JPH06181266A - 高周波帯ic用パッケージ - Google Patents
高周波帯ic用パッケージInfo
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Abstract
においても反射損失,導体損失,放射損失の小さなIC
パッケージを得ることを目的とする。 【構成】 天井部21とキャビティウォール22とを一
体化したキャップ20を用いて、パッケージ本体1に実
装されたICチップ8を封止することにより、ボンディ
ングワイヤ13,伝送線路4を短縮する。さらにICチ
ップ8同士の間に接地された隔壁部材23を設けること
によりチップ収納室25a,25b間のアンソレーショ
ンを改善する。
Description
Hzの以上のミリ波帯で動作するICチップを実装する
高周波帯IC用パッケージに関するものである。
ジの一例を示す平面及び断面図である。図において、1
はアルミナ,ガラス等の誘電体からなる17mm×10
mm角のパッケージ本体、2は該パッケージ本体1にチ
ップの厚みと同等な深さの凹部を設けて形成されたチッ
プ実装部である。3はスルーホールであり、チップ実装
部2とパッケージ本体1裏面側に金メッキ等で形成され
た接地面11とを電気的に接続している。4は上記チッ
プ実装部2近傍まで形成された高周波伝送線路(この場
合はマイクロストリップライン)、12はDCバイアス
線路、7は上記チップ実装部2を囲むように形成された
キャビティウォールである。
る。図17は誘電体からなるパッケージ本体1のチップ
実装部2に、2個の高周波帯ICチップ8をハンダ,導
電性接着剤等を用いて固定した状態を示す平面及び側面
図であり、この後ICチップ8に設けられた電極(図示
せず)と、パッケージ本体1に形成された高周波伝送線
路4及びDCバイアス線路12,あるいはICチップ8
の電極同士を、ウエッジブレード10を用いてワイヤま
たはリボン13等で接続し、その後、キャビティウォー
ル7上にパッケージ本体と同様の材質からなるキャップ
6を固定して気密封止を行なう(図17参照)。
パッケージは以上のように構成されており、パッケージ
本体に凹部を設け、ここにICチップをボンディングす
ることで伝送線路とチップとを接続するワイヤ又はリボ
ンの長さを短くするようにしているが、一般的に周波数
が高くなり、特に30GHzのミリ波帯領域となると、
インピーダンスの不整合による反射損失や、伝送線路長
に起因する導体損失が極めて大きくなるため、図19に
示すように、キャビティウォール7′をチップ実装部2
に近接して設けワイヤ13や伝送線路4の長さを短くす
る必要が生じる。ところが従来の高周波帯IC用パッケ
ージでは図18に示すように、例えば試験生産及び少量
生産時等には手動ボンディング装置を用いて紙面左側の
矢印9の方向から観察光を照射するとともに作業者が目
視しながら、対向する紙面右側のキャビティウォール近
傍にてボンディング作業を行うため、キャビティウォー
ル7′をチップ実装部2に近接して設けると、結線時に
ワイヤボンダの先端部のウェッジブレード10とキャビ
ティウォール7′とが接触するため、キャビティウォー
ルとチップとの間隔を0.7mm以下にすることができ
ず、従ってキャビティ内でのワイヤや伝送線路の長さを
一定以下に短縮することが困難であるという問題点がっ
た。
が大きくなるため放射損失が大きくなったり、高周波信
号の入出力方向に対して直角方向のチップとキャビティ
ウォール間の間隔を小さくできないことから空洞共振が
生じて充分な高周波特性が得られないという問題点があ
った。
ためになされたもので、キャビティウォールをチップ実
装部に近接して形成してもボンディングツールがキャビ
ティウォールと干渉することがなく、ワイヤ,伝送線路
の長さを大幅に短縮して反射損失,導体損失,放射損失
が小さく、さらに空洞共振の少ない高周波帯IC用パッ
ケージを得ることを目的とする。
