JPH08181043A - 反復可能パターンを有するダイの製作方法及び前記ダイを有するウェーハ - Google Patents
反復可能パターンを有するダイの製作方法及び前記ダイを有するウェーハInfo
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- JPH08181043A JPH08181043A JP7253959A JP25395995A JPH08181043A JP H08181043 A JPH08181043 A JP H08181043A JP 7253959 A JP7253959 A JP 7253959A JP 25395995 A JP25395995 A JP 25395995A JP H08181043 A JPH08181043 A JP H08181043A
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハ上に集積回路デバイス用の複数のダ
イを製作する製作方法及び前記ウェーハを提供する。 【解決手段】 ウェーハ３０の短いラチチュードに対応
する短いダイ３３、及び前記ウェーハ３０の長いラチチ
ュードに対応する長いダイ３１と平行するように、前記
ウェーハ３０上に「スタッキングされた」パターンによ
り配列された異なる長さの複数のダイ３１、３２及び３
３を製作し、各ダイ３１、３２、３３には右周辺副回
路、反復する中央副回路及び右周辺副回路の同一基本パ
ターンが含まれる。前記ダイ３１、３２、３３の長さ
は、反復する中央副回路の数を変化させることにより変
更される。
イを製作する製作方法及び前記ウェーハを提供する。 【解決手段】 ウェーハ３０の短いラチチュードに対応
する短いダイ３３、及び前記ウェーハ３０の長いラチチ
ュードに対応する長いダイ３１と平行するように、前記
ウェーハ３０上に「スタッキングされた」パターンによ
り配列された異なる長さの複数のダイ３１、３２及び３
３を製作し、各ダイ３１、３２、３３には右周辺副回
路、反復する中央副回路及び右周辺副回路の同一基本パ
ターンが含まれる。前記ダイ３１、３２、３３の長さ
は、反復する中央副回路の数を変化させることにより変
更される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路に関し、
特に反復可能なパターンを有する集積回路の製造に関す
る。
特に反復可能なパターンを有する集積回路の製造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ・メカニカル空間光変調器の一
型式はディジタル・マイクロ・ミラー・デバイス（ＤＭ
Ｄ）であり、しばしば変形可能なミラー・デバイスと呼
ばれている。このＤＭＤは数百又は数千の小さな傾斜ミ
ラーのアレーを有する。ＤＭＤに入射された光は、各ミ
ラーから像平面へ選択的に反射され又は反射にされな
い。ミラーを傾斜できるようにするために、各ミラーは
１以上のヒンジに取り付けられると共に、ヒンジがサポ
ート・ポスト上に搭載され、かつ下層の制御回路からエ
ア・ギャップにより間隔が設けられている。その制御回
路は静電力を発生し、これが各ミラーを選択的に傾斜さ
せている。
型式はディジタル・マイクロ・ミラー・デバイス（ＤＭ
Ｄ）であり、しばしば変形可能なミラー・デバイスと呼
ばれている。このＤＭＤは数百又は数千の小さな傾斜ミ
ラーのアレーを有する。ＤＭＤに入射された光は、各ミ
ラーから像平面へ選択的に反射され又は反射にされな
い。ミラーを傾斜できるようにするために、各ミラーは
１以上のヒンジに取り付けられると共に、ヒンジがサポ
ート・ポスト上に搭載され、かつ下層の制御回路からエ
ア・ギャップにより間隔が設けられている。その制御回
路は静電力を発生し、これが各ミラーを選択的に傾斜さ
せている。
【０００３】電子写真用の場合には、フォトリセプタ・
ドラムを露光させる変調レーザに代わってＤＭＤを用い
ることができる。ＤＭＤに基づくプリンタ・システム
は、ＤＭＤアレーに収束される光源を用いる。ＤＭＤの
個々のミラーを制御する代わりに、レーザからの光を変
調するために用いることになっているデータ信号を利用
する。第１の偏向状態において、ＤＭＤは、各ミラーか
ら反射される光がフォトリセプタ・ドラムからの反射角
となるように、光コンポーネントに連係して配列され
る。他の偏向状態では、光の反射角が変化して、光がフ
ォトリセプタ・ドラムに向けられる。この点では、シス
テム機能が本質的に通常の電子写真印刷と同一である。
ドラムを露光させる変調レーザに代わってＤＭＤを用い
ることができる。ＤＭＤに基づくプリンタ・システム
は、ＤＭＤアレーに収束される光源を用いる。ＤＭＤの
個々のミラーを制御する代わりに、レーザからの光を変
調するために用いることになっているデータ信号を利用
する。第１の偏向状態において、ＤＭＤは、各ミラーか
ら反射される光がフォトリセプタ・ドラムからの反射角
となるように、光コンポーネントに連係して配列され
る。他の偏向状態では、光の反射角が変化して、光がフ
ォトリセプタ・ドラムに向けられる。この点では、シス
テム機能が本質的に通常の電子写真印刷と同一である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】印刷アプリケーション
用の典型的なＤＭＤアレーは、少なくともある解像度及
びイメージサイズに必要とされる数のミラー・エレメン
ト／行を有する。例えば、６００ドット／２５. ４ｍｍ
（６００ドット／インチ）を２９７. １８ｍｍ（１１．
７インチ）イメージとして印刷する解像度の場合に、Ｄ
ＭＤは少なくとも６００×１１．７、即ち７０２０ミラ
ー・エレメント／行の「長さ」を有する必要がある。
用の典型的なＤＭＤアレーは、少なくともある解像度及
びイメージサイズに必要とされる数のミラー・エレメン
ト／行を有する。例えば、６００ドット／２５. ４ｍｍ
（６００ドット／インチ）を２９７. １８ｍｍ（１１．
７インチ）イメージとして印刷する解像度の場合に、Ｄ
ＭＤは少なくとも６００×１１．７、即ち７０２０ミラ
ー・エレメント／行の「長さ」を有する必要がある。
