JPH06162772A - 電源電圧降圧回路 - Google Patents
電源電圧降圧回路Info
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- JPH06162772A JPH06162772A JP4314544A JP31454492A JPH06162772A JP H06162772 A JPH06162772 A JP H06162772A JP 4314544 A JP4314544 A JP 4314544A JP 31454492 A JP31454492 A JP 31454492A JP H06162772 A JPH06162772 A JP H06162772A
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- Japan
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- circuit
- internal
- supply voltage
- internal circuit
- power supply
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- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/12—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac
- G05F1/40—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices
- G05F1/44—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only
- G05F1/445—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only being transistors in series with the load
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
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- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/462—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc as a function of the requirements of the load, e.g. delay, temperature, specific voltage/current characteristic
- G05F1/465—Internal voltage generators for integrated circuits, e.g. step down generators
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】 内部回路6の動作時に、消費電流の増大を検
知するアクティブ信号VACTを出力するアクティブ信号
発生回路5及びVACTを入力とするスイッチ回路4によ
り、内部回路駆動回路3の駆動能力を上げ、駆動電流を
増大させる。 【効果】 内部回路動作時の急激な消費電流の変化に対
しても、内部電源電圧の低下を抑えることができる。
知するアクティブ信号VACTを出力するアクティブ信号
発生回路5及びVACTを入力とするスイッチ回路4によ
り、内部回路駆動回路3の駆動能力を上げ、駆動電流を
増大させる。 【効果】 内部回路動作時の急激な消費電流の変化に対
しても、内部電源電圧の低下を抑えることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、外部電源電圧を所定の
電圧に降圧する電源電圧降圧回路を有する半導体集積回
路装置に関するものである。
電圧に降圧する電源電圧降圧回路を有する半導体集積回
路装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図5に従来の電源電圧降圧回路を示す。
該電源電圧降圧回路は、外部電源電圧から基準電圧を作
り出すための基準電圧発生回路14よりの基準電圧V
REFと、内部回路13の電源電圧VINTとを入力とする差
動増幅回路11と、該差動増幅回路11の出力VOPOを
受けて内部回路駆動電流IINTの制御を行う内部回路駆
動回路12とを備え、前記内部回路駆動回路12には、
PチャネルMOSFETを使用する。
該電源電圧降圧回路は、外部電源電圧から基準電圧を作
り出すための基準電圧発生回路14よりの基準電圧V
REFと、内部回路13の電源電圧VINTとを入力とする差
動増幅回路11と、該差動増幅回路11の出力VOPOを
受けて内部回路駆動電流IINTの制御を行う内部回路駆
動回路12とを備え、前記内部回路駆動回路12には、
PチャネルMOSFETを使用する。
【0003】ここで、内部回路13が動作して内部回路
の消費電流が増大すると、内部電源電圧VINTが低下す
る。その場合、差動増幅回路11の出力VOPOはLレベ
ルとなり、内部回路駆動回路(P−MOSFET)12
はオン状態になる。その結果、内部回路13に駆動電流
IINTが供給され、内部電源電圧VINTは上昇する。
の消費電流が増大すると、内部電源電圧VINTが低下す
る。その場合、差動増幅回路11の出力VOPOはLレベ
ルとなり、内部回路駆動回路(P−MOSFET)12
はオン状態になる。その結果、内部回路13に駆動電流
IINTが供給され、内部電源電圧VINTは上昇する。
【0004】内部電源電圧VINTが上昇を続けて基準電
圧VREFより高くなった場合、差動増幅回路11の出力
VOPOはHレベルになり、内部回路駆動回路(P−MO
SFET)12はオフ状態になる。その結果、内部回路
13への電流供給がなくなり、内部電源電圧VINTが基
準電圧VREFと等しい電圧で上昇が止まる。結果とし
て、内部電源電圧VINTは外部電源電圧VCCより低い値
の基準電圧VREFに設定されることになる。
圧VREFより高くなった場合、差動増幅回路11の出力
VOPOはHレベルになり、内部回路駆動回路(P−MO
SFET)12はオフ状態になる。その結果、内部回路
13への電流供給がなくなり、内部電源電圧VINTが基
準電圧VREFと等しい電圧で上昇が止まる。結果とし
て、内部電源電圧VINTは外部電源電圧VCCより低い値
の基準電圧VREFに設定されることになる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の電源電圧降圧回
路では、内部回路が動作して内部回路の消費電流が大き
くなり、内部電源電圧が降下すると、基準電圧と内部電
源電圧との差電位を差動増幅回路で検出し、増幅し、内
部回路駆動回路を駆動して、内部電源電圧を基準電圧に
戻す。しかしながら、内部回路の急激な消費電流の変化
