JP2005109076A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 表面に酸化皮膜層が形成された陽極箔と陰極箔を、セパレータを介して巻回してコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子に修復化成を施す。続いて、このコンデンサ素子に重合性モノマーと酸化剤を含浸させて、コンデンサ素子内で導電性ポリマーの重合反応を発生させ、固体電解質層を形成する。そして、このコンデンサ素子を外装ケースに挿入し、開口端部を封止した後、エージング電圧を定格電圧の1.1〜1.5倍とし、エージング温度を100〜170℃としてエージングを行い、固体電解コンデンサを形成する。その後に、この固体電解コンデンサを100〜150℃で、0.5〜10分放置し、その後に漏れ電流を測定して、その値が規定値以上のものを不良品として排除する。
Description
なお、このような問題点は、重合性モノマーとしてEDTを用いた場合に限らず、他のチオフェン誘導体、ピロール、アニリン等を用いた場合にも同様に生じていた。
すなわち、エージング工程の後に、100〜150℃で、0.5〜10分、より好ましくは1〜5分放置し、その後に漏れ電流を測定して、その値が所定の値以上のものを不良品として排除することにより、上記目的を達成できることを見出したものである。
本発明の製造方法により、有効なデバッグを実現できた理由は以下の通りであると考えられる。
すなわち、従来の製造方法によって、エージング後の常温放置中に漏れ電流が増大するのは、陽極箔の誘電体皮膜に脆弱部があり、常温放置中に誘電体皮膜の熱収縮による残留応力によって、この脆弱部の脆弱度合いが大きくなるためと考えられる。一方、本発明の製造方法により、エージング後に高温放置すると、早期にこの脆弱部の脆弱度合いが大きくなって、漏れ電流が大きくなるため、予め排除することが容易となると考えられる。
エージング後に放置する温度は、100〜150℃が好ましい。放置温度が100℃未満では、高温放置後に漏れ電流が増大するコンデンサを検出することができず、放置温度が150℃を越えると、良品(漏れ電流の規格値以下のコンデンサ)の漏れ電流が大きくなるからである。
また、高温に放置する時間は、0.5〜10分が好ましく、より好ましくは1〜5分である。放置時間が長すぎると、良品の誘電体皮膜の特性が悪化して、漏れ電流特性が低下するからである。
エージング電圧は、固体電解コンデンサの定格電圧の1.1〜1.5倍とすることが好ましい。この範囲未満では、高温リフロー後の耐電圧の向上効果が不十分であり、この範囲以上とすると、エージング後の漏れ電流が増大し、不良品の割合(不良率)が大きくなる。
また、エージング温度は100〜170℃が好ましく、120〜150℃がより好ましい。この範囲未満では、エージング工程における酸化皮膜の修復効果が低く、この範囲を超えると、導電性ポリマーの耐熱温度を超えてしまうため、導電性ポリマーが劣化する。
本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は以下の通りである。すなわち、表面に酸化皮膜層が形成された陽極箔と陰極箔を、セパレータを介して巻回してコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子に修復化成を施す。続いて、このコンデンサ素子を重合性モノマーと酸化剤と所定の溶媒とを混合して調製した混合液に浸漬し、コンデンサ素子内で導電性ポリマーの重合反応を発生させ、固体電解質層を形成する。そして、このコンデンサ素子を外装ケースに挿入し、開口端部に封口ゴムを装着して、加締め加工によって封止した後、エージング電圧を定格電圧の1.1〜1.5倍とし、エージング温度を100〜170℃としてエージングを行い、固体電解コンデンサを形成する。その後に、この固体電解コンデンサを100〜150℃で、0.5〜10分放置し、その後に漏れ電流を測定して、その値が規定値以上のものを不良品として排除する。
重合性モノマーとしてEDTを用いた場合、コンデンサ素子に含浸するEDTとしては、EDTモノマーを用いることができるが、EDTと揮発性溶媒とを1:0〜1:3の体積比で混合したモノマー溶液を用いることもできる。
前記揮発性溶媒としては、ペンタン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ギ酸エチル等のエステル類、アセトン等のケトン類、メタノール等のアルコール類、アセトニトリル等の窒素化合物等を用いることができるが、なかでも、メタノール、エタノール、アセトン等が好ましい。
