き出し電極群と、該引き出
し電極群に対向するアノード電極と、該アノード電極に
設けられた蛍光体層と、上記引き出し電極群に対し行毎
に順次に循環的に引き出し電圧を印加する走査駆動手段
と、上記電界放出型カソード群に対し上記画素の列毎に
画像データに応じて選択的に低電圧を印加するデータ駆
動手段とを有する平面型表示装置において、 上記電界放出型カソード群に対し上記画素の列毎に低電
圧点との間にそれぞれ接続された定電流手段を有し、 上記データ駆動手段は、画像データに応じて、上記Ｎ個
の定電流手段を選択的に定電流動作状態に制御すると共
に、残りを高インピーダンス状態に制御することを特徴
とする平面型表示装置。 - 【請求項３】 マトリックス状に配されたｍ行ｎ列（但
し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電界放出型カソードから
なる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）
のマトリックス状に配列された電界放出型カソード群
と、上記Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列された上記画
素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に配さ
れた引き出し電極からなる引き出し電極群と、該引き出
し電極群に対向するアノード電極と、該アノード電極に
設けられた蛍光体層と、上記引き出し電極群に対し行毎
に順次に循環的に引き出し電圧を印加する走査駆動手段
と、上記電界放出型カソード群に対し上記画素の列毎に
画像データに応じて選択的に低電圧を印加するデータ駆
動手段とを有する平面型表示装置において、 上記電界放出型カソード群に対し上記画素の列毎に上記
データ駆動手段との間にそれぞれ接続された常時定電流
状態にある定電流手段を有することを特徴とする平面型
表示装置。 - 【請求項４】 マトリックス状に配されたｍ行ｎ列（但
し、ｍ、ｎは１以上の整数）の電界放出型カソードから
なる画素が、Ｍ行Ｎ列（但し、Ｍ、Ｎは２以上の整数）
のマトリックス状に配列された電界放出型カソード群
と、上記Ｍ行Ｎ列のマトリックス状に配列された上記画
素にそれぞれ対応するＭ行Ｎ列のマトリックス状に配さ
れた引き出し電極からなる引き出し電極群と、該引き出
し電極群に対向するアノード電極と、該アノード電極に
設けられた蛍光体層とを有する平面型表示装置におい
て、 上記引き出し電極群に対し列毎に画像データに応じて選
択的に引き出し電圧を印加するデータ駆動手段と、 上記電界放出型カソード群に対し上記画素の行毎にそれ
ぞれ一端が接続されたＭ個の第１の定電流手段と、 該Ｍ個の第１の定電流手段を順次に循環的に定電流動作
状態に制御すると共に、残りを高インピーダンス状態に
制御する走査駆動手段と、 上記データ駆動手段によって、画像データに応じて、選
択的に定電流動作状態に制御されると共に、残りは高イ
ンピーダンス状態に制御される、各一端が低電圧点に接
続され、各他端が上記Ｍ個の第１の定電流手段の各他端
に共通に接続されたＮ個の第２の定電流手段とを有する
ことを特徴とする平面型表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00677699A JP4714953B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 平面型表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00677699A JP4714953B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 平面型表示装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000206925A true JP2000206925A (ja) | 2000-07-28 |
| JP4714953B2 JP4714953B2 (ja) | 2011-07-06 |
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ID=11647589
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| JP00677699A Expired - Fee Related JP4714953B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 平面型表示装置 |
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|---|---|
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-
1999
- 1999-01-13 JP JP00677699A patent/JP4714953B2/ja not_active Expired - Fee Related
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