JPH06275381A - 多色発光素子とその基板 - Google Patents
多色発光素子とその基板Info
- Publication number
- JPH06275381A JPH06275381A JP5058767A JP5876793A JPH06275381A JP H06275381 A JPH06275381 A JP H06275381A JP 5058767 A JP5058767 A JP 5058767A JP 5876793 A JP5876793 A JP 5876793A JP H06275381 A JPH06275381 A JP H06275381A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- reflective layer
- electrode
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 60
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 69
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 68
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000013522 chelant Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 5
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 4
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
- H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
し、情報通信分野において、表示素子,通信用発光デバ
イス,情報ファイル用読/書ヘッド,印刷装置などに利
用することにある。 【構成】発光機能を有する薄膜層の上下両面に反射鏡を
形成してなる微小光共振器を含み、該微小光共振器は前
記反射鏡間の光学的距離が異なる画素を少なくとも2個
以上有することを特徴とする多色発光素子。 【効果】本発明は、単一基体を用いて、簡単な構造で、
高効率の多色発光素子とその基板を提供できる。
Description
通信用発光デバイス,情報ファイル用読/書ヘッド,印
刷装置などの情報通信分野において利用される。
の発光をそのまま取出した時は、それぞれの蛍光体の種
類に応じた、1種類の発光スペクトルしか得られなかっ
た。該手段において発光の前面にカラーフィルタを形成
して発光スペクトルの一部分を取り出すことは可能であ
るが、取り出した光のピークの発光強度はカラーフィル
タなしの場合の発光スペクトルの強度より小さくなるた
め、効率の大幅な低下を招く欠点がある。例えば、酸化
錫インジウム等の透明電極を有する透明基板間に、有機
発光体と電気絶縁性の結合剤とからなる発光体を介在さ
せ、前記電極の陽極電極と発光体域との間にポルフィリ
ン系化合物層を形成した有機エレクトロルミネセンスセ
ルが提案されている(特開昭57−51781 号公報)。
する)層の熱処理の有無によるエッチングレートの差異
を利用し、互いに発光色が異なる複数種の発光体層を同
一基板上に形成することを特徴とする多色発光EL素子
が提案されている(特公平5−15037 号公報)。
いた発光素子は安価に提供できると云う特長を有してい
るが、スペクトル幅が広いために青色発光しか実現され
ておらず、特殊なディスプレイ等に限られていた。
を改善した有機発光素子を提供することにある。
素子用の基板を提供することにある。
に達成された本発明の手段は次のとおりである。
膜層の上下両面に反射鏡を形成してなる微小光共振器を
含み、該微小光共振器は前記反射鏡間の光学的距離が異
なる画素を少なくとも2個以上有することを特徴とする
多色発光素子。
からなる発光層と、該発光層の両面に形成された反射鏡
とで微小光共振器が構成され、該微小光共振器は前記反
射鏡間の光学的距離が異なる画素を少なくとも2個以上
有することを特徴とする多色発光素子。
層,透明導電層,有機薄膜からなる発光層,電極が順次
に形成され、前記半透明反射層と電極の間の光学的距離
が異なる画素を少なくとも2個以上有することを特徴と
する多色発光素子。
層,透明導電層,有機薄膜からなる発光層,電極が順次
に形成された多色発光素子であって、半透明反射層と電
極の間が光学的距離が異なる画素を少なくとも2個以上
有する微小光共振器を含むことを特徴とする多色発光素
子。
層,透明導電層,有機薄膜からなる発光層,電極が順次
に形成された多色発光素子であって、半透明反射層と電
極の間に構成が微小光共振器として作用し、複数の異な
る発光スペクトルの光を同一基体上の素子から取り出す
ことを特徴とする多色発光素子。
を有し、該半透明反射層上に透明導電層が配置され、該
透明導電層上に有機薄膜からなる発光層が設けられてお
り、その上に電極が形成された有機発光素子であって、
前記半透明反射層は発光層での発光の一部を透明基体側
に透過し、発光の一部を発光層側に反射する反射機能を
有し、該半透明反射層は発光層背面の電極とで光共振器
として作用し、かつ半透明反射層と電極との間の光学的
距離が異なるように構成されていることを特徴とする多
色発光素子。
を有し、該半透明反射層上に透明導電層が配置され、該
透明導電層上にホール注入層,有機薄膜からなる発光
層,電子注入層が順に設けられており、その上に電極が
形成された有機発光素子であって、前記半透明反射層は
発光層での発光の一部を透明基体側に透過し、発光の一
部を発光層側に反射する反射機能を有し、該半透明反射
層は発光層背面の電極とで光共振器として作用し、かつ
半透明反射層と電極との間の光学的距離が異なるように
構成されていることを特徴とする多色発光素子。
を有し、該半透明反射層上に透明導電層が配置され、該
透明導電層上にホール注入層,有機薄膜からなる発光層
が設けられており、その上に電極が形成された有機発光
素子であって、前記半透明反射層は発光層での発光の一
部を透明基体側に透過し、発光の一部を発光層側に反射
する反射機能を有し、該半透明反射層は発光層背面の電
極とで光共振器として作用し、かつ半透明反射層と電極
との間の光学的距離が異なるように構成されていること
を特徴とする多色発光素子。
を有し、該半透明反射層上に透明導電層が配置され、該
透明導電層上に有機薄膜からなる発光層,電子注入層が
順に設けられており、その上に電極が形成された有機発
光素子であって、前記半透明反射層は発光層での発光の
一部を透明基体側に透過し、発光の一部を発光層側に反
射する反射機能を有し、該半透明反射層は発光層背面の
