JP2001518204A - パルス化された電流制御を有するマトリクスアドレス可能ディスプレイ - Google Patents

パルス化された電流制御を有するマトリクスアドレス可能ディスプレイ

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Abstract

(57)【要約】 電流制御されたマトリクスアドレス可能ディスプレイは、発光アセンブリへの電流の流れを制御する、充電トランジスタ、駆動トランジスタおよび切換えトランジスタを含む。制御回路は、行信号、列信号およびクロック信号によって駆動される。列信号は、画像成分とパルス化された充電成分との組み合わせである。画像成分は、行信号に応答して切換えトランジスタによって充電トランジスタのゲートで取り込まれるゲート電圧を確立する。クロック信号および充電成分は、列配線から共通ノードへ、次いで、共通ノードから発光アセンブリへと電荷を輸送するパルス対を形成する。光の強度は、画像成分とクロック信号の電圧との間の電圧差によって制御される。さらには、放出光の強度は、パルス対が到着する復帰期間のパルス対の数を制御することによって制御され得る。

Description

【発明の詳細な説明】 パルス化された電流制御を有するマトリクスアドレス可能ディスプレイ 政府の権利に関する所説 本発明は、ARPAによる契約番号DABT-63-93-C-0025によって、政府の援助を受 けて行われた。政府は本発明に対してある一定の権利を有する。 技術分野 本発明は、マトリクスアドレス可能ディスプレイに関し、より詳細には、マト リクスアドレス可能ディスプレイ中の電流制御回路に関する。 発明の背景 マトリクスアドレス可能フラットパネルディスプレイは、コンピュータディス プレイを含む様々な用途において幅広く用いられている。このような用途に良好 に適した装置の一つのタイプは、電界放出ディスプレイである。電界放出ディス プレイは、代表的には、フェースプレートの真下に、概して平坦なベースプレー トを含む。ベースプレートは、投射エミッタのアレイを有する基板を含む。通常 は、エミッタは基板と一体である円錐形投射部であり、エミッタセットにグルー プ化され得、ここではエミッタの底部が共通して接続されている。 導電性抽出グリッド(conductive extraction grid)がエミッタの上方に配置 され、約30〜120Vの電圧で駆動される。次いで、エミッタに電子を供給するこ とによってエミッタが選択的に活性化され、それによって抽出グリッド電圧によ りエミッタから電子を引き出すことが可能になる。エミッタと抽出グリッドとの 間の電圧差分が十分に大きい場合、結果として得られる電界によりエミッタから 電子が抽出される。 フェースプレートは抽出グリッドに直接隣接して取り付けられ、透明な導電性 材料でコーティングされた透明ディスプレイスクリーンを含み、それによって約 1〜2kVにバイアスされるアノードを形成する。カソードルミネッセント層は、 アノードの露出された表面を被覆する。エミッタによって放出された電子はアノ ードによって誘引されてカソードルミネッセント層に当たり、衝突した部位でカ ソードルミネッセント層に光を放出させる。次いで、放出光は、アノードおよび この放出光が見る人に対して可視であるガラス板を通過する。放出された電子に 応答して生じる光の輝度は、活性化期間にカソードルミネッセント層に当たる電 子数に一部依存し、ひいてはエミッタへの電流の流れに依存する。従って、各領 域の輝度は、各々のエミッタあるいはエミッタセットへの電流の流れを制御する ことによって制御され得る。従って、ディスプレイの各領域からの光は制御され て、画像を生成し得る。ゆえに、各領域から放出される光は、絵素すなわち「画 素」の全てあるいは一部となる。 代表的には、エミッタへの電流の流れは、エミッタの底部に印加される電圧を 制御して、エミッタと抽出グリッドとの間の選択された電圧差分を生成し、強度 の電界を生じさせることによって制御される。次いで、エミッタへの電流の大き さは、電圧差分によって決定されるように電界強度に対応する。 上記のアプローチの一つの問題点は、印加されたグリッドおよびエミッタ電圧 へのエミッタセットの応答にばらつきがあり得ることである。代表的には、この 問題はアレイにわたるエミッタと抽出グリッドとの間の分離のばらつきによって 生じ、この分離のばらつきによって所与の電圧差について電界強度に差が生じる 。