TWI610430B - 有機發光顯示器及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

在一種具有優良影像品質與裝置可靠性的有機發光顯示器以及製造該有機發光顯示器的相關方法中，該有機發光顯示器包括：形成在基板上的閘極電極；形成在基板上以便覆蓋閘極電極的介層絕緣膜；以及形成在介層絕緣膜上的透明電極。介層絕緣膜包括具有不同折射率的多層。

Description

有機發光顯示器及其製造方法
相關申請案的交互參照
此申請案涉及、合併其於此處且主張早期於2011年1月10日向韓國智慧財產局所提交且有正式分配的序號10-2011-0002349的申請案依美國專利法35 U.S.C.§119所確立的所有效益。
本發明有關一種有機發光顯示器及其製造方法，特別是有關一種具有優良影像品質與裝置可靠性的有機發光顯示器裝置，以及一種用以製造該有機發光顯示器的方法。
有機發光顯示器是藉由電激發有機化合物而發射光的自發光顯示器。有機發光顯示器因為其低驅動電壓、薄設計、寬視角以及快速的反應時間，作為下一代顯示器正引起很大的關注。
有機發光顯示器包含在陽極電極與陰極電極之間的有機發光層。來自陽極電極的電洞在有機發光層結合來自陰極電極的電子以形成激子，其是電洞-電子對，以及有機發光層使用當激子由激發態回復到基態時產生之能量而發射光。一般而言，有機發光顯示器根據發射光的表面被分類成底部發射有機發光顯示器與頂部發射有機發光顯示器。在底部發射有機發光顯示器中， 影像是朝向有機發光裝置形成於其上的基板而實現。在頂部發射有機發光顯示器中，影像是遠離基板而實現。
隨著面板逐漸被要求變得更大且提供更高的影像品質，為了重現接近原始的色彩而需要增加色彩再現性。各種的共振結構正被使用以提高光耦合效率作為增加色彩再現性的一個方式。
當底部發射有機發光顯示器使用共振結構時，設置在閘極電極下方的閘極絕緣膜或緩衝層可被形成為多層以增加共振效率。然而，在這種情況下，會不利地影響裝置可靠性。
本發明提供一種具有優良影像品質與裝置可靠性的有機發光顯示器。
本發明也提供一種製造具有優良影像品質與裝置可靠性的有機發光顯示器的方法。
然而，本發明並不限於在此處所揭露的特定實施例。藉由參照以下本發明的詳細描述，本發明的上述及其他方面對於本發明涉及之該技術領域具有通常知識者將變得更加明顯。
根據本發明的一方面，一種有機發光顯示器包括：形成在基板上的閘極電極；形成在基板上以覆蓋閘極電極的介層絕緣膜；以及形成在介層絕緣膜上的透明電極；其中介層絕緣膜由具有不同折射率的多層所組成。
根據本發明的另一方面，一種有機發光顯示器包括：形成在基板的整個表面上的緩衝層；形成在緩衝層上且包含通道區及源極區與汲極區的主動層；形成在主動層上的閘極絕緣膜；形成在閘極絕緣膜上以重疊於通道區的 閘極電極；形成在閘極絕緣膜上以覆蓋閘極電極的介層絕緣膜；以及形成在介層絕緣膜上的透明電極；其中介層絕緣膜包括具有不同折射率的多層。
根據本發明的另一方面，一種製造有機發光顯示器的方法包括：形成包含通道區及源極區與汲極區之主動層，以及重疊於主動層的通道區之閘極電極在基板上；藉由堆疊具有不同折射率的多層在閘極電極上而形成介層絕緣膜；以及藉由堆疊透明導電膜在介層絕緣膜上且圖樣化該透明導電膜而形成透明電極。
根據本發明的另一方面，一種製造有機發光顯示器的方法包括：形成包含通道區及源極區與汲極區之主動層在基板上；形成閘極絕緣膜在基板與主動層上；形成閘極電極在閘極絕緣膜上以便重疊於主動層的通道區；藉由堆疊具有不同折射率的多層而形成介層絕緣膜在閘極電極上；形成用以形成透明電極的導電膜在介層絕緣膜上；藉由蝕刻介層絕緣膜與用以形成透明電極的導電膜而形成暴露源極區與汲極區的接觸孔；以及藉由堆疊用以形成填充接觸孔之源極電極與汲極電極的導電膜在用以形成透明電極的導電膜上，以及圖樣化用以形成透明電極的導電膜與用以形成源極電極與汲極電極的導電膜而形成透明電極及源極電極與汲極電極。
100、200、300、400‧‧‧有機發光顯示器
110‧‧‧基板
120、420‧‧‧緩衝層
121、421‧‧‧第一緩衝層
122、422‧‧‧第二緩衝層
130、130'‧‧‧主動層
130a‧‧‧源極區
130b‧‧‧通道區
130c‧‧‧汲極區
131‧‧‧半導體膜
140‧‧‧電容
141、141'‧‧‧第一電容電極
142‧‧‧第二電容電極
150、350‧‧‧閘極絕緣膜
151‧‧‧第一閘極絕緣膜
152‧‧‧第二閘極絕緣膜
160‧‧‧閘極電極
161‧‧‧第一閘極電極膜
161a‧‧‧第一導電膜
162‧‧‧第二閘極電極膜
162a‧‧‧第二導電膜
163‧‧‧第三閘極電極膜
163a‧‧‧第三導電膜
170、270、370‧‧‧介層絕緣膜
171、271、371‧‧‧第一介層絕緣膜
172、272、372‧‧‧第二介層絕緣膜
181‧‧‧透明電極
181'‧‧‧用於透明電極的導電膜
182‧‧‧像素定義層
182'‧‧‧有機膜
190‧‧‧接觸孔
191‧‧‧源極電極
191'‧‧‧用於各自的源極電極與汲極電極的導電膜
192‧‧‧汲極電極
201‧‧‧第一感光膜
202‧‧‧第二感光膜
202a‧‧‧第一次感光膜圖樣
202b‧‧‧第二次感光膜圖樣
203‧‧‧第三感光膜
204‧‧‧第四感光膜
204a‧‧‧第三次感光膜圖樣
204b‧‧‧第四次感光膜圖樣
205‧‧‧第五感光膜
273‧‧‧第三介層絕緣膜
310‧‧‧第一光罩
311、321、331、341、351‧‧‧光傳輸區
312、322、332、342、352‧‧‧光阻擋區
320‧‧‧第二光罩
323、343‧‧‧半傳輸區
330‧‧‧第三光罩
340‧‧‧第四光罩
350‧‧‧第五光罩
351‧‧‧第一閘極絕緣膜
352‧‧‧第二閘極絕緣膜
I‧‧‧發光區
II‧‧‧電晶體區
III‧‧‧儲存區