電極とで光共振器として作用し、かつ半透明反射層と電
極との間の光学的距離が異なるように構成されているこ
とを特徴とする多色発光素子。
の一部を透過し、一部を反射する誘電体の多層膜からな
る半透明反射層を備え、該半透明反射層上に透明導電膜
を有することを特徴とする多色発光素子用基板。
電体の多層膜からなる半透明反射層を備え、該半透明反
射層上に透明導電膜を有し、前記半透明反射層の反射率
が50〜99.9% または透過率が50〜0.1%であ
ることを特徴とする多色発光素子用基板。
明導電膜と透明絶縁膜とを積層した半透明反射層を備
え、該半透明反射層上に透明電導膜を有することを特徴
とする多色発光素子用基板を提供することにある。
ラスまたはプラスチックからなる透明基板であり、ま
た、前記半透明反射層上に透明導電膜がパターニングさ
れている多色発光素子用基板である。
層背面の電極とで生じる反射光の位相シフトをAラジア
ンするとき、半透明反射層と発光層背面の電極との間の
光学的距離Lが(整数−A/2π)倍(但し、S<(2
L)<Tであり、S,Tは、前記半透明反射層を持たな
い発光素子の発光スペクトルにおける発光強度が最大強
度の1/2となる波長を示す。)である多色発光素子。
層背面の電極との間の光学的距離が、取出す光のピーク
波長の0.9〜1.1倍またはその整数倍である多色発光
素子。
層背面の電極とで生じる反射光の位相シフトがAラジア
ンとするとき、半透明反射層と発光層背面の電極との間
の光学的距離Lが〔取出す光のピーク波長×(整数−A
/2π)/2〕の長さの0.9〜1.1 倍である多色発光
素子。
注入層,発光層および電子注入層の各層の厚さとそれぞ
れの屈折率との積で表される光学的距離の和が、発光の
ピーク波長と同じもしくは近似している多色発光素子。
体の多層膜で構成されている多色発光素子。
取出し窓を有する金属製全反射膜で構成されている多色
発光素子。
率が50〜99.9% または透過率が50〜0.1% で
ある多色発光素子である。
薄膜発光層,金属電極を備えた有機発光素子を用い、反
透明反射層と電極の間が微小光共振器として作用する構
成とする。このとき、上下の反射鏡間の光学的距離を変
えることにより、それぞれの距離に応じた異なる発光ス
ペクトルの光(即ち多色光)を、同一基体上の素子から
高効率で取出すことができる。
光の中央付近で大きく周辺で小さいが、反透明反射鏡の
反射率を周辺部で大きくとることにより大きくできる。
iO2膜とSiO2膜を積層した半透明反射層102を形
成する。その上に、透明伝導膜(ITO)103,ジアミ
ン誘電体(TAD)のホール注入層104,アルミニウ
ムキレート(Alq3)の発光層105,Ag:Mg金
属電極106を順に形成する。ITO電極103とA
g:Mg金属電極106は互いに直交したマトリクスと
なっていて、103をプラス、106をマイナスとして
10〜15Vの直流電圧を印加すると、電極が交差して
いる部分が画素として発光する。ここで、103,10
4,105のそれぞれの膜厚と屈折率の積から得られる
光学的距離の和dは、半透明反射膜102がない時のA
lq3の発光スペクトルの範囲である450nmと70
0nmの間の値である。
の発光スペクトルを示す。透明伝導膜103の膜厚を変
えることによりdの値を変え、光共振器の共振波長のピ
ークを450nmと700nmの間で設定することが可
能であり、図1の単一基体から、赤,緑,青の3色を取
り出すことができる。
明反射膜がない時のAlq3の発光スペクトル成分より
も強い発光を取り出すことが可能である。光共振器の共
振波長のピークを変えるには、光学的距離の和dを変え
れば良く、必ずしも透明伝導膜103の膜厚を変える必
要はない。
O)103,ジアミン誘導体(TAD)のホール注入層
104,アルミニウムキレート(Alq3)の発光層1
05の膜厚はそれぞれ一定である。SiO2 のスペーサ
107を設置することにより、光学的距離の和dを変え
て、赤(R),緑(G),青(B)発光が達成される。
は、半透明反射膜がない時の発光スペクトルに、どの様
な透過/反射特性を有した半透明反射膜を組み合わせる
かで決まる。従って、半透明反射膜の透過/反射特性に
より、各発光の共振の強度,スペクトルの半値幅を設定
することが可能であり、RGBそれぞれの発光強度を、
ディスプレイとして要求される強度比に近付けることが
できる。
造によっては、画素の平面と視線とのなす角度(視角)
に応じて各色の発光のピーク位置がずれる場合が生じ
る。これは、画素を斜め方向から観測することにより、
光学的距離の和dが実効的に変わることから生じる。こ
れは、あらかじめ、基体の中心位置と周辺部とで、視角
を考慮に入れて光学的距離の和dを設定することにより
解決される。
01上に、SiO2 膜を積層した半透明反射膜102を
形成する。その上に、透明伝導膜(ITO)103,ジ
アミン誘電体(TAD)のホール注入層104,ポルフ
ィリンの発光層105,Ag:Mg金属電極106を順
に形成する。ITOの電極103とAg:Mg金属電極
106は互いに直交したマトリクスとなっていて、10
3をプラス,106をマイナスとして10〜15Vの直
流電圧を印加すると、電極が交差している部分が画素と
して発光する。ここで、103,104,105のそれ
ぞれの膜厚と屈折率の積から得られる光学的距離の和d
は、半透明反射膜102がない時のAlq3の発光スペ
クトルの範囲である450nmと700nmの間の値で
ある。
の発光スペクトルを示す。透明伝導膜103の膜厚を変
えることによりdの値を変え,光共振器の共振波長のピ
ークを450nmと700nmの間で設定することが可
能であり、図1の単一基体から、赤,緑,青の3色を取
り出すことができる。
明反射膜がない時のAlq3の発光スペクトル成分より
も強い発光を取り出すことが可能である。光共振器の共
振波長のピークを変えるには、光学的距離の和dを変え
れば良く、必ずしも透明伝導膜103の膜厚を変える必
要はない。
01には、TiO2膜とSiO2膜を積層した半透明反射
膜102を形成する。その上に、透明伝導膜(ITO)
103,ジアミン誘導体(TAD)のホール注入層10
4,アルミニウムキレート(Alq3)と硫化亜鉛とか
らなる発光層105,Ag:Mg金属電極106を順に
形成する。ITO電極103とAg:Mg金属電極10
6は互いに直交したマトリクスとなっていて、103を
プラス、106をマイナスとして10〜15Vの直流電
圧を印加すると、電極が交差している部分が画素として
発光する。ここで、103,104,105のそれぞれ
の膜厚と屈折率の積から得られる光学的距離の和dは、
半透明反射膜102がない時のAlq3の発光スペクト
ルの範囲である450nmと700nmの間の値であ
る。
の発光スペクトルを示す。透明伝導膜103の膜厚を変
えることによりdの値を変え、光共振器の共振波長のピ
