JP5126828B2 - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
有機電界発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5126828B2 JP5126828B2 JP2007314006A JP2007314006A JP5126828B2 JP 5126828 B2 JP5126828 B2 JP 5126828B2 JP 2007314006 A JP2007314006 A JP 2007314006A JP 2007314006 A JP2007314006 A JP 2007314006A JP 5126828 B2 JP5126828 B2 JP 5126828B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thickness
- light emitting
- emitting layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 335
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 105
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 56
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 45
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 19
- -1 aluminum-silver Chemical compound 0.000 claims description 12
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N aluminum quinoline Chemical compound [Al+3].N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12 APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 3
- 229910000882 Ca alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZFXVRMSLJDYJCH-UHFFFAOYSA-N calcium magnesium Chemical compound [Mg].[Ca] ZFXVRMSLJDYJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 2
- TUNODRIFNXIVIK-UHFFFAOYSA-N silver ytterbium Chemical compound [Ag].[Yb] TUNODRIFNXIVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 122
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 65
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 59
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 59
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 44
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 28
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 24
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 6
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CWNIBKBOXQUALV-UHFFFAOYSA-N CC1=CC=C(C=C1)C1=C(C=CC(C1)(N)N)C1=CC=CC=C1 Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)C1=C(C=CC(C1)(N)N)C1=CC=CC=C1 CWNIBKBOXQUALV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 2
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- UDQLIWBWHVOIIF-UHFFFAOYSA-N 3-phenylbenzene-1,2-diamine Chemical class NC1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1N UDQLIWBWHVOIIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical class C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- CBSFHSKFQDSSQB-UHFFFAOYSA-N n-[4-[3,5-bis[4-(3-methylanilino)phenyl]phenyl]phenyl]-3-methylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C)C=CC=3)=CC=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C)C=CC=3)=CC=2)=C1 CBSFHSKFQDSSQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- VVOPUZNLRVJDJQ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine copper Chemical compound [Cu].C12=CC=CC=C2C(N=C2NC(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2N1 VVOPUZNLRVJDJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は可視光線波長帯域で透過率がほとんど同じであり、これにより白色光を具現することができる有機電界発光素子及びその製造方法に関するものであって、さらに詳細には透過制御膜（ＴＣＬ）及び金属膜を含む有機電界発光素子及びその製造方法を提供する。
有機電界発光素子は基板、前記基板上に位置したアノード（ａｎｏｄｅ）、前記アノード上に位置した発光層（ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）、前記発光層上に位置したカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）で構成される。このような有機電界発光素子において、前記アノードとカソード間に電圧を印加すれば正孔と電子が前記発光層内に注入されて、前記発光層内に注入された正孔と電子は前記発光層で再結合して励起子（ｅｘｉｔｏｎ）を生成して、このような励起子が励起状態から基底状態に転移しながら光を放出するようになる。
このような有機電界発光素子のフルカラー化を推進するためにはＲ、Ｇ及びＢそれぞれに該当する発光層を形成する方法がある。しかしこのような有機電界発光素子はそれぞれのＲ、Ｇ、Ｂ発光層毎に発光効率（Ｃｄ／Ａ）が異なる。またこれによってそれぞれの発光層の輝度の差が生じて、一般的に発光層の輝度は電流値に大体比例する。したがって同一電流を印加した場合ある色は輝度が低くある色は輝度が高く、適正度の色バランスまたはホワイトバランス（ｗｈｉｔｅ ｂａｌａｎｃ）を得にくかった。例えば緑色発光層の発光効率が赤色発光層及び青色発光層に比べて３倍ないし６倍高いため、ホワイトバランスを合せるためには赤色及び青色発光層にそれだけさらに多くの電流を印加しなければならない。
これを解決するために前記単一色の光、すなわち白色光を放出する発光層を形成して、前記発光層から所定色に該当する光を抽出するためのカラーフィルター層または前記発光層から放出される光を所定色の光に変換する色変換層を形成する方法がある。
