JPH06228785A - 酸性銅電気めっき浴の機能的液体添加剤 - Google Patents

酸性銅電気めっき浴の機能的液体添加剤

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JPH06228785A
JPH06228785A JP5345656A JP34565693A JPH06228785A JP H06228785 A JPH06228785 A JP H06228785A JP 5345656 A JP5345656 A JP 5345656A JP 34565693 A JP34565693 A JP 34565693A JP H06228785 A JPH06228785 A JP H06228785A
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copper plating
bath
electrolytic copper
group
functional fluid
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JP5345656A
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Sylvia Martin
マーチン シルビィア
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Enthone Inc
Enthone OMI Inc
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 銅めっき被膜に改善された延性、すぐれた平
滑特性、層間剥離がない良好な接着特性、電流密度の低
い領域に対する良好なめっき作用。 【構成】 この発明は、ハイアシッド／ロウメタル電解
銅めっきプロセスと該めっき浴に関するもので、改善さ
れた平滑性、接着性、延性ならびにスローイングパワー
を備えた銅めっき皮膜を得ることができるものである。
前記浴には、機能性流体の有効量が含まれるもので、該
機能性流体は、アルコールエポキシまたはビスフェノー
ルＡから誘導された少なくとも一つのエーテルグループ
を有し、さらに、エトキシおよびプロポキシ機能性を含
むものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高酸性／低メタル銅
電気めっき浴、特に詳しくは、浴溶液への機能性流体添
加剤に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】銅の電気めっきの技術分野における近年
の技術革新により、ハイメタル・低酸性電気めっき浴に
より生成される銅めっき皮膜は、延性、平滑性ならびに
その他の特性において格段の進歩が見られ、品質改善が
顕著である。これは、主として、銅電気めっき浴に対す
る各種の添加剤に負うところが大である。例えば、装飾
効果のための銅めっきにおける平滑性の改善には、２価
の硫黄化合物とポリエチレンイミンのアルキル化誘導体
の添加が大いに貢献している。これらの添加について
は、例えば、米国特許第４３３６１１４号、同第３２６
７０１０号、同第３３２８２７３号、同第３７７０５９
８号、同第４１０９１７６号などに開示がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記した添加剤の添加
は、ハイメタル・低酸性銅めっき浴のめっきにおいて
は、商業的にも成功したが、高酸性／低メタル銅めっき
浴による部品類の電気めっきに固有の問題を解決するに
至らなかったものである。米国特許第４３７４７０９号
に開示されている技術は高酸性／低メタル銅めっき浴を
