JPH06239635A - 大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置 - Google Patents

大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板の損傷や歪みを回避するようにガラス基
板の均一な加熱および冷却を提供する。 【構成】 薄膜プロセスに適したガラス基板３２は、真
空チャンバ内の放射加熱および冷却によってまとめてプ
ロセス温度まで加熱されてプロセス後に冷却される。こ
の加熱および／または冷却チャンバは加熱または冷却さ
れる伝導棚２８を含んだカセット１０を装備しており、
この伝導棚２８は支持部３０上に設置されたガラス基板
３２により綴じ込まれているので、棚２８と基板３２と
の間には間隙が存在する。棚２８が加熱および冷却をす
ると、ガラス基板３２はこの棚２８により放射加熱また
は冷却される。基板のプロセスのための真空システム
は、基板上に１またはこれ以上の薄膜を堆積できる１度
に１つずつの膜プロセスチャンバと本発明のチャンバと
を組みあわせて使用する基板の一括型加熱部および冷却
部を含んでいる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大きなガラス基板を加
熱および冷却する方法とこのプロセスを行うために適合
した装置に関する。特に、本発明は膜プロセス中の大き
なガラス基板を加熱および冷却するための方法およびこ
のための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタは、これまでに、モニ
ター、フラットパネルディスプレイや太陽電池等に使用
するために大きなガラス基板または板上に作られてき
た。このトランジスタは真空チャンバ内において、非晶
質シリコン、両ドープ性や真性のもの、二酸化珪素、シ
リコンナイトライド等を含む様々な膜を順次堆積するこ
とにより製造される。トランジスタのための薄膜は、例
えば化学的気相成長法（以下、ＣＶＤ法）により堆積す
ることができる。
【０００３】ＣＶＤ法は、３５０℃〜４００℃程度の温
度に基板を保持することが必要である比較的高温のプロ
セスである。ＣＶＤ膜プロセスはシリコンウェハ内の集
積回チャネルの製造に広く用いられている。シリコンは
伝導材料であり、ウェハを破壊したり反らせたりせずに
非常に速く加熱および冷却させられることができる。し
かしながら、ガラスは非常に砕けやすい絶縁材料であ
り、非常に高速に冷却または加熱した場合にはこれは反
ったり亀裂が生じたりしがちである。したがって、熱的
ストレスやこれによるダメージを回避するために大面積
のガラス基板の加熱または冷却の速度（割合）の調整に
は多大な注意を要する。
【０００４】現在、ガラス基板上に薄膜を堆積するため
に使用される装置は、通常、プロセスのためにいくつか
のガラス基板を単一の大きな金属の搬送板（ｃａｒｒｉ
ｅｒｐｌａｔｅ）上に設置している。真空プロセスチャ
ンバは大きく、搬送板およびガラス基板の熱容量（ｔｈ
ｅｒｍａｌ ｍａｓｓ）により、プロセス温度の加熱は
長時間を要する（２０分間以上）。
【０００５】現在半導体産業のための薄膜装置は徐々に
単一の基板プロセスないし枚葉式処理に移行している。
というのは、個々のプロセスチャンバは非常に小さく作
製することができ、プロセスがうまく制御でき、そして
搬送板の必要性は除去されうるからである。さらに、近
年の半導体装置は徐々に真空チャンバからウェハを取り
出すことなくウェハに１以上のプロセス工程を施すこと
ができるシステムに移行しており、この結果、簡単に不
良品としてはねられるデバイスの原因となる微粒子を減
少させる。このようなシステムは、例えばＭａｙｄａｎ
らの米国特許４，９５１，６０１号で述べられているア
プライド マテリアル ５０００シリーズのプロセスチ
ャンバのような、様々なプロセスチャンバに結びつけら
れた中心ロボットチャンバ（ｃｅｎｔｒａｌ ｒｏｂｏ
ｔｉｃ ｃｈａｍｂｅｒ）を含んでいる。
【０００６】大きなガラス基板は同様の方法で処理（ｐ
ｒｏｃｅｓｓ）されることが望ましく、単一枚葉式の基
板膜プロセスチャンバを用いて単一の真空システムにお
いてトランジスタ形成するための多層薄膜を堆積する。
