JP3926871B2 - デジタルマイクロミラーリセット方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はデジタルマイクロミラーデバイスに関するものであり、更に詳細にはそのようなデバイスのミラー要素をリセットするための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気−機械技術分野での最近の進展は、各種メカニカルデバイスの超小型化にある。そのようなデバイスの代表的なものは、小型のギア、レバー、およびバルブである。これら”マイクロメカニカル”デバイスは、しばしば電気的な制御回路とともに、集積回路技術を使用して作製される。一般的な用途としては加速度計、圧力センサー、およびアクチュエーターが含まれる。別の１つの例として、マイクロメカニカル反射性ミラー要素から空間光変調器が構成される。
【０００３】
マイクロメカニカルデバイスの１つの型はデジタル・マイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）であって、それは変形可能なミラーデバイスと呼ばれることもある。ＤＭＤは数百または数千個の傾くことのできる小さいミラーを含むアレイを有する。ＤＭＤへ入射する光は、結像面へ向かって各ミラーによって選択的に反射されて像を形成するか、もしくはその方向から反れて反射される。ミラーの傾斜を許容するために、各ミラーは１個または複数個の捩りヒンジへ取り付けられている。ミラーは下層の制御回路の上方へ空隙によって隔てられている。この制御回路は、番地電極を介して、各ミラーの選択的な傾斜を引き起こす静電的な力を供給する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ＤＭＤの最適な動作のためには、各ミラーは必要な時にそれの未傾斜（平衡）位置へ迅速に復帰できる必要がある。着地（ランディング）表面での与えられた付着力に対して、ミラーを着地状態から解放するヒンジの復帰力を定義することが可能である。しかし、その他のシステム上の条件、例えばＤＭＤを比較的低電圧で動作させたいという要求などのために、番地信号を除去したらすべてのミラーが自動的にリセットされるようなところまでヒンジの剛性を高めることは実際的でない。
【０００５】
このように、不必要に大きなヒンジ剛性を持たせることなしに、ミラーのリセットを助けるために、特別なリセット電圧を伴ったバイアス信号が番地電極に対して供給されるようになった。テキサスインスツルメンツ社に譲渡された”空間光変調器およびその方法（Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ
ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ）”と題する米国特許第５，０９６，２７９号はリセットパルス信号の使用について述べている。過去には、単一のパルス信号と多重パルス信号の両方が試みられた。いずれも完全に満足できる結果をもたらすことはできなかった。
【０００６】
効率的なＤＭＤ画素リセット信号であるためには２つの基準をクリアしなければならない。付着力を克服するのに十分効率的な波形でなければならない。そして瞬き（ｔｗｉｎｋｌｉｎｇ）のような視覚効果を免れるものであるべきである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の１つの態様は、マイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）のミラーをリセットする方法である。更に一般的には、本発明は任意のマイクロメカニカルデバイスの可動要素をリセットする方法であり、そこにおいて前記可動要素はスイッチ可能な番地電圧手段によって着地表面に引き付けられるようになっている。正または負のバイアス電圧が前記可動要素と着地表面とに供給される。このバイアス電圧は番地電圧のスイッチング中に取り除かれる。しかし、バイアス電圧が除去される前に、リセット信号が前記バイアス電圧に加えられる。このリセット信号は前記バイアス電圧と比べて小さい振幅を有する複数パルスを含んでおり、またその周波数は可動要素の共鳴周波数と本質的に同じになっている。このリセット信号は、前記バイアスの方向と同じ極性を有し、他のパルスよりも大きい振幅を有する最終インパルスを含んでいても、含んでいなくてもよい。
【０００８】
本発明の特長は、未付着ミラーに関して、単一パルスリセット法よりも単位電圧当たりの効率が高いということである。従って、リセット電圧は高い必要はない。同時に、本リセット信号は他のパルスリセット法において発生する好ましくない”瞬き効果”を回避することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
一例として、以下の説明は、しばしば”変形可能なミラーデバイス”と呼ばれる、特別な型のマイクロメカニカルデバイス、”デジタルマイクロミラーデバイス”（ＤＭＤ）に関して行う。従来の技術の項で述べたように、ＤＭＤは、各々制御回路基板の上方に支えられた小さなヒンジ止めされたミラーを含んでいる。本発明は、ミラーが傾いた後に、ミラーをそれらの平衡位置へ復帰させるためのリセットパルスを供給する進歩した方法を指向している。しかし、この同じ概念は、静電的な引力に応答して移動する可動要素を有する任意のマイクロメカニカルデバイスに対して適用できよう。
【００１０】
ＤＭＤの１つの用途として像の形成がある。そこにおいて、ＤＭＤは結像面の方向へ選択的に光を反射させるように働く偏向可能なミラーのアレイを含んでいる。ＤＭＤによって形成される像はディスプレイシステムやノンインパクトプリント用として利用できる。光学的ステアリング、光学的スイッチング、および加速度計のような像形成を含まないＤＭＤのその他の用途も可能である。それらの用途のうち、いくつかの応用においては、”ミラー”は必ずしも反射性のものでなくてよい。更に、いくつかの応用においては、ＤＭＤはデジタルモードではなく、アナログモードで動かされる。一般に、ここでは、”ＤＭＤ”という用語は、少なくとも１つのヒンジ止めされた偏向可能な要素を基板から空隙で隔てられて有し、前記要素が前記基板に相対的に移動するようになった任意の型のマイクロメカニカルデバイスを含むものとして用いられている。