修復化成の化成液としては、リン酸二水素アンモニウム、リン酸水素二アンモニウム等のリン酸系の化成液、ホウ酸アンモニウム等のホウ酸系の化成液、アジピン酸アンモニウム等のアジピン酸系の化成液を用いることができるが、なかでも、リン酸二水素アンモニウムを用いることが望ましい。また、浸漬時間は、5〜120分が望ましい。
本発明に用いられる重合性モノマーとしては、上記EDTの他に、EDT以外のチオフェン誘導体、アニリン、ピロール、フラン、アセチレンまたはそれらの誘導体であって、所定の酸化剤により酸化重合され、導電性ポリマーを形成するものであれば適用することができる。なお、チオフェン誘導体としては、下記の構造式のものを用いることができる。
本発明の構成により、常温で放置した場合に漏れ電流が増大する可能性の高い固体電解コンデンサを、エージング後に高温放置することにより、効率良く排除することができる。
表面に酸化皮膜層が形成された陽極箔と陰極箔に電極引き出し手段を接続し、両電極箔をセパレータを介して巻回して、素子形状が5φ×2.8Lのコンデンサ素子を形成した。そして、このコンデンサ素子をリン酸二水素アンモニウム水溶液に40分間浸漬して、修復化成を行った。
一方、所定の容器に、EDTと45%のパラトルエンスルホン酸第二鉄のエタノール溶液を、その重量比が1:2となるように注入し、コンデンサ素子を上記混合液に10秒間浸漬し、120℃、60分加熱して、コンデンサ素子内でPEDTの重合反応を発生させ、固体電解質層を形成した。
そして、このコンデンサ素子を有底筒状の外装ケースに挿入し、開口端部に封口ゴムを装着して、加締め加工によって封止した。その後に、135℃、120分、定格電圧の1.3倍である5.2Vの電圧印加によってエージングを行い、固体電解コンデンサを形成した。
このようにして形成した固体電解コンデンサを100個用意し、135℃で1分間放置した。なお、この固体電解コンデンサの定格電圧は4WV、定格容量は560μFである。
エージング後の高温放置条件を、135℃で3分とした。その他の条件及び工程は、実験例1と同様である。
エージング後の高温放置条件を、135℃で5分とした。その他の条件及び工程は、実験例1と同様である。
エージング後の高温放置条件を、135℃で10分とした。その他の条件及び工程は、実験例1と同様である。
エージング後の高温放置条件を、135℃で30分とした。その他の条件及び工程は、実験例1と同様である。
エージング後に高温放置しなかった。その他の条件及び工程は、実験例1と同様である。
上記の方法により得られた実験例1〜5の各100個の固体電解コンデンサについて、高温処理後に漏れ電流を測定し、その漏れ電流が規格値である250μA以下となる良品を、常温で100時間放置した後、漏れ電流を測定し、良品率を求めた。
一方、高温処理を行っていない比較例については、エージング後に漏れ電流を測定し、その漏れ電流が250μA以下となる良品を、常温で100時間放置した後、漏れ電流を測定し、良品率を求めたところ、表1に示したような結果が得られた。
なお、実験例1〜5の高温放置後の良品率は98%であった。また、比較例の常温放置後の漏れ電流の最大値は800μAであった。
Claims (3)
- 陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子に、重合性モノマーと酸化剤とを含浸して導電性ポリマーからなる固体電解質層を形成し、所定のケースに収納後エージングを行う固体電解コンデンサの製造方法において、
前記エージング工程の後に、100〜150℃で、0.5〜10分放置し、その後に漏れ電流を測定して、その値が規定値以上のものを不良品として排除することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 前記重合性モノマーが、チオフェン誘導体であることを特徴とする請求項1に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 前記チオフェン誘導体が、3,4−エチレンジオキシチオフェンであることを特徴とする請求項2に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
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