これらの分離のばらつきは、エミッタが投射する開口部の直径のばらつきから 、ひいては処理のばらつきによって生じることが多い。従って、エミッタと抽出 グリッドとの間の所与の電圧差分について、放出光の輝度がエミッタの位置に従 って変化し得る。 このようなばらつきに取り組むための一つの方法は、相対的に複雑な回路を用 いて、各エミッタを通過する電流を固定して設定することであり得る。しかし、 電界放出ディスプレイ中のエミッタの数は相当数であり得る。従って、各エミッ タについて回路を里純化することによって、ディスプレイのコスト全体および複 雑さにおける実質的な利点が生まれ得る。 発明の要旨 電流制御回路は、画像信号に応答して画像を表示するためのマトリクスアドレ ス可能ディスプレイにおいて発光アセンブリの制御されたパルス化を用いる。好 ましい実施態様において、マトリクスアドレス可能ディスプレイは、抽出グリッ ドに囲まれ、かつ、制御回路によって制御されたエミッタのアレイを含む電界放 出ディスプレイである。制御回路はエミッタに利用可能な電流を確立することに よって、エミッタからの電子の放出を制御する。放出された電子は、エミッタか ら抽出グリッドを通過して、抽出グリッドよりも大幅に高い電圧の透明な導電性 アノードに向かって進む。アノードに向かって進む電子はカソードルミネッセン ト層に当たり、衝突した部位で光を放出する。放出光の輝度は活性化期間におい てエミッタによって放出される電子数に依存するので、制御回路は、エミッタへ の電流の流れを制御することによって光の輝度を制御する。 一つの実施態様において、電流制御回路は、列配線とエミッタとの間に接続さ れた、シリアル接続されたNMOSトランジスタ対を含む。第1のNMOSトランジスタ は、列配線とNMOSトランジスタ対を結合している共通ノードとの間に結合された 充電トランジスタである。第2のNMOSトランジスタは、共通ノードとエミッタと の間に結合された駆動トランジスタである。電流制御回路は、列配線と充電トラ ンジスタのゲートとの間に結合された切換えトランジスタも含む。 列信号、行信号およびクロック信号は、充電トランジスタ、駆動トランジスタ および切換えトランジスタを制御する。列信号は、パルス化された充電成分と画 像成分との組み合わせである。行信号は、スクリーンの設定期間の間にロー信号 からハイ信号へと変化する二値信号である。行信号は、行信号がハイであるとき に切換えトランジスタがオンになり、行信号がローであるときに切換えトランジ スタがオフになるように切換えトランジスタを制御する。従って、行信号がハイ である場合、切換えトランジスタは充電トランジスタのゲートに列信号を渡し、 それによって充電トランジスタのゲート電圧を設定する。 列の画像成分は、行信号がハイである間にアクティブになる可変振幅のパルス 化された信号である。従って、行信号がハイであるときに切換えトランジスタが オンであるので、画像成分は、充電トランジスタのゲート電圧を設定する。画像 成分は、行信号がローに戻る後まで、ハイのままである。従って、切換えトラン ジスタをオフにすることによって、行信号は、充電トランジスタのゲート上で画 像成分を取り込む。 充電成分およびクロック信号は、各々のエミッタの活性化期間の間に一つある いはそれ以上のパルスを有するパルス化された信号である。充電成分は充電トラ ンジスタを制御し、クロック信号は駆動トランジスタを制御する。クロック信号 は、充電成分が充電トランジスタで利用可能である時間の一部のみ、駆動トラン ジスタを活性化させる。 充電成分のパルスは充電トランジスタをオンにし、それによって共通ノードの 電圧を設定する。共通ノード電圧が一旦確立されると、次にクロック信号のパル スは駆動トランジスタをオンにし、それによって共通ノードをエミッタに結合す る。共通ノードと抽出グリッドとの間の電圧差により、上記のようにエミッタは 電子を放出し、光を生成する。電子が放出されると、クロック信号の電圧から駆 動トランジスタのしきい値電圧とエミッタの最大放出電圧と減算したものより小 さい数に共通ノード電圧が等しくなるまで、共通ノード電圧は上昇する。 電子が放出される速度は、充電トランジスタのゲート電圧の関数である、共通 ノードでの電圧変化によって一部が決定される。従って、画像成分パルスは充電 トランジスタのゲート電圧を確立するので、電子が放出される速度は画像成分パ ルスの振幅に依存する。 