JPH10218632A - 大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置 - Google Patents

大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置

Info

Publication number
JPH10218632A
JPH10218632A JP9360422A JP36042297A JPH10218632A JP H10218632 A JPH10218632 A JP H10218632A JP 9360422 A JP9360422 A JP 9360422A JP 36042297 A JP36042297 A JP 36042297A JP H10218632 A JPH10218632 A JP H10218632A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
heating
substrate
cooling
substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9360422A
Other languages
English (en)
Inventor
Norman L Turner
エル． ターナー ノーマン
John M White
マックネイル ホワイト ジョン
David Berkstresser
バークストレッサー デイヴィッド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=21746908&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH10218632(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH10218632A publication Critical patent/JPH10218632A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67236—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations the substrates being processed being not semiconductor wafers, e.g. leadframes or chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6734—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders specially adapted for supporting large square shaped substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • Y10S414/138—Wafers positioned vertically within cassette

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の損傷や歪みを回避するようにガラス基
板の均一な加熱および冷却を提供する。 【解決手段】 薄膜プロセスに適したガラス基板３２
は、真空チャンバ内の放射加熱および冷却によってまと
めてプロセス温度まで加熱されてプロセス後に冷却され
る。この加熱および／または冷却チャンバは加熱または
冷却される伝導棚２８を含んだカセット１０を装備して
おり、この伝導棚２８は支持部３０上に設置されたガラ
ス基板３２により綴じ込まれているので、棚２８と基板
３２との間には間隙が存在する。棚２８が加熱および冷
却をすると、ガラス基板３２はこの棚２８により放射加
熱または冷却される。基板のプロセスのための真空シス
テムは、基板上に１またはこれ以上の薄膜を堆積できる
１度に１つずつの膜プロセスチャンバと本発明のチャン
バとを組みあわせて使用する基板の一括型加熱部および
冷却部を含んでいる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大きなガラス基板を加
熱および冷却する方法とこのプロセスを行うために適合
した装置に関する。特に、本発明は膜プロセス中の大き
なガラス基板を加熱および冷却するための方法およびこ
のための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタは、これまでに、モニ
ター、フラットパネルディスプレイや太陽電池等に使用
するために大きなガラス基板または板上に作られてき
た。このトランジスタは真空チャンバ内において、非晶
質シリコン、両ドープ性や真性のもの、二酸化珪素、シ
リコンナイトライド等を含む様々な膜を順次堆積するこ
とにより製造される。トランジスタのための薄膜は、例
えば化学的気相成長法（以下、ＣＶＤ法）により堆積す
ることができる。
【０００３】ＣＶＤ法は、３５０℃〜４００℃程度の温
度に基板を保持することが必要である比較的高温のプロ
セスである。ＣＶＤ膜プロセスはシリコンウェハ内の集
積回チャネルの製造に広く用いられている。シリコンは
伝導材料であり、ウェハを破壊したり反らせたりせずに
非常に速く加熱および冷却させられることができる。し
かしながら、ガラスは非常に砕けやすい絶縁材料であ
り、非常に高速に冷却または加熱した場合にはこれは反
ったり亀裂が生じたりしがちである。したがって、熱的
ストレスやこれによるダメージを回避するために大面積
のガラス基板の加熱または冷却の速度（割合）の調整に
は多大な注意を要する。
【０００４】現在、ガラス基板上に薄膜を堆積するため
に使用される装置は、通常、プロセスのためにいくつか
のガラス基板を単一の大きな金属の搬送板（ｃａｒｒｉ
ｅｒｐｌａｔｅ）上に設置している。真空プロセスチャ
ンバは大きく、搬送板およびガラス基板の熱容量（ｔｈ
ｅｒｍａｌ ｍａｓｓ）により、プロセス温度の加熱は
長時間を要する（２０分間以上）。
【０００５】現在半導体産業のための薄膜装置は徐々に
単一の基板プロセスないし枚葉式処理に移行している。
というのは、個々のプロセスチャンバは非常に小さく作
製することができ、プロセスがうまく制御でき、そして
搬送板の必要性は除去されうるからである。さらに、近
年の半導体装置は徐々に真空チャンバからウェハを取り
出すことなくウェハに１以上のプロセス工程を施すこと
ができるシステムに移行しており、この結果、簡単に不
良品としてはねられるデバイスの原因となる微粒子を減
少させる。このようなシステムは、例えばＭａｙｄａｎ
らの米国特許４，９５１，６０１号で述べられているア
プライド マテリアル ５０００シリーズのプロセスチ
ャンバのような、様々なプロセスチャンバに結びつけら
れた中心ロボットチャンバ（ｃｅｎｔｒａｌ ｒｏｂｏ
ｔｉｃ ｃｈａｍｂｅｒ）を含んでいる。
【０００６】大きなガラス基板は同様の方法で処理（ｐ
ｒｏｃｅｓｓ）されることが望ましく、単一枚葉式の基
板膜プロセスチャンバを用いて単一の真空システムにお
いてトランジスタ形成するための多層薄膜を堆積する。
この利点は、小型のプロセスチャンバが利用可能であ
り、真空システムは清浄なシステムとなり、微粒子の汚
染を除去または大幅に減少させ、このプロセスがより制
御可能となり、均一となることである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
基板の温度の加熱および冷却に要する時間の長さのた
め、例えば、大面積のガラス基板を約４００℃まで加熱
したり、プロセス後に再び室温まで冷却するには、基板
の損傷と歪みを回避するために双方に約５分間が必要で
あるため、いくつかのガラス基板はシステムのスループ
ットを改善するために同一の時間で加熱または冷却され
なければならない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】発明者らは、真空の環境
下で放射の原理を用いて基板を加熱および冷却すること
で、基板の歪みや破壊を回避する均一な手法を用いる斬
新な加熱および／または冷却カセットにおいて、ガラス
基板上の薄膜の堆積のためのガラス基板をプロセス温度
まで加熱することが可能であり、また、プロセスが完了
した後に冷却することができることを見出だした。この
ガラス基板は、本発明に係る一括型（ｂａｔｃｈ−ｔｙ
ｐｅ）の加熱および冷却カセットで加熱および冷却され
る。
【０００９】本発明に係る加熱および冷却は、１群の複
合（ｍｕｌｔｉｐｌｅ）ガラス基板が熱伝導体の棚に綴
じ込まれる（ｉｎｔｅｒｌｅａｖｅｄ）特別に設計され
たカセットにおいて行われる。この棚は、基板の両側部
上の放射および気体の伝導によってガラス基板に熱を
（加熱部／時）に伝導して（冷却部／時）から伝導し、
それゆえ、基板の亀裂や歪みを回避する均一な加熱およ
び冷却を提供する。加熱および冷却の速度（割合）は、
棚の温度、棚の材料の放射率および真空度によって左右
される。ガラス基板は、ガラス基板とガラスの両面上の
棚との間隙を与える棚上の設置台（ｍｏｕｎｔｓ）に支
持される。カセットは、ガラス基板の真空での取扱いお
よび処理を行うスシステムの一部分である加熱／冷却真
空チャンバ内に配置されている。
【００１０】上記発明に利用する高温での薄膜の適用に
適当なシステムは、ＮｏｒｍａｎＴｕｒｎｅｒらの関連
出願、米国特許出願第０８／０１０６８４号、「スルー
プットを改善した真空プロセス装置（ＶＡＣＵＵＭ Ｐ
ＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＨＡＶＩＮ
Ｇ ＩＭＰＲＯＶＥＤ ＴＨＲＯＵＧＨＰＵＴ）」にそ
の詳細が記載されている。
【００１１】
【実施例】本発明に係る加熱／冷却カセットは、それぞ