使用して、実質的に非導電性の基体に銅めっきを施すプ
ロセスであるが、このプロセスは、非導電性基体のめっ
き技術としては、優れているが、メタリックで、非導電
性の基体をめっきするには、単純化を含めての更に一層
の改善が必要であり、さらにまた、例えば、低電流密度
領域をもつ複雑な入り組んだパーツのめっき；回路板や
表面が不完全な基体のめっき；バレルめっきなどにおけ
る面倒なめっきファンクションについても改良が望まれ
る。
【０００４】バレルめっきについて、検討すると、バレ
ルめっきは、パーツ類の銅めっきに関して問題が多い。
特に、バレルめっき操作は、パーツに形成された銅めっ
き層の層間剥離を起こしやすい。したがって、バレルめ
っきされたパーツは、生産管理ならびに製品販売の見地
からみて不適当なものである。形状が複雑で、入り組ん
だパーツ類に施す銅めっきには熱膨張サイクルの間、剥
離、低い電流密度領域におけるめっき層の不足およびめ
っき被膜の延性不足などの問題がある。これらの問題
が、この発明の解決課題である。
【０００５】
【課題を解決するための具体的手段】前記したように、
この発明は、銅めっき被膜に改善された延性、すぐれた
平滑特性、層間剥離がない良好な接着特性、電流密度の
低い領域に対する良好なめっき作用を与える電気めっき
浴ならびにめっき方法を提供することによって、前記課
題を解決するものである。
【０００６】この発明によれば、銅めっきのための改良
されたハイアシッド／ロウカッパー浴およびプロセスが
提供されるもので、このプロセスは、三重エーテル作用
性（エーテル三作用性）を有する機能性流体の効果量を
電気めっき浴に使用して、銅めっき被膜を改善するもの
である。
【０００７】この発明による組成物は、低電流密度領域
における銅めっき膜を改善し、ギャップや面の不完全な
部分を充填する優れた特性を有し、被めっき基体におけ
るギャップやその他の不完全な部分をもきれいに鍍金で
きるものであると共に良好な延性、接着特性をめっき層
に付与するものである。
【０００８】さらに、この発明の組成物を使用すること
で、パーツ類のバレルめっきが酸銅めっき浴で達成でき
る改善された酸銅めっき浴を提供できる。
【０００９】好ましい実施例の記載
【００１０】この発明の組成物と方法によれば、この発
明は、電気めっきのために高濃度の酸と低濃度の銅イオ
ンとを併用する水溶性酸性銅めっき浴内で操作可能であ
る。
【００１１】この発明の水溶性酸性銅めっき浴の代表的
なものは、酸性硫酸銅タイプまたは酸性銅ふっ化ほう素
酸塩タイプのものである。従来の技術によれば、水溶性
酸性硫酸銅浴の代表例は、濃度が好ましくは約２５ｇ／
ｌから約３５ｇ／ｌの状態で銅イオンを約１３ｇ／ｌか
ら約４５ｇ／ｌ含むものであり、これらの浴における酸
の濃度は、酸が約４５ｇ／ｌから約２６２ｇ／ｌの範
囲、好ましくは、約１５０ｇ／ｌから約２２０ｇ／ｌの
範囲である。弗化硼素酸溶液は、浴における酸対金属と
の比率が同じである。この発明の添加剤は、このような
低い銅イオン／高酸性度溶液に特に効果がある。
【００１２】この発明の方法によれば、この発明の酸性
銅めっき浴においては、電流密度は、下限では平方フィ
ート当たり約０．５アンペア（０．５ＡＳＦ、以下、平
方フィート当たりのアンペアをＡＳＦと略記する）、上
限では、１００ＡＳＦの範囲が適当な条件下で使用可能
であるが、好ましくは、約５ＡＳＦから約６０ＡＦＳの
範囲、さらに好ましくは、約５ＡＦＳから約５０ＡＦＳ
の範囲である。攪拌度が高いめっき条件であるときは、
必要に応じて、より高い電流密度、例えば、約１００Ａ
ＦＳに達する電流密度が使用され、この目的のために、
空気攪拌、カソード移動および／または溶液ポンピング
手段が組み合わされる。前記めっき浴の操作温度は、約
１５℃から約５０℃、代表的な温度は，約２１℃から約