【００１１】
図１はＤＭＤの単一のミラー要素１０の展開された鳥瞰図である。図１で、ミラー１１は未偏向位置にあるが、矢印で示されたように、それの捩りヒンジ１２のおかげで２つの方向のいずれかへ偏向できるようになっている。上で説明したように、いろんなＤＭＤの用途において、このようなミラー要素１０を単独で、あるいはアレイ状で用いることになろう。
【００１２】
図１のミラー要素１０は、”ヒンジが隠れた”ミラー要素として知られている。その他の型のミラー要素１０には、図２に関して以下で述べるような”捩り梁”型のものが含まれ、そこにおいては、ミラーは、ヒンジの取り付けられているヨーク上の代わりに、直接ヒンジに取り付けられている。”空間光変調器およびその方法（Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ）”と題する米国特許第４，６６２，７４６号、”空間光変調器（Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）”と題する米国特許第４，９５６，６１０号、”空間光変調器およびその方法（Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ）”と題する米国特許第５，０６１，０４９号、”多重レベルの変形可能なミラーデバイス（Ｍｕｌｔｉ−ｌｅｖｅｌＤｅｆｏｒｍａｂｌｅ Ｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）”と題する米国特許第５，０８３，８５７号、および”進歩した多重レベルデジタルマイクロミラーデバイス（Ｉｍｐｒｏｖｅｄ ＭｕｌｔｉＬｅｖｅｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）”と題する米国特許出願第０８／１７１，３０３号には各種の型のＤＭＤが述べられている。これらの特許はすべてテキサスインスツルメンツ社に譲渡されており、ここに参考のために引用する。
【００１３】
その他のヒンジが隠れたＤＭＤ設計でそうであるように、ミラー要素１０のヒンジ１２は、基板上に形成されたヒンジ支柱１３によって支えられている。番地電極１４は、ヒンジ１２およびヒンジ支柱１３と同じレベルにある番地電極支柱１５によって支えられている。
【００１４】
ミラー支柱１６はヨーク１７上に作製される。ヨーク１７は２つのヒンジ１２の各々の一端に取り付けられる。各ヒンジ１２の他端はヒンジ支柱１３へ取り付けられる。ヒンジ支柱１３および電極支柱１５はヒンジ１２、番地電極１４、およびヨーク１７を、制御バス１８ａを有する基板の上方に支えている。ミラー１１が傾斜した時に、ミラー１１の先端部は着地位置１９に接触する。番地電極１４はメモリセル（図示されていない）に対して適切な電気的接続を有しており、それはＣＭＯＳ製造技術を使用して基板１８内に形成されるのが一般的である。
【００１５】
図２は”捩り梁”型ＤＭＤのミラー要素２０を示す。ヒンジ２２は隠れておらず、ミラー２１の反対側から突き出している。ヒンジ２２はヒンジ支柱２３へ取り付けられている。番地電極２６は、傾斜するミラー２１に対して引力を及ぼし、ミラー２１は着地パッド２７に接する。ミラー要素２０はメモリセルおよび制御回路の基板２８の上方に作製される。
【００１６】
図１および図２の設計に対しては各種の変更が可能である。例えば、ヨーク１７（またはミラー２１）はノッチを設けて、ヒンジ１２（または２２）をその中にセットすることができる。ヒンジ１２（または２２）は、図１のようにヨーク１７（またはミラー２１）の側面か、あるいは図２のように隅に取り付けることができる。更に、ヒンジの取付は、対向する隅または側面に行う必要はない。ヒンジは非対称な傾斜を許容するように取り付けても構わない。
【００１７】
画像表示応用として動作する時に、そして例えば、ミラー要素のアレイを使用する場合には、光源がＤＭＤの表面を照らす。光をほぼミラー要素２０アレイの寸法に整形し、この光をそれらへ向けるためにレンズ系を使用することもできる。基板２８のメモリセル中のデータに基づく電圧が番地電極２６に供給される。ミラー２１とそれらの番地電極２６との間の静電的な引力が、番地電極２６へ選択的に電圧を印加することで作り出される。この静電的な力は各ミラー２１を約＋１０度（オン）または約−１０度（オフ）のいずれかへ傾斜させ、それによってＤＭＤの表面へ入射する光を変調する。”オン”のミラー２１から反射した光は表示光学系を経て結像面へ向かう。”オフ”ミラー２１からの光は結像面から外れて反射される。結果のパターンが像を形成する。各画像フレーム中のミラー２１が”オン”である比率がグレースケールを決定する。カラーホイール（ｃｏｌｏｒ ｗｈｅｅｌ）または３−ＤＭＤ配置の手段によって色を追加することができる。
【００１８】
等価的にミラー２１とそれの番地電極２６とがコンデンサを構成する。ミラー２１とそれの番地電極２６との間に適切な電圧が印加された時、生ずる静電的な力（引力または斥力）がミラー２１を吸引番地電極２６の方向へ傾斜させるか、あるいは排斥番地電極２６から遠ざけるように傾斜させることになる。ミラー２１はそれの端部が着地パッド２７の接するまで傾斜する。一旦、番地電極２６とミラー２１との間の静電力が取り除かれると、ヒンジ２２に蓄えられたエネルギーはミラー２１を未偏向位置へ戻そうとする復帰力を提供する。ミラー２１をそれの未偏向位置へ復帰させるのを助けるために、ミラー２１または番地電極２６に対して適当な電圧を供給してもよい。
【００１９】
図３はミラー要素１０（または２０）の一部分の模式的断面図と、それの動作電圧を示している。それの下層のメモリセルの状態に依存して、各ミラー１１（または２１）はバイアス電圧と番地電圧の組み合わせによって番地電極１４（または２６）の一方または他方へ引き寄せられる。ミラーはそれの先端部が着地位置１９（または２７）へ接するまで回転する。着地位置はバイアス電圧によってミラーと同じ電位に保たれている。相補的な番地電圧、φa および
【外１】
は前後にスイッチされて、データが表示される間（ビット期間）は保持される。典型的な傾斜角度は＋または−の１０度である。他の型のＤＭＤでは、ミラーが着地位置へ接触するのではなく、ヨーク１７が基板上の着地位置へ接触する。ここに述べられる本発明は、本発明に従うリセットパルスを供給する目的のためにヨークがミラーと等価であるような型のＤＭＤに適用される。
