JPH07287177A - 回転自在の要素のアレイを作る方法 - Google Patents
回転自在の要素のアレイを作る方法Info
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- JPH07287177A JPH07287177A JP6318799A JP31879994A JPH07287177A JP H07287177 A JPH07287177 A JP H07287177A JP 6318799 A JP6318799 A JP 6318799A JP 31879994 A JP31879994 A JP 31879994A JP H07287177 A JPH07287177 A JP H07287177A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
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- H04N9/64—Circuits for processing colour signals
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- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 理想的なＤＭＤが有する輝度の一様性等に近
付ける。 【構成】 改良された隠れヒンジ・ディジタル・マイク
ロミラー装置及びその製法を説明した。装置は、ヨーク
４２８に取付けられたヒンジ４２４を持ち、このヨーク
が装置のミラー４３０の回転を制限する。一実施例で
は、ミラー４３０が、着地ヒンジ・ヨーク４２８によっ
て２つのねじれヒンジ４２４に取付けられた中心支持柱
４１６によって支持されている。ねじれヒンジ４２４の
両端が２つの支持柱４２６に取付けられ、これらの柱
が、ヒンジ４２４を基板４００の上方に保持すると共
に、ヒンジ４２４をねじれ形式で捩ることができる様に
する。２つの犠牲スペーサ層４０４，４１４を使うこと
によって、装置が製造されるが、これらのスペーサ層を
取去って、ミラー４３０が回転できる様にする。
付ける。 【構成】 改良された隠れヒンジ・ディジタル・マイク
ロミラー装置及びその製法を説明した。装置は、ヨーク
４２８に取付けられたヒンジ４２４を持ち、このヨーク
が装置のミラー４３０の回転を制限する。一実施例で
は、ミラー４３０が、着地ヒンジ・ヨーク４２８によっ
て２つのねじれヒンジ４２４に取付けられた中心支持柱
４１６によって支持されている。ねじれヒンジ４２４の
両端が２つの支持柱４２６に取付けられ、これらの柱
が、ヒンジ４２４を基板４００の上方に保持すると共
に、ヒンジ４２４をねじれ形式で捩ることができる様に
する。２つの犠牲スペーサ層４０４，４１４を使うこと
によって、装置が製造されるが、これらのスペーサ層を
取去って、ミラー４３０が回転できる様にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はディジタル・マイクロ
ミラー装置、更に具体的に云えば、ねじれヒンジ（tors
ion hinge ）が反射面とは異なる平面内に構成されてい
るこの様な装置に関する。
ミラー装置、更に具体的に云えば、ねじれヒンジ（tors
ion hinge ）が反射面とは異なる平面内に構成されてい
るこの様な装置に関する。
【０００２】
【関連出願】下記の全ての特許出願は出願人に譲渡され
ており、ここで参考の為に引用する。
ており、ここで参考の為に引用する。
【０００３】米国特許第４，５６６，９３５号 １９８６年１月２８日付与、 空間光変調器及び方法 米国特許第４，６１５，５９５号 １９８６年１０月７日付与、 フレーム・アドレス式空
間光変調器 米国特許第４，６６２，７４６号 １９８７年５月５日付与、 空間光変調器及び方法 米国特許第５，０６１，０４９号 １９９１年１０月２９日付与、空間光変調器及び方法 米国特許第５，０８３，８５７号 １９９２年１月２８日付与、 多重レベルの変形可能な
ミラー装置 米国特許第５，０９６，２７９号 １９９２年３月１７日付与、 空間光変調器及び方法
間光変調器 米国特許第４，６６２，７４６号 １９８７年５月５日付与、 空間光変調器及び方法 米国特許第５，０６１，０４９号 １９９１年１０月２９日付与、空間光変調器及び方法 米国特許第５，０８３，８５７号 １９９２年１月２８日付与、 多重レベルの変形可能な
ミラー装置 米国特許第５，０９６，２７９号 １９９２年３月１７日付与、 空間光変調器及び方法
【０００４】
【従来の技術及び課題】一形式の空間光変調器（ＳＬ
Ｍ）はディジタル・マイクロミラー装置（ＤＭＤ）であ
る。ディジタル・マイクロミラー装置は変形自在のマイ
クロミラー装置とも呼ばれているが、この用語は現在で
は専らアナログ・モードで動作する装置に使われてい
る。ＤＭＤは光を逸らせる技術に多くの用途が見出され
ている。装置は小さなミラーであって、電気信号に応答
してこのミラーが回転即ち撓んで（deflect ）、入射光
の向きを変える。或る用途では、ＤＭＤのアレイを使っ
て光を変調すると共に、個々のＤＭＤ要素（画素と呼ば
れる）が選択的に回転させられた時、パターン又は像を
発生する。
Ｍ）はディジタル・マイクロミラー装置（ＤＭＤ）であ
る。ディジタル・マイクロミラー装置は変形自在のマイ
クロミラー装置とも呼ばれているが、この用語は現在で
は専らアナログ・モードで動作する装置に使われてい
る。ＤＭＤは光を逸らせる技術に多くの用途が見出され
ている。装置は小さなミラーであって、電気信号に応答
してこのミラーが回転即ち撓んで（deflect ）、入射光
の向きを変える。或る用途では、ＤＭＤのアレイを使っ
て光を変調すると共に、個々のＤＭＤ要素（画素と呼ば
れる）が選択的に回転させられた時、パターン又は像を
発生する。
【０００５】典形的には、ＤＭＤは暗視野投影装置（da
rk field projection arangement）に使われており、例
えば、所望の明瞭度の為に画素の大きいアレイを必要と
するＨＤＴＶ用途に使うことができる。理想的なＤＭＤ
は、輝度が一様でコントラストが高くて、解像度の高い
像を作ると共に、極めて信頼性のあるものであるべきで
ある。ＤＭＤ要素は、商業的な表示装置にとって十分な
信頼性を持つ様にする為、多数回でも故障なしに動作す
る様に設計されていなければならない。これは、ＤＭＤ
要素の応力及び疲労を最小限に抑える頑丈な生産性のあ
る設計を必要とする。
rk field projection arangement）に使われており、例
えば、所望の明瞭度の為に画素の大きいアレイを必要と
するＨＤＴＶ用途に使うことができる。理想的なＤＭＤ
は、輝度が一様でコントラストが高くて、解像度の高い
像を作ると共に、極めて信頼性のあるものであるべきで
ある。ＤＭＤ要素は、商業的な表示装置にとって十分な
信頼性を持つ様にする為、多数回でも故障なしに動作す
る様に設計されていなければならない。これは、ＤＭＤ
要素の応力及び疲労を最小限に抑える頑丈な生産性のあ
る設計を必要とする。
【０００６】作像の用途では、主に２つの形式のＤＭＤ
が使われている。即ち、従来のねじれビームＤＭＤ及び
隠れヒンジＤＭＤである。両方とも、ミラーを回転方向
に撓ませて一対のねじれヒンジをねじる為に静電引力を
用いている。従来のねじれビームＤＭＤミラーは、ヒン
ジ支持柱に取付けられたねじれヒンジによって直接的に
支持されている。従来のねじれビームＤＭＤの１つの欠
点は、ヒンジ及びヒンジ支持柱が入射光を散乱し、それ
が表示のコントラスト比を低下させることである。更
に、ねじれヒンジ及びヒンジ支持柱がミラーの平面内に
配置されている為、ミラーの面積が減少し、その為像の
輝度が低下する。隠れヒンジ構造はヒンジ支持柱及びね
じれヒンジをミラーの下方へ移すことにより、こう云う
問題に対処している。ミラーは、ミラー支持柱により、
ヒンジの平面より上方に支持されている。
が使われている。即ち、従来のねじれビームＤＭＤ及び
隠れヒンジＤＭＤである。両方とも、ミラーを回転方向
に撓ませて一対のねじれヒンジをねじる為に静電引力を
用いている。従来のねじれビームＤＭＤミラーは、ヒン
ジ支持柱に取付けられたねじれヒンジによって直接的に
支持されている。従来のねじれビームＤＭＤの１つの欠
点は、ヒンジ及びヒンジ支持柱が入射光を散乱し、それ
が表示のコントラスト比を低下させることである。更
に、ねじれヒンジ及びヒンジ支持柱がミラーの平面内に
配置されている為、ミラーの面積が減少し、その為像の
輝度が低下する。隠れヒンジ構造はヒンジ支持柱及びね
じれヒンジをミラーの下方へ移すことにより、こう云う
問題に対処している。ミラーは、ミラー支持柱により、
ヒンジの平面より上方に支持されている。
【０００７】
【課題を解決する為の手段及び作用】この発明は、ミラ
ーが回転方向に撓むことができる様にする、その下側に
あるヒンジによって、基板の上方に懸架された（suspen
d ）ミラー要素を持つディジタル・マイクロミラー装置
（ＤＭＤ）及びそれを作る方法を提供する。着地ヒンジ
・ヨークがヒンジに取付けられて、ミラーの行程を制限
する。着地ヨークがミラーより短い。この為、ミラーの
先端が着地する従来の隠れヒンジＤＭＤに比べて、発生
される膠着トルクが一層小さい。膠着トルク（sticking
torque ）が一層小さいことにより、必要とするリセッ
ト電圧が一層小さくなる。
ーが回転方向に撓むことができる様にする、その下側に
あるヒンジによって、基板の上方に懸架された（suspen
d ）ミラー要素を持つディジタル・マイクロミラー装置
（ＤＭＤ）及びそれを作る方法を提供する。着地ヒンジ
・ヨークがヒンジに取付けられて、ミラーの行程を制限
する。着地ヨークがミラーより短い。この為、ミラーの
先端が着地する従来の隠れヒンジＤＭＤに比べて、発生
される膠着トルクが一層小さい。膠着トルク（sticking
torque ）が一層小さいことにより、必要とするリセッ
ト電圧が一層小さくなる。
【０００８】ここで説明するＤＭＤの設計は、現存の設
計に比べて、輝度の一様性が改良されること、画素を互
い違いにして、水平方向の解像度を一層高くするのが容
易になること、画素の「またたき（twinkling ）」がな
くなったこと、対角線方向の機械的な欠陥がないこと、
装置の寿命全体に亘って必要とするリセット電圧が安定
していること、ミラーとヒンジの正しい整合に対する依
存度が一層小さいこと、矩形の画素を使えること、並び
に水平分割リセット・アドレス方式が容易になることを
含めて、幾つかの利点がある。
計に比べて、輝度の一様性が改良されること、画素を互
い違いにして、水平方向の解像度を一層高くするのが容
易になること、画素の「またたき（twinkling ）」がな
くなったこと、対角線方向の機械的な欠陥がないこと、
装置の寿命全体に亘って必要とするリセット電圧が安定
していること、ミラーとヒンジの正しい整合に対する依
存度が一層小さいこと、矩形の画素を使えること、並び
に水平分割リセット・アドレス方式が容易になることを
含めて、幾つかの利点がある。
【０００９】この発明並びにその利点が更によく理解さ
れる様に、次に図面について説明する。
れる様に、次に図面について説明する。
【００１０】
【好ましい実施例の詳しい説明】図１はこの発明の第１
の実施例による隠れヒンジ・ディジタル・マイクロミラ
ー装置アレイ１００の一部分の平面図を示す。典形的に
は、アレイ内の各々の要素（エレメント）は四角のミラ
ー１０２であり、これは中心間１７μｍで、ミラーの間
の間隙は約１μｍにして作られている。各々のミラー要
素が支持柱１０４によって支持されるが、典形的には、
この柱はミラーの中心にある。図２は図１のＤＭＤアレ
イの１つの要素又は画素の分解図である。ミラー２００
がミラー支持柱２０２によって支持されており、この柱
が着地ヨーク２０４の上にある。着地ヨーク２０４は各
々のねじれヒンジ２０６の一端に取付けられている。各
々のねじれヒンジ２０６の他端が、ヒンジ支持柱２１０
の上にあるヒンジ支持柱キャップ２０８に取付けられて
いる。アドレス電極２１２がアドレス支持柱２１４によ
って支持されている。アドレス支持柱２１４及びヒンジ
支持柱２１０が、アドレス電極２１２、ねじれヒンジ２
０６及び着地ヨーク２０４をバイアス／リセット・バス
２１６及びアドレス電極パッド２１８から離して支持し
ている。ミラーが回転する（これを撓むと云うこともあ
る）と、着地ヨーク２０４の先端２２０が着地点２２２
でバイアス／リセット・バス２１６と接触する。
の実施例による隠れヒンジ・ディジタル・マイクロミラ
ー装置アレイ１００の一部分の平面図を示す。典形的に
は、アレイ内の各々の要素（エレメント）は四角のミラ
ー１０２であり、これは中心間１７μｍで、ミラーの間
の間隙は約１μｍにして作られている。各々のミラー要
素が支持柱１０４によって支持されるが、典形的には、
この柱はミラーの中心にある。図２は図１のＤＭＤアレ
イの１つの要素又は画素の分解図である。ミラー２００
がミラー支持柱２０２によって支持されており、この柱
が着地ヨーク２０４の上にある。着地ヨーク２０４は各
々のねじれヒンジ２０６の一端に取付けられている。各
々のねじれヒンジ２０６の他端が、ヒンジ支持柱２１０
の上にあるヒンジ支持柱キャップ２０８に取付けられて
いる。アドレス電極２１２がアドレス支持柱２１４によ
って支持されている。アドレス支持柱２１４及びヒンジ
支持柱２１０が、アドレス電極２１２、ねじれヒンジ２
０６及び着地ヨーク２０４をバイアス／リセット・バス
２１６及びアドレス電極パッド２１８から離して支持し
ている。ミラーが回転する（これを撓むと云うこともあ
る）と、着地ヨーク２０４の先端２２０が着地点２２２
でバイアス／リセット・バス２１６と接触する。
【００１１】図３ａは図１のアレイの１つの要素をヒン
ジ軸線に沿って切った断面図である。ミラー３００がミ
ラー支持柱３０２の上にある。ミラー支持柱３０２がヒ
ンジ・ヨーク３１０に取付けられている。ヒンジ・ヨー
ク３１０が２つのねじれヒンジ３０４の夫々の一端に取
付けられる。各々のねじれヒンジ３０４の他端がヒンジ
支持柱キャップ３２０に取付けられ、このキャップは、
メタライズ層３０８の上に作られたヒンジ支持柱３０６
により、基板３１８から離して保持されている。メタラ
イズ層３０８が、半導体基板３１８を保護する酸化物上
側被覆３１６に重なっている。
ジ軸線に沿って切った断面図である。ミラー３００がミ
ラー支持柱３０２の上にある。ミラー支持柱３０２がヒ
ンジ・ヨーク３１０に取付けられている。ヒンジ・ヨー
ク３１０が２つのねじれヒンジ３０４の夫々の一端に取
付けられる。各々のねじれヒンジ３０４の他端がヒンジ
支持柱キャップ３２０に取付けられ、このキャップは、
メタライズ層３０８の上に作られたヒンジ支持柱３０６
により、基板３１８から離して保持されている。メタラ
イズ層３０８が、半導体基板３１８を保護する酸化物上
側被覆３１６に重なっている。
【００１２】図３ｂは図１のアレイの１つの要素をヒン
ジ軸線と垂直の方向に切った断面図である。ミラー支持
柱３０２がヒンジ・ヨーク又は着地ヨーク３１０の上に
ある。ヒンジ・ヨーク３１０は、ミラー３００が回転す
る時、ミラー要素３００及びミラー支持柱３０２と連動
して回転する様に設計されている。アドレス電極３１４
が、メタライズ層３０８の上に作られたアドレス電極支
持柱によって支持されている。アドレス電極支持柱は断
面図の平面内にはなく、その為示してない。
ジ軸線と垂直の方向に切った断面図である。ミラー支持
柱３０２がヒンジ・ヨーク又は着地ヨーク３１０の上に
ある。ヒンジ・ヨーク３１０は、ミラー３００が回転す
る時、ミラー要素３００及びミラー支持柱３０２と連動
して回転する様に設計されている。アドレス電極３１４
が、メタライズ層３０８の上に作られたアドレス電極支
持柱によって支持されている。アドレス電極支持柱は断
面図の平面内にはなく、その為示してない。
【００１３】メタライズ層３０８は、典形的には３番目
のメタライズ層又はＭ３であるが、半導体基板３１８を
保護する様に設計された酸化物上側被覆３１６に重なっ
ている。基板３１８は典形的にはシリコンであるが、そ
の面にはアドレス回路が作られている。ヒンジ・ヨーク
３１０の先端３１２は、ミラー３００がアドレス電極３
１４と接触する前に、図３ｃに示す様に、Ｍ３ ３０８
に着地する様に構成されている。従って、ミラー要素が
回転する範囲は着地先端３１２の設計によって制限され
る。従来のＤＭＤの設計は、典形的には、ヒンジ・ヨー
クの代わりにミラーの先端が着地していた。
のメタライズ層又はＭ３であるが、半導体基板３１８を
保護する様に設計された酸化物上側被覆３１６に重なっ
ている。基板３１８は典形的にはシリコンであるが、そ
の面にはアドレス回路が作られている。ヒンジ・ヨーク
３１０の先端３１２は、ミラー３００がアドレス電極３
１４と接触する前に、図３ｃに示す様に、Ｍ３ ３０８
に着地する様に構成されている。従って、ミラー要素が
回転する範囲は着地先端３１２の設計によって制限され
る。従来のＤＭＤの設計は、典形的には、ヒンジ・ヨー
クの代わりにミラーの先端が着地していた。
【００１４】製造する為の１つの順序が図４ａ−４ｆに
示されている。この方法は図４ａから始まり、この時基
板４００の上にはアドレス回路が作られていて、保護酸
化物層４０２で覆われている。メタライズ層Ｍ３ ４０
８が、必要な所で、その下側の回路の層と接触すること
ができる様にする為に、酸化物層に孔が開けられてい
る。ヒンジ・スペーサ層４０４がアドレス回路の上に回
転デポジットされ、その上にヒンジ及び電極を作る為の
平面状の面を作る。ヒンジ・スペーサ層４０４は、電極
支持柱及びヒンジ支持柱を定める孔４０６を形成する様
にパターンぎめされる。電極支持柱に対する孔は、図４
ａ−４ｆの断面図では示されていないが、ヒンジ支持柱
の為の孔と同様である。スペーサの厚さがヒンジの空隙
を決定し、後で説明する様に、この空隙がミラーの回転
角度を決定する。典形的には、スペーサ層は厚さ１．０
μｍのポジのフォトレジストであり、このフォトレジス
トは遠紫外線によって２００℃の温度まで硬化させ、こ
の後の処理工程の間の流動及び泡立ちを防止する。
示されている。この方法は図４ａから始まり、この時基
板４００の上にはアドレス回路が作られていて、保護酸
化物層４０２で覆われている。メタライズ層Ｍ３ ４０
８が、必要な所で、その下側の回路の層と接触すること
ができる様にする為に、酸化物層に孔が開けられてい
る。ヒンジ・スペーサ層４０４がアドレス回路の上に回
転デポジットされ、その上にヒンジ及び電極を作る為の
平面状の面を作る。ヒンジ・スペーサ層４０４は、電極
支持柱及びヒンジ支持柱を定める孔４０６を形成する様
にパターンぎめされる。電極支持柱に対する孔は、図４
ａ−４ｆの断面図では示されていないが、ヒンジ支持柱
の為の孔と同様である。スペーサの厚さがヒンジの空隙
を決定し、後で説明する様に、この空隙がミラーの回転
角度を決定する。典形的には、スペーサ層は厚さ１．０
μｍのポジのフォトレジストであり、このフォトレジス
トは遠紫外線によって２００℃の温度まで硬化させ、こ
の後の処理工程の間の流動及び泡立ちを防止する。
【００１５】図４ｂから始まる多重工程の方法により、
ヒンジ及び電極がデポジットされて形成される。最初
に、アルミニウム合金の薄い層４１０がデポジットされ
て、装置のヒンジ４２４を形成する。この層は典形的に
は厚さ６００オングストロームの０．２％のＴｉ、１％
のＳｉ及び残りＡｌの合金の層である。２番目に、酸化
物をプラズマ・デポジットし、ヒンジの形にパターンぎ
めする。次に、典形的には厚さ３，０００オングストロ
ームのアルミニウム合金の一層厚手の金属層４１２をデ
ポジットして、電極，支持柱４２６及びヒンジ・ヨーク
４２８を形成する。その後、２番目のマスク用酸化物を
プラズマ・デポジットし、電極支持柱及びヒンジ支持
柱、及びヒンジ・ヨークの形にパターンぎめする。
ヒンジ及び電極がデポジットされて形成される。最初
に、アルミニウム合金の薄い層４１０がデポジットされ
て、装置のヒンジ４２４を形成する。この層は典形的に
は厚さ６００オングストロームの０．２％のＴｉ、１％
のＳｉ及び残りＡｌの合金の層である。２番目に、酸化
物をプラズマ・デポジットし、ヒンジの形にパターンぎ
めする。次に、典形的には厚さ３，０００オングストロ
ームのアルミニウム合金の一層厚手の金属層４１２をデ
ポジットして、電極，支持柱４２６及びヒンジ・ヨーク
４２８を形成する。その後、２番目のマスク用酸化物を
プラズマ・デポジットし、電極支持柱及びヒンジ支持
柱、及びヒンジ・ヨークの形にパターンぎめする。
【００１６】１回のプラズマ・エッチを使って、ヒン
ジ，電極，支持柱及びヒンジ・ヨークの金属をパターン
ぎめする。２つの酸化物層がエッチ・ストッパとして作
用し、その下にある金属を保護する。プラズマ・エッチ
が完了した後、酸化物のエッチ・ストッパを薄い金属の
ヒンジ及び一層厚手の金属の支持柱及び電極から、プラ
ズマ・エッチングによって除去する。図４ｃは、酸化物
のエッチ・ストッパを除去した後のＤＭＤ要素を示す。
ジ，電極，支持柱及びヒンジ・ヨークの金属をパターン
ぎめする。２つの酸化物層がエッチ・ストッパとして作
用し、その下にある金属を保護する。プラズマ・エッチ
が完了した後、酸化物のエッチ・ストッパを薄い金属の
ヒンジ及び一層厚手の金属の支持柱及び電極から、プラ
ズマ・エッチングによって除去する。図４ｃは、酸化物
のエッチ・ストッパを除去した後のＤＭＤ要素を示す。
【００１７】図４ｄに示す様に、一層厚手のミラー・ス
ペーサ層４１４をヒンジ及び電極の上に回転デポジット
し、ミラー支持柱４１６を形成する孔４１５ができる様
にパターンぎめする。スペーサ４１４は、典形的には厚
さが２．２μｍであるが、完成されたミラーに要求され
る回転に応じて、これより厚手にしても薄手にしてもよ
い。ミラー・スペーサ層４１４は、典形的には１８０℃
の温度まで遠紫外線で硬化して、この後の処理工程の間
の流動及び泡立ちを防止する。ヒンジ・スペーサが一層
高い温度（２００℃）に硬化させてあるので、ヒンジ・
スペーサ層４０４の劣化が起らないことに注意された
い。
ペーサ層４１４をヒンジ及び電極の上に回転デポジット
し、ミラー支持柱４１６を形成する孔４１５ができる様
にパターンぎめする。スペーサ４１４は、典形的には厚
さが２．２μｍであるが、完成されたミラーに要求され
る回転に応じて、これより厚手にしても薄手にしてもよ
い。ミラー・スペーサ層４１４は、典形的には１８０℃
の温度まで遠紫外線で硬化して、この後の処理工程の間
の流動及び泡立ちを防止する。ヒンジ・スペーサが一層
高い温度（２００℃）に硬化させてあるので、ヒンジ・
スペーサ層４０４の劣化が起らないことに注意された
い。
【００１８】次に、図４ｅに示す様に、アルミニウム合
金の厚手の層を４，２５０オングストロームの典形的な
厚さまで、スパッタリングによってデポジットする。こ
の層がミラー支持柱４１６及びミラー４３０の両方を形
成する。その後、マスク用の酸化物層をミラーの上にプ
ラズマ・デポジットし、ミラーの形にパターンぎめす
る。その後、ミラーの金属層をプラズマ・エッチングし
て、ミラー及び支持柱を形成する。ウェーハにＰＭＭＡ
を被覆し、チップ・アレイに鋸びきし、クロロベンゼン
を用いてパルス式回転洗浄する間、マスク用酸化物層は
その場所に残しておくのが典形的である。この後、チッ
プをプラズマ・エッチング室に配置し、そこでマスク用
酸化物層及び両方のスペーサ層４０４，４１４を除去し
て、図４ｆに示す様に、ヒンジ空隙４２０及びミラー空
隙４２２を残す。
金の厚手の層を４，２５０オングストロームの典形的な
厚さまで、スパッタリングによってデポジットする。こ
の層がミラー支持柱４１６及びミラー４３０の両方を形
成する。その後、マスク用の酸化物層をミラーの上にプ
ラズマ・デポジットし、ミラーの形にパターンぎめす
る。その後、ミラーの金属層をプラズマ・エッチングし
