TW201507138A - 有機發光顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
有機發光顯示裝置包含基板。緩衝層被形成於基板上。薄膜電晶體被設置在緩衝層上。薄膜電晶體包含主動層、閘極電極、源極電極、汲極電極、第一絕緣層及第二絕緣層。不均勻的圖樣通過將緩衝層圖樣化而形成。第一像素電極被設置在形成於第二絕緣層中的開口內。第一像素電極包含透明導電氧化物。第二像素電極被設置在第一像素電極上。第二像素電極包含半透射層。有機發光層形成於第二像素電極上。反向電極形成於有機發光層上。
Description
本申請主張於2013年5月16日在韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號10-2013-0056036之優先權，其公開的全部內容在此以參考形式被併入。
本發明關於一種顯示裝置，更具體地來說，係關於一種有機發光顯示裝置和一種製造該有機發光顯示裝置的方法。
有機發光顯示裝置作為下一代顯示裝置而越來越受到關注，這是由於此類裝置的低電壓操作、輕盈的重量、輕薄的外形、寬廣的視角、出色的對比度以及快速的反應。
然而，由於有機發光顯示裝置可具有寬闊的發射波長，所以發光效率和色純度可能會被降低。而且，由於從有機發光層所發出的光傾向缺乏特定的方向，所以有很多以任意方向發出的光子會被有機發光裝置內反射，並因此無法到達實際的觀測者，從而降低了有機發光裝置的光提取效率。為了提高光提取效率，可以於有機發光顯示裝置內裝設分佈式布拉格反射（DBR）鏡反射鏡，或者可以利用共振結構以調整有機層的厚度。然而，雖然共振結構增加光效率，但導致基於視角產生之色彩偏移。
本發明提供藉由利用具有不均勻部分的共振結構可降低基於視角的不同而產生的色彩偏移的一種有機發光顯示裝置。本發明也提供了一種製造有機發光顯示裝置的方法。
根據本發明的一態樣，有機發光顯示裝置包含基板。緩衝層被形成於基板上。薄膜電晶體被設置在該緩衝層上。該薄膜電晶體包含主動層、閘極電極、源極電極及汲極電極。第一絕緣層被設置於主動層與閘極電極之間。第二絕緣層被設置於閘極電極與源極電極及汲極電極之間。不均勻的圖樣單元包括通過圖樣化緩衝層而形成之第一不均勻圖樣。第一像素電極被設置在 形成於第二絕緣層中的開口內。第一像素電極包含透明導電氧化物。第二像素電極被設置在第一像素電極上。第二像素電極包含半透射層。有機發光層被形成於第二像素電極上。反向電極被形成於有機發光層上。
不均勻的圖樣單元可以進一步包含通過將第一絕緣層圖樣化而形成的第二不均勻圖樣。
不均勻的圖樣單元可以進一步包含通過將主動層圖樣化而形成的第三不均勻圖樣。
不均勻圖樣單元的不均勻圖樣可以分享蝕刻表面。
透明導電氧化物可以包括氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）、氧化銦（In2
O3
）、氧化銦鎵（IGO）、或氧化鋁鋅（AZO）。
半透射層可以包含銀（Ag）、鋁（Al）、或其合金。
反向電極可以是反射電極。
閘極電極可以包括含有透明導電氧化物的第一層及包含金屬的第二層。
有機發光顯示裝置可以進一步包含由與主動層相同的層所形成的電容器的第一電極及包含分別由與第一像素電極及第二像素電極相同之材料形成之兩層的電容器的第二電極。
電容器的第二電極可以被設置於形成於第二絕緣層的開口中。
第一絕緣層可被設置於第一電極與第二電極之間。
第一電極可包含離子雜質。
有機發光顯示裝置可以進一步包含像素定義層，其中開口於第二絕緣層上以薄膜電晶體的橫向方向與薄膜電晶體相互隔開地被形成。
第一及第二像素電極可以被設置於形成於像素定義層的開口中。
根據本發明的一個態樣，一種製造有機發光顯示裝置的方法包括於基板上形成緩衝層。薄膜電晶體被設置於緩衝層上，並包含主動層、閘極電極、源極電極及汲極電極。第一絕緣層被設置於主動層與閘極電極之間。第二絕緣層被設置於閘極電極與源極電極及汲極電極之間。不均勻圖樣單元包含至少緩衝層的一部分。第一像素電極包含透明導電氧化物於不均勻圖樣單元上且第二像素電極包含半透射層於第一像素電極上。有機發光層被形成於第二像素電極上。反向電極被形成於有機發光層上。
