JPH0636976A - 電子部品のスクリーニング方法 - Google Patents
電子部品のスクリーニング方法Info
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- JPH0636976A JPH0636976A JP4212236A JP21223692A JPH0636976A JP H0636976 A JPH0636976 A JP H0636976A JP 4212236 A JP4212236 A JP 4212236A JP 21223692 A JP21223692 A JP 21223692A JP H0636976 A JPH0636976 A JP H0636976A
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- heat treatment
- treatment step
- electronic component
- electronic components
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱特性の良好な電子部品を歩留まり良く得
ること。 【構成】 加熱した弗素系不活性液中またはその蒸気相
中において電子部品を加熱する第１の加熱処理工程と、
その電子部品を所定の条件でエージングした後、同電子
部品を加熱した弗素系不活性液中またはその蒸気相中に
おいて再度加熱する第２の加熱処理工程とを含み、同第
２の加熱処理工程後に電子部品の特性を測定し、特性劣
化の発生した電子部品を除去する。
ること。 【構成】 加熱した弗素系不活性液中またはその蒸気相
中において電子部品を加熱する第１の加熱処理工程と、
その電子部品を所定の条件でエージングした後、同電子
部品を加熱した弗素系不活性液中またはその蒸気相中に
おいて再度加熱する第２の加熱処理工程とを含み、同第
２の加熱処理工程後に電子部品の特性を測定し、特性劣
化の発生した電子部品を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品のスクリーニン
グ方法に関し、さらに詳しく言えば、電子部品を加熱処
理し、特性劣化の発生した電子部品を予め除去するよう
にした樹脂外装体を有する電子部品のスクリーニング方
法に関するものである。
グ方法に関し、さらに詳しく言えば、電子部品を加熱処
理し、特性劣化の発生した電子部品を予め除去するよう
にした樹脂外装体を有する電子部品のスクリーニング方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品はプリント基板にハンダ付けさ
れる際にその熱的ストレスを受ける。例えば、ディップ
法による場合には２６０℃前後の溶融ハンダ中に５〜１
０秒間浸漬されることになる。また、リフロー法の場合
には約２３０℃の雰囲気中に１０〜６０秒間浸漬され
る。
れる際にその熱的ストレスを受ける。例えば、ディップ
法による場合には２６０℃前後の溶融ハンダ中に５〜１
０秒間浸漬されることになる。また、リフロー法の場合
には約２３０℃の雰囲気中に１０〜６０秒間浸漬され
る。
【０００３】このため、電子部品の多くは耐熱性を有す
る樹脂外装体を備えている。例えば、タンタル固体電解
コンデンサにおいては、エポキシ樹脂などからなる樹脂
外装体を備えている。
る樹脂外装体を備えている。例えば、タンタル固体電解
コンデンサにおいては、エポキシ樹脂などからなる樹脂
外装体を備えている。
【０００４】この樹脂外装体には樹脂モールドによるも
のと、樹脂液中に浸漬するディップ法によるものとがあ
るが、いずれにしてもハンダ時の熱的ストレスを防ぐに
は十分でなく、しばしば特性劣化が発生する。
のと、樹脂液中に浸漬するディップ法によるものとがあ
るが、いずれにしてもハンダ時の熱的ストレスを防ぐに
は十分でなく、しばしば特性劣化が発生する。
【０００５】また、特に樹脂モールドの場合にはアフタ
キュアの問題がある。すなわち、モールド外装後の製品
を例えば１８０℃の熱風循環式高温槽内に４〜８時間放
置してモールド樹脂の硬化反応を終了させるようにして
いるが、これによるとリードフレームのメッキ表面が熱
により酸化し、ハンダ濡れ性が低下してしまう。
キュアの問題がある。すなわち、モールド外装後の製品
を例えば１８０℃の熱風循環式高温槽内に４〜８時間放
置してモールド樹脂の硬化反応を終了させるようにして
いるが、これによるとリードフレームのメッキ表面が熱
により酸化し、ハンダ濡れ性が低下してしまう。
【０００６】そこで、本出願人の出願に係る例えば特公
平３−７６７７７号公報の電子部品のスクリーニング方
法においては、図３に示されているように、加熱処理槽
２内に弗素系不活性液１を入れ、同液１をヒータ３にて
その沸点まで加熱し、その液１内またはその蒸気相４中