本發明的更完整評價及許多其隨之而來的優點將參照以下詳細描述並考慮配合附圖時而顯而易見的且同樣變得更好瞭解，其中相似的參考符號係指相同或類似的組件，其中：第1圖是根據本發明的例示性實施例之有機發光顯示器的剖面圖； 第2圖是根據本發明的另一例示性實施例之有機發光顯示器的剖面圖；第3圖是根據本發明的另一例示性實施例之有機發光顯示器的剖面圖；第4圖是根據本發明的另一例示性實施例之有機發光顯示器的剖面圖；第5至26圖是依序繪示根據本發明的一例示性實施例之製造有機發光顯示器的方法的製程的剖面圖；以及第27圖是繪示評估根據本發明的實施例及比較例所製造之有機發光顯示器的裝置可靠性的結果的圖表。
本發明的優點與特徵以及實現該發明的方法可參照以下例示性實施例的詳細描述與附圖而更輕易瞭解。然而，本發明可以許多不同形式體現且不應被理解為是限於在此處所陳述的實施例。相反地，提供這些實施例使得此揭露將是周密且完整的且將充分傳達本發明的概念予那些熟悉此技術領域的人，以及本發明將僅藉由所附之申請專利範圍而定義。圖式中，層與區的尺寸與相對尺寸是為清晰起見而被誇大。
將理解的是當一元件或層被稱為是”在”另一元件或層時，該元件或層可以是直接地在另一元件或層，或是也可存在介於其間的元件或層。相反地，當一元件被稱為是”直接在”另一元件或層時，其沒有介於其間的元件或層存在。正如在此處所使用的，”及/或”一詞包含相關的條列項目之一或多個的任何與所有組合。
為便於描述，於此文中可使用像是“在…下方”、“在…之下”、“下面的”、“在…之上”、“上面的”等等的空間相關詞語以描寫如圖中所示的一元件或特徵與另一元件或特徵的關係。將理解的是空間相關詞語 除了圖中所描繪的方向之外，還意指包含裝置在使用或操作中的不同方向。相似的參考數字說明書從頭到尾指的是相似的元件。
本發明的實施例在此處參照為本發明的理想實施例的示意圖示之平面圖示及剖面圖示來描述。就此點而論，由於(例如)製造技術及/或容許誤差的結果而來自圖示的形狀的變化是被預期的。因此，本發明的實施例不應被理解為是限於在此處所繪示區域的特定形狀，而是包含因例如製造而造成的形狀上的偏差。因此，圖中所繪示區域本質上為示意的且其形狀並非意圖繪示裝置的區域的實際形狀，因此非意圖限制於本發明的範疇。
下文中，本發明的例示性實施例將參照附圖進一步詳細地描述。
根據本發明的例示性實施例之有機發光顯示器現在將參照第1圖描述。
第1圖是根據本發明的例示性實施例之有機發光顯示器的剖面圖。
參照第1圖，根據當前的例示性實施例的有機發光顯示器100包含基板110、緩衝層120、主動層130、電容140、閘極絕緣膜150、閘極電極160、介層絕緣膜170、透明電極181、接觸孔190、各自的源極電極與汲極電極191與192、以及形成在基板110上的像素定義層182。
基板110包含發光區I、電晶體區II及儲存區III。發光區I是包含陽極電極、陰極電極及形成在陽極電極與陰極電極之間的有機發光層以便發射光的區域。電晶體區II是包含主動層130、閘極電極160及各自的源極電極與汲極電極191與192的薄膜電晶體形成於其上的區域，以及儲存區III是電容140形成於其上的區域。
基板110可為由例如玻璃、石英基板、陶瓷基板、矽基板製成的透明基板，或是由例如塑膠製成的可撓性基板。用於基板110的適當材料可根據 該技術領域具有通常知識者的需求而選擇。當有機發光顯示器100是底部發射型時，基板110可由透明材料製成。
緩衝層120形成在基板110的整個表面上。緩衝層120防止雜質(像是鹼性離子)自基板110滲入在後續製程中形成的薄膜電晶體以及平坦化基板110的表面。緩衝層120可由允許緩衝層120執行這些功能的任何材料製成。此外，緩衝層120可使用像是化學氣相沉積(CVD)之此領域熟知的傳統方法而形成。緩衝層112不是必要的。因此，緩衝層112可以依據基板110的類型與製程條件而被省略。
主動層130形成在電晶體區II的緩衝層120上。主動層130包含未摻雜雜質的通道區130b、以及設置在通道區130b的兩側且摻雜P型或N型雜質之各自的源極區與汲極區130b與130c。雜質可根據電晶體的類型而變化。
主動層130可藉由注入雜質至半導體膜而形成。具體地，主動層130可由非晶矽或多晶矽製成。當主動層130是由多晶矽製成時，其相較於由非晶矽製成時可具有較高的電荷遷移率。具體地，由多晶矽製成的主動層130可藉由直接沉積多晶矽在緩衝層120上或者藉由形成非晶矽層，使用準分子雷射退火(ELA)、連續橫向長晶(SLS)、金屬誘發結晶(MIC)、金屬誘發橫向結晶(MILC)或超級顆粒矽(SGS)來結晶非晶矽層，以及圖樣化已結晶的非晶矽層而形成。
閘極絕緣膜150形成在基板110的整個表面上且在主動層130上。 閘極絕緣膜150可使用像是CVD或電漿增強CVD(PECVD)之此領域熟知的傳統方法而形成。閘極絕緣膜150可由無機材料或有機材料與無機材料之混合物製成。無機材料的例子包含SiO2、SiNx及SiON。
閘極電極160形成在電晶體區II的閘極絕緣膜150上且重疊於主動層130的通道區130b。閘極電極160可為選自由Mo、W、AlNd、Ti、Al、Ag及這 些材料的合金所組成的群組中之材料或材料的混合物的單層。或者，為了減少配線電阻，閘極電極160可由為具低電阻率的材料之Mo、Al或Ag的二或更多層構成。也就是說，閘極電極160可藉由依序堆疊多層導電膜而形成以便減少配線電阻。具體地，閘極電極160可具有由Mo/Al/Mo、MoW/AlNd/MoW、Mo/Ag/Mo、Mo/Ag合金/Mo、或Ti/Al/Mo組成的多層結構。在第1圖中，閘極電極160由依序堆疊的第一閘極電極膜161、第二閘極電極膜162及第三閘極電極膜163所組成。 具體地，閘極電極160具有由依序堆疊的Ti/Al/Mo組成的多層結構。
如果閘極電極160藉由依序堆疊多層導電膜而形成，一間距(step)可形成在最低的導電膜與設置在最低的導電膜上的導電膜之間。具體地，一間距可形成在第一閘極電極膜161及設置在第一閘極電極膜161上之各自的第二與第三閘極電極膜162與163之間。因為第一閘極電極膜161是較各自的第二與第三閘極電極膜162與163寬，第一閘極電極膜161的各端之一預定區域被暴露。