第二像素電極可以於形成源極電極及汲極電極之後被形成。
方法可以進一步包括由與主動層相同的層形成電容器的第一電極。電容器的第二電極可以分別包含由與第一像素電極及第二像素電極相同的層形成的兩層。
主動層可以於第一摻雜過程中摻有離子雜質，而電容器的第一電極可以於第二摻雜過程中摻有離子雜質。
於形成源極電極及汲極電極之後，第二電極兩層中的上層可被形成。
根據本發明的實施例的一種有機發光顯示裝置及其製造方法，可以藉由利用包含不均勻部分的共振結構減低基於視角的色彩偏移。
1、2、3‧‧‧有機發光顯示裝置
PXL1、PXL2、PXL3‧‧‧像素區
TR1、TR2、TR3‧‧‧電晶體區
CAP1、CAP2、CAP3‧‧‧電容器區
10‧‧‧基板
11‧‧‧緩衝層
11a、12a、13a‧‧‧不均勻圖樣
13‧‧‧第一絕緣層
16‧‧‧第二絕緣層
19‧‧‧第三絕緣層
113、113a、113b、113c、113d 213、313‧‧‧不均勻圖樣單元
114‧‧‧第一像素電極
115、315‧‧‧上層
118‧‧‧第二像素電極
120‧‧‧有機發光層
121‧‧‧反向電極
212‧‧‧主動層
212a‧‧‧源極區
212b‧‧‧汲極區
212c‧‧‧通道區
214、314‧‧‧第一層
215、318‧‧‧第二層
217a‧‧‧源極電極
217b‧‧‧汲極電極
312‧‧‧第一電極
C1～C5‧‧‧開口
D1、D2‧‧‧離子雜質
通過詳細描述其例示性實施例並參照附圖，本發明的上述內容及其他特點及各方面將變得更加清晰，其中：
第1圖是描繪根據本發明的實施例之有機發光顯示裝置的橫截面圖；
第2A圖至第2G圖是根據本發明的一個實施例，依序描繪第1圖中有機發光顯示裝置的製造方法的橫截面圖；
第3A圖至第3D圖是描繪根據本發明的實施例之各種不均勻圖樣單元的平面圖；
第4圖是描繪根據本發明的實施例之有機發光顯示裝置的橫截面圖；及
第5圖是描繪根據本發明的實施例之有機發光顯示裝置的橫截面圖。
本發明現在將參照附圖更加充分地描述。然而，本發明可以許多不同的形式實施並且不應被解釋為限於本文所闡述的實施例；不如說，提供這些實施例使得本公開內容透徹及完整，並且對領域的普通技術人員充分地傳達本發明的概念。
此外，與詳細說明無關的附圖中的部份會被省略，以確保本發明的清晰度。於附圖中類似的標號可以表示類似的元件。
於附圖中，元件的尺寸及厚度可能為了方便說明而被誇大，而因此本發明並不受限於圖中所示的尺寸及厚度。
第1圖是描繪根據本發明的實施例之有機發光顯示裝置1的橫截面圖。
參照第1圖，基板10包含像素區PXL1、電晶體區TR1及電容器區CAP1。
基板10可以是透明基板，例如玻璃基板或包含聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚萘二甲酸乙二酯（PEN）或聚亞醯胺的塑料基板。
緩衝層11被設置於基板10上。緩衝層11可以是具有由氮化矽及/或氧化矽所構成之單層或多層結構的絕緣膜。緩衝層11可以防止雜質元素滲入基板10，並可將基板10平坦化。
於像素區PXL1中，通過圖樣化緩衝層11形成的不均勻圖樣11a，及通過圖樣化第一絕緣層13形成的不均勻圖樣13a，構成不均勻圖樣單元113，說明如下。
主動層212被設置於緩衝層11上。主動層212可以由包括非晶矽或多晶矽之半導體形成。主動層212可以包括摻有離子雜質的源極區212a及汲極區212b，以及源極區212a與汲極區212b之間的通道區212c。主動層212不限於包括非晶矽或多晶矽之半導體，且可以包括氧化物半導體。
於電晶體區TR1中，閘極電極通過第一絕緣層13設置於主動層212上，第一絕緣層13是閘極電極與主動層212之間，位於對應於主動層212的通道區212c的位置的閘絕緣膜。