【００２０】
図４は番地電圧とバイアス電圧との関係を示す。番地電圧、φa および
【外２】
は相補的であり、ビット期間の間はオンまたはオフに留まる。典型的な番地電圧は０ボルトと５ボルトである。番地電圧のスイッチ毎に、バイアス電圧ＶB はターンオフされ、次にオンされる。これはミラーがそれの平坦な状態（リセット）へ戻り、次にそれの新しい状態へ傾斜することを許容するように設計されている。図４で、このバイアス電圧は正である。典型的なバイアス電圧は１２ボルトであり、典型的なバイアスオフ時間は３−５マイクロ秒である。従来の技術の項で述べたように、ＶR の場所で特別な振幅の電圧バイアスに加えられてミラーのリセットを助けることがしばしば行われる。この特別な電圧はここでは”リセット信号”と呼ぶが、バイアスがターンオフされる直前に加えられる。本発明は最適なリセット信号を提供する方法を指向している。”リセット位置”は平坦でもよいし、あるいは他の番地電極のほうへ偏向していてもよい。本発明は、一方向のみへ傾斜できるミラーや他のマイクロメカニカル要素をリセットするためにも利用できる。
【００２１】
【実施例】
本発明の１つの態様は、従来のリセット信号で、特に多重パルスを使用する場合、最後のパルスの前に解放されるミラー（またはヨーク）が着地表面へ再付着できるという認識である。この再付着は”瞬き”効果として認知される。十分高い電圧の単一パルスリセット信号は瞬きを回避できるが、単一パルスの利用は非効率的で、共鳴パルスの場合よりも高い電圧が必要とされる。
【００２２】
図５は、負のバイアス電圧へ供給された場合の、本発明に従うリセット信号を示す。この実施例では、リセット信号は２つの共鳴パルスを含んでいる。リセット信号の間はバイアスは保持される。リセットパルスの振幅はバイアス電圧に比べて小さく、バイアスのレベルに近い。それらの極性はバイアスと同じで、その電圧の振幅合計が増大するようになっている。図５で、ＶR1はＶB よりも低く、ＶR2はＶB と同じである。ＶR2をＶB よりも低くすることも可能である。
【００２３】
典型的なパルス長は約２分の１マイクロ秒である。共鳴周波数はミラー要素の構造によって決定され、実験的に決定することができる。現在、テキサスインスツルメンツ社で製造されているようなＤＭＤデバイスに関する典型的な共鳴周波数は２−５ＭＨｚのオーダーである。
【００２４】
図６は別のリセット信号を示し、それはバイアス電圧が正であることを除いて図５のそれと同じである。リセットパルスは正方向の極性を有し、それはバイアスと同じである。図５と同じように、結果の合計電圧の振幅は増大する。
【００２５】
図７は本発明に従う別のリセット信号を示す。図７で、このバイアスは負で、振幅は−１２ボルトである。リセット信号は、単一インパルスと組み合わせられた共鳴励起パルスを含んでいる。これらの励起パルスはバイアス電圧付近の電圧にあって、前記インパルスは先行するパルスよりも大きい振幅を有する。このインパルスは励起パルスと同期して供給される。バイアス電圧はパルス間に供給され、インパルスによって解放される。パルスの極性は、平均の電圧がバイアスと同じになるようなものである。インパルスの極性はバイアスのそれと同じであり、その結果、バイアスよりも大きい電圧振幅が得られる。
【００２６】
例として、図７は、最後のインパルスの前に５個のパルスを有するリセット信号を示している。１２ボルトのバイアス差に対して、各パルスはバイアスよりも約２．５ボルト大きいか小さい振幅を有する。インパルスは約−１２ボルトの振幅を有し、その結果、約−２４ボルトの合計電圧が得られる。
【００２７】
図８は、図７のリセット信号中の計算された着地先端部分離力を示す。この計算は、ミラーの着地先端部が最後のインパルスの後も付着していることを仮定しており、それによって計算が容易になっている。通常の動作時には、着地先端部はインパルスによって解放されるべきで、その場合、計算の残りの部分は無効になる。バイアスに相対的なパルスの振幅と、パルスの数は、最後のインパルスまでミラー先端部に正味負の力が保持されるようなものに選ばれる。パルスからの力はミラーを着地表面から解放するのには不十分であり、従って、リセット信号が完了するまでミラーは傾斜したままに留まる。パルスから生ずる共鳴振動はエネルギーの蓄積を許容し、そのエネルギーは最後のインパルスによって解放される。この共鳴エネルギーは任意の付着ミラーが着地表面から解放されるのを促進する。一般に、与えられた振幅のパルス数が多くなればそれだけエネルギーが増大する。
【００２８】
図９は別のリセット信号を示しているが、これはリセット信号の最後にインパルスを含まないという点で図５のそれと類似している。しかし、リセット信号のパルスはバイアスの上下を変動し、従って、リセット信号中の平均電圧はバイアスレベルに保持される。
【００２９】
図１０は正のバイアスに供給されたリセット信号を示している。それ以外はこのリセット信号は図７のそれと類似している。
【００３０】
上述のリセット方式のすべてにおいて、リセット信号は２つ以上の共鳴パルスを含んでおり、それらは最後のインパルスを伴って、あるいは伴わずに、バイアスに加えられている。これらのパルスの振幅はバイアスレベル付近にある。バイアスは、もしあれば最後のインパルスまで印加される。もしあれば、最後のインパルスはバイアスと同じ方向にある。従って、もしバイアスが正であれば、インパルスの結果、正の電圧が増大することになり、もしバイアスが負であれば、インパルスの結果、負の電圧が増大することになる。これらのパルスは、正味の力をバイアスによって与えられる力付近に保ちながら、ミラーを振動モードに保つ。結果として、任意の付着ミラーはリセット信号の最後まで解放されるようにならず、従って再付着する機会を得ることはない。
【００３１】
実験結果によれば、特定のＤＭＤデバイスが特定のリセットパターンを以て最適な動作をすることが示された。例えば、図１のような”ヒンジが隠れた”デバイスに関して、図５の２パルスパターンが良好な結果を与える。図２のような”捩り梁”デバイスに関しては、３パルスパターンが良好な結果を与える。両者の場合、そのパターンは瞬きの低減とともに、効率によって評価された。