図１は従来の前面発光型有機電界発光素子を示した断面図である。
図１を参照すると、基板１００を提供して、前記基板１００上に反射膜を含む第１電極１１０を形成する。前記第１電極１１０と前記基板１００間には薄膜トランジスタ及びキャパシタをさらに含めることができる。
前記第１電極１１０上に発光層を含む有機膜層１２０を形成する。前記発光層は単一層または多重層であってもよい。前記有機膜層１２０上に半透過電極である第２電極１３０を形成して有機電界発光素子を完成する。
しかし従来の前面発光型有機電界発光素子は半透過電極である第２電極により共振効果が発現される。一方、フルカラーを具現するために白色発光層とカラーフィルターを用いる場合には白色発光層を具現するために、レッド、グリーン及びブルー発光層の積層構造を利用するが、半透過電極による共振効果のため白色光を具現することができない問題点が生じる。また共振効果によって視野角にしたがって他の波長の光が放出される問題点も発現されうる。このような共振効果は有機膜層の厚さに多く影響を受けるので、有機膜層の厚さ分布によってフィルターリングする光の波長帯域が変わって色相及び輝度が不安定になるようになる問題点を発生させる。
特開２００４−６３４６６号公報
大韓民国特許出願公開第２００６−２００５０号明細書
大韓民国特許出願公開第２００６−４９０５１号明細書
したがって本発明は、前記のような問題点を解決するためのものであって、可視光線波長領域でＲ、Ｇ、Ｂの３ピークの透過率がほとんど同じであり、白色光を具現することができる有機電界発光素子及びその製造方法を提供する。
前記のような目的を達成するために、本発明は、基板と；前記基板上に位置して、反射膜を含む第１電極と；前記第１電極上に位置して、白色発光層を含む有機膜層と；前記有機膜層上に位置する第２電極と；前記第２電極上に位置した透過制御膜（ＴＣＬ）；及び前記透過制御膜上に位置した金属膜を含むことを特徴とする有機電界発光素子を提供する。
また本発明は基板を提供して、前記基板上に反射膜を含む第１電極を形成し、前記第１電極上に白色発光層を含む有機膜層を形成し、前記第１有機膜層上に第２電極を形成し、前記第２電極上に透過制御膜（ＴＣＬ）を形成し、前記透過制御膜上に金属膜を形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法を提供する。
以下、本発明をさらに具体的に説明するために、本発明による望ましい実施形態を、添付した図面を参照してさらに詳細に説明する。しかし本発明は、ここで説明する実施形態に限定されず、他の形態に具体化されることができる。図面において、層が異なる層または基板“上”にあると言及される場合に、それは他の層または基板上に直接形成することができたり、またはそれらの間に第３の層が介在されることもある。明細書全体にかけて同じ参照番号は同じ構成要素を示す。
図２は本発明の一実施形態による有機電界発光素子の断面図である。
図２を参照すると、基板２００を提供して、前記基板２００上に反射膜を含む第１電極２１０を形成する。前記第１電極２１０は二重構造または三重構造にもできる。前記第１電極２１０が二重構造である場合、アルミニウム、銀またはこれらの合金で構成された反射膜及びＩＴＯ、ＩＺＯまたはＩＴＺＯのうちからいずれか一つで構成された透明導電膜が順次に積層された構造とすることができる。また三重構造である場合、チタン、モリブデン、ＩＴＯまたはこれらの合金のうちからいずれか一つで構成された第１金属層、アルミニウム、銀またはこれらの合金のうちからいずれか一つで構成された第２金属層、及びＩＴＯ、ＩＺＯまたはＩＴＺＯのうちからいずれか一つで構成された第３金属層が順次に積層された構造とすることができる。
また前記基板２００と前記第１電極２１０間には薄膜トランジスタ及びキャパシタ等がさらに含まれうる。
前記第１電極２１０上に白色発光層を含む有機膜層２２０を形成する。前記白色発光層は単一層または多重層とすることがある。
前記白色発光層が単一層である場合、それぞれ他の色を出す発光物質とドーパント（Ｄｏｐａｎｔ）を添加して用いる場合とＰＶＫというカルバゾール系分子にＰＢＤ、ＴＰＢ、Ｃｏｕｍａｒｉｎ６、ＤＣＭ１、Ｎｉｌｅ ｒｅｄを適正比率で混ぜる場合を利用して白色光を得ることができる。また相異なる２種の色相の発光物質を混合した後残りの他の発光物質を追加して白色発光物質を得ることができる。例えば、レッド発光物質とグリーン発光物質を混合した後ブルー発光物質を追加して白色発光物質を得ることができる。前記レッド発光物質は高分子物質であるポリチオフェン（ＰＴ；ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）及びその誘導体で構成された群から選択される一つで形成される。また前記グリーン発光物質は低分子物質であるアルミニウムキノリン複合体（Ａｌｑ３）、ＢｅＢｑ２及びＡｌｍｑ、高分子物質であるポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ；ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ））及びその誘導体で構成された群から選択される一つで形成される。また前記ブルー発光物質は低分子物質であるＺｎＰＢＯ、Ｂａｌｑ、ＤＰＶＢｉ及びＯＸＡ−Ｄ、高分子物質であるポリフェニレン（ＰＰＰ；ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）及びその誘導体で構成された群から選択される一つで形成される。
前記白色発光層が多重層である場合、相異なる波長領域の光を放出する二重層で構成することができる。一層はオレンジ−レッド領域の光を放出する発光層であって、他の一層はブルー領域の光を放出する発光層でありうる。またオレンジ−レッド領域の光を放出する発光層は燐光発光層であって、ブルー領域の光を放出する発光層は蛍光発光層でありうる。燐光発光層は同じ波長範囲の光を放出する蛍光発光層に比べて発光特性が優秀であって、蛍光発光層は燐光発光層に比べて寿命特性が優秀である。したがってオレンジ−レッド領域の光を放出する燐光発光層とブルー領域の光を放出する蛍光発光層を積層して形成した白色発光層は発光効率及び寿命特性が優秀でありうる。また二重層である白色発光層は高分子物質、低分子物質またはこれらの二重層で形成することができる。
前記白色発光層が三重層である場合レッド、グリーン及びブルー発光層の積層構造とすることができ、これらの積層順序は特別に限定されない。
前記レッド発光層はＡｌｑ３（ホスト）／ＤＣＪＴＢ（蛍光ドーパント）、Ａｌｑ３（ホスト）／ＤＣＭ（蛍光ドーパント）、ＣＢＰ（ホスト）／ＰｔＯＥＰ（燐光有機金属錯体）等の低分子物質とＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子等の高分子物質を用いることができる。
前記グリーン発光層はＡｌｑ３、Ａｌｑ３（ホスト）／Ｃ５４５ｔ（ドーパント）、ＣＢＰ（ホスト）／ＩｒＰＰＹ（燐光有機物錯体）等の低分子物質とＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子等の高分子物質を用いることができる。
また、前記青色発光層はＤＰＶＢｉ、スピロ−ＤＰＶＢｉ、スピロ−６Ｐ、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジスチリルアリレン（ＤＳＡ）等の低分子物質とＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子等の高分子物質を用いることができる。
また前記有機膜層２２０は正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層及び正孔抑制層のうちから選択される単一層または多重層をさらに含むことができる。
前記正孔注入層は有機電界発光素子の有機発光層に正孔注入を容易にして素子の寿命を増加させうる役割をする。前記正孔注入層はアリールアミン系化合物及びスターバスト型アミン類等で構成することができる。さらに詳細には４，４，４−トリス（３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミノ（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、１，３，５−トリス[４−（３−メチルフェニルアミノ）フェニル]ベンゼン（ｍ−ＭＴＤＡＴＢ）及びフタロシアニン銅（ＣｕＰｃ）等で構成することができる。