在儲存區III上，具有第一電容電極(capacitor first electrode)141與第二電容電極(capacitor second electrode)142的電容140是與插入在第一電容電極141與第二電容電極142之間的閘極絕緣膜150一起形成。
因為閘極絕緣膜150形成在基板110的整個表面上以便延伸到儲存區III，其作為在儲存區III上的電容140的介電膜。
第一電容電極141形成在緩衝層120上。具體地，第一電容電極141可藉由與電晶體區II的主動層130相同的製程，藉由注入雜質到半導體膜而形成。
第二電容電極142可由選自由Mo、W、AlNd、Ti、Al、Ag及這些材料的合金所組成的群組中之材料或材料的混合物的單層所製成。如果第二電容電極142是由與閘極電極160相同的材料製成，或者如果閘極電極160由多層組成，第二電容電極142可由與在底部的第一閘極電極161相同的材料所製成。第 二電容電極142的厚度可藉由該技術領域具有通常知識者適當地調整以便允許雜質輕易地被注入第一電容電極141。具體地，第二電容電極142可被形成以便具有相等於第一閘極電極膜161的厚度。
介層絕緣膜170在基板110的整個表面上形成預定的厚度以便覆蓋閘極電極160與電容140。介層絕緣膜170不僅使閘極電極160與其後形成之各自的源極電極及汲極電極191及192絕緣，也平坦化裝置的整個表面以促進後續製程。此外，在當前的例示性實施例中，介層絕緣膜170形成共振結構，其使得自發光區I的有機發光層(未顯示)發射的光共振。
介層絕緣膜170可由二或更多個具有不同折射率的層所組成。在第1圖中，介層絕緣膜170是由第一介層絕緣膜171與第二介層絕緣膜172所組成的雙層。第一介層絕緣膜171與第二介層絕緣膜172具有不同的折射率。如第1圖所示，根據當前的例示性實施例之有機發光顯示器100是底部發射有機發光顯示器，其中透明電極181形成在介層絕緣膜170上。因此，形成共振結構，在其中自有機發光層(未顯示)發射的光在緩衝層120、閘極絕緣膜150及介層絕緣膜170中共振。在這方面，介層絕緣膜170可由具有各種厚度的多層所構成，使得在所需波長附近的光可以透過共振結構選擇地且集中地發射。多層的介層絕緣膜170提高有機發光顯示器100的光效率並確保優良的色彩再現性，因而增加影像品質。
介層絕緣膜170可由有機絕緣膜或無機絕緣膜製成。要形成共振結構，介層絕緣膜170可由無機絕緣膜或無機絕緣膜與有機絕緣膜的複合物所製成。無機絕緣膜的例子包含SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST與PZT，以及有機絕緣膜的例子包含通用聚合物(像是聚甲基丙烯酸 甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、醯亞胺聚合物、芳醚聚合物、醯胺聚合物、氟素聚合物、對二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物以及這些材料的摻合物。
透明電極181形成在發光區I與電晶體區II的介層絕緣膜170上。在根據當前的例示性實施例之有機發光顯示器100中，在有機發光層(未顯示)下方的電極層是形成在透明電極181中。因此，根據當前的例示性實施例之有機發光顯示器100具有底部發射結構。在此結構中，其中光在透明電極181與基板110之間的無機或有機膜中共振的共振結構可被形成。在本發明中，因為透明電極181形成在介層絕緣膜170上，不僅緩衝層120與閘極絕緣膜150，還有介層絕緣膜170也是充當共振結構的反射層。然而，如果透明電極181是形成在介層絕緣膜170下方，共振結構是藉由緩衝層120或閘極絕緣膜150而形成，以及介層絕緣膜170不包含在共振結構中。在這方面，如果緩衝層120或閘極絕緣膜150為了增加共振效率而形成為薄的多層，其可能影響裝置特性，因此劣化裝置可靠性。另一方面，如果介層絕緣膜170和當前的例示性實施例中一樣形成共振結構，共振效率是增加的，然而裝置可靠性不被影響。此外，所增加的共振效率提高色彩再現性，導致優良影像品質。
透明電極181形成在介層絕緣膜170上，具體地，在介層絕緣膜170上以便與介層絕緣膜170直接接觸。透明電極181可由但不限於選自由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及氧化銦(In2O3)所組成的群組中之材料或材料的混合物製成。
當透明電極181是由具有高功函數的材料(像是ITO)所製成，其可作為為電洞注入電極的陽極電極，以及有機發光層(未顯示)與為電子注入電極的 陰極電極(未顯示)可形成在透明電極181的暴露部分上。然而，此為一種相對概念。也就是說，透明電極181也可為陰極電極，以及陽極電極可形成在有機發光層上。在此結構中，電洞與電子注入有機發光層，以及注入的電洞與電子結合以形成激子。當其自激發態降至激態時激子發射光。
接觸孔190穿過透明電極181、介層絕緣膜170及閘極絕緣膜150。接觸孔190暴露主動層130之各自的源極區與汲極區130a與130c的預定區域。
各自的源極電極與汲極電極191與192形成在電晶體區II上及透明電極181上。各自的源極電極與汲極電極191與192中的任一個是形成在發光區I的透明電極181上以便與透明電極181直接接觸，因而電性連接至透明電極181。各自的源極電極與汲極電極191與192中的另一個是形成在用於透明電極181的導電膜上。各自的源極電極與汲極電極191與192透過接觸孔190電性連接至主動層130之各自的源極區與汲極區130a與130c。
