JP2007250306A - 発光装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機EL装置1において、透光性基板2上には、下地保護膜3、TFT90、第1の層間絶縁膜5、ソース・ドレイン電極42、第2の層間絶縁膜6、画素電極11が形成されている。下地保護膜3、第1の層間絶縁膜5、および第2の層間絶縁膜6は、誘電体多層膜から構成されている。また、コンクタクトホール501、502、601は全て、誘電体多層膜に形成されている。
【選択図】図5
Description
利用して形成されており、光共振器を別途、追加する必要がない。従って、薄膜トランジスタ、発光素子、および光共振器を効率よく装置内に組み込むことができる。また、薄膜トランジスタおよびソース・ドレイン電極は、発光機能層と平面的に重なる領域からずれた領域に形成されているので、光共振器を発光機能層と平面的に重なる領域の全体に形成することができる。それ故、対向電極を光反射性電極により形成してボトムエミッション型の発光装置を構成した場合、光共振器に対して発光機能層とは反対側に反射層を設けてトップエミッション型の発光装置を構成した場合のいずれにおいても、色度の高い光を出射することができる。
大することができる。
(全体構成)
図1は、アクティブマトリクス型の有機EL装置(発光装置)の電気的構成を示す等価回路図である。図2は、この有機EL装置の画素構成の一例を示す平面図である。
図3は、本発明の実施の形態1に係る有機EL装置の画素構成を示す断面図である。図3において、ここに示す有機EL装置1は、有機EL素子10から出射された光を透光性基板2の側から出射する、いわゆる「ボトムエミッション型」の有機EL装置である。本形態では、いずれの画素100においても、ガラス基板などの透光性基板2の表面側には、下地保護膜3が形成されており、この下地保護膜3の上に第2のTFT90が形成されている。第2のTFT90の上層側には、ゲート絶縁膜51を含む第1の層間絶縁膜5が形成されている。第1の層間絶縁膜5の上層には一対のソース・ドレイン電極41、42が形成されており、これらのソース・ドレイン電極41、42は、第1の層間絶縁膜5に形成された2つの第1のコンタクトホール501、502を介して第2のTFT9のソース・ドレイン領域に電気的に接続されている。ここで、ソース・ドレイン電極41、42のうち、ソース・ドレイン電極41は、共通給電線133として延びている。
本形態において、第1の層間絶縁膜5および第2の層間絶縁膜6は、第2のTFT90やソース・ドレイン電極41、42と平面的に重なる領域と、発光機能層12と平面的に重なる領域で同一の層構成を有している。ここで、第1の層間絶縁膜5は、ゲート絶縁膜51と、ゲート電極93を覆う厚さが1μm程度の感光性樹脂からなる有機平坦化膜52とを備えているとともに、有機平坦化膜52の上層には誘電体多層膜55が形成されている。有機平坦化膜52は、TFT90によって形成される凹凸を平坦化する機能を担っている。第2の層間絶縁膜6は、全体が誘電体多層膜によって構成されており、本形態では、誘電体多層膜55、第2の層間絶縁膜6、画素電極11、発光機能層12、対向電極13によって光共振器8が構成されている。
リコン窒化膜81よりも屈折率の低い複数層のシリコン酸化膜82(第2の屈折率層)とが交互に積層された構造になっている。また、本形態の光共振器8では、シリコン窒化膜81とシリコン酸化膜82の繰り返し数が2.0以上であり、シリコン窒化膜81同士は光路長が等しいとともに、シリコン酸化膜82同士は光路長が等しく設定されている。さらに、シリコン窒化膜81は、厚さが20μm〜200μmであり、シリコン酸化膜82は、膜厚が20μm〜400μmであり、各層の光学長が発光中心波長λcの1/4倍になるように設定されている。
以上説明したように、本形態では、すべての画素100に光共振器8を構成したので、色光の色度を向上することができる。また、光共振器8を構成する誘電体多層膜は、第1の層間絶縁膜5および第2の層間絶縁膜6に形成され、光共振器8を別途、追加する必要がないので、TFT90、有機EL素子、および光共振器8を効率よく透光性基板2上に形成することができる。
図4は、本発明の実施の形態1に係る有機EL装置の製造工程の一部を示す工程断面図である。本形態の有機EL装置を製造するには、まず、図4(a)に示すように、スパッタ法などにより、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜からなる下地保護膜3を形成後、周知の半導体プロセスを利用して、TFT90を形成する。
完成する。
図5は、本発明の実施の形態2に係る有機EL装置の画素構成を示す断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
層間絶縁膜6に形成されたコンタクトホール601を介してソース・ドレイン電極42に電気的に接続されている。画素電極11の上層には、有機EL素子(自発光素子)の正孔輸送層121および発光層122からなる発光機能層12が形成され、この発光機能層12の上層には、反射性を備えた対向電極13(陰極)が形成されている。また、各画素100には、画素電極11の上層にシリコン窒化膜などからなる保護層15が形成されている。保護層15は、発光層122と平面的に重なる領域で除去され、画素電極11と正孔輸送層121が直接触することを可能としている。また、発光機能層12の形成領域を囲むように、アクリル樹脂などからなる隔壁9が形成されている。