前記正孔輸送層はアリーレンジアミン誘導体、スターバスト型化合物、スピロ基を有するビフェニルジアミン誘導体及びラダー型化合物等で構成することができる。さらに詳細にはＮ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４−ジアミン（ＴＰＤ）であったり、４，４−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル（ＮＰＢ）でありうる。
前記正孔抑制層は有機発光層内で電子移動度より正孔移動度が大きい場合正孔が電子注入層に移動することを防止する役割をする。ここで前記正孔抑制層は２−ビフェニル−４−イル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキシジアゾール（ＰＢＤ）、スピロ−ＰＢＤ及び３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）で構成された群から選択された一つの物質からなることができる。
前記電子輸送層は電子をよく収容できる金属化合物で構成されて、カソード電極から供給された電子を安定に輸送できる特性が優秀な８−ハイドロキノリンアルミニウム塩（Ａｌｑ３）で構成することができる。
前記電子注入層は１，３，４−オキシジアゾール誘導体、１，２，４−トリアゾール誘導体及びＬｉＦで構成された群から選択される一つ以上の物質からなることができる。
また前記有機膜層２２０は真空蒸着法、インクジェットプリンティング法またはレーザー熱転写法のうちからいずれか一つを利用して形成することができる。
前記有機膜層２２０上に半透過電極である第２電極２３０を形成する。前記第２電極２３０はマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）またはアルミニウム銀（ＡｌＡｇ）を使うことができる。ここで、前記マグネシウム銀はマグネシウムと銀の共蒸着で形成され、前記アルミニウム銀はアルミニウムと銀を順次に蒸着して積層構造で形成される。また前記第２電極２３０上にＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電膜をさらに形成することができる。
前記第２電極２３０上に透過制御膜（ＴＣＬ）２４０を形成する。前記透過制御膜２４０は前記第２電極２３０の透過率及び反射率を干渉効果を利用して制御し、これにより透過スペクトラムの波長帯域別強さを調節する役割を遂行する。具体的に説明するならば、白色光を具現する有機電界発光素子は可視光線波長帯域（そのうちでも特に４５０〜６５０ｎｍ）における透過率がほとんど等しくなる特性を必要とする。しかし光源スペクトラム自らのレッド、グリーン及びブルーの強さが相異なる可能性が大きいため前記透過制御膜２４０がこれを調節する役割を遂行するのである。
ここで透過スペクトラムとは、前記有機膜層２２０で発光した光が有機電界発光素子の外部に放出された時、波長による放出率をいう。また本願発明における干渉効果は前記透過制御膜２４０と後工程で形成される金属膜の境界面で反射された光が再び下部の前記第２電極２３０の表面で再反射されて外部に出ることを言い、このような干渉効果で最も重要な物性は屈折率である。しかし屈折率は光の波長及び透過制御膜の厚さによって他の値を有しうるので特別に限定しない。
一方、白色光を具現する有機電界発光素子が４５０〜６５０ｎｍ波長帯域で透過スペクトラムが平たくなる特性を有することを最適の設計という。このような最適の設計に対する透過率を基準透過率として設定し、透過率が可視光線波長帯域である４５０〜６５０ｎｍで前記基準透過率の１／２以上ならば、白色光を具現する有機電界発光素子を形成することができる。このような条件を後工程で形成される金属膜２５０との相互作用で満足する前記透過制御膜２４０の光学厚さ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐａｔｈ Ｌｅｎｇｔｈ：ＯＰＬ）は５２０〜２１４０Åである。このような白色光は“光源スペクトラム×透過スペクトラム＝ＥＬスペクトラム”により確認できる。
ここで光学厚さとは前記透過制御膜２４０の屈折率と厚さを掛けた値であって、透過スペクトラムに該当する波長とは比例関係にある。前に言及したように屈折率は波長によって他の値を有することができて、前記透過制御膜２４０の厚さも物質の屈折率によって多様な値を有することができるので、屈折率と厚さを掛けたものが上述した前記透過制御膜２４０の光学厚さを満足するならば、屈折率と厚さは特別に限定しない。
前記透過制御膜２４０の物質は特別に限定しないが、吸収及び反射特性があまりに強ければ好適でないので、純粋金属や透過率が低い物質は除く。ここで前記透過制御膜２４０はＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＭｇＦ２、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＴｅＯ２、ＺｒＯ２、アリーレンジアミン（ａｒｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ）誘導体、トリアミン（ｔｒｉａｍｉｎｅ）誘導体、ＣＢＰまたはアルミニウムキノリン（Ａｌｑ３）複合体で構成された物質のうちからいずれか一つを含むことが望ましい。また前記透過制御膜２４０は真空蒸着法またはリソグラフィ法を利用して形成することができる。
続いて前記透過制御膜２４０上に金属膜２５０を形成する。前記金属膜２５０は前記透過制御膜２４０が最大限機能を遂行することができるように補助してくれる層であって、保護膜やカラーフィルター層のような上部層から前記透過制御膜２４０を分離してくれる遮断膜の役割も遂行する。また前記金属膜２５０は前記透過制御膜２４０との相互作用で、前記透過制御膜２４０の干渉効果を維持させながら前記上部層により前記透過制御膜２４０の機能が相殺されることを防止し、前記上部層による影響も最小化することができるようにする。
また前記金属膜２５０によって光の干渉効果が発現されるので、前記金属膜２５０は光が金属膜により反射される特性である反射率に影響を受ける。
一方白色光を具現する有機電界発光素子が４５０〜６５０ｎｍ波長帯域で透過スペクトラムが平たくなる特性を有することを最適の設計という。このような最適の設計に対する透過率を基準透過率として設定し、透過率が可視光線波長帯域である４５０〜６５０ｎｍで前記基準透過率の１／２以上ならば、白色光を具現する有機電界発光素子を形成することができる。このような条件を前記透過制御膜２４０との相互作用で満足する前記金属膜２５０の反射率は４．３〜４８．３％である。またこのような白色光は“光源スペクトラム×透過スペクトラム＝ＥＬスペクトラム”により確認できる。
また前記金属膜２５０は物質の物性によって同じ厚さに対しても相異なる反射率及び透過率を有するので、４．３〜４８．３％の反射率を満足する物質であれば特別に厚さを限定しない。したがって半透過金属であることを特徴とする。前記半透過金属ではマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、マグネシウムカルシウム合金（ＭｇＣａ）、アルミニウム銀合金（ＡｌＡｇ）またはイッテルビウム銀合金（ＹｂＡｇ）のうちからいずれか一つを含むことが望ましい。また前記金属膜２５０は真空蒸着法またはスパッタリング法を利用して形成することができる。
前記金属膜２５０上には保護膜（図示せず）及びカラーフィルター層（図示せず）をさらに含むことができる。前記保護膜は無機膜、有機膜または有機無機複合膜で形成することができる。望ましくは前記無機膜はＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ｙ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３で構成された群から選択される一つであって、前記有機膜はパリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）またはＨＤＰＥ（ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）であり、前記有機無機複合膜はＡｌ２Ｏ３と有機高分子の複合膜である。
