CN106054373A - 电光装置、电光装置的制造方法、以及电子设备 - Google Patents

电光装置、电光装置的制造方法、以及电子设备 Download PDF

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Abstract

本发明提供能够以在支撑镜的镜支撑部(镜柱内)未残留有牺牲层的方式形成的电光装置、电光装置的制造方法、以及电子设备。电光装置(100)在扭转铰链(扭矩铰链)(35)上设有第一开口部(351)，在第一开口部(351)的周围，筒状的镜支撑部(41)的第一连接部(411)从与基板(1)侧相反的一侧接触于扭转铰链(35)。在镜支撑部(41)的内部未残留有构成牺牲层的树脂。镜支撑部(41)的与基板(1)相反一侧的第二端部(418)为平板部(416)，镜(51)与该第二端部(418)接触。因此，在镜(51)的表面未产生凹陷。

Description

电光装置、电光装置的制造方法、以及电子设备
技术领域
本发明涉及具备镜的电光装置、电光装置的制造方法、以及电子设备。
背景技术
作为电子设备，例如已知有如下投射型显示装置等：其将从光源射出的光通过被称为DMD(数字微镜器件)的电光装置的多个镜(微镜)调制后，再通过投射光学系统将调制光放大投射，从而在屏幕上显示图像。该电子设备所使用的电光装置中，镜经由镜支撑部而被支撑在扭矩铰链(扭转铰链)上，并且与扭矩铰链电连接。另外，扭矩铰链(扭转铰链)经由铰链支撑部被支撑在形成于基板的基板侧偏压电极上，并与基板侧偏压电极电连接。因此，当从基板侧偏压电极向镜施加偏压，另一方面，向地址电极施加驱动电压时，可以通过镜与地址电极之间产生的静电力来驱动镜。在该构成的电光装置的制造工序中，利用由树脂材料构成的牺牲层形成扭矩铰链(扭转铰链)、镜等。
另一方面，提出了如下构成：即、在形成镜支撑部时，在残留于扭矩铰链(扭转铰链)上的柱状的牺牲层的表面形成金属层(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平8-227042号公报
但是，在利用柱状的牺牲层形成镜支撑部的情况下，当由于照射的光、使驱动电路动作时基板的发热等原因而导致电光装置的温度升高时，有可能从牺牲层产生气体。该气体附着在镜的表面(反射面)上时，将使镜的反射率下降，因而并不理想。
发明内容
鉴于以上问题点，本发明的课题在于，提供能够以在支撑镜的镜支撑部中未残留有牺牲层的方式形成的电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备。
为解决上述课题，根据本发明的电光装置的一个方式的特征在于，具有：基板；金属层，包括在所述基板的一面侧向所述基板突出且被支撑于所述基板上的第一支撑部(铰链支撑部)、和设有第一开口部的扭矩铰链(扭矩铰链)；导电性的第二支撑部(镜支撑部)，从所述扭转铰链(扭矩铰链)向与所述基板相反的一侧呈筒状地突出，在所述第二支撑部的第一端部具备在所述第一开口部的周围从与所述基板相反的一侧接触于所述扭转铰链(扭矩铰链)的第一连接部，所述第一端部为向所述基板一侧开放的开放端；以及镜，与所述第二支撑部(镜支撑部)的与所述基板相反一侧的第二端部接触，其中，所述第二支撑部(镜支撑部)具备与所述第一开口部的内表面接触的第二连接部。
在本发明中，从扭转铰链(扭矩铰链)朝着与基板相反的一侧突出的第二支撑部(镜支撑部)呈筒状，并且，基板侧的第一端部为开放端。另外，在扭转铰链(扭矩铰链)上形成有第一开口部。为此，即使在形成第二支撑部(镜支撑部)时内侧存在牺牲层，也能够除去该牺牲层。因此，由于在第二支撑部(镜支撑部)的内部未残留有构成牺牲层的树脂，从而即使由于被照射的光、使驱动电路动作时基板的发热等原因而导致电光装置的温度升高时，也不会发生从牺牲层产生气体。故不会发生因为从牺牲层产生的气体而导致镜的表面(反射面)的反射率降低这一情况。另外，可以在第二支撑部(镜支撑部)中与基板相反一侧的第二端部成为了平坦部的状态时使与第二支撑部(镜支撑部)分体的镜与第二支撑部(镜支撑部)连接。为此，不会在镜的表面产生凹陷。因此，能够提高光的利用效率，且能抑制因镜的散射而导致的对比度下降。