【０００５】プリンタ応用では、ＤＭＤアレーにおける
行数は、グレースケール解像度又は欠陥補正のような種
々の動作特性に関連している。イメージは、フォトリセ
プタ・ドラムがＤＭＤに対して移動するに従って、一時
に１以上の行が露光される。典型的には、プリンタ応用
のＤＭＤアレーは、画素数／行と比較して相対的に
「幅」が狭いものであって、細長い。
行数は、グレースケール解像度又は欠陥補正のような種
々の動作特性に関連している。イメージは、フォトリセ
プタ・ドラムがＤＭＤに対して移動するに従って、一時
に１以上の行が露光される。典型的には、プリンタ応用
のＤＭＤアレーは、画素数／行と比較して相対的に
「幅」が狭いものであって、細長い。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の特徴は、
基板上に堆積された少なくとも一つの層の複数材料をパ
ターニングし、次にそのウェーハを複数個のダイに分離
することにより製作される、集積回路用ダイの製造方法
である。第１のダイにおける少なくとも一層は、前記第
１のダイが少なくとも一つの周辺副回路と、反復する中
央副回路とを有するように、ウェーハ上でパターニング
される。このパターニングのステップはその同じウェー
ハ上の多数のダイについて反復される。新しい各ダイ
は、少なくとも異なる２つの長さのうちの一つを有する
と共に、短いダイがウェーハの短い平行なラチチュード
に沿い、かつ長いダイがウェーハの長い平行なラチチュ
ードに沿っている。
基板上に堆積された少なくとも一つの層の複数材料をパ
ターニングし、次にそのウェーハを複数個のダイに分離
することにより製作される、集積回路用ダイの製造方法
である。第１のダイにおける少なくとも一層は、前記第
１のダイが少なくとも一つの周辺副回路と、反復する中
央副回路とを有するように、ウェーハ上でパターニング
される。このパターニングのステップはその同じウェー
ハ上の多数のダイについて反復される。新しい各ダイ
は、少なくとも異なる２つの長さのうちの一つを有する
と共に、短いダイがウェーハの短い平行なラチチュード
に沿い、かつ長いダイがウェーハの長い平行なラチチュ
ードに沿っている。
【０００７】ＤＭＤの製造に適用される方法の場合に、
各ダイは左周辺副回路、反復する中央副回路、及び右周
辺副回路を有する。各周辺副回路には、行アドレス・ラ
イン及びデコーダのような制御回路が含まれている。中
央副回路には、ミラー・エレメントのアレーが含まれて
いる。ダイの長さはミラー・エレメントの行の長さを変
更することにより変更される。
各ダイは左周辺副回路、反復する中央副回路、及び右周
辺副回路を有する。各周辺副回路には、行アドレス・ラ
イン及びデコーダのような制御回路が含まれている。中
央副回路には、ミラー・エレメントのアレーが含まれて
いる。ダイの長さはミラー・エレメントの行の長さを変
更することにより変更される。
【０００８】本発明の効果は、従来のシリコンウェーハ
がそのウェーハ上のＤＭＤダイの数を最大にするように
パターニングされることである。その結果、ダイのコス
ト、従って製造コストが低減される。
がそのウェーハ上のＤＭＤダイの数を最大にするように
パターニングされることである。その結果、ダイのコス
ト、従って製造コストが低減される。
【０００９】
【発明の実施の形態】例示説明のために、以下の説明は
ディジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）の製
造に関するものであるが、本発明はこれらのデバイスに
限定されるものではない。一般的に、本発明は反復可能
な複数の副回路を有する集積回路の製作に適用するもの
であり、そのダイを細長い形状に配置することができ
る。このようなデバイスの他の例には、ディジタル・メ
モリ及び液晶デバイス（ＬＣＤ）があり、それぞれは反
復する設計によりセル又は画素アレーを有する。メモリ
及びＬＣＤは、ＤＭＤのように、デバイス側に配置可能
な周辺回路を有する。
ディジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）の製
造に関するものであるが、本発明はこれらのデバイスに
限定されるものではない。一般的に、本発明は反復可能
な複数の副回路を有する集積回路の製作に適用するもの
であり、そのダイを細長い形状に配置することができ
る。このようなデバイスの他の例には、ディジタル・メ
モリ及び液晶デバイス（ＬＣＤ）があり、それぞれは反
復する設計によりセル又は画素アレーを有する。メモリ
及びＬＣＤは、ＤＭＤのように、デバイス側に配置可能
な周辺回路を有する。
【００１０】一般的に、ここでは、基板からエア・ギャ
ップにより間隔が設けられ、少なくとも一つのヒンジ付
きでかつ偏向可能な塊を有し、印加される力に応じて接
触する任意型式のマイクロ・メカニカル・デバイスを含
むように、用語「ＤＭＤ」が用いられる。本発明は、Ｄ
ＭＤの製作中に、ＤＭＤを製作するシリコン・ウェーハ
の使用を最大化させるために用いられる。
ップにより間隔が設けられ、少なくとも一つのヒンジ付
きでかつ偏向可能な塊を有し、印加される力に応じて接
触する任意型式のマイクロ・メカニカル・デバイスを含
むように、用語「ＤＭＤ」が用いられる。本発明は、Ｄ
ＭＤの製作中に、ＤＭＤを製作するシリコン・ウェーハ
の使用を最大化させるために用いられる。
【００１１】図１はミラー・エレメント１２のアレーを
有するＤＭＤ１０の一部分の平面図である。図１には、
ミラー１４と、各ミラー・エレメント１２のミラー・サ
ポート・ポスト１６とが示されている。典型的なＤＭＤ
１０では、ミラー・エレメント１２は１７ミクロン・セ
ンタにより製作される。「従来の技術」の項で説明した
ように、プリンタ応用のＤＭＤは、典型的には、細長
く、１行当りのミラー・エレメント１２の数に比較して
相対的に少ない数の行を有する。この説明例では、ＤＭ
Ｄ１０は、７０５６列（ミラー・エレメント／行）及び
６４行のミラー・エレメントを有する。これは、最大６
４露光／ドットにより６４行の一イメージを同時に露光
可能にする。
有するＤＭＤ１０の一部分の平面図である。図１には、