また前記カラーフィルター層は支持チェーンアクリル樹脂以外に顔料、高分子バインダー及び機能性単量体を含むことができ、色相を具現する前記顔料の種類によって赤色カラーフィルター層、緑色カラーフィルター層及び青色カラーフィルター層に区分することができる。前記赤色カラーフィルター層、前記緑色カラーフィルター層及び前記青色カラーフィルター層は前記有機膜層２２０から発光した光をそれぞれ赤色領域の波長、緑色領域の波長及び青色領域の波長で透過させる特性を有する。この時、前記構成物はそれぞれのＲ、Ｇ、Ｂの着色を帯びる。前記高分子バインダーは常温で液状の単量体を現像液から保護し、顔料分散の安定化及びＲＧＢパターンの耐熱性、耐光性及び耐薬品等の信頼性を左右する。前記顔料は耐光性、耐熱性が優秀な有機物粒子で光を散乱させて粒子の大きさが小さいほど透明度が高くて優秀な分散特性を示す。また前記カラーフィルター層は真空蒸着法またはレーザー熱転写法を利用して形成することができる。
これによって本発明の一実施形態による有機電界発光素子を完成する。
以上のように、本発明は透過制御膜及び金属膜を第２電極上に順次に位置させることによって、可視光線波長帯域で透過率がほとんど同じであり、白色光を具現することができる有機電界発光素子を提供することができる。また共振効果を抑制することができ、輝度が向上された有機電界発光素子を提供することができる。
以下、本発明を下記実施形態を挙げて例示するが、本発明の範囲は下記の実施形態によって限られるものではない。
＜実施形態１＞
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を９００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を９００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
＜実施形態２＞
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１０００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１０００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
＜実施形態３＞
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１１００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１１００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
＜実施形態４＞
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１０００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として１３Åの厚さを有する銀を形成した。
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１０００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として１３Åの厚さを有する銀を形成した。
＜実施形態５＞
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１０００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１０００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
＜実施形態６＞
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１０００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として２１０Åの厚さを有する銀を形成した。
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１０００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として２１０Åの厚さを有する銀を形成した。
＜実施形態７＞
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜としてフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）を１０５０Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜としてフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）を１０５０Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
＜実施形態８＞
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜としてフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）を１０３４Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜としてフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）を１０３４Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
＜実施形態９＞
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜としてフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）を１５５０Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜としてフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）を１５５０Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
＜実施形態１０＞
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜としてセレニウム亜鉛（ＺｎＳｅ）を２００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜としてセレニウム亜鉛（ＺｎＳｅ）を２００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
＜実施形態１１＞
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜としてセレニウム亜鉛（ＺｎＳｅ）を４００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜としてセレニウム亜鉛（ＺｎＳｅ）を４００Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
＜実施形態１２＞
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜としてセレニウム亜鉛（ＺｎＳｅ）を６２０Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜としてセレニウム亜鉛（ＺｎＳｅ）を６２０Å厚さに形成した。前記透過制御膜上に金属膜として９０Åの厚さを有する銀を形成した。
＜比較例１＞
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１０００Å厚さに形成した。
基板上に銀を１０００Åの厚さに形成して、前記銀上に７０Å厚さのＩＴＯを形成した。前記ＩＴＯ上に正孔注入層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ４０６を２５０Åの厚さに形成して、前記正孔注入層上に正孔輸送層としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＩＤＥ３２０を１５０Åの厚さに形成した。前記正孔輸送層上にホスト物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＨ２１５、ドーパント物質としてＩＤＥＭＩＴＳＵ社のＢＤ０５２を１％含んだブルー発光層を８０Åの厚さに形成して、前記ブルー発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてＵＤＣ社のＧＤ３３を７％含んだグリーン発光層を１００Åの厚さに形成した。また前記グリーン発光層上にホスト物質としてＵＤＣ社のＣＢＰ、ドーパント物質としてコビオン（ＣＯＶＩＯＮ）社のＴＥＲ００４を１２％含んだレッド発光層を１２０Åの厚さに形成した。前記レッド発光層上に正孔抑制層としてＵＤＣ社のＢａｌｑを５０Åの厚さに形成して、前記正孔抑制層上に電子輸送層としてＡｌｑ３を１００Åの厚さに形成した。前記電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを５Åの厚さに形成した。前記電子注入層上に第２電極であるＡｌを２０Åの厚さに形成して、Ａｇを７０Åの厚さに形成した。前記Ａｇ上に透過制御膜として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１０００Å厚さに形成した。