れが断面図および斜視図である図１および図２を参照し
てさらに説明される。
【００１２】加熱／冷却カセット１０は、側壁部１２お
よび１４と底壁部１６とを備えている。蓋部１８は、カ
セット１０の頂部に固定さている。包囲チャンバ９に設
けられている付加的な側壁部１３および１５（図２に示
されている）は、側壁部１２および１４に対して垂直に
配置されている。側壁部１３（システム４０に隣接して
いる）は、ガラス板をこれを通してカセット１０の内お
よび外へ搬送できるスリットバルブ１１を装備している
（ｉｓ ｆｉｔｔｅｄ）。
【００１３】側壁部１２および１４は、電気抵抗加熱コ
イル２０および冷却ガスまたは液体が循環できる冷却チ
ャネル２２を装備している。例えば、ヘリウムのような
冷却ガスや水のような液体は、適当なポンプ（図示せ
ず）によってチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）２２内を可制
御に循環させられる。
【００１４】底壁部１６は、冷却媒体の循環のためのイ
ンレットおよびアウトレットパイプ２４および２６、電
源（図示せず）に接続された加熱コイル２０のための電
線を包含するためチャネル２７をそれぞれ装備してい
る。同じチャネル２４、２６は、加熱コイル２０を囲む
ために、そしてチャネル２２内を冷却ガスや液体を循環
させたりするために用いることも可能である。
【００１５】側壁部１２および１４の内側は、複数の熱
伝導棚２８を装備している。棚２８は、棚２８の温度の
高速かつ均一な制御を確実にするために壁１２および１
４に良好に接触していなくてはならず、壁１２および１
４が加熱されるか冷却されるかに依存している。棚２８
は、アルミニウム、銅、ステンレス鋼被覆銅などを含ん
だ金属などの良熱伝導体で作られる。
【００１６】棚２８上に位置しているまたはそこへ固定
されている複数の支持部３０は、高温ガラスまたは石英
などの（熱）伝導しない材料で適切に作られる。支持部
３０は、棚２８と基板３２との間に間隙を有するように
プロセスされるガラス基板３２を支持するように機能す
る。この間隙は、確実に、棚のガラスへの直接接触がガ
ラスを歪ませたり亀裂を生じさせたりすることを回避す
る。このガラスは、基板３２と棚２８との直接接触によ
ってではなく、むしろ放射およびガスの伝導により間接
的に加熱および冷却される。さらに、ガラス基板３２と
棚２８との間に間隙を導入することにより、ガラス基板
３２の両側面からの加熱および冷却を提供して、より高
速かつ均一な基板の加熱および冷却をすることができ
る。
【００１７】伝導棚２８の温度は、側壁部１２および１
４にある加熱コイルまたはチャネル２０，２２内の冷却
媒体により調節され、壁には伝導棚２８が接触または取
り付けられている。伝導棚２８は、加熱および冷却の配
置で壁１２および１４に接触していなければならない。
ガラス基板の加熱および冷却の速度（ｒａｔｅ）は棚材
料の放射率、ガラス自体の放射率およびチャンバの真空
度によって決定され、十分に低速にできるので、ガラス
の亀裂を回避することができる。Ｓｔｅｐｈａｎ−Ｂｏ
ｌｔｚｍａｎｎ方程式で記述された熱輸送は、以下の方
程式（１）で与えられる。
【００１８】 （１） Ｅｒ＝｛（σε1 ε2 ）／（ε1 ＋ε2 −ε1 ε2 ）｝・（Ｔ1 4 −Ｔ2 4 ） ここで、Ｅｒは、Ｗａｔｔ／ｃｍ2 でのエネルギー輸送
量、Ｔ1 は、Ｋ°での棚の温度、Ｔ2 は、Ｋ°でのガラ
スの温度、ε1 は、棚の放射率、ε2 は、ガラスの放射
率、σは、Ｓｔｅｐｈａｎ−Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ定数、
であり、ガスの伝導による熱輸送は、ガス圧に比例して
以下の方程式（２）で与えられる。 （２） Ｅｃ＝［｛Λ（Ｔ1 −Ｔ2 ）β｝／（ｄ＋２βｃ）］・Ｐ ここで、Ｅｃは、Ｗａｔｔ／ｃｍ2 での熱エネルギー、
Λは、Ｋ°での平均伝導度、ｄは、ｃｍでの板間の間
隔、βは、ガス容量定数、ｃは、ｍｉｃｒｏｎｓ（μ
ｍ）でのガス平均自由工程、Ｔ1 およびＴ2 は、上記方
程式（１）で与えられる意味を有する。一括処理される
基板の数は、経済的プロセスを提供するように調整され
なければならない。
【００１９】一括型の工程においてガラス基板３２を加
熱および冷却することによって、個々の基板の加熱およ
び冷却のために更なる時間が得られるので、ガラスの歪
みや亀裂を防止することができる。
【００２０】この加熱／冷却チャンバが用いられるシス
テム４０の働きを図３に示す。中心ロボットチャンバ５
０は、ガラス基板３２を加熱／冷却カセット１０からチ
ャンバ５０に隣接した側壁部１３における適当な開口ま
たはスリットバルブ１１を通して搬送するロボット（図
示せず）を含んでいる。ガラス基板がＣＶＤプロセス温
度に達した時には、このロボットは、薄膜をそのウェハ
に堆積するために単一の基板３２をプロセスチャンバ５
２，５４，５６または５８中の一つに搬送する。ロボッ
トは、ガラス基板３２をプロセスチャンバ５２，５４，
５６および５８から他へ矢印５１によって示される所定
の順序で搬送する。プロセスが完了したのち、ロボット
は周囲の温度に冷却するために基板３２をカセット１０
に搬送しなおす。従って、１群のガラス基板３２は本発
明のカセットにおいてプロセス温度まで加熱され、１度
に１つずつ種々の薄膜がＣＶＤプロセスチャンバ内でこ
れらの上に堆積され、そして１群の基板は周囲の温度に
再び冷却される。包囲チャンバ９の側壁部１５における
スリットバルブ５９は、システム４０内へのガラス基板
３２の装填および脱着を許容する。
【００２１】上記ではプロセスチャンバはＣＶＤとした
が、真空システム４０に、例えば物理的気相堆積チャン
バ、エッチチャンバ、前清浄チャンバなど他のプロセス
チャンバが付加されても、また、代わりに使用されるこ
とも可能である。
【００２２】そして、本発明の好適実施例によれば、シ
ステム４０に分離または複合した加熱および冷却チャン
バ４２および４４が提供されることとしてもよい。図４
は加熱チャンバ４２および加熱カセット４３の断面図で
あり、図５は加熱チャンバ４２の斜視図である。加熱チ
ャンバ４２は、側壁部１２および１４において抵抗加熱
コイルのみを含んだ加熱カセット４３を含んでおり、側
壁部１３における単一スリットバルブ１１はロボットチ
ャンバ５０に接続されている。
【００２３】図６および図７は、それぞれ冷却／ロード
ロックチャンバ１４および冷却カセット４５の断面図お
よび斜視図である。冷却カセット４５は、側壁部１２お
よび１４において循環する冷却媒体のためのチャネルの
みを含んでいる。しかしながら、冷却カセット４５はロ
ードロックチャンバーとしても機能し、従って側壁部１
３および１５のそれぞれは、その中にスリットバルブ１
１，５９を有している。１群の基板は側壁部１５内のス
リットバルブ５９（図７）を通して冷却チャンバ４４内
に搬送される。すべての棚が満たされてた場合、スリッ
トバルブ５９が閉められ、チャンバ４４が従来の真空ポ
ンプ（図示せず）によって真空にさせられる。所望の圧
力に到達したときには、ロボットチャンバ５０に隣接し
た側壁部１３内のスリットバルブ１１は基板３２を１度
に１つずつ加熱チャンバ４２に搬送するロボットを受け
入れられるように開く。真空システム４０の最大効率の
ために、２つの冷却／ロードロックチャンバー４４が提
供されているので、１群のガラス基板３２が処理されて
いる時に２番目の群のガラス基板３２がシステム４０内
に大気圧において装填されチャンバ４４Ａにおいて真空
にされる。
【００２４】図８は、大面積ガラス基板プロセスのため
の真空システムに係る好適実施例の平面図であり、同一
部分の部分番号は図１〜７で記載したものと同一であ
る。
【００２５】図２、５および７を再度参照すると、本発
明の加熱および冷却カセットは、昇降装置（ｅｌｅｖａ
ｔｏｒ）６０上に設置されている。この昇降装置はカセ
ット４３および４５を上げたり下げたりするので、ガラ
ス基板３２のそれぞれの搬送後に異なる伝導棚２８がロ
ボットに与えらる。これらの昇降装置の機構は従前のも
のであり、ここでその詳細について説明する必要はな
い。昇降装置の機構自体はシステム４０の外にすること
ができ、システム４０の低壁を通し、シールを介して接
続されている。したがって、カセット４３，４５は矢印
６２の方向に移動し、搬送中においてガラス基板３２は
矢印６４の方向へ移動する。
【００２６】ガラス基板は第１に真空にされるロードロ
ック／冷却カセットに装填される。一度に加熱または冷
却されるガラス基板の数に制限はないが、この数は加熱
／冷却カセットの便利な大きさやガラス基板の加熱、搬
送およびプロセスに要する相対的時間量に依存して選択
される。そして、ガラス基板は１つずつプロセス温度
（例えば、約３５０〜４００℃）に放射加熱される本発
明の加熱カセットに搬送される。ロードロックチャンバ
ーが空になった後、再度装填されて真空引きされる場合
には、バルブが閉められて大気に通気させられる。
【００２７】そして、ガラス基板は１度に１つずつ、１
またはこれ以上の薄膜をその上に堆積するための１また
はこれ以上の膜プロセスチャンバに搬送される。全ての
堆積が完了した後、ガラス基板は冷却カセットに搬送し
戻され、新しいガラス基板が加熱カセット内に再設置さ
れる。最後のガラス基板が冷却チャンバカセットにおい
て交換された後、真空側のスリットバルブは閉まってロ
ードロック／冷却チャンバは大気に通気させられる。こ
の間にガラス基板は室温まで冷却させられる。
【００２８】改良されて好適なプロセスにおいては、１
群の大面積ガラス基板は、冷却／ロードロックチャンバ
におけるカセット内に搬送され、ここで板は真空にさ
れ、ＣＶＤまたは他のプロセス温度にされる加熱チャン
バおよび加熱カセット搬送され、１つずつ１またはこれ
以上の基板プロセスチャンバに搬送され、ロードロック