ミラー１４と、各ミラー・エレメント１２のミラー・サ
ポート・ポスト１６とが示されている。典型的なＤＭＤ
１０では、ミラー・エレメント１２は１７ミクロン・セ
ンタにより製作される。「従来の技術」の項で説明した
ように、プリンタ応用のＤＭＤは、典型的には、細長
く、１行当りのミラー・エレメント１２の数に比較して
相対的に少ない数の行を有する。この説明例では、ＤＭ
Ｄ１０は、７０５６列（ミラー・エレメント／行）及び
６４行のミラー・エレメントを有する。これは、最大６
４露光／ドットにより６４行の一イメージを同時に露光
可能にする。
【００１２】図２は単一のミラー・エレメント１２を展
開した斜視図である。例示のために、ＤＭＤ１０は隠れ
ヒンジ型のＤＭＤである。他のＤＭＤ設計として、ヒン
ジ２２はサポート・ポスト２３上に支持される。更に、
アドレス電極２４は、電極ポスト２５によってヒンジ２
２及びヒンジ・サポート・ポスト２３と同一レベルに支
持されている。ミラー１４はヒンジ／電極層上に製作さ
れており、ミラー・サポート・ポスト１６によって支持
されている。
開した斜視図である。例示のために、ＤＭＤ１０は隠れ
ヒンジ型のＤＭＤである。他のＤＭＤ設計として、ヒン
ジ２２はサポート・ポスト２３上に支持される。更に、
アドレス電極２４は、電極ポスト２５によってヒンジ２
２及びヒンジ・サポート・ポスト２３と同一レベルに支
持されている。ミラー１４はヒンジ／電極層上に製作さ
れており、ミラー・サポート・ポスト１６によって支持
されている。
【００１３】ミラー・サポート・ポスト１６はランディ
ング・ヨーク２１の上方に製作されている。ランディン
グ・ヨーク２１は、２つのトーション・ヒンジ２２のそ
れぞれの一端に取り付けられている。各トーション・ヒ
ンジ２２の他端は、ヒンジ・サポート・ポスト２３に取
り付けられている。アドレス電極２４は、電極サポート
・ポスト２５により支持されている。ヒンジ・サポート
・ポスト２３及び電極サポート・ポスト２５は、トーシ
ョン・ヒンジ２２と、アドレス電極２４と、制御バス２
６及びアドレス・パッド２７の上方のランディング・ヨ
ーク２１とを支持している。ミラー１４が傾けられる
と、ランディング・ヨーク２１の先端が制御バス２６に
接触する。制御バス２６及びランディング・パッド２７
は、典型的には、ＣＭＯＳ製作技術を用いて基板内に製
作されたアドレス及び制御回路の基板と電気的に適当に
接触している。
ング・ヨーク２１の上方に製作されている。ランディン
グ・ヨーク２１は、２つのトーション・ヒンジ２２のそ
れぞれの一端に取り付けられている。各トーション・ヒ
ンジ２２の他端は、ヒンジ・サポート・ポスト２３に取
り付けられている。アドレス電極２４は、電極サポート
・ポスト２５により支持されている。ヒンジ・サポート
・ポスト２３及び電極サポート・ポスト２５は、トーシ
ョン・ヒンジ２２と、アドレス電極２４と、制御バス２
６及びアドレス・パッド２７の上方のランディング・ヨ
ーク２１とを支持している。ミラー１４が傾けられる
と、ランディング・ヨーク２１の先端が制御バス２６に
接触する。制御バス２６及びランディング・パッド２７
は、典型的には、ＣＭＯＳ製作技術を用いて基板内に製
作されたアドレス及び制御回路の基板と電気的に適当に
接触している。
【００１４】本発明が有用となり得る他の型式のＤＭＤ
は、トーション・ビーム型式のものであり、そのヒンジ
は隠されることなく、ミラーの反対側から伸延してい
る。他の型式のＤＭＤはカンチレバー・ビーム型式、及
びたわみビーム型式のものである。種々のＤＭＤ型式が
「空間光変調器及び方法」と題する米国特許第４，６６
２，７４６号、「空間光変調器」と題する米国特許第
４，９５６，６１０号、「空間光変調器及び方法」と題
する米国特許第５，０６１，０４９号、「多レベル変形
可能なミラー・デバイス」と題する米国特許第５，０８
３，８５７号、及び「改良多レベル・ディジタル・マイ
クロミラー・デバイス」と題する米国特許出願第０８／
１７１，３０３号に説明されている。これらの特許はテ
キサス・インスツルメンツ（株）にそれぞれ譲受されて
おり、ここでは引用によりそれぞれ関連される。
は、トーション・ビーム型式のものであり、そのヒンジ
は隠されることなく、ミラーの反対側から伸延してい
る。他の型式のＤＭＤはカンチレバー・ビーム型式、及
びたわみビーム型式のものである。種々のＤＭＤ型式が
「空間光変調器及び方法」と題する米国特許第４，６６
２，７４６号、「空間光変調器」と題する米国特許第
４，９５６，６１０号、「空間光変調器及び方法」と題
する米国特許第５，０６１，０４９号、「多レベル変形
可能なミラー・デバイス」と題する米国特許第５，０８
３，８５７号、及び「改良多レベル・ディジタル・マイ
クロミラー・デバイス」と題する米国特許出願第０８／
１７１，３０３号に説明されている。これらの特許はテ
キサス・インスツルメンツ（株）にそれぞれ譲受されて
おり、ここでは引用によりそれぞれ関連される。
【００１５】プリンタ応用の動作では、ＤＭＤ１０の表
面が光源により照射される。レンズ系を用いて光をほぼ
ミラー・エレメント１２のアレーのサイズにシェーピン
グして、この光をミラー・エレメント１２に導くことが
できる。ミラー・サポート・ポスト１６は、トーション
・ヒンジ２２の制御によりミラー１４を回転可能にさせ
る。ミラー１４は、アドレス電極２４に適当な電圧を印
加することにより発生する静電力に応答して回転する。
ミラー１４が回転すると、ランディング・ヨーク２１が
制御バス２６に接触する。
面が光源により照射される。レンズ系を用いて光をほぼ
ミラー・エレメント１２のアレーのサイズにシェーピン
グして、この光をミラー・エレメント１２に導くことが
できる。ミラー・サポート・ポスト１６は、トーション
・ヒンジ２２の制御によりミラー１４を回転可能にさせ
る。ミラー１４は、アドレス電極２４に適当な電圧を印
加することにより発生する静電力に応答して回転する。
ミラー１４が回転すると、ランディング・ヨーク２１が
制御バス２６に接触する。
【００１６】ＣＭＯＳ回路の下層のメモリ・セルにおけ
るデータに基づく電圧は、ミラー１４の対向する隅の下