この利点は、小型のプロセスチャンバが利用可能であ
り、真空システムは清浄なシステムとなり、微粒子の汚
染を除去または大幅に減少させ、このプロセスがより制
御可能となり、均一となることである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
基板の温度の加熱および冷却に要する時間の長さのた
め、例えば、大面積のガラス基板を約４００℃まで加熱
したり、プロセス後に再び室温まで冷却するには、基板
の損傷と歪みを回避するために双方に約５分間が必要で
あるため、いくつかのガラス基板はシステムのスループ
ットを改善するために同一の時間で加熱または冷却され
なければならない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】発明者らは、真空の環境
下で放射の原理を用いて基板を加熱および冷却すること
で、基板の歪みや破壊を回避する均一な手法を用いる斬
新な加熱および／または冷却カセットにおいて、ガラス
基板上の薄膜の堆積のためのガラス基板をプロセス温度
まで加熱することが可能であり、また、プロセスが完了
した後に冷却することができることを見出だした。この
ガラス基板は、本発明に係る一括型（ｂａｔｃｈ−ｔｙ
ｐｅ）の加熱および冷却カセットで加熱および冷却され
る。
【０００９】本発明に係る加熱および冷却は、１群の複
合（ｍｕｌｔｉｐｌｅ）ガラス基板が熱伝導体の棚に綴
じ込まれる（ｉｎｔｅｒｌｅａｖｅｄ）特別に設計され
たカセットにおいて行われる。この棚は、基板の両側部
上の放射および気体の伝導によってガラス基板に熱を
（加熱部／時）に伝導して（冷却部／時）から伝導し、
それゆえ、基板の亀裂や歪みを回避する均一な加熱およ
び冷却を提供する。加熱および冷却の速度（割合）は、
棚の温度、棚の材料の放射率および真空度によって左右
される。ガラス基板は、ガラス基板とガラスの両面上の
棚との間隙を与える棚上の設置台（ｍｏｕｎｔｓ）に支
持される。カセットは、ガラス基板の真空での取扱いお
よび処理を行うスシステムの一部分である加熱／冷却真
空チャンバ内に配置されている。
【００１０】上記発明に利用する高温での薄膜の適用に
適当なシステムは、ＮｏｒｍａｎＴｕｒｎｅｒらの関連
出願、米国特許出願第０８／０１０６８４号、「スルー
プットを改善した真空プロセス装置（ＶＡＣＵＵＭ Ｐ
ＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＨＡＶＩＮ
Ｇ ＩＭＰＲＯＶＥＤ ＴＨＲＯＵＧＨＰＵＴ）」にそ
の詳細が記載されている。
【００１１】
【実施例】本発明に係る加熱／冷却カセットは、それぞ
れが断面図および斜視図である図１および図２を参照し
てさらに説明される。
【００１２】加熱／冷却カセット１０は、側壁部１２お
よび１４と底壁部１６とを備えている。蓋部１８は、カ
セット１０の頂部に固定さている。包囲チャンバ９に設
けられている付加的な側壁部１３および１５（図２に示
されている）は、側壁部１２および１４に対して垂直に
配置されている。側壁部１３（システム４０に隣接して
いる）は、ガラス板をこれを通してカセット１０の内お
よび外へ搬送できるスリットバルブ１１を装備している
（ｉｓ ｆｉｔｔｔｅｄ）。
【００１３】側壁部１２および１４は、電気抵抗加熱コ
イル２０および冷却ガスまたは液体が循環できる冷却チ
ャネル２２を装備している。例えば、ヘリウムのような
冷却ガスや水のような液体は、適当なポンプ（図示せ
ず）によってチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）２２内を可制
御に循環させられる。
【００１４】底壁部１６は、冷却媒体の循環のためのイ
ンレットおよびアウトレットパイプ２４および２６、電
源（図示せず）に接続された加熱コイル２０のための電
線を包含するためチャネル２７をそれぞれ装備してい
る。同じチャネル２４、２６は、加熱コイル２０を囲む
ために、そしてチャネル２２内を冷却ガスや液体を循環
させたりするために用いることも可能である。
【００１５】側壁部１２および１４の内側は、複数の熱
伝導棚２８を装備している。棚２８は、棚２８の温度の
高速かつ均一な制御を確実にするために壁１２および１
４に良好に接触していなくてはならず、壁１２および１
