TWI553846B - 有機發光顯示裝置和製造其之方法 - Google Patents

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TWI553846B TW100119655A TW100119655A TWI553846B TW I553846 B TWI553846 B TW I553846B TW 100119655 A TW100119655 A TW 100119655A TW 100119655 A TW100119655 A TW 100119655A TW I553846 B TWI553846 B TW I553846B
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    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer

Description

有機發光顯示裝置和製造其之方法
本發明基本上係有關於一種具有作為電容的電極使用的半導體層的有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)顯示器，以及其製造方法。
由於諸如寬廣視角、快速反應速率、和相當小的電力消耗、以及較輕之重量和纖細之尺寸等的有機發光二極體(OLED)優點，有機發光二極體(OLED)一直受到重視以做為新一代的顯示器。
有機發光二極體(OLED)顯示器包含薄膜電晶體(thin film transistor)、有機發光構件以及電容。此處，上述電容之二個電極均可以是由金屬層製成，或者一個電極可以是由金屬層製成而另一電極可以是由半導體層製成。
另一方面，當半導體層被作為該電容之電極使用時，該半導體層通常被摻雜雜質以增進導電性。然而，若該雜質由於製造流程之限制而未能被摻入作為電容之電極的半導體層的部分，則有機發光二極體(OLED)顯示器之整體特性將因而惡化。
以上揭示於此先前技術段落中之資訊僅係用以強化所述技術之背景之了解，因此其可能包含不構成對於本地區之中相關技術熟習者已然知悉之先前技術。
一示範性實施例提出一種有機發光二極體(OLED)顯示器，其抑制由於於作為電容的電極之半導體層的一部分處的雜質未摻雜所導致的品質惡化之發生。
並且，其亦提出該有機發光二極體(OLED)顯示器的一種製造方法。
依據一示範性實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器包含：基板；半導體層圖案，其形成於該基板之上且包含第一電容電極；閘極絕緣層，其覆蓋該半導體層圖案；第一導電層圖案，其形成於該閘極絕緣層之上且包含第二電容電極，該第二電容電極具有至少一部分交疊該第一電容電極；中介絕緣層，其具有暴露該第二電容電極之部分之電容開孔並覆蓋該第二電容電極；以及第二導電層圖案，其形成於該中介絕緣層之上，其中該電容開孔包含平行並交疊該第二電容電極之第一橫向側壁、平行但未交疊該第二電容電極之第二橫向側壁、以及使得該第一橫向側壁和該第二橫向側壁彼此連接且交疊該第一電容電極之縱向側壁。
交疊該電容開孔中之該縱向側壁的第一電容電極可以是摻雜雜質之半導體層。
此外，依據另一示範性實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器包含：基板；半導體層圖案，其形成於該基板之上且包含第一電容電極；閘極 絕緣層，其覆蓋該半導體層圖案；第一導電層圖案，其形成於該閘極絕緣層之上且包含第二電容電極，該第二電容電極具有至少一部分交疊該第一電容電極；中介絕緣層，其包含電容開孔以及至少一摻雜孔，並覆蓋該第二電容電極，該電容開孔暴露該第二電容電極的一部分，而該至少一摻雜孔交疊該第二電容電極和該第一電容電極並暴露該第二電容電極接近該電容開孔的一部分；以及第二導電層圖案，其形成於該中介絕緣層之上。
交疊至少一摻雜孔的第一電容電極可以是摻雜雜質之半導體層。
該第一導電層圖案之區域的一部分可以是由單一透明導電層所構成，且該區域之另一部分係由透明導電層以及沉積於該透明導電層上的複數金屬層所構成。
該電容開孔可以透過蝕刻製程形成，且該蝕刻製程可以包含清除製程，該清除製程使用包含氫氟酸(hydrofluoric acid；HF)之溶液。
除了最高疊層之外的該複數金屬層中的至少一金屬層相對而言比該最高疊層更易於被該氫氟酸腐蝕。
除了最高疊層之外的該複數金屬層中的至少一金屬層可以包含鋁(aluminum)。
透過該電容開孔暴露出來的該第一導電層圖案之該第二電容電極的至少一部分可以是由單一透明導電層所構成。
交疊由該單一透明導電層構成之該第二電容電極的第一電容電極可以被摻雜雜質。