に位置する２つのアドレス電極２４に印加される。ミラ
ー１４とこれらのアドレス電極２４との間の静電力は、
アドレス電極２４に電圧を選択的に印加することにより
発生する。この静電力は各ミラー１４を約＋１０度（オ
ン）か又は−１０度（オフ）傾斜させる。これにより、
ＤＭＤの表面に入射される光を変調する。「オン」ミラ
ー１４から反射された光は、フォトリセプタ・ドラムに
導かれる。「オフ」ミラー１４からの光は、フォトリセ
プタ・ドラムから反射される。その結果のパターンはイ
メージを形成する。テキサス・インスツルメンツ（株）
に譲受されており、ここでは引用により関連される「デ
ィジタル・マイクロミラー・プリンタ用のプロセス及び
アーキテクチャー」と題する米国特許出願第０８／０３
８，３９８号（代理人文書番号ＴＩ−１７６３２）に説
明されているように、種々のグレースケール技術を用い
ることが可能である。
るデータに基づく電圧は、ミラー１４の対向する隅の下
に位置する２つのアドレス電極２４に印加される。ミラ
ー１４とこれらのアドレス電極２４との間の静電力は、
アドレス電極２４に電圧を選択的に印加することにより
発生する。この静電力は各ミラー１４を約＋１０度（オ
ン）か又は−１０度（オフ）傾斜させる。これにより、
ＤＭＤの表面に入射される光を変調する。「オン」ミラ
ー１４から反射された光は、フォトリセプタ・ドラムに
導かれる。「オフ」ミラー１４からの光は、フォトリセ
プタ・ドラムから反射される。その結果のパターンはイ
メージを形成する。テキサス・インスツルメンツ（株）
に譲受されており、ここでは引用により関連される「デ
ィジタル・マイクロミラー・プリンタ用のプロセス及び
アーキテクチャー」と題する米国特許出願第０８／０３
８，３９８号（代理人文書番号ＴＩ−１７６３２）に説
明されているように、種々のグレースケール技術を用い
ることが可能である。
【００１７】実際において、ミラー１４及びそのアドレ
ス電極２４はコンデンサを形成している。ミラー１４及
びそのアドレス電極２４に適当な電圧が印加されると、
その結果の静電力（吸引力又は反発力）は、吸引するア
ドレス電極２４に向かって又は反発するアドレス電極２
４から遠ざけてミラー１４を傾斜させる。ミラー１４
は、ランディング・ヨーク２１が制御バス２６に接触す
るまで傾斜する。
ス電極２４はコンデンサを形成している。ミラー１４及
びそのアドレス電極２４に適当な電圧が印加されると、
その結果の静電力（吸引力又は反発力）は、吸引するア
ドレス電極２４に向かって又は反発するアドレス電極２
４から遠ざけてミラー１４を傾斜させる。ミラー１４
は、ランディング・ヨーク２１が制御バス２６に接触す
るまで傾斜する。
【００１８】アドレス電極２４とミラー１４との間の静
電力が除去されると、トーション・ヒンジ２２に蓄積さ
れたエネルギが復帰力を発生してミラー１４を非偏向位
置へ復帰させる。適当な電圧をミラー１４又はアドレス
電極２４に印加してミラー１４がその非偏向位置へ復帰
するのを促進させてもよい。
電力が除去されると、トーション・ヒンジ２２に蓄積さ
れたエネルギが復帰力を発生してミラー１４を非偏向位
置へ復帰させる。適当な電圧をミラー１４又はアドレス
電極２４に印加してミラー１４がその非偏向位置へ復帰
するのを促進させてもよい。
【００１９】図３は本発明の方法の特徴を示すものであ
って、この方法はウェーハ上にＤＭＤダイを製作する方
法である。図３は、複数のチップに切断すべく準備済み
のダイに製作したウェーハ３０の平面図である。ウェー
ハ３０は、図１及び図２に示すＤＭＤ１０の複数層に対
応する多数層として製作されたものである。この製作
は、基板の上方へ一度に一層ずつ、各層をパターニング
することにより達成される。パターニングとは、基板上
に集積回路を製作するために通常用いる露光及びエッチ
ングを含む、種々のフォトリソグラフィステップを意味
する。レチクルは、図４に関連して以下で説明するよう
に、露光ステップにおいて典型的に用いられる。
って、この方法はウェーハ上にＤＭＤダイを製作する方
法である。図３は、複数のチップに切断すべく準備済み
のダイに製作したウェーハ３０の平面図である。ウェー
ハ３０は、図１及び図２に示すＤＭＤ１０の複数層に対
応する多数層として製作されたものである。この製作
は、基板の上方へ一度に一層ずつ、各層をパターニング
することにより達成される。パターニングとは、基板上
に集積回路を製作するために通常用いる露光及びエッチ
ングを含む、種々のフォトリソグラフィステップを意味
する。レチクルは、図４に関連して以下で説明するよう
に、露光ステップにおいて典型的に用いられる。
【００２０】この説明例では、ウェーハ３０上のダイは
「隠れヒンジ」型ＤＭＤ用のものである。前述の「多レ
ベル」ＤＭＤ特許及び特許出願は、これらのパターニン
グ・ステップを説明している。典型的な隠れヒンジ製作
プロセスには、異なる多数の層をパターニングすること
が含まれている。
「隠れヒンジ」型ＤＭＤ用のものである。前述の「多レ
ベル」ＤＭＤ特許及び特許出願は、これらのパターニン
グ・ステップを説明している。典型的な隠れヒンジ製作
プロセスには、異なる多数の層をパターニングすること
が含まれている。
【００２１】ウェーハ３０は通常の６インチ（１５２.
４ｍｍ）ウェーハである。そのダイはウェーハ３０の直
径に沿ってストリップ状に配列されている。これらのダ
イは多数の長さのうちの一つを有するものでよく、異な
る長さは異なるサイズのＤＭＤアレーのためである。こ
の説明例では、ウェーハ３０を異なるサイズの３つのダ
イによりパターン化し、かつ各ダイのサイズは異なるＤ
ＭＤアレーサイズを表している。
４ｍｍ）ウェーハである。そのダイはウェーハ３０の直
径に沿ってストリップ状に配列されている。これらのダ
イは多数の長さのうちの一つを有するものでよく、異な
る長さは異なるサイズのＤＭＤアレーのためである。こ
の説明例では、ウェーハ３０を異なるサイズの３つのダ
イによりパターン化し、かつ各ダイのサイズは異なるＤ
ＭＤアレーサイズを表している。
【００２２】第１セットのＤＭＤダイ３１のサイズは
４. ９インチ×０. ２インチ（１２４. ４６ｍｍ×５.