においては、内部電源電圧と基準電圧との差電位を差動
増幅回路で増幅するという構成のため、時間的な遅延が
発生する。その間、一時的に内部電源電圧は基準電圧よ
り、かなり低下し、結果的に、半導体集積回路装置の高
速動作を妨げるという問題があった。
路では、内部回路が動作して内部回路の消費電流が大き
くなり、内部電源電圧が降下すると、基準電圧と内部電
源電圧との差電位を差動増幅回路で検出し、増幅し、内
部回路駆動回路を駆動して、内部電源電圧を基準電圧に
戻す。しかしながら、内部回路の急激な消費電流の変化
においては、内部電源電圧と基準電圧との差電位を差動
増幅回路で増幅するという構成のため、時間的な遅延が
発生する。その間、一時的に内部電源電圧は基準電圧よ
り、かなり低下し、結果的に、半導体集積回路装置の高
速動作を妨げるという問題があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の問題
点を解決することを目的とするものであり、従来の電源
電圧降圧回路の構成に加えて、内部回路の消費電流の増
大時を検出して検出信号を出力する回路と、該回路より
の前記検出信号に基づいて前記内部回路駆動回路を制御
して内部回路駆動電流を増大させる回路とから成る駆動
電流制御回路を設けたことを特徴とするものである。
点を解決することを目的とするものであり、従来の電源
電圧降圧回路の構成に加えて、内部回路の消費電流の増
大時を検出して検出信号を出力する回路と、該回路より
の前記検出信号に基づいて前記内部回路駆動回路を制御
して内部回路駆動電流を増大させる回路とから成る駆動
電流制御回路を設けたことを特徴とするものである。
【0007】
【作用】前記検出信号に基づいて内部回路駆動回路の駆
動能力を上げることで、内部回路の消費電流が大きくな
る内部回路動作時に、内部回路への供給電流を大きくす
ることが可能となり、一時的な内部電源電圧の低下を抑
制することが可能である。
動能力を上げることで、内部回路の消費電流が大きくな
る内部回路動作時に、内部回路への供給電流を大きくす
ることが可能となり、一時的な内部電源電圧の低下を抑
制することが可能である。
【0008】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明
する。
する。
【0009】図1は、本発明の一実施例である電源電圧
降圧回路の回路図である。
降圧回路の回路図である。
【0010】同図に示すように、本実施例の回路は、外
部電源電圧から基準電圧を作り出すための基準電圧発生
回路1と、該基準電圧発生回路1の出力信号である基準
電圧VREFと内部回路6の電源電圧VINTとを入力とする
差動増幅回路2と、該差動増幅回路2の出力VOPOを受
けて内部回路駆動電流IINTの制御を行う内部回路駆動
回路3とを備え、前記内部回路駆動回路3には、Pチャ
ネルMOSFETを使用する。さらに、本実施例の回路
は、内部回路の消費電流の増大時を検出してアクティブ
信号VACTを出力するアクティブ信号発生回路5及び、
該回路5の出力VAcTを受けて前記内部回路駆動回路
(P−MOSFET)3をオン状態にするスイッチ回路
(N−MOSFET)4を備える。
部電源電圧から基準電圧を作り出すための基準電圧発生
回路1と、該基準電圧発生回路1の出力信号である基準
電圧VREFと内部回路6の電源電圧VINTとを入力とする
差動増幅回路2と、該差動増幅回路2の出力VOPOを受
けて内部回路駆動電流IINTの制御を行う内部回路駆動
回路3とを備え、前記内部回路駆動回路3には、Pチャ
ネルMOSFETを使用する。さらに、本実施例の回路
は、内部回路の消費電流の増大時を検出してアクティブ
信号VACTを出力するアクティブ信号発生回路5及び、
該回路5の出力VAcTを受けて前記内部回路駆動回路
(P−MOSFET)3をオン状態にするスイッチ回路
(N−MOSFET)4を備える。
【0011】図4は、図1の回路に於けるVREF、
VINT、VOPO及びVACT並びにIINTの波形図である。
VINT、VOPO及びVACT並びにIINTの波形図である。
【0012】以下、図4を参照しながら、動作説明を行
う。
う。
【0013】内部回路6が動作して、その消費電流が増
大すると、内部電源電圧VINTが急激に低下するが、こ
れと同期して、アクティブ信号発生回路5が動作して、
アクティブ信号VACTがHレベルとなるため、スイッチ
回路(N−MOSFET)4がオン状態になる。その結
果、内部回路駆動回路(P−MOSFET)3がオン状
態になって、内部回路6に駆動電流IINTを供給し、内
部電源電圧VINTの低下を、わずかな値ΔV1に抑える。
その後、アクティブ信号発生回路5の出力信号VACTが
Lレベルになるが、その時点では、内部回路6の消費電
流の変化が小さいため、差動増幅回路2が、内部電源電
圧VINTを基準電圧VREFと等しい電圧にするように内部
回路駆動回路(P−MOSFET)3を制御する。
大すると、内部電源電圧VINTが急激に低下するが、こ
れと同期して、アクティブ信号発生回路5が動作して、
アクティブ信号VACTがHレベルとなるため、スイッチ
回路(N−MOSFET)4がオン状態になる。その結
果、内部回路駆動回路(P−MOSFET)3がオン状
態になって、内部回路6に駆動電流IINTを供給し、内
部電源電圧VINTの低下を、わずかな値ΔV1に抑える。
その後、アクティブ信号発生回路5の出力信号VACTが
Lレベルになるが、その時点では、内部回路6の消費電
流の変化が小さいため、差動増幅回路2が、内部電源電
圧VINTを基準電圧VREFと等しい電圧にするように内部
回路駆動回路(P−MOSFET)3を制御する。
【0014】図2に、アクティブ信号発生回路の一例を
示す。
示す。
【0015】本回路は、アドレス信号A0,A1,…,A
nの変化時(動作開始時)に前記アクティブ信号VACTを
出力するものであり、各アドレス信号の変化時に、その
変化を検出してパルスを発生するアドレス信号変化検出
回路7,…と、該アドレス信号変化検出回路7,…の出
力を、その入力とするオアゲート8とより構成される。
nの変化時(動作開始時)に前記アクティブ信号VACTを
出力するものであり、各アドレス信号の変化時に、その
変化を検出してパルスを発生するアドレス信号変化検出
回路7,…と、該アドレス信号変化検出回路7,…の出
力を、その入力とするオアゲート8とより構成される。
【0016】また、図3に、アクティブ信号発生回路の
他の例を示す本回路は、チップイネーブル信号CEの活
性化時(スタンバイ解除時)に前記アクティブ信号V
ACTを出力するものであり、チップイネーブル信号の遅
延信号を出力する遅延回路9と、チップイネーブル信号
CE及び前記遅延回路9よりの出力信号の反転信号をそ
の入力とするアンドゲート10とより構成される。
他の例を示す本回路は、チップイネーブル信号CEの活
性化時(スタンバイ解除時)に前記アクティブ信号V
ACTを出力するものであり、チップイネーブル信号の遅
延信号を出力する遅延回路9と、チップイネーブル信号
CE及び前記遅延回路9よりの出力信号の反転信号をそ
