JPH0536306A - 導電性微粒子、電極接続構造体及びその製造方法 - Google Patents

導電性微粒子、電極接続構造体及びその製造方法

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JPH0536306A
JPH0536306A JP3187396A JP18739691A JPH0536306A JP H0536306 A JPH0536306 A JP H0536306A JP 3187396 A JP3187396 A JP 3187396A JP 18739691 A JP18739691 A JP 18739691A JP H0536306 A JPH0536306 A JP H0536306A
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electrode
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Kazuhiko Kamiyoshi
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電極との接続信頼性が向上し、かつ接触抵抗
値が低減された導電性微粒子を提供する。 【構成】 導電性微粒子9は、基材微粒子3と、その微
粒子3の表面に設けられた融点が900℃以上の内側金
属層2と、その内側金属層2の外側に設けられた融点が
350℃以下の外側金属層1とを有する。導電性微粒子
9が対向する一対の電極4、5の間に配設されて加熱さ
れると、導電性微粒子9の外側金属層1が溶融して電極
4、5に固着する。そのことによって、電極4、5と導
電性微粒子9との接触面積が増大する。一方、基材微粒
子3の表面には内側金属層2が存在する。従って、導電
性微粒子9と電極4、5との接続信頼性が向上し、かつ
接触抵抗値が低減する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、エレクトロニ
クス実装分野における微細電極間の導電接続に用いられ
る導電性微粒子、その微粒子によって一対の電極が導電
接続された電極接続構造体及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の導電性微粒子として、ポリスチ
レン、ポリフェニレンスルフィド、フェノール樹脂等か
らなるプラスチック微粒子の表面に金属メッキ層を形成
したものが提案されている(例えば、特開昭62−18
5749号公報、特開平1−225776号公報)。
【0003】しかし、このような導電性微粒子を対向す
る電極面の間に挟んで電極接続構造体を作製する場合に
は、電極面と導電性微粒子との接触面積が小さいために
電気接続が不安定であるという欠点がある。
【0004】これら導電性微粒子を用いた場合の電極面
との接触をより安定なものとするため、プラスチック微
粒子の表面に低融点金属メッキ層を形成し、このメッキ
層を溶融することにより、微粒子を電極に固定する方法
が提案されている(例えば、特開昭61−77279号
公報、特開昭63−231889号公報)。
【0005】しかし、上記特開昭61−77279号公
報に記載された方法では、プラスチック微粒子の表面に
存在しているメッキ層を溶融させることによって電極と
の接触を確保しているので、そのメッキ層の厚みにバラ
ツキを生じ、接触抵抗値を常に低く保つことができない
という欠点があった。そのメッキ層の厚さを予め所定以
上に設けておくことも考えられるが、このような場合に
は溶融時にメッキ層が広がりすぎて所望とする位置のみ
を導電接続できないものである。
【0006】また、上記特開昭63−231889号公
報に記載された方法においても、微粒子の外側に形成さ
れた第1及び第2金属層をそれぞれ溶融させることによ
り基板との電気接触を確保しているため、上記と同様な
欠点を有していた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題を解決するものであり、その目的とするところは、電
極基板との接触面積を増大させることにより接触抵抗値
を下げることができ、しかも、常に低い接触抵抗値を保
つことができる導電性微粒子を提供することにある。
【0008】本発明の他の目的は、上記導電性微粒子を
使用して電極との接続信頼性が向上し、および接触抵抗
値が低減された電極接続構造体とその製造方法を提供す
ることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の導電性微粒子
は、基材微粒子の表面に融点が900℃以上の内側金属
層が形成され、その内側金属層の外側に融点が350℃
以下の外側金属層が形成されていることを特徴とし、そ
のことにより上記目的が達成される。
【0010】また、本発明の電極接続構造体は、上記導
電性微粒子が、対向する電極の間に配設され、該導電性
微粒子の外側金属層が電極に溶融固着されていることを
特徴とし、そのことにより上記目的が達成される。
【0011】また、本発明の電極接続構造体の製造方法
は、上記導電性微粒子を対向する電極の間に配設し、外
側金属層の融点以上かつ900℃未満の温度に加熱する
ことを特徴とし、そのことにより上記目的が達成され
る。
【0012】本発明に使用される基材微粒子を形成する
材料としては、有機物でも無機物でもよい。有機物とし
ては、各種プラスチック材料を用いることができ、例え
ば、以下のものがあげられる。ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリテ
トラフルオロエチレン、ポリスチレン、ポリメチルメタ
クリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレ
ンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリスル
フォン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール等
の線状または架橋高分子;エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジビニル
ベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合
体、ジビニルベンゼン−アクリル酸エステル共重合体、
ジアリルフタレート重合体、トリアリルイソシアヌレー
ト重合体、ベンゾグアナミン重合体等の網目構造を有す
る樹脂。
【0013】これらの樹脂のうちで、特に好ましいもの
は、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチ
レン共重合体、ジビニルベンゼン−アクリル酸エステル
共重合体、ジアリルフタレート重合体等の網目構造を有
する樹脂である。
【0014】無機質としては、特に限定するものではな
く従来公知のものを使用することができる。
【0015】基材微粒子の形状としては、例えば、真球
状、楕円球状、円柱状のものが好ましい。真球状の場
合、直径は0.1〜100μm の範囲がよく、特に好ま
しい直径は0.5〜50μm であり、さらに好ましい直
径は1〜20μm である。楕円球状の場合、短径は0.