閘極電極包含具有透明導電氧化物的第一層214及具有金屬的第二層215，其以此順序設置於第一絕緣層13上。第一層214可包含氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）、氧化銦（In2
O3
）、氧化銦鎵（IGO）或氧化鋁鋅（AZO）。第二層215可具有包含鋁（Al）、鉑（Pt）、鈀（Pd）、銀（Ag）、鎂（Mg）、金（Au）、鎳（Ni）、釹（Nd）、銥（Ir）、鉻（Cr）、鋰（Li）、鈣（Ca）、鉬（Mo）、鈦（Ti）、鎢（W）或銅（Cu）之單層或多層結構。
分別被連接到主動層212的源極區212a及汲極區212b的源極電極217a及汲極電極217b通過第二絕緣層16被設置於閘極電極上，第二絕緣層16為源極電極及汲極電極217a及217b與閘極電極之間之夾層絕緣膜。源極電極217a及汲極電極217b各可包含Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、或Cu，且可具有單層或者多層結構。
第三絕緣層19被設置於第二絕緣層16上並覆蓋源極電極217a及汲極電極217b。第三絕緣層19可以是有機絕緣膜。
第三絕緣膜19暴露像素區PXL1，而不均勻圖樣單元113被形成於像素區PXL1中。分別延展到像素區PXL1的緩衝層11及第一絕緣層13被圖樣化以形成共享蝕刻表面的不均勻圖樣11a及13a並構成不均勻圖樣單元113。
緩衝層11和第一絕緣層13可被用於形成不均勻圖樣單元113。不均勻圖樣單元113可以是具有單層或多層結構的絕緣層。緩衝層11及第一絕緣層13可以由具有不同折射率的材料所形成。由於複數個絕緣層形成分佈式布拉格反射鏡（DBR）共振結構，有機發光顯示裝置1的光提取效率及色彩再現質素可以因此被提高。此外，由於不均勻圖樣，有機發光顯示裝置1的側表面的色彩偏移可以被有效地減低。緩衝層11及第一絕緣層13各可以包含SiNx、SiO2
、SiON、HfO2
、 Si3
N4
、ZrO2
、TiO2
、Ta2
O4
、Ta2
O5
、Nb2
O5
、Al2
O3
、BST或PZT。
第3A圖至第3D圖是描繪根據本發明實施例之各種不均勻圖樣單元113a、113b、113c及113d的平面圖。第3A圖表示具有條棒狀的不均勻圖樣單元113a，而第3B圖表示具有條棒之兩端被對稱地彎曲的不均勻圖樣單元113b。第3C圖表示具有圓形形狀的不均勻圖樣單元113c，而第3D圖表示具有V形形狀的不均勻圖樣單元113d。然而，本發明並不限於此，而不均勻圖樣單元113可以被製造成具有其它任何不同形狀，如三角形、五邊形及類似形狀。
再參照第1圖，第一像素電極114沿不均勻圖樣形成於不均勻圖樣單元113上。第一像素電極114可以由透明導電氧化物形成。透明導電氧化物可以包含氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）、氧化銦（In2
O3
）、氧化銦鎵（IGO）及氧化鋁鋅（AZO）。
第二像素電極118被形成於第一像素電極 114上。第二像素電極118可以是包括銀（Ag）、鋁（Al）、及其合金之半透射金屬層。
雖然未於第1圖中詳細說明，第二像素電極118可以具有包括半透射金屬層之多層結構。例如，第二像素電極118可以包含依序構成之具有透明導電氧化物的第一層、具有半透射金屬層的第二層及具有透明導電氧化物的第三層。與第一像素電極114接觸之包含透明導電氧化物的第一層，可以降低第一像素電極114與第二像素電極118之間的接觸應力。與含有有機發光層120的中間層接觸的包含透明導電氧化物之第三層，可以減少半透射金屬層與中間層之間的功函數差。
由於為反射電極的反向電極121及為半透射電極的第二像素電極118構成共振鏡，所以從有機發光層120所發出的光於第二像素電極118與反向電極121之間共振。因而，有機發光顯示裝置1的發光效率可以被提昇。
例如，如果為半透射電極的第二像素電極118包含Ag並於源極電極217a及汲極電極217b形成之後被形成，那麼Ag可於形成源極電極217a及汲極電極217b中蝕刻製程中被破壞。然而，根據本發明的例示性實施例，由於包含半透射金屬層的第二像素電極118是於源極電極217a及汲極電極217b形成之後被形成，所以可避免對第二像素電極118的破壞。