【００３２】
本発明は特定の実施例に関して説明してきたが、この説明は限定的な意味として解釈されるべきものではない。開示された実施例の各種修正が、別の実施例とともに当業者には明かになろう。従って、特許請求の範囲は、本発明の真のスコープ内に含まれるすべての修正を包含すると解釈されるべきである。
【００３３】
以上の説明に関して更に以下の項を開示する。
（１）マイクロメカニカルデバイスの可動要素をリセットする方法であって、前記可動要素が番地電圧によって着地表面の方向へ引き寄せられるようになっており、前記可動要素が既知の共鳴周波数を有しており、次の工程、
前記可動要素と前記着地表面とに対してバイアス電圧を供給すること、
前記番地電圧をスイッチングすること、
前記バイアス電圧の振幅よりも小さい振幅を有し、前記可動要素の共鳴周波数と本質的に同じ周波数を有する複数のパルスを有するリセット電圧を前記番地電圧に対して加えること、および
前記可動要素がリセットされるまで前記バイアス電圧を除去すること、
を含む方法。
【００３４】
（２）第１項記載の方法であって、前記加える工程が更に、前記リセット電圧をパルス化して、前記パルスの振幅よりも大きい振幅を有するインパルスを最後に含めることを含んでいる方法。
【００３５】
（３）第２項記載の方法であって、前記最後のインパルスが前記バイアス電圧と同じ極性を有している方法。
【００３６】
（４）第１項記載の方法であって、前記パルスが前記バイアス電圧と同じ極性を有している方法。
【００３７】
（５）第１項記載の方法であって、前記パルスが、前記リセット信号中の平均電圧が前記バイアス電圧と本質的に同じになるような極性を有している方法。
【００３８】
（６）第１項記載の方法であって、前記パルスが、前記リセット信号中の平均電圧が前記バイアス電圧の振幅よりも小さくなるような極性を有している方法。
【００３９】
（７）第１項記載の方法であって、前記マイクロメカニカルデバイスがデジタルミラーデバイスである方法。
【００４０】
（８）第７項記載の方法であって、前記リセット電圧が２個の前記パルスを有している方法。
【００４１】
（９）第７項記載の方法であって、前記リセット電圧が３個の前記パルスを有している方法。
【００４２】
（１０）デジタルマイクロミラーデバイスのミラー要素をリセットする方法であって、前記ミラー要素が前記ミラー要素下の番地電圧手段によって着地表面の方向へ傾けられるようになっており、前記ミラー要素が既知の共鳴周波数を有しており、次の工程、
前記ミラー要素と前記着地表面とに対してバイアス電圧を供給すること、
前記番地電圧をスイッチングすること、
前記バイアス電圧の振幅よりも小さい振幅を有し、前記ミラー要素の共鳴周波数と本質的に同じ周波数を有する複数のパルスを有するリセット電圧を前記番地電圧に対して加えること、および
前記可動要素がリセットされるまで前記バイアス電圧を除去すること、
を含む方法。
【００４３】
（１１）第１０項記載の方法であって、前記ＤＭＤがヒンジが隠れた型のＤＭＤであって、前記着地表面と接触する前記ミラー要素の下にヨークを有し、前記バイアス電圧が前記ヨークに与えられるようになった方法。
【００４４】
（１２）第１０項記載の方法であって、前記加える工程が更に、前記リセット電圧をパルス化することを含み、前記パルスよりも大きい振幅を持つインパルスを最後に含めることを含んでいる方法。
【００４５】
（１３）第１２項記載の方法であって、前記最後のインパルスが前記バイアス電圧と同じ極性を有している方法。
【００４６】
（１４）第１０項記載の方法であって、前記パルスが前記バイアス電圧と同じ極性を有している方法。
【００４７】
（１５）第１０項記載の方法であって、前記パルスが、前記リセット信号中の平均電圧が前記バイアス電圧と本質的に同じになるような極性を有している方法。
【００４８】
（１６）第１０項記載の方法であって、前記パルスが、前記リセット信号中の平均電圧が前記バイアス電圧の振幅よりも小さくなるような極性を有している方法。
【００４９】
（１７）第１０項記載の方法であって、前記パルスの数と振幅が、前記リセット信号の始まりにおいて前記可動要素をリセットするには不十分な力を生ずるようなものである方法。
【００５０】
（１８）第１０項記載の方法であって、前記パルスの最後のパルスの直後に前記バイアス電圧が除去されるようになった方法。
【００５１】
（１９）第１０項記載の方法であって、前記マイクロメカニカルデバイスがデジタルミラーデバイスである方法。
【００５２】
（２０）デジタルマイクロメカニカルデバイス（ＤＭＤ）１０、２０のミラー要素のミラー１１、２１をリセットする方法。ミラー要素と、それらが着地する表面とに対してバイアス電圧が供給されるが、番地電圧のスイッチングの間に除去される。（図４）。バイアスが除去される直前に、ミラーの共鳴周波数に合致する周波数で複数のパルスを含むリセット電圧がバイアス電圧へ加えられる。この結果、リセット電圧の振幅は、振動エネルギーの蓄積を許容する合計印加電圧とはなるものの、リセット信号の最後までミラーを付着から解放するには不十分なものである。言い替えれば、リセット電圧の振幅はバイアス電圧のそれと比べて小さい。（図５−図１０）。
【図面の簡単な説明】
【図１】デジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）のヒンジが隠れた型のミラー要素の展開された鳥瞰図。
【図２】ＤＭＤの捩り梁型のミラー要素の鳥瞰図。
【図３】図１または図２のミラー要素の一部分の模式的断面図。
【図４】図３の番地電圧およびバイアス電圧と、リセット信号の時間図。
【図５】負のバイアスと一緒に用いられた、本発明に従うリセット信号。
【図６】正のバイアスと一緒に用いられた、本発明に従うリセット信号。
【図７】負のバイアスと一緒に用いられ、インパルスを含む、本発明に従う別のリセット信号。
【図８】図７のリセット信号中の着地先端部分離力。
【図９】本発明に従う、別の付加的なリセット信号。
【図１０】本発明に従う、別の付加的なリセット信号。
【符号の説明】
１０ ミラー要素
１１ ミラー
１２ 捩りヒンジ
１３ ヒンジ支柱
１４ 番地電極
１５ 番地電極支柱
１７ ヨーク
１８ 基板
１９ 着地位置
２０ ミラー要素
２１ ミラー