在本发明中，可以采用以下方式：在所述扭转铰链(扭矩铰链)与所述第二支撑部(镜支撑部)之间具有设有第二开口部的绝缘性的中间层，所述第一连接部位于所述第二开口部的内侧。
另外，优选地，在将所述第一连接部的最薄部分的厚度设为dm、将从所述第一开口部的内周面至所述第二开口部的内周面为止的距离设为dc时，所述厚度dm和所述距离dc满足以下关系：dm＜dc。
进而，优选地，在将所述中间层的位于所述扭转铰链(扭矩铰链)与所述第二支撑部(镜支撑部)之间的部分的宽度设为ds、将所述第一连接部的最薄部分的厚度设为dm、将从所述第一开口部的内周面至所述第二开口部的内周面为止的距离设为dc时，所述宽度ds、所述厚度dm以及所述距离dc满足以下关系：dm＜ds＜dc。
另外，优选地，在将所述第二支撑部(镜支撑部)中从所述扭转铰链(扭矩铰链)向所述镜延伸的筒部的壁厚设为dp、将所述中间层的位于所述扭转铰链(扭矩铰链)与所述第二支撑部(镜支撑部)之间的部分的宽度设为ds、将从所述第一开口部的内周面至所述第二开口部的内周面为止的距离设为dc时、所述壁厚dp、所述宽度ds以及所述距离dc满足以下关系：ds＜dp且dc＜dp。
根据本发明的电光装置的制造方法的一个方式的特征在于，包括：第一牺牲层形成工序，在基板的一面侧形成设有第一支撑部用开口部的第一牺牲层；第一导电膜形成工序，在所述第一牺牲层的与所述基板相反的一侧和所述第一支撑部用开口部的内侧形成第一导电膜；第一图案化工序，对所述第一导电膜进行图案化，形成具备第一支撑部(铰柱)且具备第一开口部的扭转铰链(扭矩铰链)，所述第一支撑部由沉积于所述第一支撑部用开口部的内侧的所述第一导电膜构成；第二牺牲层形成工序，在所述扭转铰链(扭矩铰链)的与所述基板相反的一侧形成与所述第一开口部重叠且外径小于所述第一开口部的内径的柱状的第二牺牲层；第二导电膜形成工序，形成具备筒部和平板部的第二导电膜，所述筒部覆盖所述扭转铰链(扭矩铰链)的与所述基板相反的一侧、且覆盖所述柱状的第二牺牲层的侧面，所述平板部覆盖所述柱状的第二牺牲层的与基板相反一侧的端面；第二图案化工序，对所述第二导电膜进行图案化，形成具备第一连接部和第二连接部的第二支撑部(镜支撑部)，所述第一连接部覆盖所述柱状的第二牺牲层、且在所述柱状的第二牺牲层的周围从与所述基板相反的一侧接触于所述扭转铰链(扭矩铰链)，所述第二连接部与所述扭转铰链(扭矩铰链)的所述第一开口部的内周面接触；第三牺牲层形成工序，形成从与所述基板相反的一侧覆盖所述扭转铰链(扭矩铰链)和所述第二支撑部(镜支撑部)的第三牺牲层；平坦化工序，从与所述基板相反的一侧对所述第三牺牲层进行平坦化，使所述第二支撑部(镜支撑部)露出；第三导电膜形成工序，在所述第三牺牲层的与所述基板相反的一侧形成第三导电膜；第三图案化工序，对所述第三导电膜进行图案化而形成镜；以及牺牲层除去工序，除去所述第一牺牲层、所述第二牺牲层以及所述第三牺牲层。
在根据本发明的电光装置的制造方法中，优选地，在所述平坦化工序中，使所述第二导电膜的所述平板部露出。
在根据本发明的电光装置的制造方法中，可以采用以下方式：在所述第一导电膜形成工序之后且所述第一图案化工序之前，在所述第一导电膜的与所述基板相反一侧的面设置与所述扭转铰链(扭矩铰链)同一平面形状的绝缘性的蚀刻掩模层，在所述第一图案化工序中，将所述蚀刻掩模层作为掩模，对所述第一导电膜进行图案化，在所述第一图案化工序之后，对所述蚀刻掩模层进行图案化，形成使所述扭转铰链(扭矩铰链)的沿着所述第一开口部的边缘的部分从所述蚀刻掩模层露出的第二开口部。