各自的源極電極與汲極電極191與192可為選自由Mo、W、MoW、AlNd、Ti、Al、Ag及這些材料的合金所組成的群組中之材料或材料的混合物的單層。或者，為了減少配線電阻，各自的源極電極與汲極電極191與192可由為具低電阻率的材料之Mo、Al或Ag的二或更多層構成。也就是說，各自的源極電極與汲極電極191與192可藉由依序堆疊多層導電膜而形成以便減少配線電阻。具體地，各自的源極電極與汲極電極191與192可具有由Mo/Al/Mo、MoW/AlNd/MoW、Mo/Ag/Mo、Mo/Ag合金/Mo、或Ti/Al/Mo組成的多層結構。在第1圖中，各自的源極電極與汲極電極191與192是以單層形成。
像素定義層182形成在發光區I、電晶體區II及儲存區III的介層絕緣膜170上，並且暴露發光區I的透明電極181的預定區域。
像素定義層182可由選自由聚丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯樹脂、聚硫化苯樹脂及苯環丁烯所組成的群組中之材料或材料的混合物所製成。
下文中，根據本發明的另一例示性實施例之有機發光顯示器將參照第2圖描述。
第2圖是根據本發明的另一例示性實施例之有機發光顯示器的剖面圖。
參照第2圖，根據當前的例示性實施例的有機發光顯示器200包含緩衝層120、主動層130、電容140、閘極絕緣膜150、閘極電極160、介層絕緣膜270、透明電極181、接觸孔190、各自的源極電極與汲極電極191與192、以及形成在包含發光區I、電晶體區II與儲存區III的基板110上的像素定義層182。除了介層絕緣膜270以外，根據當前的例示性實施例的有機發光顯示器200具有與第1圖的有機發光顯示器100相同的配置。因此，以下的描述將聚焦在介層絕緣膜270，以及實質上與前述實施例的那些相同的元件是藉由相似的參考數字表示，因而其詳細的描述將被省略。
介層絕緣膜270可以由依序堆疊的第一介層絕緣膜271、第二介層絕緣膜272及第三介層絕緣膜273所組成的三層形成。在這方面，第一介層絕緣膜271、第二介層絕緣膜272及第三介層絕緣膜273可具有不同的折射率且具有相等的或不同的厚度。在第2圖中，第一介層絕緣膜271是形成相對較薄並且覆蓋閘極電極160，第二介層絕緣膜272是形成在第一介層絕緣膜271上以便具有平坦的頂部表面，以及第三介層絕緣膜273是形成在第二介層絕緣膜272上以便具有平坦的頂部表面。然而，本發明並不限於此結構。介層絕緣膜270也可由三或更 多層構成。此外，構成介層絕緣膜270的層數以及介層絕緣膜270的每一層的厚度可藉由該技術領域具有通常知識者而適當地決定，以致於接近所需波長的光可以盡可能的被提取(extract)。
第一介層絕緣膜271、第二介層絕緣膜272及第三介層絕緣膜273可由像是SiO2、SiNx、SiNxOy的無機材料或有機材料與無機材料的混合物所製成。第一介層絕緣膜271、第二介層絕緣膜272及第三介層絕緣膜273可由相同或不同的材料製成。然而，連續膜可能不是由相同的材料製成。當連續膜是由相同的材料製成時，它們的厚度可被調整使得其具有不同的折射率。
下文中，根據本發明的另一例示性實施例之有機發光顯示器將參照第3圖描述。
第3圖是根據本發明的另一例示性實施例之有機發光顯示器的剖面圖。
參照第3圖，根據當前的例示性實施例的有機發光顯示器300包含緩衝層120、主動層130、電容140、閘極絕緣膜350、閘極電極160、介層絕緣膜370、透明電極181、接觸孔190、各自的源極電極與汲極電極191與192、以及形成在包含發光區I、電晶體區II與儲存區III的基板110上的像素定義層182。除了閘極絕緣膜350以外，根據當前的例示性實施例的有機發光顯示器300具有與第1圖的有機發光顯示器100相同的配置。因此，以下的描述將聚焦在閘極絕緣膜350，以及實質上與前述實施例的那些相同的元件是藉由相似的參考數字表示，因而其詳細的描述將被省略。
閘極絕緣膜350形成在基板110的整個表面上以便覆蓋主動層130，並且是由複數個具有不同折射率的絕緣膜所組成。
第3圖所示的閘極絕緣膜350是由依序堆疊的第一閘極絕緣膜351與第二閘極絕緣膜352所組成的雙層。然而，本發明並不限於此，閘極絕緣膜350可由二或更多依序堆疊的絕緣膜組成。
第一閘極絕緣膜351與第二閘極絕緣膜352的厚度可藉由該技術領域具有通常知識者鑒於第一閘極絕緣膜351與第二閘極絕緣膜352的折射率而任意地調整。因此，第一閘極絕緣膜351與第二閘極絕緣膜352的厚度可相等或不同。第一閘極絕緣膜351與第二閘極絕緣膜352可由具有不同折射率的有機或無機絕緣膜製成。也就是說，具有二或更多層的結構以及適合有效地提取接近所需波長範圍的光的厚度與材料可被選擇用於閘極絕緣膜350。
下文中，根據本發明的另一例示性實施例之有機發光顯示器將參照第4圖描述。
第4圖是根據本發明的另一例示性實施例之有機發光顯示器的剖面圖。
參照第4圖，根據當前的例示性實施例的有機發光顯示器400包含緩衝層420、主動層130、電容140、閘極絕緣膜350、閘極電極160、介層絕緣膜170、透明電極181、接觸孔190、各自的源極電極與汲極電極191與192、以及形成在包含發光區I、電晶體區II與儲存區III的基板110上的像素定義層182。除了緩衝層420以外，根據當前的例示性實施例的有機發光顯示器400具有與第3圖的有機發光顯示器300相同的配置。因此，以下的描述將聚焦在緩衝層420，以及實質上與前述實施例的那些相同的元件是藉由相似的參考數字表示，因而其詳細的描述將被省略。
緩衝層420形成在基板110的整個表面上且可由複數個具有不同折射率的多層組成。第4圖所示的緩衝層420是由第一緩衝層421與第二緩衝層422所組成的雙層。然而，本發明並不限於此，緩衝層420可由二或更多層組成。 緩衝層420可由無機材料或有機材料製成。緩衝層420可由氧化矽層或氮化矽層製成。
第一緩衝層421與第二緩衝層422具有不同的折射率。第一緩衝層421與第二緩衝層422的厚度可藉由該技術領域具有通常知識者任意地調整至相等或不同。
