CN100458568C - 用于对工件构图的方法和装置以及制造该装置的方法 - Google Patents

Abstract

一种用于对工件构图的装置包括源、适于利用相移板和阶跃高差中的至少之一来引起相位差的至少一反射倾斜表面。一种对应于对工件构图的装置的方法。一种制造对工件构图的装置和其中所包括的空间光调制器的方法。

Description

用于对工件构图的方法和装置以及制造该装置的方法

技术领域

本发明的实施例涉及光刻(lithography)。

背景技术

在传统的光刻系统中，空间光调制器(SLM)可以用于图案形成。传统的SLM可包括倾斜平面微镜。为了在工件上形成图案，微镜可被倾斜。传统光刻系统的写入质量可取决于微镜的平面度。例如，微镜的平面度降低，写入质量可随着降低。一个或多个微镜的平面度的提高可提供更高质量的图案形成。例如，一个或多个微镜具有更高的平面度，写入质量可以提高。然而，较高的平面度(例如，极高或理想的平面度)难以实现和/或成本不合适。

传统的倾斜微镜也可有降低的负振幅(negative amplitude)的量。负振幅是有用的，因为能提高分辨率。例如，全部或基本全部的负振幅可以用于例如在步进器技术的掩模上的无铬相位光刻。全部或基本全部的负振幅能够有更强的相移效果，其可以导致分辨率提高。

发明内容

在本发明的实施例中，在电磁辐射中从倾斜微镜引入的相位差可以将可寻址振幅范围扩大到例如除了全部或基本全部正振幅之外也包括全部和基本全部负振幅。这样能够实现全部或基本全部的相移分辨率提高技术。

在本发明的实施例中，在倾斜轴周围的平均形式作为倾斜微镜的非平面性的缺陷。这种平均形式会造成光刻系统内对比度的降低。本发明的实施例引入相位差，可以增加为平均形式(even form)的非平面微镜的对比度。

本发明的实施例提供一种空间光调制器，其包括衬底和至少一反射面，所述反射面包括至少两部分。所述至少两部分在由该至少两部分反射的辐射之间引起相位差。相位差由相位板和所述至少两部分之间的相位阶跃高差(step height difference)中的至少之一引起。

本发明的另一实施例提供一种制造对工件构图的装置的方法。在衬底上形成传导层，传导层包括具有非传导区设置在其之间的多个传导区。在多个传导区和非传导区上形成临时层，其可包括至少一个非传导阻止器(stopper)。在临时层上形成反射层。在反射层的至少两部分上形成材料层。

本发明的另一实例提供一种制造用于空间光调制器的反射层的方法。在反射面上形成临时层。一部分临时层对辐射曝露，临时层的其余部分不被曝露。去除未曝露或已曝露(根据抗蚀剂的类型，即，负的或正的)的临时层，反射面和临时层的其余部分被覆盖转移材料(shifting material)。从一部分反射面去除临时层和所述转移材料的相关部分。

本发明的另一实例提供一种对工件构图的方法。该方法包括：产生辐射，在所产生的辐射的至少第一部分和第二部分之间引起相位差，将所述辐射的至少第一部分和第二部分照射在工件上，利用所述辐射的第一和第二部分在工件上形成图案。

本发明的另一实例提供一种用于对工件构图的装置。该装置包括源和至少一反射器件。所述源可产生辐射，所述至少一反射器件可以在工件上形成图案并且引起辐射的相位差。相位差由相移板和阶跃高差中的至少之一引起。

在本发明的实施例中，在工件上的所述至少两部分的辐射之间的相位差例如是辐射的波长的一半或λ/2±n*λ，其中λ是电磁辐射的波长，n是自然数(例如，0，1，2，…)。