本発明の一つの実施態様において、充電成分およびクロック信号のいくつかの パルスは、エミッタの各活性化期間の間に到達する。従って、エミッタに輸送さ れる総電荷は、パルス対の数に各パルスに輸送された電荷を乗算したものに等し い。ゆえに、画素の輝度は、各活性化期間の間にパルス対の数を変えることによ って変えられ得る。 図面の簡単な説明 図1は、各電流制御回路によって制御される3つのエミッタを示す、本発明の 一つの実施態様による電界放出ディスプレイの一部を表す図である。 図2は、各列配線と充電トランジスタのゲートとの間に結合された切換えトラ ンジスタを含み、充電トランジスタのソースが各々の列配線に結合されている、 本発明のある実施態様の概略図である。 図3は、図2の回路を駆動するための信号の信号タイミング図である。 図4Aは、共通ウェル中の3つのトランジスタが集積化された構造を示す図2の 一つの制御回路の実施態様の上方平面図である。 図4Bは、図4Aの3つのトランジスタが集積化された構造の側方断面図であり、 集積構造と制御回路素子との間の対応を示す概略図を含む。 発明の詳細な説明 図1に示されるように、テレビ、コンピュータディスプレイあるいは同様の装 置であり得るディスプレイ装置40が、フェースプレート50に隣接する抽出グリッ ド48中の各々の開口部と位置合わせされた複数のエミッタ46を含む。抽出グリッ ド48は、各々が各エミッタ46と位置合わせされたいくつかの穴を有する平坦な導 体として形成される従来の抽出グリッドである。フェースプレート50は、透明な 導電性アノード54でコーティングされ、次いでカソードルミネッセント層56でコ ーティングされたガラス板52から形成される従来のスクリーンである。公知のよ うに、代表的な動作の間に、抽出グリッド48はおよそ30〜120Vにバイアスされ 、アノード54はおよそ1〜2kVにバイアスされる。 エミッタ46は各々のエミッタ制御回路44に結合され、次いで、これらのエミッ タ制御回路はコントローラ42によって駆動される。図示を明確にするために、3 つの制御回路44およびエミッタ46のみによってアレイが表されるが、代表的なア レイは行および列に配置された数百個の制御回路44およびエミッタ46を含むこと が理解される。また、各エミッタ46は、明確にするために一つのエミッタによっ て表されるが、このようなエミッタは、代表的には、一以上のエミッタのセット にグループ化され、このセットでは各グループ中のエミッタが共通して接続され ている。さらに、本明細書中でディスプレイ40は、明確に示すためにモノクロー ムディスプレイとして示されているが、本明細書中の構造および方法はカラーデ ィスプレイにも同様に適用可能であることが当業者には理解される。 動作中、コントローラ42内部の行ドライバ62、列ドライバ64およびクロック発 生器65は、行配線58、列配線60およびクロック配線61をそれぞれ介して各々の制 御回路44を選択的に制御することによって、エミッタ46のうちの選択されたもの を活性化させる。制御回路44は、エミッタ46に電子を与えることによってエミッ タ46を活性化させる。抽出グリッド48は、抽出グリッド48とエミッタ46との間に 強い電界を生成することによって、所与の電子を抽出する。それに応答して、エ ミッタ46は、アノード54によって誘引された電子を放出する。電子はアノード54 に向かって進み、カソードルミネッセント層56に当たり、衝突した部位で光放出 を起こす。放出光の強度は、所与の活性化期間の間にカソードルミネッセント層 56に当たる電子数に一部対応するので、光強度は、エミッタ46への電子の流れを 制御することによって制御され得る。 ここで、エミッタ制御回路44による電子の流れの制御が、図2および図3を参 照して記載される。図2に示されるように、制御回路44は、列配線60とエミッタ 46との間の共通ノード69でシリアル結合されるNMOS駆動トランジスタ66およびNM OS充電トランジスタ68から形成される。充電トランジスタ68のソースは列配線60 に直接結合され、充電トランジスタ68のゲートは各々の切換えトランジスタ67を 介して列配線60に結合される。 電流制御回路44の残りの素子は、共通ノード69と接地との間に接続されるキャ パシタ70として表される回路容量である。キャパシタ70は、好ましくは、別個の 回路素子ではない。図4に関して以下に記載されるように、トランジスタ66、67 および68が基板中に集積化されると、寄生容量が共通ノード69に本質的に存在す る。