CN102479798B - 有机发光二极管显示器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。在有机发光二极管(OLED)显示器和制造方法中，OLED显示器包括：基底；半导体层图案，形成在基底上，并包括第一电容器电极；栅极绝缘层，覆盖半导体层图案；第一导电层图案，形成在栅极绝缘层上，并包括第二电容器电极，第二电容器电极具有与第一电容器电极叠置的至少一部分；层间绝缘层，具有暴露第二电容器电极的一部分的电容器开口，并覆盖第二电容器电极；第二导电层图案，形成在层间绝缘层上，其中，电容器开口包括与第二电容器电极平行且叠置的第一横向侧壁、与第二电容器电极平行且不叠置的第二横向侧壁以及将第一横向侧壁和第二横向侧壁彼此连接且与第一电容器电极叠置的纵向侧壁。
Description
技术领域
本发明总体上涉及一种具有用作电容器的一个电极的半导体层的有机发光二极管(OLED)显示器和一种制造该OLED显示器的方法。
背景技术
由于有机发光二极管(OLED)显示器的优点，例如宽视角、快速响应速率和相对较小的功耗以及较轻的重量和纤薄的尺寸，所以有机发光二极管(OLED)显示器作为下一代显示器而备受关注。
有机发光二极管(OLED)显示器包括薄膜晶体管、有机发光元件和电容器。这里，电容器的两个电极可以由金属层制成，或者一个电极可以由金属层制成，另一个电极可以由半导体层制成。
另一方面，当半导体层作为电容器的一个电极时，半导体层通常掺杂有杂质，以提高导电率。然而，如果由于制造工艺的局限性而没有将杂质掺杂到半导体层的用作电容器一个电极的一部分，则有机发光二极管(OLED)显示器的整体特性劣化。
在该背景技术部分公开的上述信息仅是为了加强对所描述的技术背景的理解，因此它可能包含不构成在这个国家对本领域普通技术人员来说已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供了一种由于在用作电容器一个电极的半导体层的一部分处未掺杂杂质而使劣化的产生受到抑制的有机发光二极管(OLED)显示器。
另外，提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器的制造方法。
根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器包括：基底；半导体层图案，形成在所述基底上，并包括第一电容器电极；栅极绝缘层，覆盖所述半导体层图案；第一导电层图案，形成在所述栅极绝缘层上，并包括第二电容器电极，所述第二电容器电极具有与所述第一电容器电极叠置的至少一部分；层间绝缘层，具有暴露所述第二电容器电极的一部分的电容器开口，并覆盖所述第二电容器电极；第二导电层图案，形成在所述层间绝缘层上，其中，所述电容器开口包括第一横向侧壁、第二横向侧壁和纵向侧壁，所述第一横向侧壁与所述第二电容器电极平行且叠置，所述第二横向侧壁与所述第二电容器电极平行且不叠置，所述纵向侧壁将所述第一横向侧壁和所述第二横向侧壁彼此连接且与所述第一电容器电极叠置。
与所述电容器开口的所述纵向侧壁叠置的第一电容器电极可以是掺杂有杂质的半导体层。
另外，根据另一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器包括：基底；半导体层图案，形成在所述基底上，并包括第一电容器电极；栅极绝缘层，覆盖所述半导体层图案；第一导电层图案，形成在所述栅极绝缘层上，并包括第二电容器电极，所述第二电容器电极具有与所述第一电容器电极叠置的至少一部分；层间绝缘层，包括电容器开口和至少一个掺杂孔并覆盖所述第二电容器电极，所述电容器开口暴露所述第二电容器电极的一部分，所述至少一个掺杂孔与所述第二电容器电极和所述第一电容器电极叠置且暴露所述第二电容器电极的靠近所述电容器开口的一部分；第二导电层图案，形成在所述层间绝缘层上。
与至少一个掺杂孔叠置的所述第一电容器电极可以是掺杂有杂质的半导体层。
所述第一导电层图案的区域的一部分可以由单个透明导电层形成，所述区域的另一部分由透明导电层和沉积在透明导电层上的多个金属层形成。
所述电容器开口可以通过蚀刻工艺形成，所述蚀刻工艺可以包括使用含有氢氟酸(HF)的溶液的清洗工艺。
所述多个金属层中的除了最高层之外的至少一个金属层与所述最高层相比相对更容易地被含有氢氟酸(HF)的溶液腐蚀。
所述多个金属层中的除了最高层之外的至少一个金属层可以包括铝。