在本发明的实施例中，相位阶跃高差是辐射的波长的四分之一或λ/4±(n*λ/2)，其中λ是电磁辐射的波长，n是自然数(例如，0，1，2，…)。

在本发明的实施例中，至少一反射面是反射镜。

在本发明的实施例中，至少一反射镜是平面或非平面反射镜。

在本发明的实施例中，多个反射面是可倾斜的。

在本发明的实施例中，辐射是电磁辐射和/或紫外辐射和极紫外辐射的至少之一。

在本发明的实施例中，至少一相位板是透射的或反射的。

在本发明的实施例中，多个反射面中的至少之一的至少两部分是相邻的。

在本发明的实施例中，临时层包括光致抗蚀剂材料。

在本发明的实施例中，未曝露或已曝露(其根据抗蚀剂的类型，即，负的或正的)敏感层的去除还包括应用液体溶剂和溶解未曝露或已曝露(根据抗蚀剂的类型，即，负的或正的)的临时层。

在本发明的实施例中，临时层还包括电磁敏感材料。

在本发明的实施例中，辐射是光波形式。

在本发明的实施例中，至少一反射器件还包括反射所述辐射的第一部分和第二部分，由第一部分所反射的辐射与由第二部分所反射的辐射相位不同。

在本发明的实施例中，第一部分和第二部分具有不同的相位阶跃高差。

在本发明的实施例中，第一部分的阶跃高度与第二部分的阶跃高度的值不同，其例如等于或基本等于辐射的波长的四分之一。

附图说明

参照附图，本发明的实施例将更清楚，其中：

图1表示根据本发明用于对工件构图的装置的实施例；

图2A-2D表示根据本发明的改型反射器件的实施例；

图3表示根据本发明的反射器件的另一实施例；

图4表示根据本发明的反射器件的另一实施例，其中包括阶跃高差；

图5A-5E表示沿图3的剖面线A的剖面图所示的制造方法的实施例；

图6A-6G表示沿图3的剖面线B的剖面图所示的制造方法的实施例；和

图7A-7E表示制造方法的实施例的顶视图。

具体实施方式

参照表示本发明实施例的附图更完整地描述本发明的实施例。但是，应该理解，不脱离本发明的精神和范围，可以就形式和内容修改在此描述的本发明的实施例。因此，在此描述的实施例作为实例被提供，而不作为限制，本发明的范围不限于在此描述的具体实施例。

具体地说，为了清楚起见，层或区域的相对厚度和定位可以缩小或放大。另外，当直接在参考层或衬底的任一个形成时，或在覆盖参考层的另一层或图案上形成时，层被认为是“在”另一层或衬底上形成。

参照图1，用于在工件上形成图案的系统包括根据本发明实施例的图案发生器。图案发生器包括SLM 1，其包括单独和/或多值像素寻址，源2，成像系统3(例如，成像光学系统)、和硬件和/或软件数据处理系统4。系统还包括例如带有控制系统6的台架5。

SLM 1包括反射器件(即，微型机械镜或微镜)。例如，反射SLM依靠微型机械镜。微型机械镜利用压电和/或电致伸缩驱动。

SLM 1被源2照射。源2可以是KrF受激准分子激光器，其提供在248纳米波长的UV区域的10-20纳秒的长辐射闪光，具有对应于受激准分子激光器自然线宽的带宽。为了减小在衬底上的图案变形，来自源2的辐射分布(例如，均匀地分布)在SLM 1表面的表面上，并且光具有在衬底5上不产生激光光斑的相干长度。

图1的系统具有台架5(例如，精确定位的衬底台架)，并且包括控制系统6(例如，干涉仪位置控制系统)。在第一方向(例如，y方向(未示出))，机械系统(例如，伺服系统)可以保持台架在一位置，在垂直于第一方向的第二方向(例如，x方向)，台架例如可以用持续的速度移动(例如，机械移动)。用于沿x方向触发所述曝光激光闪光的控制系统6可以提供均匀或基本均匀的在衬底5上的SLM 1的图像之间的位置。当衬底5上的一行SLM图像被曝光时，衬底沿x方向返回到原始位置和沿y方向移动一个SLM图像的增量，曝光衬底5上的另一行SLM图像。重复这个程序，一直到衬底5上的全部或基本上全部图像被曝光。例如，该表面被写入多次并且可以求出平均误差值。