累積的には、トランジスタ66および68によって共通ノード69に高いインピー ダンスが存在し、かつ、エミッタ46の電流引出しが低いために、寄生容量が制御 回路44の動作のために十分な容量を提供する。図示上の便宜のために、各制御回 路44の寄生容量の影響は、図2ではそれぞれ一つのキャパシタ70として表される 。 制御回路44は、コントローラ42(図1)からの3つの信号によって制御される 。まず、列ドライバ64(図1)は、図3に示されるセットアップ期間TSの間に 、可変振幅画像成分VIM1、VIM2およびVIM3を有するそれぞれの列信号VCOL1 、VCOL2およびVCOL3を各制御回路44に与える。映像信号発生器71(図1)から の入力信号VINに応答して、画像成分VIM1、VIM2およびVIM3の振幅がコント ローラ42によって確立される。各列信号VCOL1、VCOL2およびVCOL3は、復帰期 間(return interval)TRの間に二値レベルパルス化充電成分VCHGも含む。充 電成分VCHGは、以下 に記載されるように、クロック発生器65からのクロック信号VCLKの直前に生成 される。マルチプレクサなどの従来の組み合わせ回路73は、画像成分VIM1、VI M2 およびVIM3と充電成分VCHGとを組み合わせて、列信号VCOL1、VCOL2および VCOL3を形成する。 制御回路44への第2の信号入力は、行になっている全てのエミッタ46に共通で ある行信号VROWである。行信号VROWは、セットアップ期間TSの間に時間t1で ハイになり、時間t3でローに戻る二値信号であり、この間、画像成分VIM1、VIM2 およびVIM3のパルスはすべてアクティブなままである。画像成分VIM1、VI M2 およびVIM3のパルスが印加されると、行信号VROWは、行になった全ての切換 えトランジスタ67がオンになるように、行になった全ての切換えトランジスタ67 のゲートを制御する。オンである切換えトランジスタ67は画像成分VIM1、VIM2 およびVIM3を各々の充電トランジスタ68のゲートに結合し、それによって充電 トランジスタ68のゲート電圧VG1、VG2およびVG3を確立する。 行信号VROWが時間t3でローに戻るとき、画像成分VIM1、VIM2およびVIM3 の全てのパルスがアクティブなままである。従って、行信号は切換えトランジス タ67をオフにし、切換えトランジスタ67と充電トランジスタ68との間の各々のノ ード74(すなわち、充電トランジスタ68のゲート上)で、画像成分VIM1、VIM2 およびVIM3の各々のゲート電圧VG1、VG2およびVG3を取り込む。行信号VROW がローになると、時間t4で画像成分VIM1、VIM2およびVIM3はローに戻る。し かし、切換えトランジスタ67がオフであり、ノード74を列配線60から分離するの で、ノード74の電圧VG1、VG2およびVG3は影響を受けない。 制御回路44への第3の信号入力は、駆動トランジスタ66のゲートを制御するク ロック信号VCLKである。クロック信号VCLKは、コントローラ42中のクロック発 生器65によって生成された周期パルス化信号であり、充電成分VCHGと同様に、 クロック信号VCLKは行になった全てのエミッタ46に共通である。クロック信号 VCLKは、セットアップ期間TSの間には使用不可能(disable)になり、復帰期 間TRの間にはアクティブである。クロック信号VCLKは、充電成分VCHGと同じ 周期を有する。しかし、クロック信号VCLKのパルスは、充電成分VCHGの持続時 間よりも短い持続時間を有する。 クロック信号VCLKおよび充電成分VCHGは、セットアップ期間TSの終わり( すなわち、時間t4の後)に活性化される。この時点で、充電トランジスタ68の ゲート電圧VG1、VG2およびVG3は、各々の画像成分VIM1、VIM2およびVIM3 の電圧で保持される。充電トランジスタ68の動作の説明において、共通ノード69 に接続されたトランジスタ68のリード線は、ドレインとして作用する場合もあり 、ソースとして作用する場合もあることが理解されるべきである。さらに、端子 75に接続されるトランジスタ68のリード線もまた、ソースあるいはドレインのい ずれか一方として作用することも明白である。時間t5の直前に、共通ノード69 に接続されたリード線がトランジスタ68のソースとして作用するように、ノード 74の電圧VG1、VG2およびVG3が共通ノード69上の電圧よりも大きくなる。