って、エッチング装置やエッチング条件などを共通化できる。
上記形態では、透光性基板2の側から光を出射するボトムエミッション型であるため、光共振器8を構成するシリコン窒化膜81およびシリコン酸化膜82の光学長が発光中心波長λcの1/4倍になるように設定されていたが、光共振器を構成するシリコン窒化膜81およびシリコン酸化膜82の光学長が発光中心波長λcの1/2倍になるように設定すれば、発光層122に対して透光性基板2とは反対側から光を出射するトップエミッション型に適用することができる。この場合には、対向電極13としては光透過性の電極を用いることになり、光共振器8に対して発光層122とは反対側に反射層を設ければよい。
次に、上述の有機EL装置を備えた電子機器の例について説明する。図6は上述した実施形態に係る表示装置を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータ(情報処理装置)の構成を示す斜視図である。同図において、パーソナルコンピュータ1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、上述した有機EL装置を表示装置1106として備えた表示装置ユニットとから構成されている。このため、表色範囲の広い表示部を備えた電子機器を提供することができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る有機EL装置とその製造方法、並びに電子機器の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
Claims (11)
- 薄膜トランジスタ、該薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を含めて当該薄膜トランジスタの上層側に形成された第1の層間絶縁膜、該第1の層間絶縁膜に形成された第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたソース・ドレイン電極、第2の層間絶縁膜、該第2の層間絶縁膜に形成された第2のコンタクトホールを介して前記ソース・ドレイン電極に電気的に接続された透光性の画素電極、発光機能層、および対向電極が基板側から上層に向けてこの順に形成されている発光装置において、
前記薄膜トランジスタおよび前記ソース・ドレイン電極は、前記発光機能層と平面的に重なる領域からずれた位置に形成され、
前記第1の層間絶縁膜および前記第2の層間絶縁膜は各々、前記薄膜トランジスタおよび前記ソース・ドレイン電極と平面的に重なる領域、並びに前記発光機能層に平面的に重なる領域のいずれの領域でも同一の層構成を備え、
前記第1の層間絶縁膜および前記第2の層間絶縁膜は各々、光共振器を構成する複数の屈折率層を積層した誘電体多層膜を含んでいることを特徴とする発光装置。 - 前記第1の層間絶縁膜は、前記薄膜トランジスタにより形成される凹凸を平坦化する有機平坦化膜を備え、当該有機平坦化膜の上層に前記誘電体多層膜を備えていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記第1の層間絶縁膜は、全体が前記誘電体多層膜により構成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記薄膜トランジスタと前記基板との層間に下地保護膜が形成されており、
当該下地保護膜は、前記誘電体多層膜を備えていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。 - 前記誘電体多層膜はいずれの部分でも同一の屈折率層が組み合わされていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の発光装置。
- 前記誘電体多層膜には、2層の膜が一体で一層分の屈折率層を構成している層が含まれていることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の発光装置。
- 前記2層の膜の間には、少なくとも電極層が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
- 前記誘電体多層膜のいずれもが、第1の屈折率層と、該第1の屈折率層よりも屈折率の低い第2の屈折率層とから構成されていることを特徴とする請求項1ないし7の何れか一項に記載の発光装置。
- 前記第1の屈折率層の屈折率は、発光装置の発光中心波長において前記画素電極の屈折率に等しく、
前記画素電極は、前記第2の層間絶縁膜の誘電体多層膜のうち、前記第2の屈折率層の上層に積層されて一層分の屈折率層を構成していることを特徴とする請求項8に記載の発光装置。 - 前記光共振器では、前記第1の屈折率層と前記第2の屈折率層との繰り返し数が前記画素電極層を含めて2.5以上であり、かつ、
前記第1の屈折率層同士は光路長が等しいとともに、前記第2の屈折率層同士は光路長が等しいことを特徴とする請求項9に記載の発光装置。 - 請求項1乃至10の何れか1項に記載の発光装置を発光手段として有することを特徴とする電子機器。
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