SLM 1包括多个反射器件(例如，微镜)。操纵(例如，电操纵)反射器件，以根据施加(例如，单独施加)到反射器件的电压，反射和/或衍射沿多个方向进入的辐射。

本发明的实施例提供改变反射器件(例如，微镜)的形状、例如实现相移寻址的方法。改型的反射器件用于图1所述的SLM 1的实施例。例如，本发明的实施例提供在SLM 1的实施例的反射器件内的阶跃高差的制造方法。

图2A-2D表示改型反射器件400、406、408、410的实施例，其被包括在SLM 1的实施例中，其还被包括在根据本发明的用于对工件构图的装置的实施例中。关于图2A，反射器件400是平面微镜器件，其包括至少两部分400A和400B。部分400A和/或400B的每一个具有底层电极404。部分400A和部分400B每一个是反射器件400的一半，电极404是寻址电极和/或反电极。

电极404以多种方式操纵(例如，倾斜和/或变形)反射器件400，如这里所述。反射器件可反射源2照射在反射器件400上的辐射(例如，电磁辐射，光波等)。例如，源2是受激准分子激光器，如图1所示。例如，相移板402位于反射器件400和衬底5之间，衬底5例如可以是用于构图的工件。相移板402导致由部分400A反射的辐射的相移和由部分400B反射的辐射的相移。所反射的辐射之间的相位差等于或基本等于相对于另一个的辐射的波长的一半λ/2。相移板402例如由石英玻璃组成。

图2B表示本发明的另一实施例，其与图2A所描述的反射器件相似，但是，图2B包括反射器件406。反射器件406是非平面镜或类似的反射面。反射器件406例如是弯曲的，如图2B所示。例如，相移板402位于反射器件406和衬底(未示出)之间，并且导致在反射器件406的部分反射的辐射之间的相位差。例如，相位差与图2A所述的相位差相似或基本相似。尽管相移板可以由任何合适的材料组成，例如，相移板402由石英玻璃组成。

图2C表示本发明的另一实施例，其与图2B所描述的反射器件相似，但是，图2C包括反射器件408，其是倾斜的非平面镜或类似的反射器件。例如，反射器件408可以弯曲并倾斜，如上所述，另外，以任何合适的方式实现期望的相位差。例如，相移板402位于反射器件408和衬底(未示出)之间，并且导致在反射器件408的两部分反射的辐射之间的相位差。相位差与上述图2B的相位差相似或基本相似。

对于反射镜的部分相干反射光例如可以用复杂振幅反射系数来表示，对于倾斜微镜，复杂振幅反射系数通过在给定倾斜的偏转表面积分获得：

其中S是反射镜的表面，λ是波长，h是局部高度，r是局部反射。反射镜的亮度分布可以用给定偏转的复杂振幅反射系数的平方得出。在复杂振幅间隔中的复杂振幅轨迹通过结合用于反射镜偏转角的、全部或基本上全部复杂振幅反射系数来获得。例如，对于具有平衡状态(即，在反射镜的中心)的倾斜轴的平面倾斜反射镜，当以类似或基本类似于正相位方向的任何相位调制与相等或基本相等的负相位方向的相位调制抵消的方式被偏转时，反射镜可以具有对称性，其可以使平均相位平衡。平均相位可以保持全部或基本上全部的倾斜角度，该倾斜角度在复杂振幅间隔的实际值轴线导致复杂振幅轨迹。对于任何非平面的反射镜，对称性被破坏，并且复杂振幅轨迹偏离(例如，部分偏离)复杂振幅间隔的实际轴。对于非平面反射镜来说，到达的复杂振幅间隔的点R＝0+0i(即，原点)不可能没有相位阶跃。复杂振幅轨迹的虚成分(imaginary contribution)与导致光刻系统的性能降低的最终图像中保留的相位信息相同或基本相同。可获得的对比度也受影响，因为复杂振幅反射系数达不到0+0i(即，原点)，对于任何反射镜偏转角度的亮度达不到零(＝黑)，例如，当没有相位阶跃的镜是子非平面(例如，当反射镜是弯曲的)时。