従っ て、トランジスタ68はオンになる。 充電成分VCHGが時間t5でハイになると、充電トランジスタ68のゲート−ソー ス間電圧は、ゲート−ソース間電圧がしきい値電圧VTよりも小さくなるまで低 下するように(ゲート電圧が一定であるので)、VCHGパルスは充電トランジス タ68を介して結合される。次いで、充電トランジスタ68はオフになり、それによ って、キャパシタ電圧VC1、VC2およびVC3に充電されたキャパシタ70を、ゲー ト電圧VG1、VG2およびVG3から充電トランジスタ68のゲート−ドレイン間しき い値電圧VTDを減算したものに等しいままにする。 その直後の時間t6で、クロック信号VCLKがハイになり、駆動トランジスタ66 をオンにし、共通ノード69を各々のエミッタ46に結合する。キャパシタ電圧VC1 、VC2およびVC3は、グリッド電圧VGRIDよりも小さい。従って、エミッタ46と グリッドとの間の電圧差によってエミッタ46から電子が抽出され、それによって 寄生容量70から電子を除去し、キャパシタ電圧VC1、VC2およびVC3が上昇する 。キャパシタ電圧VC1、VC2およびVC3が上昇したことによって充電トランジス タ68はさらにオフになるので、充電トランジスタ68はこれらの電子を取り替える ことは出来ない。従って、駆動トランジスタ66がオフになるように、駆動トラン ジスタ66のゲートでの電圧とキャパシタ電圧VC1、VC2およびVC3との電圧差が 駆動トランジスタ66のしきい値電圧を下回るまで、キャパシタ電圧VC1、VC2お よびVC3は次第に上昇する。共通ノードからエミッタ46に到達する電子はなく、 エミ ッタ46は電子の放出を停止する。パルス期間が非常に短いか、あるいはキャパシ タ70が大きいならば、キャパシタ電圧VC1、VC2およびVC3はVCLKの立下りエ ッジの前に最大電圧VMAXに到達し得ない。次いで、駆動トランジスタ66は時間 t7でオフになるので、キャパシタ電圧VC1、VC2およびVC3はこの時間でVCLK パルスの立下りエッジで到達したいずれもの値のままである。 次いで、充電成分VCHGは、時間t8でローに戻る。ここでノード75は、ノード 74および69での電圧よりも低い電圧であるので、ノード75に接続された充電トラ ンジスタ68のリード線は各々の充電トランジスタ68のソースとして作用する。従 って、列電圧VCOL1、VCOL2およびVCOL3がt8でローになると、充電トランジ スタ68のゲート−ソース間電圧VGSは充電トランジスタ68をオンにするのに十分 に大きい。次いで、電流が充電トランジスタ68を介してキャパシタ70から流れ、 それによってキャパシタ70をゼロボルトのVCOL1、VCOL2およびVCOL3信号に放 電する。次のパルス対が到着するまで、キャパシタ電圧VC1、VC2およびVC3は ローのままである。 上述からわかるように、共通ノード69の電圧ΔVC1、ΔVC2およびΔVC3にお ける変化は、エミッタ46が放出を停止する最大電圧VMAXと、画像成分VIM1、VIM2 およびVIM3の電圧から充電トランジスタ68のしきい値電圧VTを減算したも のとの差に等しい。従って、各パルス対に応答してエミッタ46により放出された 電子からの総電荷は、キャパシタ電圧ΔVC1、ΔVC2およびΔVC3の各々の変化 を各キャパシタ70の容量Cで乗算したものに等しい(ΔQ=CΔVC)。従って 、各パルス対に応答して放出される電子数は、画像成分VIM1、VIM2およびVIM 3 の電圧を制御することによって制御され得る。 各パルス対について放出された総電荷は、画像成分VIM1、VIM2およびVIM3 の電圧の逆関数であることが当業者には理解される。例えば、画像成分VIMから 充電トランジスタ68のしきい値電圧VTを減算したものが、クロック信号電圧か ら駆動トランジスタ66のしきい値電圧VTを減算したものに等しいか、あるいは それよりも大きい振幅を有する場合、対応するキャパシタ電圧VC1、VC2および VC3は、クロック信号電圧から駆動トランジスタ66のしきい値電圧VTを減算し たものに等しいか、あるいはそれよりも大きくなる。従って、クロック信号VCL K が時 間t6でハイになると、駆動トランジスタ66のゲート−ソース間電圧はしきい値 電圧よりも小さくなる。駆動トランジスタ66はオフになり、エミッタ46は電子を 放出しない。逆に、画像成分VIMが充電トランジスタ68のしきい値電圧VTとお よそ等しい場合、キャパシタ電圧ΔVCの変化は大きく、それに伴って電子数は 多くなる。