の入力とするアンドゲート10とより構成される。
【0017】本発明によれば、内部回路が動作し、内部
回路の消費電流が増大するとき、アクティブ信号VACT
が出力され、これにより内部回路駆動回路(P−MOS
FET)3の制御信号であるVOPOが急速にLレベルに
なる(時間t1)。その結果、図6は図4に対応する従
来の電圧・電流波形図であるが、従来の差動増幅回路1
1のみで制御信号VOPOをLレベルにする場合(時間
t2)に比べて、大幅に時間を短縮することができる。
そして、内部回路駆動回路(P−MOSFET)3を急
速にオン状態にすることで、内部電源電圧VINTの低下
(ΔV1)を、従来の場合の低下(ΔV2)と比べて著し
く小さく抑えることができる。
回路の消費電流が増大するとき、アクティブ信号VACT
が出力され、これにより内部回路駆動回路(P−MOS
FET)3の制御信号であるVOPOが急速にLレベルに
なる(時間t1)。その結果、図6は図4に対応する従
来の電圧・電流波形図であるが、従来の差動増幅回路1
1のみで制御信号VOPOをLレベルにする場合(時間
t2)に比べて、大幅に時間を短縮することができる。
そして、内部回路駆動回路(P−MOSFET)3を急
速にオン状態にすることで、内部電源電圧VINTの低下
(ΔV1)を、従来の場合の低下(ΔV2)と比べて著し
く小さく抑えることができる。
【0018】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、内部回路が動作し、その消費電流が増大する場合
における内部電源電圧の低下特性を大幅に改善すること
ができるものである。
れば、内部回路が動作し、その消費電流が増大する場合
における内部電源電圧の低下特性を大幅に改善すること
ができるものである。
【図1】本発明の一実施例の電源電圧降圧回路の回路図
である。
である。
【図2】図1に示されるアクティブ信号発生回路の一例
の回路図である。
の回路図である。
【図3】図1に示されるアクティブ信号発生回路の他の
例の回路図である。
例の回路図である。
【図4】図1に示されるVREF、VINT、VOPO及びVACT
並びにIINTの波形図である。
並びにIINTの波形図である。
【図5】従来の電源電圧降圧回路の回路図である。
【図6】図5に示されるVREF,VINT及びVOPO並びに
IINTの波形図である。
IINTの波形図である。
1 基準電圧発生回路 2 差動増幅回路 3 内部回路駆動回路(P−MOSFET) 4 スイッチ回路(N−MOSFET) 5 アクティブ信号発生回路 6 内部回路
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03K 19/00 A 8941−5J
Claims (3)
- 【請求項1】 外部電源電圧から基準電圧を作り出すた
めの基準電圧発生回路と、 前記基準電圧と内部回路電源電圧との差電圧を検出して
増幅する差動増幅回路と、 該差動増幅回路の出力を受けて内部回路駆動電流の制御
を行う内部回路駆動回路と、 前記差動増幅回路とは別途設けられ、内部回路の消費電
流の増大時を検出して検出信号を出力する回路と、該回
路よりの前記検出信号に基づいて前記内部回路駆動回路
を制御して前記内部回路駆動電流を増大させる回路とか
ら成る駆動電流制御回路とを設けたことを特徴とする電
源電圧降圧回路。 - 【請求項2】 請求項1に記載の電源電圧降圧回路に於
いて、アドレス信号の変化を検出して検出信号を出力す
る回路と、該回路よりの前記検出信号に基づいて前記内
部回路駆動回路を制御して前記内部回路駆動電流を増大
させる回路とから成る前記駆動電流制御回路を設けたこ
とを特徴とする電源電圧降圧回路。 - 【請求項3】 請求項1に記載の電源電圧降圧回路に於
いて、チップイネーブル信号のスタンバイレベルから動
作レベルへの変化を検出して検出信号を出力する回路
と、該回路よりの前記検出信号に基づいて前記内部回路
駆動回路を制御して前記内部回路駆動電流を増大させる
回路とから成る前記駆動電流制御回路を設けたことを特
徴とする電源電圧降圧回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4314544A JPH06162772A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 電源電圧降圧回路 |
TW082106516A TW239904B (ja) | 1992-11-25 | 1993-08-13 | |
US08/105,936 US5408172A (en) | 1992-11-25 | 1993-08-13 | Step-down circuit for power supply voltage capable of making a quick response to an increase in load current |
KR1019930019425A KR960003534B1 (ko) | 1992-11-25 | 1993-09-23 | 전원전압의 강압회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4314544A JPH06162772A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 電源電圧降圧回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06162772A true JPH06162772A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18054574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4314544A Pending JPH06162772A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 電源電圧降圧回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5408172A (ja) |
JP (1) | JPH06162772A (ja) |
KR (1) | KR960003534B1 (ja) |
TW (1) | TW239904B (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6064188A (en) * | 1998-09-21 | 2000-05-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Internal step-down converter |
US6072742A (en) * | 1994-08-04 | 2000-06-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device with a voltage down converter stably generating an internal down-converted voltage |