ークを450nmと700nmの間で設定することが可
能であり、図1の単一基体から、赤,緑,青の3色を取
り出すことができる。
明反射膜がない時のAlq3の発光スペクトル成分より
も強い発光を取り出すことが可能である。光共振器の共
振波長のピークを変えるには、光学的距離の和dを変え
れば良く、必ずしも透明伝導膜103の膜厚を変える必
要はない。
な構造で、高効率の多色発光素子とその基板を提供でき
る。
変えることによりRGB発光を実現するものである。
トルと、光学的距離の和dを変えることにより取り出さ
れるRGB各色発光である。
ーを設置することにより、光学的距離の和dを変えて、
RGB発光を実現するものである。
鏡を形成して作成した微小光共振器の発光素子の断面を
示す。
した半透明反射膜、103…透明伝導膜(ITO)、1
04…ジアミン誘電体(TPB)のホール注入層、10
5…アルミニウムキレート(Alq3)の発光層、106
…Ag:Mg金属電極、107…SiO2 のスペーサ
ー、108…誘電反射膜、109…有機発光素子部、1
10…反射膜。
Claims (21)
- 【請求項1】発光機能を有する薄膜層の上下両面に反射
鏡を形成してなる微小光共振器を含み、該微小光共振器
は前記反射鏡間の光学的距離が異なる画素を少なくとも
2個以上を有することを特徴とする多色発光素子。 - 【請求項2】発光機能を有する有機薄膜からなる発光層
と、該発光層の両面に形成された反射鏡とで微小光共振
器が構成され、該微小光共振器は前記反射鏡間の光学的
距離が異なる画素を少なくとも2個以上有することを特
徴とする多色発光素子。 - 【請求項3】透明基体上に半透明反射層,透明導電層,
有機薄膜からなる発光層,電極が順次に形成され、前記
半透明反射層と電極の間の光学的距離が異なる画素を少
なくとも2個以上有することを特徴とする多色発光素
子。 - 【請求項4】透明基体上に半透明反射層,透明導電層,
有機薄膜からなる発光層,電極が順次に形成された多色
発光素子であって、半透明反射層と電極の間の光学的距
離が異なる画素を少なくとも2個以上有する微小光共振
器を含むことを特徴とする多色発光素子。 - 【請求項5】透明基体上に半透明反射層,透明導電層,
有機薄膜からなる発光層,電極が順次に形成された多色
発光素子であって、半透明反射層と電極の間の構成が微
小光共振器として作用し、複数の異なる発光スペクトル
の光を同一基体上の素子から取り出すことを特徴とする
多色発光素子。 - 【請求項6】有機薄膜からなる発光層がアルミニウムキ
レート系化合物より形成されていることを特徴とする請
求項2〜5記載の多色発光素子。 - 【請求項7】透明基体上に半透明反射層を有し、該半透
明反射層上に透明導電層が配置され、該透明導電層上に
有機薄膜からなる発光層が設けられており、その上に電
極が形成された有機発光素子であって、前記半透明反射
層は発光層での発光の一部を透明基体側に透過し、発光
の一部を発光層側に反射する反射機能を有し、該半透明
反射層は発光層背面の電極とで光共振器として作用し、
かつ半透明反射層と電極との間の光学的距離が異なるよ
うに構成されていることを特徴とする多色発光素子。 - 【請求項8】透明基体上に半透明反射層を有し、該半透
明反射層上に透明導電層が配置され、該透明導電層上に
ホール注入層,有機薄膜からなる発光層,電子注入層が
順に設けられており、その上に電極が形成された有機発
光素子であって、前記半透明反射層は発光層での発光の
一部を透明基体側に透過し、発光の一部を発光層側に反
射する反射機能を有し、該半透明反射層は発光層背面の
電極とで光共振器として作用し、かつ半透明反射層と電
極との間の光学的距離が異なるように構成されているこ
とを特徴とする多色発光素子。 - 【請求項9】透明基体上に半透明反射層を有し、該半透
明反射層上に透明導電層が配置され、該透明導電層上に
ホール注入層,有機薄膜からなる発光層が設けられてお
り、その上に電極が形成された有機発光素子であって、
前記半透明反射層は発光層での発光の一部を透明基体側
に透過し、発光の一部を発光層側に反射する反射機能を
有し、該半透明反射層は発光層背面の電極とで光共振器
として作用し、かつ半透明反射層と電極との間の光学的
距離が異なるように構成されていることを特徴とする多
色発光素子。 - 【請求項10】透明基体上に半透明反射層を有し、該半
透明反射層上に透明導電層が配置され、該透明導電層上
に有機薄膜からなる発光層,電子注入層が順に設けられ
ており、その上に電極が形成された有機発光素子であっ
て、前記半透明反射層は発光層での発光の一部を透明基
体側に透過し、発光の一部を発光層側に反射する反射機
能を有し、該半透明反射層は発光層背面の電極とで光共
振器として作用し、かつ半透明反射層と電極との間の光
学的距離が異なるように構成されていることを特徴とす
る多色発光素子。 - 【請求項11】前記半透明反射層と発光層背面の電極と
で生じる反射光の位相のシフトをAラジアンとすると
き、半透明反射層と発光層背面の電極との間の光学的距
離Lが(整数−A/2π)倍〔但し、S<(2L)<T
であり、S,Tは、前記半透明反射層を持たない発光素
子の発光スペクトルにおける発光強度が最大強度の1/
2となる波長を示す。〕である請求項7〜10に記載の
多色発光素子。 - 【請求項12】前記半透明反射層と発光層背面の電極と
の間の光学的距離が、取出す光のピーク波長の0.9〜
1.1倍またはその整数倍である請求項7〜10に記載
の多色発光素子。 - 【請求項13】前記半透明反射層と発光層背面の電極と
で生じる反射光の位相のシフトがAラジアンとすると
き、半透明反射層と発光層背面の電極との間の光学的距
離Lが〔取出す光のピーク波長×(整数−A/2π)/
2〕の長さの0.9〜1.1倍である請求項7〜10に記
載の多色発光素子。 - 【請求項14】前記透明導電層,ホール注入層,発光層
および電子注入層の各層の厚さとそれぞれの屈折率との
積で表される光学的距離の和が、発光のピーク波長と同
じもしくは近似している請求項8に記載の多色発光素
子。 - 【請求項15】前記半透明反射層が誘電体の多層膜で構
成されている請求項7〜10に記載の多色発光素子。 - 【請求項16】前記半透明反射層が発光取出し窓を有す
る金属製全反射膜で構成されている請求項7〜14に記
載の多色発光素子。 - 【請求項17】前記半透明反射層の反射率が50〜9
9.9% または透過率が50〜0.1 %である請求項7
〜15に記載の多色発光素子。 - 【請求項18】透明基板と、その上に光の一部を透過
し、一部を反射する誘電体の多層膜からなる半透明反射
層を備え、該半透明反射層上に透明導電層を有すること
を特徴とする多色発光素子用基板。 - 【請求項19】透明基板と、その上に誘電体の多層膜か
らなる半透明反射層を備え、該半透明反射層上に透明導
電膜を有し、前記半透明反射層の反射率が50〜99.