ジ内に実装する場合において、各ICを収納するキャビ
ティ間のアイソレーションを強化することによって、さ
らに放射損失の小さい高周波帯IC用パッケージを得る
ことを目的とする。
帯IC用パッケージは、キャビティウォールとキャップ
を一体化するようにしたものである。また、複数のIC
チップを同一パッケージ内に収納する場合において、I
Cチップ同士の間に接地されたキャビティウォールを設
けたものである。
ャップが一体化されているため、パッケージ本体にIC
チップを実装した後、チップ周辺部が平坦な状態でワイ
ヤボンディング作業を行うことができ、ワイヤ,伝送線
路の大幅な短縮が可能となる。
を収納した際に、ICチップ同士の間に仕切り片が設け
られているため、チップ間のアイソレーションをさらに
強化することができる。
波帯IC用パッケージの本体を示す平面図であり、図1
(b) は同実施例による高周波帯ICパッケージ本体のA
−A線に沿った断面図である。図に示すように、パッケ
ージ本体1側にはキャビティウォールはなく、接地導体
パターン5がチップ実装部2の周囲に設けられており、
該接地導体パターン5はパッケージ本体1裏面の接地面
11とスルーホール3を介して電気的に接続されてい
る。また41は2つのICチップ間に配置された高周波
伝送線路である。
ッケージのキャップの裏面斜視図であり、図において、
20はキャップを示し、21はその天井部、22は上記
天井部21と一体形成されたキャビティウォールであ
る。またキャビティウォール22は隔壁部材23によっ
て2つのチップ収納室25a,25bに大きく区分され
ている。さらに隔壁部材23の一部及びキャビティウォ
ール22の所定箇所には誘電体部分24が形成されてい
る。
たはプラスティック,セラミック等の誘電体の表面に金
属メッキを施したものが用いられ、キャップ20として
金属を用いた場合には上記誘電体部分24は、キャップ
20にセラミック等を埋め込むことで形成され、またキ
ャップ20としてプラスティック,セラミック等の誘電
体を用いた場合には、上記金属メッキを選択的に行うこ
とにより所定部分の誘電体を露出させることで得られ
る。
る。図3は上記図1に示したパッケージ本体1のチップ
実装部2に高周波帯ICチップ8を固定した後、ICチ
ップ8表面の図示しない電極と高周波伝送線路またはD
Cバイアス線路とをワイヤまたはリボン等を用いて接続
する際の様子を示し、図に示すように、紙面左側の矢印
9の方向から観察光を照射するとともに作業者が目視し
ながら、紙面右側のチップ端面近傍にてボンディング作
業を行うこととなるが、ICチップ8表面の電極と高周
波伝送線路またはDCバイアス線路を長さの短いワイヤ
またはリボン13を用いて接続しても、従来のようにパ
ッケージ本体1側にキャビティウォールがないため、ウ
ェッジブレード10がキャビティウォールに干渉するこ
とがない。
1に固定された2つのICチップ8の電極と高周波伝送
線路4,41またはDCバイアス線路12とをワイヤま
たはリボン13で接続した後、上記ICチップ8を図2
で示した構造のキャップで覆う前のパッケージ本体1と
キャップ20との位置関係を示す図であり、パッケージ
本体1側の高周波伝送線路4,DCバイアス線路12と
当接するキャビティウォール7の下端部周辺、及び信号
伝送線路41と当接する隔壁部材23の下端部に相当す
る領域には誘電体部分24が位置し、該誘電体部分24
を除く他の部分はパッケージ本体1表面に形成された接
地導体パターン5と当接するようになっている。なお5
aは上記キャップ20の隔壁部材23下端部と当接する
接地導体パターンを示す。
ICチップ8をキャップ20で封止した際のパッケージ
全体の構造を示す図であり、2つのICチップ8はそれ
ぞれキャップ20のチップ収納室25a,25bによっ
て覆われて気密封止されている。以上のようにすること
でキャビティウォールとチップとの間隔を0.2〜0.