チャンバ内の冷却カセットに搬送しなおされ、ここで周
囲の温度に冷却されて大気圧に通気させられる。この
後、基板は真空システムの外へ搬送される。
【００２９】このように、本発明の真空加熱および／ま
たは冷却カセットはガラス基板を両側からゆっくりと放
射により加熱および冷却することができ、板への損傷を
回避することができる。すなわち、複数の基板を一度に
加熱および冷却させることができ、１度に１つずつの膜
プロセスの利点を維持しつつプロセスの経済性を大幅に
改善する。
【００３０】本発明は特定実施例で記述されたが、本発
明は上記に限られるものでなく、種々の変形が考えら
る。例えば、ここで述べたようなカセット、棚、ガラス
基板支持部などには他の種々の材料が代替可能であり、
カセット棚は上記のように間接的でなくても棚自体内の
適当なチャネル手段によって直接的に加熱および冷却す
ることができる。本発明のカセットは、１またはこれ以
上の一括型ＣＶＤまたは他のプロセスチャンバに接続す
ることができ、また、１つ以上一括型の加熱および／ま
たは冷却チャンバは１またはこれ以上のプロセスチャン
バに接続することができる。また、本発明の加熱および
／または冷却チャンバは、お互いにまたは他のプロセス
チャンバ（例えば、前清浄、エッチまたは物理的気相堆
積チャンバ）に接続することもできる。また、上記複数
の基板を収容可能な基板収容装置は、加熱又は冷却され
る側壁部と、側壁部を加熱又は冷却する手段と、側壁部
間に設けられ、側壁部に熱的に接続された複数の熱伝導
棚と、基板と熱伝導棚との間に間隙を与え、基板を支持
する不伝導（dielectric）の支持部とを備える。
【００３１】
【発明の効果】本発明の真空加熱および／または冷却カ
セットはガラス基板を両側からゆっくりと放射により加
熱および冷却することができ、板への損傷を回避するこ
とができる。すなわち、複数の基板を一度に加熱および
冷却させることができ、１度に１つずつの膜プロセスの
利点を維持しつつプロセスの経済性を大幅に改善する。
【図面の簡単な説明】
【図１】大きなガラス基板の加熱および冷却に適したカ
セットの断面図である。
【図２】本加熱／冷却カセットの斜視図である。
【図３】本加熱／冷却カセットが一部分をなすガラス基
板プロセスシステムの平面図である。
【図４】本発明の加熱カセットの断面図である。
【図５】図３の加熱カセットの斜視図である。
【図６】本発明のロードロック／冷却カセットの断面図
である。
【図７】図４のロードロック／冷却カセットの斜視図で
ある。
【図８】本発明の分割加熱および冷却カセットのを含む
ガラス基板プロセスシステムの変形例の平面図である。
【符号の説明】
１０…カセット、１２，１４…側壁部、１６…底壁部、
１８…蓋部、２０…抵抗加熱コイル、２２…冷却チャネ
ル、２４…インレットパイプ、２６…アウトレットパイ
プ、２７…チャネル、２８…棚、３０…支持部、３２…
ガラス基板。
フロントページの続き (72)発明者 ジョン マックネイル ホワイト アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ヘイワード， コロニー ヴュー プレイ ス 2811 (72)発明者 デイヴィッド バークストレッサー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ロス ガトス， ベアー クリーク ロー ド 19311

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の基板を収容可能な基板収容装置で
    あって、（ａ）加熱又は冷却される側壁部と、（ｂ）前
    記側壁部を加熱又は冷却する手段と、（ｃ）前記側壁部
    間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続された複数の熱
    伝導棚と、（ｄ）前記基板と前記熱伝導棚との間に間隙
    を与え、前記基板を支持する不伝導の支持部と、を備え
    る基板収容装置。
  2. 【請求項２】 前記加熱又は冷却手段は、前記側壁部内
    に組込まれている請求項１に記載の基板収容装置。
  3. 【請求項３】 前記加熱手段は、抵抗加熱コイルを備え
    る請求項１に記載の基板収容装置。
  4. 【請求項４】 前記冷却手段は、冷却媒体が流れる冷却
    チャネルである請求項１又は２に記載の基板収容装置。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載の基板収容装置を有する
    基板処理装置であって、 前記基板収容装置内の前記基板に接近可能なロボット
    と、 接近する前記ロボットに与えられる前記熱伝導棚が異な
    るように、前記基板収容装置を上下移動させる昇降装置
    と、を備える基板処理装置。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載の基板収容装置を有する
    基板処理装置であって、 前記基板を冷却するための別の基板収容装置を備える基
    板処理装置。
  7. 【請求項７】 ロードロックチャンバ内に配置され、複
    数の基板を収容可能なカセットであって、（ａ）冷却さ
    れる側壁部と、（ｂ）前記側壁部を冷却する手段と、
    （ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接
    続され、その間に前記基板が配置される複数の熱伝導棚
    と、を備えるカセット。
  8. 【請求項８】 前記冷却手段は、冷却媒体が循環するチ
    ャネル手段である請求項７に記載のカセット。
  9. 【請求項９】 複数のガラス基板を収容可能なカセット
    が内部に配置されるチャンバであって、前記カセット
    は、（ａ）加熱される側壁部と、（ｂ）前記側壁部を加
    熱する手段と、（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側
    壁部に熱的に接続された複数の熱伝導棚と、（ｄ）前記
    ガラス基板と前記熱伝導棚との間に間隙を与え、前記ガ
    ラス基板を支持する支持部と、を備えるチャンバ。
  10. 【請求項１０】 前記加熱手段は、抵抗加熱コイルを備
    える請求項９に記載のチャンバ。
  11. 【請求項１１】 前記チャンバは、前記熱伝導棚の１つ
    の幅で連続的に前記カセットを上下移動させる昇降装置
    に取付けられている請求項９に記載のチャンバ。
  12. 【請求項１２】 前記チャンバは、前記チャンバを排気
    する排気手段に接続されている請求項９に記載のチャン
    バ。
  13. 【請求項１３】 ガラス基板を加熱又は冷却する方法で
    あって、（ａ）前記ガラス基板を熱伝導棚間に配置し、
    不伝導の材料からなる支持部で前記ガラス基板を支持す
    る工程と、（ｂ）前記熱伝導棚を間接的に加熱又は冷却
    し、前記ガラス基板を加熱又は冷却する工程と、を備え
    るガラス基板の加熱又は冷却方法。
  14. 【請求項１４】 ガラス基板上に薄膜を堆積する薄膜堆
    積方法であって、（ａ）真空チャンバ内に配置された熱
    伝導棚間に前記ガラス基板を配置し、支持部で前記ガラ
    ス基板を支持し、前記熱伝導棚を加熱することによって
    前記ガラス基板を加熱する工程と、（ｂ）前記ガラス基
    板を１つずつ膜プロセスチャンバに移動させる工程と、
    （ｃ）前記膜プロセスチャンバ内で前記ガラス基板上に
    薄膜を堆積する工程と、（ｄ）前記ガラス基板を冷却チ
    ャンバに移動させる工程と、（ｅ）前記基板を前記冷却
    チャンバ内で冷却する工程と、を備える薄膜堆積方法。
  15. 【請求項１５】 前記工程（ｅ）の後、前記冷却チャン
    バ内の圧力を大気圧にする工程を備える請求項１４に記
    載の薄膜堆積方法。
  16. 【請求項１６】 前記工程（ｃ）は、化学的気相成長法
    によって行われる請求項１４に記載の薄膜堆積方法。
  17. 【請求項１７】 ガラス基板上の膜処理を行う方法であ
    って、（ａ）ロードロックチャンバ内に複数のガラス基
    板を装填し、前記チャンバを排気する工程と、（ｂ）複
    数の基板を上昇した温度まで加熱するチャンバに、接続
    用真空搬送チャンバを介して、１以上のガラス基板を搬
    送する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の加熱された基板
    の１つを他の基板が加熱されている間に前記搬送チャン
    バを介して単一基板プロセスチャンバに搬送する工程
    と、（ｄ）工程（ｃ）の処理された基板を冷却チャンバ
    に搬送して冷却する工程と、を備える方法。
  18. 【請求項１８】 ガラス基板上の膜処理を行う方法であ
    って、（ａ）ロードロック／冷却チャンバ内に複数のガ
    ラス基板を装填し、前記チャンバを排気する工程と、
    （ｂ）搬送された基板のそれぞれを個別に支持するため
    の複数の棚を有し上昇した温度まで複数基板を加熱する
    チャンバに、接続用真空搬送チャンバを介して、前記ガ
    ラス基板を搬送する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の加
    熱された基板の１つを前記搬送チャンバを介して単一プ
    ロセスチャンバに搬送する工程と、（ｄ）工程（ｃ）の
    処理された基板を工程（ａ）のロードロック／冷却チャ
    ンバに搬送して冷却する工程と、を備える方法。
  19. 【請求項１９】 前記プロセスチャンバは単一基板処理
    チャンバである請求項１８に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 排気可能な第１チャンバと、前記第１