画像成分VIMが充電トランジスタ68のしきい値電圧VTよりも小さい 場合、充電成分VCHGが負になることが許されない限り、充電トランジスタ68は オンにならないことに留意すべきである。 上記のように、復帰期間TRは、エミッタ46が活性化される、且つ、充電信号 VCHGおよびクロック信号VCLKのパルスの持続時間よりも実質的に長い時間を規 定する。従って、いくつかのパルス対が一つの復帰期間TR内に到着し得、キャ パシタ70を数回充電および放電することが可能になる。復帰期間TR内で輸送さ れた総電荷QTOTは、N個のパルス対と、キャパシタ70の容量Cと、キャパシタ 電圧の変化量ΔVCとを乗算したものに等しい。従って、いくつかのパルス対を 用いることによって、ディスプレイ40は一つのパルス対よりも多くの電荷を復帰 期間TRの間にエミッタ46に輸送し、それによって光をより効率的に放出する。 画像成分VIMの電圧を制御することにより輝度を制御するための代替のものあ るいはそれを補足するものとして、所与の復帰期間TR中でのN個のパルス対を 制御することによって輝度が制御され得る。例えば、復帰期間TR中でN個のパ ルス対を一つのみに減少させることによって、画像成分VIMの所与の電圧につい て最小限の輝度が提供される。従って、エミッタ46によって放出された電子数は 、復帰期間TR内でのパルス対の数Nを変えること、および/または画像成分VI M の電圧を制御することによって制御され得る。 図4Aおよび図4Bに示されるように、トランジスタ66、67および68の図3の相互 接続構造によって、各制御回路44内の3つ全てのトランジスタ66、67および68を 共通p型ウェル80に集積化することが可能になる。この集積化構造において、駆 動トランジスタ66のソースおよび充電トランジスタ68のドレインは、共通ノード 69を形成するp型ウェル80の共通n型領域を共有する。共通領域82での寄生容量 はキャパシタ70を形成する。同様に、充電トランジスタ68のソースおよび切換え トランジスタ67のソースは、ウェル80の共通n型領域84を共有する。従って、共 通領域84は、列配線60が結合されている位置を形成する。回路構造を完成させる ために、導電性相互接続86が切換えトランジスタ67のドレインを充電トランジス タ68のゲートに結合させる。有利には、エミッタ46は、駆動トランジスタ66のド レイン81の上に直接形成され得る。このような集積構造によって、一つを超える p型ウェル80を用いる構造と比較すると、制御回路44によって占められる基板領 域の量が減少する。 本発明の原理をエミッタ46への電流を制御するための様々な構造を記載するこ とによって示したが、様々な改変が本発明の精神および範囲から逸脱せずに行わ れ得る。例えば、トランジスタ66、67および68は、n型ウェル中に形成されるか 、あるいはp型またはn型基板中に直接形成され得る。同様に、寄生容量70は、 別個のキャパシタに代えられるか、あるいは別個のキャパシタを補足し得る。さ らに、クロック信号VCLKは、一つの行をなすエミッタ46に共通なものとして記 載されているが、共通クロック信号VCLKはアレイの全てのエミッタ46について 用いられ得る。従って、本発明は、添付の請求の範囲を除いて制限されない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(GH,GM,KE,LS,M W,SD,SZ,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY ,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM),AL,AM ,AT,AU,BA,BB,BG,BR,BY,CA, CH,CN,CU,CZ,DE,DK,EE,ES,F I,GB,GE,GH,GM,GW,HU,ID,IL ,IS,JP,KE,KG,KP,KR,KZ,LC, LK,LR,LS,LT,LU,LV,MD,MG,M K,MN,MW,MX,NO,NZ,PL,PT,RO ,RU,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ, TM,TR,TT,UA,UG,UZ,VN,YU,Z W