3mmとすることができ、従来に比べてチップとキャビ
ティウォール間の間隔は大幅に小さくなっている。なお
実際にはチップ収納室25a,25b内部には窒素やヘ
リウム等の不活性ガスが充填されている。
0をキャビティウォール22を有するものとし、これに
よりパッケージ本体1に実装されたICチップ8を封止
するようにしたから、ワイヤボンディング時にウェッジ
ブレード10とキャビティウォールとが干渉することが
なくなり、ICチップ8と高周波伝送線路4及びDCバ
イアス線路12とを短いワイヤまたはリボン等で結線す
ることができ、従って反射損失や導体損失並びに放射損
失を低減することができ、またICチップ8とキャビテ
ィウォール22を近接して配置できるため、空洞共振が
低減され高周波特性を向上させることができる。またキ
ャップ20がパッケージ本体1表面に形成された接地導
体パターン5と接続しているため、高周波遮蔽効果を高
めることができる。
る高周波体IC用パッケージについて説明する。この実
施例では、隣接するICチップ間を仕切る隔壁部材を2
重にし、これら隔壁部材間において、2つのICチップ
間を接続する高周波伝送線路を屈曲させるようにしたも
のである。
を示し、図において、42は2つのICチップ間を接続
するための高周波伝送線路であり、2つの接地導体パタ
ーン5b,5cに挟まれた領域のパッケージ1表面にお
いてその両先端部分がL字型に曲げられている。また図
7に示すように、キャップ20aは2つの隔壁部材23
a,23bによって2つのチップ収納室25a,25b
に区分されるとともに、2つの隔壁部材23a,23b
間によって挟まれた空間25cが形成されている。さら
にキャビティウォール22及び隔壁部材23a,23b
の所定部分には誘電体部分24が形成されている。
のICチップ8の電極と高周波伝送線路4,42または
DCバイアス線路12とをワイヤまたはリボン13で接
続した後、上記2つのICチップ8を図7で示した構造
のキャップで覆う前のパッケージ本体1とキャップ20
aとの位置関係を示す図であり、パッケージ本体1側の
高周波伝送線路4,DCバイアス線路12と当接するキ
ャビティウォール7の下端部周辺、及び信号伝送線路4
2と当接する隔壁部材23,23bの下端部に相当する
領域には誘電体部分24が位置し、該誘電体部分24を
除く他の部分はパッケージ本体1表面に形成された接地
導体パターン5,5a,5bと当接するようになってい
る。
ップ8同士の間に接地された隔壁部材23a,23bが
複数存在し、かつ伝送線路42がクランク状になってい
るため、上記第1の実施例の効果に加えて個々のICチ
ップ8のアイソレーションが一層強化され、その結果放
射損失の低減効果が大きくなる。
る高周波体IC用パッケージについて説明する。図9
(a) ,(b) ,(c) に示すように、この実施例では、パッ
ケージ本体1表面の大部分にわたって接地導体パターン
51が形成され、この接地導体パターン51はチップ実
装部2と同様にスルーホール3を介してパッケージ本体
1裏面側の接地面11と接続されている。また信号入出
力用及びチップ間の高周波伝送線路は、パッケージ本体
1表面においてそれぞれ4a,4b、及び43a,43
bの2つに分割され、これら分割された伝送線路4a,
4b及び43a,43bはパッケージ本体1に埋設され
た伝送線路4c及びスルーホール3によって電気的に接
続される構造となっている。また、DCバイアス線路も
高周波伝送線路と同様に、パッケージ本体1表面におい
てそれぞれ12a,12bに分割され、パッケージ本体
1に埋設されたバイアス線路12c及びスルーホール3
によって電気的に接続されている。また51aは埋設さ
れた伝送線路4cをコプレーナ線路にするために、該線
路4cの両側に形成された接地導体パターンである。以
上のような構造を得るためには、例えば、図7(b) のC
−C線に沿ってパッケージ本体1を2分割し、埋設され
る伝送線路4c及びバイアス線路12cを形成した後、
再度張り合わせる方法が考えられる。
パッケージのキャップの裏面斜視図であり、図におい
て、20bはキャップを示し、上記各実施例と同様に金
属、またはセラミック等の誘電体の表面に金属メッキを
施したものが用いられるが、隔壁部材23及びキャビテ
ィーウォール22の下端部には誘電体部分は見られな
い。
つのICチップ8の電極と高周波伝送線路4a,43
a,43bまたはDCバイアス線路12a,12bとを
ワイヤまたはリボン13で接続した後、上記2つのIC
