CN104167423B - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
有机发光显示装置包括衬底。缓冲层形成于所述衬底上。薄膜晶体管被设置在所述缓冲层上。所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、第一绝缘层和第二绝缘层。不均匀图案通过图案化所述缓冲层形成。第一像素电极被设置在形成于所述第二绝缘层中的开口中。所述第一像素电极包括透明导电氧化物。第二像素电极被设置在所述第一像素电极上。所述第二像素电极包括半透射层。有机发光层形成于所述第二像素电极上。相对电极形成于所述有机发光层上。
Description
相关专利申请的交叉引用
本申请要求于2013年5月16日向韩国专利局提交的第10-2013-0056036号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及显示装置，更具体地涉及有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置因其低压操作、轻、薄、宽视角、优良对比度和快速响应而作为下一代显示装置受到关注。
然而，由于有机发光显示装置可具有宽发光波长，因此发光效率和色纯度可能降低。而且，由于从有机发光层发出的光常常缺乏具体方向性，沿任意方向发出的许多光子被有机发光装置内部反射，因此无法到达实际的观察者，由此降低了有机发光装置的光提取效率。为了增加光提取效率，可在有机发光显示装置中提供分布布拉格反射（DBR）镜或者可使用用于调整有机层厚度的共振结构。然而，尽管共振结构增加了光提取效率，但是导致依赖于视角的色偏。
发明内容
本发明提供了一种有机发光显示装置，其可通过使用具有不均匀部分的共振结构降低依赖于视角的色偏。本发明还提供了一种制造有机发光显示装置的方法。
根据本发明的一方面，有机发光显示装置包括衬底。缓冲层形成于所述衬底上。薄膜晶体管被设置在所述缓冲层上。所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极。第一绝缘层被设置在所述有源层与所述栅电极之间。第二绝缘层被设置在所述栅电极与所述源电极之间和所述栅电极与所述漏电极之间。包括不均匀图案的不均匀图案单元通过图案化所述缓冲层形成。第一像素电极被设置在形成于所述第二绝缘层中的开口中。所述第一像素电极包括透明导电氧化物。第二像素电极被设置在所述第一像素电极上。所述第二像素电极包括半透射层。有机发光层形成于所述第二像素电极上。相对电极形成于所述有机发光层上。
所述不均匀图案单元还可包括通过对所述第一绝缘层图案化而形成的不均匀图案。
所述不均匀图案单元还可包括通过对所述有源层图案化而形成的不均匀图案。
所述不均匀图案单元的不均匀图案可共享刻蚀表面。
所述透明导电氧化物可包括氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In2O3）、氧化镓铟（IGO）、或氧化锌铝（AZO）。
所述半透射层可包括银（Ag）、铝（Al）或它们的合金。
所述相对电极可以是反射电极。
所述栅电极可包括第一层和第二层，第一层包括透明导电氧化物第二层包括金属。
所述有机发光显示装置还可包括电容器的第一电极和所述电容器的第二电极，其中所述电容器的所述第一电极形成于与所述有源层相同的层，所述电容器的所述第二电极包括分别由与所述第一像素电极和所述第二像素电极相同的材料形成的两个层。
所述电容器的所述第二电极可被设置在形成于所述第二绝缘层中的开口中。
所述第一绝缘层可被设置在所述第一电极与所述第二电极之间。
所述第一电极可包括离子杂质。
所述有机发光显示装置还可包括像素限定层，在所述像素限定层中开口被形成于所述第二绝缘层上且沿所述薄膜晶体管的横向方向与所述薄膜晶体管间隔开。
所述第一像素电极和所述第二像素电极可被设置在形成于所述像素限定层中的所述开口中。