２２ ヒンジ
２３ ヒンジ支柱
２６ 番地電極
２７ 着地パッド
２８ 基板
【発明の属する技術分野】
本発明はデジタルマイクロミラーデバイスに関するものであり、更に詳細にはそのようなデバイスのミラー要素をリセットするための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気−機械技術分野での最近の進展は、各種メカニカルデバイスの超小型化にある。そのようなデバイスの代表的なものは、小型のギア、レバー、およびバルブである。これら”マイクロメカニカル”デバイスは、しばしば電気的な制御回路とともに、集積回路技術を使用して作製される。一般的な用途としては加速度計、圧力センサー、およびアクチュエーターが含まれる。別の１つの例として、マイクロメカニカル反射性ミラー要素から空間光変調器が構成される。
【０００３】
マイクロメカニカルデバイスの１つの型はデジタル・マイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）であって、それは変形可能なミラーデバイスと呼ばれることもある。ＤＭＤは数百または数千個の傾くことのできる小さいミラーを含むアレイを有する。ＤＭＤへ入射する光は、結像面へ向かって各ミラーによって選択的に反射されて像を形成するか、もしくはその方向から反れて反射される。ミラーの傾斜を許容するために、各ミラーは１個または複数個の捩りヒンジへ取り付けられている。ミラーは下層の制御回路の上方へ空隙によって隔てられている。この制御回路は、番地電極を介して、各ミラーの選択的な傾斜を引き起こす静電的な力を供給する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ＤＭＤの最適な動作のためには、各ミラーは必要な時にそれの未傾斜（平衡）位置へ迅速に復帰できる必要がある。着地（ランディング）表面での与えられた付着力に対して、ミラーを着地状態から解放するヒンジの復帰力を定義することが可能である。しかし、その他のシステム上の条件、例えばＤＭＤを比較的低電圧で動作させたいという要求などのために、番地信号を除去したらすべてのミラーが自動的にリセットされるようなところまでヒンジの剛性を高めることは実際的でない。
【０００５】
このように、不必要に大きなヒンジ剛性を持たせることなしに、ミラーのリセットを助けるために、特別なリセット電圧を伴ったバイアス信号が番地電極に対して供給されるようになった。テキサスインスツルメンツ社に譲渡された”空間光変調器およびその方法（Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ
ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ）”と題する米国特許第５，０９６，２７９号はリセットパルス信号の使用について述べている。過去には、単一のパルス信号と多重パルス信号の両方が試みられた。いずれも完全に満足できる結果をもたらすことはできなかった。
【０００６】
効率的なＤＭＤ画素リセット信号であるためには２つの基準をクリアしなければならない。付着力を克服するのに十分効率的な波形でなければならない。そして瞬き（ｔｗｉｎｋｌｉｎｇ）のような視覚効果を免れるものであるべきである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の１つの態様は、マイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）のミラーをリセットする方法である。更に一般的には、本発明は任意のマイクロメカニカルデバイスの可動要素をリセットする方法であり、そこにおいて前記可動要素はスイッチ可能な番地電圧手段によって着地表面に引き付けられるようになっている。正または負のバイアス電圧が前記可動要素と着地表面とに供給される。このバイアス電圧は番地電圧のスイッチング中に取り除かれる。しかし、バイアス電圧が除去される前に、リセット信号が前記バイアス電圧に加えられる。このリセット信号は前記バイアス電圧と比べて小さい振幅を有する複数パルスを含んでおり、またその周波数は可動要素の共鳴周波数と本質的に同じになっている。このリセット信号は、前記バイアスの方向と同じ極性を有し、他のパルスよりも大きい振幅を有する最終インパルスを含んでいても、含んでいなくてもよい。
【０００８】
本発明の特長は、未付着ミラーに関して、単一パルスリセット法よりも単位電圧当たりの効率が高いということである。従って、リセット電圧は高い必要はない。同時に、本リセット信号は他のパルスリセット法において発生する好ましくない”瞬き効果”を回避することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
一例として、以下の説明は、しばしば”変形可能なミラーデバイス”と呼ばれる、特別な型のマイクロメカニカルデバイス、”デジタルマイクロミラーデバイス”（ＤＭＤ）に関して行う。従来の技術の項で述べたように、ＤＭＤは、各々制御回路基板の上方に支えられた小さなヒンジ止めされたミラーを含んでいる。本発明は、ミラーが傾いた後に、ミラーをそれらの平衡位置へ復帰させるためのリセットパルスを供給する進歩した方法を指向している。しかし、この同じ概念は、静電的な引力に応答して移動する可動要素を有する任意のマイクロメカニカルデバイスに対して適用できよう。
【００１０】
ＤＭＤの１つの用途として像の形成がある。そこにおいて、ＤＭＤは結像面の方向へ選択的に光を反射させるように働く偏向可能なミラーのアレイを含んでいる。ＤＭＤによって形成される像はディスプレイシステムやノンインパクトプリント用として利用できる。光学的ステアリング、光学的スイッチング、および加速度計のような像形成を含まないＤＭＤのその他の用途も可能である。それらの用途のうち、いくつかの応用においては、”ミラー”は必ずしも反射性のものでなくてよい。更に、いくつかの応用においては、ＤＭＤはデジタルモードではなく、アナログモードで動かされる。一般に、ここでは、”ＤＭＤ”という用語は、少なくとも１つのヒンジ止めされた偏向可能な要素を基板から空隙で隔てられて有し、前記要素が前記基板に相対的に移動するようになった任意の型のマイクロメカニカルデバイスを含むものとして用いられている。