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.電界放出ディスプレイのためのエミッタ駆動回路(44)であって、該駆動回 路は、信号入力(60)と、切換え制御(62)と、エミッタ(46)に結合された出力 (69)とを有し、該駆動回路は、 該出力(69)に結合される電荷格納回路(70)と、 該信号入力(60)に結合された第1の端子と、回路ノード(74)に結合された第 2の端子と、該切換え制御入力(62)に結合された切換え制御端子とを有する第1 のスイッチ(67)であって、該第1のスイッチ(67)は、該切換え制御入力(62) に所与の各々の信号に応答して開閉する、第1のスイッチと、 を備え、 該信号入力(60)に結合された第1の端子と、電荷格納回路(70)に結合された 第2の端子と、該回路ノード(74)に結合された制御端子とを有する第2のスイッ チ(68)であって、該第2のスイッチ(68)は、該電荷格納回路(70)の電圧と 該回路ノード(74)の電圧との間の電圧差に応答して開閉し、該第2のスイッチ( 68)が閉じると、該信号入力(60)に与えられる信号によって該電荷格納回路(70) が第1の電圧に充電され、該第2のスイッチ(68)が開くと、該エミッタ(46)か らの電流によって該電荷格納回路(70)が充電されることによって特徴付けられる 、エミッタ駆動回路。 2.前記電荷格納回路がキャパシタ(70)である、請求項1に記載のエミッタ駆 動回路。 3.前記キャパシタ(70)が、前記第1および第2のスイッチ(67および68)の 寄生容量である、請求項2に記載のエミッタ駆動回路。 4.前記キャパシタ(70)上の前記電圧が、前記第2のスイッチ(68)が開くと 、前記エミッタ(46)からの電流によって充電されることに応答して上昇し、該エ ミッタ(46)に結合された該キャパシタ上の該電圧が、該エミッタ(46)が電子 を 放出するのを防止するレベルに上昇する電圧に該キャパシタ(70)上の該電圧が 到達するまで、電流が該エミッタ(67)から流れて該キャパシタ(70)を充電す る、請求項2に記載のエミッタ駆動回路。 5.前記電荷格納回路(70)に結合された第1の端子と、該出力に結合された第2 の端子と、切換え端子(61)とを有する第3のスイッチ(66)をさらに備え、該第 3のスイッチ(66)は、該切換え端子でのクロック信号に応答して開閉し、閉状 態にある該第3のスイッチは、前記エミッタから該電荷格納回路に流れるための 経路を電流に提供する、請求項1に記載のエミッタ駆動回路。 6.前記第1、第2および第3のスイッチ(67、68および66)がトランジスタで ある、請求項5に記載のエミッタ駆動回路。 7.前記第1、第2および第3のトランジスタが、基板の共通ウェルに集積化さ れる、請求項6に記載のエミッタ駆動回路。 8.行および列に配置された複数の発光アセンブリと、 該発光アセンブリの一つに結合された出力を有し、請求項1から7のいずれか の特徴を有する、駆動回路(44)と、 を備えた、マトリクスアドレス可能ディスプレイ。 9.前記駆動回路が、 クロック入力(61)と、 前記電荷格納回路(70)と前記出力との間に結合された駆動スイッチ(66)であ って、該駆動スイッチ(66)が、該クロック入力(61)に結合された制御端子を 有し、該第1のクロック入力(61)でのクロック信号に応答して、該電荷格納回 路(70)から前記発光アセンブリへ電荷を輸送するように構成されている駆動ス イッチ(66)をさらに備える、請求項8に記載のマトリクスアドレス可能ディス プレイ。 10.前記電荷格納が格納容量(70)を含む、請求項8に記載のマトリクスアドレ ス可能ディスプレイ。 11.前記格納容量が、別個のキャパシタ(70)を含む、請求項10に記載のマトリ クスアドレス可能ディスプレイ。 12.前記第1、第2および第3のトランジスタが、基板中の第1のドーピング型 の材料の連続する領域に集積化される、請求項7に記載のディスプレイ。 13.前記発光アセンブリの各々がエミッタを含み、前記第1のドーピング型の前 記材料の前記連続する領域が該エミッタを有する、請求項12に記載のマトリクス アドレス可能ディスプレイ。 14.前記第1のトランジスタが、第2のドーピング型の材料の複数の領域を含み 、該第2のドーピング型の該材料の該領域の一つが前記エミッタに結合されてい る、請求項13に記載のディスプレイ。 15.画像に対応する画像信号を生成するように動作する画像信号発生器と、 スクリーンアセンブリと、 該スクリーンアセンブリと位置合わせされているエミッタのアレイと、 該エミッタの選択された一つと結合された駆動回路であって、該駆動回路が請 求項1から7のいずれかの特徴を有する、駆動回路と、 を備えた、画像を表示するための装置。 