在當前的例示性實施例中，緩衝層420充當使光共振的反射層。 緩衝層420可以增加共振效率因其是由具有不同折射率的多層構成。
如上所述，在根據本發明的有機發光顯示器中，透明電極形成在介層絕緣膜上，以及自有機發光層發射的光通過透明電極。此外，緩衝層、閘極絕緣膜及介層絕緣膜充當反射層且形成共振結構。在這方面，介層絕緣膜是由具有不同折射率的多層構成，以致於接近所需波長的光可以被提取。多層的介層絕緣膜增加共振效率而不影響裝置特性。同時，增加的共振效率提高色彩再現性，導致優良影像品質。共振效率可以藉由形成不只介層絕緣膜還有緩衝層以及/或閘極絕緣膜以便具有多層結構而進一步增加。
下文中，根據本發明的一例示性實施例之製造有機發光顯示器的方法將參照第1圖與第5至26圖描述。
第5至26圖是依序繪示根據本發明的一例示性實施例之製造有機發光顯示器的方法的製程的剖面圖。實質上與第1圖的那些相同的元件是藉由相似的參考數字表示，因而其詳細的描述將被省略。
參照第5圖，緩衝層120形成在基板110上。
緩衝層120可藉由CVD或PEVCD而形成。緩衝層120可由無機膜或無機膜與有機膜的複合物所製成。
參照第6圖，緩衝層120也可以由依序堆疊的第一緩衝層121與第二緩衝層122所組成的雙層形成。雖然第6圖所示的緩衝層120是雙層，但本發明並不限於此。緩衝層120也可由二或更多層構成。在這方面，第一緩衝層121與第二緩衝層122具有不同的折射率。第一緩衝層121與第二緩衝層122的厚度可以其折射率為基礎而任意地調整至相等或不同。
參照第7及8圖，用以形成主動層130(參見第1圖)與第一電容電極141(參見第1圖)的半導體膜131是形成在緩衝層120上，且接著被圖樣化以形成初步的主動層130'與初步的第一電容電極141'。
具體地，半導體膜131藉由例如CVD而堆疊在緩衝層120上，且接著第一感光膜201形成在半導體膜131上。當半導體膜131是由多晶矽製成時，其可藉由直接沉積多晶矽在緩衝層120上或藉由形成非晶矽層且使用ELA、SLS、MIC、MILC或SGS來結晶非晶矽層而形成。第一光罩310放置在第一感光膜201上方。為便於描述，以第一感光膜201為正感光膜的案例作為一例子來描述。然而，本發明並不限於此例子，負感光膜也可使用作為第一感光膜201。
第一光罩310包含光傳輸區311與光阻擋區312。光傳輸區311允許發射的光通過其區域，以及光阻擋區312阻擋發射的光。定位第一光罩310使得光阻擋區312對應於主動層130(參見第1圖)與第一電容電極141(參見第1圖)分別形成於其中的區域。接下來，第一感光膜201透過第一光罩310曝光然後顯影。 結果，對應於光傳輸區311之第一感光膜201的區域被移除，而剩下對應於光阻擋區312之第一感光膜201的區域以便形成第一感光膜圖樣。
參照第8圖，使用第一感光膜圖樣作為蝕刻遮罩來蝕刻半導體膜131，因而形成初步的主動層130'與初步的第一電容電極141'。接著，移除第一感光膜圖樣。
參照第9圖，閘極絕緣膜150形成在緩衝層120、初步的主動層130'及初步的第一電容電極141'上。閘極絕緣膜150可藉由CVD而由有機絕緣膜或像是SiNx、SiO2或SiON的無機絕緣膜所形成。閘極絕緣膜150較佳是由無機絕緣膜或無機絕緣膜與有機絕緣膜的複合物所形成。
參照第10圖，閘極絕緣膜150也可以由第一閘極絕緣膜151與第二閘極絕緣膜152所組成的雙層形成。第10圖所示的閘極絕緣膜150是由第一閘極絕緣膜151與形成在第一閘極絕緣膜151上的第二閘極絕緣膜152所組成的雙層。然而，本發明並不限於此，閘極絕緣膜150可由二或更多層構成。這裡，第一閘極絕緣膜151與第二閘極絕緣膜152可由具有不同折射率的材料所製成，以及可具有相等或不同的厚度。
參照第11至14圖，用以形成閘極電極160(參見第1圖)與第二電容電極142(參見第1圖)的導電膜是依序堆疊在閘極絕緣膜150上，且接著被圖樣化以形成閘極電極160與第二電容電極142。
參照第11圖，第一導電膜161a、第二導電膜162a及第三導電膜163a藉由例如濺鍍依序堆疊在閘極絕緣膜150上。具體地，第一導電膜161a可由Ti、Ta或Cr製成，以及第二導電膜162a可由像是鋁或鋁合金的鋁基金屬、像是銀或 銀合金的銀基金屬或像是銅或銅合金的銅基金屬所製成。此外，第三導電膜163a可由像是鉬或鉬合金的鉬基金屬所製成。
接下來，第二感光膜202形成在第三導電膜163a上，以及第二光罩320放置在第二感光膜202上方。為便於描述，以第二感光膜202為正感光膜的案例作為一例子來描述。然而，本發明並不限於此例子，負感光膜也可使用作為第二感光膜202。
為半色調網點光罩(halftone mask)的第二光罩320包含光傳輸區321、光阻擋區322及半傳輸區323。半傳輸區323只允許部分的發射的光通過其區域。定位第二光罩320使得光阻擋區322對應於閘極電極160(參見第1圖)形成在其中的區域，以及半傳輸區323對應於第二電容電極142(參見第1圖)形成在其中的區域。
參照第12圖，第二感光膜202透過第二光罩320曝光然後顯影。結果，對應於光傳輸區321之第二感光膜202的區域被移除，而剩下對應於光阻擋區322與半傳輸區323之第二感光膜202的區域，以便形成第二感光膜圖樣。第二感光膜圖樣包含對應於光阻擋區322的第一次感光膜圖樣202a及對應於半傳輸區323的第二次感光膜圖樣202b。第二次感光膜圖樣202b是較第一次感光膜圖樣202a薄。
參照第13圖，使用第一次感光膜圖樣202a與第二次感光膜圖樣202b作為蝕刻遮罩來蝕刻第一導電膜161a、第二導電膜162a及第三導電膜163a。 接著，移除第二次感光膜圖樣202b。在上述的蝕刻製程中，第二導電膜162a與第三導電膜163a可為濕蝕刻的，然後第一導電膜161a可為乾蝕刻的。在濕蝕刻製程中，可使用像是磷酸、硝酸或醋酸的蝕刻劑。在乾蝕刻製程中，可使用像是 氯或氯化溴(BCl3)的氯基蝕刻氣體。第二次感光膜圖樣202b可藉由使用氧氣的灰化製程而移除。然而，本發明並不限於此灰化製程。當移除第二次感光膜圖樣202b時，也可部分地移除第一次感光膜圖樣202a。結果，可減少第一次感光膜圖樣202a的厚度與寬度。