て、ミラー及び支持柱を形成する。ウェーハにＰＭＭＡ
を被覆し、チップ・アレイに鋸びきし、クロロベンゼン
を用いてパルス式回転洗浄する間、マスク用酸化物層は
その場所に残しておくのが典形的である。この後、チッ
プをプラズマ・エッチング室に配置し、そこでマスク用
酸化物層及び両方のスペーサ層４０４，４１４を除去し
て、図４ｆに示す様に、ヒンジ空隙４２０及びミラー空
隙４２２を残す。
【００１９】この発明の一実施例のＤＭＤ要素の異なる
レベルの２つの平面図が図５及び図６に示されている。
図５では、ミラー層を取除いて、その下にある構成部品
を示している。破線はミラーの輪郭を示す。ミラー支持
柱５００がヒンジ・ヨーク５０２の上にありこのヒンジ
・ヨークが一対のねじれヒンジ５０４によって支持され
ている。ヒンジ支持柱５０６が２つのねじれヒンジの夫
々の一端に取付けられる。２つのアドレス電極５０８が
電極支持柱５１０によって支持される。アドレス電極５
０８及びヒンジ・ヨーク５０２の形並びに支持柱の配置
は、希望によって変更することができる。
レベルの２つの平面図が図５及び図６に示されている。
図５では、ミラー層を取除いて、その下にある構成部品
を示している。破線はミラーの輪郭を示す。ミラー支持
柱５００がヒンジ・ヨーク５０２の上にありこのヒンジ
・ヨークが一対のねじれヒンジ５０４によって支持され
ている。ヒンジ支持柱５０６が２つのねじれヒンジの夫
々の一端に取付けられる。２つのアドレス電極５０８が
電極支持柱５１０によって支持される。アドレス電極５
０８及びヒンジ・ヨーク５０２の形並びに支持柱の配置
は、希望によって変更することができる。
【００２０】図６は、Ｍ３メタライズ層を示す為に、ア
ドレス電極、着地ヨーク及びヒンジを取除いた図５の要
素を示す。Ｍ３層は、２種類の構造、即ちバイアス／リ
セット・バス６００及びアドレス支持パッド６０２を残
す様にパターンぎめされる。ヒンジ支持柱５０６は、Ｍ
３層のバイアス／リセット・バス６００の部分の上に作
られ、これに対してアドレス電極支持柱５１０は、図示
の様にアドレス支持パッド６０２の上に作られる。バイ
ア（透孔）６０４がアドレス支持パッドを、保護用酸化
物を介して、基板の上に組立てられたアドレス回路と接
続する。
ドレス電極、着地ヨーク及びヒンジを取除いた図５の要
素を示す。Ｍ３層は、２種類の構造、即ちバイアス／リ
セット・バス６００及びアドレス支持パッド６０２を残
す様にパターンぎめされる。ヒンジ支持柱５０６は、Ｍ
３層のバイアス／リセット・バス６００の部分の上に作
られ、これに対してアドレス電極支持柱５１０は、図示
の様にアドレス支持パッド６０２の上に作られる。バイ
ア（透孔）６０４がアドレス支持パッドを、保護用酸化
物を介して、基板の上に組立てられたアドレス回路と接
続する。
【００２１】図７ａは、図３ｂのＤＭＤ要素が回転し、
着地ヨークがＭ３メタライズ層のバイアス／リセット部
分と接触する状態を示す。ヒンジ・ヨークの着地先端の
長さが、ヒンジからＭ３までの所定の空隙に対して、ミ
ラーがどの位まで回転し得るかを決定する。図示例で
は、着地先端は、ミラー要素自体のモーメントのアーム
の大体半分になる様に選ばれている。ミラーの寸法及び
ミラー支持柱の高さが、ミラーの先端が着地するのを防
止する様に選ばれていると仮定すると、ヒンジ空隙の厚
さ及び着地先端の長さが、ミラーが、着地先端によって
停止させられるまでに、どの位回転するかを決定する。
後で説明するが、最適の着地先端の長さは、ミラーとア
ドレス電極の間の静電引力のモーメントのアームの長さ
に関係する。これによって、ミラーの最大の回転を制御
する様に、プロセスのできる範囲内で、ヒンジ空隙の厚
さを変えることができる。ミラーの回転は、交代的な反
射光路を分け隔てて、必要な投影光学系（projection o
ptics ）の場所ができる様にするのに十分にすべきであ
る。典形的な装置は、各々の方向に約１０°のミラーの
回転を有する。
着地ヨークがＭ３メタライズ層のバイアス／リセット部
分と接触する状態を示す。ヒンジ・ヨークの着地先端の
長さが、ヒンジからＭ３までの所定の空隙に対して、ミ
ラーがどの位まで回転し得るかを決定する。図示例で
は、着地先端は、ミラー要素自体のモーメントのアーム
の大体半分になる様に選ばれている。ミラーの寸法及び
ミラー支持柱の高さが、ミラーの先端が着地するのを防
止する様に選ばれていると仮定すると、ヒンジ空隙の厚
さ及び着地先端の長さが、ミラーが、着地先端によって
停止させられるまでに、どの位回転するかを決定する。
後で説明するが、最適の着地先端の長さは、ミラーとア
ドレス電極の間の静電引力のモーメントのアームの長さ
に関係する。これによって、ミラーの最大の回転を制御
する様に、プロセスのできる範囲内で、ヒンジ空隙の厚
さを変えることができる。ミラーの回転は、交代的な反
射光路を分け隔てて、必要な投影光学系（projection o
ptics ）の場所ができる様にするのに十分にすべきであ
る。典形的な装置は、各々の方向に約１０°のミラーの
回転を有する。
【００２２】着地先端がバイアス／リセット・バスに着
地した後、着地先端の表面分子とバイアス／リセット・
バスとの間には、ファン・デル・ワールスの力（Van de
r Waals force ）と呼ばれる距離の短い双極子モーメン
トの引力が働く為に、それがバイアス／リセット・バス
にくっつく傾向がある。着地先端及びバイアス／リセッ
ト・バスの表面はこの膠着を減らす様に不活性化層で処
理することができるが、ヒンジの復元力は依然として信
頼性のある動作にするには不十分であることがある。共
振リセットと呼ばれる方法を用いて、ヒンジの復元力を
１０倍までにし、こうして着地先端が着地電極から確実
に剥がれる様に保証することができる。共振リセット
は、ミラーとアドレス電極の間の引力を増加する電圧パ
ルス又は一連のパルスである。一実施例では、共振リセ
ットは、ミラーの共振周波数、大体５ MHz で、ミラー
に印加される５個１組の２４ボルトのパルスである。最
初のパルスがミラーを上に凹に曲げ、先端を強制的に着
地電極に押付け、先端に対して下向きの力を加える。最
初のパルスがターンオフになった時、ミラーが回復し、
その後下に凹の位置にオーバーシュートし、先端を着地
電極から引き離す傾向を持つ先端に対する上向きの反作
用力を加える。この後のパルスを印加すると、振動の振
幅が増加すると共に、対応する先端の上向きの反作用力
が増加し、それがミラーを着地面から引き離す傾向を持
つ。
地した後、着地先端の表面分子とバイアス／リセット・
バスとの間には、ファン・デル・ワールスの力（Van de
r Waals force ）と呼ばれる距離の短い双極子モーメン
トの引力が働く為に、それがバイアス／リセット・バス
にくっつく傾向がある。着地先端及びバイアス／リセッ
ト・バスの表面はこの膠着を減らす様に不活性化層で処
理することができるが、ヒンジの復元力は依然として信
頼性のある動作にするには不十分であることがある。共
振リセットと呼ばれる方法を用いて、ヒンジの復元力を
１０倍までにし、こうして着地先端が着地電極から確実
に剥がれる様に保証することができる。共振リセット
は、ミラーとアドレス電極の間の引力を増加する電圧パ
ルス又は一連のパルスである。一実施例では、共振リセ
ットは、ミラーの共振周波数、大体５ MHz で、ミラー
に印加される５個１組の２４ボルトのパルスである。最
初のパルスがミラーを上に凹に曲げ、先端を強制的に着
地電極に押付け、先端に対して下向きの力を加える。最
初のパルスがターンオフになった時、ミラーが回復し、
その後下に凹の位置にオーバーシュートし、先端を着地
電極から引き離す傾向を持つ先端に対する上向きの反作
用力を加える。この後のパルスを印加すると、振動の振
幅が増加すると共に、対応する先端の上向きの反作用力
が増加し、それがミラーを着地面から引き離す傾向を持
つ。
【００２３】典形的には、５個のパルスの後、先端の反
作用力にはそれ以上の増加が無い。これは、各々のリセ
ット・パルスによって得られるエネルギが、空気制動並
びに金属の曲げに失われるエネルギと等しいからであ
る。一旦最大の振動が達成されたら、パルス列をターン
オフし、ミラーの先端が離れるのにまかせ、ミラーをリ
セットする。ミラーの共振が最も効率のよいリセット周
波数であって、ミラーを自由にする傾向を持つ大きな先
端の反作用力を生ずると同時に、ヒンジの応力を低いレ
ベルに保つことを指摘しておきたい。
作用力にはそれ以上の増加が無い。これは、各々のリセ
ット・パルスによって得られるエネルギが、空気制動並
びに金属の曲げに失われるエネルギと等しいからであ
る。一旦最大の振動が達成されたら、パルス列をターン
オフし、ミラーの先端が離れるのにまかせ、ミラーをリ
セットする。ミラーの共振が最も効率のよいリセット周
波数であって、ミラーを自由にする傾向を持つ大きな先
端の反作用力を生ずると同時に、ヒンジの応力を低いレ
ベルに保つことを指摘しておきたい。
【００２４】ミラーの先端が着地するのに比べて、ヒン
ジ・ヨークの着地先端が着地することの１つの利点は、
着地先端の寸法が一層短いことである。この寸法が短い
ことにより、ヒンジの回転軸線に対する膠着力のモーメ
ントのアームが減少する。モーメントのアームが小さく
なれば、膠着トルクが一層小さくなり、従ってミラー要
素をリセットするのに必要なトルクも一層小さくなる。
リセット・パルスによって発生されるトルクは、リセッ
ト・パルスの電圧レベルとアドレス電極及びミラーの形
状の両方に関係する。着地先端と着地面の間の接着力は
モーメントのアームの長さとは無関係である。膠着力の
モーメントのアームが短ければ短いほど、膠着力によっ
て発生されるトルクが一層小さくなると共に、リセット
・トルクが膠着トルクに打ち勝つのは一層容易になる。
ミラーに比べて着地ヨークの寸法が一層短いことは、信
頼性のあるリセットを達成するのに必要なリセット電圧
をそれに対応して減少することができると共に、１回の
パルス・リセットができる様になる。
ジ・ヨークの着地先端が着地することの１つの利点は、
着地先端の寸法が一層短いことである。この寸法が短い
ことにより、ヒンジの回転軸線に対する膠着力のモーメ
ントのアームが減少する。モーメントのアームが小さく
なれば、膠着トルクが一層小さくなり、従ってミラー要
素をリセットするのに必要なトルクも一層小さくなる。
リセット・パルスによって発生されるトルクは、リセッ
ト・パルスの電圧レベルとアドレス電極及びミラーの形
状の両方に関係する。着地先端と着地面の間の接着力は
モーメントのアームの長さとは無関係である。膠着力の
モーメントのアームが短ければ短いほど、膠着力によっ
て発生されるトルクが一層小さくなると共に、リセット
・トルクが膠着トルクに打ち勝つのは一層容易になる。
ミラーに比べて着地ヨークの寸法が一層短いことは、信
頼性のあるリセットを達成するのに必要なリセット電圧
をそれに対応して減少することができると共に、１回の
パルス・リセットができる様になる。
【００２５】１回のリセット・パルスを使うことは、画
素のまたたきの問題をなくすのに望ましいことである。
ミラーがくっつかないか又はバイアス／リセット・バス
にくっつくとしても極く僅かである時、またたきが起
る。リセット・パルス列によって発生される力は、５番
目の、最後のパルスより前に、軽くくっついたミラーを
離すのに十分であることがある。そう云うことが起る
と、ミラーがばね式にバイアス／リセット・バスから離
れ、その後、後続のリセット・パルスにより、バイアス
／リセット・バスに戻る。その時、ミラーがバイアス／
リセット・バスにくっつき、リセット・パルス列の残り
のパルスは、ミラーを離すのに十分なエネルギを発生し
ないことがある。ミラーは、次の完全なリセット期間が
それをバイアス／リセット・バスから離すまで、くっつ
いたままになっている。
素のまたたきの問題をなくすのに望ましいことである。
ミラーがくっつかないか又はバイアス／リセット・バス
にくっつくとしても極く僅かである時、またたきが起
る。リセット・パルス列によって発生される力は、５番
目の、最後のパルスより前に、軽くくっついたミラーを
離すのに十分であることがある。そう云うことが起る
と、ミラーがばね式にバイアス／リセット・バスから離
れ、その後、後続のリセット・パルスにより、バイアス
／リセット・バスに戻る。その時、ミラーがバイアス／
リセット・バスにくっつき、リセット・パルス列の残り
のパルスは、ミラーを離すのに十分なエネルギを発生し
ないことがある。ミラーは、次の完全なリセット期間が
それをバイアス／リセット・バスから離すまで、くっつ
いたままになっている。
【００２６】動作について説明すると、暗視野光学系を
使って像が発生される。この時、ＤＭＤミラーが一方の
方向、即ち、「オン」に回転して、像平面に光を逸ら
せ、反対方向、即ち、「オフ」に回転して、光を像スク
リーンから逸らせる。パルス幅変調を使って、グレース
ケール表示をする。ミラーが「オン」位置に膠着した場
合、ミラーは、「オフ」位置にあるべきであるのに、光
をスクリーンへ反射することがある。画素は本来よりも
一時的に一層明るく見え、チカチカ又はまたたきする様
に見える。「オフ」であるミラーがリセットされず、そ
の後「オン」位置へ回転しない時、同じ問題が起るが、
それほど目立たない。ここで説明した構造は、１回のパ
ルス・リセットを使うことができる様にすることによ
り、画素のまたたきを除くことができる。
使って像が発生される。この時、ＤＭＤミラーが一方の
方向、即ち、「オン」に回転して、像平面に光を逸ら
せ、反対方向、即ち、「オフ」に回転して、光を像スク
リーンから逸らせる。パルス幅変調を使って、グレース
ケール表示をする。ミラーが「オン」位置に膠着した場
合、ミラーは、「オフ」位置にあるべきであるのに、光
をスクリーンへ反射することがある。画素は本来よりも
一時的に一層明るく見え、チカチカ又はまたたきする様
に見える。「オフ」であるミラーがリセットされず、そ
の後「オン」位置へ回転しない時、同じ問題が起るが、
それほど目立たない。ここで説明した構造は、１回のパ
ルス・リセットを使うことができる様にすることによ
り、画素のまたたきを除くことができる。
【００２７】ミラーに比べて着地ヨークの寸法を一層短
くすることによって、膠着したミラーをリセットするの
に必要なトルクが減少するが、短すぎる着地ヨークを使
うと、ミラーのヒンジに余分の応力が生ずることがあ
る。ヒンジに対する余分の応力を理解する為には、図７
ａ−７ｃに示したＤＭＤミラーに作用する撓みの力を理
解することが必要である。ＤＭＤミラーとアドレス電極
の間の静電引力のモーメントのアームは、ミラー及びヒ
ンジの形に関係する。四角のミラーを持つ典形的な隠れ
ヒンジＤＭＤでは、静電力のモーメントのアーム、又は
静電力の中心は、ヒンジ軸線からミラー先端までの距離
の大体半分である。ミラーが回転すると、ミラー先端及
びヒンジの反作用力の組合せから生ずる同じ大きさで反
対の力によって、静電力を打ち消さなければならない。
くすることによって、膠着したミラーをリセットするの
に必要なトルクが減少するが、短すぎる着地ヨークを使
うと、ミラーのヒンジに余分の応力が生ずることがあ
る。ヒンジに対する余分の応力を理解する為には、図７
ａ−７ｃに示したＤＭＤミラーに作用する撓みの力を理
解することが必要である。ＤＭＤミラーとアドレス電極
の間の静電引力のモーメントのアームは、ミラー及びヒ
ンジの形に関係する。四角のミラーを持つ典形的な隠れ
ヒンジＤＭＤでは、静電力のモーメントのアーム、又は
静電力の中心は、ヒンジ軸線からミラー先端までの距離
の大体半分である。ミラーが回転すると、ミラー先端及
びヒンジの反作用力の組合せから生ずる同じ大きさで反
対の力によって、静電力を打ち消さなければならない。
【００２８】図７ａに示す様に、回転したＤＭＤの形状
が、着地先端が静電引力よりも、回転軸線から一層遠く
にあると、平衡を保つ為には、ヒンジに上向きの力７０
２が必要である。つまり、ミラーの先端に着地する隠れ
ヒンジＤＭＤが回転すると、ミラーは回転するだけでな
く、ヒンジからの上向きの力７０２が増加して平衡に達
するまで、基板に向って並進をする。
が、着地先端が静電引力よりも、回転軸線から一層遠く
にあると、平衡を保つ為には、ヒンジに上向きの力７０
２が必要である。つまり、ミラーの先端に着地する隠れ
ヒンジＤＭＤが回転すると、ミラーは回転するだけでな
く、ヒンジからの上向きの力７０２が増加して平衡に達
するまで、基板に向って並進をする。
【００２９】図７ｂに示す様に、静電引力７０４が着地
先端よりも回転軸線から一層遠くにあると、ミラーは、
ヒンジによって発生された下向きの力７０６がミラーを
平衡状態にするまで、上向きに並進する傾向がある。ヒ
ンジによって発生される上向き及び下向きの力は、２つ
の効果がある。第１に、ヒンジの変形により、ヒンジに
加わる応力が増加し、これは金属のクリープ（creep ）
によって、ヒンジが永久的にたるむ（sag ）原因になる
ことがある。第２に、ヒンジの強さ、並びにバイアス電
圧によって発生される力の強さに応じて、各々のミラー
の回転が異なる。投影される画素の輝度がミラーの回転
角度に関係するから、ミラーの回転が全て同じでない場
合、像の画素は一様にはならず、像が劣化する。着地ヨ
ークのリセット能力が高まったことによることを活用
し、ヒンジに掛かる応力を最小限に抑えると共に、バイ
アス電圧に対する輝度の依存性を最小限に抑える為に
は、着地先端は、図７ｃに示す様に、静電引力の中心の
真下にあるべきである。
先端よりも回転軸線から一層遠くにあると、ミラーは、
ヒンジによって発生された下向きの力７０６がミラーを
平衡状態にするまで、上向きに並進する傾向がある。ヒ
ンジによって発生される上向き及び下向きの力は、２つ
の効果がある。第１に、ヒンジの変形により、ヒンジに
加わる応力が増加し、これは金属のクリープ（creep ）
によって、ヒンジが永久的にたるむ（sag ）原因になる
ことがある。第２に、ヒンジの強さ、並びにバイアス電
圧によって発生される力の強さに応じて、各々のミラー
の回転が異なる。投影される画素の輝度がミラーの回転
角度に関係するから、ミラーの回転が全て同じでない場
合、像の画素は一様にはならず、像が劣化する。着地ヨ
ークのリセット能力が高まったことによることを活用
し、ヒンジに掛かる応力を最小限に抑えると共に、バイ
アス電圧に対する輝度の依存性を最小限に抑える為に
は、着地先端は、図７ｃに示す様に、静電引力の中心の
真下にあるべきである。
【００３０】着地ヨークがヒンジの軸線と整合している
ことが重要である。整合が正しくないと、着地先端がバ
イアス／リセット・バスに接触する前に、要素が回転す
る程度に影響を与える着地先端の実効長が変わる。或る
要素と次の要素とで、回転の制御がよくないと、像の品
質が劣化することがあり、特に像の輝度の一様性が劣化
することがある。１つの解決策は、ヒンジをパターンぎ
めするのと同時に、着地先端をパターンぎめし、こうし
てヒンジ及び着地先端の正しい整合を保証することであ
る。従来のＤＭＤ構造では、この解決策は実用的ではな
かった。ヒンジの金属をミラー先端に露出する様に従来
のねじれビームＤＭＤをパターンぎめすると、ミラーの
先端からの光の回折が増加し、その結果、光学的なコン
トラスト比が一層低くなる。従来の隠れヒンジＤＭＤの
ねじれヒンジは、ミラーの着地先端とは異なる平面に作
られており、こうして１回のパターンぎめ工程を使うこ
とができなかった。ここで開示した構造は、光の回折を
増加せずに、ねじれヒンジをパターンぎめするのと同時
に、着地先端をパターンぎめすることができる様にする
から、ヒンジとヨークの整合を制御するのが容易にな
り、その結果、アレイの要素の間で一層一貫性のある回
転が得られる。
ことが重要である。整合が正しくないと、着地先端がバ
イアス／リセット・バスに接触する前に、要素が回転す
る程度に影響を与える着地先端の実効長が変わる。或る
要素と次の要素とで、回転の制御がよくないと、像の品
質が劣化することがあり、特に像の輝度の一様性が劣化
することがある。１つの解決策は、ヒンジをパターンぎ
めするのと同時に、着地先端をパターンぎめし、こうし
てヒンジ及び着地先端の正しい整合を保証することであ
る。従来のＤＭＤ構造では、この解決策は実用的ではな
かった。ヒンジの金属をミラー先端に露出する様に従来
のねじれビームＤＭＤをパターンぎめすると、ミラーの
先端からの光の回折が増加し、その結果、光学的なコン
トラスト比が一層低くなる。従来の隠れヒンジＤＭＤの
ねじれヒンジは、ミラーの着地先端とは異なる平面に作
られており、こうして１回のパターンぎめ工程を使うこ
とができなかった。ここで開示した構造は、光の回折を
増加せずに、ねじれヒンジをパターンぎめするのと同時
に、着地先端をパターンぎめすることができる様にする
から、ヒンジとヨークの整合を制御するのが容易にな
り、その結果、アレイの要素の間で一層一貫性のある回
転が得られる。
【００３１】図８及び９は、この発明に従って装置を製
造するのに使われる典形的な酸化物のエッチ・ストッパ
を示す。図８では、第１の酸化物のエッチ・ストッパ８
００がヒンジ金属の上にデポジットされ、ヒンジだけを
限定する様にパターンぎめされる。電極金属層をデポジ
ットした後、第２の酸化物のエッチ・ストッパ８０２を
デポジットし、ヒンジ支持柱キャップ、着地ヨーク及び
アドレス電極を限定する様にパターンぎめする。２つの
酸化物のエッチ・ストッパが、ヒンジの各々の端に重な
ることに注意されたい。電極及びヒンジの金属層を１回
のエッチ工程でエッチングすると、エッチ・ストッパの
下の金属が残る。従って、厚手の電極の金属層及び薄手
のヒンジの金属層の両方が第２の酸化物のエッチ・スト
ッパ８０２の下に残り、これに対して第１の酸化物のエ
ッチ・ストッパ８００の下には薄手のヒンジの金属層だ
けが残る。図８に示す様に、第１の酸化物のエッチ・ス
トッパ８００がパターンぎめされる時にヒンジが限定さ
れ、第２の酸化物のエッチ・ストッパ８０２がパターン
ぎめされる時に着地ヨークの先端８０４が限定される。
造するのに使われる典形的な酸化物のエッチ・ストッパ
を示す。図８では、第１の酸化物のエッチ・ストッパ８
００がヒンジ金属の上にデポジットされ、ヒンジだけを
限定する様にパターンぎめされる。電極金属層をデポジ
ットした後、第２の酸化物のエッチ・ストッパ８０２を
デポジットし、ヒンジ支持柱キャップ、着地ヨーク及び
アドレス電極を限定する様にパターンぎめする。２つの
酸化物のエッチ・ストッパが、ヒンジの各々の端に重な
ることに注意されたい。電極及びヒンジの金属層を１回
のエッチ工程でエッチングすると、エッチ・ストッパの
下の金属が残る。従って、厚手の電極の金属層及び薄手
のヒンジの金属層の両方が第２の酸化物のエッチ・スト
ッパ８０２の下に残り、これに対して第１の酸化物のエ
ッチ・ストッパ８００の下には薄手のヒンジの金属層だ
けが残る。図８に示す様に、第１の酸化物のエッチ・ス
トッパ８００がパターンぎめされる時にヒンジが限定さ
れ、第２の酸化物のエッチ・ストッパ８０２がパターン
ぎめされる時に着地ヨークの先端８０４が限定される。
【００３２】図９は、セルフアライン形ヒンジを形成す
るのに典形的に使われる酸化物のエッチ・ストッパを示
す。この時、第１の酸化物のエッチ・ストッパ層９００
が、ヒンジだけでなく、着地ヨークの先端９０４をも限
定する様にパターンぎめされる。第２の酸化物のエッチ
・ストッパ９０２がヒンジ支持柱キャップ、アドレス電
極及び着地ヨークの中心部分を限定する。第２の酸化物
のエッチ・ストッパは、着地ヨークの先端９０４まで伸
びていない。この時、２つの酸化物のエッチ・ストッパ
が、ヒンジの各々の端と共に、着地ヨークの先端の近く
に重なることに注意されたい。この場合も、金属層をエ
ッチングした時、厚手の電極の金属層及び薄手のヒンジ
の金属層の両方が第２の酸化物のエッチ・ストッパ９０
２の下に残り、第１の酸化物のエッチ・ストッパ９００
の下には薄手のヒンジの金属層だけが残る。然し、図８
で、着地ヨークの先端及びヒンジが別々のパターンぎめ