所述第一导电层图案的所述第二电容器电极的通过所述电容器开口暴露的一部分可以由单个透明导电层形成。
与由所述单个透明导电层形成的所述第二电容器电极的一部分叠置的第一电容器电极可以掺杂有杂质。
根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的制造方法包括：提供基底；在所述基底上形成包括第一电容器电极的半导体层图案；形成覆盖所述半导体层图案的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成包括第二电容器电极中间件的第一导电层图案中间件，所述第二电容器电极中间件具有与所述第一电容器电极叠置的至少一部分；形成层间绝缘层，所述层间绝缘层具有暴露所述第二电容器电极中间件的一部分的电容器开口并覆盖所述第一导电层图案中间件；在所述层间绝缘层上形成第二导电层图案的同时，部分地蚀刻所述第一导电层图案中间件，从而完成包括第二电容器电极的第一导电层图案。所述电容器开口包括第一横向侧壁、第二横向侧壁和纵向侧壁，所述第一横向侧壁与所述第二电容器电极平行且叠置，所述第二横向侧壁与所述第二电容器电极平行且不叠置，所述纵向侧壁将所述第一横向侧壁和所述第二横向侧壁彼此连接且与所述第一电容器电极叠置。
与所述电容器开口的所述纵向侧壁叠置的第一电容器电极可以是掺杂有杂质的半导体层。
根据另一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的制造方法包括：提供基底；在所述基底上形成包括第一电容器电极的半导体层图案；形成覆盖所述半导体层图案的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成包括第二电容器电极中间件的第一导电层图案中间件，所述第二电容器电极中间件具有与所述第一电容器电极叠置的至少一部分；形成层间绝缘层，所述层间绝缘层包括电容器开口和至少一个掺杂孔，所述电容器开口暴露所述第二电容器电极中间件的一部分，所述至少一个掺杂孔与所述第二电容器电极中间件和所述第一电容器电极叠置且暴露所述第二电容器电极中间件的靠近所述电容器开口的一部分，并且所述层间绝缘层覆盖所述第二电容器电极中间件；在所述层间绝缘层上形成第二导电层图案的同时，部分地蚀刻所述第一导电层图案中间件，从而完成包括第二电容器电极的第一导电层图案。
还可以包括通过至少一个掺杂孔将杂质掺杂到所述第一电容器电极。
在有机发光二极管(OLED)显示器的制造方法中，所述第一导电层图案的区域的一部分可以由单个透明导电层形成，所述区域的另一部分由透明导电层和沉积在透明导电层上的多个金属层形成。
可以通过蚀刻工艺形成所述电容器开口，所述蚀刻工艺可以包括使用含有氢氟酸(HF)的溶液的清洗工艺。
所述多个金属层中的除了最高层之外的至少一个金属层与所述最高层相比可相对更容易地被含有氢氟酸(HF)的溶液腐蚀。
所述多个金属层中的除了最高层之外的至少一个金属层可以包括铝。
所述第一导电层图案的所述第二电容器电极的通过所述电容器开口暴露的至少一部分可以由所述单个透明导电层形成。
与由所述单个透明导电层形成的所述第二电容器电极的至少一部分叠置的第一电容器电极可以掺杂有杂质。
根据示例性实施例，所述有机发光二极管(OLED)显示器可以抑制由在用作电容器一个电极的半导体层中掺杂杂质的一个区域产生的劣化。
另外，提供了所述有机发光二极管(OLED)显示器的所述制造方法。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参考以下详细描述，本发明变得更好地理解，同时本发明的更完整的认识和本发明的许多附随的优点将变得易于显而易见，在附图中相同的标号指示相同或类似的组件，其中：
图1至图17是顺序地示出根据第一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的制造工艺的布局图和剖视图；
图1示出了根据第一示例性实施例的在基底上形成半导体层图案的第一工艺；
图2示出了图1的与II-II线对应的一部分的剖视图；
图3示出了根据第一示例性实施例的在基底上形成第一导电层图案中间件的下一个工艺；
图4示出了图3的与IV-IV线对应的一部分的剖视图；
图5和图6示出了形成并蚀刻覆盖图4的第一导电层图案中间件的层间绝缘层的下一个工艺；
图7是图6的与VIII-VIII线和IX-IX线相邻的一部分的近观图；
图8和图9分别是与VIII-VIII线和IX-IX线对应的根据第一示例性实施例的由层间绝缘层的蚀刻得到的剖视图；
图10和图11分别示出了形成覆盖在图8和图9中示出的层的暴露表面的第二导电层图案的下一个工艺；
图12和图13分别示出了在图10和图11中示出的图案上形成光致抗蚀剂层的下一个工艺；
图14和图15分别示出了将光致抗蚀剂层图案化并对在图12和图13中示出的图案执行光刻工艺的下一个工艺；
图16和图17示出了通过图1-15的工艺形成的图案的布局图；
图18至图23是顺序地示出根据第二示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的制造工艺的布局图和剖视图；
图18和图19示出了通过第二示例性实施例的工艺形成的图案的布局图，其中，图19是图18的与XX-XX线相邻的一部分的近观图；
图20示出了图19的与XX-XX线对应的一部分的剖视图；
图21示出了根据第二示例性实施例的在基底上形成第二导电层图案和光致抗蚀剂层的下一个工艺；
图22示出了将光致抗蚀剂层图案化并执行光刻工艺的下一个工艺；
图23示出了通过图18-22的工艺形成有机发光二极管(OLED)显示器的图案的布局图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。本领域技术人员将认识到，在不脱离本发明的精神或范围的所有情况下，所描述的实施例可以以各种不同的方式修改。
附图和描述应当视为本质上说明性的，而不是限制性的。相同的标号在整个说明书中指示相同的元件。另外，这里，将主要描述第一示例性实施例，并且将主要针对与第一示例性实施例的构造不同的构造来描述其它示例性实施例。
另外，为了理解和便于描述起见，任意地示出了在附图中示出的每个组件的尺寸和厚度，但是本发明不限于此。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了理解和便于描述起见，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。
接下来，将参照图1至图17描述根据第一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器101及其制造方法。
首先，将以根据沉积顺序的第一薄膜晶体管10、第二薄膜晶体管20和电容器80(参见图16和图23)为重点来描述根据第一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器101的制造方法。具体地说，将详细地描述电容器80的两个电极交叉的一个区域。
如图1和图2中所示，图1和图2示出了在基底上形成半导体层图案的第一工艺，其中，图2是沿图1的II-II线截取的剖视图。
在图2中，在基底111上形成缓冲层120。
基底111被形成为由玻璃、石英、陶瓷或塑料制成的透明绝缘基底。然而，示例性实施例不限于此。另外，当基底111由塑料制成时，基底111可以为柔性基底。
通过使用对于本领域技术人员来说已知的化学气相沉积或物理气相沉积，将缓冲层120形成为包括氧化硅层和氮化硅层中的至少一个层的单层或者多层。
缓冲层120防止从基底111产生的湿气或杂质的扩散或渗透，使表面平整，并在用于形成半导体层的结晶工艺期间控制热的传递速度。
根据基底111的类型和工艺条件，可以将缓冲层120省略。
接下来，如图1中所示，在缓冲层120上形成半导体层图案131、132和138。半导体层图案131、132和138包括多个有源层131和132以及第一电容器电极138。半导体层图案131、132和138由多晶硅层形成。可以使用形成非晶硅然后使非晶硅结晶的方法来形成多晶硅层。可以使用对于本领域技术人员来说已知的各种结晶方法来执行非晶硅层的结晶。
接下来，形成覆盖半导体层图案131、132和138的栅极绝缘层140。使用对于本领域技术人员来说已知的各种绝缘材料中的任何绝缘材料(例如，正硅酸四乙酯(TEOS)、氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2))来形成栅极绝缘层140。
接下来，如图3和图4中所示，图3和图4示出了在基底上形成第一导电层图案中间件的下一个工艺，其中，图4是沿图3的IV-IV线截取的剖视图，IV-IV线与图1的II-II线重合。
如图3中所示，形成第一导电层图案中间件1510、1520、1530、1540、1550、1580和7100，其中，第一导电层图案中间件1580包括第二电容器电极中间件1580，第一导电层图案中间件7100包括像素电极中间件7100。
如图4中所示，第二电容器电极中间件1580包括透明导电层1581以及沉积在透明导电层1581上的多个金属层1582、1583和1584。其它第一导电层图案中间件1510、1520、1530、1540、1550和7100(在图4中未示出)基本上具有与第二电容器电极中间件1580类似的多层结构。
第二电容器电极中间件1580的至少一个金属层1582或1583由金属制成，所述金属使用氢氟酸(HF)溶液比最高的金属层1584相对更容易被腐蚀。例如，多个金属层的至少一个金属层1582或1583包括铝。详细地说，多个金属层1582、1583和1584可以具有钼(Mo)/铝(Al)/钼(Mo)沉积的结构。
接下来，图5和图6示出了形成并蚀刻覆盖图4的第一导电层图案中间件的层间绝缘层的下一个工艺。
如图5中所示，形成覆盖第一导电层图案中间件1510、1520、1530、1540、1550和1580的层间绝缘层160。
另外，如图6中所示，蚀刻层间绝缘层160的一部分，以形成暴露第二电容器电极中间件1580的一部分的电容器开口168。这里，可以与电容器开口168一起形成暴露像素电极中间件7100的全部或一部分的开口。
图7是图6的接近于VIII-VIII线和IX-IX线的一部分的近观图。
如图7中所示，电容器开口168包括与第二电容器电极中间件1580平行且叠置的第一横向侧壁1681、与第二电容器电极中间件1580平行且不叠置的第二横向侧壁1682以及将第一横向侧壁1681和第二横向侧壁1682连接且与第一电容器电极138叠置的纵向侧壁1685。
用于形成电容器开口168的蚀刻工艺包括使用含有氢氟酸(HF)的溶液的清洗工艺。
图8和图9分别是与VIII-VIII线和IX-IX线对应的根据第一示例性实施例的由层间绝缘层的蚀刻得到的剖视图，VIII-VIII线与图1的II-II线重合。
因此，如图8和图9中所示，在侧表面通过层间绝缘层160的电容器开口168暴露的第二电容器电极中间件1580中产生底切1589。这是因为多个金属层1582或1583的至少一个金属层(1583)被氢氟酸溶液腐蚀。在第二电容器电极中间件1580的面对第二横向侧壁1682的侧表面处产生底切1589，所述第二横向侧壁1682与第二电容器电极中间件1580平行且不叠置。
接下来，图10和图11分别示出了形成覆盖在图8和图9中示出的层的暴露表面的第二导电层图案的下一个工艺。
如图10和图11中所示，在层间绝缘层160上且在第二电容器电极中间件1580和栅极绝缘层140的暴露的上表面部分上形成用于形成第二导电层图案的导电层1700。因此，第二电容器电极中间件1580的侧部保持暴露。导电层1700包括金属层。由层间绝缘层160的电容器开口168产生的阶梯高度可以使导电层1700的一部分断开。
接下来，图12和图13分别示出了在图10和图11中示出的图案上形成光致抗蚀剂层的下一个工艺。
如图12和图13中所示，在上面描述的导电层1700以及第二电容器电极中间件1580的剩余的暴露的侧部上涂覆光致抗蚀剂层800。
接下来，图14和图15分别示出了将光致抗蚀剂层图案化并对在图12和图13中示出的图案执行光刻工艺的下一个工艺。
如图14和图15中所示，然后将光致抗蚀剂层800图案化，以形成光致抗蚀剂层图案801，然后，如图16中所示，使用光致抗蚀剂层图案801通过光刻工艺形成第一导电层图案(151、152、153、154、155、158和710)和第二导电层图案(171、173、174、176和177)。即，在形成第二导电层图案(171、173、174、176和177)的同时，将第一导电层图案中间件1510、1520、1530、1540、1550、1580和7100部分地蚀刻，从而一起完成第一导电层图案(151、152、153、154、155、158和710)。被部分地蚀刻的第一导电层图案中间件1510、1520、1530、1540、1550、1580和7100可以是第二电容器电极158的中间件和像素电极710的中间件。
图16示出了由上述工艺形成的图案的布局图，图17是图16的与XIV-XIV线和XV-XV线相邻的一部分的近观图。
如图16和图17中所示，第一导电层图案(151、152、153、154、155、158和710)包括栅极(扫描)线151和152、电容器线153、源电极154和155、第二电容器电极158以及像素电极710。
另外，第二导电层图案(171、173、174、176和177)包括数据线171、源电极173和174以及漏电极176和177。图14和图15的标号178指示从漏电极177延伸的延伸部。
另外，如图14和图15中所示，第二电容器电极158主要由通过电容器开口168暴露的单个透明导电层1581形成。即，在形成第二导电层图案(171、173、174、176和177)的工艺中，一起去除形成在透明导电层1581上的多个金属层1582、1583和1584。
如上所述，通过电容器开口168暴露的第二电容器电极158必须由单个透明导电层形成，然而，如图14和图15中所示，光致抗蚀剂材料流入到当第二电容器电极中间件1580的部分侧表面被底切时形成的空间中，使得金属层1582多余地保留在第二电容器电极158的区域的一部分中的透明导电层1581上。
接下来，在第一电容器电极138中掺杂杂质。杂质可以为P型或N型。杂质可以是对于本领域技术人员来说已知的各种材料。
杂质传递到通过电容器开口168暴露的且由单个透明导电层1581制成的第二电容器电极158，并通过透明导电层1581和栅极绝缘层140掺杂到第一电容器电极138。
另一方面，如上所述，第二电容器电极158的通过电容器开口168暴露的一部分(但在该部分中，金属层1582保留在透明导电层1581上)防止杂质的传递。
因此，如图17中所示，第一电容器电极138具有第一非掺杂区NP1，在第一非掺杂区NP1中，杂质的掺杂被保留有金属层的第二电容器电极158阻挡。第一非掺杂区NP1面对上面描述的电容器开口168的第二横向侧壁1682。
另外，第一电容器电极138包括第二非掺杂区NP2，第二非掺杂区NP2面对电容器开口168的第一横向侧壁1681且与层间绝缘层160叠置。第二非掺杂区NP2被层间绝缘层160覆盖，使得第二电容器电极158的多个金属层1582、1583和1584被去除，由此杂质未被掺杂。
如上所述，由于第一非掺杂区NP1和第二非掺杂区NP2，所以第一电容器电极138包括具有高电阻的区域。然而，面对电容器开口168的纵向侧壁1685的第一电容器电极138掺杂有杂质。因此，第一电容器电极138在第一非掺杂区NP1和第二非掺杂区NP2之间掺杂有杂质，由此确保具有相对低的电阻的电通路。
同时，如果电容器开口168单独地由第一横向侧壁1681或第二横向侧壁1682形成，则非掺杂区域与第一电容器电极138交叉，从而产生根据电阻增加的电路驱动的劣化。
然而，在第一示例性实施例中，电容器开口168具有分别形成第一横向侧壁1681和第二横向侧壁1682并通过第一电容器电极138上的纵向侧壁1685将它们连接的结构，由此可以在非掺杂区域NP1和NP2之间确保掺杂区域，从而可以有效地确保电通路。
另外，像素电极710可以与第二电容器电极158的区域的所述一部分一起由单个透明导电层制成。
接下来，虽然未示出，但是在第二导电层图案(171、173、174、176和177)上形成像素限定层。如图16中所示，像素限定层具有暴露像素电极710的像素开口181。另外，虽然未示出，但是在像素限定层上顺序地形成有机发射层和共电极，以形成有机发光元件。
对于有机发射层，可以使用低分子量有机材料或高分子量有机材料。有机发射层沿相对于发射层而朝向像素电极710的方向包括空穴传输层和空穴注入层，并且还沿朝向共电极(未示出)的方向包括电子传输层和电子注入层。另外，如果需要，则可以堆叠各种层。
另外，根据第一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器101使用像素电极710作为阳极，并使用共电极(未示出)作为阴极。然而，该示例性实施例不限于此，像素电极710和共电极(未示出)的极性可以相反。
另外，在第一示例性实施例中，共电极(未示出)由包括反射材料的材料制成。即，有机发光二极管(OLED)显示器101具有后发光结构。详细地说，共电极(未示出)可以由Al、Ag、Mg、Li、Ca、LiF/Ca或LiF/Al制成。
虽然未示出，但有机发光二极管(OLED)显示器101还可以包括用于防止湿气或氧透入到有机发射层(未示出)中的密封构件。
通过根据第一示例性实施例的上述制造方法制造的有机发光二极管(OLED)显示器101由于电容器80的第一电容器电极138中的杂质的非掺杂区域而抑制了电路驱动的劣化。