參照第13及14圖，使用剩餘的第一次感光膜圖樣202a作為蝕刻遮罩而再次蝕刻第二導電膜162a與第三導電膜163a。接著，移除剩餘的第一次感光膜圖樣202a。在這方面，第二導電膜162a與第三導電膜163a可為濕蝕刻的，並可藉由灰化製程移除第一次感光膜圖樣202a。在這些製程之後，自儲存區III移除第二導電膜162a與第三導電膜163a，以及只有第一導電膜161a保留在儲存區III以便形成第二電容電極142。保留在電晶體區II的第一導電膜161a、第二導電膜162a與第三導電膜163a分別形成第一閘極電極膜161、第二閘極電極膜162與第三閘極電極膜163，其構成三層的閘極電極160。在上述的蝕刻製程中，因為第二導電膜162a與第三導電膜163a是使用已減少寬度的第一次感光膜圖樣202a作為蝕刻遮罩而蝕刻的，第二閘極電極膜162與第三閘極電極膜163可較第一閘極電極膜161窄。也就是說，第一閘極電極膜161的各端的預定區域可被暴露。此外，因為第一導電膜161a形成第一閘極電極膜161及第二電容電極142，第二電容電極142的厚度可相等於第一閘極電極膜161的厚度。
參照第15圖，使用閘極電極160作為遮罩來注入N型或P型雜質，因而形成主動層130與第一電容電極141。
具體地，具有對應於主動層130之暴露區域與對應於第一電容電極141之暴露區域的阻隔膜(未顯示)是形成在基板110上，以及使用閘極電極160作為遮罩來注入雜質。阻隔膜可由但不限於像是SiO2或Si3N4的感光材料所製成。
可注入像是P、As或Sb的施體雜質離子以便製造N型薄膜電晶體，以及可注入像是B、Al、Ga或In的受體雜質離子以便製造P型薄膜電晶體。 在這方面，因為第二電容電極142是暴露的，注入第一電容電極141的雜質也可注入第二電容電極142。透過此製程，形成第一電容電極141以及包含與閘極電極160重疊且未摻雜雜質的通道區130b及配置在通道區130b的兩側上之各自的源極區與汲極區130a與130c之主動層130。
參照第16圖，介層絕緣膜170與用於透明電極181的導電膜181'是形成在閘極絕緣膜150、閘極電極160及第二電容電極142上。
介層絕緣膜170可由具有不同折射率的多層組成。在第16圖中所示的介層絕緣膜170是由第一介層絕緣膜171與第二介層絕緣膜172所組成的雙層。然而，本發明並不限於此，介層絕緣膜170可根據該技術領域具有通常知識者的需求由二或更多膜構成。多層的介層絕緣膜170的每一層的厚度是不受限的，且可根據該技術領域具有通常知識者的需求而變化。可形成在頂部的第二介層絕緣膜172以便具有平坦的頂部表面。介層絕緣膜170可由無機絕緣膜或有機絕緣膜製成。介層絕緣膜170較佳是由無機絕緣膜或無機絕緣膜與有機絕緣膜的複合物所製成。
用以形成透明電極181的導電膜181'直接形成在介層絕緣膜170上，且可為含有一或更多選自ITO、IZO、ZnO與In2O3的透明材料之透明導電膜。
參照第17及18圖，蝕刻用於透明電極181的導電膜181'、介層絕緣膜170與閘極絕緣膜150以便形成暴露各自的源極區與汲極區130a與130c之預定區域的接觸孔190。
參照第17圖，第三感光膜203形成在用於透明電極181的導電膜181'上。接著，第三光罩330放置在第三感光膜203上方。為便於描述，以第三感光膜203為正感光膜的案例作為一例子來描述。然而，本發明並不限於此例子，負感光膜也可使用作為第三感光膜203。
第三光罩330包含光傳輸區331與光阻擋區332，並且被定位使得光傳輸區331對應於接觸孔190(參見第1圖)形成在其中的區域。
參照第17及18圖，第三感光膜203透過第三光罩330曝光然後顯影。結果，對應於光傳輸區331之第三感光膜203的區域被移除，而剩下對應於光阻擋區332之第三感光膜203的區域，以便形成第三感光膜圖樣。使用第三感光膜圖樣作為蝕刻遮罩來蝕刻用於透明電極181的導電膜181'、介層絕緣膜170與閘極絕緣膜150，因而形成暴露各自的源極區與汲極區130a與130c之預定區域的接觸孔190。接著，移除第三感光膜圖樣。用於透明電極181的導電膜181'、介層絕緣膜170與閘極絕緣膜150可為乾蝕刻的。
參照第19至23圖，用於各自的源極電極與汲極電極191與192的導電膜191'是形成在用於透明電極181的導電膜181'上，且接著被圖樣化以形成透明電極181及各自的源極電極與汲極電極191與192。
參照第19及20圖，用於各自的源極電極與汲極電極191與192的導電膜191'藉由例如濺鍍而形成在用於透明電極181的導電膜181'上，以及第四感光膜204形成在用於各自的源極電極與汲極電極191與192的導電膜191'上。
第四光罩340放置在第四感光膜204上方。為便於描述，以第四感光膜204為正感光膜的案例作為一例子來描述。然而，本發明並不限於此例子，負感光膜也可使用作為第四感光膜204。
為半色調網點光罩的第四光罩340包含光傳輸區341、光阻擋區342及半傳輸區343。定位第四光罩340使得光阻擋區342對應於各自的源極電極與汲極電極191與192(參見第1圖)形成在其中的區域，以及半傳輸區343對應於透明電極181(參見第1圖)形成在其中的區域。
參照第21圖，第四感光膜204透過第四光罩340曝光然後顯影。結果，對應於光傳輸區341之第四感光膜204的區域被移除，而剩下對應於光阻擋區342與半傳輸區343之第四感光膜204的區域，以便形成第四感光膜圖樣。第四感光膜圖樣包含對應於光阻擋區342的第三次感光膜圖樣204a以及對應於半傳輸區343的第四次感光膜圖樣204b。第四次感光膜圖樣204b是較第三次感光膜圖樣204a薄。