根据本发明的一方面，制造有机发光显示装置的方法包括在衬底上形成缓冲层。在所述缓冲层上设置薄膜晶体管，并且所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极。在所述有源层与所述栅电极之间设置第一绝缘层。在所述栅电极与所述源电极之间和所述栅电极与所述漏电极之间设置第二绝缘层。所述不均匀图案单元包括至少所述缓冲层的一部分。所述第一像素电极包括透明导电氧化物，所述第二像素电极包括位于不均匀图案单元上的半透射层。在所述第二像素电极上形成有机发光层。在所述有机发光层上形成相对电极。
所述第二像素电极可在形成所述源电极和所述漏电极之后形成。
所述方法还可包括在与所述有源层相同的层上形成电容器的第一电极。所述电容器的第二电极可包括在分别与所述第一像素电极和所述第二像素电极相同的层上形成的两个层。
所述有源层可在第一掺杂过程中被掺杂有离子杂质，并且所述电容器的第一电极可在第二掺杂过程中被掺杂有离子杂质。
所述第二电极的两个层的上层可在形成所述源电极和所述漏电极之后形成。
根据本发明的实施方式的有机发光显示装置及其制造方法可通过使用包括不均匀部分的共振结构降低依赖于视角的色偏。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明的示例性实施方式，本发明的上面和其它特征和方面将变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的剖视图；
图2A至图2G是顺序地示出了根据本发明的实施方式的制造图1的有机发光显示装置的方法的剖视图；
图3A至图3D是示出了根据本发明的实施方式的各种不均匀图案单元的平面视图；
图4是示出了根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的剖视图；以及
图5是示出了根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的剖视图。
具体实施方式
现在参考附图更完整地描述本发明。然而，本发明可以许多不同的形式实现并且不应该被解释为受限于本文所阐述的实施方式；而是，提供这些实施方式使得此公开透彻完整，并且这些实施方式将本发明的概念完整地传达给本领域的技术人员。
而且，附图中与详细描述不相关的部分被省略以保证本发明的清晰性。附图中相似的参考标号可表示相似的元件。
在附图中，为了方便说明，元件的尺寸和厚度可被夸大，因此本发明不限于所示的尺寸和厚度。
图1是示出了根据本发明的实施方式的有机发光显示装置1的剖视图。
参考图1，衬底10包括像素区域PXL1、晶体管区域TR1、电容器区域CAP1。
衬底10可以是透明衬底，例如玻璃衬底或包括聚对苯二甲酸乙二酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）或聚酰亚胺的塑料衬底。
缓冲层11被设置在衬底10上。缓冲层11可以是具有由氮化硅和/或氧化硅形成的单层或多层结构的绝缘膜。缓冲层11可防止杂质元素渗入衬底10内，并且可平坦化衬底10。
在像素区域PXL1中，通过图案化缓冲层11形成的不均匀图案11a、通过图案化第一绝缘层13形成的不均匀图案13a构成如下所述的不均匀图案单元113。
有源层212被设置在缓冲层11上。有源层212可由包括非晶硅或多晶硅的半导体形成。有源层212可包括掺杂有离子杂质的源区212a和漏区212b、以及位于源区212a与漏区212b之间的沟道区212c。有源层212不限于包括非晶硅或多晶硅的半导体，并且可包括氧化物半导体。
在晶体管区域TR1中，栅电极被设置在有源层212上与有源层212的沟道区212c的位置对应的位置处，其中作为栅绝缘膜的第一绝缘层13位于栅电极与有源层212之间。
栅电极包括包括透明导电氧化物的第一层214和包括金属的第二层215，第一层214和第二层215以这种顺序被设置在第一绝缘层13上。第一层214可包括氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In2O3）、氧化镓铟（IGO）、或氧化锌铝（AZO）。第二层215可具有包括铝（Al）、铂（Pt）、钯（Pd）、银（Ag）、镁（Mg）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）、锂（Li）、钙（Ca）、钼（Mo）、钛（Ti）、钨（W）或铜（Cu）的单层或多层结构。
