KR100682846B1 - 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 인듐주석산화물층들 사이에 격벽들을 형성하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 인듐주석산화물층들과 금속전극층들이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 서브 픽셀들을 포함하는 유기 전계 발광 소자는 상기 인듐주석산화물층들 사이에 각기 형성되는 복수의 격벽들을 포함한다. 상기 유기 전계 발광 소자는 인듐주석산화물층들 사이에 격벽들을 형성하므로, 절연막을 형성하는 공정이 필요없어 제조 공정 단계가 감소한다.
절연막, 격벽, 유기 전계 발광 소자

Description

유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
도 1a는 종래의 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 1c는 도 1a의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 Ⅲ-Ⅲ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 2c는 도 2a의 Ⅳ-Ⅳ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 인듐주석산화물층들 사이에 격벽들을 형성하는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
유기 전계 발광 소자는 소정의 전압이 인가되는 경우 소정 파장의 빛을 발생시킨다.
도 1a는 종래의 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 1a를 참조하면, 종래의 유기 전계 발광 소자는 인듐주석산화물층들(Indium Tin Oxide Films: 100, ITO층들) 및 금속전극층들(102)이 교차하는 액티브 영역에 형성되는 복수의 픽셀들을 포함한다.
ITO층들(100) 사이에는 절연막이 형성되어 있다.
도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 1b를 참조하면, 종래의 유기 전계 발광 소자는 기판(110), ITO층들(100), 유기물층들(114), 금속전극층들(102) 및 절연막들(112)을 포함한다.
ITO층들(100)은 애노드에 해당하며, 도 1b에 도시된 바와 같이 패터닝되어 있다.
절연막들(112)은 ITO층들(100) 사이에 형성되어 있다.
유기물층들(114)은 ITO층들(100) 위에 증착된다.
금속전극층들(102)은 유기물층들(114) 위에 형성된다.
도 1c는 도 1a의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 1c를 참조하면, 종래의 유기 전계 발광 소자는 ITO층(100) 위에 절연막들(112)이 형성되고, 절연막들(112) 위에 복수의 격벽들(114)이 형성된다.
도 1b와 도 1c를 다시 참조하면, 절연막들(112)과 격벽들(114)은 모두 절연체이다. 다만, 격벽들(114)은 금속전극층들(102) 사이의 연결을 방지하기 위하여 순차적으로 적층된 ITO층(100), 유기물층(114) 및 금속전극층(102)의 전체 높이보다 높게 형성되는 점만이 절연막들(112)과 다를 뿐이다.
그럼에도 불구하고, 절연막들(112)을 형성하는 공정과 격벽들(114)을 형성하는 공정이 서로 다른 챔버(Chamber) 내에서 행해진다.
즉, 절연막들(112)과 격벽들(114)이 실질적으로 동일한 기능을 수행한다는 점을 생각하면 서로 다른 챔버내에서 별도로 제조 공정이 수행되어야 한다는 것은 공정 단계의 손실이다.
그러므로, 절연막과 격벽을 하나로 하여 제조 공정 단계를 줄일 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법이 요구된다.
본 발명의 목적은 인듐주석산화물층들 사이에 격벽들이 형성되는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 인듐주석산화물층들과 금속전극층들이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 서브 픽셀들을 포함하는 유기 전계 발광 소자는 상기 인듐주석산화물층들 사이에 각기 형성되는 복수의 격벽들을 포함한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자 제조 방법은 기판 위에 패터닝된 인듐주석산화물층들을 형성하는 단계; 상기 인듐주석산화물층들 사이에 제 1 격벽들을 형성하는 단계; 상기 인듐주석산화물층들의 영역들 중 액티브 영역 위에 각기 유기물층을 증착하는 단계; 및 상기 유기물층들 위에 각기 금속전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 인듐주석산화물층들 사이에 제 1 격벽들을 형성하므로, 절연막을 형성하는 공정이 필요없어 제조 공정 단계가 감소한다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 인듐주석산화물층 위에 절연막 형성없이 제 2 격벽들을 형성하므로, 상기 유기 전계 발광 소자가 얇아질 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 인듐주석산화물층들(Indium Tin Oxide Films: 200, ITO층들)과 금속전극층들(202)이 교차하는 액티브 영역에 형성되는 복수의 서브 픽셀들을 포함한다.
상기 서브 픽셀들은 각기 ITO층(200), 유기물층 및 금속전극층(202)을 포함한다.
상기 유기물층은 정공수송층(Hole Transporting Layer, HTL), 발광층(Emitting Layer, ETL) 및 전자수송층(Electron Transporting Layer, ETL)을 포함한다.
ITO층(200)에 소정의 양의 전압이 인가되고 금속전극층(202)에 소정의 음의 전압이 인가되는 경우, 상기 유기물층은 소정 파장의 빛을 발생시킨다.