依據一示範性實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器之製造方法包含：提供基板；形成包含第一電容電極之半導體層圖案於該基板之上；形 成覆蓋該半導體層圖案之閘極絕緣層；形成第一導電層圖案中間體於該閘極絕緣層之上，該第一導電層圖案中間體包含第二電容電極中間體，該第二電容電極中間體具有至少一部分交疊該第一電容電極；形成中介絕緣層，其具有暴露該第二電容電極中間體的一部分之電容開孔並覆蓋該第一導電層圖案中間體；以及在形成第二導電層圖案於該中介絕緣層上時，部分蝕刻該第一導電層圖案中間體，以完成該第一導電層圖案。該電容開孔包含平行並交疊該第二電容電極之第一橫向側壁、平行但未交疊該第二電容電極之第二橫向側壁、以及使得該第一橫向側壁和該第二橫向側壁彼此連接且交疊該第一電容電極之縱向側壁。
交疊該電容開孔中之該縱向側壁的第一電容電極可以是摻雜雜質之一半導體層。
依據另一示範性實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器之製造方法包含：提供基板；形成包含第一電容電極之半導體層圖案於該基板之上；形成覆蓋該半導體層圖案之閘極絕緣層；形成第一導電層圖案中間體於該閘極絕緣層之上，該第一導電層圖案中間體包含第二電容電極中間體，該第二電容電極中間體具有至少一部分交疊該第一電容電極；形成中介絕緣層，該中介絕緣層包含電容開孔以及至少一摻雜孔，並覆蓋該第二電容電極，該電容開孔暴露該第二電容電極的一部分，且該至少一摻雜孔交疊該第二電容電極和該第一電容電極並暴露該第二電容電極接近該電容開孔的一部分；以及在形成第二導電層圖案於該中介絕緣層上時，部分蝕刻該第一導電層圖案中間體，以完成該第一導電層圖案。
其可以進一步包含透過至少一摻雜孔將雜質摻雜至該第一電容電極。
在該有機發光二極體(OLED)顯示器的製造方法之中，該第一導 電層圖案之區域的部分可以是由單一透明導電層構成，且該區域之另一部分係由透明導電層以及沉積於該透明導電層上的複數金屬層構成。
該電容開孔可以透過蝕刻製程形成，且該蝕刻製程可以包含清除製程，該清除製程使用包含氫氟酸(HF)之溶液。
除了最高疊層之外的該複數金屬層中的至少一金屬層相對而言比該最高疊層更易於被該氫氟酸腐蝕。
除了最高疊層之外的該複數金屬層中的至少一金屬層可以包含鋁。
透過該電容開孔暴露出來的該第一導電層圖案之該第二電容電極的至少一部分可以是由單一透明導電層所構成。
交疊由該單一透明導電層構成之該第二電容電極的第一電容電極可以被摻雜雜質。
依據一示範性實施例，該有機發光二極體(OLED)顯示器可以抑制被使用做為電容之電極之半導體層被摻入雜質處之區域所產生的品質惡化。
並且，其亦提出該有機發光二極體(OLED)顯示器的製造方法。
10‧‧‧第一薄膜電晶體
20‧‧‧第二薄膜電晶體
80‧‧‧電容
101‧‧‧有機發光二極體顯示器
102‧‧‧有機發光二極體顯示器
111‧‧‧基板
120‧‧‧緩衝層
131‧‧‧半導體層圖案
132‧‧‧半導體層圖案
138‧‧‧半導體層圖案
140‧‧‧閘極絕緣層
151‧‧‧第一導電層圖案
152‧‧‧第一導電層圖案
153‧‧‧第一導電層圖案
154‧‧‧第一導電層圖案
155‧‧‧第一導電層圖案
158‧‧‧第一導電層圖案
160‧‧‧中介絕緣層
168‧‧‧電容開孔
171‧‧‧第二導電層圖案/資料線
173‧‧‧第二導電層圖案/源極電極
174‧‧‧第二導電層圖案/源極電極
176‧‧‧第二導電層圖案/汲極電極
177‧‧‧第二導電層圖案/汲極電極
178‧‧‧延長部分
181‧‧‧像素開孔
710‧‧‧第一導電層圖案
800‧‧‧光阻層
801‧‧‧光阻層圖案
1510‧‧‧第一導電層圖案中間體
1520‧‧‧第一導電層圖案中間體
1530‧‧‧第一導電層圖案中間體
1540‧‧‧第一導電層圖案中間體
1550‧‧‧第一導電層圖案中間體
1580‧‧‧第一導電層圖案中間體/第二電容電極中間體
1581‧‧‧透明導電層
1582‧‧‧金屬層
1583‧‧‧金屬層
1584‧‧‧金屬層
1589‧‧‧凹割
1681‧‧‧第一橫向側壁
1682‧‧‧第二橫向側壁
1685‧‧‧縱向側壁
1688‧‧‧摻雜孔
1700‧‧‧導電層
7100‧‧‧第一導電層圖案中間體/像素電極中間體
經由配合所附圖式的詳細說明，本發明的完整理解以及其伴隨的許多優點將趨於明顯並得到更佳之了解，圖式之中類似的符號代表相同或類似之組件，其中：圖1至圖17係依序顯示依據一第一示範性實施例之一有機發光二極體(OLED)顯示器製造流程的佈局視圖及剖面視圖； 圖1例示依據該第一示範性實施例之第一製程，其形成半導體層圖案於基板上；圖2例示圖1中對應至剖面線II-II之部分之剖面視圖；圖3例示依據該第一示範性實施例之下個製程，其形成第一導電層圖案中間體於該基板上；圖4例示圖3中對應至剖面線IV-IV之部分之剖面視圖；圖5及圖6例示下個製程，其形成並蝕刻覆蓋圖4之第一導電層圖案中間體之中介絕緣層；圖7係圖6鄰近線條VIII-VIII及IX-IX之部分之特寫視圖；圖8及圖9係第一示範性實施例之剖面視圖，其產生自分別對應至剖面線VIII-VIII及IX-IX之中介絕緣層之蝕刻；圖10及圖11例示下個製程，其形成分別覆蓋圖8及圖9所示之疊層之暴露表面之第二導電層圖案；圖12及圖13例示下個製程，其分別形成光阻層於圖10及圖11所示之圖案上；圖14及圖15例示下個製程，其圖案化該光阻層並分別在圖12及圖13所示之圖案上執行光學微影製程；圖16及圖17例示圖1-15之製程所形成之圖案之佈局視圖；而圖18至圖23係依序顯示依據第二示範性實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器製造流程的佈局視圖及剖面視圖；圖18及圖19例示第二示範性實施例之製程所形成之圖案之透視圖，其中圖19係圖18鄰近線條XX-XX處之特寫視圖； 