接下来，将参照图18至图23描述根据第二示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器102和制造方法。
一直到形成第一导电层图案中间件1510、1520、1530、1540、1550、1580和7100，根据当前实施例的制造方法与第一示例性实施例相同。
图18和图19示出了通过第二示例性实施例的工艺形成的图案的布局图，其中，图19是与XX-XX线相邻的图18的近观图。
如图18和图19中所示，形成覆盖第一导电层图案中间件1510、1520、1530、1540、1550、1580和7100的层间绝缘层160。另外，部分地蚀刻层间绝缘层160，以形成暴露第二电容器电极中间件1580的一部分的电容器开口168和至少一个掺杂孔1688。
掺杂孔1688与第二电容器电极中间件1580和第一电容器电极138的一部分叠置，并被设置为接近电容器开口168。
另外，用于形成电容器开口168的蚀刻工艺包括使用含有氢氟酸(HF)的溶液的清洗工艺。
图20示出了图19的与XX-XX线对应的一部分的剖视图。
如图20中所示，在侧表面通过层间绝缘层160的电容器开口168暴露的第二电容器电极中间件1580中产生底切1589。这是因为形成第二电容器电极中间件1580的多个金属层1582、1583和1584中的至少一个金属层(1583)被氢氟酸溶液腐蚀。
图21示出了根据第二示例性实施例的在基底上形成第二导电层图案和光致抗蚀剂层的下一个工艺。
接下来，如图21中所示，在第一导电层图案中间件1510、1520、1530、1540、1550、1580、7100和层间绝缘层160上形成用于形成第二导电层图案(171、173、174、176和177)的导电层1700，并在导电层1700上涂覆光致抗蚀剂层800。
图22示出了将光致抗蚀剂层图案化并执行光刻工艺的下一个工艺。
在图22中，在将光致抗蚀剂层800图案化以形成光致抗蚀剂层图案801之后，使用光致抗蚀剂层图案801通过光刻工艺形成第一导电层图案(151、152、153、154、155、158和710)和第二导电层图案(171、173、174、176和177)。即，在形成第二导电层图案(171、173、174、176和177)的同时，部分地蚀刻第一导电层图案中间件1510、1520、1530、1540、1550、1580和7100，从而一起完成第一导电层图案(151、152、153、154、155、158和710)。被部分地蚀刻的第一导电层图案中间件1510、1520、1530、1540、1550、1580和7100可以是第二电容器电极158的中间件和像素电极710的中间件。
如图23中所示，第一导电层图案(151、152、153、154、155、158和710)包括栅极线151和152、电容器线153、源电极154和155、第二电容器电极158以及像素电极710。
另外，第二导电层图案(171、173、174、176和177)包括数据线171、源电极173和174以及漏电极176和177。图22的标号178是从漏电极177延伸的扩展部。
另外，如图22中所示，使用单个透明导电层1581形成第二电容器电极158的通过电容器开口168暴露的大部分。即，在形成第二导电层图案(171、173、174、176和177)的工艺中，一起去除形成在透明导电层1581上的多个金属层1582、1583和1584。
如上所述，通过电容器开口168暴露的第二电容器电极158应使用单个透明导电层形成，然而，如图21和图22中所示，光致抗蚀剂材料流入到当第二电容器电极中间件1580的部分侧表面被底切时形成的空间中，使得金属层1582在第二电容器电极158的部分区域中多余地保留在透明导电层1581上。
另外，虽然覆盖了层间绝缘层160，但通过第一电容器电极138和第二电容器电极158彼此叠置的区域中的掺杂孔1688去除第二电容器电极158的多个金属层1582、1583和1584，从而暴露单个透明导电层1581。
接下来，第一电容器电极138掺杂有杂质。杂质可以为P型或N型。杂质可以包括对于本领域技术人员来说已知的各种材料。
杂质传递到通过电容器开口168和掺杂孔1688暴露的且由单个透明导电层1581形成的第二电容器电极158，并掺杂到第一电容器电极138。