ITO층들(200) 사이에는 제 1 격벽이 각기 형성된다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다.
도 2b는 도 2a의 Ⅲ-Ⅲ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 2b를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 기판(210) 위에 ITO층들(200), 제 1 격벽들(204), 유기물층들(212) 및 금속전극층들(202)을 포함한다.
ITO층들(200)은 애노드에 해당하며, 도 2b에 도시된 바와 같이 패터닝되어 있다.
제 1 격벽들(204)은 ITO층들(200) 사이에 형성되고, 절연체이다.
유기물층들(212)은 ITO층들(200) 위에 증착된다.
금속전극층들(202)은 유기물층들(212) 및 제 1 격벽들(204) 위에 증착된다. 즉, 제 1 격벽들(204)은 기판(210) 위에 순차적으로 적층된 ITO층(200), 유기물층 (212) 및 금속전극층(202)의 전체 높이보다 작다.
또한, 금속전극층(202)은 제 1 스캔 라인들(206) 위에 증착된다.
그러므로, 집적회로칩(미도시)으로부터 전송되는 스캔 신호들이 제 1 스캔 라인들(206)을 통하여 금속전극층(202)에 제공된다. 여기서, 상기 집적회로칩은 상기 유기 전계 발광 소자를 구동시키는 구동 소자를 포함하는 칩이다.
요컨대, 종래의 유기 전계 발광 소자에서는 ITO층들 사이 및 제 1 스캔 라인들 위에 절연막이 증착되었었으나, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 ITO층들(200) 사이 및 ITO층들(200)과 제 1 스캔 라인들(206) 사이에 상기 절연막과 동일한 기능을 수행하는 제 1 격벽들(204)을 형성한다.
그 결과, 제 1 스캔 라인들(206)은 금속전극층들과 제 1 스캔 라인들을 연결시키기 위한 연결홀을 가졌던 종래의 유기 전계 발광 소자에서와 달리 연결홀들이 필요없다. 즉, 제 1 스캔 라인들(206) 위에 금속전극층들(202)이 각기 형성되므로, 제 1 스캔 라인들(206)은 별도의 연결홀 없이 금속전극층들(202)와 연결된다.
도 2c는 도 2a의 Ⅳ-Ⅳ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 2c를 참조하면, ITO층(200) 위에 제 2 격벽들(216)이 형성된다.
종래의 유기 전계 발광 소자에서는 ITO층 위에 절연막이 형성되고, 그런 후 상기 절연막 위에 격벽이 형성되었었다. 반면에, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에서는 ITO층(200) 위에 절연막의 형성없이 제 2 격벽들(216)이 ITO층(200) 위에 형성된다.
그러므로, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 상기 절연막의 높이만큼 종래의 유기 전계 발광 소자보다 얇아질 수 있다.
도 2b 및 도 2c를 다시 참조하면, 제 1 격벽들(204) 및 제 2 격벽들(216)이 동일한 챔버(Chamber) 내에서 다른 마스크를 이용함에 의해 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 종래의 유기 전계 발광 소자와 달리 절연막 형성 공정이 없다. 그 결과, 본 발명의 유기 전계 발광 소자를 제조하는 공정이 종래의 유기 전계 발광 소자 제조 공정에 비하여 제조 공정 단계가 줄어든다.
이하, 본 발명의 유기 전계 발광 소자를 제조하는 과정을 상술하겠다.
기판(210) 위에 ITO층들(200)이 소정 패턴으로 형성된다.
이어서, ITO층들(200) 사이에 제 1 격벽들(204)이 형성되고, ITO층들(200)을 가로지르며 ITO층들(200) 위에 제 2 격벽들(216)이 형성된다.
계속하여, ITO층들(200) 위에 유기물층(212)이 형성된다.
이어서, 유기물층(212) 위에 금속전극층(202)이 형성된다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 인듐주석산화물층들 사이에 제 1 격벽들을 형성하므로, 절연막을 형성하는 공정이 필요없어 제조 공정 단계가 감소하는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 인듐주석산화물층 위에 절연막 형성없이 제 2 격벽들을 형성하므로, 상기 유기 전계 발광 소자가 얇아질 수 있는 장점이 있다.

Claims (5)

  1. 인듐주석산화물층들과 금속전극층들이 교차하는 영역들에 형성되는 복수의 서브 픽셀들을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    상기 인듐주석산화물층들 사이의 영역에 형성되는 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 서브 픽셀은 순차적으로 적층된 상기 인듐주석산화물층, 유기물층 및 상기 금속전극층을 포함하고,
    상기 격벽의 높이는 상기 순차적으로 적층된 인듐주석산화물층, 유기물층 및 금속전극층의 전체 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 기판 위에 패터닝된 인듐주석산화물층들을 형성하는 단계;
    상기 인듐주석산화물층들 사이의 영역에 제 1 격벽을 형성하는 단계;
    상기 인듐주석산화물층의 액티브 영역 위에 유기물층을 증착하는 단계; 및
    상기 유기물층 위에 금속전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 인듐주석산화물층의 영역 중 상기 액티브 영역 이외의 영역에 제 2 격벽을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 격벽은 상기 순차적으로 형성된 인듐주석산화물층, 유기물층 및 금속전극층의 전체 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
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