圖20例示圖19中對應至剖面線XX-XX之部分之剖面視圖；圖21例示依據該第二示範性實施例之下個製程，其形成第二導電層圖案及光阻層於該基板上；圖22例示下個製程，其圖案化該光阻層並執行光學微影製程；以及圖23例示由圖18-22之製程形成有機發光二極體(OLED)顯示器之圖案之佈局視圖。
以下將參照所附顯示本發明示範性實施例之圖式更詳盡地描述本發明。如同熟習相關技術者所應理解，所述之實施例均可以在未脫離本發明之精神或範疇下，以各種不同之方式加以修改。
圖式及說明應視為例示性質，而非限定。類似的參考編號在本說明書各處均表示類似之構件。此外，在本說明書之中，主要將說明第一示範性實施例，而其他示範性實施例則基本上針對其與第一示範性實施例相異之組態予以說明。
此外，顯示於圖式中的每一構件之尺寸及厚度均係基於理解說明及易於說明而任意顯示，本發明並未受限於該等尺寸及厚度。圖式之中，疊層、薄膜、面板、區域、等之厚度均基於清楚之故而可能加以誇大。圖式之中，為了理解說明及易於說明，一些疊層及區域之厚度被誇大。其應理解，當諸如一疊層、薄膜、區域或基板之一構件被稱為"位於另一構件之上"時，其可以是直接位於該另一構件之上，或者一或多個居間構件可以存在於其間。
接著將參照圖1至圖17說明依據第一示範性實施例之有機發光 二極體(OLED)顯示器101及其製造方法。
首先，其將依據沉積順序，針對第一薄膜電晶體10、第二薄膜電晶體20以及電容80(參見圖16及圖23)說明依據第一示範性實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器101之製造方法。特別是，其將詳細說明電容80之二個電極相交處之區域。
如圖1及圖2所示，其例示形成半導體層圖案於基板上之第一製程，而其中圖2係沿圖1之剖面線II-II所取之剖面視圖。
在圖2之中，緩衝層(buffer layer)120形成於基板111之上。
基板111係形成為透明絕緣基板，由玻璃、石英、陶瓷或塑膠製成。然而，示範性實施例並未受限於此。此外，當基板111係由塑膠製成之時，基板111可以是一軟性基板(flexible substrate)。
其藉由利用相關領域之熟習者所習知的化學氣相沉積(chemical vapor deposition)或物理氣相沉積(physical vapor deposition)將緩衝層120形成為包含氧化矽層及氮化矽層中的至少一項之單一疊層或多重疊層。
緩衝層120防止產生自基板111之溼氣或雜質的擴散或滲透、使表面平滑、並在形成半導體層之結晶化製程進行期間控制熱的傳輸速度。
取決於基板111之種類以及製程條件，緩衝層120可能予以省略。
接著，如圖1所示，半導體層圖案131、132及138形成於緩衝層120之上。半導體層圖案131、132及138包含複數作用層131及132以及第一電容電極138。半導體層圖案131、132及138係由多晶矽層所構成。其可以利用一種形成非晶矽而後結晶之方法形成該多晶矽層。非晶矽層之結晶可以利用相關領域之熟習者已知的各種結晶方法加以實施。
而後，其形成覆蓋半導體層圖案131、132及138之閘極絕緣層140。閘極絕緣層140利用相關領域之熟習者所知悉的許多絕緣材料中的任一種形成，諸如矽酸四乙酯(tetraethyl orthosilicate；TEOS)、氮化矽(silicon nitride；SiNx)以及氧化矽(silicon oxide；SiO2)。
接著，如圖3及圖4所示，其例示形成第一導電層圖案中間體於基板上之下個製程，此處圖4係在圖3剖面線IV-IV處所取之剖面視圖，剖面線IV-IV等於圖1之剖面線II-II。
如圖3所示，其形成第一導電層圖案中間體1510、1520、1530、1540、1550、1580以及7100，其中第一導電層圖案中間體1580包含第二電容電極中間體1580，而第一導電層圖案中間體7100包含像素電極中間體7100。
如圖4所示，第二電容電極中間體1580包含透明導電層1581以及複數金屬層1582、1583和1584沉積於透明導電層1581之上。其他第一導電層圖案中間體1510、1520、1530、1540、1550以及7100(未顯示於圖4之中)基本上具有一如同第二電容電極中間體1580之多層結構。
第二電容電極中間體1580中之至少一金屬層1582或1583係由一相對而言比最高金屬層1584更容易被氫氟酸(HF)溶液腐蝕的金屬製成。例如，該複數金屬層中之至少一金屬層1582或1583包含鋁。詳細言之，該複數金屬層1582、1583以及1584可以具有鉬(molybdenum；Mo)/鋁(Al)/鉬(Mo)沉積於其中之結構。