    チャンバに接続され複数の基板を収容して加熱するため
    の複数の棚を有する排気可能な加熱チャンバと、前記第
    １チャンバに接続された排気可能なプロセスチャンバ
    と、を有するマルチチャンバ真空システムを用いた基板
    処理方法であって、（ａ）基板を前記第１チャンバから
    前記加熱チャンバ内へ移動させ、前記加熱チャンバ内の
    隣接する棚間に前記基板を配置する工程と、（ｂ）前記
    加熱チャンバ内で前記基板を加熱する工程と、（ｃ）前
    記基板を前記加熱チャンバから前記プロセスチャンバ内
    へ移動させる工程と、（ｄ）前記基板を前記プロセスチ
    ャンバ内で処理する工程と、（ｅ）前記プロセスチャン
    バから前記基板を取り出す工程と、を備え、前記工程
    （ａ）、（ｂ）及び（ｃ）において、前記加熱チャンバ
    内には前記基板とは異なる１以上の基板が含まれてお
    り、他の基板は工程（ｃ）、(ｄ)及び（ｅ）の間に加熱
    されている基板処理方法。
  21. 【請求項２１】 排気可能な第１チャンバと、前記第１
    チャンバに接続され複数の基板を収容して加熱する排気
    可能な加熱チャンバと、前記第１チャンバに接続された
    排気可能なプロセスチャンバと、を有するマルチチャン
    バ真空システムを用いた基板処理方法であって、（ａ）
    複数の基板を前記第１チャンバから前記加熱チャンバ内
    へ移動させる工程と、（ｂ）前記加熱チャンバで前記基
    板を加熱する工程と、（ｃ）前記加熱チャンバ内に残っ
    ている基板を加熱しながら１つの基板を前記加熱チャン
    バから取り除いてそれを前記プロセスチャンバ内へ移動
    させる工程と、（ｄ）前記取り除かれた基板を前記プロ
    セスチャンバ内で処理する工程と、（ｅ）前記プロセス
    チャンバから前記基板を取り出す工程と、を備える基板
    処理方法。
  22. 【請求項２２】 真空処理システムであって、（ａ）排
    気可能な搬送チャンバと、（ｂ）前記搬送チャンバに直
    接に接続され、複数の基板を収容して上昇した温度まで
    加熱する加熱チャンバと、（ｃ）前記搬送チャンバに直
    接に接続された少なくとも１つの排気可能なプロセスチ
    ャンバと、（ｄ）前記真空処理システム内外に前記基板
    を搬送するため、前記搬送チャンバに直接に接続された
    少なくとも１つのロードロックチャンバと、（ｅ）前記
    搬送チャンバ内に配置され、前記ロードロックチャン
    バ、前記加熱チャンバ及び前記プロセスチャンバに前記
    基板を移動させるロボットと、を備える真空処理システ
    ム。
  23. 【請求項２３】 前記加熱チャンバは、複数の基板を収
    容して上昇した温度まで加熱するための複数の棚を含む
    請求項２２に記載の真空処理システム。
  24. 【請求項２４】 複数のガラス基板を加熱する加熱装置
    であって、（ａ）真空容器と、（ｂ）前記真空容器内に
    配置され、側壁部及び前記側壁部間に配置された少なく
    とも２つの直接対向した平行加熱板を有するカセット
    と、（ｃ）直接対向した前記平行加熱板間の空間内で前
    記ガラス基板を前記平行加熱板から離隔するように配置
    された支持部と、（ｄ）前記平行加熱板を加熱する加熱
    手段と、を備える加熱装置。
  25. 【請求項２５】 前記加熱装置内の前記基板に接近可能
    なロボットと、 接近する前記ロボットに与えられる前記加熱板が異なる
    ように、前記カセットを上下移動させる昇降装置と、を
    更に備える請求項２４に記載の加熱装置。
  26. 【請求項２６】 前記加熱手段は、抵抗加熱器を備える
    請求項２４に記載の加熱装置。
  27. 【請求項２７】 前記加熱手段は、前記平行加熱板のそ
    れぞれに組み込まれている請求項２６に記載の加熱装
    置。
  28. 【請求項２８】 前記加熱板は、加熱される前記ガラス
    基板と少なくとも同じ大きさがある請求項２４、２６又
    は２７に記載の加熱装置。
JP9360422A 1993-01-28 1997-12-26 大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置 Withdrawn JPH10218632A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/010683 1993-01-28
US08/010,683 US5607009A (en) 1993-01-28 1993-01-28 Method of heating and cooling large area substrates and apparatus therefor

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6008681A Division JP2766774B2 (ja) 1993-01-28 1994-01-28 大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10218632A true JPH10218632A (ja) 1998-08-18

Family

ID=21746908

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6008681A Expired - Lifetime JP2766774B2 (ja) 1993-01-28 1994-01-28 大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置
JP9360422A Withdrawn JPH10218632A (ja) 1993-01-28 1997-12-26 大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6008681A Expired - Lifetime JP2766774B2 (ja) 1993-01-28 1994-01-28 大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US5607009A (ja)
JP (2) JP2766774B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6523701B1 (en) * 1999-09-06 2003-02-25 Yodogawa Kasei Kabushiki Kaisha Elongated rib for cassette and substrate cassette
KR101227757B1 (ko) 2010-03-03 2013-01-29 김한곤 냉각수단이 구비된 유리강화 열처리장치

Families Citing this family (169)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07211605A (ja) * 1994-01-14 1995-08-11 Hitachi Ltd 処理装置および処理方法
US6672819B1 (en) 1995-07-19 2004-01-06 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same
JPH0936198A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
US5850071A (en) * 1996-02-16 1998-12-15 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate heating equipment for use in a semiconductor fabricating apparatus
US6602348B1 (en) * 1996-09-17 2003-08-05 Applied Materials, Inc. Substrate cooldown chamber
US6432203B1 (en) * 1997-03-17 2002-08-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated and cooled vacuum chamber shield
US6026896A (en) * 1997-04-10 2000-02-22 Applied Materials, Inc. Temperature control system for semiconductor processing facilities
US5879461A (en) * 1997-04-21 1999-03-09 Brooks Automation, Inc. Metered gas control in a substrate processing apparatus
US6073366A (en) 1997-07-11 2000-06-13 Asm America, Inc. Substrate cooling system and method
US6235634B1 (en) 1997-10-08 2001-05-22 Applied Komatsu Technology, Inc. Modular substrate processing system
US6688375B1 (en) 1997-10-14 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Vacuum processing system having improved substrate heating and cooling