1〜1000μm の範囲がよく、好ましい範囲は1〜1
00μm である。長径短径の比は1〜10の範囲である
のがよく、好ましい範囲は1〜5である。基材微粒子は
球状のものが特に好ましく、また後述する圧縮試験によ
るK値と圧縮変形後の回復率が特定されたものが好まし
い。
【0016】本発明に使用される内側金属層は導電性を
有し、かつ融点が900℃以上のものであり、この内側
金属層を形成する材料としては、例えば、金(融点:1
064℃)、銀(融点:962℃)、銅(融点:108
5℃)、白金(融点:1772℃)、パラジウム(融
点:1554℃)、コバルト(融点:1494℃)、ニ
ッケル(融点:1455℃)、鉄(融点:1535
℃)、あるいはこれらを主成分とする合金があげられ
る。
【0017】上記基材微粒子の表面に内側金属層を形成
する方法としては、無電解メッキによる方法、真空蒸
着、イオンプレーティング、イオンスパッタリング等の
物理的蒸着方法などがある。
【0018】無電解メッキ法による金属層の形成方法
を、金置換メッキの場合を例に挙げて説明すると、この
方法は、以下のエッチング工程、アクチベーション工
程、化学ニッケルメッキ工程及び金置換メッキ工程に分
けられる。
【0019】エッチング工程は、基材微粒子の表面に凹
凸を形成させることによりメッキ層の密着性を付与する
ための工程であり、エッチング液としては、例えば、カ
セイソーダ水溶液、濃塩酸、濃硫酸または無水クロム酸
が用いられる。
【0020】アクチベーション工程は、エッチングされ
た基材微粒子の表面に触媒層を形成させると共に、この
触媒層を活性化させるための工程である。触媒層の活性
化により後述の化学ニッケルメッキ工程における金属ニ
ッケルの析出が促進される。基材微粒子の表面のPd2+
およびSn2+からなる触媒層に濃硫酸または濃塩酸を作
用させ、Sn2+のみを溶解除去してPd2+の金属化を行
う。金属化されたパラジウムは、カセイソーダ濃厚溶液
等のパラジウム活性剤により活性化されて増感される。
【0021】化学ニッケル工程は、触媒層が形成された
基材微粒子の表面に、さらに金属ニッケル層を形成させ
る工程であり、例えば、塩化ニッケルを次亜リン酸ナト
リウムによって還元し、ニッケルを基材微粒子の表面に
析出させる。
【0022】金置換メッキ工程では、このようにしてニ
ッケルが被覆された基材微粒子を金シアン化カリ水溶液
に入れ、昇温させながらニッケルを溶出させ、金を基材
微粒子表面に析出させる。
【0023】上記内側金属層の厚みは、0.02〜5.