接著，圖5及圖6例示下個製程，其形成並蝕刻覆蓋圖4之第一導電層圖案中間體之中介絕緣層。
如圖5所示，覆蓋第一導電層圖案中間體1510、1520、1530、1540、1550以及1580之中介絕緣層160被形成。
同時，如圖6所示，一部分之中介絕緣層160被蝕刻以形成電容開孔168，此電容開孔168暴露第二電容電極中間體1580的一部分。此處，暴露像素電極中間體7100之整體或一部分之開孔可以與電容開孔168一同形成。
圖7係圖6鄰近線條VIII-VIII及IX-IX之部分之特寫視圖。
如圖7所示，電容開孔168包含平行並交疊第二電容電極1580之第一橫向側壁1681、平行但未交疊該第二電容電極1580之第二橫向側壁1682以及連接該第一橫向側壁1681和該第二橫向側壁1682並交疊第一電容電極138之縱向側壁1685。
用以形成電容開孔168之蝕刻製程包含清除製程，該清除製程採用包含氫氟酸(HF)之溶液。
圖8及圖9係第一示範性實施例之剖面視圖，其產生自分別對應至剖面線VIII-VIII及IX-IX之中介絕緣層之蝕刻，剖面線VIII-VIII等於圖1之剖面線II-II。
因此，如圖8及圖9所示，凹割1589產生於第二電容電極中間體1580之中，第二電容電極中間體1580具有透過中介絕緣層160之電容開孔168暴露出來之側表面。此係由於該複數金屬層1582或1583中之至少一金屬層(1583)被氫氟酸溶液腐蝕所致。凹割1589產生於第二電容電極中間體1580面向第二橫向側壁1682之側表面，第二橫向側壁1682平行但未交疊第二電容電極中間體1580。
接著，圖10及圖11例示下個製程，此製程形成分別覆蓋圖8及圖9所示之疊層之暴露表面之第二導電層圖案。
如圖10及圖11所示，用以形成第二導電層之導電層1700形成於中介絕緣層160以及第二電容電極中間體1580和閘極絕緣層140的上方暴露 表面部分之上。因此，第二電容電極中間體1580之側邊部分維持暴露。導電層1700包含金屬層。部分導電層1700可以藉由中介絕緣層160之電容開孔168所產生的階狀高度而分離。
接著，圖12及圖13例示下個製程，其分別形成光阻層於圖10及圖11所示之圖案上。
如圖12及圖13所示，光阻層800被塗覆於上述導電層1700以及第二電容電極中間體1580的殘餘側邊部分之上。
接著，圖14及圖15例示一下一製程，其圖案化該光阻層並分別在圖12及圖13所示之圖案上執行光學微影製程。
如圖14及圖15所示，光阻層800接著被圖案化以形成光阻層圖案801，而後，如圖16所示，其利用光阻層圖案801透過光學微影製程形成第一導電層圖案(151、152、153、154、155、158及710)以及第二導電層圖案(171、173、174、176及177)。換言之，當形成第二導電層圖案(171、173、174、176及177)時，第一導電層圖案中間體1510、1520、1530、1540、1550、1580及7100被部分蝕刻以一併完成第一導電層圖案(151、152、153、154、155、158及710)。被部分蝕刻的第一導電層圖案中間體1510、1520、1530、1540、1550、1580及7100可以是第二電容電極158中間體以及像素電極710中間體。
圖16例示由前述製程形成之圖案之一立體視圖，而圖17係圖16鄰近線條XVII-XVII和XVIII-XVIII之部分之特寫視圖。
如圖16及圖17所示，第一導電層圖案(151、152、153、154、155、158及710)包含閘極(掃描)線151、電容線153、源極電極154及155、第二電容電極158以及像素電極710。
並且，第二導電層圖案(171、173、174、176及177)包含資料線 171、源極電極173和174以及汲極電極176和177。圖14和圖15中之參考編號178表示延伸自汲極電極177的延長部分。
此外，如圖14及圖15所示，第二電容電極158主要係由透過電容開孔168暴露出來的單一透明導電層1581所構成。換言之，形成於透明導電層1581之上的複數金屬層1582、1583及1584在形成第二導電層圖案(171、173、174、176及177)的製程中被一併移除。
如前所述，透過電容開孔168暴露出來的第二電容電極158必須是由單一透明導電層所構成，然而，如圖14及圖15所示，光阻材料流入第二電容電極158之側表面部分被凹割時所形成的空間，使得金屬層1582多餘地殘留在第二電容電極158的區域一部分中的透明導電層1581之上。
接著，雜質被摻雜於第一電容電極138之中。該雜質可以是P型或N型。該雜質可以是相關領域之熟習者已知的各種材料。
該雜質傳送至透過電容開孔168暴露出來且由單一透明導電層1581構成之第二電容電極158，並透過透明導電層1581和閘極絕緣層140被摻雜至第一電容電極138。
另一方面，如前所述，透過電容開孔168暴露出來但金屬層1582殘留於透明導電層1581上的第二電容電極158的部分阻止雜質之傳播。