工程によって限定されるのに対し、今度は、着地ヨーク
の先端及びヒンジが１回の工程でパターンぎめされ、こ
うして相互の整合を確実にする。
るのに典形的に使われる酸化物のエッチ・ストッパを示
す。この時、第１の酸化物のエッチ・ストッパ層９００
が、ヒンジだけでなく、着地ヨークの先端９０４をも限
定する様にパターンぎめされる。第２の酸化物のエッチ
・ストッパ９０２がヒンジ支持柱キャップ、アドレス電
極及び着地ヨークの中心部分を限定する。第２の酸化物
のエッチ・ストッパは、着地ヨークの先端９０４まで伸
びていない。この時、２つの酸化物のエッチ・ストッパ
が、ヒンジの各々の端と共に、着地ヨークの先端の近く
に重なることに注意されたい。この場合も、金属層をエ
ッチングした時、厚手の電極の金属層及び薄手のヒンジ
の金属層の両方が第２の酸化物のエッチ・ストッパ９０
２の下に残り、第１の酸化物のエッチ・ストッパ９００
の下には薄手のヒンジの金属層だけが残る。然し、図８
で、着地ヨークの先端及びヒンジが別々のパターンぎめ
工程によって限定されるのに対し、今度は、着地ヨーク
の先端及びヒンジが１回の工程でパターンぎめされ、こ
うして相互の整合を確実にする。
【００３３】図１０は、ヒンジ及び電極の金属層がエッ
チングされた後の一実施例のセルフアライン形ＤＭＤ要
素の平面図で、ヒンジ・ヨーク１０００、アドレス電極
１００２、及びヒンジ１００４を示す。図１１及び１２
はこのセルフアライン形ＤＭＤ要素の断面図である。図
１１及び１２の断面の平面は図３ｂ及び３ｃと同じであ
る。図１１は中立位置にあるＤＭＤ要素を示し、図１２
は撓んだ又は回転した位置にあるＤＭＤ要素を示す。
チングされた後の一実施例のセルフアライン形ＤＭＤ要
素の平面図で、ヒンジ・ヨーク１０００、アドレス電極
１００２、及びヒンジ１００４を示す。図１１及び１２
はこのセルフアライン形ＤＭＤ要素の断面図である。図
１１及び１２の断面の平面は図３ｂ及び３ｃと同じであ
る。図１１は中立位置にあるＤＭＤ要素を示し、図１２
は撓んだ又は回転した位置にあるＤＭＤ要素を示す。
【００３４】その下側にある回路の高さを埋め合せる為
に、ヨークの設計は行毎に変更することもできる。典形
的なＣＭＯＳ回路の設計にすると、１つおきの線の下で
高さの変動が生じ、目につく線のペア効果が生ずる。ミ
ラーの先端で着地するＤＭＤの設計では、ミラーの寸法
又は形を変えずに、この変動を補償することはできな
い。然しミラーの寸法又は形を変更すれば、やはり輝度
の変動の原因になる。着地ヨークの長さは、その下側に
ある回路の１つおきの行での高さの変動を補償する様に
交互の行で変更して、こうして輝度に対する回路の影響
を減少することができる。後で説明する分割リセットを
利用する様に設計されたＤＭＤは、典形的には、回路の
高さの変動が１６本の線毎に繰返して起る。従って、典
形的な分割リセット回路は、着地ヨークの変動がやはり
１６本の線毎に繰返される必要がある。
に、ヨークの設計は行毎に変更することもできる。典形
的なＣＭＯＳ回路の設計にすると、１つおきの線の下で
高さの変動が生じ、目につく線のペア効果が生ずる。ミ
ラーの先端で着地するＤＭＤの設計では、ミラーの寸法
又は形を変えずに、この変動を補償することはできな
い。然しミラーの寸法又は形を変更すれば、やはり輝度
の変動の原因になる。着地ヨークの長さは、その下側に
ある回路の１つおきの行での高さの変動を補償する様に
交互の行で変更して、こうして輝度に対する回路の影響
を減少することができる。後で説明する分割リセットを
利用する様に設計されたＤＭＤは、典形的には、回路の
高さの変動が１６本の線毎に繰返して起る。従って、典
形的な分割リセット回路は、着地ヨークの変動がやはり
１６本の線毎に繰返される必要がある。
【００３５】データ入力路の帯域幅の条件を下げ、ＣＭ
ＯＳ回路素子の必要な数を減らす為に、一度にミラー要
素の一部分だけをロード及びリセットすることができる
様にするのが望ましい。この特徴は、分割リセット・メ
モリ多重化アドレス方式と呼ばれるが、残りの要素がロ
ード、リセットされ、電気機械的にラッチされる間、大
多数の要素がデータを表示することができる様にする。
即ち、１つのＣＭＯＳ回路素子、例えばＳＲＡＭセル
が、１つより多くのＤＭＤ要素をアドレスすることがで
きる。分割リセットを実現する為には、要素がブロック
にまとめられ、各々のブロックに対するミラー・バイア
ス信号を隔離する。制御回路は、各々のブロックに対す
るミラー・バイアス信号を独立に制御する様にしなけれ
ばならない。バイアス／リセット・バスを使って、ＤＭ
Ｄ要素のグループのミラー・バイアス信号を一緒に接続
し、要素のブロック全体に共通のミラー・バイアスを印
加することができる様にする。要素のグループ分けは決
定的ではないが、フレーム全体に対するデータから或る
ブロックに対するデータを抽出するのに必要な論理回路
を決定する。典形的には、１行にある全ての要素が同じ
ブロック内にあり、ブロック内にある行の数は、希望す
るブロックの数によって決定される。例えば、隣合った
行をグループに一緒にまとめてもよいし、或いは各々の
ブロックの行をインターリーブにすることができる。
ＯＳ回路素子の必要な数を減らす為に、一度にミラー要
素の一部分だけをロード及びリセットすることができる
様にするのが望ましい。この特徴は、分割リセット・メ
モリ多重化アドレス方式と呼ばれるが、残りの要素がロ
ード、リセットされ、電気機械的にラッチされる間、大
多数の要素がデータを表示することができる様にする。
即ち、１つのＣＭＯＳ回路素子、例えばＳＲＡＭセル
が、１つより多くのＤＭＤ要素をアドレスすることがで
きる。分割リセットを実現する為には、要素がブロック
にまとめられ、各々のブロックに対するミラー・バイア
ス信号を隔離する。制御回路は、各々のブロックに対す
るミラー・バイアス信号を独立に制御する様にしなけれ
ばならない。バイアス／リセット・バスを使って、ＤＭ
Ｄ要素のグループのミラー・バイアス信号を一緒に接続
し、要素のブロック全体に共通のミラー・バイアスを印
加することができる様にする。要素のグループ分けは決
定的ではないが、フレーム全体に対するデータから或る
ブロックに対するデータを抽出するのに必要な論理回路
を決定する。典形的には、１行にある全ての要素が同じ
ブロック内にあり、ブロック内にある行の数は、希望す
るブロックの数によって決定される。例えば、隣合った
行をグループに一緒にまとめてもよいし、或いは各々の
ブロックの行をインターリーブにすることができる。
【００３６】バイアス／リセット・バスは、ミラー支持
構造を通じて、ミラー・バイアス信号を各々のミラーに
伝達する。ここで説明したバイアス／リセット・バスの
設計の為、要素は効率よくブロックにまとめることがで
きる。図１３はＤＭＤ要素のアレイを示しており、バイ
アス／リセット・バス１３００及びアドレス支持パッド
３０２のメタライズを露出する様に、ミラー、ヒンジ及
び電極金属は取除いてある。参考の為、ヒンジ支持柱の
場所１３０４、アドレス電極支持体の場所１３０６及び
アドレス支持パッドのバイア１３０８が示されている。
図１３に示す様に、５個のＤＭＤ要素からなる５行のバ
イアス／リセット・バス１３００が電気的に接続されて
いる。図１４は隔離された５行１４０２，１４０４，１
４０６，１４０８，１４１０を形成する様に作られた個
々のＤＭＤ要素からなる５行のアレイのバイアス／リセ
ット・バス・メタライズ部分１４００を示す。前に述べ
た様に、装置を接続する実際のパターンは決定的ではな
い。例えば、要素は垂直、水平又は対角線の行にまとめ
ることができる。図１４の例で、ブロックが交互の行で
構成される場合、行はミラー・アレイの有効な区域の外
側で接続される。これは、ミラー・アレイの有効区域の
外側にメタライズ部を追加し、行を接続するのにジャン
パー線を使い、又はボンドアウトの際に行を接続するこ
とにより、このメタライズ部を行を接続する様にパター
ンぎめすることによって行なうことができる。
構造を通じて、ミラー・バイアス信号を各々のミラーに
伝達する。ここで説明したバイアス／リセット・バスの
設計の為、要素は効率よくブロックにまとめることがで
きる。図１３はＤＭＤ要素のアレイを示しており、バイ
アス／リセット・バス１３００及びアドレス支持パッド
３０２のメタライズを露出する様に、ミラー、ヒンジ及
び電極金属は取除いてある。参考の為、ヒンジ支持柱の
場所１３０４、アドレス電極支持体の場所１３０６及び
アドレス支持パッドのバイア１３０８が示されている。
図１３に示す様に、５個のＤＭＤ要素からなる５行のバ
イアス／リセット・バス１３００が電気的に接続されて
いる。図１４は隔離された５行１４０２，１４０４，１
４０６，１４０８，１４１０を形成する様に作られた個
々のＤＭＤ要素からなる５行のアレイのバイアス／リセ
ット・バス・メタライズ部分１４００を示す。前に述べ
た様に、装置を接続する実際のパターンは決定的ではな
い。例えば、要素は垂直、水平又は対角線の行にまとめ
ることができる。図１４の例で、ブロックが交互の行で
構成される場合、行はミラー・アレイの有効な区域の外
側で接続される。これは、ミラー・アレイの有効区域の
外側にメタライズ部を追加し、行を接続するのにジャン
パー線を使い、又はボンドアウトの際に行を接続するこ
とにより、このメタライズ部を行を接続する様にパター
ンぎめすることによって行なうことができる。
【００３７】ここで説明した構造は、分割リセットの相
互接続部を著しく容易にする。従来のＤＭＤの設計は、
ミラーの先端で着地し、その為、ミラー・バイアス電圧
を伝える装置の隅の近くに着地電極を必要とした。着地
電極はアドレス電極と同じレベルに組立てられ、ヒンジ
支持柱によって支持されていた。こう云う着地電極の寸
法と配置の為、典形的には、１つの着地電極を対角線上
で隣接する要素が共有することが必要になると共に、別
の対角線に隣接する一対の要素のヒンジ支持柱によって
支持されていたので、４つの要素が電気的に接続されて
いた。この為、従来の構造は、行毎又は水平の分割リセ
ットを実現するのに必要な電気的な隔離が簡単にはでき
なかった。
互接続部を著しく容易にする。従来のＤＭＤの設計は、
ミラーの先端で着地し、その為、ミラー・バイアス電圧
を伝える装置の隅の近くに着地電極を必要とした。着地
電極はアドレス電極と同じレベルに組立てられ、ヒンジ
支持柱によって支持されていた。こう云う着地電極の寸
法と配置の為、典形的には、１つの着地電極を対角線上
で隣接する要素が共有することが必要になると共に、別
の対角線に隣接する一対の要素のヒンジ支持柱によって
支持されていたので、４つの要素が電気的に接続されて
いた。この為、従来の構造は、行毎又は水平の分割リセ
ットを実現するのに必要な電気的な隔離が簡単にはでき
なかった。
【００３８】分割リセットができる様にする、アレイの
行の間の機械的及び電気的な隔離により、隣接する行の
ミラーを画素ピッチの半分だけ互い違いにし、表示の実
効的な水平方向の解像度を高めることができる。第２
に、隣接する要素のヒンジ支持体の間に機械的な接続が
ないから、１つの要素が構造的な破損を生じても、その
破損が隣接するミラー要素の破壊に繋がる様なことがも
はやなくなる。
行の間の機械的及び電気的な隔離により、隣接する行の
ミラーを画素ピッチの半分だけ互い違いにし、表示の実
効的な水平方向の解像度を高めることができる。第２
に、隣接する要素のヒンジ支持体の間に機械的な接続が
ないから、１つの要素が構造的な破損を生じても、その
破損が隣接するミラー要素の破壊に繋がる様なことがも
はやなくなる。
【００３９】ＤＭＤが、回転を制限するのに、もはやミ
ラーの先端に頼らないので、ミラーは四角である必要が
ない。この為、他のミラーの形を使うことができる。現
在、合衆国のＨＤＴＶに対する１つの提案では、線数９
６０で縦横比１６：９のスクリーンがある。水平及び垂
直方向の間隔が等しいとすると、四角の画素であれば、
１，７０７個の水平方向の画素が必要になる。然し、提
案された放送用伝送基準では、水平方向の画素は１，４
００と云う様に少ない。この為、水平方向のデータの再
標本化が必要になるか又は矩形の画素を使うことが必要
になる。
ラーの先端に頼らないので、ミラーは四角である必要が
ない。この為、他のミラーの形を使うことができる。現
在、合衆国のＨＤＴＶに対する１つの提案では、線数９
６０で縦横比１６：９のスクリーンがある。水平及び垂
直方向の間隔が等しいとすると、四角の画素であれば、
１，７０７個の水平方向の画素が必要になる。然し、提
案された放送用伝送基準では、水平方向の画素は１，４
００と云う様に少ない。この為、水平方向のデータの再
標本化が必要になるか又は矩形の画素を使うことが必要
になる。
【００４０】着地電極の疲労が、もう１つの問題である
が、着地ヨークがこの問題を軽減する。従来のＤＭＤの
設計ではミラー先端と着地電極の間の摩耗の為、ミラー
をリセットするのに必要な力は、装置の経年と共に徐々
に増加した。この設計をもっと効率よくリセットする様
にすれば、必要とするリセット・パルスが一層少なくな
るので、着地ヨークと着地電極の間の摩耗が減少する。
更に、リセット・パルスは、ミラーを共振させる様に設
計されるが、ミラーの先端が着地する従来のＤＭＤの設
計では、この結果、ミラーと着地電極の間に接線方向の
削り取る様な運動が生ずる。着地ヨークの設計は、ミラ
ー先端が着地電極と接触せず、着地ヨークが共振しない
為に、この削り取る様な運動をなくす。
が、着地ヨークがこの問題を軽減する。従来のＤＭＤの
設計ではミラー先端と着地電極の間の摩耗の為、ミラー
をリセットするのに必要な力は、装置の経年と共に徐々
に増加した。この設計をもっと効率よくリセットする様
にすれば、必要とするリセット・パルスが一層少なくな
るので、着地ヨークと着地電極の間の摩耗が減少する。
更に、リセット・パルスは、ミラーを共振させる様に設
計されるが、ミラーの先端が着地する従来のＤＭＤの設
計では、この結果、ミラーと着地電極の間に接線方向の
削り取る様な運動が生ずる。着地ヨークの設計は、ミラ
ー先端が着地電極と接触せず、着地ヨークが共振しない
為に、この削り取る様な運動をなくす。
【００４１】これまでの説明は、４５°のねじれヒンジ
ＤＭＤの設計を中心としてきており、それを簡略にした
図が図１５ａに示されているが、この発明では、この他
のヒンジの設計でも利点が得られる。例えば、図１５ｂ
の９０°のねじれヒンジ要素は、これまで説明した利点
を達成する為に着地ヨークを使うことができる。図１５
ａ及び１５ｂでは、ミラー要素１５００、着地ヨーク１
５０２、ヒンジ１５０４及びヒンジ支持柱１５０６の平
面図が示されている。
ＤＭＤの設計を中心としてきており、それを簡略にした
図が図１５ａに示されているが、この発明では、この他
のヒンジの設計でも利点が得られる。例えば、図１５ｂ
の９０°のねじれヒンジ要素は、これまで説明した利点
を達成する為に着地ヨークを使うことができる。図１５
ａ及び１５ｂでは、ミラー要素１５００、着地ヨーク１
５０２、ヒンジ１５０４及びヒンジ支持柱１５０６の平
面図が示されている。
【００４２】ここに示したＤＭＤは、空間光変調器であ
って、これは幾通りかの方法で使うことができる。ＤＭ
Ｄは、直視又は間接的に視る為、像を投影するのに用い
ることができるし、或いはゼログラフ式印刷装置の一部
分として、光を変調する為に使うことができる。図１６
は像投影装置の略図である。ディジタル像データが電気
入力１６０２を介してＤＭＤ １６００に書込まれ、Ｄ
ＭＤミラーの動作を制御する。光源１６０６からの光１
６０４がＤＭＤ １６００で反射され、ＤＭＤミラーの
回転の極性に応じて、吸光装置１６０８によって吸収さ
れるか、或いはスクリーン１６１０に投影される。
って、これは幾通りかの方法で使うことができる。ＤＭ
Ｄは、直視又は間接的に視る為、像を投影するのに用い
ることができるし、或いはゼログラフ式印刷装置の一部
分として、光を変調する為に使うことができる。図１６
は像投影装置の略図である。ディジタル像データが電気
入力１６０２を介してＤＭＤ １６００に書込まれ、Ｄ
ＭＤミラーの動作を制御する。光源１６０６からの光１
６０４がＤＭＤ １６００で反射され、ＤＭＤミラーの
回転の極性に応じて、吸光装置１６０８によって吸収さ
れるか、或いはスクリーン１６１０に投影される。
【００４３】図１７は一実施例の表示装置のブロック図
である。図１７で、アナログ像データが標本化され、ビ
デオ信号変換器１７００によってディジタル像データに
変換される。ディジタル像データがＤＭＤフォーマット
装置１７０４により、ＤＭＤ１７０２で表示するフォー
マットにされる。装置に対する像データ入力がディジタ
ルであれば、ビデオ信号変換器１７００は使わず、像デ
ータが直接的にＤＭＤフォーマット装置１７０４に入力
される。フォーマットが定められたディジタル・データ
がＤＭＤのアドレス回路１７０６に書込まれる。これは
典形的にはＳＲＡＭメモリ・セルで構成される。アドレ
ス回路１７０６の出力がＤＭＤミラーの回転を制御する
と共に、ランプ１７０８から受取った光の変調を制御す
る。この後、変調された光が観察者の目又は表示スクリ
ーンに投影される。
である。図１７で、アナログ像データが標本化され、ビ
デオ信号変換器１７００によってディジタル像データに
変換される。ディジタル像データがＤＭＤフォーマット
装置１７０４により、ＤＭＤ１７０２で表示するフォー
マットにされる。装置に対する像データ入力がディジタ
ルであれば、ビデオ信号変換器１７００は使わず、像デ
ータが直接的にＤＭＤフォーマット装置１７０４に入力
される。フォーマットが定められたディジタル・データ
がＤＭＤのアドレス回路１７０６に書込まれる。これは
典形的にはＳＲＡＭメモリ・セルで構成される。アドレ
ス回路１７０６の出力がＤＭＤミラーの回転を制御する
と共に、ランプ１７０８から受取った光の変調を制御す
る。この後、変調された光が観察者の目又は表示スクリ
ーンに投影される。
【００４４】図１８は、ここで説明したＤＭＤ １８０
０を使った一実施例のプリンタ装置の見取図である。プ
リンタ装置の動作は、変調された光をスクリーンに投影
する代わりに、光が静電的に帯電した印刷ドラム１８０
２に投影されることを別とすれば、表示装置の場合と同
様である。光が印刷ドラム１８０２に入射すると、照射
された区域が放電する。ドラムが回転する時、印刷ドラ
ム１８０２が現像剤の源１８０４を通り越して回転し、
印刷ドラム１８０２の内、帯電したままでいる区域が若
干の現像剤を引付ける。現像剤が、転写コロナ１８０６
により、印刷しようとする物体に転写され、溶融装置１
８０８を通過する時、印刷される物体に接着する。
０を使った一実施例のプリンタ装置の見取図である。プ
リンタ装置の動作は、変調された光をスクリーンに投影
する代わりに、光が静電的に帯電した印刷ドラム１８０
２に投影されることを別とすれば、表示装置の場合と同
様である。光が印刷ドラム１８０２に入射すると、照射
された区域が放電する。ドラムが回転する時、印刷ドラ
ム１８０２が現像剤の源１８０４を通り越して回転し、
印刷ドラム１８０２の内、帯電したままでいる区域が若
干の現像剤を引付ける。現像剤が、転写コロナ１８０６
により、印刷しようとする物体に転写され、溶融装置１
８０８を通過する時、印刷される物体に接着する。
【００４５】この為、これまでは、空間光変調器及び方
法の特定の実施例を説明したが、この様に特定の場合に
ついて述べたことは、特許請求の範囲に記載される範囲
以外に、この発明の範囲に対する制約と考えてはならな
い。更に、この発明を或る特定の実施例に関連して説明
したが、当業者には、この他の変更も容易に考えられ
る。従って、この様な全ての変更は、特許請求の範囲内
に属するものと考えられるべきである。
法の特定の実施例を説明したが、この様に特定の場合に
ついて述べたことは、特許請求の範囲に記載される範囲
以外に、この発明の範囲に対する制約と考えてはならな
い。更に、この発明を或る特定の実施例に関連して説明
したが、当業者には、この他の変更も容易に考えられ
る。従って、この様な全ての変更は、特許請求の範囲内
に属するものと考えられるべきである。
【００４６】以上の説明に関して、さらに以下の項目を
開示する。 （１） 各々の当該要素が少なくとも２つの状態に個別
に回転し得る様な回転自在の要素のアレイを作る方法に
於て、前記アレイ内の全ての要素を支持する基板を設
け、少なくとも２つのヒンジ及び少なくとも１つのヒン
ジ・ヨークで構成されていて、該ヒンジが前記基板及び
前記ヒンジ・ヨークを接続しており、該ヒンジ・ヨーク
が前記要素に接続されている様な支持構造を前記基板及
び前記要素の間に構成し、前記要素を前記基板及び前記
ヒンジ・ヨークの平面とは別個の平面内に維持する工程
を含み、前記要素が回転する時、前記ヒンジ・ヨークが
該要素と共に回転して、前記基板に接触することによっ
て前記要素の回転を制限する様にした方法。
開示する。 （１） 各々の当該要素が少なくとも２つの状態に個別
に回転し得る様な回転自在の要素のアレイを作る方法に
於て、前記アレイ内の全ての要素を支持する基板を設
け、少なくとも２つのヒンジ及び少なくとも１つのヒン
ジ・ヨークで構成されていて、該ヒンジが前記基板及び
前記ヒンジ・ヨークを接続しており、該ヒンジ・ヨーク
が前記要素に接続されている様な支持構造を前記基板及
び前記要素の間に構成し、前記要素を前記基板及び前記
ヒンジ・ヨークの平面とは別個の平面内に維持する工程
を含み、前記要素が回転する時、前記ヒンジ・ヨークが
該要素と共に回転して、前記基板に接触することによっ
て前記要素の回転を制限する様にした方法。
【００４７】（２） 第１項記載の方法に於て、前記要
素の回転を制御する信号を供給するアドレス電極を作る
工程を含む方法。
素の回転を制御する信号を供給するアドレス電極を作る
工程を含む方法。
【００４８】（３） 第１項記載の方法に於て、前記要
素の回転を制御する信号を含むアドレス電極を作る工程
を含み、該アドレス電極が前記基板から離して支持され
ている方法。
素の回転を制御する信号を含むアドレス電極を作る工程
を含み、該アドレス電極が前記基板から離して支持され
ている方法。
【００４９】（４） 第１項記載の方法に於て、前記要
素の回転を制御する信号を含むアドレス電極を作る工程
を含み、前記アドレス電極は前記基板から離して支持さ
れており、前記アドレス電極は前記少なくとも２つのヒ
ンジと同じ平面内に作られている方法。
素の回転を制御する信号を含むアドレス電極を作る工程
を含み、前記アドレス電極は前記基板から離して支持さ
れており、前記アドレス電極は前記少なくとも２つのヒ
ンジと同じ平面内に作られている方法。
【００５０】（５） 第１項記載の方法に於て、バイア
ス／リセット・バスを作る工程を含み、該バイアス／リ
セット・バスは前記基板上に構成されていてミラーに電
気的に接続されている方法。
ス／リセット・バスを作る工程を含み、該バイアス／リ
セット・バスは前記基板上に構成されていてミラーに電
気的に接続されている方法。
【００５１】（６） 第１項記載の方法に於て、前記基
板内に制御回路を作る工程を含み、該制御回路は前記要
素の回転を制御する様に作用し得る方法。
板内に制御回路を作る工程を含み、該制御回路は前記要
素の回転を制御する様に作用し得る方法。
【００５２】（７） 第１項記載の方法に於て、前記ヒ
ンジ・ヨークの寸法を１つの要素と別の要素とで変える
工程を含む方法。
ンジ・ヨークの寸法を１つの要素と別の要素とで変える
工程を含む方法。
【００５３】（８） 第１項記載の方法に於て、前記ヒ
ンジ・ヨークが先端を持ち、前記少なくとも２つのヒン
ジ及びヒンジ・ヨークの先端が同時にパターンぎめされ
る方法。
ンジ・ヨークが先端を持ち、前記少なくとも２つのヒン
ジ及びヒンジ・ヨークの先端が同時にパターンぎめされ
る方法。
【００５４】（９） 第１項記載の方法に於て、前記ア
レイが像表示装置の空間光変調器である方法。
レイが像表示装置の空間光変調器である方法。
【００５５】（１０） 第１項記載の方法に於て、前記
