CN106304645B - 一种ipm模块基板的制作方法 - Google Patents

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Abstract

一种IPM模块基板的制作方法，其特征在于步骤如下：(1)制作IPM模块绝缘介质材料层，采用AlN粉和TiO2粉按一定比例结合介质层厚度要求进行混合压合，形成IPM模块绝缘介质层；(2)制作低互调玻璃布浸胶粘结片，选取玻璃纤维布放入分散液内经浸胶机进行预浸渍，然后高温烧结后制得低互调玻璃布浸胶粘结片；(3)制作IPM模块基板，将铜箔分别设置在绝缘介质层的上方和下方，加工压制成型；(4)成型IPM模块基板，通过激光刻板机进行雕刻，从而获得成型IPM模块基板；本发明的有益效果是使用AlN粉和TiO2粉混合，制作的IPM模块绝缘介质材料层，具有互调干扰小，制得的IPM模块基板通过电流均匀，质量可靠。

Description

一种IPM模块基板的制作方法
技术领域
本发明涉及电路板制造技术领域，尤其是涉及一种IPM模块基板的制作方法。
背景技术
互调干扰是由传输信道中非线性电路产生的，当两个或多个不同频率的信号输入到非线性电路时，由于非线性器件的作用，会产生很多谐波和组合频率分量，其中与所需要的信号频率ω0相接近的组合频率分量会顺利通过接收机而形成干扰。
因此，在高频电路模块运用过程中传输信道中非线性电路产生的互调干扰越小，电路信号的传输性能就越好。对此，如何制备一种具有低互调指标的高频电路基板，提高微波高频电路信号传输的优异性能，已经迫在眉睫，刻不容缓。
发明内容
为克服上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
一种IPM模块基板的制作方法，其特征在于步骤如下：
(1)制作IPM模块绝缘介质材料层，根据介电常数要求选择配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按一定比例结合介质层厚度要求进行混合，然后将介质材料置于模具中经850-1000℃高温压合10分钟，形成IPM模块绝缘介质层；
(2)制作低互调玻璃布浸胶粘结片，选取玻璃纤维布放入40-50％氧化铅、15-18％氧化硼、15-20％氧化硅分散液内经浸胶机进行预浸渍，然后在280-350℃高温烧结后制得低互调玻璃布浸胶粘结片；
(3)制作IPM模块基板，选取表面粗糙度小于0.1微米，厚度为0.15-0.55毫米、热膨胀系数为17PPM/℃的铜箔，将铜箔分别设置在绝缘介质层的上方和下方，中间用低互调玻璃布浸胶粘结片间隔并粘结，最后经350℃高温环境带压加工压制成型；
(4)成型IPM模块基板，通过激光刻板机进行雕刻，激光刻板机波长为1088nm,频率为20-80KHz，激光光斑为20um，精度为2um,从而获得成型IPM模块基板。
优选地，所述步骤(1)中AlN粉和TiO2粉的比例为2：8。
优选地，所述步骤(1)中混合采用球磨机球磨，时间20分钟。
优选地，所述步骤(1)中介质材料置于模具中的优选温度为920℃。
优选地，所述步骤(2)中玻璃纤维布的厚度小于12.5微米。
优选地，所述步骤(2)中高温烧结温度优选为320℃。
优选地，所述步骤(3)中铜箔的优选厚度为0.35毫米。
优选地，所述步骤(4)中激光刻板机频率为50KHz。
本发明的有益效果是：使用AlN粉和TiO2粉混合，经球磨机球磨后制作的IPM模块绝缘介质材料层，具有互调干扰小，信号传输快的优点，且具有优良的机械强度、耐应力松弛、耐蠕变性、耐热性、耐水性、耐水蒸汽性、尺寸稳定性；采用表面粗糙度小于0.1微米的铜箔，则可以有效降低信号传输过程的阻力，减少谐波和组合频率分量的产生量，制得的IPM模块基板通过电流均匀，质量可靠。
具体实施方式
一种IPM模块基板的制作方法，其特征在于步骤如下：
(1)制作IPM模块绝缘介质材料层，根据介电常数要求选择配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按一定比例结合介质层厚度要求进行混合，然后将介质材料置于模具中经850-1000℃高温压合10分钟，形成IPM模块绝缘介质层；
(2)制作低互调玻璃布浸胶粘结片，选取玻璃纤维布放入40-50％氧化铅、15-18％氧化硼、15-20％氧化硅分散液内经浸胶机进行预浸渍，然后在280-350℃高温烧结后制得低互调玻璃布浸胶粘结片；
(3)制作IPM模块基板，选取表面粗糙度小于0.1微米，厚度为0.15-0.55毫米、热膨胀系数为17PPM/℃的铜箔，将铜箔分别设置在绝缘介质层的上方和下方，中间用低互调玻璃布浸胶粘结片间隔并粘结，最后经350℃高温环境带压加工压制成型；
(4)成型IPM模块基板，通过激光刻板机进行雕刻，激光刻板机波长为1088nm,频率为20-80KHz，激光光斑为20um，精度为2um,从而获得成型IPM模块基板。
实施例1
一种IPM模块基板的制作方法，其特征在于步骤如下：
(1)制作IPM模块绝缘介质材料层，根据介电常数要求选择配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按2:8的比例进行采用球磨机球磨混合，时间20分钟，然后将介质材料置于模具中经850℃高温压合10分钟，形成IPM模块绝缘介质层；
(2)制作低互调玻璃布浸胶粘结片，选取厚度小于12.5微米的玻璃纤维布放入40％氧化铅、15％氧化硼、15％氧化硅分散液内经浸胶机进行预浸渍，然后在280℃高温烧结后制得低互调玻璃布浸胶粘结片；
(3)制作IPM模块基板，选取表面粗糙度小于0.1微米，厚度为0.15毫米、热膨胀系数为17PPM/℃的铜箔，将铜箔分别设置在绝缘介质层的上方和下方，中间用低互调玻璃布浸胶粘结片间隔并粘结，最后经350℃高温环境带压加工压制成型；
(4)成型IPM模块基板，通过激光刻板机进行雕刻，激光刻板机波长为1088nm,频率为20KHz，激光光斑为20um，精度为2um,从而获得成型IPM模块基板。
实施例2
一种IPM模块基板的制作方法，其特征在于步骤如下：
(1)制作IPM模块绝缘介质材料层，根据介电常数要求选择配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按2:8的比例进行采用球磨机球磨混合，时间20分钟，然后将介质材料置于模具中经920℃高温压合10分钟，形成IPM模块绝缘介质层；
(2)制作低互调玻璃布浸胶粘结片，选取厚度小于12.5微米的玻璃纤维布放入40-50％氧化铅、15-18％氧化硼、15-20％氧化硅分散液内经浸胶机进行预浸渍，然后在320℃高温烧结后制得低互调玻璃布浸胶粘结片；
(3)制作IPM模块基板，选取表面粗糙度小于0.1微米，厚度为0.35毫米、热膨胀系数为17PPM/℃的铜箔，将铜箔分别设置在绝缘介质层的上方和下方，中间用低互调玻璃布浸胶粘结片间隔并粘结，最后经350℃高温环境带压加工压制成型；
(4)成型IPM模块基板，通过激光刻板机进行雕刻，激光刻板机波长为1088nm,频率为50KHz，激光光斑为20um，精度为2um,从而获得成型IPM模块基板。
实施例3
一种IPM模块基板的制作方法，其特征在于步骤如下：
(1)制作IPM模块绝缘介质材料层，根据介电常数要求选择配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按2:8的比例进行采用球磨机球磨混合，时间20分钟，然后将介质材料置于模具中经1000℃高温压合10分钟，形成IPM模块绝缘介质层；
(2)制作低互调玻璃布浸胶粘结片，选取厚度小于12.5微米的玻璃纤维布放入50％氧化铅、18％氧化硼、20％氧化硅分散液内经浸胶机进行预浸渍，然后在350℃高温烧结后制得低互调玻璃布浸胶粘结片；
(3)制作IPM模块基板，选取表面粗糙度小于0.1微米，厚度为0.55毫米、热膨胀系数为17PPM/℃的铜箔，将铜箔分别设置在绝缘介质层的上方和下方，中间用低互调玻璃布浸胶粘结片间隔并粘结，最后经350℃高温环境带压加工压制成型；
(4)成型IPM模块基板，通过激光刻板机进行雕刻，激光刻板机波长为1088nm,频率为80KHz，激光光斑为20um，精度为2um,从而获得成型IPM模块基板。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (8)