因此，如圖17所示，第一電容電極138具有第一非摻雜區域NP1，此處雜質之摻雜在金屬層殘留處被第二電容電極158阻絕。第一非摻雜區域NP1面對上述電容開孔168之第二橫向側壁1682。
並且，第一電容電極138包含一面對電容開孔168之第一橫向側壁1681並交疊中介絕緣層160之第二非摻雜區域NP2。第二非摻雜區域NP2被中介絕緣層160覆蓋，使得第二電容電極158之該複數金屬層1582、1583及1584 被移除，從而使得雜質未被摻雜。
如前所述，第一電容電極138具有由於該第一非摻雜區域NP1及該第二非摻雜區域NP2而具備高電阻之區域。然而，面對電容開孔168之縱向側壁1685的第一電容電極138被摻入雜質。因此，第一電容電極138在第一非摻雜區域NP1與該第二非摻雜區域NP2之間被摻入雜質，從而確保一條具有相當低電阻之路徑。
同時，若電容開孔168係由第一橫向側壁1681或第二橫向側壁1682獨立構成，則非摻雜區域與第一電容電極138相交，使得其產生由於電阻增加之電路驅動品質惡化。
然而，在第一示範性實施例之中，電容開孔168具有分別形成第一橫向側壁1681及第二橫向側壁1682之結構，並且透過縱向側壁1685將其連接於第一電容電極138之上，故摻雜區域可以確保於非摻雜區域NP1與NP2之間，使得電氣路徑得以有效維持。
此外，像素電極710可以是由單一透明導電層與第二電容電極158之區域之部分構成。
而後，雖然圖中未顯示，但像素定義層形成於第二導電層圖案(171、173、174、176及177)之上。如圖16所示，該像素定義層具有像素開孔181暴露像素電極710。並且，雖然圖中未顯示，有機發光層以及共用電極依序形成於該像素定義層之上以形成有機發光構件。
其可以使用低分子量有機材料或高分子量有機材料做為該有機發光層。該有機發光層在相對於該發光層的像素電極710之方向上包含電洞傳輸層(hole transport layer)和電洞注入層(hole injection layer)，且在該共用電極(圖中未顯示)之方向上同時亦包含電子傳輸層(electron transport layer)和電子注入層(electron injection layer)。此外，若有必要，其可以堆疊各種疊層。
此外，依據第一示範性實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器101使用像素電極710作為陽極，且使用該共用電極(圖中未顯示)作為陰極。然而，示範性實施例並未受此限定，故像素電極710和共用電極(圖中未顯示)之極性可以相反。
並且，在第一示範性實施例之中，共用電極(圖中未顯示)係由包含反射材料之材料製成。換言之，有機發光二極體(OLED)顯示器101具有後發光結構(rear light emission structure)。詳細而言，該共用電極(圖中未顯示)可以是由鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)或氟化鋰/鋁(LiF/Al)製成。
雖然圖中未顯示，但有機發光二極體(OLED)顯示器101可以進一步包含密封構件以防止溼氣或氧氣滲入有機發光層(圖中未顯示)。
由上述依據第一示範性實施例之製造方法所製造的有機發光二極體(OLED)顯示器101抑制源於電容80之第一電容電極138中的雜質非摻雜區域之電路驅動品質惡化。
接著將參照圖18至圖23說明依據第二示範性實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器102及其製造方法。
依據此實施例之製造方法在形成第一導電層圖案中間體1510、1520、1530、1540、1550、1580及7100之前均與第一示範性實施例相同。
圖18及圖19例示第二示範性實施例之製程所形成之圖案之透視圖，其中圖19係圖16鄰近線條XX-XX處之特寫視圖。
如圖18及圖19所示，其形成覆蓋第一導電層圖案中間體1510、1520、1530、1540、1550、1580及7100之中介絕緣層160。並且，中介絕緣層160被部分蝕刻以形成暴露部分第二電容電極中間體1580之電容開孔168以及 至少一摻雜孔1688。
摻雜孔1688交疊一部分第二電容電極中間體1580和第一電容電極138，且被置於接近電容開孔168處。
同樣地，用以形成電容開孔168之蝕刻製程包含清除製程，該清除製程使用包含氫氟酸(HF)之溶液。
圖20例示圖19中對應至剖面線XX-XX之部分之剖面視圖。
如圖20所示，凹割1589產生於第二電容電極中間體1580之中，第二電容電極中間體1580具有透過中介絕緣層160之電容開孔168暴露出來之側表面。此係由於形成第二電容電極中間體1580的該複數金屬層1582、1583及1584中之至少一金屬層(1583)被氫氟酸溶液腐蝕所致。
圖21例示依據該第二示範性實施例之下個製程，其形成第二導電層圖案及光阻層於基板上。