JP2002041156A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-02-08 | United Microelectron Corp | 電圧ダウンコンバータおよび電圧vccを変換するための方法 |
KR100324017B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2002-05-13 | 박종섭 | 전압강하회로 |
KR100460808B1 (ko) * | 2002-12-05 | 2004-12-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 내부 전원전압 발생회로 |
JP2006039816A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 降圧電源装置 |
JP2007072759A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Denso Corp | 電源回路 |
JP2007072760A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Denso Corp | 電源回路 |
JP2008085693A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体集積回路および半導体集積回路の制御方法 |
JP2009104311A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Toshiba Corp | 定電圧電源回路 |
JP2009217844A (ja) * | 2009-06-17 | 2009-09-24 | Oki Semiconductor Co Ltd | 降圧電源装置 |
JP2012043259A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Fujitsu Ltd | 電圧レギュレータ回路 |
JP2012128925A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
WO2014156711A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5467009A (en) * | 1994-05-16 | 1995-11-14 | Analog Devices, Inc. | Voltage regulator with multiple fixed plus user-selected outputs |
US6040639A (en) * | 1995-09-29 | 2000-03-21 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Circuit for improved load transient response in power supplies |
US5764041A (en) * | 1997-02-11 | 1998-06-09 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiornio | Short circuit limitation current for power transistors |
US6300679B1 (en) * | 1998-06-01 | 2001-10-09 | Semiconductor Components Industries, Llc | Flexible substrate for packaging a semiconductor component |
US6300810B1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-10-09 | United Microelectronics, Corp. | Voltage down converter with switched hysteresis |
JP2001022452A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 電源電圧降圧回路 |
FR2811090B1 (fr) * | 2000-06-28 | 2002-10-11 | St Microelectronics Sa | Integration d'un regulateur de tension |
US6479972B1 (en) * | 2000-09-11 | 2002-11-12 | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. | Voltage regulator for supplying power to internal circuits |
DE10056293A1 (de) * | 2000-11-14 | 2002-06-06 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer steuerbaren Ausgangsspannung |
US7095273B2 (en) * | 2001-04-05 | 2006-08-22 | Fujitsu Limited | Voltage generator circuit and method for controlling thereof |
AU2002339256B2 (en) * | 2001-11-19 | 2007-11-29 | Chk Wireless Technologies Australia Pty Ltd | Method and apparatus for determining a current in a conductor |
JP2005539345A (ja) * | 2002-09-12 | 2005-12-22 | アトメル・コーポレーション | 電圧ダウンコンバータのモード変更を制御するためのシステム |
ITTO20020794A1 (it) * | 2002-09-12 | 2004-03-13 | Atmel Corp | Sitema per controllare le transizioni dalla modalita' |
US7982445B1 (en) | 2007-11-08 | 2011-07-19 | National Semiconductor Corporation | System and method for controlling overshoot and undershoot in a switching regulator |
CN105094188A (zh) * | 2014-05-23 | 2015-11-25 | 财团法人精密机械研究发展中心 | 电压侦测补偿装置 |
CN109084448B (zh) * | 2018-08-23 | 2019-07-02 | 奥克斯空调股份有限公司 | 一种空调控制方法、装置及空调器 |