1.一种IPM模块基板的制作方法，其特征在于步骤如下：
(1)制作IPM模块绝缘介质材料层，根据介电常数要求选择配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按一定比例结合介质层厚度要求进行混合，然后将介质材料置于模具中经850-1000℃高温压合10分钟，形成IPM模块绝缘介质层；
(2)制作低互调玻璃布浸胶粘结片，选取玻璃纤维布放入40-50％氧化铅、15-18％氧化硼、15-20％氧化硅分散液内经浸胶机进行预浸渍，然后在280-350℃高温烧结后制得低互调玻璃布浸胶粘结片；
(3)制作IPM模块基板，选取表面粗糙度小于0.1微米，厚度为0.15-0.55毫米、热膨胀系数为17PPM/℃的铜箔，将铜箔分别设置在绝缘介质层的上方和下方，中间用低互调玻璃布浸胶粘结片间隔并粘结，最后经350℃高温环境带压加工压制成型；
(4)成型IPM模块基板，通过激光刻板机进行雕刻，激光刻板机波长为1088nm,频率为20-80KHz，激光光斑为20um，精度为2um,从而获得成型IPM模块基板。
2.根据权利要求1所述的一种IPM模块基板的制作方法，其特征在于：所述步骤(1)中AlN粉和TiO2粉的比例为2：8。
3.根据权利要求1所述的一种IPM模块基板的制作方法，其特征在于：所述步骤(1)中混合采用球磨机球磨，时间20分钟。
4.根据权利要求1所述的一种IPM模块基板的制作方法，其特征在于：所述步骤(1)中介质材料置于模具中的优选温度为920℃。
5.根据权利要求1所述的一种IPM模块基板的制作方法，其特征在于：所述步骤(2)中玻璃纤维布的厚度小于12.5微米。
6.根据权利要求1所述的一种IPM模块基板的制作方法，其特征在于：所述步骤(2)中高温烧结温度优选为320℃。
7.根据权利要求1所述的一种IPM模块基板的制作方法，其特征在于：所述步骤(3)中铜箔的优选厚度为0.35毫米。
8.根据权利要求1所述的一种IPM模块基板的制作方法，其特征在于：所述步骤(4)中激光刻板机频率为50KHz。
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