３６℃である。
【００１３】前記水溶性酸性硫酸塩浴は、また、望まし
くは、塩素イオンを含み、該イオンは、約０．１ｇ／ｌ
以下の量で存在する。この発明の方法と組成物は、米国
特許第４１１０７７６号に開示されているポリエチレン
イミン誘導体第四級体のような一般に使用されている光
沢剤および米国特許第３２７６０１０号に開示されてい
るジサルファイド添加剤に匹敵するものである。さら
に、米国特許第３７７０５９８号に開示されているポリ
エチレンイミンのアルキル化誘導体も利用できる。他の
添加剤としては、プロピル・ジサルファイド・フォスホ
ネートおよびＳ-2機能性をもったＲ- メルカプト基アル
キル・スルフォネートのタイプの誘導体が含まれる。さ
らに、この発明は、電気回路板その他の類似品のメッキ
組成物に適用でき、添加物としては、米国特許第４３３
６１１４号に開示されているものが使用される。また、
ハイアシッド／ロウメタルめっき浴と適当な添加物は、
米国特許第４３７４４０９号に開示されている。
【００１４】この発明の組成物と方法によれば、トリプ
ルのエーテル機能性（ファンクショナリティ）を有する
機能性流体の有効な量が使用されて、これまでのめっき
溶液によっては、実現されなかった優れた延性、基体に
対する平滑性、さらには、ギャップ充填特性が得られる
ものである。この発明において効果を発揮する機能性
（ファンクショナル）流体には、主鎖にプロポキシおよ
びエポキシ機能性（ファンクショナリティ）をもつアル
キルエーテル末端（エンド）グループを有するポリマー
を含む。この発明での使用に適する機能性流体は、浴溶
解性のものである。この発明において有用な機能性流体
の代表的なものは、
【化４】 の構造式を特徴とする。
【００１５】前記の構造式において、Ｒ2 とＲ3 は、該
構造式において順序を相互に変えられるもので、好まし
くは、Ｒ2 またはＲ3 いずれかのブロックであるが、Ｒ
2 またはＲ3 のランダム混合体もまた可能である。
【００１６】前記Ｒ1 は、以下のものからなるグループ
から選ばれたものである：約４炭素原子から約１０炭素
原子をもつアルコール部分（モイエティ）から誘導され
たエーテルグループ；ビスフェノールＡ部分（モイエテ
ィ）から誘導されたエーテルグループ；炭素原子が４か
ら６のエーテル部分（モイエティ）またはその混合物か
ら誘導されたエポキシ、そしてｍは、約１から約１０、
好ましくは、１から３の内から選ばれたもの。
【００１７】Ｒ2 は、下記の構造からなるグループから
選ばれたものであり：
【００１８】 および、それらの混合物である。
【００１９】Ｒ3 は、下記の構造からなるグループから
選ばれたものであり； および、それらの混合物である。
【００２０】Ｒ4 は、Ｈ、ＣＨ3 、アルキルグループ、
ヒドロキシアルキルグループ、炭素数１から３のアルキ
ルエーテルグループ、極性アルキルグループ、カルボキ
シル酸，イオン化部分または硫酸塩などのイオン化部分
をもつアルキルグループ、スルフォン酸塩、ホスホン酸
塩またはアルカリ金属イオンおよびこれらの混合物のよ
うなイオン化成分を有するアルキルグループからなるグ
ループから選ばれるもので、ｎとｏは、ｎ対ｏのレシオ
が約1/2:１から約１：３０であるように選ばれるもので
ある。好ましくは、そのようなｎ対ｏのレシオは、約
１：１から約１：２０である。Ｒ4 部分（モエイティ）
は、塩ならびにアンモニウムイオンを形成するためナト
リウムまたは他のアルカリイオンを含んでもよい。
【００２１】この発明の機能性流体の分子量は、約５０
０から約１０，０００、好ましくは、以下の実施例で述
べるように、約１，０００から約２，５００である。
【００２２】好ましいＲ1 部分（モイエティ））は、ブ
チルアルコールから誘導されたブチルエーテルグループ