アレイがプリンタ装置の空間光変調器である方法。
アレイがプリンタ装置の空間光変調器である方法。
【００５６】（１１） 基板と、ミラー要素と、該ミラ
ー要素に接続された少なくとも１つのヒンジ・ヨーク
と、前記基板及び前記ヒンジ・ヨークの間にある少なく
とも２つのヒンジとを有し、該ヒンジは前記ミラー要素
を支持していて、前記ミラー要素が前記基板に対して回
転することができる様にし、前記ヒンジ・ヨークが該ミ
ラー要素の回転を制限するディジタル・マイクロミラー
装置。
ー要素に接続された少なくとも１つのヒンジ・ヨーク
と、前記基板及び前記ヒンジ・ヨークの間にある少なく
とも２つのヒンジとを有し、該ヒンジは前記ミラー要素
を支持していて、前記ミラー要素が前記基板に対して回
転することができる様にし、前記ヒンジ・ヨークが該ミ
ラー要素の回転を制限するディジタル・マイクロミラー
装置。
【００５７】（１２） 第１１項記載のディジタル・マ
イクロミラー装置に於て、前記要素の回転を制御する信
号を作るアドレス電極を有するディジタル・マイクロミ
ラー装置。
イクロミラー装置に於て、前記要素の回転を制御する信
号を作るアドレス電極を有するディジタル・マイクロミ
ラー装置。
【００５８】（１３） 第１１項記載のディジタル・マ
イクロミラー装置に於て、前記要素の回転を制御する信
号を作るアドレス電極を有し、該アドレス電極が前記基
板から離して支持されているディジタル・マイクロミラ
ー装置。
イクロミラー装置に於て、前記要素の回転を制御する信
号を作るアドレス電極を有し、該アドレス電極が前記基
板から離して支持されているディジタル・マイクロミラ
ー装置。
【００５９】（１４） 第１１項記載のディジタル・マ
イクロミラー装置に於て、前記要素の回転を制御する信
号を作るアドレス電極を有し、該アドレス電極が前記基
板から離して支持されており、前記アドレス電極が前記
少なくとも２つのヒンジと同じ平面内にあるディジタル
・マイクロミラー装置。
イクロミラー装置に於て、前記要素の回転を制御する信
号を作るアドレス電極を有し、該アドレス電極が前記基
板から離して支持されており、前記アドレス電極が前記
少なくとも２つのヒンジと同じ平面内にあるディジタル
・マイクロミラー装置。
【００６０】（１５） 第１１項記載のディジタル・マ
イクロミラー装置に於て、バイアス／リセット・バスを
有し、該バイアス／リセット・バスは前記基板上に構成
されていて前記ミラーに電気的に接続されているディジ
タル・マイクロミラー装置。
イクロミラー装置に於て、バイアス／リセット・バスを
有し、該バイアス／リセット・バスは前記基板上に構成
されていて前記ミラーに電気的に接続されているディジ
タル・マイクロミラー装置。
【００６１】（１６） 第１１項記載のディジタル・マ
イクロミラー装置に於て、前記基板内にある制御回路を
有し、該制御回路は前記要素の回転を制御する様に作用
し得るディジタル・マイクロミラー装置。
イクロミラー装置に於て、前記基板内にある制御回路を
有し、該制御回路は前記要素の回転を制御する様に作用
し得るディジタル・マイクロミラー装置。
【００６２】（１７） 第１１項記載のディジタル・マ
イクロミラー装置に於て、前記ヒンジ・ヨークの寸法が
１つの要素と別の要素とで変えられているディジタル・
マイクロミラー装置。
イクロミラー装置に於て、前記ヒンジ・ヨークの寸法が
１つの要素と別の要素とで変えられているディジタル・
マイクロミラー装置。
【００６３】（１８） 第１１項記載のディジタル・マ
イクロミラー装置に於て、前記ヒンジ・ヨークが先端を
持ち、前記少なくとも２つのヒンジ及びヒンジ・ヨーク
の先端が同時にパターンぎめされるディジタル・マイク
ロミラー装置。
イクロミラー装置に於て、前記ヒンジ・ヨークが先端を
持ち、前記少なくとも２つのヒンジ及びヒンジ・ヨーク
の先端が同時にパターンぎめされるディジタル・マイク
ロミラー装置。
【００６４】（１９） 第１１項記載のディジタル・マ
イクロミラー装置に於て、該装置が像表示装置の空間光
変調器であるディジタル・マイクロミラー装置。
イクロミラー装置に於て、該装置が像表示装置の空間光
変調器であるディジタル・マイクロミラー装置。
【００６５】（２０） 第１１項記載のディジタル・マ
イクロミラー装置に於て、該装置がプリンタ装置の空間
光変調器であるディジタル・マイクロミラー装置。
イクロミラー装置に於て、該装置がプリンタ装置の空間
光変調器であるディジタル・マイクロミラー装置。
【００６６】（２１） ディジタル・マイクロミラー装
置を作る方法に於て、アドレス回路を含む基板を用意
し、該基板の上に第１のスペーサ層をデポジットし、該
第１のスペーサ層は、ヒンジ支持柱及びアドレス電極支
持柱を構成する様にパターンぎめされ、前記ヒンジ支持
柱を作り、前記アドレス電極支持柱を作り、前記第１の
スペーサ層の上に、前記ヒンジ支持柱及びヒンジ・ヨー
クに接続された変形自在のねじれヒンジを設け、前記第
１のスペーサ層の上に前記アドレス電極支持柱に接続さ
れたアドレス電極を設け、前記基板の上に前記ヒンジ・
ヨーク上のミラー支持柱を構成する様にパターンぎめさ
れた第２のスペーサ層をデポジットし、前記第２のスペ
ーサ層の上に前記ミラー支持柱に接続された複数個のミ
ラーを設け、前記第１及び第２のスペーサ層を取除く工
程を含み、前記ミラーは前記ヒンジを変形させることに
よって回転することができ、前記ヒンジ・ヨークは該ミ
ラーの回転を制限する様にした方法。 （２２） 改良された隠れヒンジ・ディジタル・マイク
ロミラー装置及びその製法を説明した。装置は、ヨーク
４２８に取付けられたヒンジ４２４を持ち、このヨーク
が装置のミラー４３０の回転を制限する。一実施例で
は、ミラー４３０が、着地ヒンジ・ヨーク４２８によっ
て２つのねじれヒンジ４２４に取付けられた中心支持柱
４１６によって支持されている。ねじれヒンジ４２４の
両端が２つの支持柱４２６に取付けられ、これらの柱
が、ヒンジ４２４を基板４００の上方に保持すると共
に、ヒンジ４２４をねじれ形式で捩ることができる様に
する。２つの犠牲スペーサ層４０４，４１４を使うこと
によって、装置が製造されるが、これらのスペーサ層を
取去って、ミラー４３０が回転できる様にする。
置を作る方法に於て、アドレス回路を含む基板を用意
し、該基板の上に第１のスペーサ層をデポジットし、該
第１のスペーサ層は、ヒンジ支持柱及びアドレス電極支
持柱を構成する様にパターンぎめされ、前記ヒンジ支持
柱を作り、前記アドレス電極支持柱を作り、前記第１の
スペーサ層の上に、前記ヒンジ支持柱及びヒンジ・ヨー
クに接続された変形自在のねじれヒンジを設け、前記第
１のスペーサ層の上に前記アドレス電極支持柱に接続さ
れたアドレス電極を設け、前記基板の上に前記ヒンジ・
ヨーク上のミラー支持柱を構成する様にパターンぎめさ
れた第２のスペーサ層をデポジットし、前記第２のスペ
ーサ層の上に前記ミラー支持柱に接続された複数個のミ
ラーを設け、前記第１及び第２のスペーサ層を取除く工
程を含み、前記ミラーは前記ヒンジを変形させることに
よって回転することができ、前記ヒンジ・ヨークは該ミ
ラーの回転を制限する様にした方法。 （２２） 改良された隠れヒンジ・ディジタル・マイク
ロミラー装置及びその製法を説明した。装置は、ヨーク
４２８に取付けられたヒンジ４２４を持ち、このヨーク
が装置のミラー４３０の回転を制限する。一実施例で
は、ミラー４３０が、着地ヒンジ・ヨーク４２８によっ
て２つのねじれヒンジ４２４に取付けられた中心支持柱
４１６によって支持されている。ねじれヒンジ４２４の
両端が２つの支持柱４２６に取付けられ、これらの柱
が、ヒンジ４２４を基板４００の上方に保持すると共
に、ヒンジ４２４をねじれ形式で捩ることができる様に
する。２つの犠牲スペーサ層４０４，４１４を使うこと
によって、装置が製造されるが、これらのスペーサ層を
取去って、ミラー４３０が回転できる様にする。
【図１】この発明の第１の実施例によるＤＭＤアレイの
平面図。
平面図。
【図２】図１のＤＭＤアレイの１つの要素の分解図。
【図３】ａは図１のＤＭＤアレイの１つの要素をヒンジ
軸線に沿って切った断面図。ｂは図１のＤＭＤアレイの
１つの要素をヒンジ軸線に対して垂直に切った断面図。
ｃは図１のＤＭＤアレイの１つの要素をヒンジ軸線に対
して垂直に切った断面図で、回転位置にあるミラー及び
着地ヨークを示す。
軸線に沿って切った断面図。ｂは図１のＤＭＤアレイの
１つの要素をヒンジ軸線に対して垂直に切った断面図。
ｃは図１のＤＭＤアレイの１つの要素をヒンジ軸線に対
して垂直に切った断面図で、回転位置にあるミラー及び
着地ヨークを示す。
【図４】ａは図１のＤＭＤアレイの１つの要素をヒンジ
軸線に沿って切った断面図で、ヒンジ・スペーサ層を示
す。ｂは図１のＤＭＤアレイの１つの要素をヒンジ軸線
に沿って切った断面図で、ヒンジ・金属層を示す。ｃは
図１のＤＭＤアレイの１つの要素をヒンジ軸線に沿って
切った断面図で、ヒンジ及び電極の金属層を示す。ｄは
図１のＤＭＤアレイの１つの要素をヒンジ軸線に沿って
切った断面図で、ミラー・スペーサ層を示す。ｅは図１
のＤＭＤアレイの１つの要素をヒンジ軸線に沿って切っ
た断面図で、ミラー金属層を示す。ｆは図１のＤＭＤア
レイの１つの要素をヒンジ軸線に沿って切った断面図
で、プラズマ・エッチ・アンダーカット後の完成された
装置を示す。
軸線に沿って切った断面図で、ヒンジ・スペーサ層を示
す。ｂは図１のＤＭＤアレイの１つの要素をヒンジ軸線
に沿って切った断面図で、ヒンジ・金属層を示す。ｃは
図１のＤＭＤアレイの１つの要素をヒンジ軸線に沿って
切った断面図で、ヒンジ及び電極の金属層を示す。ｄは
図１のＤＭＤアレイの１つの要素をヒンジ軸線に沿って
切った断面図で、ミラー・スペーサ層を示す。ｅは図１
のＤＭＤアレイの１つの要素をヒンジ軸線に沿って切っ
た断面図で、ミラー金属層を示す。ｆは図１のＤＭＤア
レイの１つの要素をヒンジ軸線に沿って切った断面図
で、プラズマ・エッチ・アンダーカット後の完成された
装置を示す。
【図５】図１のＤＭＤアレイの１つの要素の平面図で、
その下側にあるアドレス電極及び着地ヨークを示す為に
ミラーを取除いてある。
その下側にあるアドレス電極及び着地ヨークを示す為に
ミラーを取除いてある。
【図６】図５のＤＭＤ要素の平面図で、バイアス／リセ
ット・バスを示す為にアドレス電極及び着地ヨークを取
除いてある。
ット・バスを示す為にアドレス電極及び着地ヨークを取
除いてある。
【図７】ａは１つのＤＭＤ要素の断面図で、平衡状態に
ある撓みの力を示す。ｂは１つのＤＭＤ要素の断面図
で、平衡状態にある撓みの力を示す。ｃは１つのＤＭＤ
要素の断面図で、平衡状態にある撓みの力を示す。
ある撓みの力を示す。ｂは１つのＤＭＤ要素の断面図
で、平衡状態にある撓みの力を示す。ｃは１つのＤＭＤ
要素の断面図で、平衡状態にある撓みの力を示す。
【図８】１つのＤＭＤ要素の平面図で、第１の実施例の
第１及び第２のパターンぎめされた酸化物のエッチ・ス
トッパを示す。
第１及び第２のパターンぎめされた酸化物のエッチ・ス
トッパを示す。
【図９】１つのＤＭＤ要素の平面図で、第２の実施例の
第１及び第２のパターンぎめされた酸化物のエッチ・ス
トッパを示す。
第１及び第２のパターンぎめされた酸化物のエッチ・ス
トッパを示す。
【図１０】図９の第１及び第２の酸化物のエッチ・スト
ッパを使ってヒンジ及び電極の金属層をエッチングした
後の１つのＤＭＤ要素の平面図。
ッパを使ってヒンジ及び電極の金属層をエッチングした
後の１つのＤＭＤ要素の平面図。
【図１１】図９に示した実施例による着地ヨークの先端
を持つ１つのＤＭＤ要素の断面図。
を持つ１つのＤＭＤ要素の断面図。
【図１２】図１１のＤＭＤ要素の断面図で、回転した位
置にあるミラー及び着地ヨークを示す。
置にあるミラー及び着地ヨークを示す。
【図１３】バイアス／リセット・バスが１回バイアス／
リセット・バスを形成している様な、ＤＭＤ要素を相互
接続した５×５アレイのバイアス／リセット・バスの平
面図。
リセット・バスを形成している様な、ＤＭＤ要素を相互
接続した５×５アレイのバイアス／リセット・バスの平
面図。
【図１４】バイアス／リセット・バスが水平の行の間で
電気的に分割され又は隔離されている様なＤＭＤ要素の
５×５アレイのバイアス／リセット・バスの平面図。
電気的に分割され又は隔離されている様なＤＭＤ要素の
５×５アレイのバイアス／リセット・バスの平面図。
【図１５】ａは４５°ねじれビームヒンジを持つ１つの
ＤＭＤ要素のヒンジの配置を示す平面図。ｂは９０°ね
じれビームヒンジを持つ１つのＤＭＤ要素のヒンジの配
置を示す平面図。
ＤＭＤ要素のヒンジの配置を示す平面図。ｂは９０°ね
じれビームヒンジを持つ１つのＤＭＤ要素のヒンジの配
置を示す平面図。
【図１６】一実施例のＤＭＤを基本とした像投影装置の
略図。
略図。
【図１７】一実施例のＤＭＤを基本とした表示装置のブ
ロック図。
ロック図。
【図１８】一実施例のＤＭＤを基本としたプリンタ装置
の見取図。
の見取図。
３００ ミラー（要素） ３０２ ミラー支持柱 ３０４ ねじれヒンジ ３０６ ヒンジ支持柱 ３０８ メタライズ層 ３１０ ヒンジ・ヨーク ３１２ ヨーク先端 ３１８ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年３月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１５】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１６】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１７】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１８】
Claims (3)
- 【請求項１】 各々の当該要素が少なくとも２つの状態
に個別に回転し得る様な回転自在の要素のアレイを作る
方法に於て、前記アレイ内の全ての要素を支持する基板
を設け、少なくとも２つの丁番及び少なくとも１つの丁
番ヨークで構成されていて、該丁番が前記基板及び前記
丁番ヨークを接続しており、該丁番ヨークが前記要素に
接続されている様な支持構造を前記基板及び前記要素の
間に構成し、前記要素を前記基板及び前記丁番ヨークの
平面とは別個の平面内に維持する工程を含み、前記要素
が回転する時、前記丁番ヨークが該要素と共に回転し
て、前記基板に接触することによって前記要素の回転を
制限する様にした方法。 - 【請求項２】 基板と、ミラー要素と、該ミラー要素に
接続された少なくとも１つの丁番ヨークと、前記基板及
び前記丁番ヨークの間にある少なくとも２つの丁番とを
有し、該丁番は前記ミラー要素を支持していて、前記ミ
ラー要素が前記基板に対して回転することができる様に
し、前記丁番ヨークが該ミラー要素の回転を制限するデ
ィジタル・マイクロミラー装置。 - 【請求項３】 ディジタル・マイクロミラー装置を作る
方法に於て、アドレス回路を含む基板を用意し、該基板
の上に第１のスペーサ層をデポジットし、該第１のスペ
ーサ層は、丁番支持柱及びアドレス電極支持柱を構成す
る様にパターンぎめされ、前記丁番支持柱を作り、前記
アドレス電極支持柱を作り、前記第１のスペーサ層の上
に、前記丁番支持柱及び丁番ヨークに接続された変形自
在の捩れ丁番を設け、前記第１のスペーサ層の上に前記
アドレス電極支持柱に接続されたアドレス電極を設け、
前記基板の上に前記丁番ヨーク上のミラー支持柱を構成
する様にパターンぎめされた第２のスペーサ層をデポジ
ットし、前記第２のスペーサ層の上に前記ミラー支持柱
に接続された複数個のミラーを設け、前記第１及び第２
のスペーサ層を取除く工程を含み、前記ミラーは前記丁
番を変形させることによって回転することができ、前記
丁番ヨークは該ミラーの回転を制限する様にした方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/171,303 US5583688A (en) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | Multi-level digital micromirror device |
| US171303 | 1993-12-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07287177A true JPH07287177A (ja) | 1995-10-31 |
| JP3836167B2 JP3836167B2 (ja) | 2006-10-18 |
Family
ID=22623260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31879994A Expired - Fee Related JP3836167B2 (ja) | 1993-12-21 | 1994-12-21 | 回転自在の要素のアレイおよびそれを作る方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5583688A (ja) |
| EP (1) | EP0664470A3 (ja) |
| JP (1) | JP3836167B2 (ja) |
| KR (1) | KR100379724B1 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6351330B2 (en) | 1998-04-10 | 2002-02-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micromirror device for image display apparatus |
| US6459523B2 (en) | 2000-03-03 | 2002-10-01 | Fujitsu Limited | Galvano-micromirror and its manufacture process |
| US6795225B2 (en) | 2001-07-04 | 2004-09-21 | Fujitsu Limited | Micromirror unit with torsion connector having nonconstant width |
| US6887396B2 (en) | 2001-04-26 | 2005-05-03 | Fijitsu Limited | Micromirror unit and method of making the same |
| US7031041B2 (en) | 2002-08-14 | 2006-04-18 | Fujitsu Limited | Micro-oscillating element provided with torsion bar |
| JP2006518882A (ja) * | 2003-02-24 | 2006-08-17 | エクサジュール リミテッド ライアビリティ カンパニー | 隠されたヒンジ構造を備えるマルチチルト型マイクロミラーシステム |
| KR100708077B1 (ko) * | 2000-05-01 | 2007-04-16 | 삼성전자주식회사 | 화상표시장치용 마이크로미러 디바이스 |
| US7262541B2 (en) | 2003-08-12 | 2007-08-28 | Fujitsu Limited | Micro-oscillation element incorporating springs |
| US7324251B2 (en) | 2002-10-10 | 2008-01-29 | Fujitsu Limited | Micro-actuation element provided with torsion bars |
| KR100923846B1 (ko) * | 2002-05-24 | 2009-10-27 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 마이크로 미러 소자 |
| JP2011164307A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Nikon Corp | 空間光変調素子及び空間光変調素子の製造方法 |
| JP2011191592A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Canon Inc | マイクロ構造体及びその製造方法 |
| CN106054373A (zh) * | 2015-04-01 | 2016-10-26 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置、电光装置的制造方法、以及电子设备 |
Families Citing this family (301)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5354695A (en) | 1992-04-08 | 1994-10-11 | Leedy Glenn J | Membrane dielectric isolation IC fabrication |
| US6674562B1 (en) | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
| US7550794B2 (en) | 2002-09-20 | 2009-06-23 | Idc, Llc | Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer |
| US6680792B2 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-20 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
| US7297471B1 (en) | 2003-04-15 | 2007-11-20 | Idc, Llc | Method for manufacturing an array of interferometric modulators |
| US8014059B2 (en) | 1994-05-05 | 2011-09-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for charge control in a MEMS device |
| EP0709740A1 (en) | 1994-09-30 | 1996-05-01 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit and method of making the same |
| US5490009A (en) | 1994-10-31 | 1996-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Enhanced resolution for digital micro-mirror displays |
| US5670977A (en) * | 1995-02-16 | 1997-09-23 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator having single bit-line dual-latch memory cells |
| EP0730181B1 (de) * | 1995-03-02 | 2000-12-20 | CARL ZEISS JENA GmbH | Verfahren zur Erzeugung des stereoskopischen Bildes eines Objektes sowie Anordnung zur stereoskopischen Betrachtung |