0μm の範囲が好ましい。厚みが0.02μm を下回る
と所望の導電性が得られにくい。厚みが5.0μm を上
回ると基材微粒子と内側金属層との熱膨張率の差などか
らこのメッキ層が剥離し易くなる。
【0024】本発明に使用される外側金属層は導電性を
有し、かつ融点が350℃以下のものであり、この外側
金属層を形成する材料としては、例えば、インジウム
(融点:157℃)、錫(融点:232℃)、鉛(融
点:328℃)、錫−鉛の合金あるいはこれらを主成分
とする合金等があげられる。
【0025】内側金属層の外側に外側金属層を形成する
方法としては、上記したような無電解メッキ法による方
法及び機械的、物理的な方法の二つがある。後者の機械
的、物理的方法としては、予め、内側金属層を形成させ
た微粒子と低融点金属微粒子とを混ぜ合わせた後、ハイ
ブリダイゼーションまたはメカノフュージョン法により
粒子同士の衝突あるいは剪断により外側金属層(低融点
金属薄膜)を形成させる方法を採用することができる。
【0026】外側金属層の厚みは、0.02〜5.0μ
m の範囲が好ましい。厚みが0.02μm を下回ると所
望の導電性が得られ難い。厚みが5.0μm を上回る
と、得られた導電性微粒子を二つの電極間に挟んで加熱
する際、融解した外側金属層が電極表面に広がりすぎる
ため、好ましい異方性導電接続を妨げることになる。ま
た、外側金属層の厚みが5μm を超える導電性微粒子で
は、微粒子同志の凝集が生じ易くなる不都合をも生ず
る。
【0027】本発明の電極接続構造体において使用され
る電極としては、ガラス板上にITO薄膜が形成された
電極、ガラス板上にアルミニウム薄膜が形成された電
極、プラスチックフィルム上に銅シートを貼り付けこれ
をエッチングして作成された電極、フィルム上に銀ペー
スト、カーボンブラックを印刷して作成した電極等があ
る。
【0028】次に、本発明の電極接続構造体Aの一例を
図面を参照して説明する。図1に示すように、電極接続
構造体Aは、対向する一対の電極4、5間に上記導電性
微粒子9を配設すると共に、その導電性微粒子9の外側
金属層1を各電極4、5に溶融固着して構成されてい
る。この例では、一方の電極4はITO薄膜で形成さ
れ、ガラス板6上に設けられている。他方の電極5は銅
の配線パターンで形成され、ポリイミドフィルム7上に
設けられている。そして、ガラス板6とポリイミドフィ
ルム7との間には電気絶縁性のバインダー8が充填され
ている。
【0029】この電極接続構造体Aを作製するには次の
ようにして行うことができる。
【0030】すなわち、一方の電極4上に、絶縁性のバ
インダー8中に導電性微粒子9を均一に分散したものを
スクリーン印刷またはディスペンサーで塗布し、あるい
はバインダー8を使用せずに導電性微粒子9のみを電極
4上に配置する。後者の場合、導電性微粒子9は電極4
の上方位置から散布してもよく、あるいは導電性微粒子
9を電荷させて静電気的に電極4上に付着させてもよ
い。
【0031】次に、もう一方の電極5を上記電極4の上
に重ね合わせる。この状態で両電極4、5を加圧する。
ここで、加圧力としては特に大きなものを必要としな
い。導電性微粒子9と電極4、5面との接触状態が保た
れる程度の圧力でよい。次に、この状態で一対の電極
4、5間に導電性微粒子9が挟持された積層体を加熱す
る。加熱温度は導電性微粒子9の外側金属層1の融点よ
り高く、かつ900℃未満である温度が選ばれる。特
に、160〜300℃が好ましい。加熱方法としてはプ
レス加熱が好ましい。加熱後、積層体が冷却して外側金
属層1が固化するまでの間、加圧を持続させておくこと
が必要である。このようにして、図1に示すような導電
性微粒子9の外側金属層1が電極4、5に溶融固着した
電極接続構造体Aが得られる。
【0032】次に、上記したK値について説明する。
【0033】ラウンダウーリフシッツ理論物理学教程
「弾性理論」(東京図書1972年発行)42頁によれば、半
径がそれぞれR、R’の二つの弾性球体の接触問題は次
式により与えられる。
【0034】 h=F2/3[D2(1/R+1/R’)]1/3 …(1) D=(3/4)[(1−σ2)/E+(1−σ'2)/E’] …(2) ここに、hはR+R’と両球の中心間の距離の差、Fは
圧縮力、E、E’は二つの弾性球の弾性率、σ、σ'は
弾性球のポアッソン比を表す。
【0035】一方、球を剛体の板に置き換えて、かつ両
側から圧縮する場合、R’→∞、E》E’とすると、近
似的に次式が得られる。