に電子部品６を浸漬または暴露して加熱処理し、しかる
後、電子部品６の特性を測定し、特性劣化の発生した電
子部品を予め除去するようにしている。なお、５は冷却
用コイルで、これにより高価な弗素系不活性液の揮散を
防止するようにしている。
平３−７６７７７号公報の電子部品のスクリーニング方
法においては、図３に示されているように、加熱処理槽
２内に弗素系不活性液１を入れ、同液１をヒータ３にて
その沸点まで加熱し、その液１内またはその蒸気相４中
に電子部品６を浸漬または暴露して加熱処理し、しかる
後、電子部品６の特性を測定し、特性劣化の発生した電
子部品を予め除去するようにしている。なお、５は冷却
用コイルで、これにより高価な弗素系不活性液の揮散を
防止するようにしている。
【０００７】これによれば、電子部品は一度ハンダ付け
時とほぼ同等の熱的ストレスを受けているため、その後
のハンダ付けにおいても著しい特性劣化は見られない。
また、不活性雰囲気であるため、リードフレームや樹脂
外装体に対して酸化反応などの化学的影響を及ぼすこと
がない、などの効果が奏される。
時とほぼ同等の熱的ストレスを受けているため、その後
のハンダ付けにおいても著しい特性劣化は見られない。
また、不活性雰囲気であるため、リードフレームや樹脂
外装体に対して酸化反応などの化学的影響を及ぼすこと
がない、などの効果が奏される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにハンダ付
け時には不良は出ないが、これは加熱処理後に特性不良
のものを予めスクリーニングしているためで、加熱処理
時の熱的ストレスによる不良品が発生することに変わり
はない。
け時には不良は出ないが、これは加熱処理後に特性不良
のものを予めスクリーニングしているためで、加熱処理
時の熱的ストレスによる不良品が発生することに変わり
はない。
【０００９】また、この加熱処理によってモールド樹脂
のアフタキュアはある程度進行するが、完全にその硬化
反応が終了するまでには至らない。
のアフタキュアはある程度進行するが、完全にその硬化
反応が終了するまでには至らない。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の事情
に鑑み、加熱処理を行なうが、その熱的ストレスによる
不良品の発生を可及的に少なくするとともに、モールド
樹脂のアフタキュアが十分に行なわれるようにしたもの
で、その構成上の特徴は、加熱した弗素系不活性液中ま
たはその蒸気相中において電子部品を加熱する第１の加
熱処理工程と、その電子部品を所定の条件でエージング
した後、同電子部品を加熱した弗素系不活性液中または
その蒸気相中において再度加熱する第２の加熱処理工程
とを含み、同第２の加熱処理工程後に電子部品の特性を
測定し、特性劣化の発生した電子部品を除去するように
したことにある。
に鑑み、加熱処理を行なうが、その熱的ストレスによる
不良品の発生を可及的に少なくするとともに、モールド
樹脂のアフタキュアが十分に行なわれるようにしたもの
で、その構成上の特徴は、加熱した弗素系不活性液中ま
たはその蒸気相中において電子部品を加熱する第１の加
熱処理工程と、その電子部品を所定の条件でエージング
した後、同電子部品を加熱した弗素系不活性液中または
その蒸気相中において再度加熱する第２の加熱処理工程
とを含み、同第２の加熱処理工程後に電子部品の特性を
測定し、特性劣化の発生した電子部品を除去するように
したことにある。
【００１１】この場合、第１の加熱処理工程および第２
の加熱処理工程では、ともにほぼ同一温度に加熱された
弗素系不活性液が用いられることが好ましい。
の加熱処理工程では、ともにほぼ同一温度に加熱された
弗素系不活性液が用いられることが好ましい。
【００１２】また、第１の加熱処理工程における加熱処
理時間をＴ１、第２の加熱処理工程における加熱処理時
間をＴ２とするとき、Ｔ１＜Ｔ２であることが望まし
い。
理時間をＴ１、第２の加熱処理工程における加熱処理時
間をＴ２とするとき、Ｔ１＜Ｔ２であることが望まし
い。
【００１３】使用する弗素系不活性液としては、その沸
点が２００℃以上のパーフルオロポリエーテルが最適で
あり、その加熱温度は２５０〜３００℃であり、また、
加熱処理時間は５〜６００秒間であることが好ましい。
点が２００℃以上のパーフルオロポリエーテルが最適で
あり、その加熱温度は２５０〜３００℃であり、また、
加熱処理時間は５〜６００秒間であることが好ましい。
【００１４】
【作用】チップ型固体電解コンデンサを例にとると、第
１の加熱処理時の熱的ストレスにより、同コンデンサの
漏れ電流レベルとバラツキが大きくなり、この時点で本
来漏れ電流不良となる製品が発生するが、そのままエー
ジングすることにより、その漏れ電流レベルとバラツキ
が小さな値に収束する。
１の加熱処理時の熱的ストレスにより、同コンデンサの
漏れ電流レベルとバラツキが大きくなり、この時点で本