| US6882473B2 (en) | 1995-03-02 | 2005-04-19 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Method for generating a stereoscopic image of an object and an arrangement for stereoscopic viewing |
| US6348994B1 (en) | 1995-03-02 | 2002-02-19 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Method for generating a stereoscopic image of an object and an arrangement for stereoscopic viewing |
| US5535047A (en) * | 1995-04-18 | 1996-07-09 | Texas Instruments Incorporated | Active yoke hidden hinge digital micromirror device |
| US6046840A (en) * | 1995-06-19 | 2000-04-04 | Reflectivity, Inc. | Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements |
| US5699168A (en) * | 1995-06-22 | 1997-12-16 | Texas Instruments Incorporated | Grayscale printing with sliding window memory |
| KR100213026B1 (ko) * | 1995-07-27 | 1999-08-02 | 윤종용 | 디엠디 및 그 제조공정 |
| JP3926871B2 (ja) * | 1995-09-11 | 2007-06-06 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | デジタルマイクロミラーリセット方法 |
| US6011631A (en) * | 1996-01-31 | 2000-01-04 | Texas Instruments Incorporated | Uniform exposure of photosensitive medium by square intensity profiles for printing |
| US6421165B2 (en) | 1996-02-07 | 2002-07-16 | Light & Sound Design Ltd. | Programmable light beam shape altering device using programmable micromirrors |
| US5828485A (en) * | 1996-02-07 | 1998-10-27 | Light & Sound Design Ltd. | Programmable light beam shape altering device using programmable micromirrors |
| US6288828B1 (en) | 1997-09-10 | 2001-09-11 | Light And Sound Design Ltd. | Programmable light beam shape altering device using programmable micromirrors |
| US6017143A (en) | 1996-03-28 | 2000-01-25 | Rosemount Inc. | Device in a process system for detecting events |
| US6061323A (en) * | 1996-07-30 | 2000-05-09 | Seagate Technology, Inc. | Data storage system having an improved surface micro-machined mirror |
| US6044056A (en) | 1996-07-30 | 2000-03-28 | Seagate Technology, Inc. | Flying optical head with dynamic mirror |
| US6850475B1 (en) | 1996-07-30 | 2005-02-01 | Seagate Technology, Llc | Single frequency laser source for optical data storage system |
| EP0929894A1 (en) * | 1996-08-27 | 1999-07-21 | Seagate Technology | Optical head using micro-machined elements |
| US5912758A (en) * | 1996-09-11 | 1999-06-15 | Texas Instruments Incorporated | Bipolar reset for spatial light modulators |
| DE19639999C2 (de) * | 1996-09-18 | 1998-08-20 | Omeca Messtechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung für die 3D-Messung |
| US6551857B2 (en) | 1997-04-04 | 2003-04-22 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure integrated circuits |
| JP4136067B2 (ja) * | 1997-05-02 | 2008-08-20 | キヤノン株式会社 | 検出装置及びそれを用いた露光装置 |
| DE69806846T2 (de) * | 1997-05-08 | 2002-12-12 | Texas Instruments Inc | Verbesserungen für räumliche Lichtmodulatoren |
| US5867302A (en) * | 1997-08-07 | 1999-02-02 | Sandia Corporation | Bistable microelectromechanical actuator |
| US6201629B1 (en) | 1997-08-27 | 2001-03-13 | Microoptical Corporation | Torsional micro-mechanical mirror system |
| US5959375A (en) * | 1997-09-30 | 1999-09-28 | Garcia; Ernest J. | Device and method for redirecting electromagnetic signals |
| US6028690A (en) * | 1997-11-26 | 2000-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio |
| DE19757197A1 (de) | 1997-12-22 | 1999-06-24 | Bosch Gmbh Robert | Herstellungsverfahren für mikromechanische Vorrichtung |
| US5912181A (en) * | 1997-12-23 | 1999-06-15 | Petcavich; Robert J. | Method for molecule detection utilizing digital micromirror technology |
| EP0933925A3 (en) * | 1997-12-31 | 2002-06-26 | Texas Instruments Inc. | Photofinishing utilizing modulated light source array |
| US20040035690A1 (en) * | 1998-02-11 | 2004-02-26 | The Regents Of The University Of Michigan | Method and apparatus for chemical and biochemical reactions using photo-generated reagents |
| ATE246041T1 (de) * | 1998-02-11 | 2003-08-15 | Univ Houston Office Of Technol | Vorrichtung zur durchführung chemischer und biochemischer reaktionen unter anwendung von photoerzeugten reagenzien |
| EP1066506B1 (en) | 1998-02-23 | 2010-04-21 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method and apparatus for synthesis of arrays of dna probes |
| US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
| WO1999052006A2 (en) | 1998-04-08 | 1999-10-14 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation of radiation |
| US6587159B1 (en) | 1998-05-29 | 2003-07-01 | Texas Instruments Incorporated | Projector for digital cinema |
| US6271957B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-08-07 | Affymetrix, Inc. | Methods involving direct write optical lithography |
| US6147790A (en) * | 1998-06-02 | 2000-11-14 | Texas Instruments Incorporated | Spring-ring micromechanical device |
| US6204085B1 (en) | 1998-09-15 | 2001-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Reduced deformation of micromechanical devices through thermal stabilization |
| US6365229B1 (en) | 1998-09-30 | 2002-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Surface treatment material deposition and recapture |
| US6843936B1 (en) | 1998-10-22 | 2005-01-18 | Texas Instruments Incorporated | Getter for enhanced micromechanical device performance |
| US6300294B1 (en) | 1998-11-16 | 2001-10-09 | Texas Instruments Incorporated | Lubricant delivery for micromechanical devices |
| US6278542B1 (en) * | 1998-11-23 | 2001-08-21 | Light And Sound Design Ltd. | Programmable light beam shape altering device using separate programmable micromirrors for each primary color |
| US6285491B1 (en) | 1998-12-28 | 2001-09-04 | Texas Instruments Incorporated | Adaptive temporal modulation of periodically varying light sources |
| US6266178B1 (en) | 1998-12-28 | 2001-07-24 | Texas Instruments Incorporated | Guardring DRAM cell |
| US6191883B1 (en) | 1998-12-30 | 2001-02-20 | Texas Instruments Incorporated | Five transistor SRAM cell for small micromirror elements |
| US6590549B1 (en) * | 1998-12-30 | 2003-07-08 | Texas Instruments Incorporated | Analog pulse width modulation of video data |
| US6285490B1 (en) | 1998-12-30 | 2001-09-04 | Texas Instruments Incorporated | High yield spring-ring micromirror |
| US6195301B1 (en) | 1998-12-30 | 2001-02-27 | Texas Instruments Incorporated | Feedback driver for memory array bitline |
| EP1157298A4 (en) * | 1999-02-01 | 2007-12-26 | Light & Sound Design Ltd | PIXEL-BASED LIGHT PATTERN GENERATION USING TAX DATA SETS |
| US6445505B1 (en) | 1999-05-17 | 2002-09-03 | Texas Instruments Incorporated | Spoke light recapture in sequential color imaging systems |
| US6324006B1 (en) | 1999-05-17 | 2001-11-27 | Texas Instruments Incorporated | Spoke light recapture in sequential color imaging systems |
| US6567134B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-05-20 | Texas Instruments Incorporated | Secondary color boost in sequential color systems |
| US6671005B1 (en) | 1999-06-21 | 2003-12-30 | Altman Stage Lighting Company | Digital micromirror stage lighting system |
| US6198180B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-03-06 | Sandia Corporation | Micromechanisms with floating pivot |
| US6315423B1 (en) * | 1999-07-13 | 2001-11-13 | Input/Output, Inc. | Micro machined mirror |
| WO2003007049A1 (en) | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
| US6618520B2 (en) | 1999-11-09 | 2003-09-09 | Texas Instruments Incorporated | Micromirror optical switch |
| US6744550B2 (en) * | 1999-11-16 | 2004-06-01 | Xros, Inc. | Two-dimensional micro-mirror array enhancements |
| US6552840B2 (en) | 1999-12-03 | 2003-04-22 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatic efficiency of micromechanical devices |
| US6412972B1 (en) | 1999-12-10 | 2002-07-02 | Altman Stage Lighting Company | Digital light protection apparatus with digital micromirror device and rotatable housing |
| US6476986B2 (en) | 1999-12-28 | 2002-11-05 | Texas Instruments Incorporated | Six-axis attachment apparatus and method for spatial light modulators |
| US6469821B2 (en) | 1999-12-28 | 2002-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Micromirror structures for orthogonal illumination |
| JP2001249287A (ja) | 1999-12-30 | 2001-09-14 | Texas Instr Inc <Ti> | 双安定マイクロミラー・アレイを動作させる方法 |
| US6642969B2 (en) | 1999-12-30 | 2003-11-04 | Texas Instruments Incorporated | Color wheel for a falling raster scan |
| KR100837987B1 (ko) | 2000-06-21 | 2008-06-16 | 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 용해 수지를 이용하는 마이크로 전기기계 시스템 장치의재코팅 방법 |
| WO2002010836A2 (en) | 2000-07-27 | 2002-02-07 | Holl Technologies, Inc. | Flexureless magnetic micromirror assembly |
| US6795605B1 (en) * | 2000-08-01 | 2004-09-21 | Cheetah Omni, Llc | Micromechanical optical switch |
| US7099065B2 (en) * | 2000-08-03 | 2006-08-29 | Reflectivity, Inc. | Micromirrors with OFF-angle electrodes and stops |
| US6567163B1 (en) | 2000-08-17 | 2003-05-20 | Able Signal Company Llc | Microarray detector and synthesizer |
| US6545758B1 (en) * | 2000-08-17 | 2003-04-08 | Perry Sandstrom | Microarray detector and synthesizer |
| US6816640B2 (en) | 2000-09-29 | 2004-11-09 | Texas Instruments Incorporated | Optical add drop multiplexer |
| US6633694B2 (en) | 2000-09-29 | 2003-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Micromirror optical switch |
| JP3411014B2 (ja) | 2000-11-02 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | 誘導電荷ミラー |
| US6992375B2 (en) * | 2000-11-30 | 2006-01-31 | Texas Instruments Incorporated | Anchor for device package |
| US7230656B2 (en) | 2000-11-30 | 2007-06-12 | Texas Instruments Incorporated | Sequential color filter |
| US7116862B1 (en) | 2000-12-22 | 2006-10-03 | Cheetah Omni, Llc | Apparatus and method for providing gain equalization |
| EP1223766B1 (en) | 2000-12-28 | 2004-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for disabling a spatial light modulator |
| US6906850B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-06-14 | Texas Instruments Incorporated | Capacitively coupled micromirror |
| US7324279B2 (en) | 2000-12-28 | 2008-01-29 | Texas Instruments Incorporated | Dual modulator projection system |
| US6542282B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-04-01 | Texas Instruments Incorporated | Post metal etch clean process using soft mask |
| US6475570B2 (en) | 2000-12-29 | 2002-11-05 | Texas Instruments Incorporated | Diluent assisted lubrication of micromechanical devices |
| US20020122881A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-09-05 | Toshiyuki Kaeriyama | Micromechanical device recoat methods |
| EP1220010A3 (en) | 2000-12-29 | 2004-10-27 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical device recoat methods |