【００１１】
図１はＤＭＤの単一のミラー要素１０の展開された鳥瞰図である。図１で、ミラー１１は未偏向位置にあるが、矢印で示されたように、それの捩りヒンジ１２のおかげで２つの方向のいずれかへ偏向できるようになっている。上で説明したように、いろんなＤＭＤの用途において、このようなミラー要素１０を単独で、あるいはアレイ状で用いることになろう。
【００１２】
図１のミラー要素１０は、”ヒンジが隠れた”ミラー要素として知られている。その他の型のミラー要素１０には、図２に関して以下で述べるような”捩り梁”型のものが含まれ、そこにおいては、ミラーは、ヒンジの取り付けられているヨーク上の代わりに、直接ヒンジに取り付けられている。”空間光変調器およびその方法（Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ）”と題する米国特許第４，６６２，７４６号、”空間光変調器（Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）”と題する米国特許第４，９５６，６１０号、”空間光変調器およびその方法（Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ）”と題する米国特許第５，０６１，０４９号、”多重レベルの変形可能なミラーデバイス（Ｍｕｌｔｉ−ｌｅｖｅｌＤｅｆｏｒｍａｂｌｅ Ｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）”と題する米国特許第５，０８３，８５７号、および”進歩した多重レベルデジタルマイクロミラーデバイス（Ｉｍｐｒｏｖｅｄ ＭｕｌｔｉＬｅｖｅｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）”と題する米国特許出願第０８／１７１，３０３号には各種の型のＤＭＤが述べられている。これらの特許はすべてテキサスインスツルメンツ社に譲渡されており、ここに参考のために引用する。
【００１３】
その他のヒンジが隠れたＤＭＤ設計でそうであるように、ミラー要素１０のヒンジ１２は、基板上に形成されたヒンジ支柱１３によって支えられている。番地電極１４は、ヒンジ１２およびヒンジ支柱１３と同じレベルにある番地電極支柱１５によって支えられている。
【００１４】
ミラー支柱１６はヨーク１７上に作製される。ヨーク１７は２つのヒンジ１２の各々の一端に取り付けられる。各ヒンジ１２の他端はヒンジ支柱１３へ取り付けられる。ヒンジ支柱１３および電極支柱１５はヒンジ１２、番地電極１４、およびヨーク１７を、制御バス１８ａを有する基板の上方に支えている。ミラー１１が傾斜した時に、ミラー１１の先端部は着地位置１９に接触する。番地電極１４はメモリセル（図示されていない）に対して適切な電気的接続を有しており、それはＣＭＯＳ製造技術を使用して基板１８内に形成されるのが一般的である。
【００１５】
図２は”捩り梁”型ＤＭＤのミラー要素２０を示す。ヒンジ２２は隠れておらず、ミラー２１の反対側から突き出している。ヒンジ２２はヒンジ支柱２３へ取り付けられている。番地電極２６は、傾斜するミラー２１に対して引力を及ぼし、ミラー２１は着地パッド２７に接する。ミラー要素２０はメモリセルおよび制御回路の基板２８の上方に作製される。
【００１６】
図１および図２の設計に対しては各種の変更が可能である。例えば、ヨーク１７（またはミラー２１）はノッチを設けて、ヒンジ１２（または２２）をその中にセットすることができる。ヒンジ１２（または２２）は、図１のようにヨーク１７（またはミラー２１）の側面か、あるいは図２のように隅に取り付けることができる。更に、ヒンジの取付は、対向する隅または側面に行う必要はない。ヒンジは非対称な傾斜を許容するように取り付けても構わない。
【００１７】
画像表示応用として動作する時に、そして例えば、ミラー要素のアレイを使用する場合には、光源がＤＭＤの表面を照らす。光をほぼミラー要素２０アレイの寸法に整形し、この光をそれらへ向けるためにレンズ系を使用することもできる。基板２８のメモリセル中のデータに基づく電圧が番地電極２６に供給される。ミラー２１とそれらの番地電極２６との間の静電的な引力が、番地電極２６へ選択的に電圧を印加することで作り出される。この静電的な力は各ミラー２１を約＋１０度（オン）または約−１０度（オフ）のいずれかへ傾斜させ、それによってＤＭＤの表面へ入射する光を変調する。”オン”のミラー２１から反射した光は表示光学系を経て結像面へ向かう。”オフ”ミラー２１からの光は結像面から外れて反射される。結果のパターンが像を形成する。各画像フレーム中のミラー２１が”オン”である比率がグレースケールを決定する。カラーホイール（ｃｏｌｏｒ ｗｈｅｅｌ）または３−ＤＭＤ配置の手段によって色を追加することができる。
【００１８】
等価的にミラー２１とそれの番地電極２６とがコンデンサを構成する。ミラー２１とそれの番地電極２６との間に適切な電圧が印加された時、生ずる静電的な力（引力または斥力）がミラー２１を吸引番地電極２６の方向へ傾斜させるか、あるいは排斥番地電極２６から遠ざけるように傾斜させることになる。ミラー２１はそれの端部が着地パッド２７の接するまで傾斜する。一旦、番地電極２６とミラー２１との間の静電力が取り除かれると、ヒンジ２２に蓄えられたエネルギーはミラー２１を未偏向位置へ戻そうとする復帰力を提供する。ミラー２１をそれの未偏向位置へ復帰させるのを助けるために、ミラー２１または番地電極２６に対して適当な電圧を供給してもよい。
【００１９】
図３はミラー要素１０（または２０）の一部分の模式的断面図と、それの動作電圧を示している。それの下層のメモリセルの状態に依存して、各ミラー１１（または２１）はバイアス電圧と番地電圧の組み合わせによって番地電極１４（または２６）の一方または他方へ引き寄せられる。ミラーはそれの先端部が着地位置１９（または２７）へ接するまで回転する。着地位置はバイアス電圧によってミラーと同じ電位に保たれている。相補的な番地電圧、φa および
【外１】
【００２０】
図４は番地電圧とバイアス電圧との関係を示す。番地電圧、φa および
【外２】
【００２１】
【実施例】