US6270582B1 (en) 1997-12-15 2001-08-07 Applied Materials, Inc Single wafer load lock chamber for pre-processing and post-processing wafers in a vacuum processing system
US6294219B1 (en) 1998-03-03 2001-09-25 Applied Komatsu Technology, Inc. Method of annealing large area glass substrates
KR100510459B1 (ko) * 1998-03-17 2005-10-24 삼성전자주식회사 로드 락 챔버용 카세트 사용 시스템 및 그 사용방법
US6086362A (en) 1998-05-20 2000-07-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Multi-function chamber for a substrate processing system
US6206176B1 (en) 1998-05-20 2001-03-27 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle having a magnetic drive
US6517303B1 (en) 1998-05-20 2003-02-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle
US6176668B1 (en) 1998-05-20 2001-01-23 Applied Komatsu Technology, Inc. In-situ substrate transfer shuttle
US6215897B1 (en) 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Automated substrate processing system
US6213704B1 (en) 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for substrate transfer and processing
US6108937A (en) * 1998-09-10 2000-08-29 Asm America, Inc. Method of cooling wafers
US6957690B1 (en) 1998-09-10 2005-10-25 Asm America, Inc. Apparatus for thermal treatment of substrates
US6217272B1 (en) 1998-10-01 2001-04-17 Applied Science And Technology, Inc. In-line sputter deposition system
US6328858B1 (en) 1998-10-01 2001-12-11 Nexx Systems Packaging, Llc Multi-layer sputter deposition apparatus
US6486444B1 (en) * 1999-06-03 2002-11-26 Applied Materials, Inc. Load-lock with external staging area
US6298685B1 (en) 1999-11-03 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Consecutive deposition system
US6949143B1 (en) * 1999-12-15 2005-09-27 Applied Materials, Inc. Dual substrate loadlock process equipment
US6488778B1 (en) * 2000-03-16 2002-12-03 International Business Machines Corporation Apparatus and method for controlling wafer environment between thermal clean and thermal processing
JP2001338878A (ja) * 2000-03-21 2001-12-07 Sharp Corp サセプタおよび表面処理方法
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7964505B2 (en) 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US7101795B1 (en) 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
US7405158B2 (en) 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US6682288B2 (en) 2000-07-27 2004-01-27 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6530733B2 (en) 2000-07-27 2003-03-11 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6821912B2 (en) 2000-07-27 2004-11-23 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
JP5021112B2 (ja) * 2000-08-11 2012-09-05 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置
KR100960773B1 (ko) * 2000-09-15 2010-06-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록
DE10052724B4 (de) * 2000-10-24 2012-08-02 Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh Behandlungseinrichtung für Wafer
JP3884908B2 (ja) * 2000-11-29 2007-02-21 株式会社日立製作所 液晶パネルの製造方法
US6998579B2 (en) 2000-12-29 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6765178B2 (en) * 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US7225864B2 (en) * 2001-02-08 2007-06-05 Oriol Inc. Multi-channel temperature control system for semiconductor processing facilities
US7069984B2 (en) * 2001-02-08 2006-07-04 Oriol Inc. Multi-channel temperature control system for semiconductor processing facilities
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6734020B2 (en) * 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
US6528767B2 (en) * 2001-05-22 2003-03-04 Applied Materials, Inc. Pre-heating and load lock pedestal material for high temperature CVD liquid crystal and flat panel display applications
US20020195201A1 (en) * 2001-06-25 2002-12-26 Emanuel Beer Apparatus and method for thermally isolating a heat chamber
US7211144B2 (en) 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US8110489B2 (en) 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US20090004850A1 (en) 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
WO2003030224A2 (en) 2001-07-25 2003-04-10 Applied Materials, Inc. Barrier formation using novel sputter-deposition method
US20030029715A1 (en) 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US7085616B2 (en) 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US6718126B2 (en) 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