9% または透過率が50〜0.1% であることを特徴
とする多色発光素子用基板。 - 【請求項20】透明基板と、その上に透明導電膜と透明
絶縁膜とを積層した半透明反射層を備え、該半透明反射
層上に透明導電膜を有することを特徴とする多色発光素
子用基板。 - 【請求項21】前記透明基板が石英,ガラスまたはプラ
スチックからなる透明基板であり、前記半透明反射層上
に透明導電膜がパターニングされている請求項18,1
9または20に記載の多色発光素子用基板。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5058767A JP2797883B2 (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | 多色発光素子とその基板 |
EP94301592A EP0616488B1 (en) | 1993-03-18 | 1994-03-07 | Light-emitting elements |
DE69410513T DE69410513T2 (de) | 1993-03-18 | 1994-03-07 | Lichtemitierende Elemente |
US08/214,767 US5554911A (en) | 1993-03-18 | 1994-03-18 | Light-emitting elements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5058767A JP2797883B2 (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | 多色発光素子とその基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06275381A true JPH06275381A (ja) | 1994-09-30 |
JP2797883B2 JP2797883B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=13093704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5058767A Expired - Lifetime JP2797883B2 (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | 多色発光素子とその基板 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5554911A (ja) |
EP (1) | EP0616488B1 (ja) |
JP (1) | JP2797883B2 (ja) |
DE (1) | DE69410513T2 (ja) |
Cited By (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0945477A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Canon Inc | 発光素子及びその製造方法 |
JPH09180883A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-07-11 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 微小光共振器型有機電界発光素子 |
US5780174A (en) * | 1995-10-27 | 1998-07-14 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Micro-optical resonator type organic electroluminescent device |
JP2000323279A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-11-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光光源用有機発光素子 |
WO2000076010A1 (en) * | 1999-06-02 | 2000-12-14 | Seiko Epson Corporation | Multiple wavelength light emitting device, electronic apparatus, and interference mirror |
JP2001071558A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-21 | Futaba Corp | Elプリンタ及びel素子 |
JP2001102175A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法 |
WO2001039554A1 (en) * | 1999-11-22 | 2001-05-31 | Sony Corporation | Display device |
US6259423B1 (en) | 1997-08-26 | 2001-07-10 | Kabushiki Kaisha Toyoto Chuo Kenkyusho | Display device using organic electroluminescent elements |
WO2001067823A1 (fr) * | 2000-03-06 | 2001-09-13 | Mitsubishi Chemical Corporation | Element electroluminescent organique et polymere photosensible |
US6406801B1 (en) | 1998-02-04 | 2002-06-18 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Optical resonator type organic electroluminescent element |
JP2002299057A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-10-11 | Agilent Technol Inc | 有機発光装置 |
JP2003508876A (ja) * | 1999-08-20 | 2003-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 複数波長発光素子および電子機器 |
JP2004111398A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Samsung Nec Mobile Display Co Ltd | 光学共振効果を利用した有機電界発光素子 |
JP2004253389A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Eastman Kodak Co | 多色有機発光表示装置 |
JP2004253390A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Eastman Kodak Co | カラー有機発光表示装置 |
JP2005100946A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、有機el装置の製造方法、および電子機器 |
JP2005197010A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置の製造方法 |
JP2005197009A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及びその製造方法及び製造装置 |
JP2005197011A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
WO2005086539A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
WO2005109964A1 (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-17 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
WO2005112521A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 青色系有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JP2006012579A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | カラー有機elディスプレイ及びその製造方法 |
JP2006196252A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、画像形成装置、及び電子機器 |
JP2006236947A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elパネル |
JP2007012370A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Sony Corp | 有機発光素子および有機発光装置 |
KR100682846B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2007-02-15 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 |
JP2007122033A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
KR100721052B1 (ko) * | 2005-03-25 | 2007-05-23 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
KR100725493B1 (ko) * | 2005-11-10 | 2007-06-08 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 및 그 제조방법 |
JP2007250306A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
KR100778039B1 (ko) * | 2005-09-27 | 2007-11-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
KR100782639B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2007-12-06 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 배선 기판 및 디스플레이 장치 |
JP2008041925A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
US7355339B2 (en) | 2002-09-12 | 2008-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent display and apparatus including organic electroluminescent display |
KR100834345B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2008-06-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전기발광소자 |
JP2008527631A (ja) * | 2004-12-30 | 2008-07-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ミラースタックを有する電子デバイス |
KR100852111B1 (ko) * | 2005-07-13 | 2008-08-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
US7573191B2 (en) | 2004-06-02 | 2009-08-11 | Seiko Epson Corporation | Organic EL device having a transflective layer and a light-reflective electrode constituting an optical resonator |
JP2009295581A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
JP2010045415A (ja) * | 2009-11-25 | 2010-02-25 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法 |
US7768196B2 (en) | 2006-05-29 | 2010-08-03 | Seiko Epson Corporation | Organic EL light-emitting device and electronic apparatus |
US8193695B2 (en) | 2008-07-17 | 2012-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting device and manufacturing method thereof |
KR20120092507A (ko) | 2011-02-11 | 2012-08-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기 |
US8278817B2 (en) | 2005-09-30 | 2012-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with a plurality of picture elements and electronic device with display device |
JP2012212664A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-11-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び発光装置の作製方法 |
US8338222B2 (en) | 2004-02-19 | 2012-12-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of fabricating organic light emitting display |
US8748876B2 (en) | 2011-05-11 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting module, light-emitting panel, and light-emitting device |
US9012949B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting module |
US9287332B2 (en) | 2011-04-08 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device comprising light-emitting elements having different optical path lengths |
US9564609B2 (en) | 2011-02-11 | 2017-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including electrode of three layers |
US9653517B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
WO2020003056A1 (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