分别连接至有源层212的源区212a和漏区212b的源电极217a和漏电极217b被设置在栅电极上，其中作为层间绝缘膜的第二绝缘层16位于源和漏电极217a和217b与栅电极之间。源电极217a和漏电极217b中的每个可包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W或Cu，并且可具有单层或多层结构。
第三绝缘层19被设置在第二绝缘层16上并且覆盖源电极217a和漏电极217b。第三绝缘层19可以是有机绝缘膜。
第三绝缘膜19使像素区域PXL1暴露，不均匀图案113形成于像素区域PXL1中。分别延伸至像素区域PXL1的缓冲层11和第一绝缘层13被图案化以形成不均匀图案11a和13a，不均匀图案11a和13a共享刻蚀表面并且构成不均匀图案单元113。
缓冲层11和第一绝缘层13可用于形成不均匀图案单元113。不均匀图案单元113可以是具有单层或多层结构的绝缘层。缓冲层11和第一绝缘层13可由具有不同折射率的材料形成。由于多个绝缘层形成分布布拉格反射器（DBR）共振结构，因此可提高有机发光显示装置1的光提取效率和颜色再现质量。而且，作为不均匀图案的结果，可有效降低有机发光显示装置1的侧表面的色偏。缓冲层11和第一绝缘层13中的每个可包括SiNx、SiO2、SiON、HfO2、Si3N4、ZrO2、TiO2、Ta2O4、Ta2O5、Nb2O5、Al2O3、BST或PZT。
图3A至图3D是示出了根据本发明的实施方式的各种不均匀图案单元113a、113b、113c和113d的平面视图。图3A示出了具有棍形状的不均匀图案单元113a，图3B示出了具有棍两端对称弯曲的形状的不均匀图案单元113b。图3C示出了具有环形形状的不均匀图案单元113c，图3D示出了具有V形形状的不均匀图案单元113d。然而，本发明不限于，并且不均匀图案单元113可被制造为具有各种其它形状中的任一种，例如三角形形状、五边形形状等。
回去参考图1，第一像素电极114沿不均匀图案形成于不均匀图案单元113上。第一像素电极114可由透明导电氧化物形成。透明导电氧化物可包括氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In2O3）、氧化镓铟（IGO）、或氧化锌铝（AZO）。
第二像素电极118形成于第一像素电极114上。第二像素电极118可以是包括银（Ag）、铝（Al）及其合金的半透射金属层。
尽管未在图1中详细示出，但是第二像素电极118可具有包括半透射金属层的多层结构。例如，第二像素电极118可包括顺序形成的包括透明导电氧化物的第一层、包括半透射金属层的第二层和包括透明导电氧化物的第三层。与第一像素电极114接触的包括透明导电氧化物的第一层可减少第一像素电极114与第二像素电极118之间的接触应力。与包括有机发光层120的中间层接触的包括透明导电氧化物的第三层可减少半透射金属层与中间层之间的功函数差。
由于为反射电极的相对电极121和为半透射电极的第二像素电极118构成共振镜，因此从有机发光层120发出的光在第二像素电极118与相对电极121之间共振。由此，可提高有机发光显示装置1的光提取效率。
例如，如果为半透射电极的第二像素电极118包括Ag并且在源电极217a和漏电极217b形成之后形成，则Ag可能在用于形成源电极217a和漏电极217b的刻蚀过程中被损坏。然而，根据本发明的示例性实施方式，由于包括半透射金属层的第二像素电极118在源电极217a和漏电极217b形成之后形成，所以可防止对第二像素电极118的损坏。
包括有机发光层120的中间层（未示出）被设置在第二像素电极118上。有机发光层120可由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成。当有机发光层120由低分子量有机材料形成时，空穴传输层（HTL）、空穴注入层（HIL）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）可堆叠在中间层上。根据需要可堆叠各种其它层。例如，低分子量有机材料可包括酞菁铜（CuPc）、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺（NPB）和/或三-8-羟基喹啉铝（Alq3）。然而，当有机发光层120由高分子量有机材料形成时，中间层可包括HTL。HTL可由聚-(2,4)-乙烯-二羟基噻吩（PEDOT）或聚苯胺（PANI）形成。例如，高分子量有机材料可包括基于聚亚苯基乙烯的高分子量有机材料和/或基于聚芴的高分子量有机材料。在有机发光层120中，发出红光的子像素、发出绿光的子像素和发出蓝光的子像素可构成一个单位像素。