であるが、長鎖アルキルエーテルグループもまた前記し
たように使用できる。Ｒ1 が例えば炭素数９または１０
の長鎖アルコールのどれかから誘導された機能性流体を
使用すると、めっき浴に発泡現象が発生する。しかしな
がら、発泡現象が発生しても、機能性流体の量を減らし
て、発泡状態を緩和してもよい。
【００２３】単なる例ではあるが、この発明に有用な機
能性流体の代表的なものは、ユニオンカーバイド社から
市販されているＵＣＯＮ（登録商標）ＨＢおよびＨシリ
ーズ流体である。これらの流体で特に好ましいものに
は、50 HB 660; 50HB 5100; 50HB 260; 75 H 450; 75 H
1400; 75 H 90,000 のような50 HB および74 Hシリー
ズ流体が含まれる。
【００２４】この発明の方法と組成物は、銅めっき分野
における直接および関連の４つの領域に有用である。こ
れらの４つの領域には、銅ストライク；酸銅回路板めっ
き；バレルめっき；およびハイスロー(high throw)装飾
めっき用途が含まれる。
【００２５】ブライトな銅ストライク浴に使用され得る
場合は、約１ｍｇ／ｌから約１０００ｍｇ／ｌ の機能
性流体がブライトな銅スイトライクのための浴に用いら
れる。このような浴には、通常、約１ｍｇ／ｌから約７
００ｍｇ／ｌ 、好ましくは、約３ｍｇ／ｌから約１２０
ｍｇ／ｌの機能性流体が要求される。ブライトな銅スト
ライクに、そのようなプロセスを使用すると、低電流密
度領域におけるめっき被膜のレベリング（平滑性）と接
着性が増進し、ハイアシッド／ロウ（低）銅めっき溶液
に、この発明のプロセスと方法とを利用することで、複
雑な形状、入り組んだ形状のパーツ類を極めて具合よ
く、有利にめっきすることができる。ブライト銅ストラ
イク方法としては、大量のジサルファイド、例えば、約
１ｍｇ／ｌから約３０ｍｇ／ｌの範囲、好ましくは、約
５ｍｇ／ｌから約１５ｍｇ／ｌの範囲のジサルファイド
が使用される。そのような溶液においては、第四級ポリ
エチレンイミンのような光沢剤を約１ｍｇ／ｌから約５
ｍｇ／ｌ、好ましくは、１ｍｇ／ｌから２ｍｇ／ｌの量
で使用すると有効である。
【００２６】穿孔された回路板などのような電子部品を
めっきする場合、この発明のプロセスにより、回路板の
面が非常にきめがこまかいざらざらな面からつやつやの
サテンのような面のものとなり、不完全な面の部分を平
滑にし、穿孔された孔部分を均一に銅めっきして、該部
分におけるめっき特性は、極めてすぐれたものとなる。
【００２７】このように、電子部品関係のめっき操作に
おいては、前記した機能性流体は、約２０ｍｇ／ｌから
約２０００ｍｇ／ｌ の範囲、好ましくは、約４０ｍｇ
／ｌから１５００ｍｇ／ｌの範囲の量で使用される。以
下に述べる本発明の実施例においては、１２０ｍｇ／ｌ
から約１０００ｍｇ／ｌの機能性流体が使用されてい
る。さらに、好ましい実施例においては、約０．２ｍｇ
／ｌから約０．２０ｍｇ／ｌのサルファイド化合物が前
記のような電子部品めっきプロセスの浴において有用と
なっている。また、第四級ポリエチレンイミンのような
光沢剤の少量（約１ｍｇ／ｌから約５ｍｇ／ｌの量）が
本発明のプロセスに使用できる。
【００２８】本発明のバレルめっき操作に関して言え
ば、従来、ハイアシッド／ロウ銅溶液において銅ストラ
イクにバレルめっき操作を行うことは実用的に不可能で
あった。しかしながらこの発明を使用することで、より
小さく複雑な形状の部品類をバレルめっきで銅めっきす
ることが可能となった。バレルめっきシステムにおいて
は、銅ストラキは、よりブライトになることが好ましい
が、延性は、他のめっき操作ほどには重要でない。しか
しながら、バレルめっき操作における層間接着性は、極
めて重要なものである。この発明が発明される前では、