EP3883000A1 (en) * | 2020-03-17 | 2021-09-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device and display apparatus including the same |
Families Citing this family (99)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3276745B2 (ja) * | 1993-11-15 | 2002-04-22 | 株式会社日立製作所 | 可変波長発光素子とその制御方法 |
US5405710A (en) * | 1993-11-22 | 1995-04-11 | At&T Corp. | Article comprising microcavity light sources |
US5814416A (en) * | 1996-04-10 | 1998-09-29 | Lucent Technologies, Inc. | Wavelength compensation for resonant cavity electroluminescent devices |
US5773130A (en) * | 1996-06-06 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Multi-color organic electroluminescent device |
EP0915143A4 (en) * | 1996-06-28 | 2002-09-04 | Chisso Corp | RED LIGHT EMITTING MATERIAL AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT COMPONENT MANUFACTURED USING THE SAME |
US6048630A (en) * | 1996-07-02 | 2000-04-11 | The Trustees Of Princeton University | Red-emitting organic light emitting devices (OLED's) |
EP0845812B1 (en) * | 1996-11-28 | 2009-10-28 | Casio Computer Co., Ltd. | Display apparatus |
US6117529A (en) * | 1996-12-18 | 2000-09-12 | Gunther Leising | Organic electroluminescence devices and displays |
US5949188A (en) * | 1996-12-18 | 1999-09-07 | Hage Gmbh & Co. Kg | Electroluminescent display device with continuous base electrode |
JP3378465B2 (ja) | 1997-05-16 | 2003-02-17 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
US6278237B1 (en) | 1997-09-22 | 2001-08-21 | Emagin Corporation | Laterally structured high resolution multicolor organic electroluminescence display device |
KR100494266B1 (ko) * | 1997-10-29 | 2005-08-17 | 오리온전기 주식회사 | 교류형플라즈마표시소자 |
JP4514841B2 (ja) | 1998-02-17 | 2010-07-28 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2939461B1 (ja) * | 1998-03-17 | 1999-08-25 | 科学技術振興事業団 | 分子発光デバイス |
US6140764A (en) * | 1998-07-20 | 2000-10-31 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent apparatus with mircrocavity |
US6661445B2 (en) * | 1998-08-31 | 2003-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus with an array of light emitting devices |
TW463528B (en) * | 1999-04-05 | 2001-11-11 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescence element and their preparation |
GB2349979A (en) * | 1999-05-10 | 2000-11-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Light-emitting devices |
JP4136185B2 (ja) * | 1999-05-12 | 2008-08-20 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法 |
TW474114B (en) | 1999-09-29 | 2002-01-21 | Junji Kido | Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device assembly and method of controlling the emission spectrum in the device |
GB2356713A (en) | 1999-11-26 | 2001-05-30 | Seiko Epson Corp | Distributed Bragg reflector |
JP3687953B2 (ja) * | 2000-02-22 | 2005-08-24 | 東北パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス表示パネル及びその製造方法 |
JP2002090737A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-27 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP3714179B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2005-11-09 | セイコーエプソン株式会社 | El素子、elディスプレイ、並びに電子機器 |
JP3804858B2 (ja) | 2001-08-31 | 2006-08-02 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
KR100897245B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2009-05-14 | 이노베이티브 솔루션즈 앤드 서포트 인코포레이티드 | 개선된 저반사 평판 디스플레이 |
TW594617B (en) * | 2002-03-13 | 2004-06-21 | Sanyo Electric Co | Organic EL display panel and method for making the same |
JP2004055461A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP4343511B2 (ja) * | 2002-10-08 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 多色発光素子 |
KR100436715B1 (ko) * | 2002-11-04 | 2004-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 영상의 재현성을 증진시키기 위한 영상 데이터의 고속처리 방법 |
US20040140757A1 (en) * | 2003-01-17 | 2004-07-22 | Eastman Kodak Company | Microcavity OLED devices |
CN100373654C (zh) * | 2003-01-29 | 2008-03-05 | 友达光电股份有限公司 | 有机电致发光显示组件及其制造方法 |
GB2400235A (en) * | 2003-04-03 | 2004-10-06 | Qinetiq Ltd | Optoelectronic device |
KR100527187B1 (ko) * | 2003-05-01 | 2005-11-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고효율 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
US20050008052A1 (en) * | 2003-07-01 | 2005-01-13 | Ryoji Nomura | Light-emitting device |
US6917159B2 (en) * | 2003-08-14 | 2005-07-12 | Eastman Kodak Company | Microcavity OLED device |
US7030553B2 (en) | 2003-08-19 | 2006-04-18 | Eastman Kodak Company | OLED device having microcavity gamut subpixels and a within gamut subpixel |
EP1672962B1 (en) | 2003-09-19 | 2012-06-20 | Sony Corporation | Organic light emitting device, manufacturing method thereof and display device using the organic light emitting device |
JP4428979B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-03-10 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
JP4716699B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-07-06 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
JP4497881B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-07-07 | 三洋電機株式会社 | 有機el素子および有機elパネル |
JP4683829B2 (ja) | 2003-10-17 | 2011-05-18 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法 |
KR20060113734A (ko) | 2003-11-18 | 2006-11-02 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 색 전환 소자를 포함하는 전기발광 장치 및 전기발광장치의 제조 방법 |
US7019331B2 (en) | 2004-01-22 | 2006-03-28 | Eastman Kodak Company | Green light-emitting microcavity OLED device using a yellow color filter element |
WO2005074330A1 (en) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Agency For Science, Technology And Research | Multicolor organic light emitting devices |
JP4454354B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2010-04-21 | 三洋電機株式会社 | 発光表示装置 |
US8188315B2 (en) | 2004-04-02 | 2012-05-29 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and flat panel display device comprising the same |
US7129634B2 (en) | 2004-04-07 | 2006-10-31 | Eastman Kodak Company | Color OLED with added color gamut pixels |
US7180238B2 (en) * | 2004-04-08 | 2007-02-20 | Eastman Kodak Company | Oled microcavity subpixels and color filter elements |
US7057339B2 (en) * | 2004-04-08 | 2006-06-06 | Eastman Kodak Company | OLED with color change media |
US7247394B2 (en) * | 2004-05-04 | 2007-07-24 | Eastman Kodak Company | Tuned microcavity color OLED display |
US7023013B2 (en) * | 2004-06-16 | 2006-04-04 | Eastman Kodak Company | Array of light-emitting OLED microcavity pixels |
TWI272039B (en) * | 2004-06-18 | 2007-01-21 | Sanyo Electric Co | Electroluminescence panel |
US7196469B2 (en) * | 2004-06-18 | 2007-03-27 | Eastman Kodak Company | Reducing undesirable absorption in a microcavity OLED |
WO2006013373A2 (en) * | 2004-08-04 | 2006-02-09 | Cambridge Display Technology Limited | Organic electroluminescent device |
TWI294252B (en) * | 2004-09-28 | 2008-03-01 | Toshiba Matsushita Display Tec | Display |
JP4384107B2 (ja) * | 2004-10-25 | 2009-12-16 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子アレイ |
JP4525536B2 (ja) | 2004-11-22 | 2010-08-18 | セイコーエプソン株式会社 | El装置および電子機器 |
KR100683711B1 (ko) * | 2004-11-22 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
US8569948B2 (en) * | 2004-12-28 | 2013-10-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including an optical spacer |
KR100883306B1 (ko) * | 2005-03-24 | 2009-02-11 | 쿄세라 코포레이션 | 발광 소자, 그 발광 소자를 구비한 발광 장치 및 그 제조방법 |
US8102111B2 (en) * | 2005-07-15 | 2012-01-24 | Seiko Epson Corporation | Electroluminescence device, method of manufacturing electroluminescence device, and electronic apparatus |