図３は＜実施形態１＞の透過スペクトラムを示したグラフであって、ｘ軸は波長（単位：ｎｍ）、ｙ軸は透過率（単位：％）を示す。
図３を参照すると、＜実施形態１＞は４５０ｎｍで透過率が０．４を示しつつ上昇して５５０ｎｍで０．６の透過率を示す。また５５０ｎｍでは４５０〜５００ｎｍよりさらに上昇して６００ｎｍで最大透過率である０．７を示す。また６００〜６５０ｎｍで透過率が０．７から０．６に緩やかに減少する。このように＜実施形態１＞は可視光線波長帯域で０．４〜０．７％の透過率を示す。ここで＜実施形態１＞の透過制御膜の屈折率は１．７５であるので、光学厚さは１５７５Åであって、金属膜の反射率は２４．３％である。
図４は＜実施形態２＞の透過スペクトラムを示したグラフであって、ｘ軸は波長（単位：ｎｍ）、ｙ軸は透過率（単位：％）を示す。
図４を参照すると、＜実施形態２＞は大体４７０ｎｍで透過率が大体０．６５と最大を示して、４７０ｎｍを起点に透過率が減少して５００〜６５０ｎｍでは０．６程度の透過率を示す。このように＜実施形態２＞は可視光線波長帯域である４５０〜６５０ｎｍで安定的な透過率を示す。ここで＜実施形態２＞の透過制御膜の屈折率は１．７５であるので、光学厚さは１７５０Åであって、金属膜の反射率は２４．３％である。
図５は＜実施形態３＞の透過スペクトラムを示したグラフであって、ｘ軸は波長（単位：ｎｍ）、ｙ軸は透過率（単位：％）を示す。
図５を参照すると、４５０〜５５０ｎｍで最大透過率である０．８を示し、５５０〜６５０ｎｍで透過率が急激に減少して６００〜６５０ｎｍで透過率が０．５の透過率を示す。このように＜実施形態３＞の透過率は可視光線帯域で透過率が０．８から０．５に減少する変化がある。ここで＜実施形態３＞の透過制御膜の屈折率は１．７５であるので、光学厚さは１９２５Åであって、金属膜の反射率は２４．３％である。
このように＜実施形態１＞、＜実施形態２＞及び＜実施形態３＞の基準透過率は＜実施形態２＞で具現する０．６である。＜実施形態１＞及び＜実施形態３＞の透過率は全て０．３以上であるので、本発明の透過制御膜及び金属膜の基準に適当なことが分かる。
図６は＜実施形態１＞のＥＬスペクトラムを示したグラフであって、図７は＜実施形態２＞のＥＬスペクトラムを示したグラフである。また図８は＜実施形態３＞のＥＬスペクトラムを示したグラフであって、図９は＜比較例１＞のＥＬスペクトラムを示したグラフである。ｘ軸は波長（単位：ｎｍ）であって、ｙ軸は強度（ａ．ｕ．：ａｒｂｉｔｒａｒｙ ｕｎｉｔ）を示す。
図６を参照すると、ブルーピークは波長領域４２４〜４６８ｎｍで最大ピークを示しており、強度は大体０．４であることが分かる。グリーンピークは波長領域５１２〜５５６ｎｍで最大ピークを示しており、強度は大体０．８であることが分かる。またレッドピークは波長領域６００〜６４４ｎｍで最大ピークを示しており、強度は大体１であることが分かる。ここで＜実施形態１＞の透過制御膜の屈折率は１．７５であるので、光学厚さは１５７５Åであって、金属膜の反射率は２４．３％である。
図７を参照すると、ブルーピークは波長領域４２４〜４６８ｎｍで最大ピークを示しており、強度は大体０．６であることが分かる。グリーンピークは波長領域５１２〜５５６ｎｍで最大ピークを示しており、強度は０．９であることが分かる。またレッドピークは波長領域６００〜６４４ｎｍで最大ピークを示しており、強度は大体０．１を示す。ここで＜実施形態２＞の透過制御膜の屈折率は１．７５であるので、光学厚さは１７５０Åであって、金属膜の反射率は２４．３％である。
図８を参照すると、ブルーピークは波長領域４２４〜４６８ｎｍで若干のショルダーが現われ、強度は大体０．４５である。グリーンピークは波長領域５１２ｎｍで最大ピークを示しており、強度は大体１である。またレッドピークは波長領域６００〜６４４ｎｍで最大ピークを示しており、強度は大体０．８である。ここで＜実施形態３＞の透過制御膜の屈折率は１．７５であるので、光学厚さは１９２５Åであって、金属膜の反射率は２４．３％である。
図９を参照すると、ブルーピークは波長領域４２４〜４６８ｎｍで最大ピークを示しており、強度は大体０．３である。グリーンピークは波長領域５１２〜５５６ｎｍで最大ピークを示しており、強度は大体１である。またレッドピークは波長領域６００〜６４４ｎｍで最大ピークを示しており、強度は大体０．７である。ここで＜比較例１＞の透過制御膜の屈折率は１．７５であって、光学厚さは１０７５Åである。
このように＜比較例１＞に比べて＜実施形態１＞、＜実施形態２＞及び＜実施形態３＞のブルー、グリーン及びレッドピークが均一に具現されることが分かる。また＜実施形態１＞、＜実施形態２＞または＜実施形態３＞の中では＜実施形態２＞のブルー、グリーン及びレッドピークが最も均一に具現されることが分かる。
表１は＜実施形態２＞及び＜比較例１＞の色座標を比較した表である。
表１を参照すると、＜実施形態２＞の色座標が＜比較例１＞の色座標に比べてｙ色座標は優秀であるが、ｘ色座標は＜比較例１＞がさらに優秀である。しかし、色座標は（０．３１、０．３１）に近いほどホワイト特性が良いので、全体的には＜実施形態２＞が＜比較例１＞より優秀なことが分かる。
図１０は＜実施形態４＞、＜実施形態５＞及び＜実施形態６＞の透過スペクトラムを示したグラフである。ｘ軸は波長（単位：ｎｍ）、ｙ軸は透過率（単位：％）を示す。
図１０を参照すると、＜実施形態４＞の波長帯域４５０〜６５０ｎｍで透過率が０．３〜０．９を示し、最大ピークは波長帯域５００〜５５０ｎｍで示し、透過率は０．９である。＜実施形態５＞は波長帯域４５０〜６５０ｎｍで大体０．６内外に緩やかな透過率を有する。また＜実施形態６＞は波長帯域４５０〜６５０ｎｍで０．３〜０．７の偏差がある透過率を示す。
このように＜実施形態５＞の透過率が大体０．６付近で透過スペクトラムが平たくなることが分かる。この時の透過率を基準透過率と言っており、この基準透過率の１／２である透過率０．３以上に＜実施形態４＞、＜実施形態５＞及び＜実施形態６＞の透過スペクトラムが位置することが分かる。ここで、＜実施形態４＞、＜実施形態５＞及び＜実施形態６＞透過制御膜の屈折率は１．７５であり、光学厚さは１７５０Åである。また＜実施形態４＞の金属膜の反射率は４．３％、＜実施形態５＞の反射率は２４．３％及び＜実施形態６＞の反射率は４８．３％である。
図１１は＜実施形態７＞、＜実施形態８＞及び＜実施形態９＞の透過スペクトラムを示したグラフである。ｘ軸は波長（単位：ｎｍ）、ｙ軸は透過率（単位：％）を示す。
図１１を参照すると、＜実施形態７＞は波長領域４５０〜６５０ｎｍで透過率が０．３〜０．９となって多少偏差があり、５５０〜６００ｎｍで最大ピークを示しており、透過率は０．９である。また＜実施形態８＞は波長領域４５０〜６５０ｎｍで０．６程度の一定な透過率を示す。また＜実施形態９＞は波長領域４５０〜６５０ｎｍで透過率が大体０．３〜０．９で多少偏差があって、５５０ｎｍで最大ピークを示しており、透過率は０．９である。
＜実施形態７＞、＜実施形態８＞及び＜実施形態９＞の透過制御膜で用いたフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）は屈折率が１．３８であるので、＜実施形態７＞の光学厚さは１４５０Å、＜実施形態８＞の光学厚さは１８００Å、及び＜実施形態９＞の光学厚さは２１４０Åであることが分かる。また＜実施形態７＞、＜実施形態８＞及び＜実施形態９＞の金属膜の反射率は２４．３％である。
また＜実施形態８＞の透過スペクトラムで透過率が大体０．６程度である時、平たくなって、これを基準透過率という。＜実施形態８＞及び＜実施形態９＞の透過スペクトラム基準透過率の１／２である０．３以上に透過率が位置するので、本願発明の透過制御膜及び金属膜の基準に適当なことが分かる。
図１２は＜実施形態１０＞、＜実施形態１１＞及び＜実施形態１２＞の透過スペクトラムを示したグラフである。ｘ軸は波長（単位：ｎｍ）、ｙ軸は透過率（単位：％）を示す。
