KR20090092273A

KR20090092273A - 반사 방지체 및 디스플레이 장치

Info

Publication number: KR20090092273A
Application number: KR1020097009948A
Authority: KR
Inventors: 다모츠 모리모토; 미치히사 도미다
Original assignee: 아사히 가라스 가부시키가이샤
Priority date: 2006-12-27
Filing date: 2007-12-26
Publication date: 2009-08-31
Also published as: JPWO2008081837A1; EP2103965A1; TW200839283A; EP2103965A4; WO2008081837A1; US20100014163A1

Abstract

층 구성이 단순하고, 가시광 투과율이 높고, 가시광 반사율이 낮고, 내지문부착성이 우수한 반사 방지체 및 시인성이 양호한 디스플레이 장치를 제공한다.

기체 (10) 와 반사 방지막 (20) 을 가지며, 반사 방지막 (20) 은, 기체 (10) 측으로부터 순서대로 주석, 갈륨 및 세륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상과, 인듐을 산화물로서 함유하는 제 1 고굴절률층 (22) 과, 은 및 팔라듐을 함유하고, 팔라듐의 함유량이 금속층 (100 질량%) 중 3∼20 질량% 인 금속층 (24) 과, 주석, 갈륨 및 세륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상과, 인듐을 산화물로서 함유하는 제 2 고굴절률층 (26) 과, 저굴절률층 (28) 을 갖는 반사 방지체 (1); 및 반사 방지체 (1) 가 디스플레이 본체의 시인측에 형성된 디스플레이 장치.

Description

반사 방지체 및 디스플레이 장치{ANTI-REFLECTION PRODUCT AND DISPLAY DEVICE}

본 발명은, 반사 방지체 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.

종래부터, 디스플레이 장치의 시인성을 향상시키기 위해, 디스플레이 본체의 시인측에 반사 방지체를 형성하는 것이 실시되고 있다. 그 반사 방지체로는, 기체 (基體) 와 반사 방지막을 가지며, 그 반사 방지막이, 기체측으로부터 투명한 저굴절률 유전체층, 투명한 고굴절률 유전체층, 및 투명한 저굴절률 도전체층을 갖는 것이 알려져 있다 (특허 문헌 1). 그러나, 그 반사 방지체에 있어서는, 저반사가 되는 파장 범위를 넓게 하기 위해, 반사 방지막을 구성하는 층의 수를 늘릴 필요가 있고, 이것에 수반하여 제조 비용이 증가하는 문제가 있다.

층 구성이 단순한 반사 방지체로는, 기체와 반사 방지막을 가지며, 그 반사 방지막이, 기체측으로부터 광 흡수성층 및 실리카층을 갖는 것이 제안되어 있다 (특허 문헌 2). 그러나, 그 반사 방지체에 있어서는 광 흡수성층을 가지므로, 가시광 투과율이 낮다는 문제가 있다.

층 구성이 단순하고, 또한 가시광 투과율이 높은 반사 방지체로는, 기체와 반사 방지막을 가지며, 그 반사 방지막이, 기체측으로부터 고굴절률층, 은층, 배리어층 및 저굴절률층을 갖는 것이 제안되어 있다 (특허 문헌 3). 그러나, 그 반사 방지체에 있어서는, 반사 방지막에 부착된 지문을 장시간 방치하면, 반사 방지막에 지문 흔적이 남기 쉽다는 문제가 있다.

특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 소60-168102호

특허 문헌 2 : 일본 공개특허공보 평9-156964호

특허 문헌 3 : 일본 공개특허공보 제2001-324601호

도 1 은 본 발명의 반사 방지체의 일례를 나타내는 단면도이다.

도 2 는 예 5 의 반사 방지체의 반사 스펙트럼이다.

도 3 은 예 5 의 반사 방지체의 투과 스펙트럼이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

1 : 반사 방지체

10 : 기체

20 : 반사 방지막

22 : 제 1 고굴절률층

24 : 금속층

26 : 제 2 고굴절률층

28 : 저굴절률층

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

<반사 방지체>

도 1 은, 본 발명의 반사 방지체의 일례를 나타내는 단면도이다. 반사 방지체 (1) 는, 기체 (10) 와, 기체 (10) 상에 형성된 반사 방지막 (20) 을 갖는다.

(기체)

기체 (10) 로는, 유리판, 플라스틱판, 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 플라스틱으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 트리아세틸셀룰로오스, 폴리에테르술폰, 폴리메틸메타크릴레이트 등을 들 수 있다.

(반사 방지막)

반사 방지막 (20) 은, 기체 (10) 측으로부터 순서대로 제 1 고굴절률층 (22) 과, 금속층 (24) 과, 제 2 고굴절률층 (26) 과, 저굴절률층 (28) 을 갖는다.

(고굴절률층)

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 1.8∼2.5 이고, 1.9∼2.3 이 바람직하고, 1.9∼2.2 가 보다 바람직하다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률을 그 범위로 함으로써, 450㎚∼700㎚ 의 넓은 파장 영역에 있어서 낮은 반사율을 얻을 수 있다.

굴절률은, 파장 550㎚ 의 광에 있어서의 굴절률이다.

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 은, 주석, 갈륨 및 세륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상과, 인듐을 산화물로서 함유하는 층이다.

이하, 인듐 및 주석을 산화물로서 함유하는 고굴절률층을 ITO 층이라고 한다. 또, 인듐, 주석 및 갈륨을 산화물로서 함유하는 층을 GIT 층이라고 한다. 또, 인듐 및 세륨을 산화물로서 함유하는 고굴절률층을 ICO 층이라고 한다. 또, 인듐 및 갈륨을 산화물로서 함유하는 고굴절률층을 GIO 층이라고 한다.

ITO 층 :

ITO 층에 있어서, 인듐 및 주석은, 산화인듐, 산화주석, 및 이들의 복합 산화물이 혼합된 형태로 존재하는 것으로 생각된다. ITO 층에 있어서의 인듐 원자 및 주석 원자의 함유량은, 전자 프로브 마이크로 애널라이저, ESCA (X 선 광 전자 분광법) 또는 러더퍼드 (Rutherford) 후방 산란법에 의해 측정하여 구해진다. 또, 그 층을 스퍼터링에 의해 형성한 경우에는, 사용한 타깃과 거의 동일한 조성의 층이 형성되므로, 사용한 타깃의 조성으로부터 산출해도 된다.

ITO 층에 있어서의 인듐 원자의 함유량은, ITO 층 (100 질량%) 중 33∼75 질량% 가 바람직하고, 33∼68 질량% 가 보다 바람직하고, 41∼58 질량% 가 더욱 바람직하다. 그 범위로 함으로써 우수한 내지문부착성을 얻을 수 있다.