チップ8を図10で示した構造のキャップで覆う前のパ
ッケージ本体1とキャップ20bとの位置関係を示す図
であり、パッケージ本体1表面の、キャップ20bと当
接する領域には、高周波伝送線路及びDCバイアス線路
は形成されておらず、高周波伝送線路4c及びDCバイ
アス線路12cによってパッケージ本体1内を迂回して
いる。なお図11では説明を簡略化するために埋設され
たDCバイアス線路12cは省略され、また高周波伝送
線路4cも部分的に省略されている。
てICチップ8を封止することにより、コプレーナ型の
高周波伝送線路を構成する接地導体パターン51からキ
ャップ20bに接地電位が供給され、ICチップ8は電
磁的にシールドされる。以上のような構成とすることに
より、上記第1の実施例の効果に加え、キャップ20a
の構成を簡略化することができる。
る高周波帯IC用パッケージについて説明する。上記第
1及び第2の実施例では、キャップの隔壁部材23(2
3a,23b)の、高周波伝送線路41,(42)と当
接する部分に誘電体部分24を形成することで接地電位
と高周波信号とが短絡するのを防止するようにしたが、
この実施例では例えば図1の構成のパッケージ本体1に
搭載されたICチップ8を封止する際には、図12に示
すように、隔壁部材23の高周波伝送線路41と当接す
る部分にスリット26を設けたキャップ20cを用いる
ことで接地電位と高周波信号とが短絡するのを防止する
ようにしたものである。
つのICチップ8の電極と、高周波伝送線路4a,43
a,43bまたはDCバイアス線路12a,12bとを
ワイヤまたはリボン13で接続した後、図12で示した
構造のキャップ20cで覆う前のパッケージ本体1とキ
ャップ20cとの位置関係を示す図であり、また図14
は上記パッケージ本体1に実装されたICチップ8をキ
ャップ20cで封止した際のパッケージ全体の構造を示
す図であり、パッケージ内の2つのICチップ8はそれ
ぞれキャップ20cのチップ収納室25a,25bによ
って覆われることとなるが、隔壁部材23にスリット2
6が設けられているため、上記チップ収納室25a,2
5b間は空間的に連通している。このようにすることで
上記第1の実施例と同等の効果を得ることができる。
に形成される伝送線路としてコプレーナ型のものを示し
たが、図15(a) に示すように、伝送線路4a,4b、
及び43a,43bの片側のみに接地導体パターン51
を形成することによりスロット型の伝送線路としてもよ
い。なおこの場合、図15(b) に示すように、パッケー
ジ本体1内に埋設された高周波伝送線路4cの片側のみ
に接地導体パターン51aを形成することとなる。
ッケージ本体1に2つの高周波用ICチップを搭載する
ようにしたが、搭載されるチップの数には制限はなく、
さらに多くのチップを搭載する場合においても本発明を
適用することができる。さらに、上記第2の実施例を除
く他の実施例では、パッケージ本体1に1つの高周波用
ICを搭載する場合であってもよい。
IC用パッケージによれば、ICチップ実装時にパッケ
ージ本体側にキャビティウォールがないため、ボンディ
ングツールの先端がキャビティウォールと干渉すること
がなく、ホンディングワイヤ,伝送線路の短縮が可能と
なり、反射損失,導体損失及び空洞共振が低減される効
果がある。
ビティウォールが存在するため、個々のICチップのア
イソレーションが強化され放射損失が低減される効果が
ある。
パッケージのパッケージ本体を示す平面図及び断面図で
ある。
面斜視図である。
の様子を説明するための図である。
上記キャップで覆う前のパッケージ本体とキャップとの
位置関係を示す図である。
パッケージ全体を示す図である。
パッケージのパッケージ本体を示す平面図である。
面斜視図である。
上記キャップで覆う前のパッケージ本体とキャップとの
位置関係を示す図である。
パッケージのパッケージ本体を示す平面図及びB−B
線,C−C線に沿った断面図である。
裏面斜視図である。
を上記キャップで覆う前のパッケージ本体とキャップと
の位置関係を示す図である。
用パッケージのキャップの裏面斜視図である。
を上記キャップで覆う前のパッケージ本体とキャップと
の位置関係を示す図である。
のパッケージ全体を示す図である。
周波伝送線路を構成した場合のパッケージ本体の平面図
及び断面図である。
ジ本体の平面図である。
ジ本体にICチップを固定した際の様子を示す平面図及
び断面図である。