接著，如圖21所示，用以形成第二導電層圖案(171、173、174、176及177)之導電層1700形成於第一導電層圖案中間體1510、1520、1530、1540、1550、1580、7100以及中介絕緣層160之上，而光阻層800塗覆於其上。
圖22例示下個製程，其圖案化該光阻層並執行光學微影製程。
在圖22之中，光阻層800被圖案化以形成光阻層圖案801之後，其利用光阻層圖案801透過光學微影製程形成第一導電層圖案(151、152、153、154、155、158及710)以及第二導電層圖案(171、173、174、176及177)。換言之，當形成第二導電層圖案(171、173、174、176及177)時，第一導電層圖案中間體1510、1520、1530、1540、1550、1580及7100被部分蝕刻以一併完成第一導電層圖案(151、152、153、154、155、158及710)。被部分蝕刻的第一導電層圖案中間體1510、1520、1530、1540、1550、1580及7100可以是第二電容電極 158中間體以及像素電極710中間體。
如圖23所示，第一導電層圖案(151、152、153、154、155、158及710)包含閘極(掃描)線151、電容線153、源極電極154及155、第二電容電極158、以及像素電極710。
並且，第二導電層圖案(171、173、174、176、及177)包含資料線171、源極電極173和174、以及汲極電極176和177。圖22中之參考編號178係延伸自汲極電極177之延長部分。
同樣地，如圖22所示，透過電容開孔168暴露出來的第二電容電極158大部分係以單一透明導電層1581形成。換言之，形成於透明導電層1581之上的複數金屬層1582、1583及1584在形成第二導電層圖案(171、173、174、176及177)的製程中被一併移除。
如前所述，透過電容開孔168暴露出來的第二電容電極158應該是以單一透明導電層構成，然而，如圖14及圖15所示，光阻材料流入第二電容電極158部分之側表面被凹割時所形成的空間，使得金屬層1582多餘地殘留在透明導電層1581之上的第二電容電極158的區域的部分之中。
並且，雖然覆蓋中介絕緣層160，第二電容電極158之複數金屬層1582、1583及1584在第一電容電極138與第二電容電極158彼此交疊處之區域中透過摻雜孔1688被移除，使得單一透明導電層1581被移除。
接著，第一電容電極138被摻入雜質。該雜質可以是P型或N型。該雜質可以包含相關領域之熟習者所知悉的各種材料。
該雜質傳送至透過電容開孔168及摻雜孔1688暴露出來且以單一透明導電層1581構成之第二電容電極158，並被摻雜至第一電容電極1581。
另一方面，如前所述，透過電容開孔168暴露出來但金屬層1582 殘留於透明導電層1581上的第二電容電極158的部分阻止雜質之傳播。然而，透明導電層1581上的金屬層1582透過形成摻雜孔1688之區域中的摻雜孔1688被移除，使得雜質平順地被傳送至第二電容電極158而可以被摻雜至第一電容電極138。
同時，金屬層1582、1583及1584殘留於摻雜孔1688與電容開孔168之間的極小空間，使得雜質之摻雜可以被阻止。然而，雜質係於側向方向側向蔓延一特定距離，使得雜質可以充分擴散至摻雜孔1688與電容開孔168之間的極小間隙。
因此，第一電容電極138可以抑制源於未摻雜雜質之一具有高電阻之區域的電路驅動品質惡化。換言之，第一電容電極138並未被該未摻雜區域分隔，使得電氣通行路徑得以有效確保。
圖23例示由圖18-22之製程形成有機發光二極體(OLED)顯示器之圖案之一佈局視圖。
接著，其利用與第一示範性實施例之相同方法形成像素定義層(圖中未顯示)、有機發光層(圖中未顯示)、共用電極(圖中未顯示)以及密封構件(圖中未顯示)，以依據第二示範性實施例形成有機發光二極體(OLED)顯示器102，如圖23所示。
依據第二示範性實施例之製造方法所製造的有機發光二極體(OLED)顯示器102可以抑制源於雜質未摻雜於電容80之第一電容電極138處之區域的電路驅動品質惡化。
雖然本揭示係配合目前認為具實用性之示範性實施例說明於上，但其應理解，本發明並未限定於所揭示的實施例，而是應涵蓋包含於所附申請專利範圍之精神和範疇內的各種修改以及等效配置。
138‧‧‧半導體層圖案
153‧‧‧第一導電層圖案
158‧‧‧第一導電層圖案
168‧‧‧電容開孔
178‧‧‧延長部分
1681‧‧‧第一橫向側壁
1682‧‧‧第二橫向側壁
1685‧‧‧縱向側壁

Claims (20)

  1. 一種有機發光二極體(OLED)顯示器，包含：基板；半導體層圖案，其形成於該基板之上且包含第一電容電極；閘極絕緣層，其覆蓋該半導體層圖案；第一導電層圖案，其形成於該閘極絕緣層之上且包含第二電容電極，該第二電容電極具有至少一部分交疊該第一電容電極；中介絕緣層，其具有暴露該第二電容電極之該部分之電容開孔並覆蓋該第二電容電極；以及第二導電層圖案，其形成於該中介絕緣層之上，其中該電容開孔包含平行並交疊該第二電容電極之第一橫向側壁、平行但未交疊該第二電容電極之第二橫向側壁以及使得該第一橫向側壁和該第二橫向側壁彼此連接且交疊該第一電容電極之縱向側壁。