应用了本发明的电光装置能够用于各种电子设备，在这种情况下，电子设备中设有向所述镜照射光源光的光源部。另外，当构成投射型显示装置、头戴式显示装置作为电子设备时，电子设备中还设有投射经所述镜调制后的光的投射光学系统。
附图说明
图1是示出作为应用了本发明的电子设备的投射型显示装置的光学系统的示意图。
图2的(a)和(b)是示意性示出应用了本发明的电光装置的基本构成的说明图。
图3的(a)和(b)是示意性示出应用了本发明的电光装置的主要部分的A-A′剖面的说明图。
图4的(a)和(b)是示出应用了本发明的电光装置的详细构成的剖面图。
图5的(a)～(f)是示出应用了本发明的电光装置的制造方法的工序剖面图。
图6的(a)～(e)是示出应用了本发明的电光装置的制造方法的工序剖面图。
图7的(a)～(d)是示出应用了本发明的电光装置的制造方法的工序剖面图。
图8的(a)～(f)是在应用了本发明的电光装置的制造工序中形成的层的俯视图。
图9的(a)～(d)是在应用了本发明的电光装置的制造工序中形成的层的俯视图。
符号说明
1…基板、10…晶片、11…基板侧偏压电极、12、13…基板侧地址电极、14…地址电路、30…第一导电膜、35…扭转铰链(ねじれヒンジ)(扭矩铰链(トーションヒンジ))、39…第一支撑部(铰链支撑部)、50…第三导电膜、51…镜、61…中间层、71…蚀刻停止层、40…第二导电膜、41…第二支撑部(镜支撑部)、100…电光装置、211…第一牺牲层、211a…第一支撑部用开口部(铰链支撑部用开口部)、221…第二牺牲层、231…第三牺牲层、351…第一开口部、411…第一连接部、412…第二连接部、415…筒部、416…平板部、417…第一端部、419…凸缘部、418…第二端部、611…第二开口部、1000…投射型显示装置、1002…光源部、1004…投射光学系统
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式进行说明。需要注意的是，在以下的说明中，以投射型显示装置作为应用了本发明的电子设备来进行说明。另外，在以下的说明所参照的附图中，为了使各层、各部件成为能够在附图上识别程度的大小，各层、各部件各自的缩小比例并不相同。另外，在附图中，减少了镜等的数量加以示出。
[作为电子设备的投射型显示装置]
图1是示出作为应用了本发明的电子设备的投射型显示装置的光学系统的示意图。图1所示的投射型显示装置1000具有：光源部1002、根据图像信息调制从光源部1002射出的光的电光装置100、以及将经电光装置100调制后的光作为投射图像投射到屏幕等被投射物1100上的投射光学系统1004。光源部1002具备光源1020和彩色滤光片1030。光源1020射出白色光，彩色滤光片1030随着旋转而射出各种颜色的光，电光装置100在与彩色滤光片1030的旋转同步的定时，对射入的光进行调制。需要注意的是，也可以取代彩色滤光片1030，而使用将从光源1020射出的光转换为各种颜色的光的荧光体基板。另外，也可以对应每种颜色的光而设置光源部1002和电光装置100。
[电光装置100的基本构成]
图2是示意性示出应用了本发明的电光装置100的基本构成的说明图，图2的(a)、(b)分别是示出电光装置100的主要部分的说明图、和电光装置100的主要部分的分解立体图。图3是示意性示出应用了本发明的电光装置100的主要部分的A-A′剖面的说明图，图3的(a)、(b)分别是示意性示出镜向一侧倾斜的状态的说明图、和示意性示出镜向另一侧倾斜的状态的说明图。
如图2和图3所示，电光装置100在基板1的一面1s侧呈矩阵状地配置有多个镜51，镜51与基板1分离。基板1例如是硅基板。镜51例如是具有一条边的长度例如为10μm～30μm的平面尺寸的微镜。镜51例如以600×800至1920×1080的排列而配置，一个镜51对应于图像的一个像素。