めっき皮膜層の接着性に欠陥があり、これがバレルめっ
き操作の実用化を阻んでいた。しかしながら、この発明
においては、前記した機能性流体を約１０ｍｇ／ｌから
約１２００ｍｇ／ｌの量で使用することで、前記欠陥が
解消された。この発明においては、部品類のバレルめっ
きに、前記機能性流体を約４０ｍｇ／ｌから約７００ｍ
ｇ／ｌ、好ましくは、６０ｍｇ／ｌから６００ｍｇ／ｌ
の範囲で使用される。前記した浴のいずれかに、機能性
流体を使用する場合、正しく機能させるには、より低い
分子量のポリマーを大量に使用するものであるが、分子
量の高い機能性流体を使う場合には、所望の結果を得る
ためには、使用する量を少なくすればよい。
【００２９】この発明の機能性流体の添加は、通常の光
沢剤、染料その他を含む装飾用の浴においても良好な作
用を得るものである。したがって、この発明は、すでに
改良された結果が得られているロウメタル／ハイアシッ
ドめっきシステムにも使用することができる。
【００３０】この発明の理解を更に助けるために、以下
に実施例を記載するが、この発明は、これらの実施例に
限定されるものではない。
【００３１】実 施 例 銅ストライク 以下のものを使用した銅ストライク浴を調製した：硫酸
銅ペンタハイドレート１７５ｇ／ｌ；硫酸１９５ｇ／
ｌ；塩素イオン６０ｍｇ／ｌ；および機能性流体（* Ｍ
Ｗ4000）４０ｍｇ／ｌ。無電解ニッケルめっきされたＡ
ＢＳプレートが、浴温度８０°Ｆ、１５ＡＳＦで空気攪
拌でめっきされた。これらのパーツにおける銅ストライ
ク皮膜は、きめのこまかなもので、均一であった。（*
は、ヒドロキシ基末端グループをもつブチル・エーテル
- ポリプロポキシエーテル- ポリエトキシエーテルであ
る）。
【００３２】実 施 例 ＩＩ 装飾 上記した浴に、ナトリウム３，３スルフォ プロパン
１，１ジサルファイド２０ｍｇ／ｌ；Janus Green Dye
９ｍｇ／ｌを加えた。パーツは、９２°Ｆの浴温度、３
０ＡＳＦで空気攪拌でめっきされた。パーツ類における
銅皮膜は、浴操作３０分の後、すべてのベース金属の不
完全さが平滑化されて均一に光沢があるものであった。
【００３３】実 施 例 ＩＩＩ 回路板のめっき 硫酸銅ペンタハイドレート６７．５ｇ／ｌ；濃縮硫酸１
７２．５ｇ／ｌ；塩素イオン６０ｍｇ／ｌ；およびブト
キシ・プロピロキシ・エチルオキシ・ポリマー機能性流
体（ＭＷ１１００）６８０ｍｇ／ｌを使用して、めっき
浴を調製した。銅クラッドラミネート回路板が７５°Ｆ
の空気攪拌、２４ＡＳＦでめっきされた。銅めっき皮膜
は、均一で、セミブライトで、きめが細かく、極めて延
性があった。該めっき皮膜は、分離無しに１０回のサー
マルショックサイクルに通されたが、銅めっき皮膜は、
すぐれた物理特性を示した。
【００３４】実 施 例 ＩＶ アシッド銅ストライク 硫酸銅ペンタハイドレート７５ｇ／ｌ；濃縮硫酸１８
７．５ｇ／ｌ；塩素イオン６５ｍｇ／ｌ；ブチル- オキ
シ- プロピルオキシ- エチルオキシ ポリマー機能性流
体（ＭＷ １１００）； ［３- スルフォピロピル］2-
二硫酸塩ナトリウム塩１ｍｇ／ｌ；ポリ（アルカノール
第四級アンモニウム塩、米国特許第４１１０１７６号に
開示されている）１．５ｍｇ／ｌを用いて浴を調製し
た。無電解銅めっきＡＢＳパネルが温度８５°Ｆ、１５
ＡＳＦでめっきされた。
【００３５】得られたストライクは、低電流密度領域で
あっても良好な延性と接着性特性を有しており、後続の
ニッケルおよびクロムめっきに直ちに容易に受け入れる
ことができるものであった。
【００３６】実 施 例 Ｖ バレルめっき実施例 硫酸銅ペンタハイドレート７５ｇ／ｌ；濃縮硫酸１９５
ｇ／ｌ；塩素イオン７５ｐｐｍ（７５ｇ／ｌ）；機能性
流体（ＭＷ１７００）１００ｍｇ／ｌ；３，３スルフォ
プロピル二硫酸塩２ｍｇ／ｌ；第四級ポリエチレン１ｍ