如图2B和2C所示，例如，引入相位阶跃可以改变具有相对于倾斜轴可以用数学平均形式描述的形状的非倾斜非平面的状态，相位对称可以重建，反射镜两侧的虚成分相互抵消。即，复杂振幅反射系数达到0+0i(即，原点)，同时保持较高的图像对比度。相位阶跃进一步减小在整个复杂振幅轨迹例如从最小到最大亮度的最终图像的相位量，其导致提高的光刻性能。

图2D表示本发明的另一实施例，其与图2A所描述的反射器件相似。图2D表示倾斜的反射器件410，其可以是平面镜或类似的反射面。反射器件410被倾斜，如上所述，而且，以适于实现理想的相位差的在任何角度方向和大小倾斜。相移板402例如位于反射器件410和衬底(未示出)之间，并且导致在被反射器件410的两部分反射的辐射之间的相位差。该相位差与图2A所述的相位差相似或基本相似。相移板402例如由石英玻璃组成。

图3表示根据本发明的可移动微型元件800的实施例，其可以利用上述的方法实施例制造，并且包含在图1的SLM 1中。例如，可移动微型元件800是微型机械元件。例如，可移动微型元件800是SLM 1中的反射元件111。反射元件111例如用于模拟模式，以改变反射元件111的偏转程度作为电输入函数，或用于数字模式，其表示反射元件111的ON和/或OFF状态。ON或OFF状态通过增加(例如，最大)偏转和/或不偏转或基本上不偏转来限定。在本发明的实施例中，与上述区域相似和基本相似的区域111是矩形反射元件，其沿由至少一个(例如，一对)铰链60(例如，扭转铰链)的至少一个中部被支撑。

反射元件111例如是多边形、圆形、或椭圆形、或它们的任意组合。铰链60限定其中的轴线(例如，扭转轴)。铰链60从反射元件111延伸并且被支撑50支撑。支撑50搁在在衬底20和反射元件111上。铰链60、支撑50和/或衬底20由相同或基本相同的材料组成。该材料例如是硅、铝、其它金属或任何合金或它们的其它组合，例如可以利用本领域普通技术人员期望的蚀刻技术由衬底蚀刻。衬底20还包括电极(例如，导电寻址电极)40和/或电极(例如，任意的导电反电极)30。电极40和电极30与衬底20(未示出)中包括的底层电路(例如，CMOS和/或寻址电路)连接。电极30和/或电极40与存储寻址电极30和/或40的电压(例如，寻址电压)的电容器连接。

电极30和/或40在衬底20上间隔开(例如，横向)，并且静电吸引反射元件111。铰链60相对于反射元件旋转和/或扭转并且提供例如机械能形式的恢复力。当相同或基本相同的电压(例如用于接地)通过电极和/或40施加到反射元件111上时，反射元件111是在平的(例如，底层)位置，其被称为电排斥状态。电压从电极40移到电极30，反射元件111沿多个角度方向旋转。

图4表示根据本发明的改型反射器件904的实施例。例如，相移寻址通过在SLM 1上操纵反射器件的形状来实现。例如，反射元件904通过形成材料层906来改型，其对应于由一部分反射器件或器件904反射的辐射的理想相移180度或λ/2。例如，材料层利用沉积方法或任何其它合适的方法形成。在本发明的另一实施例中，材料层用另一种方法(例如，光刻、处理、或任何其它合适的处理)被去除一部分反射器件904，以获得期望的相移(未示出)。形成反射器件904，使得反射器件904的表面部分900例如高于另一部分902λ/4。