| US7071025B2 (en) * | 2000-12-29 | 2006-07-04 | Texas Instruments Incorporated | Separating wafers coated with plastic films |
| US6445502B1 (en) | 2001-02-02 | 2002-09-03 | Celeste Optics, Inc. | Variable blazed grating |
| US7145704B1 (en) | 2003-11-25 | 2006-12-05 | Cheetah Omni, Llc | Optical logic gate based optical router |
| US7339714B1 (en) | 2001-02-02 | 2008-03-04 | Cheetah Omni, Llc | Variable blazed grating based signal processing |
| US6480320B2 (en) * | 2001-02-07 | 2002-11-12 | Transparent Optical, Inc. | Microelectromechanical mirror and mirror array |
| KR100389865B1 (ko) * | 2001-03-02 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 마이크로미러 디바이스 및 이를 채용한 프로젝터 |
| KR100396664B1 (ko) * | 2001-03-15 | 2003-09-03 | 엘지전자 주식회사 | 마이크로 미러 및 그 제조방법 |
| US6600587B2 (en) | 2001-04-23 | 2003-07-29 | Memx, Inc. | Surface micromachined optical system with reinforced mirror microstructure |
| US6794793B2 (en) * | 2001-09-27 | 2004-09-21 | Memx, Inc. | Microelectromechnical system for tilting a platform |
| US6640023B2 (en) | 2001-09-27 | 2003-10-28 | Memx, Inc. | Single chip optical cross connect |
| US6885492B2 (en) * | 2001-11-08 | 2005-04-26 | Imaginative Optics, Inc. | Spatial light modulator apparatus |
| DE60214111T2 (de) * | 2001-11-21 | 2007-02-22 | Texas Instruments Inc., Dallas | Jochlose digitale Mikrospiegel-Vorrichtung mit verdecktem Gelenk |
| US6856446B2 (en) * | 2001-12-12 | 2005-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Digital micromirror device having mirror-attached spring tips |
| US6737225B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-05-18 | Texas Instruments Incorporated | Method of undercutting micro-mechanical device with super-critical carbon dioxide |
| US7106491B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-09-12 | Texas Instruments Incorporated | Split beam micromirror |
| US6813087B2 (en) | 2001-12-31 | 2004-11-02 | Texas Instruments Incorporated | Multi-mode color filter |
| US6944365B2 (en) * | 2002-01-03 | 2005-09-13 | Memx, Inc. | Off axis optical signal redirection architectures |
| US7088486B2 (en) * | 2002-01-31 | 2006-08-08 | Texas Instruments Incorporated | Yokeless hidden hinge micromirror device with double binge layer |
| US6574033B1 (en) | 2002-02-27 | 2003-06-03 | Iridigm Display Corporation | Microelectromechanical systems device and method for fabricating same |
| US20040207893A1 (en) * | 2002-03-14 | 2004-10-21 | Miller Samuel Lee | Channel processing unit for WDM network |
| US20040207894A1 (en) * | 2002-03-14 | 2004-10-21 | Michael Hodges | Multi-function optical channel processing unit |
| SE0200788D0 (sv) * | 2002-03-15 | 2002-03-15 | Micronic Laser Systems Ab | Method using a movable micro-element |
| US6954301B2 (en) * | 2002-04-30 | 2005-10-11 | The Regents Of The University Of Michigan | Low-voltage electromechanical device including a tiltable microplatform, method of tilting same, array of such devices and method of setting dimple-to-substrate spacing |
| US6954297B2 (en) * | 2002-04-30 | 2005-10-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid |
| US7023603B2 (en) * | 2002-04-30 | 2006-04-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device including dielectrophoretic microemulsion |
| US6972882B2 (en) * | 2002-04-30 | 2005-12-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device with light angle amplification |
| US20030202264A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-10-30 | Weber Timothy L. | Micro-mirror device |
| US20040004753A1 (en) * | 2002-06-19 | 2004-01-08 | Pan Shaoher X. | Architecture of a reflective spatial light modulator |
| US20040069742A1 (en) * | 2002-06-19 | 2004-04-15 | Pan Shaoher X. | Fabrication of a reflective spatial light modulator |
| US7034984B2 (en) * | 2002-06-19 | 2006-04-25 | Miradia Inc. | Fabrication of a high fill ratio reflective spatial light modulator with hidden hinge |
| US6992810B2 (en) * | 2002-06-19 | 2006-01-31 | Miradia Inc. | High fill ratio reflective spatial light modulator with hidden hinge |
| US7206110B2 (en) * | 2002-06-19 | 2007-04-17 | Miradia Inc. | Memory cell dual protection |
| US20030234994A1 (en) * | 2002-06-19 | 2003-12-25 | Pan Shaoher X. | Reflective spatial light modulator |
| US6900918B2 (en) * | 2002-07-08 | 2005-05-31 | Texas Instruments Incorporated | Torsionally hinged devices with support anchors |
| US6970283B2 (en) * | 2002-07-16 | 2005-11-29 | Dekel Tzidon | Micromirrors array with improved light throughput |
| US7402897B2 (en) | 2002-08-08 | 2008-07-22 | Elm Technology Corporation | Vertical system integration |
| US6843574B2 (en) * | 2002-08-20 | 2005-01-18 | Intel Corporation | Gimbaled micromechanical rotation system |
| US7090787B2 (en) * | 2002-08-30 | 2006-08-15 | Texas Instruments Incorporated | Drying getters |
| US7781850B2 (en) | 2002-09-20 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device |
| US6733144B2 (en) | 2002-09-27 | 2004-05-11 | Intel Corporation | Shock protectors for micro-mechanical systems |
| US6870659B2 (en) * | 2002-10-11 | 2005-03-22 | Exajoule, Llc | Micromirror systems with side-supported mirrors and concealed flexure members |
| US6825968B2 (en) * | 2002-10-11 | 2004-11-30 | Exajoule, Llc | Micromirror systems with electrodes configured for sequential mirror attraction |
| US6798560B2 (en) * | 2002-10-11 | 2004-09-28 | Exajoula, Llc | Micromirror systems with open support structures |
| US7009745B2 (en) * | 2002-10-31 | 2006-03-07 | Texas Instruments Incorporated | Coating for optical MEMS devices |
| US7405860B2 (en) * | 2002-11-26 | 2008-07-29 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas |
| US20040164980A1 (en) * | 2002-12-04 | 2004-08-26 | Hewlett Gregory J. | Nonlinearity and reset conflicts in pulse width modulated displays |
| US20050155045A1 (en) * | 2002-12-17 | 2005-07-14 | Fujitsu Limited | Disc cleaner |
| TWI255655B (en) * | 2002-12-27 | 2006-05-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | A projection color display device |
| US6903487B2 (en) * | 2003-02-14 | 2005-06-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device with increased mirror tilt |
| US6906848B2 (en) * | 2003-02-24 | 2005-06-14 | Exajoule, Llc | Micromirror systems with concealed multi-piece hinge structures |
| US6844953B2 (en) * | 2003-03-12 | 2005-01-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid |
| US7182262B2 (en) * | 2003-03-13 | 2007-02-27 | Symbol Technologies, Inc. | Inertial drive scanning arrangement and method |
| US6987601B2 (en) * | 2003-05-20 | 2006-01-17 | Texas Instruments Incorporated | Damped control of a micromechanical device |
| US6891657B2 (en) * | 2003-05-20 | 2005-05-10 | Texas Instruments Incorporated | Damped control of a micromechanical device |
| US6985278B2 (en) * | 2003-05-20 | 2006-01-10 | Texas Instruments Incorporated | Damped control of a micromechanical device |
| TW570896B (en) | 2003-05-26 | 2004-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
| EP1636629A4 (en) * | 2003-06-02 | 2009-04-15 | Miradia Inc | PREPARATION OF A REFLECTIVE ROOM LIGHT MODULATOR HIGH FILLING RATIO WITH HORIZONTAL SWITCHING MEMBER |
| CN100378496C (zh) * | 2003-06-02 | 2008-04-02 | 明锐有限公司 | 具有隐藏铰链的高填充率反射式空间光调制器 |
| US6806993B1 (en) | 2003-06-04 | 2004-10-19 | Texas Instruments Incorporated | Method for lubricating MEMS components |
| US6951769B2 (en) * | 2003-06-04 | 2005-10-04 | Texas Instruments Incorporated | Method for stripping sacrificial layer in MEMS assembly |
| TWI223855B (en) * | 2003-06-09 | 2004-11-11 | Taiwan Semiconductor Mfg | Method for manufacturing reflective spatial light modulator mirror devices |
| US7884988B2 (en) * | 2003-07-08 | 2011-02-08 | Texas Instruments Incorporated | Supplemental reset pulse |
| US6903860B2 (en) * | 2003-11-01 | 2005-06-07 | Fusao Ishii | Vacuum packaged micromirror arrays and methods of manufacturing the same |
| US6862127B1 (en) | 2003-11-01 | 2005-03-01 | Fusao Ishii | High performance micromirror arrays and methods of manufacturing the same |
| US20050094241A1 (en) * | 2003-11-01 | 2005-05-05 | Fusao Ishii | Electromechanical micromirror devices and methods of manufacturing the same |
| US6861277B1 (en) | 2003-10-02 | 2005-03-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming MEMS device |
| US6914709B2 (en) * | 2003-10-02 | 2005-07-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | MEMS device and method of forming MEMS device |
| US7796321B2 (en) * | 2003-11-01 | 2010-09-14 | Silicon Quest Kabushiki-Kaisha | Mirror device |
| US8061854B2 (en) * | 2003-11-01 | 2011-11-22 | Silicon Quest Kabushiki-Kaisha | Projection display system with varying light source |
| US7026695B2 (en) * | 2003-11-19 | 2006-04-11 | Miradia Inc. | Method and apparatus to reduce parasitic forces in electro-mechanical systems |
| US7142346B2 (en) | 2003-12-09 | 2006-11-28 | Idc, Llc | System and method for addressing a MEMS display |
| US7161728B2 (en) | 2003-12-09 | 2007-01-09 | Idc, Llc | Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators |
| US7253941B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-08-07 | Texas Instruments Incorporated | Hinge design for enhanced optical performance for a micro-mirror device |
| US7706050B2 (en) | 2004-03-05 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Integrated modulator illumination |
| US7449284B2 (en) | 2004-05-11 | 2008-11-11 | Miradia Inc. | Method and structure for fabricating mechanical mirror structures using backside alignment techniques |
| US20050255666A1 (en) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Miradia Inc. | Method and structure for aligning mechanical based device to integrated circuits |
| US7164520B2 (en) | 2004-05-12 | 2007-01-16 | Idc, Llc | Packaging for an interferometric modulator |
| US7787170B2 (en) * | 2004-06-15 | 2010-08-31 | Texas Instruments Incorporated | Micromirror array assembly with in-array pillars |
| US7042619B1 (en) * | 2004-06-18 | 2006-05-09 | Miradia Inc. | Mirror structure with single crystal silicon cross-member |
| US7113322B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-09-26 | Reflectivity, Inc | Micromirror having offset addressing electrode |
| US7068417B2 (en) * | 2004-07-28 | 2006-06-27 | Miradia Inc. | Method and apparatus for a reflective spatial light modulator with a flexible pedestal |
| EP1779173A1 (en) | 2004-07-29 | 2007-05-02 | Idc, Llc | System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator |
| US8115986B2 (en) * | 2004-08-14 | 2012-02-14 | Silicon Quest Kabushiki-Kaisha | Mirror device comprising drive electrode equipped with stopper function |