図１２を参照すると、＜実施形態１０＞は波長領域４５０〜６５０ｎｍで透過率は０．３〜０．９で多少偏差があり、５５０〜６００ｎｍで最大ピークを示しており、透過率は０．９である。また＜実施形態１１＞は波長領域４５０〜６５０ｎｍで０．６程度の一定な透過率を示す。また＜実施形態１２＞は波長領域４５０〜６５０ｎｍで透過率が大体０．３〜０．９で多少偏差があって、４５０〜５００ｎｍで最大ピークを示しており、透過率は大体１である。
＜実施形態１０＞、＜実施形態１１＞及び＜実施形態１２＞の透過制御膜で用いたセレニウム亜鉛（ＺｎＳｅ）は屈折率が２．６であるので、＜実施形態１０＞の光学厚さは５２０Å、＜実施形態１１＞の光学厚さは１０４０Å及び＜実施形態１２＞の光学厚さは１６１０Åであることが分かる。また＜実施形態１０＞、＜実施形態１１＞及び＜実施形態１２＞の金属膜の反射率は２４．３％である。
また＜実施形態１１＞の透過スペクトラムが透過率が大体０．６程度である時、平たくなって、これを基準透過率という。＜実施形態１０＞及び＜実施形態１２＞の透過スペクトラムが基準透過率の１／２である０．３以上に透過率が位置するので、本願発明の透過制御膜及び金属膜の基準に適当なことが分かる。
本発明は透過制御膜及び金属膜を第２電極上に順次に位置させることによって、可視光線波長帯域で透過率がほとんど同じであって白色光を具現することができる有機電界発光素子を提供することができる。また共振効果を抑制することができ、輝度が向上される有機電界発光素子を提供することができる。
本発明を特定の望ましい実施形態に関連して示して説明したが、本発明がそれに限定されるのではなくて、特許請求範囲により提供される本発明の精神や分野を逸脱しない限度内で本発明を多様に改造及び変化することができるということを、当業界で通常の知識を有する者は容易に理解することができる。
１００、２００ 基板
１１０、２１０ 第１電極
１２０、２２０ 有機膜層
１３０、２３０ 第２電極
２４０ 透過制御膜
２５０ 金属膜
１１０、２１０ 第１電極
１２０、２２０ 有機膜層
１３０、２３０ 第２電極
２４０ 透過制御膜
２５０ 金属膜
Claims (11)
- 基板と；
前記基板上に位置して、反射膜を含む第１電極と；
前記第１電極上に位置して、白色発光層を含む有機膜層と；
前記有機膜層上に位置する第２電極と；
前記第２電極上に位置する透過制御膜（ＴＣＬ：Ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｌａｙｅｒ）；及び
前記透過制御膜上に位置する金属膜を含み、
前記透過制御膜の光学厚さは５２０〜２１４０Åであり、
前記金属膜の反射率は４．３〜４８．３％であり、
前記透過制御膜がＡｌ ２ Ｏ ３ 、ＭｇＦ ２ 、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＴｅＯ ２ 、ＺｒＯ ２ 、アリーレンジアミン（ａｒｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ）誘導体、トリアミン（ｔｒｉａｍｉｎｅ）誘導体、ＣＢＰまたはアルミニウムキノリン（Ａｌｑ ３ ）複合体で構成された物質のうちでいずれか一つを含むことを特徴とする有機電界発光素子。 - 前記反射膜はアルミニウム、銀またはこれらの合金のうちからいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
- 前記白色発光層は単一層または多重層であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属膜はマグネシウム、銀、カルシウム、マグネシウム−銀合金（ＭｇＡｇ）、マグネシウム−カルシウム合金（ＭｇＣａ）、アルミニウム−銀合金（ＡｌＡｇ）またはイッテルビウム−銀合金（ＹｂＡｇ）のうちからいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
- 前記有機電界発光素子は前記金属膜上に保護層またはカラーフィルター層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
- 前記多重層はオレンジ−レッド発光層とブルー発光層を含むことを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
- 前記多重層はブルー発光層、グリーン発光層及びレッド発光層を含むことを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
- 基板を提供して、
前記基板上に反射膜を含む第１電極を形成して、
前記第１電極上に白色発光層を含む有機膜層を形成して、
前記第１有機膜層上に第２電極を形成して、
前記第２電極上に透過制御膜（ＴＣＬ）を形成して、
前記透過制御膜上に金属膜を形成し、
前記透過制御膜の光学厚さは５２０〜２１４０Åであり、
前記金属膜の反射率は４．３〜４８．３％であり、
前記透過制御膜がＡｌ ２ Ｏ ３ 、ＭｇＦ ２ 、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＴｅＯ ２ 、ＺｒＯ ２ 、アリーレンジアミン（ａｒｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ）誘導体、トリアミン（ｔｒｉａｍｉｎｅ）誘導体、ＣＢＰまたはアルミニウムキノリン（Ａｌｑ ３ ）複合体で構成された物質のうちでいずれか一つを含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 前記有機膜層は真空蒸着法、インクジェットプリンティング法またはレーザー熱転写法のうちからいずれか一つを利用して形成することを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記透過制御膜は真空蒸着法またはリソグラフィ法を利用して形成することを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記金属膜は真空蒸着法またはスパッタリング法を利用して形成することを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2006-0132925 | 2006-12-22 | ||
| KR1020060132925A KR100796615B1 (ko) | 2006-12-22 | 2006-12-22 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008159582A JP2008159582A (ja) | 2008-07-10 |
| JP5126828B2 true JP5126828B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=39167738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007314006A Active JP5126828B2 (ja) | 2006-12-22 | 2007-12-04 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7955709B2 (ja) |
| EP (1) | EP1936715B1 (ja) |
| JP (1) | JP5126828B2 (ja) |
| KR (1) | KR100796615B1 (ja) |
| CN (1) | CN101207184B (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070126350A1 (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-07 | Lee Jeong I | White organic light emitting device |
| KR100796603B1 (ko) * | 2006-11-28 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| JP2011526424A (ja) | 2008-06-26 | 2011-10-06 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 有機発光ダイオード照明器具 |
| JP5329342B2 (ja) | 2008-09-01 | 2013-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