例如，相移寻址能够增加图案分辨率，而不改变光刻系统或任何其它合适的系统的其它参数。当利用寻址系统例如在-λ/4至+λ/4之间移动(例如，倾斜)部分(例如，边缘)反射器件904或410时，得到增加(例如，全部)的相移。寻址系统沿多个(例如，相反)方向倾斜反射器件，从反射镜的不同部分辐射的光或电磁辐射在相位上差λ/2±n*λ，其中n是自然数(例如，0，1，2，…)。反射镜不同部分的高度差是λ/4±(n*λ/2)，其中n是自然数(例如，0，1，2，…)，虽然n也可以是任何合适的数。没有相位阶跃的倾斜反射镜允许负振幅高达大约-0.2，其对应于大约-0.05的负亮度。这样足以实现类似或基本类似于步进器中的衰减相移的特征分辨率提高，但不能实现类似或基本类似于改变的相移掩模的相移。

关于相位阶跃反射镜，相位阶跃可消除例如来自于两个反射镜表面的振幅，并对于非偏转可导致降低(例如，很少或没有)的亮度(黑)。倾斜相位阶跃反射镜的一种方法沿正的实振幅方向提供振幅轨迹，例如，高达大约+0.7的振幅，对应于大约+0.5的亮度。沿另一方向倾斜相位阶跃反射镜例如提供大约-0.7的负振幅，对应于大约-0.5的亮度。因此，例如，相位阶跃反射镜需要没有相位阶跃反射镜的两倍大的辐射，但是允许更大的相移保持灰度。

图5A-5E表示制造微电机械系统(MEMS)的方法实例。图5A-5E是沿图3中的剖面线A获得的剖面图的实例。

关于图5A，衬底230由半导体材料(例如，硅)组成。衬底230包括互补金属氧化物半导体(CMOS)电路和区域210、212、214，其可以是金属(例如，铝、铝的其它合金、或任何合适的金属原素)，和区域220，其例如是二氧化硅。位于区域210、212、214之间的区域220可以分开(例如，隔离)区域210、212、214。例如，区域210形成与SLM1中的反射元件的连接(例如，电连接)。区域212和/或214形成与电极(例如，寻址电极)的连接(例如，电连接)，或它们自己可以构成电极。

关于图5B，在区域210、212、214和/或区域220上可以形成层240(例如，临时层)。层240由感辐射材料(例如，电磁辐射敏感材料)组成。阻止器250设置在层240之内并且对反射元件起绝缘(例如，电绝缘)作用。阻止器250将反射元件与区域210、212、214和/或电极分开，可减小短路的可能性。阻止器由非传导或绝缘材料组成，例如，二氧化硅。阻止器也可以由任何合适的绝缘材料组成。

设置在层240之间的区域245形成反射元件的支撑。例如，区域245可以是圆形、椭圆形、矩形或任何其它合适形状。在层240之间的区域245例如可以通过光刻方法或任何其它合适的方法提供。

关于图5C，在层240、在区域245、和/或区域210上形成层(例如，反射层)260。

可以施加层280，在SLM 1中的至少一个反射元件内形成阶跃高差。

关于图5D，例如，在层260和/或层280上形成光致抗蚀剂的层270。间隔285将反射元件相互分开。间隔285例如利用包括曝光、显影和/或蚀刻的任何光刻方法或其它合适的方法形成。

图5E表示SLM 1的实施例的实例。例如，利用液体溶解方法、干蚀刻方法、和任何其它合适的方法可以去除层270和/或240。

图6A-6G是沿图3的剖面线B获得的剖面图的实例。剖面图涉及驱动器。

关于图6A，例如，图示在形成阶跃高差之前，层260的反射区100的剖面图。

关于图6B，在层260上可以形成层(例如，材料层)710。例如，在层710和层260之间可以提供蚀刻阻挡层。蚀刻阻挡层可以是二氧化硅或任何其它的蚀刻阻挡材料。例如，通过溅射或本领域普通技术人员期望的任何其它传统的方法在层260上形成层710。