ITO 층에 있어서의 주석 원자의 함유량은, ITO 층 (100 질량%) 중 7∼48 질량% [3.2∼21.1 원자%] 가 바람직하고, 14∼48 질량% [6.5∼21.1 원자%] 가 보다 바람직하고, 23∼40 질량% [10.4∼17.8 원자%] 가 더욱 바람직하다. 또한, 상기 [ ] 안의 값은, 주석 원자의 함유량을 원자수 기준의 값으로 환산한 것이다. 주석 원자의 함유량을 7 질량% 이상으로 함으로써, 우수한 내지문부착성을 얻을 수 있고, 14 질량% 이상, 나아가서는 23 질량% 이상으로 함으로써 보다 우수한 내지문부착성을 얻을 수 있다. 또, 주석 원자의 함유량이 48 질량% 이하인 것에 의해, 균질한 막질의 ITO 층을 안정적으로 성막할 수 있을 것으로 생각되므로 바람직하다. ITO 층에 있어서는, 층 중의 주석 원자의 함유량이 내지문부착성의 효과와 관계되는 것으로 생각되며, 상기 범위 내인 것에 의해 우수한 내지문부착성을 발휘할 수 있다.

ITO 층에는, 물성을 저해하지 않는 범위에서, 인듐 및 주석을 제외한 다른 금속이 산화물로서 함유되어 있어도 된다. 다른 금속으로는, 예를 들어 갈륨, 티탄 등을 들 수 있다. 다른 금속의 원자의 함유량은, ITO 층에 함유되는 전체 금속 원자 (100 질량%) 중 1 질량% 이하가 바람직하다.

GIT 층 :

GIT 층에 있어서, 인듐, 주석 및 갈륨은, 산화인듐, 산화주석, 산화갈륨 및 이들의 복합 산화물이 혼합된 형태로 존재하는 것으로 생각된다. GIT 층에 있어서의 인듐 원자, 주석 원자 및 갈륨 원자의 함유량은, 전자 프로브 마이크로 애널라이저, ESCA 또는 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하여 구해진다. 또, 그 층을 스퍼터링에 의해 형성한 경우에는, 사용한 타깃과 거의 동일한 조성의 층이 형성되므로, 사용한 타깃의 조성으로부터 산출해도 된다.

GIT 층에 있어서의 인듐 원자의 함유량은, GIT 층 (100 질량%) 중 2∼12 질량% 가 바람직하고, 2∼9 질량% 가 보다 바람직하다.

GIT 층에 있어서의 주석 원자의 함유량은, GIT 층 (100 질량%) 중 63∼77 질량% 가 바람직하고, 67∼76 질량% 가 보다 바람직하다. 주석 원자의 함유량이 상기 범위 내인 것에 의해, 균질한 막질의 GIT 층을 안정적으로 성막할 수 있으므로 바람직하다.

GIT 층에 있어서의 갈륨 원자의 함유량은, GIT 층 (100 질량%) 중 1∼4 질량% 가 바람직하고, 1∼3 질량% 가 보다 바람직하다. 갈륨 원자의 함유량이 상기 범위 내인 것에 의해, 균질한 막질의 GIT 층을 안정적으로 성막할 수 있으므로 바람직하다.

GIT 층에는, 물성을 저해하지 않는 범위에서, 인듐, 주석 및 갈륨을 제외한 다른 금속이 산화물로서 함유되어 있어도 된다. 다른 금속으로는, 예를 들어 티탄, 알루미늄, 마그네슘, 규소 등을 들 수 있다. 다른 금속의 원자의 함유량은, GIT 층에 함유되는 전체 금속 원자 (100 질량%) 중 1 질량% 이하가 바람직하다.

ICO 층 :

ICO 층에 있어서, 인듐 및 세륨은, 산화인듐, 산화세륨, 및 이들의 복합 산화물이 혼합된 형태로 존재하는 것으로 생각된다. ICO 층에 있어서의 인듐 원자 및 세륨 원자의 함유량은, 전자 프로브 마이크로 애널라이저, ESCA 또는 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하여 구해진다. 또, 그 층을 스퍼터링에 의해 형성한 경우에는, 사용한 타깃과 거의 동일한 조성의 층이 형성되므로, 사용한 타깃의 조성으로부터 산출해도 된다.

ICO 층에 있어서의 인듐 원자의 함유량은, ICO 층 (100 질량%) 중 29∼75 질량% 가 바람직하고, 29∼67 질량% 가 보다 바람직하고, 38∼57 질량% 가 더욱 바람직하다.

ICO 층에 있어서의 세륨 원자의 함유량은, ICO 층 (100 질량%) 중 8∼52.1 질량% [3.2∼21.1 원자%] 가 바람직하고, 16∼52.1 질량% [6.5∼21.1 원자%] 가 보다 바람직하고, 26∼44 질량% [10.4∼17.8 원자%] 가 더욱 바람직하다. 또한, 상기 [ ] 안의 값은, 세륨 원자의 함유량을 원자수 기준의 값으로 환산한 것이다. 세륨 원자의 함유량을 8 질량% 이상으로 함으로써, 우수한 내지문부착성을 얻을 수 있고, 16 질량% 이상, 나아가서는 26 질량% 이상으로 함으로써, 보다 우수한 내지문부착성을 얻을 수 있다. ICO 층에 있어서는, 층 중의 세륨 원자의 함유량이 내지문부착성의 효과와 관계되는 것으로 생각된다. 이것은, ITO 층에 있어서의 주석 원자의 작용과 동일한 것으로 생각되고, ITO 층에 있어서의 주석 원자의 원자수 기준에서의 함유량과 동일한 양의 세륨 원자가 ICO 층 중에 함유됨으로써, ITO 층의 경우와 동일한 우수한 내지문부착성을 발휘할 수 있다. 또, 세륨 원자의 함유량을 52.1 질량% 이하로 함으로써, 스퍼터 레이트가 높아도 기체의 온도를 낮게 억제할 수 있다. 따라서, 기체의 재질이 플라스틱인 경우, 스퍼터링시의 기체의 열에 의한 트러블을 억제할 수 있다.

ICO 층에는, 물성을 저해하지 않는 범위에서, 인듐 및 세륨을 제외한 다른 금속이 산화물로서 함유되어 있어도 된다. 다른 금속으로는, 예를 들어 티탄, 알루미늄, 마그네슘, 규소 등을 들 수 있다. 다른 금속의 원자의 함유량은, ICO 층에 함유되는 전체 금속 원자 (100 질량%) 중 1 질량% 이하가 바람직하다.

GIO 층 :

GIO 층에 있어서, 갈륨 및 인듐은, 산화갈륨, 산화인듐, 및 이들의 복합 산화물이 혼합된 형태로 존재하는 것으로 생각된다. GIO 층에 있어서의 인듐 원자 및 갈륨 원자의 함유량은, 전자 프로브 마이크로 애널라이저, ESCA 또는 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하여 구해진다. 또, 그 층을 스퍼터링에 의해 형성한 경우에는, 사용한 타깃과 거의 동일한 조성의 층이 형성되므로, 사용한 타깃의 조성으로부터 산출해도 된다.

GIO 층에 있어서의 인듐 원자의 함유량은, GIO 층 (100 질량%) 중 33∼50 질량% 가 바람직하고, 37∼46 질량% 가 보다 바람직하다.

GIO 층에 있어서의 갈륨 원자의 함유량은, GIO 층 (100 질량%) 중 30∼45 질량% 가 바람직하고, 34∼41 질량% 가 보다 바람직하다.