ｇ／ｌを用いてバレルめっき浴を調製した。シアンフリ
ーのアルカリ性銅ストライクをもつ小さなスチールのパ
ーツを７−１０ＡＳＦ平均カソード電流密度でめっきし
た。該パーツのめっき皮膜は、光沢があり、均一で、良
好な平滑性と、層間の接着性が良好であった。これらの
パーツへのニッケルおよびクロムめっきは直ちに行える
ものであった。銅めっき皮膜は、延性に富み、厚い電鋳
用途に適している。
【００３７】実 施 例 ＶＩ 以下のものを用いて浴を調製した：(a) 銅イオン２０ｇ
／ｌ；硫酸２２５ｇ／ｌ； (b) 銅イオン１４ｇ／ｌ 硫酸４５ｇ／ｌ；(c) 銅４５
ｇ／ｌ; 硫酸１００ｇ／ｌ；および(d) 銅イオン１５ｇ
／ｌ；硫酸２６２ｇ／ｌ。
【００３８】ついで、これらの浴に分子量が５００から
１０，０００のブトキシ、エトキシおよびプロポキシ機
能性をもつ機能性流体を１ｍｇ／ｌから２，０００ｍｇ
／ｌの量で添加して、本発明の銅めっき浴を形成した。
電気めっきされたパーツは、良好な接着性、延性および
スローイング特性を有するきめのこまかい銅めっき皮膜
を形成していた。
【００３９】実 施 例 ＶＩＩ プリント回路板 硫酸銅ペンタハイドレート６９ｇ／ｌ；硫酸２２５ｇ／
ｌ；塩素８０ｍｇ／ｌを用いてめっき浴を調製した。こ
の浴に１２モルのプロピレンオキサイドと反応した２，
２ジメチル２，２ジフェノールプロピレン７００ｍｇ／
ｌを加え、さらにアンモニウム塩として、末端ヒドロキ
シグループの最終コンテント３０〜５０％に硫酸塩化さ
せた２０モルのエチレンオキサイドを添加した。銅クラ
ッドラミネート回路板は、１時間にわたり２０ＡＳＦで
処理され、その結果、該皮膜は、きめがこまかく、均一
で、極めてすぐれた低電流密度厚さを示した。
【００４０】
【発明の効果】この発明により、高酸性／低メタル銅め
っき浴による部品類の電気めっきに良好な結果を得るこ
とができる。

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 約１３ｇ／ｌから約４５ｇ／ｌの銅イオ
    ンと；約４５ｇ／ｌから約２６２ｇ／ｌの量の酸と、浴
    可溶性マルチ機能性ポリマーの有効量を含み、前記ポリ
    マーは、トリプルエーテル機能性と、プロポキシおよび
    エトキシエーテルグループとを備え、前記トリプルエー
    テル機能性においては、エーテル結合の一つがアルコー
    ル、ビスフェノール Ａまたはエポキシからの誘導体で
    あり、前記マルチ機能性ポリマーによって、低電流密度
    領域における表面欠陥部を平滑化し、接着性を改善し、
    めっき状態を改善することを特徴とする基体への銅めっ
    きを行う改良された電気銅めっき浴。
  2. 【請求項２】 前記機能性ポリマーの有効量は、 【化１】 の構造式を有する機能性流体の約１ｍｇ／ｌから約２０
    ００ｍｇ／ｌの量であり、前記構造式において、 Ｒ1 は、次のものからなるグループから選ばれたもの：
    約４炭素原子から約１０炭素原子を有するアルコールか
    ら誘導されたアルキルエーテルグループ；ビスフェノー
    ルＡ部分から誘導されたアルキルエーテル基；エポキシ
    部分から誘導されたエーテル基；またはこれらの混合
    物、ｍは、約１から約１０のものから選ばれたもの；Ｒ
    2 とＲ3 は、前記構造式において、順序が相互に変えら
    れるものであって、前記構造式において、ブロックまた
    はランダムのオーダーで利用できるものであり；Ｒ2
    は、 の構造式からなるグループおよびそれらの混合物から選
    ばれたものであり：そして、Ｒ3 は、 の構造式からなるグループおよびそれらの混合物から選
    ばれたものであり；Ｒ4 は、下記のものからなるグルー