  2. 申請專利範圍第1項之有機發光二極體(OLED)顯示器，其中交疊該電容開孔中之該縱向側壁的該第一電容電極係摻雜雜質之半導體層。
  3. 一種有機發光二極體(OLED)顯示器，包含：基板；半導體層圖案，其形成於該基板之上且包含第一電容電極；閘極絕緣層，其覆蓋該半導體層圖案；第一導電層圖案，其形成於該閘極絕緣層之上且包含第二電容 電極，該第二電容電極具有至少一部分交疊該第一電容電極；中介絕緣層，其包含電容開孔以及至少一摻雜孔，並覆蓋該第二電容電極，該電容開孔暴露該第二電容電極的一部分，且該至少一摻雜孔交疊該第二電容電極和該第一電容電極並暴露該第二電容電極接近該電容開孔的一部分；以及第二導電層圖案，其形成於該中介絕緣層之上。
  4. 申請專利範圍第3項之有機發光二極體(OLED)顯示器，其中交疊該至少一摻雜孔之該第一電容電極係摻雜雜質之半導體層。
  5. 申請專利範圍第3項之有機發光二極體(OLED)顯示器，其中該第一導電層圖案之一區域的一部分係由單一透明導電層構成，且該區域之另一部分係由透明導電層以及沉積於該透明導電層上的複數金屬層構成。
  6. 申請專利範圍第5項之有機發光二極體(OLED)顯示器，其中該電容開孔係透過蝕刻製程形成，且該蝕刻製程包含清除製程，該清除製程使用包含氫氟酸(HF)之溶液。
  7. 申請專利範圍第6項之有機發光二極體(OLED)顯示器，其中除了最高疊層之外的該複數金屬層中的至少一金屬層相對而言比該最高疊層更易於被該氫氟酸腐蝕。
  8. 申請專利範圍第6項之有機發光二極體(OLED)顯示器，其中除了最高疊層之外的該複數金屬層中的至少一金屬層包含鋁。
  9. 申請專利範圍第5項之有機發光二極體(OLED)顯示器，其中透過該電容開孔暴露出來的該第一導電層圖案之該第二電容電極的至少一部分係由該單一透明導電層所構成。
  10. 申請專利範圍第9項之有機發光二極體(OLED)顯示器，其中與由該單一透明導電層所構成之該第二電容電極交疊之該第一電容電極被摻雜雜質。
  11. 一種用以製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法，包含：提供基板；形成包含第一電容電極之半導體層圖案於該基板之上；形成覆蓋該半導體層圖案之閘極絕緣層；形成第一導電層圖案中間體於該閘極絕緣層之上，該第一導電層圖案中間體包含第二電容電極中間體，該第二電容電極中間體具有至少一部分交疊該第一電容電極；形成中介絕緣層，具有暴露該第二電容電極中間體的一部分之電容開孔並覆蓋該第一導電層圖案中間體；以及在形成第二導電層圖案於該中介絕緣層之上時，部分蝕刻該第一導電層圖案中間體，以完成該第一導電層圖案，其中該電容開孔包含平行並交疊該第二電容電極之第一橫向側壁、平行但未交疊該第二電容電極之第二橫向側壁、以及使得該第一橫向側壁和該第二橫向側壁彼此連接且交疊該第一電容電極之縱向側壁。
  12. 申請專利範圍第11項之用以製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法，其中交疊該電容開孔中之該縱向側壁的該第一電容電極係摻雜雜質之半導體層。
  13. 一種用以製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法，包含：提供基板； 形成包含第一電容電極之半導體層圖案於該基板之上；形成覆蓋該半導體層圖案之閘極絕緣層；形成第一導電層圖案中間體於該閘極絕緣層之上，該第一導電層圖案中間體包含第二電容電極中間體，該第二電容電極中間體具有至少一部分交疊該第一電容電極；形成中介絕緣層，該中介絕緣層包含電容開孔以及至少一摻雜孔，並覆蓋該第二電容電極，該電容開孔暴露該第二電容電極的一部分，且該至少一摻雜孔交疊該第二電容電極和該第一電容電極並暴露該第二電容電極接近該電容開孔的一部分；以及在形成第二導電層圖案於該中介絕緣層之上時，部分蝕刻該第一導電層圖案中間體，以完成該第一導電層圖案。
  14. 申請專利範圍第13項之用以製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法，更包含透過該至少一摻雜孔將雜質摻雜至該第一電容電極。
  15. 申請專利範圍第14項之用以製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法，其中該第一導電層圖案之一區域的一部分係由單一透明導電層構成，且該區域之另一部分係由透明導電層以及沉積於該透明導電層上的複數金屬層構成。
  16. 申請專利範圍第15項之用以製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法，其中該電容開孔係透過蝕刻製程形成，且該蝕刻製程包含清除製程，該清除製程使用包含氫氟酸(HF)之溶液。
  17. 申請專利範圍第16項之用以製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法，其中除了最高疊層之外的該複數金屬層中的至少 一金屬層相對而言比該最高疊層更易於被該氫氟酸腐蝕。