GIO 층에는, 물성을 저해하지 않는 범위에서, 인듐 및 갈륨을 제외한 다른 금속이 산화물로서 함유되어 있어도 된다. 다른 금속으로는, 예를 들어 티탄, 알루미늄, 마그네슘, 규소 등을 들 수 있다. 다른 금속의 원자의 함유량은, GIO 층에 함유되는 전체 금속 원자 (100 질량%) 중 1 질량% 이하가 바람직하다.

제 1 고굴절률층과 제 2 고굴절률층은, 재료 및 조성이 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 제 1 고굴절률층과 제 2 고굴절률층은, 동일한 재료 또한 동일한 조성인 것이 바람직하다. 제 1 고굴절률층과 제 2 고굴절률층이 동일한 재료 또한 동일한 조성이면, 본 발명의 반사 방지체의 제조시에 장치를 간략화할 수 있고, 또는 제조 공정을 간단하게 할 수 있는 등의 이점이 있다.

제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께는, 제 1 고굴절률층 (22) 이 ITO 층인 경우, 20∼40㎚ 가 바람직하고, 25∼35㎚ 가 보다 바람직하다. 그 범위로 함으로써, 450㎚∼700㎚ 의 넓은 파장 영역에 대해 낮은 반사율을 얻을 수 있다.

제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께는, 제 1 고굴절률층 (22) 이 GIT 층인 경우, 20∼40㎚ 가 바람직하고, 25∼35㎚ 가 보다 바람직하다. 그 범위로 함으로써, 450㎚∼700㎚ 의 넓은 파장 영역에 대해 낮은 반사율을 얻을 수 있다.

제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께는, 제 1 고굴절률층 (22) 이 ICO 층인 경우, 15∼35㎚ 가 바람직하고, 20∼30㎚ 가 보다 바람직하다. 그 범위로 함으로써, 450㎚∼700㎚ 의 넓은 파장 영역에 대해 낮은 반사율을 얻을 수 있다.

제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께는, 제 1 고굴절률층 (22) 이 GIO 층인 경우, 20∼40㎚ 가 바람직하고, 20∼30㎚ 가 보다 바람직하다. 그 범위로 함으로써, 450㎚∼700㎚ 의 넓은 파장 영역에 대해 낮은 반사율을 얻을 수 있다.

제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께는, 제 2 고굴절률층 (26) 이 ITO 층인 경우, 12∼30㎚ 가 바람직하고, 15∼25㎚ 가 보다 바람직하다. 그 범위로 함으로써, 450㎚∼700㎚ 의 넓은 파장 영역에 대해 낮은 반사율을 얻을 수 있다.

제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께는, 제 2 고굴절률층 (26) 이 GIT 층인 경우, 12∼30㎚ 가 바람직하고, 15∼25㎚ 가 보다 바람직하다. 그 범위로 함으로써, 450㎚∼700㎚ 의 넓은 파장 영역에 대해 낮은 반사율을 얻을 수 있다.

제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께는, 제 2 고굴절률층 (26) 이 ICO 층인 경우, 8∼25㎚ 가 바람직하고, 10∼20㎚ 가 보다 바람직하다. 그 범위로 함으로써, 450㎚∼700㎚ 의 넓은 파장 영역에 대해 낮은 반사율을 얻을 수 있다.

제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께는, 제 2 고굴절률층 (26) 이 GIO 층인 경우, 12∼30㎚ 가 바람직하고, 15∼25㎚ 가 보다 바람직하다. 그 범위로 함으로써, 450㎚∼700㎚ 의 넓은 파장 영역에 대해 낮은 반사율을 얻을 수 있다.

막두께는, 촉침식 표면 거침도 측정기를 이용하여 성막된 부분과 성막되지 않은 부분을 연속적으로 주사하고, 높이의 차이를 측정함으로써 구해진다.

(금속층)

금속층 (24) 은, 은 및 팔라듐을 함유하는 층이다.

은의 함유량은, 금속층 (24) (100 질량%) 중 80∼97 질량% 이고, 90∼97 질량% 가 바람직하고, 90∼95 질량% 가 보다 바람직하다. 은의 함유량이 상한 이하이면 우수한 내지문부착성이 얻어지고, 하한 이상이면 높은 가시광 투과율을 얻을 수 있다.

팔라듐의 함유량은, 금속층 (24) (100 질량%) 중 3∼20 질량% 이고, 3∼10 질량% 가 바람직하고, 5∼10 질량% 가 보다 바람직하다. 팔라듐의 함유량을 3 질량% 이상으로 함으로써, 얻어지는 반사 방지체가 내지문부착성이 우수하다. 팔라듐의 함유량을 20 질량% 이하로 함으로써, 반사 방지체의 가시광 투과율이 높아진다.

금속층 (24) 에 있어서의 은 및 팔라듐의 함유량은, 전자 프로브 마이크로 애널라이저, ESCA 또는 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정된다.

금속층 (24) 에는, 물성을 저해하지 않는 범위에서, 은 및 팔라듐을 제외한 다른 금속이 함유되어 있어도 된다. 다른 금속으로는, 예를 들어 금, 백금, 주석, 갈륨, 알루미늄, 이리듐, 로듐, 니켈, 철 등을 들 수 있다.

금속층 (24) 의 막두께는 5∼10㎚ 가 바람직하고, 6∼8㎚ 가 보다 바람직하다. 금속층 (24) 의 막두께를 10㎚ 이하로 함으로써, 450㎚∼700㎚ 의 넓은 파장 영역에 있어서 낮은 반사율을 얻을 수 있고, 5㎚ 이상으로 함으로써 플랫한 반사 스펙트럼을 얻을 수 있다.

(저굴절률층)

저굴절률층 (28) 은 굴절률이 1.3∼1.6 인 층이다.

저굴절률층 (28) 의 재료로는, 실리카 (굴절률 1.46), 불화마그네슘 (굴절률 1.38), 불화칼륨 (굴절률 1.3∼1.4) 등을 들 수 있다.

저굴절률층 (28) 으로는, 화학적 안정성이 우수한 점, 기계적 강도가 높은 점에서, 실리카를 함유하는 층 (이하, 실리카층이라고 한다) 이 바람직하다. 실리카층에 있어서의 규소 원자 또는 산소 원자의 함유량은, ESCA 또는 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하여 구해진 규소 원자 또는 산소 원자의 함유량으로서 나타낸다.

규소 원자의 함유량은, 실리카층 (100 질량%) 중 30∼60 질량% 가 바람직하고, 40∼50 질량% 가 보다 바람직하다. 산소 원자의 함유량은, 실리카층 (100 질량%) 중 40∼70 질량% 가 바람직하고, 50∼60 질량% 가 보다 바람직하다. 그 범위로 함으로써 높은 투과율을 얻을 수 있다.

실리카층에는, 물성을 저해하지 않는 범위에서, 다른 금속이 산화물로서 함유되어 있어도 된다. 다른 금속으로는, 예를 들어 갈륨, 인듐, 알루미늄, 마그네슘, 주석 등을 들 수 있다.

또, 실리카층을 형성할 때 사용한 가스에서 유래되는 원자 등이 실리카층 중에 함유되어 있어도 된다. 실리카층을 형성할 때 사용하는 가스로는, 아르곤, 질소, 헬륨, 네온 등을 들 수 있다. 그 가스에서 유래되는 원자의 함유량은, 실리카층 (100 질량%) 중 2 질량% 이하가 바람직하고, 1 질량% 이하가 보다 바람직하다.