０８ｍｍ）であり、これは６００ドット／２５. ４ｍｍ
による１１. ７インチ（２９７. １８ｍｍ）イメージに
適している。これらのダイ３１の一組は、ウェーハ３０
の中央帯に配置されている。ここでは、これらのＤＭＤ
ダイ３１を「フル・レングス」ダイと呼ぶ。この説明例
では、１２個のＤＭＤダイ３１が存在する。
４. ９インチ×０. ２インチ（１２４. ４６ｍｍ×５.
０８ｍｍ）であり、これは６００ドット／２５. ４ｍｍ
による１１. ７インチ（２９７. １８ｍｍ）イメージに
適している。これらのダイ３１の一組は、ウェーハ３０
の中央帯に配置されている。ここでは、これらのＤＭＤ
ダイ３１を「フル・レングス」ダイと呼ぶ。この説明例
では、１２個のＤＭＤダイ３１が存在する。
【００２３】第２セットのＤＭＤダイ３２のサイズは、
３. ７インチ×０. ２インチ（９３. ９８ｍｍ×５. ０
８ｍｍ）であり、これは６００ドット／２５. ４ｍｍに
よる８．５インチ（２１５. ９ｍｍ）イメージに適して
いる。これらのダイ３２は、フル・レングスのＤＭＤダ
イ３１とウェーハ３０の縁との間のウェーハ３０上に配
列されている。ここでは、これらのＤＭＤダイ３２を
「ミッド・レングス」ダイと呼ぶ。この説明例では、８
個のＤＭＤダイ３２が存在する。即ち、ＤＭＤダイ３１
の各側に４個存在する。
３. ７インチ×０. ２インチ（９３. ９８ｍｍ×５. ０
８ｍｍ）であり、これは６００ドット／２５. ４ｍｍに
よる８．５インチ（２１５. ９ｍｍ）イメージに適して
いる。これらのダイ３２は、フル・レングスのＤＭＤダ
イ３１とウェーハ３０の縁との間のウェーハ３０上に配
列されている。ここでは、これらのＤＭＤダイ３２を
「ミッド・レングス」ダイと呼ぶ。この説明例では、８
個のＤＭＤダイ３２が存在する。即ち、ＤＭＤダイ３１
の各側に４個存在する。
【００２４】第３セットのＤＭＤダイ３３のサイズは、
２．５８インチ×０. ２インチ（６５. ５３２ｍｍ×
５. ０８ｍｍ）であり、これは３００ドット／２５. ４
ｍｍによる１１. ７インチ（２９７. １８ｍｍ）イメー
ジに適している。これらのＤＭＤダイ３３は、ミッド・
レングスのダイ３２とウェーハ３０の縁との間のウェー
ハ３０上に配列されている。この説明例では、４個のダ
イ３３が存在する。即ち、ＤＭＤダイ３２の各側に２個
存在する。ここでは、これらのＤＭＤダイ３３を「ショ
ート・レングス」ダイ３３と呼ぶ。
２．５８インチ×０. ２インチ（６５. ５３２ｍｍ×
５. ０８ｍｍ）であり、これは３００ドット／２５. ４
ｍｍによる１１. ７インチ（２９７. １８ｍｍ）イメー
ジに適している。これらのＤＭＤダイ３３は、ミッド・
レングスのダイ３２とウェーハ３０の縁との間のウェー
ハ３０上に配列されている。この説明例では、４個のダ
イ３３が存在する。即ち、ＤＭＤダイ３２の各側に２個
存在する。ここでは、これらのＤＭＤダイ３３を「ショ
ート・レングス」ダイ３３と呼ぶ。
【００２５】各サイズのＤＭＤダイ３１、３２及び３３
はウェーハ３０上で同一の方向性を有する。換言すれ
ば、ミラー・エレメント１２の行の全てのダイは、平行
である。
はウェーハ３０上で同一の方向性を有する。換言すれ
ば、ミラー・エレメント１２の行の全てのダイは、平行
である。
【００２６】従って、ＤＭＤダイ３１、３２及び３３
は、ウェーハ３０の平行なラチチュードが低下するに従
って、ダイが短くなるように、ウェーハ３０の直径から
外側へ「スタッキング」される。この説明例では、ウェ
ーハ３０が異なるサイズの３つのダイを有するが、同一
の考えを異なるサイズの２個のみ、又は異なる３以上の
サイズに適用してもよい。共通する特徴は、ウェーハ３
０の異なる平行なラチチュードに対応するダイの「スタ
ッキング」となる。
は、ウェーハ３０の平行なラチチュードが低下するに従
って、ダイが短くなるように、ウェーハ３０の直径から
外側へ「スタッキング」される。この説明例では、ウェ
ーハ３０が異なるサイズの３つのダイを有するが、同一
の考えを異なるサイズの２個のみ、又は異なる３以上の
サイズに適用してもよい。共通する特徴は、ウェーハ３
０の異なる平行なラチチュードに対応するダイの「スタ
ッキング」となる。
【００２７】本発明の特徴は、全てのＤＭＤダイ３１、
３２及び３３が同一型式の副回路を有することである。
それぞれは制御回路のようなミラー・エレメント１２の
周辺の回路を含む左副回路Ｌを有する。各副回路は、更
に、多数のミラー・エレメントを含む多数の反復する中
央副回路Ｍを有する。それぞれは異なる数の中央副回路
Ｍを有するが、各Ｍコンポーネントは同一である。反復
する中央副回路Ｍは、各ダイで連続しており、全てのダ
イのサイズが等しく、かつ内部的に全てのダイが同一で
ある。それぞれは、更に、左副回路Ｌのように、周辺回
路を含む右副回路Ｒを有する。これらの数の中央副回路
Ｍを除き、ダイ３１、３２及び３３は同一である。換言
すれば、各ダイは同一の基本的なパターンを有すると共
に、反復する副回路は各ダイの長さを変更させるために
用いられる。
３２及び３３が同一型式の副回路を有することである。
それぞれは制御回路のようなミラー・エレメント１２の
周辺の回路を含む左副回路Ｌを有する。各副回路は、更
に、多数のミラー・エレメントを含む多数の反復する中
央副回路Ｍを有する。それぞれは異なる数の中央副回路
Ｍを有するが、各Ｍコンポーネントは同一である。反復
する中央副回路Ｍは、各ダイで連続しており、全てのダ
イのサイズが等しく、かつ内部的に全てのダイが同一で
ある。それぞれは、更に、左副回路Ｌのように、周辺回
路を含む右副回路Ｒを有する。これらの数の中央副回路
Ｍを除き、ダイ３１、３２及び３３は同一である。換言
すれば、各ダイは同一の基本的なパターンを有すると共
に、反復する副回路は各ダイの長さを変更させるために
用いられる。
【００２８】図４は「切断及び反復」レチクル４０を示
しており、これを例えば本発明によるＤＭＤダイ３１、
３２及び３３のパターニングに用いることもできる。レ
チクル４０は、ＤＭＤダイ３１、３２及び３３の３型式
の副回路Ｌ、Ｍ及びＲに対応する３つのマスク４１、４
２及び４３を有する。レチクル４０は、通常のレチクル
のように、ガラスのような透明な材料上にパターニング
されている。各マスク４１、４２及び４３のパターニン
グは通常の方法により達成され、各マスクはウェーハの
表面に同一パターンを転送するように光を阻止するか又
は透過させる不透明及び透明な特性のそれ自体固有なパ
ターンを有する結果となる。
しており、これを例えば本発明によるＤＭＤダイ３１、
３２及び３３のパターニングに用いることもできる。レ