尽管有机发光层120形成于开口C5中并且根据图1的每个像素形成单独的发光材料，但是本发明不限于此。有机发光层120可形成于第三绝缘层19上而不管像素的位置。例如，有机发光层120可通过竖直堆叠或混合包括发出红光、绿光和蓝光的发光材料的多个层形成。当发出白光时，可组合其它颜色。此外，有机发光显示装置1还可包括将发出的白光转换成预定颜色的颜色转换层、或滤色器。
尽管未在图1中详细示出中间层，但是包括在中间层中的除了有机发光层120之外的各个层可被形成作为所有像素的公共层，或者可对于每个像素部分地形成。此外，中间层可根据需要对每个像素具有不同的厚度。中间层可由有机材料形成。然而，本发明不限于此，并且中间层可包括无机材料。
相对电极121被沉积成有机发光层120上的公共电极。相对电极121可被形成为公共电极。在有机发光显示装置1中，第一像素电极114和第二像素电极118用作阳极并且相对电极121用作阴极。可选地，第一像素电极114和第二像素电极118可用作阴极，并且相对电极121可用作阳极。
相对电极121可以是包括反射材料的反射电极。相对电极121可包括Ag、Al、Gm、Li、Ca、LiF/Ca、或LiF/Al。
由于相对电极121是反射电极，因此从有机发光层120发出的光被相对电极121反射，透射穿过由透明导电材料形成的第一像素电极114，并且朝向衬底10发射。例如，由于缓冲层11和第一绝缘层13的DBR共振结构，可提高有机发光显示装置1的光提取效率和颜色再生质量，并且由于由缓冲层11和第一绝缘层13形成的不均匀结构可降低色偏。
在电容器区域CAP1中，电容器的第一电极312形成于与衬底10上的有源层212相同的层上。第一电极312可包括掺杂有与源电极212a和漏电极212b所掺杂的离子杂质相同的离子杂质的半导体。如果第一电极312由纯半导体形成、未掺杂有离子杂质，则电容器具有金属氧化物半导体（MOS）电容器结构。然而，如果第一电极312由掺杂有如上讨论的离子杂质的半导体形成，则电容器具有电容大于MOS电容器结构的电容的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器结构，由此使其电容最大化。由此，MIM电容器结构可实现相同的电容但具有比MOS电容器结构面积小的面积。因此，用于减少电容器面积的裕度增加，因此，第一和第二电极114和118可被形成为具有相对大的尺寸以增加孔径比。
第一绝缘层13延伸以形成电容器的介质膜。电容器的由与第一和第二像素电极114和118相同的材料形成的第二电极形成于第一绝缘层13上。第二电极包括第一层314和第二层318，其中第一层314包括与第一像素电极114相似的透明导电氧化物，第二层318包括与第二像素电极118相似的半透射金属层。
第三绝缘层19被设置在电容器的第二电极上。由于包括具有低介电常数的有机绝缘材料的第三绝缘层19位于相对电极121与第二电极之间，因而可减少可形成于相对电极121与电容器的第二电极之间的寄生电容，由此防止因寄生电容引起的信号干扰。
尽管在图1中未示出，有机发光显示装置1还可包括用于封装包括像素区域PXL1、晶体管区域TR1和电容器区域CAP1的显示区域的封装构件。封装构件可由包括玻璃材料、金属膜、或交替设置有有机绝缘膜和无机绝缘膜的封装膜的衬底形成。
图2A至图2G是顺序地示出根据本发明的实施方式的制造图1的有机发光显示装置1的方法的剖视图。
参考示出了第一掩模过程的结果结构的图2A，在衬底10上形成缓冲层11，并且在缓冲层11上形成有源层212和电容器的第一电极312。
尽管在图2A中未示出，在缓冲层11上形成半导体层（未示出）并且应用光刻胶（未示出）。接下来，使用第一掩模（未示出）通过光刻法图案化半导体层以形成有源层212和电容器的第一电极312。