저굴절률층 (28) 의 막두께는 50∼70㎚ 가 바람직하고, 55∼65㎚ 가 보다 바람직하다. 저굴절률층 (28) 의 막두께를 50㎚ 이상으로 함으로써 장파장 영역 (600㎚ 이상) 에 있어서 낮은 반사율을 얻을 수 있고, 70㎚ 이하로 함으로써 단파장측 (500㎚ 이하) 에 있어서 낮은 반사율을 얻을 수 있다.

각 층을 각각 소정의 광학적 막두께 (굴절률×물리적 막두께) 로 구성함으로써, 목적으로 하는 광학 특성 (투과율, 반사율) 을 갖는 반사 방지체 (1) 를 얻을 수 있다.

각 층의 형성 방법으로는, 진공 증착법, 반응성 증착법, 이온 빔 어시스트 증착법, 스퍼터법, 이온 플레이트법 등의 물리 기상 석출법; 플라즈마 CVD 법 등의 화학 기상 석출법 등을 들 수 있다. 대면적이고 균일 막두께가 얻어지기 쉬운 이유에서 스퍼터법이 특히 바람직하다.

(그 밖의 층)

반사 방지막 (20) 의 표면에는, 반사 방지막 (20) 을 보호하고, 오염 방지 성능을 높이기 위해 방오층(防汚層)을 형성해도 된다.

방오층으로는, 퍼플루오로실란, 플루오로카본 등을 함유하는 발유성 막이 바람직하다. 방오층의 형성 방법으로는 증착법, 도포 건조법 등을 들 수 있다.

방오층의 막두께는 40㎚ 이하가 바람직하고, 5∼20㎚ 가 보다 바람직하다.

기체 (10) 와 반사 방지막 (20) 사이에는, 반사 방지체 (1) 에 원하는 경도를 부여하기 위해 하드 코트층을 형성해도 된다.

하드 코트층으로는, 투명성이 있고, 기체 (10) 의 굴절률과 동등하거나, 또는 기체 (10) 의 굴절률에 대해 ±0.1 이내의 굴절률인 층이 바람직하다. 하드 코트층의 재료로는, 자외선 경화형 아크릴 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 하드 코트층의 형성 방법으로는, 바 코트법, 독터 블레이드법, 리버스 롤 코트법, 그라비아 롤 코트법 등의 공지된 도포법을 들 수 있다.

하드 코트층의 막두께는 10㎛ 이하가 바람직하다.

금속층 (24) 과 제 2 고굴절률층 (26) 사이에는, 금속층 (24) 의 산화를 방지하고, 금속층 (24) 과 제 2 고굴절률층 (26) 의 밀착성을 향상시키기 위해 배리어층을 형성해도 된다.

배리어층으로는, 각종 금속의 질화물, 질화실리콘 등의 금속 질화물, 또는 금속 산화물을 들 수 있다. 배리어층의 형성 방법으로는, 증착법, 스퍼터법, CVD 법 등을 들 수 있다.

배리어층의 막두께는 5㎚ 이하가 바람직하다.

본 발명의 반사 방지체의 시감 반사율은, 바람직하게는 1.5 이하, 보다 바람직하게는 1.0 이하, 더욱 바람직하게는 0.6 이하이다. 1.5 이하인 것에 의해 디스플레이 등의 용도에 있어서 실용적인 시감 반사율로 할 수 있다. 시감 반사율은 낮으면 낮을수록 좋은데, 시감 반사율을 안정시켜 제조할 수 있는 관점에서 통상적으로 하한은 0.2 이다.

본 발명의 반사 방지체의 시감 투과율은, 바람직하게는 70% 이상, 보다 바람직하게는 75% 이상, 더욱 바람직하게는 80% 이상이다. 70% 이상으로 함으로써, 디스플레이 등의 용도에 있어서 실용적인 시감 투과율로 할 수 있다. 시감 투과율은 높으면 높을수록 좋은데, 내지문부착성과의 밸런스에서 상한은 90% 가 바람직하다.

본 발명의 반사 방지체는, 디스플레이 장치, 광학 소자, 창 등에 있어서의 반사 방지에 바람직하다. 구체적으로는, 디스플레이 본체의 화면; 건축물, 자동차 등의 창; 전시용 쇼케이스 등을 구성하는 유리, 플라스틱 등을 기체로 하여, 그 기체 상에 반사 방지막을 형성하여 반사 방지체로 해도 된다. 또, 디스플레이 본체의 화면; 건축물, 자동차 등의 창; 전시용 쇼케이스 등을 구성하는 유리, 플라스틱 등의 표면에 반사 방지체를 부착해도 된다.

<디스플레이 장치>

본 발명의 디스플레이 장치는, 화상을 표시하는 디스플레이 본체와, 그 디스플레이 본체의 시인측에 형성된 반사 방지체를 구비하는 것이다.

디스플레이 장치로는, 플라즈마 디스플레이 (PD), 액정 표시 장치 (LCD), 일렉트로루미네선스 디스플레이 (ELD), 음극선관 표시 장치 (CRT), 필드 이미션 디스플레이 (FED) 등을 들 수 있다.

디스플레이 본체의 화면은, 통상적으로 유리, 플라스틱 등으로 구성되어 있다. 본 발명의 디스플레이 장치에 있어서는, 디스플레이 본체의 화면에 점착제 등을 이용하여 본 발명의 반사 방지체를 직접 부착해도 되고, 디스플레이 본체와의 사이에 간극을 두고 본 발명의 반사 방지체를 설치해도 된다.

또, 디스플레이 본체의 시인측에 새롭게 유리, 플라스틱 등으로 이루어지는 전면판 (前面板) 을 설치하고, 이 전면판의 시인측 또는 디스플레이측에 본 발명의 반사 방지체를 직접 부착해도 된다. 또, 전면판의 시인측 또는 디스플레이측에, 전면판과의 사이에 간극을 두고 본 발명의 반사 방지체를 설치해도 된다.

이상 설명한 본 발명의 반사 방지체에 있어서는, 기체 상에 형성된 반사 방지막이, 기체측으로부터 순서대로 제 1 고굴절률층, 금속층, 제 2 고굴절률층, 저굴절률층을 가지므로, 층 구성이 단순하고, 가시광 투과율이 높고, 가시광 반사율이 낮다. 또, 제 1 고굴절률층 및 제 2 고굴절률층이, 주석, 갈륨 및 세륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상과, 인듐을 산화물로서 함유하고, 또한 금속층이 은 및 팔라듐을 함유하고, 은의 함유량이 금속층 (100 질량%) 중 80∼97 질량% 이고, 팔라듐의 함유량이 금속층 (100 질량%) 중 3∼20 질량% 이므로, 내지문부착성이 우수하다.

또, 이상 설명한 본 발명의 디스플레이 장치에 있어서는, 디스플레이 본체의 시인측에 가시광 투과율이 높고, 가시광 반사율이 낮고, 내지문부착성이 우수한 반사 방지체가 형성되어 있으므로, 시인성이 양호하다.