４が加熱されるか冷却されるかに依存している。棚２８
は、アルミニウム、銅、ステンレス鋼被覆銅などを含ん
だ金属などの良熱伝導体で作られる。
【００１６】棚２８上に位置しているまたはそこへ固定
されている複数の支持部３０は、高温ガラスまたは石英
などの（熱）伝導しない材料で適切に作られる。支持部
３０は、棚２８と基板３２との間に間隙を有するように
プロセスされるガラス基板３２を支持するように機能す
る。この間隙は、確実に、棚のガラスへの直接接触がガ
ラスを歪ませたり亀裂を生じさせたりすることを回避す
る。このガラスは、基板３２と棚２８との直接接触によ
ってではなく、むしろ放射およびガスの伝導により間接
的に加熱および冷却される。さらに、ガラス基板３２と
棚２８との間に間隙を導入することにより、ガラス基板
３２の両側面からの加熱および冷却を提供して、より高
速かつ均一な基板の加熱および冷却をすることができ
る。
【００１７】伝導棚２８の温度は、側壁部１２および１
４にある加熱コイルまたはチャネル２０，２２内の冷却
媒体により調節され、壁には伝導棚２８が接触または取
り付けられている。伝導棚２８は、加熱および冷却の配
置で壁１２および１４に接触していなければならない。
ガラス基板の加熱および冷却の速度（ｒａｔｅ）は棚材
料の放射率、ガラス自体の放射率およびチャンバの真空
度によって決定され、十分に低速にできるので、ガラス
の亀裂を回避することができる。Ｓｔｅｐｈａｎ−Ｂｏ
ｌｔｚｍａｎｎ方程式で記述された熱輸送は、以下の方
程式（１）で与えられる。
【００１８】 （１） Ｅｒ＝｛（σε1 ε2 ）／（ε1 ＋ε2 −ε1 ε2 ）｝・（Ｔ1 4 −Ｔ2 4 ） ここで、 Ｅｒは、Ｗａｔｔ／ｃｍ2 でのエネルギー輸送量、 Ｔ1 は、Ｋ°での棚の温度、 Ｔ2 は、Ｋ°でのガラスの温度、 ε1 は、棚の放射率、 ε2 は、ガラスの放射率、 σは、Ｓｔｅｐｈａｎ−Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ定数、 であり、ガスの伝導による熱輸送は、ガス圧に比例して
以下の方程式（２）で与えられる。 （２） Ｅｃ＝［｛Λ（Ｔ1 −Ｔ2 ）β｝／（ｄ＋２βｃ）］・Ｐ ここで、 Ｅｃは、Ｗａｔｔ／ｃｍ2 での熱エネルギー、 Λは、Ｋ°での平均伝導度、 ｄは、ｃｍでの板間の間隔、 βは、ガス容量定数、 ｃは、ｍｉｃｒｏｎｓ（μｍ）でのガス平均自由工程、 Ｔ1 およびＴ2 は、上記方程式（１）で与えられる意味
を有する。一括処理される基板の数は、経済的プロセス
を提供するように調整されなければならない。
【００１９】一括型の工程においてガラス基板３２を加
熱および冷却することによって、個々の基板の加熱およ
び冷却のために更なる時間が得られるので、ガラスの歪
みや亀裂を防止することができる。
【００２０】この加熱／冷却チャンバが用いられるシス
テム４０の働きを図３に示す。中心ロボットチャンバ５
０は、ガラス基板３２を加熱／冷却カセット１０からチ
ャンバ５０に隣接した側壁部１３における適当な開口ま
たはスリットバルブ１１を通して搬送するロボット（図
示せず）を含んでいる。ガラス基板がＣＶＤプロセス温
度に達した時には、このロボットは、薄膜をそのウェハ
に堆積するために単一の基板３２をプロセスチャンバ５
２，５４，５６または５８中の一つに搬送する。ロボッ
トは、ガラス基板３２をプロセスチャンバ５２，５４，
５６および５８から他へ矢印５１によって示される所定
の順序で搬送する。プロセスが完了したのち、ロボット
は周囲の温度に冷却するために基板３２をカセット１０
に搬送しなおす。従って、１群のガラス基板３２は本発
明のカセットにおいてプロセス温度まで加熱され、１度
に１つずつ種々の薄膜がＣＶＤプロセスチャンバ内でこ
れらの上に堆積され、そして１群の基板は周囲の温度に
再び冷却される。包囲チャンバ９の側壁部１５における
スリットバルブ５９は、システム４０内へのガラス基板
３２の装填および脱着を許容する。
【００２１】上記ではプロセスチャンバはＣＶＤとした
が、真空システム４０に、例えば物理的気相堆積チャン
バ、エッチチャンバ、前清浄チャンバなど他のプロセス
チャンバが付加されても、また、代わりに使用されるこ
とも可能である。
【００２２】そして、本発明の好適実施例によれば、シ