包含有機發光層120的中間層（並未表示），被設置於第二像素電極118上。有機發光層120可由低分子量的有機材料或高分子量的有機材料形成。當有機發光層120是由低分子量的有機材料所形成，電洞傳輸層（HTL）、電洞注入層（HIL）、電子傳輸層（ETL）及電子注入層（EIL）可以被堆疊於中間層上。其它不同的層可以按要求而被堆疊。例如，低分子量的有機材料可以包含銅酞青（CuPc）、N'-二苯基聯苯胺（N'-diphenyl-benzidine，NPB）及/或三-8-羥基喹啉鋁（tris-8-hydroxyquinoline aluminum， Alq3）。然而，當有機發光層120是由高分子量的有機材料所形成，中間層可以包含HTL。HTL可以是由聚-（3,4）-乙烯-二羥基噻吩（poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene ，PEDOT）或聚苯胺（polyaniline，PANI）所形成。例如，高分子量的有機材料可包含聚伸苯乙烯系（polyphenylene vinylene (PPV)-based）的高分子量有機材料及/或以聚芴系(polyfluorene-based)高分子量有機材料。於有機發光層120中，發出的紅光、綠光及藍光之子像素可構成一個單元像素。
雖然有機發光層120被形成於開口C5中而獨立的發光材料則根據第1圖中的每一像素而被形成，但是本發明並不被限於此。有機光發射層120可不管像素的位置地形成於第三絕緣層19上。例如，有機發光層120可通過垂直地堆疊或混合具有發出紅光、綠光及藍光的發光材料的層而被形成。其中白光被發出時，其它顏色可被結合。此外，有機發光顯示裝置1可以進一步包含將發出的白光轉換為預定顏色的顏色轉換層，或彩色濾光器。
雖然在中間層沒有於第1圖中被詳細說明，但是除了有機發光層120外，包含於中間層中的不同層可被形成為所有像素的共同層，或可以對每一像素局部地被形成。此外，中間層對每一像素可以按要求而具有不同的厚度。中間層可由有機材料而形成。然而，本發明並不限於此，且中間層可包含無機材料。
反向電極121被沉積為有機發光層120上的共同電極。反向電極121可以被形成為共同電極。於有機發光顯示裝置1中，第一像素電極 114及第二像素電極118被用作為一陽極而反向電極121被用作為陰極。替代地，第一像素電極 114及第二像素電極118可被用作為陰極，而反向電極121可被用作為陽極。
反向電極121可以是包含反射材料的反射電極。反向電極121可以包含Ag、Al、Ga、Li、Ca、LiF/Ca或LiF/Al。
由於反向電極121是反射電極，所以從有機發光層120所發出的光被反向電極121所反射，通過由透明導電材料形成的第一像素電極 114而被傳播，並朝向基板10發射。例如，由於緩衝層11及第一絕緣層13的DBR共振結構的關係，有機發光顯示裝置1的光提取效率及色彩再現質素可以被提高而色彩偏移可因緩衝層11及第一絕緣層13形成的不均勻結構而被減低。
於電容器區CAP1中，電容器的第一電極312是由與基板10上的主動層212相同的層所形成。第一電極312可以包含摻有與源極電極212a及汲極電極212b摻有的離子雜質一樣的離子雜質的半導體。如果第一電極312是由並不摻有離子雜質之純半導體所形成，那麼電容器具有金屬氧化物半導體（MOS）電容器結構。然而，如果第一電極312由如上面所討論的摻有雜質離子的半導體所形成，那麼電容器就具有金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器結構，其電容大於MOS電容器結構的電容，從而將其電容最大化。於是，MIM電容器結構可以小於MOS電容器結構面積的面積實現相同的電容。因此，電容器面積減量的邊距增加，並因而，第一及第二像素電極114及118可以形成以具有相對大的尺寸進而提高孔徑比。