本発明の１つの態様は、従来のリセット信号で、特に多重パルスを使用する場合、最後のパルスの前に解放されるミラー（またはヨーク）が着地表面へ再付着できるという認識である。この再付着は”瞬き”効果として認知される。十分高い電圧の単一パルスリセット信号は瞬きを回避できるが、単一パルスの利用は非効率的で、共鳴パルスの場合よりも高い電圧が必要とされる。
【００２２】
図５は、負のバイアス電圧へ供給された場合の、本発明に従うリセット信号を示す。この実施例では、リセット信号は２つの共鳴パルスを含んでいる。リセット信号の間はバイアスは保持される。リセットパルスの振幅はバイアス電圧に比べて小さく、バイアスのレベルに近い。それらの極性はバイアスと同じで、その電圧の振幅合計が増大するようになっている。図５で、ＶR1はＶB よりも低く、ＶR2はＶB と同じである。ＶR2をＶB よりも低くすることも可能である。
【００２３】
典型的なパルス長は約２分の１マイクロ秒である。共鳴周波数はミラー要素の構造によって決定され、実験的に決定することができる。現在、テキサスインスツルメンツ社で製造されているようなＤＭＤデバイスに関する典型的な共鳴周波数は２−５ＭＨｚのオーダーである。
【００２４】
図６は別のリセット信号を示し、それはバイアス電圧が正であることを除いて図５のそれと同じである。リセットパルスは正方向の極性を有し、それはバイアスと同じである。図５と同じように、結果の合計電圧の振幅は増大する。
【００２５】
図７は本発明に従う別のリセット信号を示す。図７で、このバイアスは負で、振幅は−１２ボルトである。リセット信号は、単一インパルスと組み合わせられた共鳴励起パルスを含んでいる。これらの励起パルスはバイアス電圧付近の電圧にあって、前記インパルスは先行するパルスよりも大きい振幅を有する。このインパルスは励起パルスと同期して供給される。バイアス電圧はパルス間に供給され、インパルスによって解放される。パルスの極性は、平均の電圧がバイアスと同じになるようなものである。インパルスの極性はバイアスのそれと同じであり、その結果、バイアスよりも大きい電圧振幅が得られる。
【００２６】
例として、図７は、最後のインパルスの前に５個のパルスを有するリセット信号を示している。１２ボルトのバイアス差に対して、各パルスはバイアスよりも約２．５ボルト大きいか小さい振幅を有する。インパルスは約−１２ボルトの振幅を有し、その結果、約−２４ボルトの合計電圧が得られる。
【００２７】
図８は、図７のリセット信号中の計算された着地先端部分離力を示す。この計算は、ミラーの着地先端部が最後のインパルスの後も付着していることを仮定しており、それによって計算が容易になっている。通常の動作時には、着地先端部はインパルスによって解放されるべきで、その場合、計算の残りの部分は無効になる。バイアスに相対的なパルスの振幅と、パルスの数は、最後のインパルスまでミラー先端部に正味負の力が保持されるようなものに選ばれる。パルスからの力はミラーを着地表面から解放するのには不十分であり、従って、リセット信号が完了するまでミラーは傾斜したままに留まる。パルスから生ずる共鳴振動はエネルギーの蓄積を許容し、そのエネルギーは最後のインパルスによって解放される。この共鳴エネルギーは任意の付着ミラーが着地表面から解放されるのを促進する。一般に、与えられた振幅のパルス数が多くなればそれだけエネルギーが増大する。
【００２８】
図９は別のリセット信号を示しているが、これはリセット信号の最後にインパルスを含まないという点で図５のそれと類似している。しかし、リセット信号のパルスはバイアスの上下を変動し、従って、リセット信号中の平均電圧はバイアスレベルに保持される。
【００２９】
図１０は正のバイアスに供給されたリセット信号を示している。それ以外はこのリセット信号は図７のそれと類似している。
【００３０】
上述のリセット方式のすべてにおいて、リセット信号は２つ以上の共鳴パルスを含んでおり、それらは最後のインパルスを伴って、あるいは伴わずに、バイアスに加えられている。これらのパルスの振幅はバイアスレベル付近にある。バイアスは、もしあれば最後のインパルスまで印加される。もしあれば、最後のインパルスはバイアスと同じ方向にある。従って、もしバイアスが正であれば、インパルスの結果、正の電圧が増大することになり、もしバイアスが負であれば、インパルスの結果、負の電圧が増大することになる。これらのパルスは、正味の力をバイアスによって与えられる力付近に保ちながら、ミラーを振動モードに保つ。結果として、任意の付着ミラーはリセット信号の最後まで解放されるようにならず、従って再付着する機会を得ることはない。
【００３１】
実験結果によれば、特定のＤＭＤデバイスが特定のリセットパターンを以て最適な動作をすることが示された。例えば、図１のような”ヒンジが隠れた”デバイスに関して、図５の２パルスパターンが良好な結果を与える。図２のような”捩り梁”デバイスに関しては、３パルスパターンが良好な結果を与える。両者の場合、そのパターンは瞬きの低減とともに、効率によって評価された。
【００３２】
本発明は特定の実施例に関して説明してきたが、この説明は限定的な意味として解釈されるべきものではない。開示された実施例の各種修正が、別の実施例とともに当業者には明かになろう。従って、特許請求の範囲は、本発明の真のスコープ内に含まれるすべての修正を包含すると解釈されるべきである。
【００３３】
以上の説明に関して更に以下の項を開示する。
（１）マイクロメカニカルデバイスの可動要素をリセットする方法であって、前記可動要素が番地電圧によって着地表面の方向へ引き寄せられるようになっており、前記可動要素が既知の共鳴周波数を有しており、次の工程、
前記可動要素と前記着地表面とに対してバイアス電圧を供給すること、
前記番地電圧をスイッチングすること、
前記バイアス電圧の振幅よりも小さい振幅を有し、前記可動要素の共鳴周波数と本質的に同じ周波数を有する複数のパルスを有するリセット電圧を前記番地電圧に対して加えること、および
前記可動要素がリセットされるまで前記バイアス電圧を除去すること、
を含む方法。
【００３４】
（２）第１項記載の方法であって、前記加える工程が更に、前記リセット電圧をパルス化して、前記パルスの振幅よりも大きい振幅を有するインパルスを最後に含めることを含んでいる方法。
【００３５】
（３）第２項記載の方法であって、前記最後のインパルスが前記バイアス電圧と同じ極性を有している方法。
【００３６】