參照第21及22圖，使用第四感光膜圖樣作為蝕刻遮罩來蝕刻用於透明電極181的導電膜181'及用於各自的源極電極與汲極電極191與192的導電膜191'。在這方面，用於透明電極181的導電膜181'及用於各自的源極電極與汲極電極191與192的導電膜191'可個別是濕蝕刻的或乾蝕刻的，或可同時是使用包含硝酸與氟離子的蝕刻劑之濕蝕刻的。在蝕刻製程之後剩下的導電膜181'形成透明電極181。
參照第22及23圖，在上述的蝕刻製程之後，第四次感光膜圖樣204b可藉由例如是使用氧氣的灰化製程而移除。當移除第四次感光膜圖樣204b時，也可部分地移除第三次感光膜圖樣204a。結果，可減少第三次感光膜圖樣204a的厚度與寬度。使用剩餘的第三次感光膜圖樣204a作為蝕刻遮罩而再次蝕刻用於各自的源極電極與汲極電極191與192的導電膜191'。在這方面，自發光區I移除用於各自的源極電極與汲極電極191與192的導電膜191'，因而暴露發光區I 的透明電極181。各自的源極電極與汲極電極191與192中的任一個(例如源極電極191)形成在電晶體區II的透明電極181上，以及各自的源極電極與汲極電極191與192中的另一個(例如汲極電極192)形成在用於透明電極181的導電膜181'上。
參照第24至26圖，用以形成像素定義層182的有機膜182'堆疊在介層絕緣膜170、透明電極181及各自的源極電極與汲極電極191與192上，且接著被圖樣化以形成暴露透明電極181的像素定義層182。
參照第24及25圖，用於像素定義層182的有機膜182'藉由例如CVD堆疊在各自的源極電極與汲極電極191與192上，以及第五感光膜205形成在用以形成像素定義層182的有機膜182'上。第五光罩350放置在第五感光膜205上方。 為便於描述，以第五感光膜205為正感光膜的案例作為一例子來描述。然而，本發明並不限於此例子，負感光膜也可使用作為第五感光膜205。
第五光罩350包含光傳輸區351與光阻擋區352，並且被定位使得光傳輸區351對應於透明電極181。第五感光膜205透過第五光罩350曝光然後顯影。結果，對應於光傳輸區351之第五感光膜205的區域被移除，而剩下對應於光阻擋區352之第五感光膜205的區域，以便形成第五感光膜圖樣。
參照第26圖，使用第五感光膜圖樣作為蝕刻遮罩來蝕刻用於像素定義層182的有機膜182'，且接著移除第五感光膜圖樣。在這方面，用於像素定義層182的有機膜182'可為乾蝕刻的或濕蝕刻的，以及第五感光膜圖樣可藉由灰化製程而移除。透過這些製程，形成暴露透明電極181之預定區域的像素定義層182。
根據當前的例示性實施例，使用五個光罩310至350可以製造具有形成在介層絕緣膜170上的透明電極181之有機發光顯示器。在結構如上述的有 機發光顯示器中，共振結構是形成在基板110與透明電極181之間。此外，包括具有不同折射率的多層之介層絕緣膜170提高共振效率而不影響裝置可靠性。再者，閘極電極160是以包括第一閘極電極膜161、第二閘極電極膜162與第三閘極電極膜163的多層形成，以及第二電容電極142是在與形成閘極電極160相同的製程中由與第一閘極電極膜161相同的材料所形成。
本發明的效應將參照以下的評估範例進一步詳細地描述。
評估範例1：色彩再現性
製造結構如第4圖(實施例1)所示的有機發光顯示器，以及結構如第4圖所示但其中介層絕緣膜是以如第2圖所示的三層形成的有機發光顯示器(實施例2)。此外，製造結構如第3圖所示的有機發光顯示器。然而，在此有機發光顯示器中，透明電極是形成在閘極絕緣膜上並藉由接觸孔連接至源極電極與汲極電極，以及介層絕緣膜是單層(比較例1)。也製造相同於比較例1之有機發光顯示器但其中緩衝層是雙層的有機發光顯示器(比較例2)。測量如上述所製得的有機發光顯示器的色彩再現性，且結果顯示於下面表1中。
Figure TWI610430BD00001
參照表1，因為在比較例1與比較例2中的透明電極不是形成在介層絕緣膜上，介層絕緣膜不能形成共振結構。當實施例1與2展現優良的色彩再現性時，比較例1展現差的色彩再現性。在比較例2的情況中，雖然介層絕緣膜不能形成共振結構，因為緩衝層與閘極絕緣膜具有多層結構而獲得良好的色彩再現性。
評估範例2：裝置可靠性
製造相同於實施例2但其中介層絕緣膜是單層的有機發光顯示器(實施例3)。接著，在偏壓應力條件下測量實施例1至3及比較例2的有機發光顯示器的臨界電壓，且結果如第27圖所示。
參照第27圖，即使在偏壓應力條件下，實施例1至3的有機發光顯示器的臨界電壓難以改變，因此確保裝置可靠性。另一方面，比較例2的有機發光顯示器的臨界電壓逐漸地增加。這樣的臨界電壓的增加不利地影響裝置的操作，因此降低裝置的可靠性。
將理解的是當閘極絕緣膜或緩衝層為了提高共振效率而以多層形成時，係不利地影響裝置可靠性。
雖然本發明已參照其例示性實施例來特別地顯示與描述，然而將理解的是該技術領域具有通常知識者可在未脫離由下述申請專利範圍所定義之本發明的精神與範疇下做形式與細節上的各種變化。例示性實施例應被認為僅是描述性的意義，而不是用於限制的目的。
100‧‧‧有機發光顯示器
110‧‧‧基板
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧主動層
130a‧‧‧源極區
130b‧‧‧通道區
130c‧‧‧汲極區
140‧‧‧電容
141‧‧‧第一電容電極
142‧‧‧第二電容電極
150‧‧‧閘極絕緣膜
160‧‧‧閘極電極
161‧‧‧第一閘極電極膜
162‧‧‧第二閘極電極膜
163‧‧‧第三閘極電極膜
170‧‧‧介層絕緣膜
171‧‧‧第一介層絕緣膜
172‧‧‧第二介層絕緣膜
181‧‧‧透明電極
182‧‧‧像素定義層
190‧‧‧接觸孔
191‧‧‧源極電極
192‧‧‧汲極電極
I‧‧‧發光區
II‧‧‧電晶體區
III‧‧‧儲存區

Claims (18)