US20070035536A1 (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Eastman Kodak Company | Display calibration method for optimum angular performance |
KR20070019495A (ko) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 및 그의 제조방법 |
JP4582004B2 (ja) | 2006-01-13 | 2010-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
KR100823511B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
US20080164812A1 (en) * | 2007-01-08 | 2008-07-10 | Tpo Displays Corp. | Method for fabricating a system for displaying images |
TWI363441B (en) * | 2007-02-09 | 2012-05-01 | Au Optronics Corp | Self-emissive display device |
JP4899929B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2012-03-21 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置 |
US7888858B2 (en) * | 2007-08-21 | 2011-02-15 | Global Oled Technology Llc | Light emitting diode device incorporating a white light emitting layer in combination with a plurality of optical microcavities |
US7859188B2 (en) * | 2007-08-21 | 2010-12-28 | Global Oled Technology Llc | LED device having improved contrast |
US7855508B2 (en) * | 2007-09-17 | 2010-12-21 | Global Oled Technology Llc | LED device having improved light output |
US7948172B2 (en) * | 2007-09-28 | 2011-05-24 | Global Oled Technology Llc | LED device having improved light output |
US7741770B2 (en) * | 2007-10-05 | 2010-06-22 | Global Oled Technology Llc | LED device having improved light output |
US8063552B2 (en) * | 2007-10-22 | 2011-11-22 | Global Oled Technology Llc | LED device having improved light output |
US7825581B2 (en) * | 2008-02-12 | 2010-11-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
KR101458905B1 (ko) * | 2008-02-12 | 2014-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US7973470B2 (en) | 2008-02-26 | 2011-07-05 | Global Oled Technology Llc | Led device having improved color |
US7893612B2 (en) * | 2008-02-27 | 2011-02-22 | Global Oled Technology Llc | LED device having improved light output |
KR101518740B1 (ko) * | 2008-08-04 | 2015-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US8022612B2 (en) * | 2008-11-10 | 2011-09-20 | Global Oled Technology, Llc. | White-light LED having two or more commonly controlled portions with improved angular color performance |
US7897419B2 (en) * | 2008-12-23 | 2011-03-01 | Cree, Inc. | Color correction for wafer level white LEDs |
US20110058770A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Sub-surface engraving of oled substrates for improved optical outcoupling |
JP5418144B2 (ja) | 2009-10-23 | 2014-02-19 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置及び電子機器 |
JP5764289B2 (ja) | 2009-10-27 | 2015-08-19 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置及び電子機器 |
JP5617700B2 (ja) | 2011-03-07 | 2014-11-05 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
US10222336B2 (en) * | 2012-10-31 | 2019-03-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Multiple spectral measurement acquisition apparatus and the methods of using same |
JP6111643B2 (ja) * | 2012-12-17 | 2017-04-12 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器 |
KR102073884B1 (ko) * | 2013-04-26 | 2020-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2015026560A (ja) | 2013-07-29 | 2015-02-05 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
TWI596816B (zh) * | 2015-03-10 | 2017-08-21 | 財團法人工業技術研究院 | 發光元件 |
CN104966723B (zh) * | 2015-07-27 | 2018-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管阵列基板、制备方法及显示装置 |
KR102403000B1 (ko) * | 2015-10-01 | 2022-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102361115B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2022-02-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
CN108597386B (zh) | 2018-01-08 | 2020-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜、微led器件及其制作方法、显示装置 |
JPWO2019220283A1 (ja) | 2018-05-18 | 2021-07-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置 |
US11903232B2 (en) | 2019-03-07 | 2024-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device comprising charge-generation layer between light-emitting units |
US11700738B2 (en) * | 2019-08-23 | 2023-07-11 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with patterned anodes and optical cavities |
FR3112243A1 (fr) | 2020-07-02 | 2022-01-07 | Microoled | Dispositif optoelectronique matriciel en couches minces |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3579142A (en) * | 1969-07-18 | 1971-05-18 | Us Navy | Thin film laser |
US4983469A (en) * | 1986-11-11 | 1991-01-08 | Nippon Soken, Inc. | Thin film electroluminescent element |
JPS63224190A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | 株式会社日立製作所 | El素子 |
US5182491A (en) * | 1987-11-09 | 1993-01-26 | Hitachi, Ltd. | Thin film electroluminescent device |
US4914348A (en) * | 1987-12-03 | 1990-04-03 | Ricoh Company, Ltd. | Electroluminescence multi-color display device |
US4987339A (en) * | 1987-12-31 | 1991-01-22 | The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration | Enhanced single layer multi-color luminescent display with coactivators |
US5341153A (en) * | 1988-06-13 | 1994-08-23 | International Business Machines Corporation | Method of and apparatus for displaying a multicolor image |
JP2553696B2 (ja) * | 1989-03-24 | 1996-11-13 | 松下電器産業株式会社 | 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置 |
US5115441A (en) * | 1991-01-03 | 1992-05-19 | At&T Bell Laboratories | Vertical cavity surface emmitting lasers with transparent electrodes |
JP3124305B2 (ja) * | 1991-03-20 | 2001-01-15 | 富士通株式会社 | 光信号波長選択方法および光波長フィルタ |
US5226053A (en) * | 1991-12-27 | 1993-07-06 | At&T Bell Laboratories | Light emitting diode |
US5294870A (en) * | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
US5294869A (en) * | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
JP3052552B2 (ja) * | 1992-03-31 | 2000-06-12 | 株式会社日立製作所 | 面発光型半導体レーザ |
US5343542A (en) * | 1993-04-22 | 1994-08-30 | International Business Machines Corporation | Tapered fabry-perot waveguide optical demultiplexer |
JPH0794781A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | 面発光型半導体発光ダイオード |
US5405710A (en) * | 1993-11-22 | 1995-04-11 | At&T Corp. | Article comprising microcavity light sources |
-
1993
- 1993-03-18 JP JP5058767A patent/JP2797883B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-03-07 DE DE69410513T patent/DE69410513T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-07 EP EP94301592A patent/EP0616488B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-18 US US08/214,767 patent/US5554911A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (106)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5936347A (en) * | 1995-07-28 | 1999-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting device having convex-and-concave structure on substrate |
US6080030A (en) * | 1995-07-28 | 2000-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting device, electric device provided with the light emitting device, and method of producing the light emitting device |
JPH0945477A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Canon Inc | 発光素子及びその製造方法 |
JPH09180883A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-07-11 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 微小光共振器型有機電界発光素子 |
US5780174A (en) * | 1995-10-27 | 1998-07-14 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Micro-optical resonator type organic electroluminescent device |