ジ本体にICチップを固定した後、ボンディングする際
の様子を示す図である。
説明するためのICチップ周辺の部分拡大図である。
る。図17は誘電体からなるパッケージ本体1のチップ
実装部2に、2個の高周波帯ICチップ8をハンダ,導
電性接着剤等を用いて固定した状態を示す平面及び側面
図であり、この後ICチップ8に設けられた電極(図示
せず)と、パッケージ本体1に形成された高周波伝送線
路4及びDCバイアス線路12,あるいはICチップ8
の電極同士を、ウエッジブレード10を用いてワイヤま
たはリボン13等で接続し、その後、キャビティウォー
ル7上にパッケージ本体と同様の材質からなるキャップ
6を固定して気密封止を行なう(図18参照)。
パッケージは以上のように構成されており、パッケージ
本体に凹部を設け、ここにICチップをボンディングす
ることで伝送線路とチップとを接続するワイヤ又はリボ
ンの長さを短くするようにしているが、一般的に周波数
が高くなり、特に30GHzのミリ波帯領域となると、
インピーダンスの不整合による反射損失や、伝送線路長
に起因する導体損失が極めて大きくなるため、図19に
示すように、キャビティウォール7′をチップ実装部2
に近接して設けワイヤ13や伝送線路4の長さを短くす
る必要が生じる。ところが従来の高周波帯IC用パッケ
ージでは図18に示すように、例えば試験生産及び少量
生産時等には手動ボンディング装置を用いて紙面左側の
矢印9の方向から観察光を照射するとともに作業者が目
視しながら、対向する紙面右側のキャビティウォール近
傍にてボンディング作業を行うため、キャビティウォー
ル7′をチップ実装部2に近接して設けると、結線時に
ワイヤボンダの先端部のウェッジブレード10とキャビ
ティウォール7′とが接触するため、キャビティウォー
ルとチップ端部との間隔を0.7mm以下にすることが
できず、従ってキャビティ内でのワイヤや伝送線路の長
さを一定以下に短縮することが困難であるという問題点
がった。
ッケージのキャップの裏面斜視図であり、図において、
20はキャップを示し、21はその天井部、22は上記
天井部21と一体形成されたキャビティウォールであ
る。またキャビティウォール22は隔壁部材23によっ
て2つのチップ収納室25a,25bに大きく区分され
ている。さらに隔壁部材23の一部及びキャビティウォ
ール22の所定箇所には誘電体部分24が形成されてい
る。
る。図2は上記図1に示したパッケージ本体1のチップ
実装部2に高周波帯ICチップ8を固定した後、ICチ
ップ8表面の図示しない電極と高周波伝送線路またはD
Cバイアス線路とをワイヤまたはリボン等を用いて接続
する際の様子を示し、図に示すように、紙面左側の矢印
9の方向から観察光を照射するとともに作業者が目視し
ながら、紙面右側のチップ端面近傍にてボンディング作
業を行うこととなるが、ICチップ8表面の電極と高周
波伝送線路またはDCバイアス線路を長さの短いワイヤ
またはリボン13を用いて接続しても、従来のようにパ
ッケージ本体1側にキャビティウォールがないため、ウ
ェッジブレード10がキャビティウォールに干渉するこ
とがない。
1に固定された2つのICチップ8の電極と高周波伝送
線路4,41またはDCバイアス線路12とをワイヤま
たはリボン13で接続した後、上記ICチップ8を図2
で示した構造のキャップで覆う前のパッケージ本体1と
キャップ20との位置関係を示す図であり、パッケージ
本体1側の高周波伝送線路4,DCバイアス線路12と
当接するキャビティウォール22の下端部周辺、及びチ
ップ間の信号伝送線路41と当接する隔壁部材23の下
端部に相当する領域には誘電体部分24が位置し、該誘
電体部分24を除く他の部分はパッケージ本体1表面に
形成された接地導体パターン5と当接するようになって
いる。なお5aは上記キャップ20の隔壁部材23下端
部と当接する接地導体パターンを示す。
る高周波帯IC用パッケージについて説明する。この実
施例では、隣接するICチップ間を仕切る隔壁部材を2
重にし、これら隔壁部材間において、2つのICチップ
間を接続する高周波伝送線路を屈曲させるようにしたも
のである。
を示し、図において、42は2つのICチップ実装部間
を接続するための高周波伝送線路であり、2つの接地導
体パターン5b,5cに挟まれた領域のパッケージ1表
面においてその両先端部分がL字型に曲げられている。
また図7に示すように、キャップ20aは2つの隔壁部
材23a,23bによって2つのチップ収納室25a,