    プから選ばれたもの：Ｈ、ＣＨ3 、アルキルグループ、
    ヒドロキシアルキルグループ、１から３の炭素を有する
    アルキルエーテルグループ、極性アルキルグループ、イ
    オン化成分またはカルボン酸，硫酸塩，スルフォン酸
    塩，フォスフォン酸塩，またはアルカリ金属イオンおよ
    びこれらの混合物のようなイオン化成分を有するアルキ
    ルグループ、 そして、前記構造式のｎとｏは、ｎ対ｏの比率が、約１
    ／２：１から約１：３０であって、 前記機能性流体は、分子量が約５００から約１０，００
    ０であるもの、であることを特徴とする請求項１の電気
    銅めっき浴。
  3. 【請求項３】 前記機能性流体の前記分子量は、約１，
    ０００から約２，５００であることを特徴とする請求項
    ２の電解銅めっき浴。
  4. 【請求項４】 前記機能性流体の使用量が約１ｍｇ／ｌ
    から約１，０００ｍｇ／ｌであることを特徴とする請求
    項２の電解銅めっき浴。
  5. 【請求項５】 前記ｎ対ｏの比率が約１：１から約１：
    ２０であることを特徴とする請求項２の電解銅めっき
    浴。
  6. 【請求項６】 Ｒ1 が約４炭素原子から約６炭素原子を
    有するアルコールまたはエポキシから誘導されたアルキ
    ルエーテルであることを特徴とする請求項２の電解銅め
    っき浴。
  7. 【請求項７】 前記機能性流体の使用量が約１０ｍｇ／
    ｌから約１，２００ｍｇ／ｌであることを特徴とする請
    求項２の電解銅めっき浴。
  8. 【請求項８】 ｍが約１から約３であることを特徴とす
    る請求項２の電解銅めっき浴。
  9. 【請求項９】 下記の工程からなる、基体に銅皮膜を電
    解めっきさせるプロセス： １） 約１５ｇ／ｌから約４５ｇ／ｌの銅イオンと；約
    ４５ｇ／ｌから約２６２ｇ／ｌの量の酸、および、浴可
    溶性マルチ機能性ポリマーから酸性銅めっき浴を調製す
    る工程であって、前記ポリマーは、アルコールから誘導
    された４炭素鎖から１０炭素鎖の少なくとも一つのエー
    テル基を有し、更に、ビスフェノールＡ又はエポキシ、
    プロポキシおよびエトキシ機能性を有し、めっきすべき
    面の欠陥部を平滑化し、接着性と延性とを改善するため
    の有効量で前記溶液中に含まれているものであり； ２） 銅めっきすべき基体を用意して前記めっき浴にそ
    れを浸漬する工程；および ３） 前記浴に十分な電気めっきのための電流を通電
    し、前記基体に、後続めっき処理を行いやすくなるよう
    な十分な厚さと導電性とを有する銅めっきを行う工程。
  10. 【請求項１０】 前記機能性ポリマーは、 【化２】 の構造式を有する機能性流体であって、前記構造式にお
    いて、 Ｒ1 は、次のものからなるグループから選ばれたもの：
    約４炭素原子から約１０炭素原子を有するアルコール部
    分から誘導されたエーテルグループ；ビスフェノールＡ
    部分から誘導されたエーテルグループ；エポキシ部分か
    ら誘導されたエーテルグループ；およびこれらの混合
    物、ｍは、約１から約１０のものから選ばれたもの；Ｒ
    2 とＲ3 は、前記構造式において、順序が相互に変えら
    れるものであって、；Ｒ2 は、 の構造式からなるグループおよびそれらの混合物から選
    ばれたものであり：そして、Ｒ3 は、 の構造式からなるグループおよびそれらの混合物から選
    ばれたものであり；Ｒ4 は、下記のものからなるグルー
    プから選ばれたもの：Ｈ、ＣＨ3 、アルキルグループ、
    ヒドロキシアルキルグループ、１から３の炭素を有する