另一方面，如上所述，第二电容器电极158的通过电容器开口168暴露的一部分(但在该部分中，金属层1582保留在透明导电层1581上)防止杂质的传递。然而，在形成有掺杂孔1688的区域中通过掺杂孔1688去除透明导电层1581上的金属层1582，使得杂质顺利地传递到第二电容器电极158，并可以掺杂到第一电容器电极138。
另外，金属层1582、1583和1584保留在掺杂孔1688和电容器开口168之间的相对小的空间中，从而会防止杂质的掺杂。然而，使杂质沿横向方向横向漫延预定的距离，使得杂质可以充分地扩散到掺杂孔1688和电容器开口168之间的相对小的间隙。
因此，由于未掺杂杂质而具有高电阻的区域，所以第一电容器电极138可以抑制电路驱动的劣化。即，第一电容器电极138没有被非掺杂区域断开，从而可以有效地确保电传输路径。
图23示出了通过图18-22的工艺形成有机发光二极管(OLED)显示器的图案的布局图。
接下来，根据第二示例性实施例，使用与第一示例性实施例的方法相同的方法来形成像素限定层(未示出)、有机发射层(未示出)、共电极(未示出)和密封构件(未示出)，从而形成有机发光二极管(OLED)显示器102，如图23中所示。
由于在电容器80的第一电容器电极138中未掺杂杂质的区域，所以通过根据第二示例性实施例的制造方法制造的有机发光二极管(OLED)显示器102可以抑制电路驱动的劣化。
虽然已经结合当前被视为实际的示例性实施例的内容描述了本公开，但应当理解，本发明不限于所公开的实施例，而是相反，本发明意图覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
Claims (20)
1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
基底；
半导体层图案，形成在所述基底上，并包括第一电容器电极；
栅极绝缘层，覆盖所述半导体层图案；
第一导电层图案，形成在所述栅极绝缘层上，并包括第二电容器电极，所述第二电容器电极具有与所述第一电容器电极叠置的至少一部分；
层间绝缘层，具有暴露所述第二电容器电极的一部分的电容器开口，并覆盖所述第二电容器电极；
第二导电层图案，形成在所述层间绝缘层上，
其中，所述电容器开口包括第一横向侧壁、第二横向侧壁和纵向侧壁，所述第一横向侧壁与所述第二电容器电极平行且叠置，所述第二横向侧壁与所述第二电容器电极平行且不叠置，所述纵向侧壁将所述第一横向侧壁和所述第二横向侧壁彼此连接且与所述第一电容器电极叠置。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，与所述电容器开口的所述纵向侧壁叠置的第一电容器电极是掺杂有杂质的半导体层。
3.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
基底；
半导体层图案，形成在所述基底上，并包括第一电容器电极；
栅极绝缘层，覆盖所述半导体层图案；
第一导电层图案，形成在所述栅极绝缘层上，并包括第二电容器电极，所述第二电容器电极具有与所述第一电容器电极叠置的至少一部分；
层间绝缘层，包括电容器开口和至少一个掺杂孔并覆盖所述第二电容器电极，所述电容器开口暴露所述第二电容器电极的一部分，所述至少一个掺杂孔与所述第二电容器电极和所述第一电容器电极叠置且暴露所述第二电容器电极的靠近所述电容器开口的一部分；
第二导电层图案，形成在所述层间绝缘层上。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，与所述至少一个掺杂孔叠置的第一电容器电极是掺杂有杂质的半导体层。
5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一导电层图案的区域的一部分由单个透明导电层形成，所述区域的另一部分由透明导电层和沉积在透明导电层上的多个金属层形成。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述电容器开口通过蚀刻工艺形成，所述蚀刻工艺包括使用含有氢氟酸的溶液的清洗工艺。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述多个金属层中的除了最高层之外的至少一个金属层与所述最高层相比相对更容易地被所述含有氢氟酸的溶液腐蚀。
8.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述多个金属层中的除了最高层之外的至少一个金属层包括铝。