| US7515147B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-04-07 | Idc, Llc | Staggered column drive circuit systems and methods |
| US7889163B2 (en) | 2004-08-27 | 2011-02-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Drive method for MEMS devices |
| US7560299B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-07-14 | Idc, Llc | Systems and methods of actuating MEMS display elements |
| US7602375B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-10-13 | Idc, Llc | Method and system for writing data to MEMS display elements |
| US7668415B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-02-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for providing electronic circuitry on a backplate |
| CN100439967C (zh) | 2004-09-27 | 2008-12-03 | Idc公司 | 用于多状态干涉光调制的方法和设备 |
| US8008736B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-08-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device |
| US7532195B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-05-12 | Idc, Llc | Method and system for reducing power consumption in a display |
| US7920135B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for driving a bi-stable display |
| US7724993B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS switches with deforming membranes |
| US8124434B2 (en) | 2004-09-27 | 2012-02-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for packaging a display |
| US7813026B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-10-12 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of reducing color shift in a display |
| US7653371B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-01-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Selectable capacitance circuit |
| US7692839B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-04-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating |
| US7424198B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-09 | Idc, Llc | Method and device for packaging a substrate |
| US7136213B2 (en) | 2004-09-27 | 2006-11-14 | Idc, Llc | Interferometric modulators having charge persistence |
| US7679627B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controller and driver features for bi-stable display |
| US7916103B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for display device with end-of-life phenomena |
| US8310441B2 (en) | 2004-09-27 | 2012-11-13 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for writing data to MEMS display elements |
| US7675669B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for driving interferometric modulators |
| US7446927B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-11-04 | Idc, Llc | MEMS switch with set and latch electrodes |
| US7310179B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-12-18 | Idc, Llc | Method and device for selective adjustment of hysteresis window |
| US7372613B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
| US7701631B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-04-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having patterned spacers for backplates and method of making the same |
| US7420725B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-02 | Idc, Llc | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
| US7808703B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-10-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for implementation of interferometric modulator displays |
| US7710629B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for display device with reinforcing substance |
| US7684104B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-23 | Idc, Llc | MEMS using filler material and method |
| US7345805B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-03-18 | Idc, Llc | Interferometric modulator array with integrated MEMS electrical switches |
| US7355780B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-04-08 | Idc, Llc | System and method of illuminating interferometric modulators using backlighting |
| US7626581B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-12-01 | Idc, Llc | Device and method for display memory using manipulation of mechanical response |
| US8878825B2 (en) | 2004-09-27 | 2014-11-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for providing a variable refresh rate of an interferometric modulator display |
| US7893919B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-02-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display region architectures |
| US7369296B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator |
| US20060076634A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Lauren Palmateer | Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter |
| US7843410B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-11-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for electrically programmable display |
| US7583429B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-09-01 | Idc, Llc | Ornamental display device |
| US7936497B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence |
| US7289259B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
| US7719500B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays |
| US7944599B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
| US7034985B1 (en) * | 2004-10-19 | 2006-04-25 | Reflectivity, Inc. | Asymmetric spatial light modulator in a package |
| US7158279B2 (en) * | 2004-10-19 | 2007-01-02 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulators with non-uniform pixels |
| US7092143B2 (en) * | 2004-10-19 | 2006-08-15 | Reflectivity, Inc | Micromirror array device and a method for making the same |
| US8207004B2 (en) | 2005-01-03 | 2012-06-26 | Miradia Inc. | Method and structure for forming a gyroscope and accelerometer |
| US7172921B2 (en) * | 2005-01-03 | 2007-02-06 | Miradia Inc. | Method and structure for forming an integrated spatial light modulator |
| US7199918B2 (en) * | 2005-01-07 | 2007-04-03 | Miradia Inc. | Electrical contact method and structure for deflection devices formed in an array configuration |
| US7142349B2 (en) * | 2005-01-07 | 2006-11-28 | Miradia Inc. | Method and structure for reducing parasitic influences of deflection devices on spatial light modulators |
| US7375873B2 (en) * | 2005-02-28 | 2008-05-20 | Texas Instruments Incorporated | Method of repairing micromirrors in spatial light modulators |
| US7295363B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Optical coating on light transmissive substrates of micromirror devices |
| US7948457B2 (en) | 2005-05-05 | 2011-05-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Systems and methods of actuating MEMS display elements |
| US7920136B2 (en) | 2005-05-05 | 2011-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of driving a MEMS display device |
| KR20080027236A (ko) | 2005-05-05 | 2008-03-26 | 콸콤 인코포레이티드 | 다이나믹 드라이버 ｉｃ 및 디스플레이 패널 구성 |
| US7786662B2 (en) * | 2005-05-19 | 2010-08-31 | Texas Instruments Incorporated | Display using a movable electron field emitter and method of manufacture thereof |
| US7826128B2 (en) * | 2005-05-23 | 2010-11-02 | Silicon Quest Kabushiki-Kaisha | Projection display system with varying light source |
| US7298539B2 (en) * | 2005-06-01 | 2007-11-20 | Miradia Inc. | Co-planar surface and torsion device mirror structure and method of manufacture for optical displays |
| US7202989B2 (en) | 2005-06-01 | 2007-04-10 | Miradia Inc. | Method and device for fabricating a release structure to facilitate bonding of mirror devices onto a substrate |
| US7184195B2 (en) | 2005-06-15 | 2007-02-27 | Miradia Inc. | Method and structure reducing parasitic influences of deflection devices in an integrated spatial light modulator |
| US7190508B2 (en) * | 2005-06-15 | 2007-03-13 | Miradia Inc. | Method and structure of patterning landing pad structures for spatial light modulators |
| EP1907316A1 (en) | 2005-07-22 | 2008-04-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structure for mems device and methods therefor |
| EP2495212A3 (en) | 2005-07-22 | 2012-10-31 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Mems devices having support structures and methods of fabricating the same |
| WO2007016502A2 (en) | 2005-08-02 | 2007-02-08 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Synthesis of arrays of oligonucleotides and other chain molecules |
| US7355779B2 (en) | 2005-09-02 | 2008-04-08 | Idc, Llc | Method and system for driving MEMS display elements |
| US7502158B2 (en) | 2005-10-13 | 2009-03-10 | Miradia Inc. | Method and structure for high fill factor spatial light modulator with integrated spacer layer |
| US7630114B2 (en) | 2005-10-28 | 2009-12-08 | Idc, Llc | Diffusion barrier layer for MEMS devices |
| US7429983B2 (en) | 2005-11-01 | 2008-09-30 | Cheetah Omni, Llc | Packet-based digital display system |
| US8391630B2 (en) | 2005-12-22 | 2013-03-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for power reduction when decompressing video streams for interferometric modulator displays |
| US7795061B2 (en) | 2005-12-29 | 2010-09-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process |
| US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
| US7382515B2 (en) | 2006-01-18 | 2008-06-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture |
| US8194056B2 (en) | 2006-02-09 | 2012-06-05 | Qualcomm Mems Technologies Inc. | Method and system for writing data to MEMS display elements |
| US7450295B2 (en) | 2006-03-02 | 2008-11-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers |
| US7903047B2 (en) | 2006-04-17 | 2011-03-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mode indicator for interferometric modulator displays |
| US7711239B2 (en) | 2006-04-19 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles |
| US8049713B2 (en) | 2006-04-24 | 2011-11-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Power consumption optimized display update |
| US7649671B2 (en) | 2006-06-01 | 2010-01-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release |
| US7321457B2 (en) | 2006-06-01 | 2008-01-22 | Qualcomm Incorporated | Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts |
| WO2007143623A2 (en) | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Stalford Harold L | Methods and systems for micro machines |
| US7702192B2 (en) | 2006-06-21 | 2010-04-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Systems and methods for driving MEMS display |
| US7835061B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-11-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structures for free-standing electromechanical devices |