발명의 개시

발명이 해결하고자 하는 과제

본 발명의 목적은, 층 구성이 단순하고, 가시광 투과율이 높고, 가시광 반사율이 낮고, 내지문부착성 (耐指紋付着性) 이 우수한 반사 방지체 및 시인성이 양호한 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.

과제를 해결하기 위한 수단

본 발명의 반사 방지체는, 기체와 반사 방지막을 가지며, 그 반사 방지막은, 상기 기체측으로부터 순서대로 주석, 갈륨 및 세륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상과, 인듐을 산화물로서 함유하고, 굴절률이 1.8∼2.5 인 제 1 고굴절률층과, 은 및 팔라듐을 함유하고, 은의 함유량이 금속층 (100 질량%) 중 80∼97 질량% 이고, 팔라듐의 함유량이 금속층 (100 질량%) 중 3∼20 질량% 인 금속층과, 주석, 갈륨 및 세륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상과, 인듐을 산화물로서 함유하고, 굴절률이 1.8∼2.5 인 제 2 고굴절률층과, 굴절률이 1.3∼1.6 인 저굴절률층을 갖는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 디스플레이 장치는, 화상을 표시하는 디스플레이 본체와, 그 디스플레이 본체의 시인측에 형성된 본 발명의 반사 방지체를 구비하는 것을 특징으로 한다.

발명의 효과

본 발명의 반사 방지체는, 층 구성이 단순하고, 가시광 투과율이 높고, 가시광 반사율이 낮고, 내지문부착성이 우수하다.

본 발명의 디스플레이 장치는 시인성이 양호하다.

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 한정하여 해석되는 것은 아니다.

(고굴절률층에 있어서의 각 금속 원자의 함유량)

고굴절률층에 있어서의 각 금속 원자의 함유량은, 전자 프로브 마이크로 애널라이저, ESCA 또는 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하여 구하였다.

ESCA 에 의한 측정은, 알박·파이사 제조, 장치명 : ESCA5500 을 이용하고, 이하의 조건에서 실시하였다.

X 선원 : 단색화 Al,

X 선 : Kα 선,

검출기의 각도 : 시료면에 대해 45°.

러더퍼드 후방 산란 분광법에 의한 측정은, National Electrostatics Corporation 사 제조, 장치명 : Pelletron accelerator, 3UH 를 이용하고, 이하의 조건에서 실시하였다.

빔 에너지 : 2300keV,

이온 종류 : He⁺,

산란각 : 170°, 100°,

빔 입사각 : 시료면의 법선에 대해 7°,

시료 전류 : 30㎁,

빔 조사량 : 40μC.

전자 프로브 마이크로 애널라이저에 의한 측정은, 닛폰 전자사 제조, 장치명 : X 선 마이크로 애널라이저 JXA-8800RL 을 이용하고, 이하의 조건에서 실시하였다.

가속 전압 : 7.0㎸,

조사 전류 : 0.01㎂,

분석 방법 : 정량 분석,

분석 범위 : Φ100㎛.

(저굴절률층에 있어서의 규소 원자의 함유량)

저굴절률층에 있어서의 규소 원자의 함유량은, 상기 전자 프로브 마이크로 애널라이저, ESCA 또는 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하여 구하였다.

(금속의 함유량)

금속층에 있어서의 각 금속 원자의 함유량은, 상기 전자 프로브 마이크로 애널라이저, ESCA 또는 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하여 구하였다.

(시감 반사율)

반사 방지체 (1) 의 반사율을, 반사 방지막 (20) 측으로부터 분광 광도계 (시마즈 제작소사 제조, UV-3150) 에 의해 측정하고, 그 반사율로부터 시감 반사율 (JIS Z 8701 에 있어서 규정되어 있는 자극값 Y) 을 구하였다.

(시감 투과율)

반사 방지체 (1) 의 투과율을, 반사 방지막 (20) 측으로부터 분광 광도계 (시마즈 제작소사 제조, UV-3150) 에 의해 측정하고, 그 투과율로부터 시감 투과율 (JIS Z 8701 에 있어서 규정되어 있는 자극값 Y) 을 구하였다.

(내지문부착성)

기체 (10) 상에, 제 1 고굴절률층 (22), 금속층 (24) 및 제 2 고굴절률층 (26) 을 형성하고, 저굴절률층을 형성하지 않은 샘플을 준비하였다.

그 샘플의 제 2 고굴절률층 (26) 표면에 지문을 부착시키고, 온도 40℃, 습도 90% 의 환경하에 있어서 120 시간 방치한 후, 지문을 닦아내고, 외관을 관찰하였다.

지문을 부착시킨 지점에 변화가 보이지 않는 것을 ○, 지문을 부착시킨 지점에 변화가 보이는 것을 ×, 지문을 부착시킨 지점에 약간 변화가 보이지만, 실용상 문제는 없는 것을 △ 로 평가하였다.

[예 1 (비교예)]

아르곤 가스 95 체적% 및 산소 가스 5 체적% 의 혼합 가스를 도입하면서, 산화주석 및 산화인듐의 혼합 타깃 [산화주석:산화인듐=40:60 (질량비)] (스미토모 금속 광산사 제조, 상품명 : 40wt% ITO 타깃) 을 이용하여, 압력 0.43㎩, 주파수 50㎑, 전력 밀도 2.5W/㎠, 반전 펄스폭 2μ 초의 조건에서 펄스 스퍼터링을 실시하여, 기체 (10) 인 두께 100㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 표면에, 막두께 32㎚, 굴절률 2.12 인 제 1 고굴절률층 (22) 을 형성하였다. 전자 프로브 마이크로 애널라이저 (EPMA : Electron Probe Micro Analysis) 에 의해 측정한 결과, 제 1 고굴절률층 (22) 에 있어서, 전체 원자 합계 (100 원자%) 중 인듐은 21.5 원자%, 주석은 12.8 원자%, 산소는 65.7 원자% 이었다. 제 1 고굴절률층 (22) 의 조성비를 질량% 로 환산하면, 인듐은 49.0 질량%, 주석은 30.1 질량%, 산소는 20.9 질량% 이었다.

아르곤 가스를 도입하면서, 순은 타깃 (타나카 귀금속 공업사 제조, 상품명 : Ag 타깃) 을 이용하여, 압력 0.44㎩, 주파수 50㎑, 전력 밀도 2.5W/㎠, 반전 펄스폭 10μ 초의 조건에서 펄스 스퍼터링을 실시하여, 제 1 고굴절률층 (22) 의 표면에, 막두께 7㎚ 의 금속층 (24) 을 형성하였다. 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하면, 금속층 (24) (100 질량%) 중 은은 99.9 질량% 이상이다.

아르곤 가스 95 체적% 및 산소 가스 5 체적% 의 혼합 가스를 도입하면서, 산화인듐 및 산화주석의 혼합 타깃 [산화인듐:산화주석=60:40 (질량비)] (스미토모 금속 광산사 제조, 상품명 : 40wt% ITO 타깃) 을 이용하여, 압력 0.43㎩, 주파수 50㎑, 전력 밀도 2.5W/㎠, 반전 펄스폭 2μ 초의 조건에서 펄스 스퍼터링을 실시하여, 금속층 (24) 의 표면에 막두께 16㎚, 굴절률 2.12 인 제 2 고굴절률층 (26) 을 형성하였다. 전자 프로브 마이크로 애널라이저 (EPMA : Electron Probe Micro Analysis) 에 의해 측정하면, 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성은 제 1 고굴절률층 (22) 과 동일하다.