CN109084447A (zh) * | 2018-08-23 | 2018-12-25 | 奥克斯空调股份有限公司 | 一种空调控制方法、装置及空调器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03228285A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-09 | Nec Corp | 電圧変換回路 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60521A (ja) * | 1983-06-15 | 1985-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 電流制限保護回路 |
IT1225633B (it) * | 1988-11-30 | 1990-11-22 | Sgs Thomson Microelectronics | Protezione dai transitori di rete. |
US5023541A (en) * | 1990-03-23 | 1991-06-11 | Hewlett-Packard Company | Power supply control circuit having constant voltage and constant current modes |
US5309082A (en) * | 1992-07-10 | 1994-05-03 | Hewlett-Packard Company | Hybrid linear-switching power supply |
-
1992
- 1992-11-25 JP JP4314544A patent/JPH06162772A/ja active Pending
-
1993
- 1993-08-13 TW TW082106516A patent/TW239904B/zh active
- 1993-08-13 US US08/105,936 patent/US5408172A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-23 KR KR1019930019425A patent/KR960003534B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03228285A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-09 | Nec Corp | 電圧変換回路 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6424585B1 (en) | 1994-08-04 | 2002-07-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device with a voltage down converter stably generating an internal down-converted voltage |
US6072742A (en) * | 1994-08-04 | 2000-06-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device with a voltage down converter stably generating an internal down-converted voltage |
KR100324017B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2002-05-13 | 박종섭 | 전압강하회로 |
US6064188A (en) * | 1998-09-21 | 2000-05-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Internal step-down converter |
JP4503150B2 (ja) * | 2000-07-13 | 2010-07-14 | ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレイション | 電圧ダウンコンバータおよび電圧vccを変換するための方法 |
JP2002041156A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-02-08 | United Microelectron Corp | 電圧ダウンコンバータおよび電圧vccを変換するための方法 |
KR100460808B1 (ko) * | 2002-12-05 | 2004-12-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 내부 전원전압 발생회로 |
JP2006039816A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 降圧電源装置 |
JP2007072759A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Denso Corp | 電源回路 |
JP2007072760A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Denso Corp | 電源回路 |
JP2008085693A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体集積回路および半導体集積回路の制御方法 |
JP2009104311A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Toshiba Corp | 定電圧電源回路 |
JP2009217844A (ja) * | 2009-06-17 | 2009-09-24 | Oki Semiconductor Co Ltd | 降圧電源装置 |
JP2012043259A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Fujitsu Ltd | 電圧レギュレータ回路 |
JP2012128925A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
WO2014156711A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5408172A (en) | 1995-04-18 |
KR940012396A (ko) | 1994-06-23 |
KR960003534B1 (ko) | 1996-03-14 |
TW239904B (ja) | 1995-02-01 |
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