镜51的表面为由铝等反射金属膜构成的反射面。电光装置100具备：第一层部分100a，包括形成于基板1的一面1s上的基板侧偏压电极11和基板侧地址电极12、13等；第二层部分100b，包括高架地址电极32、33以及扭矩铰链(扭转铰链)35；以及第三层部分100c，包括镜51。在第一层部分100a中，在基板1上形成有地址电路14。地址电路14具备用于选择性控制各镜51的动作的存储单元、字线、位线这样的配线15等，并具有具备CMOS电路16的类似于RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)的电路构成。
第二层部分100b包括高架地址电极(elevated address electrode)32、33、扭矩铰链35以及镜支撑部(第二支撑部)41。高架地址电极32、33经由电极柱321、331而与基板侧地址电极12、13导通，且由基板侧地址电极12、13支撑。从扭矩铰链35的两端延伸出铰链臂36、37。铰链臂36、37经由铰链支撑部(第一支撑部)39而与基板侧偏压电极11导通，且由基板侧偏压电极11支撑。镜51经由镜支撑部41而与扭矩铰链35导通，且由扭矩铰链35支撑。因此，镜51经由镜支撑部41、扭矩铰链35、铰链臂36、37、铰链支撑部39而与基板侧偏压电极11导通，从基板侧偏压电极11向镜51施加偏压。需要注意的是，在铰链臂36、37的前端形成有挡块361、362、371、372，挡块361、362、371、372在镜51倾斜时与镜51抵接，从而防止镜51与高架地址电极32、33接触。
基板侧地址电极12、13以及高架地址电极32、33构成与镜51之间产生静电力而驱动镜51倾斜的驱动元件。具体而言，在对基板侧地址电极12、13以及高架地址电极32、33施加驱动电压，且如图3所示，镜51以被拽向基板侧地址电极12和高架地址电极32侧、或者基板侧地址电极13和高架地址电极33侧的方式倾斜时，扭矩铰链35扭转。然后，在停止对基板侧地址电极12、13以及高架地址电极32、33施加驱动电压而使对镜51的吸引力消失时，发挥使镜51恢复为与基板1平行的姿态的力。
在电光装置100中，例如如图3的(a)所示，当镜51向基板侧地址电极12和高架地址电极32侧倾斜时，成为从光源部1002射出的光被镜51反射向投射光学系统1004的开启状态。相对于此，如图3的(b)所示，当镜51向基板侧地址电极13和高架地址电极33侧倾斜时，成为从光源部1002射出的光被镜51反射向光吸收装置1005的关闭状态，在该关闭状态下，不向投射光学系统1004反射光。在多个镜51各自中进行该驱动的结果，从光源部1002射出的光被多个镜51调制为图像光，且从投射光学系统1004投射而显示图像。
需要注意的是，有时也会与扭矩铰链35一体地设置与基板侧地址电极12、13相对的平板状的轭，除了利用在高架地址电极32、33与镜51之间产生的静电力之外，还利用在基板侧地址电极12、13与轭之间作用的静电力来驱动镜51。
[电光装置100的详细构成]
图4是示出应用了本发明的电光装置100的详细构成的剖面图，图4的(a)、(b)是电光装置100的整体剖面图、和将扭矩铰链(扭转铰链)与镜支撑部(第二支撑部)的连接部分放大示出的剖面图。需要注意的是，图4中仅示出电光装置100的第二层部分100b和第三层部分100c，而省略了包括基板侧偏压电极11和基板侧地址电极12、13等的第一层部分100a的图示。另外，在图4中，仅示出了形成于电光装置100的多个镜51中的一个镜51、镜支撑部41以及扭矩铰链35。
如图4的(a)所示，电光装置100在基板1的一面1s侧具有经由导电性的铰链支撑部39而被支撑于基板1侧的导电性的扭矩铰链35，扭矩铰链35上形成有第一开口部351。在本方式中，铰链支撑部39和扭矩铰链35由一体的金属层(后述的第一导电膜30)构成，铰链支撑部39从金属层(第一导电膜30)向基板1突出。另外，电光装置100具有从扭矩铰链35朝向与基板1侧相反的一侧突出的筒状的镜支撑部41。