チクル４０は、ＤＭＤダイ３１、３２及び３３の３型式
の副回路Ｌ、Ｍ及びＲに対応する３つのマスク４１、４
２及び４３を有する。レチクル４０は、通常のレチクル
のように、ガラスのような透明な材料上にパターニング
されている。各マスク４１、４２及び４３のパターニン
グは通常の方法により達成され、各マスクはウェーハの
表面に同一パターンを転送するように光を阻止するか又
は透過させる不透明及び透明な特性のそれ自体固有なパ
ターンを有する結果となる。
【００２９】左マスク４１は左周辺副回路Ｌ用のパター
ンを含む。反復可能マスク４２は、それぞれ反復可能な
中央副回路Ｍのパターンを含む。右マスク４３は右周辺
副回路Ｒ用のパターンを含む。周辺副回路は行アドレス
及び他の制御回路を備えることができる。
ンを含む。反復可能マスク４２は、それぞれ反復可能な
中央副回路Ｍのパターンを含む。右マスク４３は右周辺
副回路Ｒ用のパターンを含む。周辺副回路は行アドレス
及び他の制御回路を備えることができる。
【００３０】「切断及び反復」レチクルの使用について
の更なる詳細は、テキサス・インスツルメンツ（株）に
譲受され、ここでは引用により関連される「大型ダイの
フォトリソグラフィー」と題する米国特許出願第０７／
９９０，９９２号（代理人文書番号ＴＩ−１７３３２）
に説明されている。
の更なる詳細は、テキサス・インスツルメンツ（株）に
譲受され、ここでは引用により関連される「大型ダイの
フォトリソグラフィー」と題する米国特許出願第０７／
９９０，９９２号（代理人文書番号ＴＩ−１７３３２）
に説明されている。
【００３１】動作では、レチクル４０を用いてウェーハ
３０上の層の全領域を露光する。各ダイに対して、まず
レチクル４０を初期位置に配置して左マスク４１により
左周辺副回路Ｌを露光させる。この時点で左マスク４１
のみが光を透過させてウェーハ３０の表面を露光させ、
マスク４２及び４３は、遮光させるか又は阻止されるの
で、光を透過させない。
３０上の層の全領域を露光する。各ダイに対して、まず
レチクル４０を初期位置に配置して左マスク４１により
左周辺副回路Ｌを露光させる。この時点で左マスク４１
のみが光を透過させてウェーハ３０の表面を露光させ、
マスク４２及び４３は、遮光させるか又は阻止されるの
で、光を透過させない。
【００３２】次いで、レチクル４０はウェーハ３０の表
面に対して右の適当な距離へステップされて阻止される
ので、マスク４２のみがウェーハ３０に光を透過させ
る。レチクル４０は、多数回照射されかつステップされ
て、ウェーハ３０上で反復可能な中央副回路Ｍの全アレ
ーを露光させるために必要とされる回数だけ第１の反復
可能な中央副回路Ｍ、次に第２の反復可能な中央副回路
Ｍ等を露光させる。最後に、レチクル４０は右マスク４
３により右周辺副回路Ｒを露光させる位置へステップさ
れる。以上のプロセスのステップは、通常のステップと
異なり、各ステップの移動がレチクルのサイズよりもマ
スクのサイズに従ったプロセスを反復させる。更に、パ
ターンを変更するときにレチクル４０を除去する必要は
ない。
面に対して右の適当な距離へステップされて阻止される
ので、マスク４２のみがウェーハ３０に光を透過させ
る。レチクル４０は、多数回照射されかつステップされ
て、ウェーハ３０上で反復可能な中央副回路Ｍの全アレ
ーを露光させるために必要とされる回数だけ第１の反復
可能な中央副回路Ｍ、次に第２の反復可能な中央副回路
Ｍ等を露光させる。最後に、レチクル４０は右マスク４
３により右周辺副回路Ｒを露光させる位置へステップさ
れる。以上のプロセスのステップは、通常のステップと
異なり、各ステップの移動がレチクルのサイズよりもマ
スクのサイズに従ったプロセスを反復させる。更に、パ
ターンを変更するときにレチクル４０を除去する必要は
ない。
【００３３】以上の説明は単一のダイ、即ち単一集積回
路デバイスに帰結するウェーハ３０の一部分に関するも
のである。同一プロセスはウェーハ３０上の各ダイにつ
いて反復される。更に、多層を有するダイの場合には、
各層に対して、典型的には、異なる層の各層について、
プロセスが反復される。
路デバイスに帰結するウェーハ３０の一部分に関するも
のである。同一プロセスはウェーハ３０上の各ダイにつ
いて反復される。更に、多層を有するダイの場合には、
各層に対して、典型的には、異なる層の各層について、
プロセスが反復される。
【００３４】特定の実施の形態を参照して本発明を説明
したが、この説明は限定的な意味で解釈されることを意
図するものではない。開示した実施の形態の種々の変更
と共に、他の実施の形態は、当該技術分野に習熟する者
に明らかである。従って、特許請求の範囲は本発明の真
の範囲に入る全ての変形を含むことを意図するものであ
る。
したが、この説明は限定的な意味で解釈されることを意
図するものではない。開示した実施の形態の種々の変更
と共に、他の実施の形態は、当該技術分野に習熟する者
に明らかである。従って、特許請求の範囲は本発明の真
の範囲に入る全ての変形を含むことを意図するものであ
る。
【００３５】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。
る。
【００３６】（１）基板上に堆積された少なくとも一つ
の物質層をパターニングし、次にそのウェーハを複数の
ダイに分離することにより製作される集積回路用のダイ
の製作方法において、第１のダイが少なくとも一つの周
辺副回路および反復する中央副回路を有するように、前
記ウェーハ上に前記第１のダイ用に前記少なくとも一つ
の層をパターニングするステップと、前記ウェーハ上の
多数のダイ用に前記パターニングするステップを反復す
るステップであって、前記各ダイが少なくとも異なる２
つの長さのうちの一つであると共に、より短いダイが前
記ウェーハのより短い平行なラチチュードに沿い、かつ
より長い方のダイが前記ウェーハのより長い平行なラチ
チュードに沿っているステップとを含む、反復可能パタ
ーンを有するダイの製作方法。
の物質層をパターニングし、次にそのウェーハを複数の
ダイに分離することにより製作される集積回路用のダイ
の製作方法において、第１のダイが少なくとも一つの周
辺副回路および反復する中央副回路を有するように、前
記ウェーハ上に前記第１のダイ用に前記少なくとも一つ
の層をパターニングするステップと、前記ウェーハ上の
多数のダイ用に前記パターニングするステップを反復す
るステップであって、前記各ダイが少なくとも異なる２
つの長さのうちの一つであると共に、より短いダイが前
記ウェーハのより短い平行なラチチュードに沿い、かつ