关于图6C，在层710上可以形成对辐射(例如，电磁辐射)敏感的层(例如，临时层)720。例如，层720可以是抗蚀剂或光致抗蚀剂。关于图6D，层720的一部分(例如，一半)722被曝露，层720的一部分(例如，一半)724没有被曝露，如上所述。

关于图6E，层720的部分724(其是没有被曝露的部分)保留在层710上，层720的部分722被去除，一部分反射区100具有未涂敷的材料层。

关于图6F，例如层710的未涂敷部分被蚀刻去除，层720从区域100去除。蚀刻方法可以是干基的、湿基的、或本领域普通技术人员想要任何其它蚀刻方法。

关于图6G，区域100包括一部分在其上形成层710的层260。在部分724上的未曝露层被液体溶剂溶解。

关于图7A，衬底230包括多个区域100(例如，反射区或像素)，其可以形成SLM 1的实施例。例如，衬底5包括在1百万与1千百万之间的区域100。区域100的边在8微米与16微米之间。在区域100之内形成阶跃高差，多个区域100彼此分开。如图7A所示，区域100用对辐射(例如，电磁辐射)敏感的层110覆盖。例如，层110可以是抗蚀剂。例如，根据任何合适的方法可以在层260上形成层110。

关于图7B，区域100的一部分(例如，一半)120对层110敏感的波长曝露。区域1000的另一部分(例如，一半)130没有被曝露。例如，利用电子束图案发生器或激光图案发生器，其中电子束(e-束)或激光束可以在衬底的表面上扫描，或利用光掩模的步进器，根据任何合适的方法进行曝露。

关于图7C，层110被曝露并且保留在区域100的部分120，层110从区域100的部分130去除。例如，可以使用正抗蚀剂，例如，使得层110在显影过程中保留在区域100的部分130。

关于图7D，部分150和部分160可以用材料层(用六角形玛赛克表示)覆盖。材料层例如通过溅射或任何合适的方法形成。在区域100的部分150中，材料层可以在曝露层110上形成。在反射区的另一部分160中，材料层在层260上形成。材料层具有一厚度，其等于或基本等于辐射的波长的四分之一λ/4。材料层厚度也可以是任何合适的厚度。例如，如果SLM 1的实施例是用作图案发生器中的调制器，例如，波长可以是248nm，溅射到区域100上的材料层的厚度例如是62nm。如果使用不同波长，可以使用在部分、例如区域100的部分150和160之间的另一阶跃高差。

关于图7E，在层110上形成的材料层例如用揭开方法(lift-off process)或任何其它合适的方法去除。区域100的部分170可以是区域100的未覆盖部分，部分160覆盖有材料层。在反射区100的部分160和部分170之间的阶跃高度可以根据产生阶跃高差的材料的需要变化。

本发明的实施例例如可以提高微光刻系统的写入质量，微光刻系统可以使用空间光调制器(SLM)。例如，本发明的实施例也可以提高微光刻系统的写入质量，微光刻系统包括非平面的反射器件(例如，反射镜，微镜等)。本发明的实施例还提高任何其它合适的系统的写入质量。

本发明的实施例，应该理解，在此所述的衬底由任何合适的材料(例如，玻璃、陶瓷、金属、合金等)，正如本领域的普通技术人员所期望的。

尽管针对紫外(UV)光描述了本发明的实施例，应该理解，具有任何合适波长、包括极紫外(EUV)的任何合适的光可以被本领域的普通技术人员利用。

尽管参照本发明的实施例具体示出和描述了本发明，本领域的普通技术人员应该理解，在没有脱离由下列权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以就形式和内容做出各种变化。

Claims (27)