ステム４０に分離または複合した加熱および冷却チャン
バ４２および４４が提供されることとしてもよい。図４
は加熱チャンバ４２および加熱カセット４３の断面図で
あり、図５は加熱チャンバ４２の斜視図である。加熱チ
ャンバ４２は、側壁部１２および１４において抵抗加熱
コイルのみを含んだ加熱カセット４３を含んでおり、側
壁部１３における単一スリットバルブ１１はロボットチ
ャンバ５０に接続されている。
【００２３】図６および図７は、それぞれ冷却／ロード
ロックチャンバ１４および冷却カセット４５の断面図お
よび斜視図である。冷却カセット４５は、側壁部１２お
よび１４において循環する冷却媒体のためのチャネルの
みを含んでいる。しかしながら、冷却カセット４５はロ
ードロックチャンバーとしても機能し、従って側壁部１
３および１５のそれぞれは、その中にスリットバルブ１
１，５９を有している。１群の基板は側壁部１５内のス
リットバルブ５９（図７）を通して冷却チャンバ４４内
に搬送される。すべての棚が満たされてた場合、スリッ
トバルブ５９が閉められ、チャンバ４４が従来の真空ポ
ンプ（図示せず）によって真空にさせられる。所望の圧
力に到達したときには、ロボットチャンバ５０に隣接し
た側壁部１３内のスリットバルブ１１は基板３２を１度
に１つずつ加熱チャンバ４２に搬送するロボットを受け
入れられるように開く。真空システム４０の最大効率の
ために、２つの冷却／ロードロックチャンバー４４が提
供されているので、１群のガラス基板３２が処理されて
いる時に２番目の群のガラス基板３２がシステム４０内
に大気圧において装填されチャンバ４４Ａにおいて真空
にされる。
【００２４】図８は、大面積ガラス基板プロセスのため
の真空システムに係る好適実施例の平面図であり、同一
部分の部分番号は図１〜７で記載したものと同一であ
る。
【００２５】図２、５および７を再度参照すると、本発
明の加熱および冷却カセットは、昇降装置（ｅｌｅｖａ
ｔｏｒ）６０上に設置されている。この昇降装置はカセ
ット４３および４５を上げたり下げたりするので、ガラ
ス基板３２のそれぞれの搬送後に異なる伝導棚２８がロ
ボットに与えらる。これらの昇降装置の機構は従前のも
のであり、ここでその詳細について説明する必要はな
い。昇降装置の機構自体はシステム４０の外にすること
ができ、システム４０の低壁を通し、シールを介して接
続されている。したがって、カセット４３，４５は矢印
６２の方向に移動し、搬送中においてガラス基板３２は
矢印６４の方向へ移動する。
【００２６】ガラス基板は第１に真空にされるロードロ
ック／冷却カセットに装填される。一度に加熱または冷
却されるガラス基板の数に制限はないが、この数は加熱
／冷却カセットの便利な大きさやガラス基板の加熱、搬
送およびプロセスに要する相対的時間量に依存して選択
される。そして、ガラス基板は１つずつプロセス温度
（例えば、約３５０〜４００℃）に放射加熱される本発
明の加熱カセットに搬送される。ロードロックチャンバ
ーが空になった後、再度装填されて真空引きされる場合
には、バルブが閉められて大気に通気させられる。
【００２７】そして、ガラス基板は１度に１つずつ、１
またはこれ以上の薄膜をその上に堆積するための１また
はこれ以上の膜プロセスチャンバに搬送される。全ての
堆積が完了した後、ガラス基板は冷却カセットに搬送し
戻され、新しいガラス基板が加熱カセット内に再設置さ
れる。最後のガラス基板が冷却チャンバカセットにおい
て交換された後、真空側のスリットバルブは閉まってロ
ードロック／冷却チャンバは大気に通気させられる。こ
の間にガラス基板は室温まで冷却させられる。
【００２８】改良されて好適なプロセスにおいては、１
群の大面積ガラス基板は、冷却／ロードロックチャンバ
におけるカセット内に搬送され、ここで板は真空にさ
れ、ＣＶＤまたは他のプロセス温度にされる加熱チャン
バおよび加熱カセット搬送され、１つずつ１またはこれ
以上の基板プロセスチャンバに搬送され、ロードロック
チャンバ内の冷却カセットに搬送しなおされ、ここで周
囲の温度に冷却されて大気圧に通気させられる。この
後、基板は真空システムの外へ搬送される。
【００２９】このように、本発明の真空加熱および／ま
たは冷却カセットはガラス基板を両側からゆっくりと放
射により加熱および冷却することができ、板への損傷を