第一絕緣層13延展以形成電容器的介電質膜。由與第一及第二像素電極114及118相同的材料所形成的電容器的第二電極，被形成於第一絕緣層13上。第二電極包含第一層314及第二層318，其中第一層314包含與第一像素電極114相同之透明導電氧化物而第二層318包含與第二像素電極118相同之半透射金屬層。
第三絕緣層19被設置於電容器的第二電極上。由於包含具有低介電常數的有機絕緣材料的第三絕緣層19被插入於反向電極121與第二電極之間，可以降低可能形成於反向電極121與電容器之第二電極之間的寄生電容，從而避免因寄生電容而帶來的訊號干擾。
雖然於第1圖中未被說明，有機發光顯示裝置1可以進一步包含封裝構件以密封包含像素區PXL1、電晶體區TR1及電容器區CAP1的顯示區。封裝構件可以是由包含玻璃材料、金屬膜，或其中有機絕緣膜及無機絕緣膜被交錯設置的封裝膜的基板所形成。
第2A圖至第2G圖是根據本發明的一個實施例，依序描繪第1圖中有機發光顯示裝置1的製造方法的橫截面圖。
參照第2A圖，描繪第一光罩程序的合成結構，緩衝層11被形成於基板10上，而主動層212及電容器的第一電極312被形成於緩衝層11上。
雖然於第2A圖中未繪示，半導體層（未繪示）被形成於緩衝層11上而並施加光阻（未繪示）。然後，半導體層藉由使用第一光罩（未繪示）之光刻法而被圖樣化，以形成主動層212及電容器的第一電極312。
半導體層可以包含非晶矽或結晶矽。結晶矽可以由通過使非晶矽結晶而形成。非晶矽可以通過使用任何各種方法而被結晶化，例如快速熱退火（RTA）、固相結晶（SPC）、準分子雷射退火（ELA）、金屬誘發結晶（MIC）、金屬誘發側向結晶（MILC）、順序橫向固化（SLS）等。半導體層（未繪示）並不被限於非晶矽或結晶矽，並且可以包含其它材料，例如，氧化物半導體。
採用光刻法的第一光罩程序包括使用曝光裝置於第一光罩上進行曝光，並進行一系列的程序，例如，顯影、蝕刻、剝離及灰化。可以假定隨後的光罩程序可以按照類似於在此被描述的第一光罩程序的方式來進行。
參照第2B圖，第一絕緣層13被形成於第2A圖中的第一光罩程序所得結構的整個表面上，而然後第二光罩程序被進行以形成複數個第一開口C1於緩衝層11及第一絕緣層13中，從而形成不均勻圖樣單元113。
緩衝層11的不均勻圖樣11a及第一絕緣層13的不均勻圖樣13a可以共享蝕刻表面。色彩偏移可以通過將蝕刻表面形成為斜坡以增加不均勻圖樣單元113的總斜坡面積而被有效地避免。
參照第2C圖，透明導電氧化物（未繪示）及第一金屬層（未繪示）被依序沉積於第2B圖中的第二光罩程序所得結構的表面上，然後第三光罩程序被進行以圖樣化透明導電氧化物（未繪示）及第一金屬層（未繪示）。第一金屬層（未繪示）可以具有包含選自由Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、及Cu所組成的群組中的至少一金屬之單層或多層結構。
作為圖樣化的結果，閘極電極的第一層及第二層214及215、電容器第二電極的第一層314及第二電極的上層315被形成，而第一像素電極114及第一像素電極114的上層115被形成於像素區PXL1中的不均勻圖樣單元113上。
首先，離子雜質D1被注入到所得結構以摻雜所得結構（第一摻雜程序）。硼（B）或磷（P）離子可以作為離子雜質D1而被注入，而特別地，離子雜質D1藉由 利用 TFT的主動層212作為目標，以大約1×1015
原子/ 平方公分或 以上的濃度注入所得結構 。通過利用閘極電極作為自對準光罩以注入離子雜質D1到主動層212，主動層212具有其中摻有離子雜質D1之源極區212a及汲極區212b，以及於其中間之通道區212c。
參照第2D圖，第二絕緣層16被形成於第2C圖中的第三光罩程序之所得結構上，且通過第四光罩程序，第二絕緣層16被圖樣化以形成第二開口C2，第一像素電極114的上層115通過第二開口C2被暴露；第三開口C3，源極區212a及汲極區212b通過第三開口C3被暴露；以及第四開口C4，電容器第二電極314的上層315通過第四開口C4被暴露。
參照第2E圖，源極電極217a及汲極電極217b被形成於第2D圖中第四光罩程序之所得結構上。
當源極電極217a及汲極電極217b通過於第五光罩程序中之圖樣化而形成時，第一像素電極114的上層115及第二電極314的上層315會被移除。
於移除第一像素電極114的上層115及第二電極314的上層315之後，離子雜質D2通過利用電容器的第一電極312作為目標（第二摻雜程序）被注入到所得結構。於第一摻雜程序期間沒有被摻雜之第一電極312，於第二摻雜程序期間被摻雜離子雜質D2，並因此，第一電極312及第二電極314構成MIM電容器。
參照第2F圖，進行第六光罩程序，以形成第二像素電極118及電容器第二電極的第二層318於第2E圖之第五光罩程序之所得結構上。
第二像素電極118及電容器的第二電極的第二層318，各包含含有銀（Ag）、鋁（Al）或其合金之半透射金屬層。由於半透射金屬層於源極電極217a及汲極電極217b形成後圖樣化，可以避免第二像素電極118及電容器第二電極的第二層318於形成源極電極217a及汲極電極217b之蝕刻製程中被破壞。
參照第2G圖，第三絕緣層19被形成於第2F圖之第六光罩程序的所得結構上。第三絕緣層19被圖樣以形成開口C5，而第二像素電極118通過開口C5被暴露。
本發明的例示性實施例將參照第4圖及第5圖被描述於下。此處的描述可集中於以上所描述關於第1至3圖的有機發光顯示裝置1中的不同點。此處可以假設，不被提供的詳情是至少與那些先前所描述的類似。
第4圖是描繪根據本發明的實施例而說明有機發光顯示裝置2的橫截面圖。
參照第4圖，有機發光顯示裝置2的基板10包含像素區PXL2、電晶體區TR2及電容器區CAP2。電晶體區及電容器區TR2及CAP2的結構與以上描述的有機發光顯示裝置1的電晶體區及電容器區TR1及CAP1的結構相同。
於像素區PXL2中，緩衝層11被設置於基板10上。此處，不均勻圖樣單元213包含通過僅圖案化緩衝層11而被形成的不均勻圖樣11a，而第一絕緣層13被形成於基板10上以覆蓋不均勻圖樣11a。
包含透明導電氧化物的第一像素電極114，以及包含半透射金屬層的第二像素電極118，被依次地形成於不均勻圖樣單元213及第一絕緣層13上。包含有機發光層120的中間層（未繪示）被設置於第二像素電極118上，而為反射電極的反向電極121被設置於有機發光層120上。
通過利用不均勻圖樣單元213及共振結構，有機發光顯示裝置2的光提取效率可以被提高而色彩偏移可以被減低。
第5圖是描繪根據本發明的實施例之有機發光顯示裝置3的橫截面圖。
參照第5圖，有機發光顯示裝置3的基板10包含像素區PXL3、電晶體區TR3及電容器區CAP3。電晶體區及電容器區TR3及CAP3的結構與有機發光顯示裝置2的電晶體區及電容器區TR2及CAP2的結構相同。
於像素區PXL3中，緩衝層11被設置於基板10上。此處，不均勻圖樣單元313包含通過圖樣化緩衝層11而被形成的不均勻圖樣11a、通過圖樣化主動層12而被形成的不均勻圖樣12a以及通過圖樣化第一絕緣層13而被形成的不均勻圖樣13a。
緩衝層11、主動層12及第一絕緣層13於同一光罩程序中被同時圖樣化以形成不均勻圖樣單元313，並因此不均勻圖樣11a、12a及13a共享蝕刻表面。當用於形成不均勻圖樣單元313的層的數目增加時，不均勻圖樣單元313的圖樣尺寸可能會被增加，從而進一步減低色彩偏移。
包含透明導電氧化物的第一像素電極 114，以及包含半透射金屬層的第二像素電極118，被依次地形成於不均勻圖樣單元313上。包含有機發光層120的中間層（未繪示），被設置於第二像素電極118上，而為反射電極的反向電極121被設置於有機發光層120上。
通過利用不均勻圖樣單元313及共振結構，有機發光顯示裝置3的光提取效率可以被提高而色彩偏移可以被減低。
雖然本發明的已例示性實施例參照附圖被具體地展示及描述，本領域普通技術人員將理解，可對本文進行形式與細節上之各種變化，而不背離本發明的精神及範疇的情況。
國內寄存資訊【請依寄存機構、日期、號碼順序註記】
無
國外寄存資訊【請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記】
無
無
1‧‧‧有機發光顯示裝置
PXL1‧‧‧像素區
TR1‧‧‧電晶體區
CAP1‧‧‧電容器區
10‧‧‧基板
11‧‧‧緩衝層
11a、13a‧‧‧不均勻圖樣
13‧‧‧第一絕緣層
16‧‧‧第二絕緣層
19‧‧‧第三絕緣層
113‧‧‧不均勻圖樣單元
114‧‧‧第一像素電極
118‧‧‧第二像素電極
120‧‧‧有機發光層
121‧‧‧反向電極
212‧‧‧主動層
212a‧‧‧源極區
212b‧‧‧汲極區
212c‧‧‧通道區
214、314‧‧‧第一層
215、318‧‧‧第二層
217a‧‧‧源極電極
217b‧‧‧汲極電極
312‧‧‧第一電極
C2、C5‧‧‧開口
Claims (10)
- 【第1項】一種有機發光顯示裝置，其包含：
一基板；
一緩衝層，設置於該基板上；
一薄膜電晶體，設置於該緩衝層上，其中該薄膜電晶體包含一主動層、一閘極電極、一源極電極、一汲極電極、設置於該主動層與該閘極電極之間的一第一絕緣層及一第二絕緣層，其中該第二絕緣層設置於該閘極電極與該源極電極之間及於該閘極電極與該汲極電極之間；
一不均勻圖樣單元，包含通過圖樣化該緩衝層而形成的一第一不均勻圖樣；
一第一像素電極，設置於形成於該第二絕緣層的一開口中，其中該第一像素電極包含一透明導電氧化物；
一第二像素電極，設置於該第一像素電極上，其中該第二像素電極包含一半透射層；
一有機發光層，形成於該第二像素電極上；以及
一反向電極，形成於該有機發光層上，並設置相對於該第二像素電極。 - 【第2項】如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該不均勻圖樣單元進一步包含通過圖樣化該第一絕緣層而形成的一第二不均勻圖樣。
- 【第3項】如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該不均勻圖樣單元的該第一不均勻圖樣及該第二不均勻圖樣共享共同的一蝕刻表面。
- 【第4項】如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該不均勻圖樣單元進一步包含通過圖樣化該主動層而形成的一第三不均勻圖樣。
- 【第5項】如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示裝置，其中該不均勻圖樣單元的該第一不均勻圖樣、該第二不均勻圖樣及該第三不均勻圖樣共享相同的一蝕刻表面。
- 【第6項】如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該反向電極為一反射電極。
- 【第7項】如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其進一步包含：
一電容器的一第一電極，形成於與該主動層相同的層上；
該電容器的一第二電極，包含分別以與該第一像素電極及該第二像素電極相同之材料所構成的兩層。 - 【第8項】如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該電容器的該第二電極設置於形成於該第二絕緣層的該開口中。
- 【第9項】如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一絕緣層設置於該第一電極與該第二電極之間。
- 【第10項】如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其進一步包含一像素定義層，其中一開口於該第二絕緣層上以該薄膜電晶體的橫向方向與該薄膜電晶體相互隔開地被形成。
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