US7316966B2 (en) * 2001-09-21 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Method for transferring substrates in a load lock chamber
US6936906B2 (en) 2001-09-26 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US7204886B2 (en) 2002-11-14 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical processing
US6867841B2 (en) * 2001-10-31 2005-03-15 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing liquid crystal display panels
US6773507B2 (en) 2001-12-06 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US6497734B1 (en) * 2002-01-02 2002-12-24 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for enhanced degassing of semiconductor wafers for increased throughput
US7006888B2 (en) 2002-01-14 2006-02-28 Applied Materials, Inc. Semiconductor wafer preheating
US6620670B2 (en) 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
US7175713B2 (en) 2002-01-25 2007-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6827978B2 (en) 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6972267B2 (en) 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
US7439191B2 (en) 2002-04-05 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US6846516B2 (en) 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
US6875271B2 (en) 2002-04-09 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Simultaneous cyclical deposition in different processing regions
US6869838B2 (en) 2002-04-09 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US6955211B2 (en) 2002-07-17 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system
US7066194B2 (en) 2002-07-19 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Valve design and configuration for fast delivery system
US6772072B2 (en) 2002-07-22 2004-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery
US6915592B2 (en) 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
US6821563B2 (en) 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US20040069227A1 (en) 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
DE10247051A1 (de) * 2002-10-09 2004-04-22 Polymer Latex Gmbh & Co Kg Latex und Verfahren zu seiner Herstellung
US6905737B2 (en) 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
US7262133B2 (en) 2003-01-07 2007-08-28 Applied Materials, Inc. Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line
US6994319B2 (en) * 2003-01-29 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Membrane gas valve for pulsing a gas
US6868859B2 (en) * 2003-01-29 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Rotary gas valve for pulsing a gas
US20040177813A1 (en) 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
US7342984B1 (en) 2003-04-03 2008-03-11 Zilog, Inc. Counting clock cycles over the duration of a first character and using a remainder value to determine when to sample a bit of a second character
US20040198069A1 (en) 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
US20040226513A1 (en) * 2003-05-12 2004-11-18 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform heating of large area substrates
US7211508B2 (en) 2003-06-18 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tantalum based barrier materials
US7100954B2 (en) * 2003-07-11 2006-09-05 Nexx Systems, Inc. Ultra-thin wafer handling system
US20050067103A1 (en) * 2003-09-26 2005-03-31 Applied Materials, Inc. Interferometer endpoint monitoring device
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
US20050109276A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber
US8033245B2 (en) * 2004-02-12 2011-10-11 Applied Materials, Inc. Substrate support bushing
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US7497414B2 (en) * 2004-06-14 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Curved slit valve door with flexible coupling
JP4544515B2 (ja) * 2004-06-16 2010-09-15 光洋サーモシステム株式会社 板状処理物冷却装置。
US20060025049A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Spray slurry delivery system for polish performance improvement and cost reduction
US20060182530A1 (en) * 2005-01-05 2006-08-17 Min-Hsu Wang Wafer loadlock chamber and wafer holder
JP4860167B2 (ja) * 2005-03-30 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置，処理システム及び処理方法
US7789962B2 (en) * 2005-03-31 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Device and method for controlling temperature of a mounting table, a program therefor, and a processing apparatus including same