  18. 申請專利範圍第16項之用以製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法，其中除了最高疊層之外的該複數金屬層中的至少一金屬層包含鋁。
  19. 申請專利範圍第15項之用以製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法，其中透過該電容開孔暴露出來的該第一導電層圖案之該第二電容電極的至少一部分係由該單一透明導電層所構成。
  20. 申請專利範圍第19項之用以製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法，其中與由該單一透明導電層所構成之該第二電容電極交疊之該第一電容電極被摻雜雜質。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101959506B1 (ko) 2012-10-26 2019-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102109166B1 (ko) * 2013-01-15 2020-05-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 구비하는 표시 기판
KR102304725B1 (ko) 2014-10-16 2021-09-27 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법, 박막 트랜지스터 어레이 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN109119451B (zh) * 2018-09-04 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070152217A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Chih-Ming Lai Pixel structure of active matrix organic light-emitting diode and method for fabricating the same
US20090173943A1 (en) * 2008-01-08 2009-07-09 Au Optronics Corporation Active matrix array structure and manufacturing mehtod thereof

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100776507B1 (ko) 2000-12-29 2007-11-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
GB2396244B (en) * 2002-12-09 2006-03-22 Lg Philips Lcd Co Ltd Array substrate having color filter on thin film transistor s tructure for LCD device and method of fabricating the same
KR20050096541A (ko) 2004-03-31 2005-10-06 삼성에스디아이 주식회사 돌출부를 갖는 네거티브 홀 구조, 그것의 형성 방법 및그것을 포함하는 ｆｅｄ 캐소드 부
KR101218089B1 (ko) 2007-12-07 2013-01-18 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법
KR101545315B1 (ko) * 2008-09-17 2015-08-20 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070152217A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Chih-Ming Lai Pixel structure of active matrix organic light-emitting diode and method for fabricating the same
US20090173943A1 (en) * 2008-01-08 2009-07-09 Au Optronics Corporation Active matrix array structure and manufacturing mehtod thereof

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