より長い方のダイが前記ウェーハのより長い平行なラチ
チュードに沿っているステップとを含む、反復可能パタ
ーンを有するダイの製作方法。
【００３７】（２）前記各ダイは左周辺副回路及び右周
辺副回路を有することを特徴とする第１項記載の反復可
能パターンを有するダイの製作方法。
辺副回路を有することを特徴とする第１項記載の反復可
能パターンを有するダイの製作方法。
【００３８】（３）前記集積回路はディジタル・メモリ
であり、かつ前記反復する中央副回路はメモリ・セル・
アレーであることを特徴とする第１項記載の反復可能パ
ターンを有するダイの製作方法。
であり、かつ前記反復する中央副回路はメモリ・セル・
アレーであることを特徴とする第１項記載の反復可能パ
ターンを有するダイの製作方法。
【００３９】（４）前記集積回路はディジタル・マイク
ロ・ミラー・デバイスであり、かつ前記反復する中央副
回路はミラー・エレメント・アレーであることを特徴と
する第１項記載の反復可能パターンを有するダイの製作
方法。
ロ・ミラー・デバイスであり、かつ前記反復する中央副
回路はミラー・エレメント・アレーであることを特徴と
する第１項記載の反復可能パターンを有するダイの製作
方法。
【００４０】（５）前記パターニングするステップは前
記ウェーハの各層用の単一のレチクルにより実行され、
前記レチクルは前記ウェーハの各副回路の層に対応する
マスクを有することを特徴とする第１項記載の反復可能
パターンを有するダイの製作方法。
記ウェーハの各層用の単一のレチクルにより実行され、
前記レチクルは前記ウェーハの各副回路の層に対応する
マスクを有することを特徴とする第１項記載の反復可能
パターンを有するダイの製作方法。
【００４１】（６）前記異なる長さは前記中央副回路の
数を異にすることにより達成されることを特徴とする第
１項記載の反復可能パターンを有するダイの製作方法。
数を異にすることにより達成されることを特徴とする第
１項記載の反復可能パターンを有するダイの製作方法。
【００４２】（７）プリンタ用のディジタル・マイクロ
・ミラー・デバイスのための複数のダイを有し、各ダイ
がミラー・エレメントの細長いアレー及び少なくとも一
つの周辺副回路を表す、ウェーハにおいて、前記ウェー
ハが多数のダイを有すると共に、各ダイが前記ウェーハ
上で平行する少なくとも異なる２つの長さのうちの一つ
を有すると共に、より短いダイが前記ウェーハのより短
い平行なラチチュードに沿い、より長いダイが前記ウェ
ーハのより長いラチチュードに沿うように、かつ前記各
ダイが左周辺副回路、ミラー・エレメントからなる一連
の反復する中央副回路及び右周辺副回路の同一基本パタ
ーンを有する、前記ダイの配列を含むことを特徴とする
ウェーハ。
・ミラー・デバイスのための複数のダイを有し、各ダイ
がミラー・エレメントの細長いアレー及び少なくとも一
つの周辺副回路を表す、ウェーハにおいて、前記ウェー
ハが多数のダイを有すると共に、各ダイが前記ウェーハ
上で平行する少なくとも異なる２つの長さのうちの一つ
を有すると共に、より短いダイが前記ウェーハのより短
い平行なラチチュードに沿い、より長いダイが前記ウェ
ーハのより長いラチチュードに沿うように、かつ前記各
ダイが左周辺副回路、ミラー・エレメントからなる一連
の反復する中央副回路及び右周辺副回路の同一基本パタ
ーンを有する、前記ダイの配列を含むことを特徴とする
ウェーハ。
【００４３】（８）前記ウェーハは、異なる２つの長さ
のダイであって、各長さについて多数のダイを有するこ
とを特徴とする第７項記載のウェーハ。
のダイであって、各長さについて多数のダイを有するこ
とを特徴とする第７項記載のウェーハ。
【００４４】（９）前記ウェーハは異なる２以上の長さ
のダイを有することを特徴とする第７項記載のウェー
ハ。
のダイを有することを特徴とする第７項記載のウェー
ハ。
【００４５】（１０）前記異なる長さは前記反復する中
央副回路の異なる数に対応することを特徴とする第７項
記載のウェーハ。
央副回路の異なる数に対応することを特徴とする第７項
記載のウェーハ。
【００４６】（１１）ウェーハ３０上に集積回路デバイ
ス１０用の複数のダイ３１、３２、３３を製作する改良
方法。単一のウェーハ３０を用いて異なる長さの複数の
ダイ３１、３２及び３３を製作する。前記ダイ３１、３
２及び３３は、前記ウェーハ３０のより短いラチチュー
ドに対応するより短いダイ３３、及び前記ウェーハ３０
のより長いラチチュードに対応するより長いダイ３１と
平行するように、前記ウェーハ３０上に「スタッキング
された」パターンにより配列される。各ダイ３１、３
２、３３は、右周辺副回路、反復する中央副回路及び右
周辺副回路の同一基本パターンを有する。異なる長さの
前記ダイ３１、３２、３３は、反復する中央副回路の数
を変更させることにより達成される。
ス１０用の複数のダイ３１、３２、３３を製作する改良
方法。単一のウェーハ３０を用いて異なる長さの複数の
ダイ３１、３２及び３３を製作する。前記ダイ３１、３
２及び３３は、前記ウェーハ３０のより短いラチチュー
ドに対応するより短いダイ３３、及び前記ウェーハ３０
のより長いラチチュードに対応するより長いダイ３１と
平行するように、前記ウェーハ３０上に「スタッキング
された」パターンにより配列される。各ダイ３１、３
２、３３は、右周辺副回路、反復する中央副回路及び右
周辺副回路の同一基本パターンを有する。異なる長さの
前記ダイ３１、３２、３３は、反復する中央副回路の数
を変更させることにより達成される。
【図１】本発明により製作されたディジタル・マイクロ
・ミラー・デバイス（ＤＭＤ）を示す図。
・ミラー・デバイス（ＤＭＤ）を示す図。
【図２】本発明により製作されたディジタル・マイクロ
・ミラー・デバイス（ＤＭＤ）を示す図。
・ミラー・デバイス（ＤＭＤ）を示す図。
【図３】本発明によりＤＭＤダイが製作されるウェーハ
を示す図。
を示す図。
【図４】図３のウェーハの製作に用いられるような「切
断及び反復」レチクルを示す図。
断及び反復」レチクルを示す図。
１０ ディジタル・マイクロ・ミラー・デバイス（ＤＭ
Ｄ） １２ ミラー・エレメント・アレー １４ ミラー １６ ミラー・サポート・ポスト ３０ ウェーハ ３１、３２、３３ ダイ ４１、４２、４３ マスク Ｌ 右周辺副回路 Ｍ 中央副回路 Ｒ 右周辺副回路
Ｄ） １２ ミラー・エレメント・アレー １４ ミラー １６ ミラー・サポート・ポスト ３０ ウェーハ ３１、３２、３３ ダイ ４１、４２、４３ マスク Ｌ 右周辺副回路 Ｍ 中央副回路 Ｒ 右周辺副回路
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に堆積された少なくとも一つの物