9.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一导电层图案的所述第二电容器电极的通过所述电容器开口暴露的所述一部分由单个透明导电层形成。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中，与由所述单个透明导电层形成的所述第二电容器电极的所述一部分叠置的第一电容器电极掺杂有杂质。
11.一种用于制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：
提供基底；
在所述基底上形成包括第一电容器电极的半导体层图案；
形成覆盖所述半导体层图案的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成包括第二电容器电极中间件的第一导电层图案中间件，所述第二电容器电极中间件具有与所述第一电容器电极叠置的至少一部分；
形成层间绝缘层，所述层间绝缘层具有暴露所述第二电容器电极中间件的一部分的电容器开口并覆盖所述第一导电层图案中间件；
在所述层间绝缘层上形成第二导电层图案的同时，部分地蚀刻所述第一导电层图案中间件，从而完成包括第二电容器电极的第一导电层图案，
其中，所述电容器开口包括第一横向侧壁、第二横向侧壁和纵向侧壁，所述第一横向侧壁与所述第二电容器电极平行且叠置，所述第二横向侧壁与所述第二电容器电极平行且不叠置，所述纵向侧壁将所述第一横向侧壁和所述第二横向侧壁彼此连接且与所述第一电容器电极叠置。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，与所述电容器开口的所述纵向侧壁叠置的第一电容器电极是掺杂有杂质的半导体层。
13.一种用于制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：
提供基底；
在所述基底上形成包括第一电容器电极的半导体层图案；
形成覆盖所述半导体层图案的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成包括第二电容器电极中间件的第一导电层图案中间件，所述第二电容器电极中间件具有与所述第一电容器电极叠置的至少一部分；
形成层间绝缘层，所述层间绝缘层包括电容器开口和至少一个掺杂孔，所述电容器开口暴露所述第二电容器电极中间件的一部分，所述至少一个掺杂孔与所述第二电容器电极中间件和所述第一电容器电极叠置且暴露所述第二电容器电极中间件的靠近所述电容器开口的一部分，并且所述层间绝缘层覆盖所述第二电容器电极中间件；
在所述层间绝缘层上形成第二导电层图案的同时，部分地蚀刻所述第一导电层图案中间件，从而完成包括第二电容器电极的第一导电层图案。
14.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：通过所述至少一个掺杂孔将杂质掺杂到所述第一电容器电极。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一导电层图案的区域的一部分由单个透明导电层形成，所述区域的另一部分由透明导电层和沉积在透明导电层上的多个金属层形成。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，通过蚀刻工艺形成所述电容器开口，所述蚀刻工艺包括使用含有氢氟酸的溶液的清洗工艺。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述多个金属层中的除了最高层之外的至少一个金属层与所述最高层相比相对更容易地被所述含有氢氟酸的溶液腐蚀。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述多个金属层中的除了最高层之外的至少一个金属层包括铝。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一导电层图案的所述第二电容器电极的通过所述电容器开口暴露的至少一部分由所述单个透明导电层形成。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，与由所述单个透明导电层形成的所述第二电容器电极的所述至少一部分叠置的第一电容器电极掺杂有杂质。
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