来漏れ電流不良となる製品が発生するが、そのままエー
ジングすることにより、その漏れ電流レベルとバラツキ
が小さな値に収束する。
【００１５】しかる後、第２の加熱処理を行ない再び熱
的ストレスを与えても、モールド樹脂および内部素子に
は第１の加熱処理時の熱的ストレスの経験が与えられて
いるため、漏れ電流の上昇が抑制される。
的ストレスを与えても、モールド樹脂および内部素子に
は第１の加熱処理時の熱的ストレスの経験が与えられて
いるため、漏れ電流の上昇が抑制される。
【００１６】これにより、第２の加熱処理後のスクリー
ニングにおいて、特性不良は殆ど発生しない。また、モ
ールド樹脂のアフタキュアも十分に行なわれる。
ニングにおいて、特性不良は殆ど発生しない。また、モ
ールド樹脂のアフタキュアも十分に行なわれる。
【００１７】
【実施例】本発明においては、図１に示されているよう
に、樹脂外装体を形成した後、加熱した弗素系不活性液
にて加熱処理する（第１の加熱処理）。次ぎに、エージ
ングを行ない、加熱した弗素系不活性液にて再度加熱処
理する（第２の加熱処理）。しかる後、自然もしくは強
制的に冷却し、特性例えばコンデンサでは漏れ電流、損
失角の正接（ｔａｎδ）、静電容量などの値を測定して
特性劣化の発生した電子部品を除去（スクリーニング）
する。
に、樹脂外装体を形成した後、加熱した弗素系不活性液
にて加熱処理する（第１の加熱処理）。次ぎに、エージ
ングを行ない、加熱した弗素系不活性液にて再度加熱処
理する（第２の加熱処理）。しかる後、自然もしくは強
制的に冷却し、特性例えばコンデンサでは漏れ電流、損
失角の正接（ｔａｎδ）、静電容量などの値を測定して
特性劣化の発生した電子部品を除去（スクリーニング）
する。
【００１８】次ぎに、本発明の実施例を比較例とともに
説明するが、加熱処理槽としては先に説明した図３の加
熱処理槽を使用している。
説明するが、加熱処理槽としては先に説明した図３の加
熱処理槽を使用している。
【００１９】また、弗素系不活性液としては、例えばイ
タリア国モンテフォルス社のガルデン（商品名）もしく
はフォンブリン（商品名）、米国スリーエム社のフロリ
ナート（商品名）または旭硝子社のアフルード（商品
名）などのパーフルオロポリエーテル、パーフルオロア
ルキルアミン、パーフルオロエーテルなどが使用可能で
あるが、ここではガルデンのＶＰＳ（ベーパーフエイズ
ソルダリング）グレード品ＨＳ／２６０（平均分子量８
００，蒸留温度範囲２５０〜２７０℃，沸点２６０±５
℃，２０℃での熱伝導度０．０００７Ｗａｔｔ／ｃｍ
℃）を用いている。
タリア国モンテフォルス社のガルデン（商品名）もしく
はフォンブリン（商品名）、米国スリーエム社のフロリ
ナート（商品名）または旭硝子社のアフルード（商品
名）などのパーフルオロポリエーテル、パーフルオロア
ルキルアミン、パーフルオロエーテルなどが使用可能で
あるが、ここではガルデンのＶＰＳ（ベーパーフエイズ
ソルダリング）グレード品ＨＳ／２６０（平均分子量８
００，蒸留温度範囲２５０〜２７０℃，沸点２６０±５
℃，２０℃での熱伝導度０．０００７Ｗａｔｔ／ｃｍ
℃）を用いている。
【００２０】《実施例１》定格６．３Ｖ４．７μＦのタ
ンタル固体電解コンデンサ素子を４０個用意し、それら
をリードフレームに取り付けた状態で、同コンデンサ素
子の周りに信越化学工業社製エポキシ樹脂ＫＭＬ−１０
３にて樹脂外装体を形成した。その時のモールド成形条
件は、金型温度１６５℃、射出圧力４０ｋｇ、成形時間
１８０秒とした。そして、このコンデンサを２６０℃の
ガルデン液中に１０秒間浸漬して第１の加熱処理を行な
った。次ぎに、８５℃の温度雰囲気中において８Ｖの電
圧を９０分間印加してエージングを行なった。しかる
後、再度２６０℃のガルデン液中に２０秒間浸漬して第
２の加熱処理を行なった。冷却して、その特性を測定し
たところ、特性劣化を生じたもの（ここでは漏れ電流が
０．３μＡ以上のもの）は「０」であった。また、実際
に２６０℃の溶融ハンダ内に５秒間浸漬したが、特性劣
化を生じたものはなかった。また、加熱処理を２度繰り
返すことにより、アフタキュアもほぼ完全に行なわれ、
樹脂の硬化反応が終了するに至った。
ンタル固体電解コンデンサ素子を４０個用意し、それら
をリードフレームに取り付けた状態で、同コンデンサ素
子の周りに信越化学工業社製エポキシ樹脂ＫＭＬ−１０
３にて樹脂外装体を形成した。その時のモールド成形条
件は、金型温度１６５℃、射出圧力４０ｋｇ、成形時間
１８０秒とした。そして、このコンデンサを２６０℃の
ガルデン液中に１０秒間浸漬して第１の加熱処理を行な
った。次ぎに、８５℃の温度雰囲気中において８Ｖの電
圧を９０分間印加してエージングを行なった。しかる
後、再度２６０℃のガルデン液中に２０秒間浸漬して第
２の加熱処理を行なった。冷却して、その特性を測定し
たところ、特性劣化を生じたもの（ここでは漏れ電流が