質層をパターニングし、次にそのウェーハを複数のダイ
に分離することにより製作される集積回路用のダイの製
作方法において、 第１のダイが少なくとも一つの周辺副回路および反復す
る中央副回路を有するように、前記ウェーハ上に前記第
１のダイ用に前記少なくとも一つの層をパターニングす
るステップと、 前記ウェーハ上の多数のダイ用に前記パターニングする
ステップを反復するステップであって、前記各ダイが少
なくとも異なる２つの長さのうちの一つであると共に、
より短いダイが前記ウェーハのより短い平行なラチチュ
ードに沿い、かつより長い方のダイが前記ウェーハのよ
り長い平行なラチチュードに沿っているステップとを含
む、反復可能パターンを有するダイの製作方法。 - 【請求項２】 プリンタ用のディジタル・マイクロ・ミ
ラー・デバイスのための複数のダイを有し、各ダイがミ
ラー・エレメントの細長いアレー及び少なくとも一つの
周辺副回路を表す、ウェーハにおいて、 前記ウェーハが多数のダイを有すると共に、各ダイが前
記ウェーハ上で平行する少なくとも異なる２つの長さの
うちの一つを有すると共に、より短いダイが前記ウェー
ハのより短い平行なラチチュードに沿い、より長いダイ
が前記ウェーハのより長い平行なラチチュードに沿うよ
うに、かつ前記各ダイが左周辺副回路、ミラー・エレメ
ントからなる一連の反復する中央副回路及び右周辺副回
路の同一基本パターンを有する、前記ダイの配列を含む
ことを特徴とするウェーハ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US31564094A | 1994-09-30 | 1994-09-30 | |
| US315640 | 1994-09-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181043A true JPH08181043A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=23225375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7253959A Pending JPH08181043A (ja) | 1994-09-30 | 1995-09-29 | 反復可能パターンを有するダイの製作方法及び前記ダイを有するウェーハ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0709740A1 (ja) |
| JP (1) | JPH08181043A (ja) |
| KR (1) | KR960012282A (ja) |
| TW (1) | TW367628B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5719605A (en) * | 1996-11-20 | 1998-02-17 | Lexmark International, Inc. | Large array heater chips for thermal ink jet printheads |
| US6270947B2 (en) * | 1999-04-30 | 2001-08-07 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for reducing non-uniformity area effects in the manufacture of semiconductor devices |
| US6522940B1 (en) * | 1999-12-28 | 2003-02-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and system for varying die shape to increase wafer productivity |
| US6374398B1 (en) * | 1999-12-28 | 2002-04-16 | Vlsi Technology, Inc. | Efficient database for die-per-wafer computations |
| JP2006041005A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子形成領域の配置決定方法及び装置、半導体素子形成領域の配置決定用プログラム、並びに半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE795368A (fr) | 1972-02-17 | 1973-05-29 | Appel Carl | Panneau de facade et procede pour sa fabrication |
| JPS5658234A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-21 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
| DE3048362A1 (de) * | 1980-12-20 | 1982-07-29 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | "verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen" |
| JPS59117215A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体ウエ−ハ |
| JPS59220947A (ja) * | 1983-05-30 | 1984-12-12 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US4662746A (en) | 1985-10-30 | 1987-05-05 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
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- 1995-11-14 TW TW084111989A patent/TW367628B/zh active
Also Published As
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