1.一种空间光调制器，包括：

衬底；

至少一反射面，包括至少两部分，适于在由所述至少两部分反射的辐射之间引起相位差；其中

所述相位差由相位板和所述至少两部分之间的阶跃高差中的至少之一引起。

2.如权利要求1所述的空间光调制器，其中所述至少两部分之间的相位差是λ/2±n*λ，其中λ是所述辐射的波长，n是自然数。

3.如权利要求1所述的空间光调制器，其中所述阶跃高差是λ/4±(n*λ/2)，其中λ是所述辐射的波长，n是自然数。

4.如权利要求1所述的空间光调制器，其中所述至少一反射面是反射镜。

5.如权利要求4所述的空间光调制器，其中所述反射镜是平面镜。

6.如权利要求4所述的空间光调制器，其中所述反射镜是非平面镜。

7.如权利要求1所述的空间光调制器，其中所述反射面是可倾斜的。

8.如权利要求1所述的空间光调制器，其中所述辐射是电磁辐射。

9.如权利要求1所述的空间光调制器，其中所述辐射是紫外辐射和极紫外线辐射的至少之一。

10.如权利要求1所述的空间光调制器，其中所述相位板是透射的或反射的。

11.一种制造对工件构图的装置的方法，该方法包括：

在衬底上形成传导层，所述传导层包括具有非传导区设置在其之间的多个传导区；

在所述多个传导区和非传导区上形成临时层；

在所述临时层上形成反射层；和

在至少一部分所述反射层上形成材料层。

12.一种制造用于空间光调制器的反射层的方法，该方法包括：

在反射面上形成临时层；

将所述临时层的一部分对辐射曝露，使得部分所述反射面被曝露而所述临时层的其余部分不被曝露；

去除所述未曝露或所述已曝露的临时层；

用转移材料覆盖所述反射面和所述临时层的其余部分；和

从一部分所述反射面去除所述临时层和所述转移材料的相关部分。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述临时层包括光致抗蚀剂材料。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述未曝露或已曝露临时层的去除还包括：

应用液体溶剂，和

溶解所述未曝露或已曝露的临时层。

15.如权利要求12所述的方法，其中所述临时层还包括电磁敏感材料。

16.如权利要求12所述的方法，其中所述转移材料是透明材料。

17.如权利要求12所述的方法，其中所述转移材料是反射材料。

18.一种用于对工件构图的方法，包括：

产生辐射，包括至少第一部分和第二部分，朝工件反射至少所述第一部分和所述第二部分的辐射；

在至少所述第一部分和所述第二部分的辐射之间引起相位差；

将至少所述第一部分和所述第二部分的辐射照射在所述工件上；和

利用所述第一和第二部分的辐射在所述工件上形成图案。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述第一部分的相位与所述第二部分的相位相差λ/2±n*λ，其中λ是所述辐射的波长，n是自然数。

20.如权利要求18所述的方法，其中所述第一部分的相位与所述第二部分的相位相差λ/4±(n*λ/2)，其中λ是所述辐射的波长，n是自然数。

21.如权利要求18所述的方法，其中所述辐射是电磁辐射。

22.如权利要求18所述的方法，其中所述辐射是光波的形式。

23.一种用于对工件构图的装置，该装置包括：

适于产生辐射的源；

至少一反射器件，适于在工件上形成图案并且引起辐射的相位差；其中

所述相位差由相移板和阶跃高差中的至少之一引起。

24.如权利要求23所述的装置，其中所述至少一反射器件还包括，

适于反射所述辐射的第一部分和第二部分，由所述第一部分所反射的辐射与由所述第二部分所反射的辐射相位不同。

25.如权利要求24所述的装置，其中由所述第一部分所反射的辐射的相位与由所述第二部分所反射的辐射的相位相差λ/2±n*λ，其中λ是所述辐射的波长，n是自然数。

26.如权利要求24所述的装置，其中所述第一部分和所述第二部分具有不同的阶跃高度。

27.如权利要求26所述的装置，其中所述第一部分的阶跃高度与所述第二部分的阶跃高度的差值等于λ/4±(n*λ/2)，其中λ是所述辐射的波长，n是自然数。

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