在镜支撑部41中，基板1侧的第一端部417为朝基板1开口的开放端。另外，在镜支撑部41中，在基板1侧的第一端部417上具备第一连接部411，对于扭矩铰链35的沿着第一开口部351的边缘的部分，该第一连接部411从与基板1侧相反的一侧与其重叠并接触。另外，镜支撑部41在基板1侧的第一端部417上具备与第一开口部351的内表面接触的第二连接部412。在此，镜支撑部41具有：从扭矩铰链35侧向与基板1相反的一侧(镜51侧)延伸的筒部415、和在筒部415的基板1侧的第一端部417处向外侧伸出的凸缘部419。在本方式中，镜支撑部41的与基板1相反一侧的第二端部418成为堵住筒部415的开口端的平板部416，镜51与平板部416的与基板1相反一侧的面接触。因此，镜51的表面上不存在凹陷。
另外，在电光装置100中，于扭矩铰链35与镜支撑部41之间设有形成有直径大于第一开口部351的第二开口部611的绝缘性的中间层61，在第二开口部611的内侧的第一连接部411处，第一侧端部与扭矩铰链35接触。在本方式中，中间层61仅形成于扭矩铰链35与镜支撑部41之间。
在此，在将中间层61的位于扭矩铰链35与镜支撑部41之间的部分的宽度设为ds、将第一连接部411的最薄部分的厚度设为dm、将从第一开口部351的内周面至第二开口部611的内周面为止的距离设为dc、将镜支撑部41的筒部415的壁厚设为dp时，宽度ds、厚度dm、距离dc以及壁厚dp例如分别为0.15μm、0.1μm、0.2μm及0.3μm。因此，宽度ds、厚度dm、距离dc以及壁厚dp成以下关系：
dm＜ds
ds＜dc
dc＜dp。
(电光装置的制造方法)
参照图2的(b)以及图5至图9，围绕应用了本发明的电光装置100的制造工序中的、形成扭转铰链(扭矩铰链)、镜支撑部(第二支撑部)以及镜的工序进行说明。图5、图6以及图7是示出应用了本发明的电光装置100的制造方法的工序剖面图。图8和图9是在应用了本发明的电光装置100的制造工序中形成的层的俯视图。需要注意的是，图5至图9中仅示出了对应形成于电光装置100中的多个镜51中的一个镜51的镜支撑部41和扭矩铰链35。另外，在以下的说明中，也适当对与参照图2的(b)说明过的各部位的关系进行说明。
首先，如图5的(a)所示，在工序ST1中，在由硅基板构成的晶片10(基板)上形成参照图2的(b)说明过的地址电路14和基板侧地址电极12、13等。
接着，在工序ST2中，在晶片10的一面10s上形成了由正型有机光刻胶等构成的感光性抗蚀层21之后，在图5的(b)所示的工序ST3中，对感光性抗蚀层21进行曝光和显影，形成具有铰链支撑部用开口部(第一支撑部用开口部)211a的第一牺牲层211。此时，如图8的(a)所示，也形成高架地址电极32、33的电极柱321、331用的电极柱用开口部211b。第一牺牲层211的厚度例如为1μm，铰链支撑部用开口部211a的开口径例如约为0.6μm。该工序ST2、ST3为第一牺牲层形成工序。
接着，在图5的(c)所示的工序ST4(第一导电膜形成工序)中，在第一牺牲层211的表面(与晶片10相反一侧的面)的整个面上形成第一导电膜30(参照图8的(b))。此时，第一导电膜也形成于铰链支撑部用开口部211a的壁面和底面。第一导电膜30例如是铝层的单一膜(単体膜)、或者铝层与钛层的层压膜，厚度例如为0.06μm。
接着，在图5的(d)所示的工序ST5中，通过PEVCD法等形成二氧化硅膜(SiO2)等绝缘膜60(参照图8的(c))。绝缘膜60的厚度例如为0.15μm。
接着，在图5的(e)所示的工序ST6(第一图案化工序)中，以在绝缘膜60的表面(与晶片10相反一侧的面)形成有抗蚀剂掩模的状态对绝缘膜60进行图案化，形成与扭矩铰链35同一平面形状的绝缘性的中间层61作为蚀刻掩模层。然后，除去抗蚀剂掩模。接着，将中间层61作为掩模，对第一导电膜30进行图案化，形成扭矩铰链35。此时，通过残留于铰链支撑部用开口部211a中的第一导电膜30使铰链支撑部39与扭矩铰链35一体地形成。另外，在扭矩铰链35上形成第一开口部351。此时，如图8的(d)所示，形成铰链臂36、37。另外，同时形成高架地址电极32、33，且在电极柱用开口部211b的内部形成电极柱321、331。第一开口部351的内径例如为0.5μm。
接着，在图5的(f)所示的工序ST7中，以在中间层61的表面(与晶片10相反一侧的面)形成有抗蚀剂掩模的状态对中间层61进行图案化，形成使扭矩铰链35的沿着第一开口部351的边缘的部分露出的第二开口部611(参照图8的(e))。第二开口部611的内径例如为0.8μm，大于第一开口部351的内径。然后，除去抗蚀剂掩模。
接着，在图6的(a)所示的工序ST8中，在扭矩铰链35的与晶片10相反的一侧形成由正型有机光刻胶等构成的感光性抗蚀层22之后，在图6的(b)所示的工序ST9中，对感光性抗蚀层22进行曝光和显影，在与第一开口部351重叠的位置处形成朝向扭矩铰链35的与晶片10相反的一侧突出的柱状的第二牺牲层221(参照图8的(f))。第二牺牲层221的厚度(高度)例如为2μm，外径例如为0.4μm。该工序ST8、ST9为第二牺牲层形成工序。
接着，在图6的(c)所示的工序ST10(第二导电膜形成工序)中，形成具备筒部415和平板部416的第二导电膜40，其中，筒部415覆盖扭矩铰链35的与晶片10相反的一侧、且覆盖柱状的第二牺牲层221的侧面，平板部416覆盖柱状的第二牺牲层221的与晶片10相反一侧的端面。对于第二导电膜40，例如，通过边使基板旋转的同时，从相对于基板法线方向倾斜的方向进行溅射，能够使柱状的第二牺牲层221的侧面上的第二导电膜40的厚度大于形成于扭矩铰链35的与晶片10相反一侧的面的第二导电膜40的厚度。具体而言，第二导电膜40由在柱状的第二牺牲层221的侧面的厚度为0.3μm、而在扭矩铰链35的与晶片10相反一侧的面上的厚度为0.15μm的铝膜构成。
接着，在图6的(d)所示的工序ST11(第二图案化工序)中，以在第二导电膜40的表面(与晶片10相反一侧的面)形成有抗蚀剂掩模的状态对第二导电膜40进行图案化，形成具备第一连接部411的镜支撑部41，其中，第一连接部411覆盖第二牺牲层221、且在第二牺牲层221的周围从与晶片10相反的一侧接触于扭矩铰链35(参照图9的(a))。此时，在镜支撑部41上还形成与扭矩铰链35的第一开口部351的内周面接触的第二连接部412。
接着，在图6的(e)所示的工序ST12(第三牺牲层形成工序)中，在以从与晶片10相反的一侧覆盖扭矩铰链35和镜支撑部41的方式形成了由正型有机光刻胶等构成的感光性抗蚀层之后，使其固化，从而形成第三牺牲层231。第三牺牲层231的厚度例如为3μm。
接着，在图7的(a)所示的工序ST13(平坦化工序)中，通过CMP法等，从与晶片10相反的一侧对第三牺牲层231进行平坦化，使镜支撑部41的第二端部418露出(参照图9的(b))。在本方式中，以平板部416残留于镜支撑部41的第二端部418的方式进行平坦化。
接着，在图7的(b)所示的工序ST14(第三导电膜形成工序)中，在第三牺牲层231的与晶片10相反的一侧形成第三导电膜50。第三导电膜50例如是厚度为0.3μm的铝层。
接着，通过PEVCD法等在第三导电膜上形成了二氧化硅膜(SiO2)等无机膜70之后，在工序ST15中，以在无机膜70的表面(与晶片10相反一侧的面)形成有抗蚀剂掩模的状态对无机膜70进行图案化，形成与镜51同一平面形状的蚀刻停止层71(参照图9的(c))。然后，除去抗蚀剂掩模。接着，在图7的(c)所示的工序ST16中，将蚀刻停止层71作为掩模，对第三导电膜50进行图案化，形成镜51(参照图9的(d))。该工序ST14、ST15、ST16为第三图案化工序。
接着，在图7的(c)所示的工序ST17中，将晶片10分割为单个尺寸的多个基板1。
接着，在工序ST18(牺牲层除去工序)中，进行等离子蚀刻等，除去第一牺牲层211、第二牺牲层221以及第三牺牲层231。即，在镜支撑部41与晶片10之间，第一牺牲层211与第二牺牲层221经由第一开口部351而接触，因此，如果第一牺牲层211被除去，然后，第二牺牲层221被除去。另外，在本方式中，在除去第一牺牲层211、第二牺牲层221以及第三牺牲层231时，将蚀刻停止层71除去。进而，在本方式中，在除去第一牺牲层211、第二牺牲层221以及第三牺牲层231时，将中间层61中的、从镜支撑部41露出的部分除去。因此，中间层61仅残留于镜支撑部41与扭矩铰链35之间。其结果得到电光装置100。
(本方式的主要效果)
如以上所说明的，在本方式中，从扭矩铰链35向与基板1相反的一侧突出的镜支撑部41呈筒状，并且，基板1侧的第一端部417成为开放端。另外，在扭矩铰链35上形成有第一开口部351。为此，即使在形成镜支撑部41时内侧存在牺牲层，也能够除去该牺牲层。因此，由于在镜支撑部41的内部未残留有构成牺牲层的树脂，从而即使由于照射的光、使驱动电路动作时基板的发热等原因而导致电光装置100的温度升高时，也不会发生从牺牲层产生气体。因此，不会出现由于从牺牲层产生的气体而导致镜51的表面(反射面)的反射率降低这一情况。
另外，在镜支撑部41中的与基板1相反的一侧，使与镜支撑部41分体的镜51连接于具备平板部416的第二端部418。为此，不会在镜51的表面产生凹陷。因此，能够提高光的利用效率，并能抑制由于镜51的散射而导致的对比度下降。
另外，镜支撑部41与扭矩铰链35在第一连接部411处进行面接触，因此，能够可靠地将镜支撑部41与扭矩铰链35电连接。
(实施方式的变形例)
在上述实施方式中，宽度ds、厚度dm、距离dc以及壁厚dp成以下关系：
dm＜ds
ds＜dc
dc＜dp。
但是，优选宽度ds、厚度dm以及距离dc满足以下关系：
dm＜ds＜dc。
根据该构成，由于镜支撑部41的下层侧(基板1侧)的接触面积大，因此，镜支撑部41具有足够的强度。
另外，优选壁厚dp、宽度ds以及距离dc满足以下关系：
ds＜dp
且
dc＜dp。
根据该构成，由于中间层61、镜支撑部41与扭矩铰链35重叠的宽度小，因此，能够抑制扭矩铰链35的性能降低。
另外，在上述实施方式中，距离dc为0.2μm，但当将距离dc缩小、例如使之为0.1μm等时，即使扭矩铰链35的第一开口部351的位置产生偏差，第一牺牲层211与第二牺牲层221也将经由第一开口部351而可靠地接触。因此，在工序ST18(牺牲层除去工序)中，能够可靠地除去第二牺牲层221，能够可靠地防止在镜支撑部41的内侧残留有第二牺牲层221。
在上述实施方式中，在图7的(a)所示的工序ST13(平坦化工序)中，以在镜支撑部41的第二端部418残留有平板部416的方式进行平坦化，但是，也可以进行平坦化至平板部416消失。即便在这种情况下，在形成用于形成镜51的第三导电膜50时，镜支撑部41的端部也借助第二牺牲层221而成为平坦部。因此，不会在镜51的表面产生凹陷。

Claims (9)

1.一种电光装置，其特征在于，具有：
基板；
金属层，包括在所述基板的一面侧向所述基板突出且被支撑于所述基板的第一支撑部、和设有第一开口部的扭转铰链；
导电性的第二支撑部，从所述扭转铰链向与所述基板相反的一侧呈筒状地突出，在所述第二支撑部的第一端部具备在所述第一开口部的周围从与所述基板相反的一侧接触于所述扭转铰链的第一连接部，所述第一端部为向所述基板一侧开放的开放端；以及
镜，与所述第二支撑部的与所述基板相反一侧的第二端部接触，
所述第二支撑部具备与所述第一开口部的内表面接触的第二连接部。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
所述电光装置在所述扭转铰链与所述第二支撑部之间具有设有第二开口部的绝缘性的中间层，所述第一连接部位于所述第二开口部的内侧。
3.根据权利要求2所述的电光装置，其特征在于，
在将所述第一连接部的最薄部分的厚度设为dm、
将从所述第一开口部的内周面至所述第二开口部的内周面为止的距离设为dc时，
所述厚度dm和所述距离dc满足以下关系：
dm＜dc。
4.根据权利要求2所述的电光装置，其特征在于，
在将所述中间层的位于所述扭转铰链与所述第二支撑部之间的部分的宽度设为ds、
将所述第一连接部的最薄部分的厚度设为dm、
将从所述第一开口部的内周面至所述第二开口部的内周面为止的距离设为dc时，
所述宽度ds、所述厚度dm以及所述距离dc满足以下关系：
dm＜ds＜dc。
5.根据权利要求2所述的电光装置，其特征在于，
在将所述第二支撑部中从所述扭转铰链向所述镜延伸的筒部的壁厚设为dp、
将所述中间层的位于所述扭转铰链与所述第二支撑部之间的部分的宽度设为ds、
将从所述第一开口部的内周面至所述第二开口部的内周面为止的距离设为dc时、
所述壁厚dp、所述宽度ds以及所述距离dc满足以下关系：
ds＜dp
且
dc＜dp。
6.一种电光装置的制造方法，其特征在于，包括：
第一牺牲层形成工序，在基板的一面侧形成设有第一支撑部用开口部的第一牺牲层；
第一导电膜形成工序，在所述第一牺牲层的与所述基板相反的一侧和所述第一支撑部用开口部的内侧形成第一导电膜；
第一图案化工序，对所述第一导电膜进行图案化，形成具备第一支撑部且具备第一开口部的扭转铰链，所述第一支撑部由沉积于所述第一支撑部用开口部的内侧的所述第一导电膜构成；
第二牺牲层形成工序，在所述扭转铰链的与所述基板相反的一侧形成与所述第一开口部重叠且外径小于所述第一开口部的内径的柱状的第二牺牲层；
第二导电膜形成工序，形成具备筒部和平板部的第二导电膜，所述筒部覆盖所述扭转铰链的与所述基板相反的一侧、且覆盖所述柱状的第二牺牲层的侧面，所述平板部覆盖所述柱状的第二牺牲层的与所述基板相反一侧的端面；
第二图案化工序，对所述第二导电膜进行图案化，形成具备第一连接部和第二连接部的第二支撑部，所述第一连接部覆盖所述柱状的第二牺牲层、且在所述柱状的第二牺牲层的周围从与所述基板相反的一侧接触于所述扭转铰链，所述第二连接部与所述扭转铰链的所述第一开口部的内周面接触；
第三牺牲层形成工序，形成从与所述基板相反的一侧覆盖所述扭转铰链和所述第二支撑部的第三牺牲层；
平坦化工序，从与所述基板相反的一侧对所述第三牺牲层进行平坦化，使所述第二支撑部露出；
第三导电膜形成工序，在所述第三牺牲层的与所述基板相反的一侧形成第三导电膜；
第三图案化工序，对所述第三导电膜进行图案化而形成镜；以及
牺牲层除去工序，除去所述第一牺牲层、所述第二牺牲层以及所述第三牺牲层。
7.根据权利要求6所述的电光装置的制造方法，其特征在于，
在所述平坦化工序中，使所述第二导电膜的所述平板部露出。
8.根据权利要求6或7所述的电光装置的制造方法，其特征在于，
在所述第一导电膜形成工序之后且所述第一图案化工序之前，在所述第一导电膜的与所述基板相反一侧的面设置与所述扭转铰链同一平面形状的绝缘性的蚀刻掩模层，
在所述第一图案化工序中，将所述蚀刻掩模层作为掩模，对所述第一导电膜进行图案化，
在所述第一图案化工序之后，对所述蚀刻掩模层进行图案化，形成使所述扭转铰链的沿着所述第一开口部的边缘的部分从所述蚀刻掩模层露出的第二开口部。
9.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求1至5中任一项所述的电光装置，并具有向所述镜照射光源光的光源部。
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