回避することができる。すなわち、複数の基板を一度に
加熱および冷却させることができ、１度に１つずつの膜
プロセスの利点を維持しつつプロセスの経済性を大幅に
改善する。
【００３０】本発明は特定実施例で記述されたが、本発
明は上記に限られるものでなく、種々の変形が考えら
る。例えば、ここで述べたようなカセット、棚、ガラス
基板支持部などには他の種々の材料が代替可能であり、
カセット棚は上記のように間接的でなくても棚自体内の
適当なチャネル手段によって直接的に加熱および冷却す
ることができる。本発明のカセットは、１またはこれ以
上の一括型ＣＶＤまたは他のプロセスチャンバに接続す
ることができ、また、１つ以上一括型の加熱および／ま
たは冷却チャンバは１またはこれ以上のプロセスチャン
バに接続することができる。また、本発明の加熱および
／または冷却チャンバは、お互いにまたは他のプロセス
チャンバ（例えば、前清浄、エッチまたは物理的気相堆
積チャンバ）に接続することもできる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の真空加熱および／または冷却カ
セットはガラス基板を両側からゆっくりと放射により加
熱および冷却することができ、板への損傷を回避するこ
とができる。すなわち、複数の基板を一度に加熱および
冷却させることができ、１度に１つずつの膜プロセスの
利点を維持しつつプロセスの経済性を大幅に改善する。
【図面の簡単な説明】
【図１】大きなガラス基板の加熱および冷却に適したカ
セットの断面図である。
【図２】本加熱／冷却カセットの斜視図である。
【図３】本加熱／冷却カセットが一部分をなすガラス基
板プロセスシステムの平面図である。
【図４】本発明の加熱カセットの断面図である。
【図５】図３の加熱カセットの斜視図である。
【図６】本発明のロードロック／冷却カセットの断面図
である。
【図７】図４のロードロック／冷却カセットの斜視図で
ある。
【図８】本発明の分割加熱および冷却カセットのを含む
ガラス基板プロセスシステムの変形例の平面図である。
【符号の説明】
１０…カセット、１２，１４…側壁部、１６…底壁部、
１８…蓋部、２０…抵抗加熱コイル、２２…冷却チャネ
ル、２４…インレットパイプ、２６…アウトレットパイ
プ、２７…チャネル、２８…棚、３０…支持部、３２…
ガラス基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン マックネイル ホワイト アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94541， ヘイワード， コロニー ヴュ ー プレイス 2811 (72)発明者 デイヴィッド バークストレッサー アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95030， ロス ガトス， ベアー クリ ーク ロード 19311

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理されるガラス基板に対する少なくと
    も１つの加熱または冷却チャンバを含む真空システムに
    おいて、 ａ）前記チャンバ内の加熱または冷却カセット側壁部内
    を加熱または冷却する手段と、 ｂ）側壁部に接触した複数の熱伝導棚であって、前記棚
    へまたは前記棚から熱を伝導させるための熱伝導棚と、 ｃ）前記伝導棚上に設置された前記ガラス基板のための
    支持部であって、前記基板と前記棚との間に間隙を与
    え、前記ガラス基板の前記棚への直接接触を避ける支持
    部と、を備える真空システム。
  2. 【請求項２】 前記カセットは、電源に接続された前記
    側壁部内の抵抗加熱コイルを用いた加熱のために適合さ
    れている請求項１に記載の真空システム。
  3. 【請求項３】 前記カセットは、前記側壁部内の冷却媒
    体を循環させるためのチャネル手段により冷却されるた
    めに適合されている請求項１に記載の真空システム。
  4. 【請求項４】 前記カセットは、電源に接続された前記
    側壁部内の抵抗加熱コイルを用いた加熱、および前記側
    壁部内の冷却媒体を循環させるためのチャネル手段によ