  1. 一種有機發光顯示器，其包括：一閘極電極，形成在一基板上；一閘極絕緣膜，形成在該閘極電極下方及該基板上，其中該閘極絕緣膜包括具有不同折射率的多層；一介層絕緣膜，形成在該基板上並覆蓋該閘極電極，且包括具有不同折射率的多層；以及一透明電極，形成在該介層絕緣膜上；其中該閘極絕緣膜及該介層絕緣膜形成一共振結構的一反射層，且其中該多層之至少一層係為一有機絕緣膜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其進一步包括一形成在該閘極絕緣膜下方及該基板上的緩衝層，其中該緩衝層包括具有不同折射率的多層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其進一步包括一形成在該基板與該透明電極之間的無機膜，其中該無機膜包括具有不同折射率的多層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其進一步包括形成在該透明電極上的一源極電極與一汲極電極，其中該透明電極形成在該介層絕緣膜上且與該介層絕緣膜直接接觸，以及該源極電極與該汲極電極中的任一個形成在該透明電極上且與該透明電極直接接觸。
  5. 一種有機發光顯示器，其包括： 一緩衝層，形成在一基板的整個表面上；一主動層，形成在該緩衝層上且包括一通道區及一源極區與一汲極區；一閘極絕緣膜，形成在該主動層上，其中該閘極絕緣膜包括具有不同折射率的多層；一閘極電極，形成在該閘極絕緣膜上且重疊於該通道區；一介層絕緣膜，形成在該閘極絕緣膜上且覆蓋該閘極電極，且包括具有不同折射率的多層；以及一透明電極，形成在該介層絕緣膜上；其中該閘極絕緣膜及該介層絕緣膜形成一共振結構的一反射層，且其中該多層之至少一層係為一有機絕緣膜。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示器，其進一步包括透過接觸孔連接至各自的該源極區與該汲極區且形成在該透明電極上的一源極電極與一汲極電極。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示器，其中該源極電極與該汲極電極中的任一個形成在該透明電極上且與該透明電極直接接觸。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示器，其中該緩衝層包括具有不同折射率的多層。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示器，其中該閘極電極具有一包括依序堆疊之一第一閘極電極膜、一第二閘極電極膜及一第三閘極膜的多層結構。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示器，其進一步包括一形成在該緩衝層上的第一電容電極(capacitor first electrode)，以及一形成在該閘極絕緣膜上的第二電容電極(capacitor second electrode)，其中該第二電容電極的厚度相等於該第一閘極電極膜的厚度。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示器，其中該第二閘極電極膜與該第三閘極電極膜是較該第一閘極電極膜窄。
  12. 一種製造有機發光顯示器的方法，該方法包括以下步驟：形成一閘極電極在一基板上；藉由堆疊具有不同折射率的多層而在該基板與該主動層上形成一閘極絕緣膜；形成一介層絕緣膜在該基板上且覆蓋該閘極電極，且包括具有不同折射率的多層；以及形成一透明電極在該介層絕緣膜上；其中該閘極絕緣膜及該介層絕緣膜形成一共振結構的一反射層，且其中該多層之至少一層係為一有機絕緣膜。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其進一步包括形成一主動層在該基板上且藉由堆疊具有不同折射率的多層而在該主動層下方形成一緩衝層的一步驟。
  14. 一種製造有機發光顯示器的方法，該方法包括以下步驟：形成一緩衝層在一基板的整個表面上； 形成一包括一通道區及一源極區與一汲極區之主動層在該緩衝層上；形成一閘極絕緣膜在該主動層上，其中該閘極絕緣膜包括具有不同折射率的多層；形成一閘極電極在該閘極絕緣膜上以便重疊於該主動層的該通道區；形成一介層絕緣膜在該閘極絕緣膜上且覆蓋該閘極電極，且包括具有不同折射率的多層；以及形成一透明電極在該介層絕緣膜上；其中該閘極絕緣膜及該介層絕緣膜形成一共振結構的一反射層，且其中該多層之至少一層係為一有機絕緣膜。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中形成該緩衝層的該步驟包括堆疊具有不同折射率的多層。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中形成該主動層的該步驟包括形成一作為該主動層的第一電容電極在該基板上，以及其中形成該閘極絕緣膜的該步驟包括形成一作為該閘極電極的第二電容電極在該閘極絕緣膜上。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中形成該閘極電極與該第二電容電極的該步驟包括：藉由依序堆疊一第一導電膜、一第二導電膜及一第三導電膜在該閘極絕緣膜上而形成一多層導電膜； 藉由使用一半色調網點光罩而形成一包括一對應於該閘極電極的第一次感光膜圖樣以及一對應於該第二電容電極的第二次感光膜圖樣之感光膜圖樣在該第三導電膜上；以及使用該感光膜圖樣作為一蝕刻遮罩來蝕刻該第一至第三導電膜。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中蝕刻該第一至第三導電膜的該步驟包括：使用該第一次感光膜圖樣與該第二次感光膜圖樣作為該蝕刻遮罩來蝕刻該第一至第三導電膜，及接著移除該第二次感光膜圖樣；以及使用該剩餘的第一次感光膜圖樣作為該蝕刻遮罩而再次蝕刻該第二導電膜與該第三導電膜。
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