US20060273815A1 (en) * 2005-06-06 2006-12-07 Applied Materials, Inc. Substrate support with integrated prober drive
US20070006936A1 (en) * 2005-07-07 2007-01-11 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with substrate temperature regulation
US7402534B2 (en) 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
US20070082507A1 (en) * 2005-10-06 2007-04-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for the low temperature deposition of doped silicon nitride films
US7464917B2 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
TWI332532B (en) 2005-11-04 2010-11-01 Applied Materials Inc Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
US7749400B2 (en) * 2005-12-16 2010-07-06 Jason Plumhoff Method for etching photolithographic substrates
DE102006023968B4 (de) * 2005-12-29 2009-12-10 Lg Display Co., Ltd. Inspektionsvorrichtung für Flüssigkristallanzeigepaneel
US7845891B2 (en) * 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
KR101003446B1 (ko) * 2006-03-07 2010-12-28 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US7798096B2 (en) 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US7665951B2 (en) * 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation
US7867403B2 (en) * 2006-06-05 2011-01-11 Jason Plumhoff Temperature control method for photolithographic substrate
US7845618B2 (en) 2006-06-28 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Valve door with ball coupling
US7601648B2 (en) 2006-07-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method for fabricating an integrated gate dielectric layer for field effect transistors
US8124907B2 (en) * 2006-08-04 2012-02-28 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with decoupled slit valve door seal compartment
US20080099436A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Michael Grimbergen Endpoint detection for photomask etching
US20080176149A1 (en) 2006-10-30 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for photomask etching
US7775508B2 (en) 2006-10-31 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor
US20080145536A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Applied Materials, Inc. METHOD AND APPARATUS FOR LOW TEMPERATURE AND LOW K SiBN DEPOSITION
US8821637B2 (en) 2007-01-29 2014-09-02 Applied Materials, Inc. Temperature controlled lid assembly for tungsten nitride deposition
US20080251019A1 (en) * 2007-04-12 2008-10-16 Sriram Krishnaswami System and method for transferring a substrate into and out of a reduced volume chamber accommodating multiple substrates
US20090191031A1 (en) * 2008-01-28 2009-07-30 Willard & Kelsey Solar Group, Llc System and method for cooling semiconductor coated hot glass sheets
KR101479302B1 (ko) * 2008-07-02 2015-01-05 삼성디스플레이 주식회사 기판 소성 장치
US8146896B2 (en) 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes
KR101650217B1 (ko) * 2008-12-12 2016-08-22 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 냉각 장치 및 기판 처리 시스템
US20100247804A1 (en) * 2009-03-24 2010-09-30 Applied Materials, Inc. Biasable cooling pedestal
EP2360720A1 (de) * 2010-02-23 2011-08-24 Saint-Gobain Glass France Vorrichtung zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen, Anordnungen, insbesondere Mehrschichtkörperanordnungen, Anlage zum Prozessieren, insbesondere zum Selenisieren, von Gegenständen, Verfahren zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen
DE102010016792A1 (de) * 2010-05-05 2011-11-10 Aixtron Ag Bevorratungsmagazin einer CVD-Anlage
US20130216967A1 (en) * 2010-08-27 2013-08-22 Saint-Gobain Glass France Device and method for heat-treating a plurality of multi-layer bodies
US8778204B2 (en) 2010-10-29 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Methods for reducing photoresist interference when monitoring a target layer in a plasma process
JP2012250230A (ja) * 2011-06-02 2012-12-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 加熱装置、塗布装置及び加熱方法
ITRE20110055A1 (it) 2011-07-25 2013-01-26 Keraglass Engineering S R L Forno per la ricottura di lastre di vetro
US8961804B2 (en) 2011-10-25 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for photomask etching
US8808559B2 (en) 2011-11-22 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for reflective multi-material layers etching
JP5936853B2 (ja) * 2011-12-05 2016-06-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