半导体层可包括非晶硅或晶化硅。晶化硅可通过晶化非晶硅来形成。非晶硅可使用各种方法（例如，快速热处理（RTA）、固相晶化法（SPC）、准分子激光热处理（ELA）、金属诱导晶化法（MIC）、金属诱发侧向晶化法（MILC）、连续侧向结晶法（SLS）等）中的任一种被晶化。半导体层（未示出）不限于非晶硅或晶化硅，而是可包括其它材料，例如氧化物半导体。
使用光刻法的第一掩模过程包括：在第一掩模上使用曝光装置执行曝光；以及执行一系列过程，例如显影、刻蚀、剥离和灰化。可假设随后的掩模过程可以与本文关于第一掩模过程描述相似的方式执行。
参考图2B，在图2A的第一掩模过程的结果结构的整个表面上形成第一绝缘层13，然后执行第二掩模过程以在缓冲层11和第一绝缘层13中形成多个开口C1由此形成不均匀图案单元113。
缓冲层11的不均匀图案11a和第一绝缘层13的不均匀图案13a可共享刻蚀表面。可通过将刻蚀表面形成为斜坡以增加不均匀图案单元113的总斜坡面积，可有效地防止色偏。
参考图2C，在图2B的第二掩模过程的结果结构的表面上顺序地沉积透明导电氧化物（未示出）和第一金属层（未示出），然后执行第三掩模过程以图案化透明导电氧化物（未示出）和第一金属层（未示出）。第一金属层（未示出）可具有包括选自Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu的至少一种材料的单层或多层结构。
作为图案化的结果，形成栅电极的第一和第二层214和215、电容器的第二电极的第一层314、以及第二电极的上层315，并且在像素区域PXL1中的不均匀图案单元113上形成第一像素电极114和第一像素电极114的上层115。
首先，将离子杂质D1注入结果结构以用其掺杂结果结构（第一掺杂过程）。硼（B）或磷（P）离子可被注入作为离子杂质D1，具体地，通过使用TFT的有源层212作为目标将浓度为约1x1015原子/cm2或更大浓度的离子杂质D1注入到结果结构中。通过使用栅电极作为自对齐掩模将离子杂质D1注入有源层212，有源层212具有掺杂有离子杂质D1的源区212a和漏区212b、以及位于它们之间的沟道区212c。
参考图2D，在图2C的第三掩模过程的结果结构上形成第二绝缘层16，并且通过第四掩模过程，图案化第二绝缘层16以形成第二开口C2、第三开口C3和第四开口C4，其中第一像素电极114的上层115通过第二开口C2暴露，源区212a和漏区212b通过第三开口C3暴露，并且电容器的第二电极314的上层315通过第四开口C4暴露。
参考图2E，在图2D的第四掩模过程的结果结构上形成源电极217a和漏电极217b。
当在第五掩模过程中通过图案化形成源电极217a和漏电极217b时，移除第一像素电极114的上层115和第二电极314的上层315。
在移除第一像素电极114的上层115和第二电极314的上层315之后，通过使用电容器的第一电极312作为目标将离子杂质D2注入结果结构（第二掺杂过程）。在第二掺杂过程中将在第一掺杂过程中未被掺杂的第一电极312掺杂有离子杂质D2，因此第一电极312和第二电极314构成MIM电容器。
参考图2F，执行第六掩模过程以在图2E的第五掩模过程的结果结构上形成第二像素电极118和电容器的第二电极的第二层318。
第二像素电极118和电容器的第二电极的第二层318均包括具有银（Ag）、铝（Al）或其合金的半反射金属层。由于在源电极217a和漏电极217b形成之后半透射金属层被图案化，因此可防止第二像素电极118和电容器的第二电极的第二层318在用于形成源电极217a和217b的刻蚀过程中被损坏。
参考图2G，在图2F的第六掩模过程的结果结构上形成第三绝缘层19。图案化第三绝缘层19以形成开口C5，其中第二像素电极118通过开口C5暴露。
下面参考图4和图5描述本发明的示例性实施方式。此描述可能主要关注与上面参考图1至图3描述的有机发光显示装置1的区别。可假设未提供的细节与之前描述的那些细节至少相似。
图4是示出了根据本发明的实施方式的有机发光显示装置2的剖视图。
参考图4，有机发光显示装置2的衬底10包括像素区域PXL2、晶体管区域TR2和电容器区域CAP2。晶体管区域TR2和电容器区域CAP2的结构与上面描述的有机发光显示装置1的晶体管区域TR1和电容器区域CAP1的结构相同。
在像素区域PXL2中，缓冲层11被设置在衬底10上。这里，不均匀图案单元213包括通过仅图案化缓冲层11而形成的不均匀图案11a，并且第一绝缘层13形成于衬底10上以覆盖不均匀图案11a。
包括透明导电氧化物的第一像素电极114和包括半透射金属层的第二像素电极118顺序地形成于不均匀图案单元213和第一绝缘层13上。包括有机发光层120的中间层（未示出）被设置在第二像素电极118上，为反射电极的相对电极121被设置在有机发光层120上。
通过使用不均匀图案单元213和共振结构，可提高有机发光显示装置2的光提取效率并降低色偏。
图5是示出了根据本发明的实施方式的有机发光显示装置3的剖视图。
参考图5，有机发光显示装置3的衬底10包括像素区域PXL3、晶体管区域TR3和电容器区域CAP3。晶体管区域TR3和电容器区域CAP3的结构与有机发光显示装置2的晶体管区域TR2和电容器区域CAP2的结构相同。
在像素区域PXL3中，缓冲层11被设置在衬底10上。这里，不均匀图案单元313包括通过图案化缓冲层11而形成的不均匀图案11a、通过图案化有源层12而形成的不均匀图案12a和通过图案化第一绝缘层13而形成的不均匀图案13a。
缓冲层11、有源层12和第一绝缘层13在同一掩模过程中被同时图案化以形成不均匀图案单元313，因此不均匀图案11a、11b和11c共享刻蚀表面。当用于形成不均匀图案单元313的层数目增加时，不均匀图案单元313的图案尺寸可能增加，因此进一步降低了色偏。
包括透明导电氧化物的第一像素电极114和包括半透射金属层的第二像素电极118顺序地形成于不均匀图案单元313上。包括有机发光层120的中间层（未示出）被设置在第二像素电极118上，并且为反射电极的相对电极121被设置在有机发光层120上。
通过使用不均匀图案单元313和共振结构，可提高有机发光显示装置3的光提取效率和可降低色偏。
尽管参考附图具体示出和描述本发明的示例性实施方式，但是本领域技术人员将理解，可在本文中进行形式和细节的各种改变而不背离本发明的精神和范围。
Claims (23)
1.一种有机发光显示装置，包括：
衬底；
缓冲层，被设置在所述衬底上；
薄膜晶体管，被设置在所述缓冲层上，其中所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、设置在所述有源层与所述栅电极之间的第一绝缘层、以及第二绝缘层，所述第二绝缘层被设置在所述栅电极与所述源电极之间和所述栅电极与所述漏电极之间；
不均匀图案单元，包括通过对所述缓冲层图案化而形成的多个不均匀图案；
第一像素电极，被设置在形成于所述第二绝缘层中的开口中，所述第一像素电极包括透明导电氧化物，并且所述多个不均匀图案设置在形成于所述第二绝缘层中的所述开口中，在所述开口中所述第二绝缘层被完全去除；
第二像素电极，被设置在所述第一像素电极上，所述第二像素电极包括半透射层；
有机发光层，形成于所述第二像素电极上；以及
相对电极，形成于所述有机发光层上并且被设置为与所述第二像素电极相反。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述不均匀图案单元还包括通过对所述第一绝缘层图案化而形成的不均匀图案。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述不均匀图案单元的不均匀图案共享公共刻蚀表面。
4.如权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述不均匀图案单元还包括通过对所述有源层图案化而形成的不均匀图案。
5.如权利要求4所述的有机发光显示装置，其中所述不均匀图案单元的不均匀图案共享相同的刻蚀表面。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述透明导电氧化物包括氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO、氧化锌ZnO、氧化铟In2O3、氧化镓铟IGO、或氧化锌铝AZO。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述半透射层包括银Ag、铝Al或它们的合金。