| KR101156429B1 (ko) * | 2009-06-01 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
| JP2013502742A (ja) * | 2009-08-24 | 2013-01-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 有機発光ダイオード照明器具 |
| EP2471118A2 (en) * | 2009-08-24 | 2012-07-04 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Organic light-emitting diode luminaires |
| EP2471123A2 (en) * | 2009-08-24 | 2012-07-04 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Organic light-emitting diode luminaires |
| US20110204337A1 (en) * | 2009-08-24 | 2011-08-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Organic light-emitting diode luminaires |
| EP2471119A2 (en) * | 2009-08-24 | 2012-07-04 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Organic light-emitting diode luminaires |
| TW201132737A (en) | 2009-08-24 | 2011-10-01 | Du Pont | Organic light-emitting diode luminaires |
| US8716700B2 (en) | 2009-10-29 | 2014-05-06 | E I Du Pont De Nemours And Company | Organic light-emitting diodes having white light emission |
| WO2011059789A2 (en) | 2009-10-29 | 2011-05-19 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Organic light-emitting diode luminaires |
| US20110260141A1 (en) * | 2009-10-29 | 2011-10-27 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Organic light-emitting diode luminaires |
| US8674343B2 (en) | 2009-10-29 | 2014-03-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Organic light-emitting diodes having white light emission |
| US8716699B2 (en) * | 2009-10-29 | 2014-05-06 | E I Du Pont De Nemours And Company | Organic light-emitting diodes having white light emission |
| US20110266524A1 (en) * | 2009-10-29 | 2011-11-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Organic light-emitting diode luminaires |
| KR101127767B1 (ko) * | 2009-12-09 | 2012-03-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 장치 |
| KR101084198B1 (ko) * | 2010-02-24 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20120004193A (ko) * | 2010-07-06 | 2012-01-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 장치 |
| KR101781049B1 (ko) | 2010-11-16 | 2017-09-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
| CN102856501A (zh) * | 2012-08-25 | 2013-01-02 | 东北石油大学 | 一种白光有机发光二极管 |
| KR20140075467A (ko) * | 2012-12-11 | 2014-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법 |
| WO2014109265A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、及び、電子デバイス |
| US20160380227A1 (en) * | 2014-02-24 | 2016-12-29 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element |
| GB2542568B (en) * | 2015-09-22 | 2018-05-30 | Cambridge Display Tech Ltd | An organic light emitting device which emits white light |
| JP5991686B1 (ja) * | 2016-04-14 | 2016-09-14 | Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子および照明装置 |
| CN109638037B (zh) * | 2018-11-15 | 2021-04-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种全彩化显示模块及其制作方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5739545A (en) * | 1997-02-04 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Organic light emitting diodes having transparent cathode structures |
| WO1999028782A1 (en) * | 1997-12-04 | 1999-06-10 | Flat Panel Display Co. (Fpd) B.V. | Display device |
| KR100591636B1 (ko) * | 1998-10-14 | 2006-06-20 | 듀폰 디스플레이즈, 인크. | 발광 다이오드를 위한 안정한 전자 주입 전극으로서의금속 산화물 박층 |
| US6734625B2 (en) | 2002-07-30 | 2004-05-11 | Xerox Corporation | Organic light emitting device (OLED) with multiple capping layers passivation region on an electrode |
| JP4195352B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2008-12-10 | 三星エスディアイ株式会社 | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 |
| US7019331B2 (en) * | 2004-01-22 | 2006-03-28 | Eastman Kodak Company | Green light-emitting microcavity OLED device using a yellow color filter element |