25bに区分されるとともに、2つの隔壁部材23a,
23b間によって挟まれた空間25cが形成されてい
る。さらにキャビティウォール22及び隔壁部材23
a,23bの所定部分には誘電体部分24が形成されて
いる。
のICチップ8の電極と高周波伝送線路4,42または
DCバイアス線路12とをワイヤまたはリボン13で接
続した後、上記2つのICチップ8を図7で示した構造
のキャップで覆う前のパッケージ本体1とキャップ20
aとの位置関係を示す図であり、パッケージ本体1側の
高周波伝送線路4,DCバイアス線路12と当接するキ
ャビティウォール22の下端部周辺、及び信号伝送線路
42と当接する隔壁部材23a,23bの下端部に相当
する領域には誘電体部分24が位置し、該誘電体部分2
4を除く他の部分はパッケージ本体1表面に形成された
接地導体パターン5,5a,5bと当接するようになっ
ている。
る高周波体IC用パッケージについて説明する。図9
(a) ,(b) ,(c) に示すように、この実施例では、パッ
ケージ本体1表面の大部分にわたって接地導体パターン
51が形成され、この接地導体パターン51はチップ実
装部2と同様にスルーホール3を介してパッケージ本体
1裏面側の接地面11と接続されている。また信号入出
力用及びチップ間の高周波伝送線路は、パッケージ本体
1表面においてそれぞれ4a,4b、及び43a,43
bの2つに分割され、これら分割された伝送線路4a,
4b及び43a,43bはパッケージ本体1に埋設され
た伝送線路4c及びスルーホール3によって電気的に接
続される構造となっている。また、DCバイアス線路も
高周波伝送線路と同様に、パッケージ本体1表面におい
てそれぞれ12a,12bに分割され、パッケージ本体
1に埋設されたバイアス線路12c及びスルーホール3
によって電気的に接続されている。また51aは埋設さ
れた伝送線路4cをコプレーナ線路にするために、該線
路4cの両側に形成された接地導体パターンである。以
上のような構造を得るためには、例えば、図7(b) のC
−C線に沿ってパッケージ本体1を2分割し、埋設され
る伝送線路4c,接地導体パターン51a及びバイアス
線路12cを形成した後、再度張り合わせる方法が考え
られる。
パッケージのキャップの裏面斜視図であり、図におい
て、20bはキャップを示し、上記各実施例と同様に金
属、またはセラミック等の誘電体の表面に金属メッキを
施したものが用いられるが、隔壁部材25及びキャビテ
ィーウォール22の下端部には誘電体部分は見られな
い。
つのICチップ8の電極と高周波伝送線路4a,43
a,43bまたはDCバイアス線路12bとをワイヤま
たはリボン13で接続した後、上記2つのICチップ8
を図10で示した構造のキャップで覆う前のパッケージ
本体1とキャップ20bとの位置関係を示す図であり、
パッケージ本体1表面の、キャップ20bと当接する領
域には、高周波伝送線路及びDCバイアス線路は形成さ
れておらず、高周波伝送線路4c及びDCバイアス線路
12cによってパッケージ本体1内を迂回している。な
お図11では説明を簡略化するために埋設されたDCバ
イアス線路12cは省略され、また高周波伝送線路4c
も部分的に省略されている。
てICチップ8を封止することにより、コプレーナ型の
高周波伝送線路を構成する接地導体パターン51からキ
ャップ20bに接地電位が供給され、ICチップ8は電
磁的にシールドされる。以上のような構成とすることに
より、上記第1の実施例の効果に加え、キャップ20b
の構成を簡略化することができる。
る高周波帯IC用パッケージについて説明する。上記第
1及び第2の実施例では、キャップの隔壁部材23(2
3a,23b)の、高周波伝送線路41,(42)と当
接する部分に誘電体部分24を形成することで接地電位
と高周波信号とが短絡するのを防止するようにしたが、
この実施例では例えば図1の構成のパッケージ本体1に
搭載されたICチップ8を封止する際には、図12に示
すように、隔壁部材23の高周波伝送線路41と当接す
る部分にスリット26を設けたキャップ20cを用いる
ことで接地電位と高周波信号とが短絡するのを防止する
ようにしたものである。
つのICチップ8の電極と、高周波伝送線路4,41ま
たはDCバイアス線路12とをワイヤまたはリボン13
で接続した後、図12で示した構造のキャップ20cで
覆う前のパッケージ本体1とキャップ20cとの位置関
係を示す図であり、また図14は上記パッケージ本体1
に実装されたICチップ8をキャップ20cで封止した
際のパッケージ全体の構造を示す図であり、パッケージ
内の2つのICチップ8はそれぞれキャップ20cのチ
ップ収納室25a,25bによって覆われることとなる
が、隔壁部材23にスリット26が設けられているた
め、上記チップ収納室25a,25b間は空間的に連通
している。このようにすることで上記第1の実施例と同
等の効果を得ることができる。
の様子を説明するための図である。
面斜視図である。
ジ本体の平面図及び断面図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 誘電体からなるパッケージ本体と、該パ
ッケージ本体の表面に形成された高周波伝送線路及び電
源線路と、上記パッケージ本体表面に実装され、かつ上
記各線路と電気的に接続された高周波帯ICチップを気
密封止するための蓋部材とを備えた高周波帯IC用パッ
ケージにおいて、 上記蓋部材は、 上記ICチップ上面を覆う平面部と、上記ICチップの
周囲を囲むように前記平面部と連続的に形成された側壁
部とを有していることを特徴とする高周波帯IC用パッ
ケージ。 - 【請求項2】 請求項1記載の高周波帯IC用パッケー
ジにおいて、 上記蓋部材は導電性を有し、 上記パッケージ本体の上記蓋部材と当接する領域には接
地された接地パターンが設けられていることを特徴とす
る高周波帯IC用パッケージ。 - 【請求項3】 請求項2記載の高周波帯IC用パッケー
ジにおいて、 上記蓋部材により上記ICチップを気密封止した際に上
記パッケージ本体側に形成された高周波伝送線路及び電
源線路と当接する上記蓋部材の側壁部には、絶縁部材が
設けられていることを特徴とする高周波帯IC用パッケ
ージ。 - 【請求項4】 請求項1記載の高周波帯IC用パッケー
ジにおいて、 上記パッケージ本体には複数の高周波帯ICチップが実
装され、 上記蓋部材には、上記各ICチップを覆う空間を仕切る
ための仕切り片が設けられていることを特徴とする高周
波帯IC用パッケージ。 - 【請求項5】 請求項4記載の高周波帯IC用パッケー
ジにおいて、 上記仕切り片を二重に設けて隣接するICチップ間に仕
切られた空間を形成したことを特徴とする高周波帯IC
用パッケージ。 - 【請求項6】 請求項4記載の高周波帯IC用パッケー
ジにおいて、 上記パッケージ本体表面には上記複数のICチップ間を
接続する伝送線路が形成されており、 上記仕切り片の上記ICチップ間を接続する伝送線路と
当接する領域には絶縁部材もしくは溝部が形成されてい
ることを特徴とする高周波帯用ICパッケージ。 - 【請求項7】 請求項5記載の高周波帯IC用パッケー
ジにおいて、 上記各ICチップは、上記仕切り板により形成された空
間内のパッケージ本体表面に形成された屈曲した伝送線
路によって接続されていることを特徴とする高周波帯I
C用パッケージ。 - 【請求項8】 請求項2記載の高周波帯IC用パッケー
ジにおいて、 上記接地パターンは上記ICチップ,高周波伝送線路,
電源線路を囲むようにして上記パッケージ本体表面全面
に形成されたものであり、 上記蓋部材が当接する領域の高周波伝送線路及び電源線
路は、パッケージ本体内に埋設されていることを特徴と
する高周波帯IC用パッケージ。 - 【請求項9】 請求項2記載の高周波帯IC用パッケー
ジにおいて、 上記接地パターンは上記高周波伝送線路の片側におい
て、上記ICチップ,電源線路を囲むようにして上記パ
ッケージ本体表面に形成されたものであり、 上記蓋部材が当接する領域の高周波伝送線路及び電源線
路は、パッケージ本体内に埋設されていることを特徴と
する高周波帯IC用パッケージ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4353082A JP2823461B2 (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 高周波帯ic用パッケージ |
US08/075,321 US5418329A (en) | 1992-12-11 | 1993-06-11 | High frequency IC package |
DE4324817A DE4324817C2 (de) | 1992-12-11 | 1993-07-23 | Hochfrequenz-IC-Baugruppe |
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