아르곤 가스 60 체적% 및 산소 가스 40 체적% 의 혼합 가스를 도입하면서, 붕소를 도프한 실리콘 타깃 (신쿠 야금사 제조, 상품명 : B 도프 실리콘 타깃) 을 이용하여, 압력 0.21㎩, 주파수 50㎑, 전력 밀도 3.7W/㎠, 반전 펄스폭 5μ 초의 조건에서 펄스 스퍼터링을 실시하여, 제 2 고굴절률층 (26) 의 표면에 막두께 60㎚, 굴절률 1.46 인 저굴절률층 (28) 을 형성하였다. 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정한 결과, 저굴절률층 (28) 에 있어서, 전체 원자 합계 (100 원자%) 중 규소는 31.5 원자%, 산소는 68.2 원자%, 아르곤은 0.3 원자% 이었다. 상기 저굴절률층 (28) 의 조성비를 질량% 로 환산하면, 규소는 44.4 질량%, 산소는 55.0 질량%, 아르곤은 0.6 질량% 이었다.

이상과 같이 하여 제조한 반사 방지체 (1) 에 대해, 시감 반사율 및 시감 투과율을 측정하였다. 또, 기체 (10) 상에, 제 1 고굴절률층 (22), 금속층 (24) 및 제 2 고굴절률층 (26) 을 형성하고, 저굴절률층을 형성하지 않은 샘플을 별도 제조하고, 그 샘플에 대해 내지문부착성을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

[예 2 (비교예)]

금속층 (24) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 팔라듐을 1.0 질량% 도프한 은 합금 타깃 (타나카 귀금속 공업사 제조, 상품명 : AgPd 1wt% 타깃) 을 사용한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하면, 금속층 (24) (100 질량%) 중 은은 99 질량%, 팔라듐은 1 질량% 이다.

그 반사 방지체 (1) 에 대해, 시감 반사율 및 시감 투과율을 측정하였다. 또, 기체 (10) 상에, 제 1 고굴절률층 (22), 금속층 (24) 및 제 2 고굴절률층 (26) 을 형성하고, 저굴절률층을 형성하지 않은 샘플을 별도 제조하고, 그 샘플에 대해 내지문부착성을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

[예 3 (비교예)]

금속층 (24) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 팔라듐을 2.0 질량% 도프한 은 합금 타깃 (타나카 귀금속 공업사 제조, 상품명 : AgPd 2wt% 타깃) 을 사용한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하면, 금속층 (24) (100 질량%) 중 은은 98 질량%, 팔라듐은 2 질량% 이다.

[예 4]

금속층 (24) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 팔라듐을 3.5 질량% 도프한 은 합금 타깃 (타나카 귀금속 공업사 제조, 상품명 : AgPd 3.5wt% 타깃) 을 사용하고, 제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께를 28㎚, 금속층 (24) 의 막두께를 8.5㎚, 제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께를 15㎚ 로 한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하면, 금속층 (24) (100 질량%) 중 은은 96.5 질량%, 팔라듐은 3.5 질량% 이다.

[예 5]

금속층 (24) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 팔라듐을 5.0 질량% 도프한 은 합금 타깃 (타나카 귀금속 공업사 제조, 상품명 : AgPd 5wt% 타깃) 을 사용한 것 이외에는, 예 4 와 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하면, 금속층 (24) (100 질량%) 중 은은 95 질량%, 팔라듐은 5 질량% 이다.

[예 6]

금속층 (24) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 팔라듐을 10.0 질량% 도프한 은 합금 타깃 (타나카 귀금속 공업사 제조, 상품명 : AgPd 10wt% 타깃) 을 사용하고, 제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께를 22㎚, 금속층 (24) 의 막두께를 7.5㎚, 제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께를 17㎚ 로 한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하면, 금속층 (24) (100 질량%) 중 은은 90 질량%, 팔라듐은 10 질량% 이다.

[예 7]

금속층 (24) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 팔라듐을 5.0 질량% 및 백금을 5.0 질량% 도프한 은 합금 타깃 (타나카 귀금속 공업사 제조, 상품명 : AgPd 5wt% Pt 5wt%) 을 사용하고, 제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께를 29㎚, 금속층 (24) 의 막두께를 8㎚, 제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께를 22㎚ 로 한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하면, 금속층 (24) (100 질량%) 중 은은 90 질량%, 팔라듐은 5 질량%, 백금은 5 질량% 이다.

[예 8 (비교예)]

금속층 (24) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 주석을 10.0 질량% 도프한 은 합금 타깃 (타나카 귀금속 공업사 제조, 상품명 : AgSn 10wt% 타깃) 을 사용하고, 제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께를 29㎚, 금속층 (24) 의 막두께를 6.4㎚, 제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께를 19㎚ 로 한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하면, 금속층 (24) (100 질량%) 중 은은 90 질량%, 주석은 10 질량% 이다.

[예 9]

금속층 (24) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 팔라듐을 3.0 질량% 및 금을 2.0 질량% 도프한 은 합금 타깃 (타나카 귀금속 공업사 제조, 상품명 : AgAu 2wt% Pd 3wt% 타깃) 을 사용하고, 제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께를 31㎚, 금속층 (24) 의 막두께를 9.5㎚, 제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께를 19㎚ 로 한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하면, 금속층 (24) (100 질량%) 중 은은 95 질량%, 팔라듐은 3 질량%, 금은 2 질량% 이다.

[예 10 (비교예)]

금속층 (24) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 팔라듐을 2.0 질량% 및 금을 3.0 질량% 도프한 은 합금 타깃 (타나카 귀금속 공업사 제조, 상품명 : AgAu 3wt% Pd 2wt% 타깃) 을 사용하고, 제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께를 29㎚, 금속층 (24) 의 막두께를 9.5㎚, 제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께를 19㎚ 로 한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하면, 금속층 (24) (100 질량%) 중 은은 95 질량%, 팔라듐은 2 질량%, 금은 3 질량% 이다.

[예 11]

금속층 (24) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 팔라듐을 3.0 질량%, 금을 2.0 질량% 및 구리를 1.0 질량% 도프한 은 합금 타깃 (타나카 귀금속 공업사 제조, 상품명 : AgAu 2wt% Pd 3wt% Cu 1wt% 타깃) 을 사용하고, 제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께를 29㎚, 금속층 (24) 의 막두께를 8.5㎚, 제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께를 19㎚ 로 한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정하면, 금속층 (24) (100 질량%) 중 은은 94 질량%, 팔라듐은 3 질량%, 금은 2 질량%, 구리는 1 질량% 이다.

[예 12]

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 산화인듐 및 산화주석의 혼합 타깃 [산화인듐:산화주석=90:10 (질량비)] (스미토모 금속 광산사 제조, 상품명 : 10ITO 타깃) 을 사용한 것 이외에는, 예 5 와 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 1.96 이었다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출된 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 2 에 나타낸다.