US6259423B1 (en) | 1997-08-26 | 2001-07-10 | Kabushiki Kaisha Toyoto Chuo Kenkyusho | Display device using organic electroluminescent elements |
US6406801B1 (en) | 1998-02-04 | 2002-06-18 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Optical resonator type organic electroluminescent element |
JP2000323279A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-11-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光光源用有機発光素子 |
WO2000076010A1 (en) * | 1999-06-02 | 2000-12-14 | Seiko Epson Corporation | Multiple wavelength light emitting device, electronic apparatus, and interference mirror |
USRE43759E1 (en) | 1999-06-02 | 2012-10-23 | Seiko Epson Corporation | Multiple wavelength light emitting device, electronic apparatus, and interference mirror |
USRE45442E1 (en) | 1999-06-02 | 2015-03-31 | Seiko Epson Corporation | Multiple wavelength light emitting device, electronic apparatus, and interference mirror |
JP2011096678A (ja) * | 1999-06-02 | 2011-05-12 | Seiko Epson Corp | 複数波長発光素子、表示装置、および電子機器 |
USRE44164E1 (en) | 1999-06-02 | 2013-04-23 | Seiko Epson Corporation | Multiple wavelength light emitting device, electronic apparatus, and interference mirror |
JP4768940B2 (ja) * | 1999-06-02 | 2011-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 複数波長発光素子、表示装置、および電子機器 |
US6791261B1 (en) | 1999-06-02 | 2004-09-14 | Seiko Epson Corporation | Multiple wavelength light emitting device, electronic apparatus, and interference mirror |
JP2003528421A (ja) * | 1999-06-02 | 2003-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | 複数波長発光素子、電子機器および干渉ミラー |
EP1739763A2 (en) | 1999-06-02 | 2007-01-03 | Seiko Epson Corporation | Multiple wavelength light emitting device, electronic apparatus and interference mirror |
JP4779171B2 (ja) * | 1999-08-20 | 2011-09-28 | セイコーエプソン株式会社 | 複数波長発光素子および電子機器 |
US6639250B1 (en) | 1999-08-20 | 2003-10-28 | Seiko Epson Corporation | Multiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus |
JP2003508876A (ja) * | 1999-08-20 | 2003-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 複数波長発光素子および電子機器 |
JP2001071558A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-21 | Futaba Corp | Elプリンタ及びel素子 |
JP2001102175A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法 |
US7218049B2 (en) | 1999-11-22 | 2007-05-15 | Sony Corporation | Display device |
WO2001039554A1 (en) * | 1999-11-22 | 2001-05-31 | Sony Corporation | Display device |
US7102282B1 (en) | 1999-11-22 | 2006-09-05 | Sony Corporation | Display device with a cavity structure for resonating light |
WO2001067823A1 (fr) * | 2000-03-06 | 2001-09-13 | Mitsubishi Chemical Corporation | Element electroluminescent organique et polymere photosensible |
JP2002299057A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-10-11 | Agilent Technol Inc | 有機発光装置 |
KR100834345B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2008-06-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전기발광소자 |
US7355339B2 (en) | 2002-09-12 | 2008-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent display and apparatus including organic electroluminescent display |
JP2004111398A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Samsung Nec Mobile Display Co Ltd | 光学共振効果を利用した有機電界発光素子 |
JP2004253389A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Eastman Kodak Co | 多色有機発光表示装置 |
JP4663993B2 (ja) * | 2003-02-18 | 2011-04-06 | グローバル オーエルイーディー テクノロジー リミティド ライアビリティ カンパニー | 多色有機発光表示装置 |
JP2004253390A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Eastman Kodak Co | カラー有機発光表示装置 |
JP2005100946A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、有機el装置の製造方法、および電子機器 |
US7132789B2 (en) | 2003-08-18 | 2006-11-07 | Seiko Epson Corporation | Organic EL device, method of manufacturing the same and electronic apparatus |
JP2005197010A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置の製造方法 |
US7166959B2 (en) | 2003-12-26 | 2007-01-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Display device having microresonator structure |
KR100684243B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2007-02-20 | 산요덴키가부시키가이샤 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2005197009A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及びその製造方法及び製造装置 |
US7510455B2 (en) | 2003-12-26 | 2009-03-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing display device with conductive resonator spacer layers having different total thicknesses |
JP2005197011A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
US8338222B2 (en) | 2004-02-19 | 2012-12-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of fabricating organic light emitting display |
US8106582B2 (en) | 2004-03-05 | 2012-01-31 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device |
WO2005086539A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
WO2005109964A1 (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-17 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
EP1744600A4 (en) * | 2004-04-21 | 2009-01-14 | Idemitsu Kosan Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY INSTALLATION |
WO2005112521A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 青色系有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JPWO2005112521A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2008-03-27 | 出光興産株式会社 | 青色系有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
US7221090B2 (en) | 2004-05-18 | 2007-05-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Blue organic electroluminescent device and display using same |
US7573191B2 (en) | 2004-06-02 | 2009-08-11 | Seiko Epson Corporation | Organic EL device having a transflective layer and a light-reflective electrode constituting an optical resonator |
US8106577B2 (en) | 2004-06-02 | 2012-01-31 | Seiko Epson Corporation | Organic EL device and electronic apparatus |
JP4507718B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2010-07-21 | 京セラ株式会社 | カラー有機elディスプレイ及びその製造方法 |
JP2006012579A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | カラー有機elディスプレイ及びその製造方法 |
KR100682846B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2007-02-15 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 |
JP2008527631A (ja) * | 2004-12-30 | 2008-07-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ミラースタックを有する電子デバイス |
JP2006196252A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、画像形成装置、及び電子機器 |
JP2006236947A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elパネル |
JP4573672B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2010-11-04 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
KR100721052B1 (ko) * | 2005-03-25 | 2007-05-23 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
US7538490B2 (en) | 2005-03-25 | 2009-05-26 | Seiko Epson Corporation | Light emitting apparatus |
US7980911B2 (en) | 2005-03-25 | 2011-07-19 | Seiko Epson Corporation | Method of producing a light emitting apparatus provided with an insulating film between reflective layers and patterned anodes formed of different thicknesses |
KR100782639B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2007-12-06 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 배선 기판 및 디스플레이 장치 |
JP2007012370A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Sony Corp | 有機発光素子および有機発光装置 |
KR100852111B1 (ko) * | 2005-07-13 | 2008-08-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
US7598671B2 (en) | 2005-07-13 | 2009-10-06 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display and method of manufacturing the same |