US8900469B2 (en) 2011-12-19 2014-12-02 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching
ES2841067T3 (es) 2012-02-16 2021-07-07 Cnbm Bengbu Design & Res Institute For Glass Industry Co Ltd Caja de procesamiento, disposiciones y procedimientos para procesar sustratos revestidos
EP2631937A1 (de) * 2012-02-24 2013-08-28 Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung E.V. Stationsanordnung zur Bearbeitung und/oder Vermessen von Halbleiterscheiben sowie Bearbeitungsverfahren
KR101396567B1 (ko) * 2012-06-25 2014-05-20 (주) 예스티 유리 기판의 열처리장치
US9805939B2 (en) 2012-10-12 2017-10-31 Applied Materials, Inc. Dual endpoint detection for advanced phase shift and binary photomasks
US8778574B2 (en) 2012-11-30 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask
TWI624897B (zh) * 2013-03-15 2018-05-21 應用材料股份有限公司 多位置批次負載鎖定裝置與系統，以及包括該裝置與系統的方法
US10247473B2 (en) 2014-01-21 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate to remove moisture and/or residue
KR102233603B1 (ko) * 2014-12-11 2021-03-31 에바텍 아크티엔게젤샤프트 기판 탈가스용 챔버
TW201639063A (zh) * 2015-01-22 2016-11-01 應用材料股份有限公司 批量加熱和冷卻腔室或負載鎖定裝置
US10373860B2 (en) * 2015-06-30 2019-08-06 Applied Materials, Inc. Batch processing apparatus
CN105316638A (zh) * 2015-11-20 2016-02-10 苏州赛森电子科技有限公司 磁控直流溅射系统内的冷却装置
CN108780766B (zh) 2016-03-08 2022-03-04 瑞士艾发科技 用于衬底脱气的室
CN206332060U (zh) 2016-10-28 2017-07-14 应用材料公司 热学腔室
KR20200105847A (ko) * 2017-12-20 2020-09-09 테크네틱스 그룹, 엘엘씨 능동 온도 제어를 갖는 증착 처리 시스템 및 관련 방법
CN113451183B (zh) * 2020-06-03 2023-03-31 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种晶圆盒
CN114409268B (zh) * 2021-12-29 2023-07-04 凯盛信息显示材料(洛阳)有限公司 一种用于镀膜玻璃镀膜线的加热冷却系统

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4016006A (en) * 1974-10-30 1977-04-05 Hitachi, Ltd. Method of heat treatment of wafers
FR2555363B1 (fr) * 1983-11-18 1986-02-21 Cit Alcatel Machine de report de composants pour circuits hybrides
US5259881A (en) * 1991-05-17 1993-11-09 Materials Research Corporation Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
US4609037A (en) * 1985-10-09 1986-09-02 Tencor Instruments Apparatus for heating and cooling articles
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
DE3719952A1 (de) * 1987-06-15 1988-12-29 Convac Gmbh Einrichtung zur behandlung von wafern bei der herstellung von halbleiterelementen
JP2667866B2 (ja) * 1988-03-25 1997-10-27 株式会社日立製作所 多層配線構造
KR960012876B1 (ko) * 1988-06-16 1996-09-25 도오교오 에레구토론 사가미 가부시끼가이샤 열처리 장치
US4923584A (en) * 1988-10-31 1990-05-08 Eaton Corporation Sealing apparatus for a vacuum processing system
JPH02264429A (ja) * 1989-04-05 1990-10-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体処理装置
US5162047A (en) * 1989-08-28 1992-11-10 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical heat treatment apparatus having wafer transfer mechanism and method for transferring wafers
US5135047A (en) * 1989-10-05 1992-08-04 Flavio Dobran Furnace for high quality and superconducting bulk crystal growths
US5192371A (en) * 1991-05-21 1993-03-09 Asm Japan K.K. Substrate supporting apparatus for a CVD apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6523701B1 (en) * 1999-09-06 2003-02-25 Yodogawa Kasei Kabushiki Kaisha Elongated rib for cassette and substrate cassette
KR101227757B1 (ko) 2010-03-03 2013-01-29 김한곤 냉각수단이 구비된 유리강화 열처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
US5607009A (en) 1997-03-04
US5674786A (en) 1997-10-07
JPH06239635A (ja) 1994-08-30
JP2766774B2 (ja) 1998-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2766774B2 (ja) 大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置
EP0608620B1 (en) Vacuum Processing apparatus having improved throughput
KR100658235B1 (ko) 대형 유리판의 코팅 및 어닐링 방법
KR100613171B1 (ko) 반도체 기판 냉각 방법 및 장치
JP4237939B2 (ja) 基板加熱冷却を改良した真空処理装置
US6949143B1 (en) Dual substrate loadlock process equipment
US6765178B2 (en) Chamber for uniform substrate heating
US6780251B2 (en) Substrate processing apparatus and method for fabricating semiconductor device
US6198074B1 (en) System and method for rapid thermal processing with transitional heater
US6825447B2 (en) Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
JP3965343B2 (ja) 処理装置
US20020102859A1 (en) Method for ultra thin film formation
US6998579B2 (en) Chamber for uniform substrate heating
JP2575285C (ja)
JPS6214224B2 (ja)
JPH10149966A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20010403