JP2009295581A - 有機電界発光表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電極と光透過基板との間に位置する第1屈折層及び第2屈折層の厚さを制御することで、簡単な構造及び工程によりすべての発光波長範囲において輝度及び色座標を改善して光取出効率及び色再現率を向上することができる有機電界発光表示装置に関する。
基板と、前記基板上に位置する第1電極と、前記第1電極上に位置し、発光層を含む有機膜層と、前記有機膜層上に位置する第2電極と、前記第1電極下部または前記第2電極上部に位置し、前記発光層から発生する光の光放出方向に沿って位置する第1屈折層及び第2屈折層と、を含み、前記第1屈折層の屈折率は前記第2屈折層の屈折率より小さく、前記第1屈折層は0nmを超えて100nm以下の厚さを有することを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。
【選択図】図1
Description
ガラス基板上に、第2屈折層として屈折率が2.4であるNb2O5を表1に記載された厚さでそれぞれ形成した。前記第2屈折層上に第1屈折層として屈折率が1.45であるSi02を30nmの厚さで形成した。前記第1屈折層上に第1電極としてITOを50nm厚さで形成した。前記第1電極上に正孔注入層としてDNTPDを75nm厚さで形成し、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてNPBを15nm厚さで形成した。前記正孔輸送層上にAND(ホスト)/EK8(Kodak社)(ドーパンド)を用いて25nm厚さで青色発光層を形成した。続いて、前記青色発光層上に電子輸送層としてAlq3を25nm厚さで形成し、前記電子輸送層上に電子注入層としてLiFを5nm厚さで形成した。前記電子注入層上に第2電極としてAlを80nmの厚さとした。
前記実験例1〜4の第1屈折層を90nm厚さとした以外は前記実験例1〜4とそれぞれ同一条件とした。
前記実験例1から第1屈折層及び第2屈折層を除去した。
前記実験例1の第1屈折層を120nm厚さとした以外は前記実験例1〜4とそれぞれ同一条件とした。
ガラス基板上に第2屈折層として屈折率が2.4であるNb2O5を表5の厚さでそれぞれ形成した。前記第2屈折層上に第1屈折層として屈折率が1.45であるSi02を30nmの厚さで形成した。前記第1屈折層上に第1電極としてITOを50nm厚さで形成した。前記第1電極上に正孔注入層としてDNTPDを赤色画素は145nm、緑色画素は100nm、青色画素は75nm厚さで形成し、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてNPBを15nm厚さで形成した。前記正孔輸送層上に赤色発光層ではルブレン(ホスト)/RD3(Kodak社)(ドーパンド)を用いて45nm、緑色発光層ではAlq3(ホスト)/C545T(ドーパンド)を用いて45nm、青色発光層ではAND(ホスト)/EK8(Kodak社)(ドーパンド)を用いて25nm厚さでそれぞれ形成した。続いて、前記発光層上に電子輸送層としてAlq3を25nm厚さで形成し、前記電子輸送層上に電子注入層としてLiFを5nm厚さで形成した。前記電子注入層上に第2電極としてAlを80nmの厚さで形成した。
前記実験例9〜20で第2屈折層として屈折率が2.1であるTa2O5を用いた以外には前記実験例9〜20とそれぞれ同一条件とした。
前記実験例9〜20で第2屈折層として屈折率が2.3であるTiO2を用いた以外には前記実験例9〜20とそれぞれ同一条件とした。
前記実験例9で第2屈折層として屈折率が1.8であるSiNを用いて表8の厚さでそれぞれ形成した以外には前記実験例9と同一条件で形成した。
前記実験例9で第1屈折層及び第2屈折層を除去した以外には前記実験例9と同一条件で形成した。
102、204、309、402 第1屈折層
103、201。310、403R、403G、403B 第1電極
104、202、311、405R、405G、405B 有機膜層
105、203、312、407 第2電極
Claims (23)
- 基板と、
前記基板上に位置する第1電極と、
前記第1電極上に位置し、発光層を含む有機膜層と、
前記有機膜層上に位置する第2電極と、
前記第1電極下部または前記第2電極上部に位置し、前記発光層から発生する光の光放出方向に沿って位置する第1屈折層及び第2屈折層と、
を含み、
前記第1屈折層の屈折率は前記第2屈折層の屈折率より小さく、
前記第1屈折層は0nmを超えて100nm以下の厚さを有することを特徴とする、有機電界発光表示装置。 - 