16.前記画像信号発生器が、 映像出力信号を提供するための映像出力を有する映像信号発生器と、 充電信号を提供するためのクロック出力を有するクロック源と、 該映像出力に結合された第1の入力と、該クロック出力に結合された第2の入 力とを有する組み合わせ回路であって、該組み合わせ回路は、該映像出力信号お よび該充電信号の関数として該画像信号を生成するように構成されている、請求 項15に記載の装置。 17.前記組み合わせ回路がマルチプレクサを含む、請求項16に記載の装置。 18.前記電荷格納回路と前記エミッタとの間に結合された第3の切換え回路をさ らに備え、該第3の切換え回路は制御入力を含み、該第3の切換え回路は、該制 御入力での制御信号に応答して、該電荷格納回路から該エミッタへ電荷を輸送す るように応答する、請求項15に記載の装置。 19.前記電荷格納回路の前記電圧と前記ノード電圧との間の前記電圧差が所定レ ベルに達するまで、前記第2の切換え回路が前記第2の信号入力から該電荷格納 回路までの電流経路を提供するように構成される、請求項18に記載の装置。 20.画像信号に応答して、発光アセンブリのアレイを含むマトリクスアドレス可 能ディスプレイを制御する方法であって、該方法が、 第1の時間の間に第1の状態にある活性化信号を供給することによってセット アップ期間を確立するステップと、 第2の時間の間に第2の状態にある該活性化信号を供給することによって復帰 期間を確立するステップと、 該セットアップ期間の間に該画像信号に対応する電圧を有する第1の成分と、 該復帰期間の間に周期電圧を有する第2の成分とを有する駆動信号を供給するス テップと、 該復帰期間の間に第1のクロック信号を供給するステップと、 該セットアップ期間の間に該駆動信号に対応する電圧を格納するステップと、 該周期電圧および該第1のクロック信号に応答して、該復帰期間の間に該格納 された電圧に対応する信号を該発光アセンブリの選択された一つに供給するステ ップと、 を包含する、方法。 21.前記周期電圧および前記第1のクロック信号に応答して、前記格納された電 圧に対応する信号を前記発光アセンブリの選択された一つに供給する前記ステッ プが、 該周期電圧の第1のパルスに応答して、第1の電荷を格納するステップと、 該第1のクロック信号のパルスに応答して、該格納された第1の電荷を該発光 アセンブリに輸送するステップと、 を包含する、請求項20に記載の方法。 22.前記周期電圧の第2のパルスに応答して、第2の電荷を格納するステップと 、 前記第1のクロック信号の第2のパルスに応答して、該格納された第2の電荷 を前記発光アセンブリに輸送するステップと、 をさらに包含する、請求項21に記載の方法。 23.前記マトリクスアドレス可能ディスプレイが画像信号入力を含み、駆動信号 を供給する前記ステップが、前記第1および第2の成分両方を該画像信号入力へ 供給することを含む、請求項20に記載の方法。 24.活性化成分(VROW)および画像成分(VCOL)を有する画像信号に応答して エミッタ(46)を活性化させる方法であって、該活性化成分がセットアップ期間 (TS)および復帰期間(TR)を有し、該方法が、 該画像成分(VCOL)を周期充電信号(VCHG)と組み合わせて、該セットアッ プ期間(TS)の間の該画像成分の関数であり、かつ、復帰期間(TR)の間の該 充電信号に対応する電圧を有する駆動信号(VIM1〜VIM3)を生成するステップ と、 該セットアップ期間の間、該駆動信号(VIM1〜VIM3)に対応する電圧を格納 するステップと、 該復帰期間の間、該駆動信号(VIM1〜VIM3)に応答して、該格納された電圧 に対応する量の電荷を該エミッタ(46)に輸送するステップと、 を包含する、方法。 25.前記充電信号(VCHG)の周期に実質的に等しい周期を有する周期クロック 信号(VCLK)を提供するステップをさらに包含する、請求項24に記載の方法。 26.前記駆動信号に応答して、前記格納された電圧に対応する量の電荷を前記エ ミッタ(46)に輸送する前記ステップが、該格納された電圧と該エミッタ(46) との間のスイッチ(66)を閉じるステップを包含する、請求項25に記載の方法。
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