    アルキルエーテルグループ、極性アルキルグループ、イ
    オン化成分またはカルボン酸，硫酸塩，スルフォン酸
    塩，フォスフォン酸塩，またはアルカリ金属イオンおよ
    びこれらの混合物のようなイオン化成分を有するアルキ
    ルグループ、 そして、前記構造式のｎとｏは、ｎ対ｏの比率が、約１
    ／２：１から約１：３０であって、 前記機能性流体は、分子量が約５００から約１０，００
    ０であるもの、であることを特徴とする請求項９の電気
    銅めっきプロセス。
  11. 【請求項１１】 前記機能性流体の前記分子量は、約
    １，０００から約２，５００であることを特徴とする請
    求項１０の電解銅めっきプロセス。
  12. 【請求項１２】 前記浴は、バレルめっき浴を備え、さ
    らに、前記浴において、前記機能性流体を約１０ｍｇ／
    ｌから１，２００ｍｇ／ｌの量で含む請求項１０の電解
    銅めっきプロセス。
  13. 【請求項１３】 前記浴が電気用途のために銅めっきを
    する銅めっき浴を有し、約２０ｍｇ／ｌから約２，００
    ０ｍｇ／ｌの前記機能性流体を含む請求項１０の電解銅
    めっきプロセス。
  14. 【請求項１４】 前記浴が銅ストライク浴を含み、約１
    ｍｇ／ｌから約１，０００ｍｇ／ｌの機能性流体を含む
    請求項１０の電解銅めっきプロセス。
  15. 【請求項１５】 前記ｎ対ｏの比率が約１：１から約
    １：２０であることを特徴とする請求項１０の電解銅め
    っきプロセス。
  16. 【請求項１６】 Ｒ1 が約４炭素原子から約６炭素原子
    を有するアルコールまたはエポキシから誘導されたアル
    キルエーテルであることを特徴とする請求項１０の電解
    銅めっきプロセス。
  17. 【請求項１７】 ｍが約１から約３であることを特徴と
    する請求項１０の電解銅めっきプロセス。
  18. 【請求項１８】 約１３ｇ／ｌから約４５ｇ／ｌの銅イ
    オンと；約４５ｇ／ｌから約２６２ｇ／ｌの酸と；光沢
    剤及び平滑化添加剤の有効量と； 【化３】 の構造式をもつ機能性流体約１ｍｇ／ｌから２０００ｍ
    ｇ／ｌと；を含み、 Ｒ1 は、次のものからなるグループから選ばれたもの：
    約４炭素原子から約１０炭素原子を有するアルコール部
    分から誘導されたアルキルエーテルグループ；ビスフェ
    ノールＡ部分から誘導されたアルキルエーテルグルー
    プ；エポキシ部分；またはこれらの混合物、ｍは、約１
    から約３のものから選ばれたもの；Ｒ2 とＲ3 は、前記
    構造式において、順序が相互に変えられるものであっ
    て、；Ｒ2 は、 の構造式からなるグループおよびそれらの混合物から選
    ばれたものであり：そして、Ｒ3 は、 の構造式からなるグループおよびそれらの混合物から選
    ばれたものであり；Ｒ4 は、下記のものからなるグルー
    プから選ばれたもの：Ｈ、ＣＨ3 、アルキルグループ、
    ヒドロキシアルキルグループ、１から３の炭素を有する
    アルキルエーテルグループ、極性アルキルグループ、イ
    オン化成分またはカルボン酸，硫酸塩，スルフォン酸
    塩，フォスフォン酸塩，またはアルカリ金属イオンおよ
    びこれらの混合物のようなイオン化成分を有するアルキ
    ルグループ、 そして、前記構造式のｎとｏは、ｎ対ｏの比率が、約１
    ／２：１から約１：３０であって、 前記機能性流体は、分子量が約５００から約１０，００
    ０であるもの、であることを特徴とする基体へ銅めっき
    を施す電解銅めっき浴。
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