前記第2屈折層は、0nmを超えて350nm以下の厚さを有することを特徴とする、請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第2屈折層は、20〜100nmまたは150〜350nmの厚さを有することを特徴とする、請求項2に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第2屈折層は、50〜80nmまたは180〜200nmの厚さを有することを特徴とする、請求項3に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第2屈折層の屈折率は、前記第1屈折層の屈折率より1.1倍以上大きいことを特徴とする、請求項1〜4の何れか1項に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1屈折層の屈折率は、隣接している前記第1電極または前記第2電極の屈折率より小さいことを特徴とする、請求項1〜5の何れか1項に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1屈折層の屈折率は、1.4以上1.8未満であることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1屈折層及び前記第2屈折層は、それぞれニオビウムオキサイド、タンタルオキサイド、チタンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキサイド、アンチモンオキサイド、アルミニウムオキサイド、ジルコニウムオキサイド、マグネシウムオキサイド、ハフニウムダイオキサイド、または合成ポリマーを含むことを特徴とする、請求項1〜7の何れか1項に記載の有機電界発光表示装置。
- 光放出方向に沿って、前記第2屈折層上にさらに前記第1屈折層が形成されることを特徴とする、請求項1〜8の何れか1項に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1電極は透過電極で、前記第2電極は反射電極であり、
前記第1屈折層は前記第1電極下部に位置し、前記第2屈折層は前記第1電極と前記基板との間に位置することを特徴とする、請求項1〜9の何れか1項に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記第1電極は反射電極で、前記第2電極は透過電極であり、
前記第1屈折層は前記第2電極上部に位置し、前記第2屈折層は前記第1屈折層上に位置することを特徴とする、請求項1〜9の何れか1項に記載の有機電界発光表示装置。 - 複数の色に対応した複数個の単位画素領域を備える基板と、
前記基板の前記複数個の単位画素領域上に位置し、第1電極と発光層が順に積層された有機膜層及び第2電極を含む複数個の有機電界発光素子と、
前記第1電極下部または前記第2電極上部に位置し、前記発光層から発生する光の光放出方向に順に位置する第1屈折層及び第2屈折層と、
を含み、
前記第1屈折層の屈折率は前記第2屈折層の屈折率より小さく、前記第1屈折層は0nmを超えて100nm以下の厚さを有することを特徴とする、有機電界発光表示装置。 - 前記第2屈折層は、0nmを超えて350nm以下の厚さを有することを特徴とする、請求項12に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第2屈折層は、20〜100nmまたは150〜350nmの厚さを有することを特徴とする、請求項13に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第2屈折層は、50〜80nmまたは180〜200nmの厚さを有することを特徴とする、請求項14に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1屈折層及び前記第2屈折層は、各単位画素領域で略同一の厚さを有することを特徴とする、請求項12〜15の何れか1項に記載の有機電界発光表示装置。
- 発光色の波長が相対的に長い発光層を有する前記単位画素領域の前記有機膜層の厚さが、発光色の波長が相対的に短い発光層を有する前記単位画素領域の前記有機膜層の厚さよりも厚いことを特徴とする、請求項12〜16の何れか1項に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第2屈折層の屈折率は、前記第1屈折層の屈折率よりも1.1倍以上大きいことを特徴とする請求項12〜17の何れか1項に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1屈折層の屈折率は、隣接している前記第1電極または前記第2電極の屈折率よりも小さいことを特徴とする、請求項12〜18の何れか1項に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1屈折層の屈折率は、1.4以上1.8未満であることを特徴とする、請求項12〜19の何れか1項に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1屈折層及び前記第2屈折層は、それぞれニオビウムオキサイド、タンタルオキサイド、チタンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキサイド、アンチモンオキサイド、アルミニウムオキサイド、ジルコニウムオキサイド、マグネシウムオキサイド、ハフニウムダイオキサイド、または合成ポリマーを含むことを特徴とする、請求項12〜20の何れか1項に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1電極は透過電極で、前記第2電極は反射電極であり、
前記第1屈折層は前記第1電極下部に位置し、前記第2屈折層は前記第1電極と前記基板との間に位置することを特徴とする、請求項12〜21の何れか1項に記載の有機電界発光表示装置。 - 光放出方向に沿って、前記第2屈折層上にさらにカラーフィルタが形成されることを特徴とする、請求項12〜22の何れか1項に記載の有機電界発光表示装置。
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