US8187482B2 (en) | 2005-07-13 | 2012-05-29 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display and method of manufacturing the same |
KR100778039B1 (ko) * | 2005-09-27 | 2007-11-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
US11211424B2 (en) | 2005-09-30 | 2021-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US11996436B2 (en) | 2005-09-30 | 2024-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US9099374B2 (en) | 2005-09-30 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US9887236B2 (en) | 2005-09-30 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP2007122033A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
US10790329B2 (en) | 2005-09-30 | 2020-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with a plurality of pixels and electronic device with display device |
US8629612B2 (en) | 2005-09-30 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with a plurality of pixels and electronic device with display device |
US10043849B2 (en) | 2005-09-30 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device that expands color reproduction area by satisfying the surplus in the color gamut |
US11676990B2 (en) | 2005-09-30 | 2023-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US8278817B2 (en) | 2005-09-30 | 2012-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with a plurality of picture elements and electronic device with display device |
KR100725493B1 (ko) * | 2005-11-10 | 2007-06-08 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 및 그 제조방법 |
JP4678319B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2011-04-27 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP2007250306A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
US7768196B2 (en) | 2006-05-29 | 2010-08-03 | Seiko Epson Corporation | Organic EL light-emitting device and electronic apparatus |
US8008852B2 (en) | 2006-08-07 | 2011-08-30 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic light-emitting display device and production method of the same |
JP4658877B2 (ja) * | 2006-08-07 | 2011-03-23 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光表示装置 |
JP2008041925A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
JP2009295581A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
US8154197B2 (en) | 2008-06-05 | 2012-04-10 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device having refraction layers that improve light extraction efficiency and color reproducibility |
US8193695B2 (en) | 2008-07-17 | 2012-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting device and manufacturing method thereof |
JP2010045415A (ja) * | 2009-11-25 | 2010-02-25 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法 |
US9564609B2 (en) | 2011-02-11 | 2017-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including electrode of three layers |
US9172059B2 (en) | 2011-02-11 | 2015-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using light-emitting device |
KR20120092507A (ko) | 2011-02-11 | 2012-08-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기 |
JP2012212664A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-11-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び発光装置の作製方法 |
US9287332B2 (en) | 2011-04-08 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device comprising light-emitting elements having different optical path lengths |
US9847379B2 (en) | 2011-04-08 | 2017-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic appliance, and lighting device comprising a light-emitting element having optimized optical path length |
US10431632B2 (en) | 2011-04-08 | 2019-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic appliance, and lighting device |
US8748876B2 (en) | 2011-05-11 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting module, light-emitting panel, and light-emitting device |
US9231232B2 (en) | 2011-05-11 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting module, light-emitting panel, and light-emitting device |
US9012949B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting module |
US9966560B2 (en) | 2011-07-08 | 2018-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting module |
US9917271B2 (en) | 2014-08-08 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
US9653517B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
WO2020003056A1 (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
JPWO2020003056A1 (ja) * | 2018-06-29 | 2021-08-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
US11985881B2 (en) | 2018-06-29 | 2024-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, display device, input/output device, data processing device |
EP3883000A1 (en) * | 2020-03-17 | 2021-09-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device and display apparatus including the same |
US11963390B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device and display apparatus including the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5554911A (en) | 1996-09-10 |
DE69410513D1 (de) | 1998-07-02 |
EP0616488A2 (en) | 1994-09-21 |
JP2797883B2 (ja) | 1998-09-17 |
DE69410513T2 (de) | 1999-03-04 |
EP0616488B1 (en) | 1998-05-27 |
EP0616488A3 (en) | 1994-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2797883B2 (ja) | 多色発光素子とその基板 | |
JP5131717B2 (ja) | 光学共振効果を利用した有機電界発光素子 | |
TWI223969B (en) | Display and method of manufacturing the same | |
KR100690568B1 (ko) | 다중 파장 발광 디바이스 및 전자 장치 | |
JP4951130B2 (ja) | 有機発光素子及びその製造方法 | |
KR101213487B1 (ko) | 광추출효율이 향상된 유기전계 발광소자 | |
TWI448195B (zh) | 有機電致發光裝置,包括該有機電致發光裝置之顯示裝置及製造有機電致發光裝置之方法 | |
KR101404546B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP3508741B2 (ja) | 表示素子 | |
JP3555759B2 (ja) | 表示装置 | |
JP4769068B2 (ja) | 有機発光素子及びその製造方法 | |
JP2008135373A (ja) | 有機発光装置及びその製造方法 | |
KR20090038637A (ko) | 백색 유기 전계 발광소자 및 이를 이용한 컬러 디스플레이장치 | |
KR20100040680A (ko) | 유기 el 표시 장치 | |
KR101060379B1 (ko) | 발광 소자 및 이것을 이용한 표시 장치 | |
US8759817B2 (en) | Organic light-emitting device array and display | |
JP2013051155A (ja) | 有機el素子 | |
JP2009158140A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子及びこれを用いた表示装置並びに照明装置 | |
KR19990076085A (ko) | 색 조절가능한 유기발광소자 | |
JPH0428197A (ja) | 端面発光型電界発光素子およびその駆動方法 | |
JP2006236916A (ja) | 発光素子 | |
KR100326464B1 (ko) | 전계 발광 표시장치 | |
JP2011141965A (ja) | 有機el素子および表示装置 | |
KR100978012B1 (ko) | 투명 캐쏘드를 구비한 전기발광 디바이스 | |
JP3004372B2 (ja) | El発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080703 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090703 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090703 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100703 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100703 Year of fee payment: 12 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100703 Year of fee payment: 12 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100703 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110703 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110703 Year of fee payment: 13 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110703 Year of fee payment: 13 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110703 Year of fee payment: 13 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110703 Year of fee payment: 13 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110703 Year of fee payment: 13 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110703 Year of fee payment: 13 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110703 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130703 Year of fee payment: 15 |