０．３μＡ以上のもの）は「０」であった。また、実際
に２６０℃の溶融ハンダ内に５秒間浸漬したが、特性劣
化を生じたものはなかった。また、加熱処理を２度繰り
返すことにより、アフタキュアもほぼ完全に行なわれ、
樹脂の硬化反応が終了するに至った。
【００２１】〈比較例１〉実施例１と同じく、定格６．
３Ｖ４．７μＦのタンタル固体電解コンデンサ素子を４
０個用意し、それらをリードフレームに取り付けた状態
で、同コンデンサ素子の周りに信越化学工業社製エポキ
シ樹脂ＫＭＬ−１０３にて樹脂外装体を形成した。その
時のモールド成形条件は、金型温度１６５℃、射出圧力
４０ｋｇ、成形時間１８０秒とした。次ぎに、このコン
デンサを８５℃の温度雰囲気中において８Ｖの電圧を９
０分間印加してエージングを行なった。しかる後、２６
０℃のガルデン液中に３０秒間浸漬して加熱処理を行な
った。冷却して、その特性を測定したところ、特性劣化
を生じたもの、すなわち漏れ電流が０．３μＡ以上のも
のは５個であった。これを除去して、２６０℃の溶融ハ
ンダ内に５秒間浸漬したが、特性劣化を生じたものはな
かった。アフタキュアの進行状況を見たが、硬化反応が
終了しているものは殆どなかった。
３Ｖ４．７μＦのタンタル固体電解コンデンサ素子を４
０個用意し、それらをリードフレームに取り付けた状態
で、同コンデンサ素子の周りに信越化学工業社製エポキ
シ樹脂ＫＭＬ−１０３にて樹脂外装体を形成した。その
時のモールド成形条件は、金型温度１６５℃、射出圧力
４０ｋｇ、成形時間１８０秒とした。次ぎに、このコン
デンサを８５℃の温度雰囲気中において８Ｖの電圧を９
０分間印加してエージングを行なった。しかる後、２６
０℃のガルデン液中に３０秒間浸漬して加熱処理を行な
った。冷却して、その特性を測定したところ、特性劣化
を生じたもの、すなわち漏れ電流が０．３μＡ以上のも
のは５個であった。これを除去して、２６０℃の溶融ハ
ンダ内に５秒間浸漬したが、特性劣化を生じたものはな
かった。アフタキュアの進行状況を見たが、硬化反応が
終了しているものは殆どなかった。
【００２２】図２には上記実施例１と比較例１の各処理
後の漏れ電流特性のバラツキ状態が示されている。
後の漏れ電流特性のバラツキ状態が示されている。
【００２３】実施例１によると、第１の加熱処理により
漏れ電流が大きくばらつき、０．３μＡ以上のものが２
個発生したが、その後のエージングによりすべてが漏れ
電流０．０５μＡ以下に収まっている。そして、再度加
熱しても大きなバラツキはなく、スクリーニングの対象
となるものは発生しない。そればかりか、２６０℃のハ
ンダに浸漬することで、漏れ電流がより少なくなる傾向
を見せている。
漏れ電流が大きくばらつき、０．３μＡ以上のものが２
個発生したが、その後のエージングによりすべてが漏れ
電流０．０５μＡ以下に収まっている。そして、再度加
熱しても大きなバラツキはなく、スクリーニングの対象
となるものは発生しない。そればかりか、２６０℃のハ
ンダに浸漬することで、漏れ電流がより少なくなる傾向
を見せている。
【００２４】これに対して、比較例１では最初のエージ
ング処理により漏れ電流がより小さな値に収まるが、そ
の後の加熱処理によりそのバラツキが大きくなり、結果
的にスクリーニングの対象となる漏れ電流が０．３μＡ
のものが５個発生した。残りの３５個については２６０
℃のハンダに浸漬しても特性変化は殆どなかった。
ング処理により漏れ電流がより小さな値に収まるが、そ
の後の加熱処理によりそのバラツキが大きくなり、結果
的にスクリーニングの対象となる漏れ電流が０．３μＡ
のものが５個発生した。残りの３５個については２６０
℃のハンダに浸漬しても特性変化は殆どなかった。
【００２５】なお、第１の加熱処理の前にエージングを
行なっても良い。また、上記実施例はいわゆるチップ型
の樹脂外装体についてのものであるが、樹脂液中に浸漬
することにより形成されるディップタイプの樹脂外装体
についても適用可能であることは勿論である。
行なっても良い。また、上記実施例はいわゆるチップ型
の樹脂外装体についてのものであるが、樹脂液中に浸漬
することにより形成されるディップタイプの樹脂外装体
についても適用可能であることは勿論である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
中間にエージング処理をはさんで加熱した弗素系不活性
液により電子部品を２度加熱することにより、耐熱性の
良好な電子部品を歩留まり良く製造することができる。
中間にエージング処理をはさんで加熱した弗素系不活性
液により電子部品を２度加熱することにより、耐熱性の
良好な電子部品を歩留まり良く製造することができる。
【図１】本発明の処理工程を示した工程図。
【図２】本発明による実施例と比較例の漏れ電流のバラ
ツキ状態を示した特性比較図。
ツキ状態を示した特性比較図。
【図３】弗素系不活性液による加熱処理槽を示した断面
