TWI624048B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露係關於一種顯示裝置及其製造方法。顯示裝置包含基板、配置於基板上的有機發光二極體(OLED)、配置於基板上以覆蓋有機發光二極體並包含無機材料層及有機材料層之薄膜封裝層、以及配置於薄膜封裝層上並包含介電層與金屬層的抗反射層。

Description

顯示裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案參照、整合並主張先前於2012年10月26日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0119852號之全部權益，其全部內容係於此併入作為參考。
本發明涉及一種顯示裝置及其製造方法。
目前，隨著顯示技術的不斷進步，可攜式顯示裝置，如筆記型電腦、手機、或可攜式多媒體播放器(PMP)，以及家庭顯示裝置，如電視機或監視器如雨後春筍般湧入市場。以朝向更輕更薄趨勢的顯示器、液晶顯示裝置和有機發光二極管(OLED)顯示裝置等備受關注。
於裝置中，OLED顯示裝置是使用有機材料，且具有包括低功率消耗和高的亮度之多種優點的自發光顯示裝置。在一般情況下，當OLED中的有機材料暴露於外在因素，如氧氣或水分時，其壽命可能會急劇減少。因此，用於保護有機材料免於外在因素的封裝技術是必要且必需的。在這方面，已經有人提出過使用玻璃基板用於保護有機材料的封裝技術。然而，由於玻璃基板的厚度和重量，而使有OLED的總厚度和重量可能增加。
OLED通常用於可攜式系統。當於戶外觀察使用OLED的影像時，外在光於有機發光二極體中反射，降低對比度與可見度。為克服此問題，可藉由配置圓偏振片於OLED的一個表面上從而降低外在光反射。 然而，由於圓偏振片的厚度而使整體OLED的厚度增加。
本發明提供一種顯示裝置及其製造方法，其可減少整體的厚度並同時藉由減少外在光反射而改善可見度。
本發明提供一種顯示裝置及其製造方法，其輕巧纖薄，同時藉由使用薄膜封裝層而防止氧氣與水分滲入有機發光二極體(OLED)而具有改善之持久性與可靠性。
上述與其他本發明之目的將被描述或顯而易見於優選實施例之以下的描述中。
根據本發明之一態樣，提供一種顯示裝置，其包含基板；配置於基板上的有機發光二極體(OLED)；配置於基板上以覆蓋有機發光二極體的薄膜封裝層；以及配置於薄膜封裝層上並包含介電層與金屬層的抗反射層。抗反射層可包含複數個介電層與複數個金屬層，其中介電層與金屬層可交替堆疊。介電層可包含二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、二氧化鋯(ZrO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鉿(HfO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二釔(Y2O3)、氧化鈹(BeO)、氧化鎂(MgO)、二氧化鉛(PbO2)、三氧化鎢(WO3)、氧化釩(VOx)、氮化矽(SiNx)、氮化鋁(AlN)、硫化鋅(ZnS)、硫化鎘(CdS)、碳化矽(SiC)、氰化矽(SiCN)、氟化鎂(MgF)、二氟化鈣(CaF2)、氟化鈉(NaF)、二氟化鋇(BaF2)、二氟化鉛(PbF2)、氟化鋰(LiF)、三氟化鑭(LaF3)、以及磷化鎵(GaP)中之至少之一。金屬層可包 含鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、金(Au)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鈣(Ca)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉑(Pt)、以及鐿(Yb)中之至少之一。
薄膜封裝層可包含至少一無機材料層。無機材料層可包含氮化矽(silicon nitride)、氮化鋁(aluminum nitride)、氮化鋯(zirconium nitride)、氮化鈦(titanium nitride)、氮化鉿(hafnium nitride)、氮化鉭(tantalum nitride)、氧化矽(silicon oxide)、氧化鋁(aluminum oxide)、氧化鈦(titanium oxide)、氧化錫(tin oxide)、氧化鈰(cerium oxide)、以及氧氮化矽(silicon oxynitride,SiON)中之至少之一。薄膜封裝層亦可包含至少一有機材料層。薄膜封裝層可包含交替地堆疊之複數個無機材料層與複數個有機材料層。有機材料層可包含環氧樹脂(epoxy resin)、丙烯酸樹脂(acryl resin)、苝樹脂(perylene resin)、以及聚亞醯胺樹脂(polyimide resin)中之至少之一。
顯示裝置亦可包含配置於薄膜封裝層與抗反射層之間的干涉防止層。干涉防止層可包含透明材料。干涉防止層可具有100nm至10μm範圍內的厚度。顯示裝置亦可包含薄膜電晶體(TFT)以驅動有機發光二極體(OLED)。薄膜電晶體(TFT)可為非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)、多晶矽薄膜電晶體(poly-Si TFT)、或氧化物薄膜電晶體(oxide TFT)。
根據本發明之另一態樣，提供一種製造顯示裝置的方法，其包含形成有機發光二極體(OLED)於基板上、形成薄膜封裝層於基板上以覆蓋有機發光二極體(OLED)、以及形成抗反射層於薄膜封裝層上，且抗反射層包含介電層與金屬層。薄膜封裝層之形成可包含形成至少一無機材料層。該至少一無機材料層可包含氮化矽(silicon nitride)、氮化鋁(aluminum nitride)、氮化鋯(zirconium nitride)、氮化鈦(titanium nitride)、 氮化鉿(hafnium nitride)、氮化鉭(tantalum nitride)、氧化矽(silicon oxide)、氧化鋁(aluminum oxide)、氧化鈦(titanium oxide)、氧化錫(tin oxide)、氧化鈰(cerium oxide)、以及氧氮化矽(silicon oxynitride,SiON)中之至少之一。薄膜封裝層之形成可包含以交替方式形成複數個無機材料層與複數個有機材料層。各有機材料層可包含由環氧樹脂(epoxy resin)、丙烯酸樹脂(acryl resin)、苝樹脂(perylene resin)、以及聚亞醯胺樹脂(polyimide resin)中之至少之一。
抗反射層之形成可包含形成交替堆疊的複數個介電層與複數個金屬層。各介電層可包含二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、二氧化鋯(ZrO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鉿(HfO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二釔(Y2O3)、氧化鈹(BeO)、氧化鎂(MgO)、二氧化鉛(PbO2)、三氧化鎢(WO3)、氧化釩(VOx)、氮化矽(SiNx)、氮化鋁(AlN)、硫化鋅(ZnS)、硫化鎘(CdS)、碳化矽(SiC)、氰化矽(SiCN)、氟化鎂(MgF)、二氟化鈣(CaF2)、氟化鈉(NaF)、二氟化鋇(BaF2)、二氟化鉛(PbF2)、氟化鋰(LiF)、三氟化鑭(LaF3)、以及磷化鎵(GaP)中之至少之一。各金屬層可包含鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、金(Au)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鈣(Ca)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉑(Pt)、以及鐿(Yb)中之至少之一。顯示裝置亦可包含插入於薄膜封裝層與抗反射層之間的干涉防止層。干涉防止層可包含透明材料。
1、2‧‧‧顯示裝置
10‧‧‧基板
30‧‧‧有機發光二極體
32‧‧‧第一電極
34‧‧‧有機發光層
36‧‧‧第二電極
50‧‧‧薄膜封裝層
51‧‧‧第一無機材料層
52‧‧‧第一有機材料層
53‧‧‧第二無機材料層
54‧‧‧第二有機材料層
55‧‧‧第三無機材料層
60‧‧‧干涉防止層
70‧‧‧抗反射層
71‧‧‧第一金屬層
72‧‧‧第一介電層
73‧‧‧第二金屬層
74‧‧‧第二介電層
80‧‧‧像素定義薄膜
92‧‧‧閘極電極
94‧‧‧源極電極
96‧‧‧汲極電極
S10~S30‧‧‧步驟
A‧‧‧比較例
B、C、D、E、F‧‧‧範例
T‧‧‧薄膜電晶體
本發明及其許多伴隨的優點之更加充分的理解，於其藉由參照下文的詳細描述一併考量其附圖而變得更好理解時將顯而易見，其中相似的參考編號表示相同或相似的構件，其中： 第1圖係根據本發明之實施例之顯示裝置的剖面圖；第2圖係根據本發明之另一實施例之顯示裝置的剖面圖；第3圖係根據本發明之形成於顯示裝置之部分的薄膜電晶體之剖面圖；第4圖係描繪根據本發明之實施例之製造顯示裝置之方法的流程圖；第5圖至第7圖係描繪根據本發明之實施例之製造顯示裝置製造方法之製程步驟的剖面圖；第8圖係描繪本發明範例1與比較例中之光反射比(luminous reflectance)的圖表；第9圖係描繪本發明範例1與比較例中之透光率(transmittance)的圖表；第10圖係描繪本發明範例2與比較例中之光反射比(luminous reflectance)的圖表；第11圖係描繪本發明範例2與比較例中之透光率(transmittance)的圖表；第12圖係描繪本發明範例3與比較例中之光反射比(luminous reflectance)的圖表；第13圖係描繪本發明範例3與比較例中之透光率(transmittance)的圖表；第14圖係描繪本發明範例4與比較例中之光反射比(luminous reflectance)的圖表； 第15圖係描繪本發明範例4與比較例中之透光率(transmittance)的圖表；第16圖係描繪本發明範例5與比較例中之光反射比(luminous reflectance)的圖表；以及第17圖係描繪本發明範例5與比較例中之透光率(transmittance)的圖表。
本發明的優點與特點及其實現方法，透過參考以下較佳實施例之詳細描述及其附圖將可更容易地被理解。然而，本發明可以許多不同的形式實現，並且不應被解釋為受限於此所闡述的實施例中。相反地，這些實施例的提供將使本公開徹底與完整且將充分傳達本發明的概念予領域之通常知識者，而本發明將只由所附之申請專權利範圍所定義。
應當理解的是，當構件或層是稱為「於...上(on)」另一構件或層時，其可是直接位於另一構件或層上，而或可能存在中間構件或層。全文中，相似的編號表示相似的構件。
應當理解的是，儘管第一(first)、第二(second)、以及第三(third)等詞彙於文中可用於描述不同的構件、組成、區域、層、以及/或部分，但構件、組成、區域、層、以及/或部分不應該被此些詞彙所限制。此些詞彙僅用於區別一個構件、組成、區域、層、或部分與其他構件、組成、區域、層、或部分。 因此，下文中所討論的第一構件、組成、區域、層、或部分可稱為第二構件、組成、區域、層、或部分而不脫離本發明的教示。
以下，本發明的實施例將參照附圖而描述。
本發明之實施例將參照附圖而於下文中描述。以下之描述中，藉由例示之方法描述涉及OLED的根據本發明之顯示裝置，此發明亦可應用至包含目前發展和市售的白光OLED，或可在將來根據技術發展而實現之各種顯示裝置中。
第1圖係根據本發明之實施例之顯示裝置的剖面圖； 請參照第1圖，根據本發明之實施例之顯示裝置1包含基板10、形成於基板10上的OLED 30、形成於基板10上且覆蓋OLED 30的薄膜封裝層50、以及形成於薄膜封裝層50上的抗反射層70。
基板10可包含絕緣基板。絕緣基板可由包含透明二氧化矽(SiO2)作為主要成分的透明玻璃材料製成。此外，絕緣基板可包含由各種材料，如塑料，製成的基板。更進一步，絕緣基板可為可撓式基板。
OLED 30可形成於基板10上。OLED 30可包含形成於基板10上的第一電極(未繪示)、形成於第一電極上的有機發光層(未繪示)、以及形成於有機發光層上的第二電極(未繪示)。
第一電極可由蒸發或濺鍍形成於基板10上，且可為陰極或陽極。 第一電極可包含透明電極、半透明電極、或反射電極，而其可由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、鋁(Al)、銀(Ag)、或鎂(Mg)製作而成，但本發明之態樣係不以此為限制。此外，第一電極可以形成為具有各種堆疊的形式，其包含使用兩或多個不同的材料兩或多層之堆疊。
有機發光層可形成於第一電極上。有機發光層可包含已知的發光材料。舉例來說，有機發光層可包含已知的基質，其包含三(8-羥基喹啉)鋁 (Alq3)、4,4'-N,N'-二唑基-聯苯(4,4'-N,N'-dicarbazol-biphenyl,CBP)、聚(N-乙烯咔唑)(poly(n-vinylcarbazole),PVK)、或聯苯乙烯基亞芳基(distrylarylene,DSA)、及磷光有機金屬複合物(phosphorescent organic metal complex,PtOEP)、以及包含紅色摻質，例如Ir(piq)3、Btp2Ir(acac)、或4-(二氰基亞甲基)-2-叔-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H吡喃(4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4Hpyran,DCJTB)、綠色摻質，例如Ir(ppy)3(ppy=苯基吡啶)、Ir(ppy)2(acac)、或Ir(mpyp)3、以及藍色摻質，例如F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、或三-氟(ter-fluorine)。 然而，上述提供的有機發光層的舉例材料只為說明，而涵蓋目前發展或市售或可在將來根據技術發展實現之所有可能的有機發光材料。
第二電極可由蒸發或濺鍍形成於有機發光層上，且可為陰極或陽極。第二電極可包含具有低功函數的金屬、合金、導電化合物、以及其混合物。 舉例來說，第二電極可包含鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、以及鎂-銀(Mg-Ag)等，但本發明之態樣係不以此為限制。此外，第二電極可以形成為具有各種堆疊的形式，其包含使用兩或多個不同的材料之兩或多層之堆疊。
除了有機發光層以外，自電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、以及電子注入層所構成之群組中選擇之至少一層可進一步形成於第一電極與第二電極之間。電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、以及電子注入層可由已知的方法使用已知的材料形成。
已知的電洞注入材料可使用作為電洞注入層的材料。電洞注入材料之範例可包含像銅酞菁(copper phthalocyanine)的酞青化合物(phthalocyanine compound)、4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine,m-MTDATA)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine,NPB)、TDATA、2-TNATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亞乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(PANI/CSA)、或聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PANI/PSS)。
電洞傳輸層之範例可包含像N-苯基咔(N-phenylcarbazole)或聚乙烯基咔唑(polyvinyl carbazole)的咔唑衍生物、以及像4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(NPB)、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯苯基]-4,4'-二胺(TPD)、或N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(α-NPD)之具有芳族縮合環(aromatic condensed ring)的一般胺衍生物。
此外，電洞阻擋層可使用例如噁二唑衍生物(oxadiazole derivative)、三唑衍生物(triazole derivative)、或啡啉衍生物(phenanthroline derivative)而形成。
同時，電子傳輸層可使用例如喹啉衍生物(quinoline derivative)而形成，特別係三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、或3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)。電子注入層可使用例如氟化鋰(LiF)、氯化鈉(NaCl)、氟化銫(CSF)、氧化二鋰(Li2O)、或氧化鋇(BaO)而形成。
覆蓋OLED 30的薄膜封裝層50可形成於基板10上。薄膜封裝層50可防止氧氣與水分滲入OLED 30。薄膜封裝層50可具有非限制種類的結構。舉例來說，可配置薄膜封裝層50以使無機材料層與有機材料層係交替地配置。也就是說，如第1圖所示、第一無機材料層51、第一有機材料層52、第二無機材料層 53、第二有機材料層54、以及第三無機材料層55可依序堆疊於基板10與OLED 30上，但本發明之態樣係不以此為限制。或者，薄膜封裝層50亦可具有形成於OLED 30上的層之各種組合的堆疊結構，其包含有機材料層/無機材料層/有機材料層之堆疊以此順序依序堆疊之堆疊、以及無機材料層/無機材料層/有機材料層以此順序依序堆疊之堆疊等。此外，儘管並未顯示，構成薄膜封裝層50之各種層的其中之一可為金屬層。雖然第1圖顯示薄膜封裝層50具有五層堆疊，然而此提供僅為說明，薄膜封裝層50可具有四層堆疊、六層堆疊、以及其他各種形式之堆疊。
各第一無機材料層51、第二無機材料層53、以及第三無機材料層55可防止外在水分與氧氣滲入OLED 30，而各第一有機材料層52與第二有機材料層54可減輕第一無機材料層51、第二無機材料層53、以及第三無機材料層55的內應力或可填充第一無機材料層51、第二無機材料層53、以及第三無機材料層55的小裂紋或孔隙。
無機材料層可使用非限制的材料以非限制的方法形成。
舉例來說，無機材料層可包含分別由透明材料製作的第一無機材料層51、第二無機材料層53、以及第三無機材料層55，並且其之範例可包含氮化矽(silicon nitride)、氮化鋁(aluminum nitride)、氮化鋯(zirconium nitride)、氮化鈦(titanium nitride)、氮化鉿(hafnium nitride)、氮化鉭(tantalum nitride)、氧化矽(silicon oxide)、氧化鋁(aluminum oxide)、氧化鈦(titanium oxide)、氧化錫(tin oxide)、氧化鈰(cerium oxide)、氧氮化矽(silicon oxynitride,SiON)以及其組合，但不以此為限制。
第一無機材料層51、第二無機材料層53、以及第三無機材料層55可藉由真空成膜方法(vacuum film formation method)而形成，例如濺鍍法 (sputtering)、化學氣相沉積法(chemical vapor deposition,CVD)、電子束微影法(e-beam)、熱蒸鍍法(thermal evaporation)、或熱離子助鍍法(ion beam assisted deposition,IBAD)。化學氣相沉積法(chemical vapor deposition,CVD)的例子可包含電感式耦合電漿化學氣相沉積法(Induced Coupled Plasma-Chemical Vapor Deposition,ICP-CVD)、電容式耦合電漿(Capacitively Coupled Plasma,CCP)化學氣相沉積法(chemical vapor deposition,CVD)、以及電漿表面波(Surface Wave Plasma,SWP)化學氣相沉積法(chemical vapor deposition,CVD)等，然而此提供僅為說明，可採用根據目前發展與市售或可在將來根據技術發展而可以被實現之所有可能的方法，形成根據本發明的無機材料層。
如上述所述，薄膜封裝層50進一步包含與無機材料層交替設置之有機材料層，且有機材料層可使用非限制的材料以非限制的方法形成。
舉例來說，各第一有機材料層52與第二有機材料層54可由透明材料製作，且其範例可包含環氧樹脂(epoxy resin)、丙烯酸樹脂(acryl resin)、苝樹脂(perylene resin)、聚亞醯胺樹脂(polyimide resin)、以及其組合，但不以此為限。
可由旋轉塗佈(spin coating)、噴射塗佈(spray coating)、網印(screen printing)、噴墨(ink-jetting)、以及施配(dispensing)等沉積第一有機材料層52與第二有機材料層54，但不以此為限。此外，可採用目前發展與市售或可在將來根據技術發展而可以被實現的所有可能的方法，形成根據本發明的有機材料層，而其範例可包含濺鍍法(sputtering)、化學氣相沉積法(chemical vapor deposition,CVD)、電漿輔助化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)、熱蒸鍍法(thermal evaporation)、或熱離子助鍍法(ion beam assisted deposition,IBAD)、以及原子層沈積法(atomic layer deposition,ALD)。
根據本發明之顯示裝置1中，形成薄膜封裝層50，從而有效地防止外在水分與氧氣滲入OLED 30。因此，可防止OLED 30的劣化，從而最小化顯示裝置1之顯示品質之外觀的故障，於此同時改善顯示裝置1的持久性與可靠性。此外，相較於使用玻璃基板形成封裝部分的例子，薄膜封裝層50係使用無機材料層與有機材料層形成，從而減少顯示裝置1整體的厚度與重量。
用於防止外在光反射的抗反射層70可形成於薄膜封裝層50上，且可包含介電層與金屬層。
抗反射層70可具有多層結構，但不以此為限。舉例來說，如第1圖所示，抗反射層70可以形成在薄膜封裝層50上，使得第一金屬層71、第一介電層72、第二金屬層73、以及第二電介質層74彼此交替地堆疊於另一層上，但不以此為限。也就是說，介電層可先堆疊於薄膜封裝層50上。或者，可依序地形成介電層或金屬層之兩或多個堆疊。此外，雖然第1圖顯示抗反射層70具有四層結構，然而此提供僅為說明，抗反射層70可具有五層結構、六層結構、以及各種形式之堆疊。抗反射層70可具有非限制形式的結構。
舉例來說，抗反反射層70的各第一金屬層71與第二金屬層73可包含由鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、金(Au)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鈣(Ca)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉑(Pt)、以及鐿(Yb)所構成之群組中選擇一金屬或兩或多個金屬的合金，但不以此為限。
第一金屬層71與第二金屬層73可由濺鍍法(sputtering)、化學氣相沉積法(chemical vapor deposition,CVD)、物理氣相沉積法(physical vapor deposition,PVD)、電子束微影法(e-beam)、熱蒸鍍法(thermal evaporation)、或熱離子助鍍法(ion beam assisted deposition,IBAD)形成，但不以此為限。
因金屬吸收光，則穿透通過金屬層的一部分光可能被吸收。也就是說，當抗反射層70包含金屬層時，藉由使用反射光之部分行破壞性干涉而可減少外在光的反射。此外，不完全由破壞性干涉抵消之外在光可進一步使用當光穿透通過金屬層時發生之光吸收而吸收。
如上所述，抗反射層70可進一步包含介電層，其可與金屬層交替堆疊。介電層可使用非限制的材料以非限制的方法形成。
舉例來說，各第一介電層72與第二介電層74可包含由二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、二氧化鋯(ZrO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鉿(HfO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二釔(Y2O3)、氧化鈹(BeO)、氧化鎂(MgO)、二氧化鉛(PbO2)、三氧化鎢(WO3)、氧化釩(VOx)、氮化矽(SiNx)、氮化鋁(AlN)、硫化鋅(ZnS)、硫化鎘(CdS)、碳化矽(SiC)、氰化矽(SiCN)、氟化鎂(MgF)、二氟化鈣(CaF2)、氟化鈉(NaF)、二氟化鋇(BaF2)、二氟化鉛(PbF2)、氟化鋰(LiF)、三氟化鑭(LaF3)、以及磷化鎵(GaP)所構成之群組中選擇一個材料或兩或多個材料之組合，但不以此為限。此外，第一介電層72與第二介電層74的其中至少之一可由與薄膜封裝層50之無機材料層與有機材料層相同的材料形成。
可由旋轉塗佈(spin coating)、噴射塗佈(spray coating)、網印(screen printing)、噴墨(ink-jetting)、以及施配(dispensing)等沉積第一介電層72與第二介電層74，但不以此為限。此外，可採用目前發展與市售或可在將來根據技術發展可以被實現的所有可能的方法，形成根據本發明的介電層，而其範例可包含濺鍍法(sputtering)、化學氣相沉積法(chemical vapor deposition,CVD)、電漿輔助化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)、熱蒸鍍法 (thermal evaporation)、或熱離子助鍍法(ion beam assisted deposition,IBAD)、以及原子層沈積法(atomic layer deposition,ALD)。
抗反射層70中的介電層可調整或補償光的相位差。也就是說，介電層使用光學破壞性干涉抵銷反射之外在光，從而防止外在光反射。於此，詞語「光學破壞性干涉(optically destructive interference)」是指當其具有相同的反射振福與頻率且同時具有約180度的相位差時自其界面之間反射的光波抵銷的現象。
也就是說，根據本發明的抗反射層70可藉由使用光學破壞性干涉與金屬層的光學吸收抵銷外在入射光而減少外在光的反射。因此，可在不使用圓偏振片的情況下減少外在光的反射，從而減少顯示裝置1整體的厚度，且甚至在顯示裝置1厚度減少的同時改善顯示裝置1的可見度。
第2圖係根據本發明之另一實施例之顯示裝置2的剖面圖。
參照第1圖與第2圖，不同於第1圖所示的顯示裝置1，根據本發明之另一實施例之顯示裝置2可進一步包含形成於薄膜封裝層50與抗反射層70之間的干涉防止層60。
干涉防止層60是一種用以防止由於薄膜封裝層50與抗反射層70之間反射係數不同的光干涉之緩衝層，且可藉由調整其厚度與材料而最小化光干涉。干涉防止層60可使用非限制材料形成。舉例來說，干涉防止層60可由包含已知的無機材料或已知的有機材料之透明材料製作。舉例來說，用於形成薄膜封裝層50之無機材料層或有機材料層的材料亦可用於形成干涉防止層60。此外，用於形成抗反射層70之介電層的材料亦可用於形成干涉防止層60。干涉防止層60可由非限制方法形成。舉例來說，用於形成薄膜封裝層50之無機材料層 或有機材料層的方法亦可用於形成干涉防止層60。可適當地調整干涉防止層60的厚度，以大於或相等於光學同調長度，例如，在100nm至10μm的範圍內，但不以此形式為限。
第3圖係根據本發明之形成顯示裝置之部分之薄膜電晶體的剖面圖。
參照第1圖至第3圖，根據本發明之各顯示裝置可包含形成於基板10上的薄膜電晶體T、OLED 30、薄膜封裝層50、以及抗反射層70。而干涉防止層(未繪示)可進一步形成於薄膜封裝層50與抗反射層70之間。
OLED 30可包含第一電極32、第二電極36、以及形成於第一電極32與第二電極36之間的有機發光層34。儘管並未顯示，除了有機發光層34以外，自電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、以及電子注入層所構成之群組中選擇之至少之一可進一步形成於第一電極32與第二電極36之間，而於此其之詳細描述將被省略。
用以分隔的像素之像素定義薄膜80可形成於有機發光層34形成處之外部部分。像素定義薄膜80可使用非限制的材料例如，有機材料形成。
薄膜電晶體T可形成於基板10上。薄膜電晶體T係用以提供OLED 30電流並驅動其的部分。薄膜電晶體T可包含閘極電極92、源極電極94、以及汲極電極96，且OLED 30的第一電極32可連接至薄膜電晶體T的汲極電極96。
薄膜電晶體T不受限於形式外觀，且可包含例如非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)、多晶矽薄膜電晶體(poly-Si TFT)、以及氧化物薄膜電晶體(oxide TFT)，但不以此為限制。
薄膜封裝層50可形成於基板10上以覆蓋OLED 30。因此，薄膜封裝層50可有效防止氧氣與水分滲入OLED 30。薄膜封裝層50的其他細節與結合第1圖所述之前例相同，因此將不予以重複描述。
抗反射層70可形成於薄膜封裝層50上。抗反射層70防止外在光的反射而未使用圓偏振片，從而減少顯示裝置整體的厚度，同時改善顯示裝置的可見度。
現在轉而參照第4圖至第7圖，第4圖係描繪根據本發明之實施例之製造顯示裝置之方法的流程圖，以及第5圖至第7圖係描繪根據本發明之實施例之顯示裝置製造方法之製程步驟的剖面圖。
參照第4圖，製造顯示裝置之方法包含形成OLED於基板上(步驟10)、形成薄膜封裝層於基板上，用以覆蓋OLED(步驟20)、以及形成包含介電層與金屬層的抗反射層於薄膜封裝層上(步驟30)。此外，儘管並未顯示，但製造顯示裝置的方法可進一步包含於形成薄膜封裝層(步驟20)與形成抗反射層(步驟30)之間形成干涉防止層於薄膜封裝層上。
形成OLED於基板(步驟S10)上，可由以下實現。參照第1圖與第5圖，首先第一電極(第3圖中的第一電極32)於基板10上。第一電極可由蒸發或濺鍍形成於基板10上，且可為陰極或陽極。第一電極可包含透明電極、半透明電極、或反射電極，而其可由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、鋁(Al)、銀(Ag)、或鎂(Mg)製成，但本發明之態樣不以此為限制。第一電極的其他細節與結合第1圖和第3圖所描述之前例相同，因此將不予以重複描述。
此後，有機發光層(第3圖中的有機發光層34)形成於第一電極上。 有機發光層可包含已知的發光材料，且可由非限制的方法形成，其與上述參照第1圖與第3圖的描述相同。
於形成有機發光層後，第二電極(第3圖中的第二電極36)形成於有機發光層上。第二電極可由蒸發或濺鍍形成於有機發光層上，且可為陰極或陽極。第二電極可包含具有低功函數的金屬、合金、導電化合物、以及其混合物。 第二電極的其他細節是與結合第1圖和第3圖描述之前例相同，因此將不予以重複描述。
包含第一電極、有機發光層、以及第二電極之OLED 30可藉由上述所述之方法形成於基板10上。
隨後，覆蓋OLED 30的薄膜封裝層50形成於基板10上以覆蓋OLED 30(步驟20)，此將由以下實現。
參照第1圖和第6圖，覆蓋OLED 30的薄膜封裝層50可形成於基板10與OLED 30上。薄膜封裝層50可包含依順序堆疊的第一無機材料層51、第一有機材料層52、第二無機材料層53、第二有機材料層54、以及第三無機材料層55。
各第一無機材料層51、第二無機材料層53、以及第三無機材料層55可由透明材料製作，且與上述第1圖之描述相同，可藉由真空成膜方法(vacuum film formation method)，例如濺鍍法(sputtering)、化學氣相沉積法(chemical vapor deposition,CVD)、電子束微影法(e-beam)、熱蒸鍍法(thermal evaporation)、或熱離子助鍍法(ion beam assisted deposition,IBAD)而形成，但不以此為限。
各第一有機材料層52與第二有機材料層54可分別由透明材料製作，其範例可包含環氧樹脂(epoxy resin)、丙烯酸樹脂(acryl resin)、苝樹脂(perylene resin)、聚亞醯胺樹脂(polyimide resin)、以及其之組合，但不以此為限。
第一有機材料層52與第二有機材料層54可分別由旋轉塗佈(spin coating)、噴射塗佈(spray coating)、網印(screen printing)、噴墨(ink-jetting)、以及施配(dispensing)等沉積，但不以此為限。此外，可採用目前發展與市售或可在將來根據技術發展而可以被實現的所有可能的方法，形成根據本發明的有機材料層，且與上述第1圖之描述相同，其範例可包含濺鍍法(sputtering)、化學氣相沉積法(chemical vapor deposition,CVD)、電漿輔助化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)、熱蒸鍍法(thermal evaporation)、或熱離子助鍍法(ion beam assisted deposition,IBAD)、以及原子層沈積法(atomic layer deposition,ALD)。
作為範例，於形成第一有機材料層52中，藉由包含熱蒸鍍法(thermal evaporation)、電漿輔助化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)、或原子層沈積法(atomic layer deposition,ALD)之乾式方法沉積用以形成聚亞醯胺(polyimide)之單體於第一無機材料層51上。而後，將所得產物進行退火(annealing)，從而形成以聚酰亞胺樹脂為基礎的第一有機材料層52。 第二有機材料層54可以藉由與第一有機材料層52相同之方法形成。當第一有機材料層52係由乾式製程，例如熱蒸鍍法(thermal evaporation)形成時，第一有機材料層52於第一無機材料層51沉積後以直線交替沉積。此外，第一有機材料層52的厚度可輕易調整，且乾式製程有利地較濕式製程容易，因而增加生產率。形成聚亞醯胺(polyimide)的單體可包含由苝四羧酸二酐(perylenetetracarboxylic dianhydride,PTCDA)、聯苯二酐(biphenyltetracarboxylic dianhydride,BPDA)、以及均苯四甲酸二酐(PMDA)所構成之群組中選擇一或多個酸性成分，與由二氨基十二烷(diaminododecane,DADD)、氧聯二苯胺(oxydianiline,ODA)、以及苯二胺(phenylene diamine,PDA)所構成之群組中選擇一或多個胺類(amines)，然而此提供僅為說明，而可形成已知苯乙烯基樹脂(polyimide based resin)的非限制性單體，可在聚亞醯胺(polyimide)之形成中使用。
酸性成分或胺類成分可藉由熱蒸鍍法(thermal evaporation)、電漿輔助化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)、或原子層沈積法(atomic layer deposition,ALD)沉積於第一無機材料層51上，而後藉由退火聚合成聚亞醯胺基樹脂(polyimide based resin)。
於此同時，儘管並未顯示，但薄膜封裝層50可具有各種結構，其係與以上第1圖中描述的相同。
而後，抗反射層70可形成於薄膜封裝層50上(步驟30)，其可由以下實現。
參照第1圖與第7圖，形成於薄膜封裝層50上的抗反射層70可包含依順序堆疊的第一金屬層71、第一介電層72、第二金屬層73、以及第二介電層74。
第一金屬層71與第二金屬層73可使用非限制的材料以非限制的方法形成。
舉例來說，各第一金屬層71與第二金屬層73可包含由鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、金(Au)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鈣(Ca)、鈷(Co)、 鐵(Fe)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉑(Pt)、以及鐿(Yb)所構成之群組中選擇一金屬或兩或多個金屬的合金，但不以此為限。
此外，第一金屬層71與第二金屬層73可由濺鍍法(sputtering)、化學氣相沉積法(chemical vapor deposition,CVD)、物理氣相沉積法(physical vapor deposition,PVD)、電子束微影法(e-beam)、熱蒸鍍法(thermal evaporation)、或熱離子助鍍法(ion beam assisted deposition,IBAD)形成，但不以此為限。而抗反射層70的其他細節與第1圖中的描述相同，而將不提供重複之描述。
第一介電層72與第二介電層74亦可使用非限制的材料以非限制的方法形成。
舉例來說，各第一介電層72與第二介電層74可包含由二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、二氧化鋯(ZrO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鉿(HfO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二釔(Y2O3)、氧化鈹(BeO)、氧化鎂(MgO)、二氧化鉛(PbO2)、三氧化鎢(WO3)、氧化釩(VOx)、氮化矽(SiNx)、氮化鋁(AlN)、硫化鋅(ZnS)、硫化鎘(CdS)、碳化矽(SiC)、氰化矽(SiCN)、氟化鎂(MgF)、二氟化鈣(CaF2)、氟化鈉(NaF)、二氟化鋇(BaF2)、二氟化鉛(PbF2)、氟化鋰(LiF)、三氟化鑭(LaF3)、以及磷化鎵(GaP)所構成之群組中選擇一材料或兩或多個材料之組合，但不以此為限。此外，第一介電層72與第二介電層74的其中至少之一可由與薄膜封裝層50之無機材料層與有機材料層相同的材料形成。可採用目前發展與市售或可在將來根據技術發展而可以被實現的所有可能的方法，形成根據本發明的第一介電層72與第二介電層74，而其範例包含與結合第一圖描述於上相同之濺鍍法(sputtering)、化學氣相沉積法(chemical vapor deposition,CVD)、電漿輔助化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)、 熱蒸鍍法(thermal evaporation)、或熱離子助鍍法(ion beam assisted deposition,IBAD)、以及原子層沈積法(atomic layer deposition,ALD)。
於此同時，儘管並未顯示，但於形成薄膜封裝層50後與形成抗反射層70前，干涉防止層可進一步形成於薄膜封裝層50上。干涉防止層可由非限制方法以透明材料製作。且可適當地調整干涉防止層的厚度，以大於或相等於光學同調長度，例如，在100nm至10μm的範圍內，但不以此為限。干涉防止層的其他細節與第1圖所描述相同，因此將不提供重複之描述。
下文中，將提供特定實施例用以更好理解本發明的態樣。然而，實施例的提供只為幫助理解，而非限制本發明。
比較例
OLED(第1圖中的OLED 30)形成於玻璃基板(第1圖中的基板10)上。且使用封裝玻璃基板封裝OLED 30代替薄膜封裝層(第1圖中的薄膜封裝層50)。附加圓偏振片於封裝玻璃基板上。封裝玻璃基板具有約略500um的厚度，而圓偏振片具有約略150um的厚度。
範例1
OLED(第1圖中的OLED 30)形成於玻璃基板(第1圖中的基板10)上。形成薄膜封裝層(第1圖中的薄膜封裝層50)，具有包含無機材料層(Al2O3)、有機材料層(丙烯酸，acryl)、無機材料層(Al2O3)、有機材料層(丙烯酸，acryl)、以及無機材料層(Al2O3)之五層堆疊之薄膜封裝層50(第1圖中的薄膜封裝層50)形成以具有6um之整體厚度。抗反射層(第1圖中的抗反射層70)形成以具有係包含金屬層(Cr，7nm)、介電層(SiO2，50nm)、金屬層(Cr，7nm)、以及介電層(SiO2，70nm)的層之堆疊。
第8圖係描繪本發明範例1與比較例中光反射比(luminous reflectance)的圖表、而第9圖係描繪本發明範例1與比較例中之透光率(transmittance)的圖表。
參照第8圖，遍及整體光波長區域，範例1(B)中之光反射比(luminous reflectance)實質上相等於比較例(A)中的光反射比(luminous reflectance)。詳細而言，比較例(A)中的光反射比(luminous reflectance)平均為4.6%，而範例1(B)中的光反射比(luminous reflectance)平均為4.7%，表示比較例(A)與範例1(B)中的光反射比(luminous reflectance)程度實質上相互相等。此外，參照第9圖，範例1(B)中的透光率(transmittance)與比較例(A)中的透光率(transmittance)實質上相互相等。
範例2
OLED(第1圖中的OLED 30)形成於玻璃基板(第1圖中的基板10)上。形成薄膜封裝層(第1圖中的薄膜封裝層50)，薄膜封裝層50具有包含無機材料層(Al2O3)、有機材料層(丙烯酸，acryl)、無機材料層(Al2O3)、有機材料層(丙烯酸，acryl)、以及無機材料層(Al2O3)之五層的堆疊。抗反射層(第1圖中的抗反射層70)形成以具有包含金屬層(Ti，4nm)、介電層(SiO2，50nm)、金屬層(Cr，3nm)、以及介電層(SiO2，70nm)之層的堆疊。
第10圖係描繪本發明範例2與比較例中之光反射比(luminous reflectance)的圖表、而第11圖係描繪本發明範例2與比較例中之透光率(transmittance)的圖表。
參照第10圖，遍及整體光波長區域，範例2(C)中的光反射比(luminous reflectance)實質上相等於比較例(A)中的光反射比(luminous reflectance)。詳細而言，比較例(A)中的光反射比(luminous reflectance)平均為4.6%，而範例2(C)中的光反射比(luminous reflectance)平均為4.7%，表示比較例(A)與範例2(C)中的光反射比(luminous reflectance)程度實質上相互相等。此外，參照第11圖，範例2(C)中的透光率(transmittance)與比較例(A)中的透光率(transmittance)實質上相互相等。
範例3
OLED(第1圖中的OLED 30)形成於玻璃基板(第1圖中的基板10)上。形成薄膜封裝層(第1圖中的薄膜封裝層50)，薄膜封裝層50具有包含無機材料層(SiNx)、無機材料層(SiCN)、無機材料層(Al2O3)、有機材料層(丙烯酸，acryl)、以及無機材料層(Al2O3)之五層的堆疊。此外，加入干涉防止層(第1圖中的干涉防止層60)，且使用1um厚的丙烯酸(acryl)層作為干涉防止層(第1圖中的干涉防止層60)。形成抗反射層(第1圖中的抗反射層70)以具有包含金屬層(Ag，7nm)、介電層(SiO2，30nm)、金屬層(Cr，5nm)、以及介電層(SiO2，50nm)之層的堆疊。
第12圖係描繪本發明範例3與比較例中之光反射比(luminous reflectance)的圖表、而第13圖係描繪本發明範例3與比較例中之透光率(transmittance)的圖表。
參照第12圖，遍及整體光波長區域，範例3(D)中的光反射比(luminous reflectance)實質上相等於比較例(A)中的光反射比(luminous reflectance)。詳細而言，比較例(A)中的光反射比(luminous reflectance)平均為4.6%，而範例3(D)中的光反射比(luminous reflectance)平均為1.1%，其係低於比較例(A)中的光反射比(luminous reflectance)。此外，參照第13圖，範例3(D)中的透光率(transmittance)與比較例(A)中的透光率(transmittance)實質上相互相等。
範例4
OLED(第1圖中的OLED 30)形成於玻璃基板(第1圖中的基板10)上。形成薄膜封裝層(第1圖中的薄膜封裝層50)，薄膜封裝層50具有包含無機材料層(Al2O3)、有機材料層(丙烯酸，acryl)、無機材料層(Al2O3)、有機材料層(丙烯酸，acryl)、以及無機材料層(Al2O3)之五層的堆疊。形成抗反射層(第1圖中的抗反射層70)以具有包含金屬層(Cr，7nm)、介電層(SiO2，30nm)、金屬層(Cr，6nm)、介電層(SiO2，40nm)、金屬層(Cr，4nm)、以及介電層(SiO2，70nm)之層的堆疊。
第14圖係描繪本發明範例4與比較例中之光反射比(luminous reflectance)的圖表、而第15圖係描繪本發明範例4與比較例中之透光率(transmittance)的圖表。
參照第14圖，遍及整體光波長區域，範例4(E)中的光反射比(luminous reflectance)實質上相等於比較例(A)中的光反射比(luminous reflectance)。詳細而言，比較例(A)中的光反射比(luminous reflectance)平均為4.6%，而範例4(E)中的光反射比(luminous reflectance)平均為4.1%，表示比較例(A)與範例4(E)中的光反射比(luminous reflectance)程度實質上相互相等。此外，參照第15圖，範例4(E)中的透光率(transmittance)與比較例(A)中的透光率(transmittance)實質上相互相等。
範例5
OLED(第1圖中的OLED 30)形成於玻璃基板(第1圖中的基板10)上。形成薄膜封裝層(第1圖中的薄膜封裝層50)，薄膜封裝層50具有包含無機材料層(Al2O3)、有機材料層(丙烯酸，acryl)、無機材料層(Al2O3)、有機材料層(丙 烯酸，acryl)、以及無機材料層(Al2O3)之五層的堆疊。抗反射層(第1圖中的抗反射層70)形成以具有包含介電層(SiO2，50nm)、介電層(TiO2，30nm)、金屬層(Ag，10nm)、介電層(SiO2，30nm)、金屬層(Cr，9nm)、以及介電層(SiO2，50nm)之層的堆疊。
第16圖係描繪本發明範例5與比較例中之光反射比(luminous reflectance)的圖表、而第17圖係描繪本發明範例5與比較例中之透光率(transmittance)的圖表。
參照第16圖，遍及整體光波長區域，範例5(F)中的光反射比(luminous reflectance)實質上相等於比較例(A)中的光反射比(luminous reflectance)。詳細而言，比較例(A)中的光反射比(luminous reflectance)平均為4.6%，而範例5(F)中的光反射比(luminous reflectance)平均為4.7%，表示比較例(A)與範例5(F)中的光反射比(luminous reflectance)程度實質上相互相等。此外，參照第17圖，範例5(F)中的透光率(transmittance)與比較例(A)中的透光率(transmittance)實質上相互相等。
也就是說，如上述所描述，根據本發明之顯示裝置可在不具有獨立之圓偏振片(circular polarizer)下防止外在光反射，因而獲得輕巧纖薄的顯示裝置。
儘管本發明已參照其例示性實施例具體地表示並描述，本國所屬技術領域中具有通常知識者應當理解，在不偏離本發明所定義之下述申請專利範圍的精神和範疇下，可作出在形式和細節上的各種改變。因此，本發明之實施例期待被認為在所有觀點均係具說明性而非限制性，參考所附之申請專利範圍及其等效物，而非前面之描述以表示本發明之範圍。

Claims (21)

  1. 一種顯示裝置，其包含：一基板；一有機發光二極體(OLED)，配置於該基板上：一薄膜封裝層，配置於該基板上以覆蓋該有機發光二極體；以及一抗反射層，配置於該薄膜封裝層上且包含一介電層與一金屬層，其中該薄膜封裝層包含設置在該有機發光二極體上的一第一無機材料層、設置在該第一無機材料層上的一第二無機材料層，以及設置在該第一無機材料層和該第二無機材料層之間的一第一有機材料層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該抗反射層包含複數個該介電層與複數個該金屬層，其中複數個該介電層與複數個該金屬層交替地堆疊。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該介電層包含由二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、二氧化鋯(ZrO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鉿(HfO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二釔(Y2O3)、氧化鈹(BeO)、氧化鎂(MgO)、二氧化鉛(PbO2)、三氧化鎢(WO3)、氧化釩(VOx)、氮化矽(SiNx)、氮化鋁(AlN)、硫化鋅(ZnS)、硫化鎘(CdS)、碳化矽(SiC)、氰化矽(SiCN)、氟化鎂(MgF)、二氟化鈣(CaF2)、氟化鈉(NaF)、二氟化鋇(BaF2)、二氟化鉛(PbF2)、氟化鋰(LiF)、三氟化鑭(LaF3)、以及磷化鎵(GaP)所構成之群組中選擇之至少之一材料。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該金屬層包含由鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、金(Au)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鈣(Ca)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉑(Pt)、以及鐿(Yb)所構成之群組中選擇之至少之一金屬。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一無機材料層及該第二無機材料層包含由氮化矽(silicon nitride)、氮化鋁(aluminum nitride)、氮化鋯(zirconium nitride)、氮化鈦(titanium nitride)、氮化鉿(hafnium nitride)、氮化鉭(tantalum nitride)、氧化矽(silicon oxide)、氧化鋁(aluminum oxide)、氧化鈦(titanium oxide)、氧化錫(tin oxide)、氧化鈰(cerium oxide)、以及氧氮化矽(silicon oxynitride,SiON)所構成之群組中選擇之至少一材料。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該薄膜封裝層進一步包含設置在該第二無機材料層上的一第二有機材料層。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該薄膜封裝層進一步包含設置在該第二無機材料層上的一第三無機材料層。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該第一有機材料層包含由環氧樹脂(epoxy resin)、丙烯酸樹脂(acryl resin)、苝樹脂(perylene resin)、以及聚亞醯胺樹脂(polyimide resin)所構成之一群組中選擇之至少一材料。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其進一步包含配置於該薄膜封裝層與該抗反射層之間之一干涉防止層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該干涉防止層係由一透明材料所形成。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該干涉防止層具有100nm至10μm範圍中之厚度。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其進一步包含一薄膜電晶體(TFT)，以驅動該有機發光二極體(OLED)。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置，其中該薄膜電晶體(TFT)係一非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)、一多晶矽薄膜電晶體(poly-Si TFT)、或一氧化物薄膜電晶體(oxide TFT)。
  14. 一種製造一顯示裝置之方法，其包含：形成一有機發光二極體(OLED)於一基板上；形成一薄膜封裝層於該基板上，以覆蓋該有機發光二極體(OLED)；以及形成一抗反射層於該薄膜封裝層上，該抗反射層包含一介電層與一金屬層，其中該薄膜封裝層之形成包含形成複數個無機材料層與複數個有機材料層，其中該複數個無機材料層與該複數個有機材料層相互交替地堆疊。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該至少一無機材料層包含由氮化矽(silicon nitride)、氮化鋁(aluminum nitride)、氮化鋯(zirconium nitride)、氮化鈦(titanium nitride)、氮化鉿(hafnium nitride)、氮化鉭(tantalum nitride)、氧化矽(silicon oxide)、氧化鋁(aluminum oxide)、氧化鈦(titanium oxide)、氧化錫(tin oxide)、氧化鈰(cerium oxide)、以及氧氮化矽(silicon oxynitride,SiON)所構成之群組中選擇之至少一材料。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中各該複數個有機材料層包含由環氧樹脂(epoxy resin)、丙烯酸樹脂(acryl resin)、苝樹脂(perylene resin)、以及聚亞醯胺樹脂(polyimide resin)所構成之群組中選擇之至少一材料。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該抗反射層之形成包含形成複數個該介電層與複數個該金屬層，其中複數個該介電層與複數個該金屬層相互交替地堆疊。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該介電層包含由二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、二氧化鋯(ZrO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鉿(HfO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二釔(Y2O3)、氧化鈹(BeO)、氧化鎂(MgO)、二氧化鉛(PbO2)、三氧化鎢(WO3)、氧化釩(VOx)、氮化矽(SiNx)、氮化鋁(AlN)、硫化鋅(ZnS)、硫化鎘(CdS)、碳化矽(SiC)、氰化矽(SiCN)、氟化鎂(MgF)、二氟化鈣(CaF2)、氟化鈉(NaF)、二氟化鋇(BaF2)、二氟化鉛(PbF2)、氟化鋰(LiF)、三氟化鑭(LaF3)、以及磷化鎵(GaP)所構成之群組中選擇之至少一材料。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該金屬層包含由鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、金(Au)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鈣(Ca)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉑(Pt)、以及鐿(Yb)所構成之群組中選擇之至少一材料。
  20. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其進一步包含插入於該薄膜封裝層與該抗反射層之間之一干涉防止層。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該干涉防止層包含一透明材料。
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