8.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述相对电极为反射电极。
9.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述栅电极包括：
第一层，包括透明导电氧化物；以及
第二层，包括金属。
10.如权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括：
电容器的第一电极，形成于与所述有源层相同的层；以及
所述电容器的第二电极，包括分别由与所述第一像素电极和所述第二像素电极相同的材料形成的两个层。
11.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述电容器的所述第二电极被设置在形成于所述第二绝缘层中的开口中。
12.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述第一绝缘层被设置在所述第一电极与所述第二电极之间。
13.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述第一电极包括离子杂质。
14.如权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括像素限定层，在所述像素限定层中开口被形成于所述第二绝缘层上且沿所述薄膜晶体管的横向方向与所述薄膜晶体管间隔开。
15.如权利要求14所述的有机发光显示装置，其中所述第一像素电极和所述第二像素电极被设置在形成于所述像素限定层中的所述开口中。
16.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，形成于所述第二绝缘层中的所述开口比所述不均匀单元的在所述缓冲层中形成的开口大。
17.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第二绝缘层覆盖所述第一像素电极的边缘，并且所述第二绝缘层不覆盖所述第二像素电极的边缘。
18.如权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括位于所述第二绝缘层上的第三绝缘层，其中所述第二绝缘层覆盖所述第一像素电极的边缘，并且所述第三绝缘层覆盖所述第二像素电极的边缘。
19.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
在衬底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、设置在所述有源层与所述栅电极之间的第一绝缘层、以及设置在所述栅电极与所述源电极之间和所述栅电极与所述漏电极之间的第二绝缘层；
形成不均匀图案单元，所述不均匀图案单元包括通过对所述缓冲层的一部分图案化而形成的多个不均匀图案，其中，所述多个不均匀图案设置在形成于所述第二绝缘层中的开口中，在所述开口中所述第二绝缘层被完全去除；
在所述不均匀图案单元上形成第一像素电极以及在所述第一像素电极上形成第二像素电极，所述第一像素电极包括透明导电氧化物，所述第二像素电极包括半透射层；
在所述第二像素电极上形成有机发光层；以及
在所述有机发光层上形成相对电极。
20.如权利要求19所述的方法，其中所述第二像素电极在形成所述源电极和所述漏电极之后形成。
21.如权利要求19所述的方法，还包括：
在与所述有源层相同的层上形成电容器的第一电极；以及
形成所述电容器的第二电极，所述电容器的所述第二电极包括在分别与所述第一像素电极和所述第二像素电极相同的层上形成的两个层。
22.如权利要求21所述的方法，其中所述有源层在第一掺杂过程中被掺杂有离子杂质，并且所述电容器的第一电极在第二掺杂过程中被掺杂有离子杂质。
23.如权利要求21所述的方法，其中所述第二电极的两个层的上层在形成所述源电极和所述漏电极之后形成。
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