그 반사 방지체 (1) 에 대해, 시감 반사율 및 시감 투과율을 측정하였다. 또, 기체 (10) 상에, 제 1 고굴절률층 (22), 금속층 (24) 및 제 2 고굴절률층 (26) 을 형성하고, 저굴절률층을 형성하지 않은 샘플을 별도 제조하고, 그 샘플에 대해 내지문부착성을 평가하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.

[예 13]

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 산화인듐 및 산화주석의 혼합 타깃 [산화인듐:산화주석=80:20 (질량비)] (스미토모 금속 광산사 제조, 상품명 : 20ITO 타깃) 을 사용한 것 이외에는, 예 5 와 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 2.01 이다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출된 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 2 에 나타낸다.

[예 14]

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 산화인듐 및 산화주석의 혼합 타깃 [산화인듐:산화주석=70:30 (질량비)] (스미토모 금속 광산사 제조, 상품명 : 30ITO 타깃) 을 사용한 것 이외에는, 예 5 와 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 2.07 이다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출된 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 2 에 나타낸다.

[예 15]

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 산화인듐 및 산화주석의 혼합 타깃 [산화인듐:산화주석=50:50 (질량비)] (스미토모 금속 광산사 제조, 상품명 : 50ITO 타깃) 을 사용하고, 제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께를 16㎚ 로 한 것 이외에는, 예 5 와 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 2.17 이다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출된 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 2 에 나타낸다.

[예 16]

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 산화인듐, 산화주석 및 산화갈륨의 혼합 타깃 [산화인듐:산화주석:산화갈륨=5:91:4 (질량비)] (아사히 유리 세라믹스사 제조, 상품명 : GIT 타깃) 을 사용하고, 금속층 (24) 의 막두께를 8㎚ 로 한 것 이외에는, 예 5 와 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 2.07 이었다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출된 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 2 에 나타낸다.

[예 17]

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 산화인듐, 산화주석 및 산화갈륨의 혼합 타깃 [산화인듐:산화주석:산화갈륨=10:87:3 (질량비)] (아사히 유리 세라믹스사 제조, 시작품) 을 사용한 것 이외에는, 예 16 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 2.0 이다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출된 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 2 에 나타낸다.

[예 18]

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 산화인듐, 산화주석 및 산화갈륨의 혼합 타깃 [산화인듐:산화주석:산화갈륨=5:93:2 (질량비)] (아사히 유리 세라믹스사 제조, 시작품) 을 사용한 것 이외에는, 예 16 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 2.0 이다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출된 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 2 에 나타낸다.

[예 19]

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 산화인듐, 산화주석, 산화갈륨 및 산화티탄의 혼합 타깃 [산화인듐:산화주석:산화갈륨:산화티탄=5:90:4:1 (질량비)] (아사히 유리 세라믹사 제조, 시작품) 을 사용한 것 이외에는, 예 16 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 2.0 이다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출된 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 2 에 나타낸다.

[예 20]

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 산화인듐, 산화주석 및 산화갈륨의 혼합 타깃 [산화인듐:산화주석:산화갈륨=2.5:96.5:2 (질량비)] (아사히 유리 세라믹스사 제조, 시작품) 을 사용한 것 이외에는, 예 16 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 2.0 이다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출된 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 2 에 나타낸다.

[예 21]

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 산화인듐 및 산화세륨의 혼합 타깃 [산화인듐:산화세륨=80:20 (질량비)] (스미토모 금속 광산사 제조, 상품명 : 20ICO) 을 사용하고, 제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께를 25㎚, 금속층 (24) 의 막두께를 10㎚, 제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께를 16㎚ 로 한 것 이외에는, 예 5 와 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 2.27 이었다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출된 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 2 에 나타낸다.

[예 22]

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 산화인듐 및 산화갈륨의 혼합 타깃 [산화인듐:산화갈륨=50:50 (질량비)] (스미토모 금속 광산사 제조, 상품명 : GIO) 을 사용하고, 제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께를 32㎚, 금속층 (24) 의 막두께를 7㎚, 제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께를 14㎚ 로 한 것 이외에는, 예 5 와 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 2.00 이었다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출된 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 2 에 나타낸다.

[예 23 (비교예)]

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 산화아연 및 산화알루미늄의 혼합 타깃 [산화아연:산화알루미늄=95:5 (질량비)] (아사히 유리 세라믹사 제조, 상품명 : 5AZO 타깃) 을 사용하고, 제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께를 35㎚, 금속층 (24) 의 막두께를 6㎚ 로 한 것 이외에는, 예 5 와 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 1.97 이었다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출된 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 3 에 나타낸다.

그 반사 방지체 (1) 에 대해, 시감 반사율 및 시감 투과율을 측정하였다. 또, 기체 (10) 상에, 제 1 고굴절률층 (22), 금속층 (24) 및 제 2 고굴절률층 (26) 을 형성하고, 저굴절률층을 형성하지 않은 샘플을 별도 제조하고, 그 샘플에 대해 내지문부착성을 평가하였다. 결과를 표 3 에 나타낸다.

[예 24 (비교예)]

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 산화아연 및 산화티탄의 혼합 타깃 [산화아연:산화티탄=90:10 (질량비)] (아사히 유리 세라믹사 제조, 상품명 : 10SZO 타깃) 을 사용한 것 이외에는, 예 23 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 2.02 이었다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출된 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 3 에 나타낸다.

[예 25 (비교예)]

제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 산화아연 및 산화티탄의 혼합 타깃 [산화아연:산화티탄=85:15 (질량비)] (아사히 유리 세라믹사 제조, 상품명 : 15SZO 타깃) 을 사용한 것 이외에는, 예 23 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조하였다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 2.07 이었다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출된 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 3 에 나타낸다.

[예 26 (비교예)]

금속층 (24) 의 형성에 사용하는 타깃으로서 구리를 0.3 질량% 및 금을 2.7 질량% 도프한 은 합금 타깃 (타나카 귀금속사 제조, 상품명 : AgAu 2.7wt% Cu 0.3% 타깃) 을 사용하고, 제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께를 27㎚, 금속층 (24) 의 막두께를 9㎚, 제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께를 20㎚ 로 하는 것 이외에는, 예 12 와 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조한다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 1.96 이다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출되는 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 4 에 나타낸다.

그 반사 방지체 (1) 에 대해, 시감 반사율 및 시감 투과율을 측정한다. 또, 기체 (10) 상에, 제 1 고굴절률층 (22), 금속층 (24) 및 제 2 고굴절률층 (26) 을 형성하고, 저굴절률층을 형성하지 않은 샘플을 별도 제조하고, 그 샘플에 대해 내지문부착성을 평가한다. 결과를 표 4 에 나타낸다.