| US7002293B2 (en) * | 2004-01-27 | 2006-02-21 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode with improved light emission through the cathode |
| JP4689176B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2011-05-25 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US7449830B2 (en) | 2004-08-02 | 2008-11-11 | Lg Display Co., Ltd. | OLEDs having improved luminance stability |
| KR100623696B1 (ko) | 2004-08-30 | 2006-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고효율 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법 |
| JP4254668B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2009-04-15 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子および表示装置 |
| KR100601381B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2006-07-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100715500B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2007-05-07 | (주)케이디티 | 미세공동 유기 발광 소자와 광 여기 발광층을 이용한 광원 |
| KR100659579B1 (ko) * | 2004-12-08 | 2006-12-20 | 한국전자통신연구원 | 발광 소자 및 발광 소자의 제조방법 |
| KR20060102446A (ko) * | 2005-03-23 | 2006-09-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법 |
-
2006
- 2006-12-22 KR KR1020060132925A patent/KR100796615B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-11-08 US US11/937,446 patent/US7955709B2/en active Active
- 2007-12-04 JP JP2007314006A patent/JP5126828B2/ja active Active
- 2007-12-21 EP EP20070123983 patent/EP1936715B1/en active Active
- 2007-12-24 CN CN2007103005558A patent/CN101207184B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101207184B (zh) | 2010-11-10 |
| CN101207184A (zh) | 2008-06-25 |
| EP1936715A1 (en) | 2008-06-25 |
| US20080241561A1 (en) | 2008-10-02 |
| EP1936715B1 (en) | 2014-06-11 |
| US7955709B2 (en) | 2011-06-07 |
| JP2008159582A (ja) | 2008-07-10 |
| KR100796615B1 (ko) | 2008-01-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5126828B2 (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| KR100796603B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 | |
| JP4608538B2 (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
| JP5410842B2 (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
| JP5178088B2 (ja) | 有機発光装置 | |
| JP5241128B2 (ja) | 多色表示装置 | |
| JP4654207B2 (ja) | 表示装置 | |
| KR100899423B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 | |
| JP4596340B2 (ja) | 高分子色素を用いた色変換膜およびそれを用いた多色発光有機ｅｌデバイス | |
| JP5292465B2 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| WO2006061954A1 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| US20100051925A1 (en) | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same | |
| CN111403438A (zh) | 有机发光装置 | |
| JP5791129B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 | |
| Raychaudhuri et al. | Performance enhancement of top‐and bottom‐emitting organic light‐emitting devices using microcavity structures | |
| CN104681699B (zh) | 发光元件和显示装置 | |
| JP2007172948A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| D'Andrade et al. | Phosphorescent OLEDs with saturated colors | |
| JP2007172949A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2008016498A (ja) | 白色有機発光素子 | |
| KR20090062085A (ko) | 백색 유기 전계 발광소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081208 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110405 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110705 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120117 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120515 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120522 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120925 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20121003 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121024 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5126828 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |