JPH03123047A - マイクロ波集積回路 - Google Patents
マイクロ波集積回路Info
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- JPH03123047A JPH03123047A JP26081889A JP26081889A JPH03123047A JP H03123047 A JPH03123047 A JP H03123047A JP 26081889 A JP26081889 A JP 26081889A JP 26081889 A JP26081889 A JP 26081889A JP H03123047 A JPH03123047 A JP H03123047A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
マイクロ波回路に用いるモジュールの構造に関し、
入力端子部および出力端子部と誘電体基板の一体化を図
ることにより、接続ワイヤ部分を無くした接続構造のマ
イクロ波集積回路の提供を目的とし、 誘電体基板上にマイクロストリップラインと該マイクロ
ストリップラインの端部にマイクロストリップライン状
の入力端子部、出力端子部を備えた信号線路、および前
記マイクロストリップラインと前記入力端子部、出力端
子部の両側の絶縁部分の以外の領域および前記誘電体基
板の側壁の領域を金めっきしたグランド部分を有するベ
ース部と、前記入力端子部と出力端子部に当接する領域
以外について金めっきされた誘電体基板からなるキャッ
プとを設けた構造にする。
ることにより、接続ワイヤ部分を無くした接続構造のマ
イクロ波集積回路の提供を目的とし、 誘電体基板上にマイクロストリップラインと該マイクロ
ストリップラインの端部にマイクロストリップライン状
の入力端子部、出力端子部を備えた信号線路、および前
記マイクロストリップラインと前記入力端子部、出力端
子部の両側の絶縁部分の以外の領域および前記誘電体基
板の側壁の領域を金めっきしたグランド部分を有するベ
ース部と、前記入力端子部と出力端子部に当接する領域
以外について金めっきされた誘電体基板からなるキャッ
プとを設けた構造にする。
本発明は、マイクロ波回路に用いるモジュールの構造に
関する。
関する。
高周波回路、特にマイクロ波帯回路では、一般に分布定
数回路で構成されたモジュールである、増幅器、周波数
ミキサ、減衰器などをそれぞれ個別に設けておき、これ
らのモジュールの複数個を実装して所望の装置を構成す
ることが行われている。その理由は、各々のモジュール
を多目的に使用できるように製作しておけば、それらを
組み合わせるだけで種々の所望の装置が実現できるから
である。
数回路で構成されたモジュールである、増幅器、周波数
ミキサ、減衰器などをそれぞれ個別に設けておき、これ
らのモジュールの複数個を実装して所望の装置を構成す
ることが行われている。その理由は、各々のモジュール
を多目的に使用できるように製作しておけば、それらを
組み合わせるだけで種々の所望の装置が実現できるから
である。
第３図は従来のマイクロ波集積回路の構造を示す図であ
り、例えばマイクロ波集積回路の構造の電力分配器の一
例である。図中、２１は例えば直方体形状の高誘電体材
のセラミック基板、２２は信号の伝送線路を形成するマ
イクロストリップライン、２３は例えば直方体形状の金
属製のパッケージ、２４は金線よりなる接続ワイヤ、２
５はヘース用の台、２６は台２５の固定用のねし穴であ
る。また２７ａ 、 ２７ｂは入力端子部、２８ａ、２
８ｂは出力端子部、なお２９は端子絶縁部、３０はパッ
ケージ絶縁部である。
り、例えばマイクロ波集積回路の構造の電力分配器の一
例である。図中、２１は例えば直方体形状の高誘電体材
のセラミック基板、２２は信号の伝送線路を形成するマ
イクロストリップライン、２３は例えば直方体形状の金
属製のパッケージ、２４は金線よりなる接続ワイヤ、２
５はヘース用の台、２６は台２５の固定用のねし穴であ
る。また２７ａ 、 ２７ｂは入力端子部、２８ａ、２
８ｂは出力端子部、なお２９は端子絶縁部、３０はパッ
ケージ絶縁部である。
第３図において、パッケージ２３は、例えば無酸素銅を
切削・加工したのち金めっきしたもの、２２ばセラミッ
ク基板２１の上に形成された約１．５ミリの細幅導体で
あり、セラミック基板２１の裏側に設けた図示せざるア
ース導体板との間で高周波線路を形成してマイクロ波の
伝送を行うマイクロストリップラインである。また入力
端子部２７ａ、２７ｂおよび出力端子部２８ａ 、 ２
８ｂはマイクロストリップライン構造の端子、端子絶縁
部２９はセラミック材で端子状としたものであり、例え
ばこれらを台２５の左側および右側に設けている。そし
てパッケージ２３の入力端子部２７ａ、２７ｂと出力端
子部２８ａ 、 ２８ｂおよび端子絶縁部２９に当接す
る部分にはセラミック材のパッケージ絶縁部３０を設け
、パッケージ２３を台２５に当接させて接着した際にお
いて、パッケージ２３を介して入力端子部２７ａ、２７
ｂおよび出力端子部２８ａ、２８ｂのそれぞれ相互間に
おける電気的短絡を防止をしている。
切削・加工したのち金めっきしたもの、２２ばセラミッ
ク基板２１の上に形成された約１．５ミリの細幅導体で
あり、セラミック基板２１の裏側に設けた図示せざるア
ース導体板との間で高周波線路を形成してマイクロ波の
伝送を行うマイクロストリップラインである。また入力
端子部２７ａ、２７ｂおよび出力端子部２８ａ 、 ２
８ｂはマイクロストリップライン構造の端子、端子絶縁
部２９はセラミック材で端子状としたものであり、例え
ばこれらを台２５の左側および右側に設けている。そし
てパッケージ２３の入力端子部２７ａ、２７ｂと出力端
子部２８ａ 、 ２８ｂおよび端子絶縁部２９に当接す
る部分にはセラミック材のパッケージ絶縁部３０を設け
、パッケージ２３を台２５に当接させて接着した際にお
いて、パッケージ２３を介して入力端子部２７ａ、２７
ｂおよび出力端子部２８ａ、２８ｂのそれぞれ相互間に
おける電気的短絡を防止をしている。
上記のような構造において、パッケージ２３の中のセラ
ミック基板２１の上にマイクロストリップライン２２で
構成したものを収めて回路を構成し、セラミック基板２
１を導電性接着剤または半田を用いて台２５に接着し、
またマイクロストリップライン２２と入力端子部２７ａ
、２７ｂ及び出力端子部２８ａ 、 ２８ｂとの接続は
接続ワイヤ２４により行ってマイクロ波集積回路を形成
する。このような構造のマイクロ波集積回路は、図示せ
ざる金めっきした金属性キャップにより接着し気密封止
されてマイクロ波集積回路として完成される。
ミック基板２１の上にマイクロストリップライン２２で
構成したものを収めて回路を構成し、セラミック基板２
１を導電性接着剤または半田を用いて台２５に接着し、
またマイクロストリップライン２２と入力端子部２７ａ
、２７ｂ及び出力端子部２８ａ 、 ２８ｂとの接続は
接続ワイヤ２４により行ってマイクロ波集積回路を形成
する。このような構造のマイクロ波集積回路は、図示せ
ざる金めっきした金属性キャップにより接着し気密封止
されてマイクロ波集積回路として完成される。
以上のようなマイクロ波集積回路よりなる電力分配器の
動作は、例えば一つの入力端子部２７ａから入力したマ
イクロ波信号は接続ワイヤ２４を通り、マイクロストリ
ップライン２２上を伝送し、マイクロストリップライン
２２の例えば■の点で１／２づつに等分割されて、それ
ぞれの出力端子部２８ａと２８ｂから等電力信号として
出力されるのである。
動作は、例えば一つの入力端子部２７ａから入力したマ
イクロ波信号は接続ワイヤ２４を通り、マイクロストリ
ップライン２２上を伝送し、マイクロストリップライン
２２の例えば■の点で１／２づつに等分割されて、それ
ぞれの出力端子部２８ａと２８ｂから等電力信号として
出力されるのである。
なお入力端子部２７ａから入力したマイクロ波信号は、
他方の入力端子部２７ｂからは出力しない。
他方の入力端子部２７ｂからは出力しない。
なおこのような構成のマイクロ波集積回路では、セラミ
ック基板２１と、パッケージ２３と、入力端子部２７ａ
、２７ｂおよび出力端子部２８ａ 、 ２８ｂを有した
台２５の三つの構成要素からなっており、このためセラ
ミック基板２１の台２５への接着に位置ずれがある場合
、接続ワイヤ２４の長さにバラツキを生じて周波数特性
の劣化させるようになる。
ック基板２１と、パッケージ２３と、入力端子部２７ａ
、２７ｂおよび出力端子部２８ａ 、 ２８ｂを有した
台２５の三つの構成要素からなっており、このためセラ
ミック基板２１の台２５への接着に位置ずれがある場合
、接続ワイヤ２４の長さにバラツキを生じて周波数特性
の劣化させるようになる。
この従来のマイクロ波集積回路の接続構造においては、
セラミック基板の台への接着の位置ずれにより入力端子
および出力端子部とセラミック基板を接続する接続ワイ
ヤの長さのバラツキを生じ周波数特性の劣化の原因とな
るという問題がある。
セラミック基板の台への接着の位置ずれにより入力端子
および出力端子部とセラミック基板を接続する接続ワイ
ヤの長さのバラツキを生じ周波数特性の劣化の原因とな
るという問題がある。
本発明は、入力端子部および出力端子部とセラミック基
板の一体化を図ることにより、接続ワイヤ部分を無くし
た接続構造のマイクロ波集積回路の提供を目的とする。
板の一体化を図ることにより、接続ワイヤ部分を無くし
た接続構造のマイクロ波集積回路の提供を目的とする。
６
〔課題を解決するための手段〕
本発明は第１図に示すように、誘電体基板上にマイクロ
ストリップライン２と８亥マイクロストリップライン２
の端部にマイクロストす・７プライン状の入力端子部２
ａ、２ｂ、出力端子部２ｃ、２ｄとを備えた信号線路、
および前記マイクロストリップライン２と前記入力端子
２ａ＋２ｂ＋出力端子部２ｃ、２ｄの両側の絶縁部分の
以外の領域および前記誘電体基板の側壁の領域を金めっ
きしたグランド部分を有するベース部１と、前記入力端
子部２ａ、２ｂと出力端子部２ｃ、２ｄに当接する領域
以外について金めっきされた誘電体基板からなるキャン
プ５と設けた構造とするものである。
ストリップライン２と８亥マイクロストリップライン２
の端部にマイクロストす・７プライン状の入力端子部２
ａ、２ｂ、出力端子部２ｃ、２ｄとを備えた信号線路、
および前記マイクロストリップライン２と前記入力端子
２ａ＋２ｂ＋出力端子部２ｃ、２ｄの両側の絶縁部分の
以外の領域および前記誘電体基板の側壁の領域を金めっ
きしたグランド部分を有するベース部１と、前記入力端
子部２ａ、２ｂと出力端子部２ｃ、２ｄに当接する領域
以外について金めっきされた誘電体基板からなるキャン
プ５と設けた構造とするものである。
本発明では第１図に示すように、誘電体基板よりなるベ
ース部ｌは、中央部においてマイクロストリップライン
２とマイクロストリップライン２の端部にマイクロスト
リップライン状の入力端子部２ａ、２ｂおよび出力端子
部２ｃ、２ｄを設け、さらに前記マイクロストリップラ
イン２と入力端子部２ａ２ｂと出力端子部２ｃ、２ｄの
両側の絶縁部分を残した周辺部分および誘電体基板の側
壁部分を金めっきするようにし、また誘電体基板よりな
るキャンプ５については、前記入力端子部２ａ、２ｂと
出力端子部２ｃ、２ｄに当接する領域以外も金めっきす
るようにしている。
ース部ｌは、中央部においてマイクロストリップライン
２とマイクロストリップライン２の端部にマイクロスト
リップライン状の入力端子部２ａ、２ｂおよび出力端子
部２ｃ、２ｄを設け、さらに前記マイクロストリップラ
イン２と入力端子部２ａ２ｂと出力端子部２ｃ、２ｄの
両側の絶縁部分を残した周辺部分および誘電体基板の側
壁部分を金めっきするようにし、また誘電体基板よりな
るキャンプ５については、前記入力端子部２ａ、２ｂと
出力端子部２ｃ、２ｄに当接する領域以外も金めっきす
るようにしている。
従って、マイクロストリップライン２と入力端子部２ａ
、 ２ｂおよび出力端子部２ｃ、２ｄとは一体化構造に
することができ、かつベース部１とキャンプ５との気密
封止をも可能にする。
、 ２ｂおよび出力端子部２ｃ、２ｄとは一体化構造に
することができ、かつベース部１とキャンプ５との気密
封止をも可能にする。
第１図（Ａ）と第１図（Ｂ）は本発明のマイクロ波集積
回路の構造を示す図であり、第３図に示したものと同一
の電力分配器を示したものである。
回路の構造を示す図であり、第３図に示したものと同一
の電力分配器を示したものである。
なお第１図（Ａ＞はマイクロ波集積回路のベース部の構
造図、第１図（Ｂ）はマイクロ波集積回路の完成図であ
る。図中、１は直方体形状の誘電体基板であり、例えば
セラミック基板よりなるベース部、２ばマイクロストリ
ップラインである。また２ａ、２ｂはマイクロストリッ
プライン状の入力端子部、２ｃ、 ２ｄはマイクロスト
リップライン状の出力端子部、なお３ａ、３ｂ、３ｃは
アース接続のためのグランド部である。また４は端子絶
縁部、なお５はキャンプであり、例えば直方体形状のセ
ラミック基板材よりなるもの、また６は該キャップ５に
設けたセラミック基板材のキャップ絶縁部である。
造図、第１図（Ｂ）はマイクロ波集積回路の完成図であ
る。図中、１は直方体形状の誘電体基板であり、例えば
セラミック基板よりなるベース部、２ばマイクロストリ
ップラインである。また２ａ、２ｂはマイクロストリッ
プライン状の入力端子部、２ｃ、 ２ｄはマイクロスト
リップライン状の出力端子部、なお３ａ、３ｂ、３ｃは
アース接続のためのグランド部である。また４は端子絶
縁部、なお５はキャンプであり、例えば直方体形状のセ
ラミック基板材よりなるもの、また６は該キャップ５に
設けたセラミック基板材のキャップ絶縁部である。
本発明では第１図（Ｂ）に示すごとく、例えばセラミッ
ク基板のベース部１の上面側で入力端子部２ａ、２ｂと
出力端子部２ｃ、２ｄを設けていない領域のグランド部
３ａと、入力端子部２ａ、 ２ｂと出力端子部２ｃ、
２ｄを設けている領域であるグランド部３ｂと、セラミ
ック基板のベース部１の側壁の領域であるグランド部３
ｃとをそれぞれ金めっきし、中央部にはマイクロストリ
ップライン２を設けて信号回路を構成し、かつマイクロ
ストリップラインの端部に入力端子部２ａ、２ｂと出力
端子部２ｃ、２ｄも設ける。
ク基板のベース部１の上面側で入力端子部２ａ、２ｂと
出力端子部２ｃ、２ｄを設けていない領域のグランド部
３ａと、入力端子部２ａ、 ２ｂと出力端子部２ｃ、
２ｄを設けている領域であるグランド部３ｂと、セラミ
ック基板のベース部１の側壁の領域であるグランド部３
ｃとをそれぞれ金めっきし、中央部にはマイクロストリ
ップライン２を設けて信号回路を構成し、かつマイクロ
ストリップラインの端部に入力端子部２ａ、２ｂと出力
端子部２ｃ、２ｄも設ける。
そしてこれに直方体形状のキャップ５を被せて気密封止
をする。なお入力端子部２ａ、２ｂと出力端子部２ｃ、
２ｄおよび端子絶縁部４がキャップ５に当接する領域
の部分は、第３図の従来例と同様にセラミック材のキャ
ップ絶縁部６を設けてキャップ５によりベース部１を気
密封止した場合に入力端子部２ａ、２ｂ及び出力端子部
２ｃ、２ｄのそれぞれの相互間の電気的短絡の発生を防
止するようにし、前記以外の入力端子部２ａ、 ２ｂお
よび出力端子部２ｃ、 ２ｄと当接しないその他の領域
は金めっきして気密封止する。なお気密封止した後は、
第１図（Ａ）のごとくマイクロストリップライン状の入
力端子部２ａ 、 ２ｂおよび出力端子部２ｃ、 ２ｄ
で外部回路に接続できるようにしている。
をする。なお入力端子部２ａ、２ｂと出力端子部２ｃ、
２ｄおよび端子絶縁部４がキャップ５に当接する領域
の部分は、第３図の従来例と同様にセラミック材のキャ
ップ絶縁部６を設けてキャップ５によりベース部１を気
密封止した場合に入力端子部２ａ、２ｂ及び出力端子部
２ｃ、２ｄのそれぞれの相互間の電気的短絡の発生を防
止するようにし、前記以外の入力端子部２ａ、 ２ｂお
よび出力端子部２ｃ、 ２ｄと当接しないその他の領域
は金めっきして気密封止する。なお気密封止した後は、
第１図（Ａ）のごとくマイクロストリップライン状の入
力端子部２ａ 、 ２ｂおよび出力端子部２ｃ、 ２ｄ
で外部回路に接続できるようにしている。
なお上記のような構成のマイクロ波集積回路の電気的な
動作は、例えば一方の入力端子部２ａがら入力したマイ
クロ波信号は、１／２づつに等分に分割されて電力分配
されて出力端子部２ｃと出力端子部２ｄから等電力信号
として出力されることは従来例の通りであり、また入力
端子部２ａから入力したマイクロ波信号は入力端子２ｂ
がら出力しないこともまた従来例の通りである。また入
力端子部２ｂ０ から入力した信号は、出力端子部２ｃと出力端子部２ｄ
から等電力信号として出力されるとともに、他方の入力
端子部２ａから出力しないこともまた従来例の通りであ
る。
動作は、例えば一方の入力端子部２ａがら入力したマイ
クロ波信号は、１／２づつに等分に分割されて電力分配
されて出力端子部２ｃと出力端子部２ｄから等電力信号
として出力されることは従来例の通りであり、また入力
端子部２ａから入力したマイクロ波信号は入力端子２ｂ
がら出力しないこともまた従来例の通りである。また入
力端子部２ｂ０ から入力した信号は、出力端子部２ｃと出力端子部２ｄ
から等電力信号として出力されるとともに、他方の入力
端子部２ａから出力しないこともまた従来例の通りであ
る。
第２図は本発明のマイクロ波集積回路の構造の他の例を
示す図であり、マイクロ波集積回路により増幅器を構成
した例である。第１図と同様に、１はセラミック基板よ
りなるベース部、２はマイクロストリップライン、２ａ
はマイクロストリップライン状の入力端子部、２ｃはマ
イクロストリンプライン状の出力端子部、３ａ 、 ３
ｃはグランド部、４は端子絶縁部、５はキャンプ、６は
キャップ絶縁部である。また１４はチップ形状の電界効
果トランジスタ、１５は電界効果トランジスタ１４を実
装するだめのベース部１の凹部、１６は電界効果トラン
ジスタ１４のグランドするための導通孔、なお１７ばコ
ンデンサ、１８はバイアス供給端子である。入力端子部
２ａから入力したマイクロ波信号は、マイクロストリッ
プライン２を通り電界効果トランジスタ１４のゲートに
入力される。電界効果トランジスタ１４のゲートにはバ
イアス供給端子１８からバイアス電圧が加えられており
、また電界効果トランジスタ１４のソースは導通孔１６
を介してアースに接続されているため、電界効果トラン
ジスタ１４のゲートに人力したマイクロ波信号は増幅さ
れ、ドレインから出力されてコンデンサ１７を通って出
力端子部２ｃから出力される。
示す図であり、マイクロ波集積回路により増幅器を構成
した例である。第１図と同様に、１はセラミック基板よ
りなるベース部、２はマイクロストリップライン、２ａ
はマイクロストリップライン状の入力端子部、２ｃはマ
イクロストリンプライン状の出力端子部、３ａ 、 ３
ｃはグランド部、４は端子絶縁部、５はキャンプ、６は
キャップ絶縁部である。また１４はチップ形状の電界効
果トランジスタ、１５は電界効果トランジスタ１４を実
装するだめのベース部１の凹部、１６は電界効果トラン
ジスタ１４のグランドするための導通孔、なお１７ばコ
ンデンサ、１８はバイアス供給端子である。入力端子部
２ａから入力したマイクロ波信号は、マイクロストリッ
プライン２を通り電界効果トランジスタ１４のゲートに
入力される。電界効果トランジスタ１４のゲートにはバ
イアス供給端子１８からバイアス電圧が加えられており
、また電界効果トランジスタ１４のソースは導通孔１６
を介してアースに接続されているため、電界効果トラン
ジスタ１４のゲートに人力したマイクロ波信号は増幅さ
れ、ドレインから出力されてコンデンサ１７を通って出
力端子部２ｃから出力される。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、マイク
ロストリップラインの回路部と入力端子部と出力端子部
を一体化することにより接続ワイヤを不要とすることに
より、周波数特性の安定なマイクロ波集積回路を構成で
きる。
ロストリップラインの回路部と入力端子部と出力端子部
を一体化することにより接続ワイヤを不要とすることに
より、周波数特性の安定なマイクロ波集積回路を構成で
きる。
第１図（Ａ）および第１図（Ｂ）は本発明のマイクロ波
集積回路の構造を示す図、 第２図（Ａ）および第２図（Ｂ）は本発明のマイクロ波
集積回路の構造の他の例を示す図、 第３図は従来のマイクロ波集積回路の構造を示す図、 である。 図において、 １はベース部、 ２はマイクロストリップライン、 ２ａ、２ｂは入力端子部、 ２ｃ、２ｄは出力端子部、 ３ａ、３ｂ、３ｃはグランド部、 ４は端子絶縁部、 ５はキャンプ、 ６はキャップ絶縁部、 を示す。 ３
集積回路の構造を示す図、 第２図（Ａ）および第２図（Ｂ）は本発明のマイクロ波
集積回路の構造の他の例を示す図、 第３図は従来のマイクロ波集積回路の構造を示す図、 である。 図において、 １はベース部、 ２はマイクロストリップライン、 ２ａ、２ｂは入力端子部、 ２ｃ、２ｄは出力端子部、 ３ａ、３ｂ、３ｃはグランド部、 ４は端子絶縁部、 ５はキャンプ、 ６はキャップ絶縁部、 を示す。 ３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 誘電体基板上にマイクロストリップライン（２）と該マ
イクロストリップライン（２）の端部にマイクロストリ
ップライン状の入力端子部（２ａ、２ｂ）、出力端子部
（２ｃ、２ｄ）とを備えた信号線路、および前記マイク
ロストリップライン（２）と前記入力端子部（２ａ、２
ｂ）、出力端子部（２ｃ、２ｄ）の両側の絶縁部分の以
外の領域および前記誘電体基板の側壁の領域を金めっき
したグランド部分とを有するベース部（１）と、 前記入力端子部（２ａ、２ｂ）と出力端子部（２ｃ、２
ｄ）に当接する領域以外について金めっきされた誘電体
基板からなるキャップ（５）と、 を設けた構造としたことを特徴とするマイクロ波集積回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26081889A JPH03123047A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26081889A JPH03123047A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | マイクロ波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03123047A true JPH03123047A (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=17353184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26081889A Pending JPH03123047A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03123047A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2699330A1 (fr) * | 1992-12-11 | 1994-06-17 | Mitsubishi Electric Corp | Boîtier pour circuit intégré à haute fréquence. |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP26081889A patent/JPH03123047A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2699330A1 (fr) * | 1992-12-11 | 1994-06-17 | Mitsubishi Electric Corp | Boîtier pour circuit intégré à haute fréquence. |
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