[예 27 (비교예)]

금속층 (24) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 구리를 0.3 질량% 및 금을 2.7 질량% 도프한 은 합금 타깃 (타나카 귀금속사 제조, 상품명 : AgAu 2.7wt% Cu 0.3% 타깃) 을 사용하고, 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 형성에 사용하는 타깃으로서, 산화인듐 및 산화세륨의 혼합 타깃 [산화인듐:산화세륨=90:10 (질량비)] (스미토모 금속 광산사 제조, 상품명 : 10ICO) 을 사용하고, 제 1 고굴절률층 (22) 의 막두께를 27㎚, 금속층 (24) 의 막두께를 9㎚, 제 2 고굴절률층 (26) 의 막두께를 20㎚ 로 하는 것 이외에는, 예 21 과 동일하게 하여 반사 방지체 (1) 를 제조한다. 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 굴절률은 1.96 이다. 사용한 타깃의 조성으로부터 산출되는 제 1 고굴절률층 (22) 및 제 2 고굴절률층 (26) 의 조성을 표 4 에 나타낸다.

예 5 의 반사 방지체는, 시감 반사율이 낮고, 시감 투과율이 높고, 내지문부착성이 우수했다. 또, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 400∼700㎚ 의 파장 범위에서의 반사율은 1% 이하였다. 또, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 480∼780㎚ 의 파장 범위에서의 투과율은 80% 이상이었다.

예 6 의 반사 방지체는, 시감 반사율이 낮고, 내지문부착성이 우수했다. 약간 시감 투과율이 낮았지만, 실용상 문제는 없었다.

예 4 의 반사 방지체는, 시감 반사율이 낮고, 시감 투과율이 높았다. 약간 내지문부착성이 떨어졌지만, 실용상 문제는 없었다.

예 1∼3 의 반사 방지체는, 시감 반사율이 낮고, 시감 투과율이 높았지만, 내지문부착성이 떨어졌다.

예 5, 및 예 12∼15 는, 금속층의 재질로서 팔라듐을 5 질량% 함유하는 은 합금을 사용하고, 제 1 고굴절률층 및 제 2 고굴절률층으로서 주석 원자의 함유량이 7.9∼39.4 질량% 사이인 5 종류의 ITO 층을 적용한 예이다. 이들 주석 원자의 함유량에 있어서, 광학 특성 및 내지문부착성에 있어서 우수한 효과를 갖는 것이 나타났다.

예 21 은, 팔라듐을 5 질량% 함유하는 은 합금을 사용하고, 또한 제 1 고굴절률층 및 제 2 고굴절률층으로서 세륨 원자의 함유량이 16.3 질량% [6.5 원자%] 인 ICO 층을 적용한 예이고, 우수한 광학 특성과 내지문부착성을 갖고 있었다.

ICO 층에 있어서의 세륨 원자의 작용과, ITO 층에 있어서의 주석 원자의 작용은 동일한 것으로 생각되므로, 상기 예 5, 및 예 12∼15 에 있어서의 주석 원자의 함유량 (원자수 기준) 과 동일한 정도로 세륨 원자가 함유된 예 21 의 ICO 층에 있어서도 동일하게 우수한 광학 특성과 동시에 우수한 내지문부착성의 효과를 발휘하는 것으로 생각된다.

예 23∼27 은, 금속층의 재질로서 팔라듐을 함유하지 않는 은 합금을 사용하고 있으므로, 내지문부착성이 떨어졌다.

본 발명의 반사 방지체는, 층 구성이 단순하고, 가시광 투과율이 높고, 가시광 반사율이 낮고, 내지문부착성이 우수하므로, 디스플레이 장치의 시인성을 향상시키기 위한 반사 방지체로서 유용하다.

또한, 2006 년 12 월 27 일에 출원된 일본 특허출원 제2006-350752호의 명세서, 특허 청구의 범위, 도면 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하고, 본 발명의 명세서의 개시로서 도입하는 것이다.

Claims

기체 (基體) 와 반사 방지막을 가지며,

상기 반사 방지막은, 상기 기체측으로부터 순서대로

주석, 갈륨 및 세륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상과, 인듐을 산화물로서 함유하고, 굴절률이 1.8∼2.5 인 제 1 고굴절률층과,

은 및 팔라듐을 함유하고, 상기 은의 함유량이 금속층 (100 질량%) 중 80∼97 질량% 이고, 상기 팔라듐의 함유량이 금속층 (100 질량%) 중 3∼20 질량% 인 금속층과,

주석, 갈륨 및 세륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상과, 인듐을 산화물로서 함유하고, 굴절률이 1.8∼2.5 인 제 2 고굴절률층과,

굴절률이 1.3∼1.6 인 저굴절률층을 갖는 것을 특징으로 하는 반사 방지체.
제 1 항에 있어서,

상기 금속층의 두께가 5∼10㎚ 인, 반사 방지체.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 제 1 고굴절률층이 주석과 인듐을 산화물로서 함유하고, 주석 원자의 함유량이 상기 제 1 고굴절률층 중에 7∼48 질량% 인, 반사 방지체.
제 3 항에 있어서,

상기 제 1 고굴절률층의 두께가 20∼40㎚ 인, 반사 방지체.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 제 1 고굴절률층이 세륨과 인듐을 산화물로서 함유하고, 세륨 원자의 함유량이 상기 제 1 고굴절률층 중에 8∼52.1 질량% 인, 반사 방지체.
제 5 항에 있어서,

상기 제 1 고굴절률층의 두께가 15∼35㎚ 인, 반사 방지체.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 제 1 고굴절률층이 갈륨과 주석과 인듐을 산화물로서 함유하고, 주석 원자의 함유량이 상기 제 1 고굴절률층 중에 63∼77 질량% 이고, 갈륨 원자의 함유량이 상기 제 1 고굴절률층 중에 1∼4 질량% 인, 반사 방지체.
제 7 항에 있어서,

상기 제 1 고굴절률층의 두께가 20∼40㎚ 인, 반사 방지체.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 2 고굴절률층이 주석과 인듐을 산화물로서 함유하고, 주석 원자의 함유량이 상기 제 2 고굴절률층 중에 7∼48 질량% 인, 반사 방지체.
제 9 항에 있어서,

상기 제 2 고굴절률층의 두께가 12∼30㎚ 인, 반사 방지체.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 2 고굴절률층이 세륨과 인듐을 산화물로서 함유하고, 세륨 원자의 함유량이 상기 제 2 고굴절률층 중에 8∼52.1 질량% 인, 반사 방지체.
제 11 항에 있어서,

상기 제 2 고굴절률층의 두께가 8∼25㎚ 인, 반사 방지체.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 2 고굴절률층이 갈륨과 주석과 인듐을 산화물로서 함유하고, 주석 원자의 함유량이 상기 제 2 고굴절률층 중에 63∼77 질량% 이고, 갈륨 원자의 함유량이 상기 제 2 고굴절률층 중에 1∼4 질량% 인, 반사 방지체.
제 13 항에 있어서,

상기 제 2 고굴절률층의 두께가 12∼30㎚ 인, 반사 방지체.
제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 1 고굴절률층과 상기 제 2 고굴절률층이 동일한 재료 조성의 층인, 반사 방지체.
제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 저굴절률층이 실리카를 함유하는 층이고, 규소 원자의 함유량이 상기 저굴절률층 중에 30∼60 질량% 인, 반사 방지체.
화상을 표시하는 디스플레이 본체와,

상기 디스플레이 본체의 시인측에 형성된, 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 기재된 반사 방지체를 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.