    る冷却の両方に適合されている請求項１に記載の真空シ
    ステム。
  5. 【請求項５】 昇降装置機構は、前記カセットを上昇お
    よび下降させてロボットがチャンバ内の１以上のガラス
    基板に接近可能である請求項１に記載の真空システム。
  6. 【請求項６】 分離加熱および冷却チャンバが具備され
    ている請求項１に記載の真空システム。
  7. 【請求項７】 冷却チャンバが複数のガラス基板を前記
    真空システム内に搬送するロードロックチャンバとして
    も機能する請求項１に記載の真空システム。
  8. 【請求項８】 可制御で均一な手段でガラス基板を加熱
    および／または冷却する加熱／冷却チャンバにおいて、 ａ）前記チャンバ内のカセットの内側の側壁部を加熱お
    よび／冷却する手段と、 ｂ）放射加熱または冷却により前記ガラス基板へのまた
    は前記ガラス基板からの熱の伝導のために前記側壁に接
    触した複数の熱伝導棚と、 ｃ）前記ガラス基板のために前記棚上に設置されて、前
    記ガラス基板に対する接触を最小にするため前記基板と
    前記棚との間隙を与える支持部と、を備える加熱／冷却
    チャンバ。
  9. 【請求項９】 前記カセットは、電源に接続された前記
    側壁部内の抵抗加熱コイルを用いた加熱のために適合さ
    れている請求項８に記載の加熱／冷却チャンバ。
  10. 【請求項１０】 前記カセットは、前記側壁部内に冷却
    媒体を循環させるチャネル手段による冷却のために適合
    されている請求項８に記載の加熱／冷却チャンバ。
  11. 【請求項１１】 前記カセットは、電源に接続された前
    記側壁部内の抵抗加熱コイルを用いた加熱、および前記
    側壁部内の冷却媒体を循環させるためのチャネル手段に
    よる冷却の両方に適合されている請求項８に記載の加熱
    ／冷却チャンバ。
  12. 【請求項１２】 １つの伝導棚の幅で連続的に前記カセ
    ットを上昇させたり下降させたりする昇降装置上にさら
    に設置されている請求項８に記載の加熱／冷却チャン
    バ。
  13. 【請求項１３】 前記チャンバは排気手段に接続されて
    いる請求項１０に記載のチャンバ。
  14. 【請求項１４】 真空中におけるガラス基板の加熱およ
    び／または冷却方法において、 ａ）１またはこれ以上の不伝導（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉ
    ｃ）支持部で前記ガラス基板を支持し、 ｂ）棚と前記基板とに間隙を有するように前記基板の両
    側に前記熱伝導棚を提供し、 ｃ）棚を加熱または冷却して、基板の損傷または歪みを
    回避するような割合で放射により間接的にガラス基板を
    加熱または冷却する、ことを備えるガラス基板の加熱お
    よび／または冷却方法。
  15. 【請求項１５】 ガラス基板上に薄膜を堆積する方法に
    おいて、 ａ）真空下のチャンバにおいて、前記基板と前記棚との
    間隙を維持するように熱伝導棚とともに支持部上に設置
    されたガラス基板の綴じ込み（ｉｎｔｅｒｌｅａｖｉｎ
    ｇ）によって複数のガラス基板を加熱し、 ｂ）堆積プロセス温度に前記棚を加熱し、前記基板の両
    側から放射の加熱によりこのガラス基板の温度を上昇さ
    せ、 ｃ）膜プロセスチャンバに連続的に前記基板を個々に搬
    送し、 ｄ）前記基板上に１またはこれ以上の薄膜を堆積し、 ｅ）真空下で、前記ガラス基板と前記棚との間隙が維持
    されるように熱伝導基板とともに支持部上に設置された
    前記ガラス基板の綴じ込みにより前記基板を冷却チャン
    バに搬送して、 ｆ）前記基板を放射で冷却する、ガラス基板上に薄膜を
    堆積する方法。
  16. 【請求項１６】 前記冷却チャンバはこのガラス基板が
    冷却された時に大気圧に通気される請求項１５に記載の
    方法。
  17. 【請求項１７】 １またはこれ以上の薄膜が化学的気相
    成長法により堆積される請求項１５に記載の方法。
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