| US7777715B2 (en) | 2006-06-29 | 2010-08-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Passive circuits for de-multiplexing display inputs |
| US7527998B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control |
| JP4327183B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2009-09-09 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関の高圧燃料ポンプ制御装置 |
| US7763546B2 (en) | 2006-08-02 | 2010-07-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices |
| US8493288B2 (en) * | 2006-10-10 | 2013-07-23 | Texas Instruments Incorporated | System and method for color-specific sequence scaling for sequential color systems |
| US7545552B2 (en) | 2006-10-19 | 2009-06-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Sacrificial spacer process and resultant structure for MEMS support structure |
| US7737989B2 (en) * | 2006-10-27 | 2010-06-15 | Texas Instruments Incorporated | System and method for computing color correction coefficients |
| US8305391B2 (en) * | 2006-11-27 | 2012-11-06 | Texas Instruments Incorporated | System and method to generate multiprimary signals |
| US7911672B2 (en) * | 2006-12-26 | 2011-03-22 | Zhou Tiansheng | Micro-electro-mechanical-system micromirrors for high fill factor arrays and method therefore |
| US7733552B2 (en) | 2007-03-21 | 2010-06-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | MEMS cavity-coating layers and methods |
| US20080273234A1 (en) * | 2007-05-01 | 2008-11-06 | Texas Instruments Incorporated | System and method for integrated, analog mode mirror devices |
| US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
| US7569488B2 (en) | 2007-06-22 | 2009-08-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of making a MEMS device by monitoring a process parameter |
| US7477441B1 (en) | 2007-07-24 | 2009-01-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | MEMS device with nanowire standoff layer |
| CN101359159B (zh) * | 2007-07-30 | 2010-06-02 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 投影光学系统 |
| US20090040516A1 (en) * | 2007-08-10 | 2009-02-12 | Honeywell International Inc. | Spectroscopic system |
| US20090112482A1 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Sandstrom Perry L | Microarray detector and synthesizer |
| US20090128465A1 (en) * | 2007-11-16 | 2009-05-21 | Naoya Sugimoto | Spatial light modulator implemented with a mirror array device |
| US20090141336A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Lumination Llc | Projection display devices employing frustrated total internal reflection |
| WO2009130603A2 (en) * | 2008-04-24 | 2009-10-29 | Micronic Laser Systems Ab | Spatial light modulator with structured mirror surfaces |
| US7851239B2 (en) | 2008-06-05 | 2010-12-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices |
| US8541850B2 (en) * | 2008-12-12 | 2013-09-24 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for forming resonators over CMOS |
| US8736590B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-05-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Low voltage driver scheme for interferometric modulators |
| US7864403B2 (en) | 2009-03-27 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Post-release adjustment of interferometric modulator reflectivity |
| US8610986B2 (en) | 2009-04-06 | 2013-12-17 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Mirror arrays for maskless photolithography and image display |
| EP2309481A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-04-13 | Imec | Method for operating a micromirror device with electromechanical pulse width modulation |
| WO2010139050A1 (en) | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Tiansheng Zhou | Mems micromirror and micromirror array |
| JP2013524287A (ja) | 2010-04-09 | 2013-06-17 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 電気機械デバイスの機械層及びその形成方法 |
| JP5447272B2 (ja) * | 2010-08-05 | 2014-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 光スキャナーおよび画像形成装置 |
| US9036231B2 (en) | 2010-10-20 | 2015-05-19 | Tiansheng ZHOU | Micro-electro-mechanical systems micromirrors and micromirror arrays |
| US10551613B2 (en) | 2010-10-20 | 2020-02-04 | Tiansheng ZHOU | Micro-electro-mechanical systems micromirrors and micromirror arrays |
| US9134527B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
| US8963159B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
| US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
| US9385634B2 (en) | 2012-01-26 | 2016-07-05 | Tiansheng ZHOU | Rotational type of MEMS electrostatic actuator |
| US20150259743A1 (en) | 2013-12-31 | 2015-09-17 | Roche Nimblegen, Inc. | Methods of assessing epigenetic regulation of genome function via dna methylation status and systems and kits therefor |
| JP6519284B2 (ja) * | 2015-04-01 | 2019-05-29 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 |
| JP6550866B2 (ja) * | 2015-04-01 | 2019-07-31 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| US10723618B2 (en) | 2015-10-23 | 2020-07-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Microelectromechanical device with multiple hinges |
| WO2018033478A1 (en) | 2016-08-15 | 2018-02-22 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Method and composition for detection of peptide cyclization using protein tags |
| CN110073440B (zh) | 2016-10-10 | 2022-04-29 | 塞姆隆有限责任公司 | 电容矩阵布置及其激励方法 |
| DE102016012071A1 (de) | 2016-10-10 | 2018-04-12 | Kai-Uwe Demasius | Matrix mit kapazitiver Steuerungsvorrichtung |
| US10267900B2 (en) | 2016-11-07 | 2019-04-23 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | System and method for covert pointer/communications and laser range finder |
| US10928624B2 (en) * | 2017-12-29 | 2021-02-23 | Texas Instruments Incorporated | Microelectromechanical system (MEMS) structure and method of formation |
| DE102019129655A1 (de) | 2019-11-04 | 2021-05-06 | Küster Holding GmbH | Antriebsvorrichtung für Verstelleinrichtungen von Kraftfahrzeugen mit einem wenigstens zweiteiligen Gehäuse sowie Verfahren zur Montage einer solchen Antriebsvorrichtung |
| WO2023212173A2 (en) * | 2022-04-29 | 2023-11-02 | President And Fellows Of Harvard College | Systems and methods for retrieving cells from a continuous culture microfluidic device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5085497A (en) * | 1990-03-16 | 1992-02-04 | Aura Systems, Inc. | Method for fabricating mirror array for optical projection system |
| US5216537A (en) * | 1990-06-29 | 1993-06-01 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
| US5083857A (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level deformable mirror device |
| US5142405A (en) * | 1990-06-29 | 1992-08-25 | Texas Instruments Incorporated | Bistable dmd addressing circuit and method |
| US5159225A (en) * | 1991-10-18 | 1992-10-27 | Aura Systems, Inc. | Piezoelectric actuator |
| US5233456A (en) * | 1991-12-20 | 1993-08-03 | Texas Instruments Incorporated | Resonant mirror and method of manufacture |
| US5202785A (en) * | 1991-12-20 | 1993-04-13 | Texas Instruments Incorporated | Method and device for steering light |
| US5212582A (en) * | 1992-03-04 | 1993-05-18 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatically controlled beam steering device and method |
| AU6847196A (en) * | 1995-09-05 | 1997-03-27 | Kimberly-Clark Corporation | Surgical drape and method of assembly |
-
1993
- 1993-12-21 US US08/171,303 patent/US5583688A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-12-20 KR KR1019940035811A patent/KR100379724B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-12-20 EP EP94120234A patent/EP0664470A3/en not_active Withdrawn
- 1994-12-21 JP JP31879994A patent/JP3836167B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6351330B2 (en) | 1998-04-10 | 2002-02-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micromirror device for image display apparatus |
| US6459523B2 (en) | 2000-03-03 | 2002-10-01 | Fujitsu Limited | Galvano-micromirror and its manufacture process |
| US6650459B2 (en) | 2000-03-03 | 2003-11-18 | Fujitsu Limited | Galvano-micromirror and its manufacture process |
| KR100708077B1 (ko) * | 2000-05-01 | 2007-04-16 | 삼성전자주식회사 | 화상표시장치용 마이크로미러 디바이스 |
| KR100892931B1 (ko) * | 2001-04-26 | 2009-04-09 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 마이크로 미러 소자의 제조 방법 |
| US6887396B2 (en) | 2001-04-26 | 2005-05-03 | Fijitsu Limited | Micromirror unit and method of making the same |
| US8693083B2 (en) | 2001-04-26 | 2014-04-08 | Fujitsu Limited | Micromirror unit and method of making the same |
| US7099066B2 (en) | 2001-04-26 | 2006-08-29 | Fujitsu Limited | Micromirror unit and method of making the same |
| US8107157B2 (en) | 2001-04-26 | 2012-01-31 | Fujitsu Limited | Micromirror unit and method of making the same |
| US7130099B2 (en) | 2001-07-04 | 2006-10-31 | Fujitsu Limited | Micromirror unit with torsion connector having nonconstant width |
| US7411714B2 (en) | 2001-07-04 | 2008-08-12 | Fujitsu Limited | Micromirror unit with torsion connector having nonconstant width |
| US6795225B2 (en) | 2001-07-04 | 2004-09-21 | Fujitsu Limited | Micromirror unit with torsion connector having nonconstant width |
| US7755824B2 (en) | 2001-07-04 | 2010-07-13 | Fujitsu Limited | Micromirror unit with torsion connector having nonconstant width |
| KR100923846B1 (ko) * | 2002-05-24 | 2009-10-27 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 마이크로 미러 소자 |
| US7031041B2 (en) | 2002-08-14 | 2006-04-18 | Fujitsu Limited | Micro-oscillating element provided with torsion bar |
| US7324251B2 (en) | 2002-10-10 | 2008-01-29 | Fujitsu Limited | Micro-actuation element provided with torsion bars |
| US7751108B2 (en) | 2002-10-10 | 2010-07-06 | Fujitsu Limited | Micro-actuation element provided with torsion bars |
| JP2006518882A (ja) * | 2003-02-24 | 2006-08-17 | エクサジュール リミテッド ライアビリティ カンパニー | 隠されたヒンジ構造を備えるマルチチルト型マイクロミラーシステム |
| US7262541B2 (en) | 2003-08-12 | 2007-08-28 | Fujitsu Limited | Micro-oscillation element incorporating springs |
| JP2011164307A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Nikon Corp | 空間光変調素子及び空間光変調素子の製造方法 |
| JP2011191592A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Canon Inc | マイクロ構造体及びその製造方法 |
| US8842353B2 (en) | 2010-03-16 | 2014-09-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Microstructure and method of manufacturing the same |
| CN106054373A (zh) * | 2015-04-01 | 2016-10-26 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置、电光装置的制造方法、以及电子设备 |
| JP2016194632A (ja) * | 2015-04-01 | 2016-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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