（４）第１項記載の方法であって、前記パルスが前記バイアス電圧と同じ極性を有している方法。
【００３７】
（５）第１項記載の方法であって、前記パルスが、前記リセット信号中の平均電圧が前記バイアス電圧と本質的に同じになるような極性を有している方法。
【００３８】
（６）第１項記載の方法であって、前記パルスが、前記リセット信号中の平均電圧が前記バイアス電圧の振幅よりも小さくなるような極性を有している方法。
【００３９】
（７）第１項記載の方法であって、前記マイクロメカニカルデバイスがデジタルミラーデバイスである方法。
【００４０】
（８）第７項記載の方法であって、前記リセット電圧が２個の前記パルスを有している方法。
【００４１】
（９）第７項記載の方法であって、前記リセット電圧が３個の前記パルスを有している方法。
【００４２】
（１０）デジタルマイクロミラーデバイスのミラー要素をリセットする方法であって、前記ミラー要素が前記ミラー要素下の番地電圧手段によって着地表面の方向へ傾けられるようになっており、前記ミラー要素が既知の共鳴周波数を有しており、次の工程、
前記ミラー要素と前記着地表面とに対してバイアス電圧を供給すること、
前記番地電圧をスイッチングすること、
前記バイアス電圧の振幅よりも小さい振幅を有し、前記ミラー要素の共鳴周波数と本質的に同じ周波数を有する複数のパルスを有するリセット電圧を前記番地電圧に対して加えること、および
前記可動要素がリセットされるまで前記バイアス電圧を除去すること、
を含む方法。
【００４３】
（１１）第１０項記載の方法であって、前記ＤＭＤがヒンジが隠れた型のＤＭＤであって、前記着地表面と接触する前記ミラー要素の下にヨークを有し、前記バイアス電圧が前記ヨークに与えられるようになった方法。
【００４４】
（１２）第１０項記載の方法であって、前記加える工程が更に、前記リセット電圧をパルス化することを含み、前記パルスよりも大きい振幅を持つインパルスを最後に含めることを含んでいる方法。
【００４５】
（１３）第１２項記載の方法であって、前記最後のインパルスが前記バイアス電圧と同じ極性を有している方法。
【００４６】
（１４）第１０項記載の方法であって、前記パルスが前記バイアス電圧と同じ極性を有している方法。
【００４７】
（１５）第１０項記載の方法であって、前記パルスが、前記リセット信号中の平均電圧が前記バイアス電圧と本質的に同じになるような極性を有している方法。
【００４８】
（１６）第１０項記載の方法であって、前記パルスが、前記リセット信号中の平均電圧が前記バイアス電圧の振幅よりも小さくなるような極性を有している方法。
【００４９】
（１７）第１０項記載の方法であって、前記パルスの数と振幅が、前記リセット信号の始まりにおいて前記可動要素をリセットするには不十分な力を生ずるようなものである方法。
【００５０】
（１８）第１０項記載の方法であって、前記パルスの最後のパルスの直後に前記バイアス電圧が除去されるようになった方法。
【００５１】
（１９）第１０項記載の方法であって、前記マイクロメカニカルデバイスがデジタルミラーデバイスである方法。
【００５２】
（２０）デジタルマイクロメカニカルデバイス（ＤＭＤ）１０、２０のミラー要素のミラー１１、２１をリセットする方法。ミラー要素と、それらが着地する表面とに対してバイアス電圧が供給されるが、番地電圧のスイッチングの間に除去される。（図４）。バイアスが除去される直前に、ミラーの共鳴周波数に合致する周波数で複数のパルスを含むリセット電圧がバイアス電圧へ加えられる。この結果、リセット電圧の振幅は、振動エネルギーの蓄積を許容する合計印加電圧とはなるものの、リセット信号の最後までミラーを付着から解放するには不十分なものである。言い替えれば、リセット電圧の振幅はバイアス電圧のそれと比べて小さい。（図５−図１０）。
【図面の簡単な説明】
【図１】デジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）のヒンジが隠れた型のミラー要素の展開された鳥瞰図。
【図２】ＤＭＤの捩り梁型のミラー要素の鳥瞰図。
【図３】図１または図２のミラー要素の一部分の模式的断面図。
【図４】図３の番地電圧およびバイアス電圧と、リセット信号の時間図。
【図５】負のバイアスと一緒に用いられた、本発明に従うリセット信号。
【図６】正のバイアスと一緒に用いられた、本発明に従うリセット信号。
【図７】負のバイアスと一緒に用いられ、インパルスを含む、本発明に従う別のリセット信号。
【図８】図７のリセット信号中の着地先端部分離力。
【図９】本発明に従う、別の付加的なリセット信号。
【図１０】本発明に従う、別の付加的なリセット信号。
【符号の説明】
１０ ミラー要素
１１ ミラー
１２ 捩りヒンジ
１３ ヒンジ支柱
１４ 番地電極
１５ 番地電極支柱
１７ ヨーク
１８ 基板
１９ 着地位置
２０ ミラー要素
２１ ミラー
２２ ヒンジ
２３ ヒンジ支柱
２６ 番地電極
２７ 着地パッド
２８ 基板
Claims (2)
- マイクロメカニカルデバイスの可動要素をリセットする方法であって、前記可動要素が番地電圧によって着地表面の方向へ引き寄せられるようになっており、前記可動要素が既知の共鳴周波数を有しており、更に
前記可動要素と前記着地表面とに対して、零レベルでないバイアス電圧を一定期間供給する工程を有し、
前記番地電圧をスイッチングする工程を有し、
前記一定期間の一部の期間にのみリセット電圧を前記バイアス電圧に対して加える工程を有し、これにより、前記一定期間の一部の期間の少なくとも一部分において、前記可動要素に印加される電圧の全振幅が、前記バイアス電圧のみの振幅より大きいレベルまで増加され、その際、リセット電圧は、前記バイアス電圧の振幅よりも小さい振幅を有し、かつ、前記可動要素の共鳴周波数と本質的に同じ周波数を有する複数のパルスを有し、更に
前記リセット電圧を加える工程の後、前記可動要素がリセットされるまで前記バイアス電圧を除去する工程を有する、
マイクロメカニカルデバイスの可動要素をリセットする方法。 - 請求項１記載の方法において、前記リセット電圧を加える工程は、更に、前記リセット電圧を、前記パルスの振幅より大きい振幅の最終インパルスでパルスすることを含む方法。
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