図。
図。
１ 弗素系不活性液 ２ 加熱処理槽 ３ ヒータ ６ 電子部品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西嶋 泰世 福島県石川郡石川町字当町145番地 エル ナー福島株式会社石川工場内 (72)発明者 栗原 要 福島県石川郡石川町字当町145番地 エル ナー福島株式会社石川工場内
Claims (5)
- 【請求項１】 加熱した弗素系不活性液中またはその蒸
気相中において電子部品を加熱する第１の加熱処理工程
と、その電子部品を所定の条件でエージングした後、同
電子部品を加熱した弗素系不活性液中またはその蒸気相
中において再度加熱する第２の加熱処理工程とを含み、
同第２の加熱処理工程後に電子部品の特性を測定し、特
性劣化の発生した電子部品を除去することを特徴とする
電子部品のスクリーニング方法。 - 【請求項２】 上記第１の加熱処理工程および上記第２
の加熱処理工程では、ともにほぼ同一温度に加熱された
弗素系不活性液が用いられることを特徴とする請求項１
に記載の電子部品のスクリーニング方法。 - 【請求項３】 上記第１の加熱処理工程における加熱処
理時間をＴ１、上記第２の加熱処理工程における加熱処
理時間をＴ２とするとき、Ｔ１＜Ｔ２であることを特徴
とする請求項１または２に記載の電子部品のスクリーニ
ング方法。 - 【請求項４】 上記弗素系不活性液はその沸点が２００
℃以上のパーフルオロポリエーテルであることを特徴と
する請求項１または２に記載の電子部品のスクリーニン
グ方法。 - 【請求項５】 上記第１の加熱処理工程および上記第２
の加熱処理工程において、上記弗素系不活性液の加熱温
度は２５０〜３００℃であり、また、その加熱処理時間
は５〜６００秒間であることを特徴とする請求項１また
は２に記載の電子部品のスクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212236A JPH0636976A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 電子部品のスクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212236A JPH0636976A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 電子部品のスクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636976A true JPH0636976A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16619223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4212236A Pending JPH0636976A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 電子部品のスクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636976A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109076A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2013190112A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | 熱処理装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166210A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | エルナ−株式会社 | 電子部品のスクリ−ニング方法 |
| JPH01261812A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPH0411716A (ja) * | 1990-04-30 | 1992-01-16 | Elna Co Ltd | 電解コンデンサのエージング方法 |
-
1992
- 1992-07-16 JP JP4212236A patent/JPH0636976A/ja active Pending
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| JP4720074B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-07-13 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980605 |