【0036】 F=(21/2/3)(S3/2)(E・R1/2)(1−σ2) …(3) ここにSは圧縮変形量を表す。この式を変形すると容易
に次式が得られる。
【0037】 K=(3/21/2)・F・S-3/2・R-1/2 …(4) よって、K値を表す式:K=(3/√2)・F・S-3/2・R-1/2 …(5) が得られる。
【0038】このK値は球体の硬さを普遍的かつ定量的
に表すものである。このK値を用いることにより、基材
微粒子の好適な硬さを定量的、かつ一義的に表すことが
可能となる。
【0039】そして、10%圧縮歪におけるK値は250
kgf/mm2〜700kgf/mm2の範囲が好ましく、この
範囲内にある基材微粒子を用いることにより、例えば、
電極接続構造体を作製するときに、対向電極面を基材微
粒子で傷付けるようなことがなく、また加圧プレスによ
り両電極間のギャップ出しを行う際に、ギャップコント
ロールを容易に行うことができる。より好ましい10%
圧縮歪におけるK値は350kgf/mm2〜550kgf/mm2
である。
【0040】K値が700kgf/mm2を超える場合、この
導電性微粒子を二つの電極間に挟んで圧縮荷重を加えて
も、導電性微粒子は容易に変形せず、その結果導電性微
粒子と電極表面との接触面積が広がらず、接触抵抗値を
低減させることが困難となる。また、導電性微粒子を変
形させるべく無理に荷重を加えると、導電性微粒子表面
の導電層(内側金属層や外側金属層)の破れや剥がれが
生じたり、電極接続構造体を作製する際に電極面に傷を
付けるおそれがある。
【0041】K値が250kgf/mm2を下回る場合、この
導電性微粒子を二つの電極間に挟んで圧縮荷重を加える
と、しばしば圧縮変形が過大となるため、導電性微粒子
表面の導電層がこの変形に追従できなくなり、その結
果、導電層の破れや剥がれが発生するという危険が生ず
る。また、圧縮変形量が過大となって導電性微粒子が偏
平すると、電極同志が直接に接触するという事態が発生
し、微細接続ができなくなるという問題も生ずる。
【0042】ところで、液晶表示素子等の電極接続構造
体に用いられる基材微粒子の好適な硬さを規定するだけ
では好適な基材微粒子の材料力学的な性質を完全に表現
することはできない。
【0043】もう一つの重要な性質は基材微粒子の弾性
を示す値である圧縮変形後の回復率が所定範囲内にある
ことである。圧縮変形後の回復率を規定することによっ
て基材微粒子の弾性ないし弾塑性を定量的に且つ一義的
に表すことが可能となるのである。本発明に使用する基
材微粒子において、基材微粒子の圧縮変形後の回復率
は、20℃において30%〜80%の範囲が好ましい。特に好
ましい圧縮変形後の回復率は40%〜70%の範囲である回
復率が80%を超える場合、この導電性微粒子を分散させ
た接着剤を二つの電極間に挟んで加圧接着し、接着剤が
硬化後に除圧すると、圧縮変形した導電性微粒子は弾性
回復し易いため、接着剤層が電極表面から引き剥される
という事態が発生するおそれがある。
【0044】回復率が30%を下回る場合、この導電性微
粒子を分散させた接着剤を二つの電極間に挟んで加圧接
着し、接着剤が硬化後に除圧するという方法で作製した
電極接続構造体は、冷熱繰り返しの環境下において接着
剤層が収縮と膨張を繰り返すが、導電性微粒子は圧縮変
形されたままの状態であるため、接着剤層の膨張時に電
極表面との間に間隙を生じ、接触不良を引き起こすおそ
れがる。
【0045】本発明の基材微粒子は上述したように無機
質基材微粒子あるいは合成樹脂基材微粒子をともに用い
ることができるが、上記K値及び回復率を上記範囲内に
調整することがで容易に行える点で合成樹脂基材微粒子
が好ましく用いられる。
【0046】従って、基材微粒子は、K=(3/√2)・
F・S-3/2・R-1/2〔ここに、F、Sはそれぞれ基材微粒
子の10%圧縮変形における荷重値(kgf)、圧縮変位
(mm)であり、Rは基材微粒子の半径(mm)である〕で
定義されるKの値が10%圧縮歪において250kgf/m
m2〜700kgf/mm2の範囲であり、且つ圧縮変形後の回
復率が20℃において30%〜80%の範囲であるものが好適
に使用される。
【0047】次に、K値ならびに圧縮変形後の回復率の
測定法について説明する。
【0048】(A)K値の測定方法及び条件 (i)測定方法 室温において、平滑表面を有する鋼板の上に基材微粒子
を散布し、その中から1個の基材微粒子を選ぶ。次に、
微小圧縮試験機(PCT-200型 島津製作所製)を用い
て、ダイヤモンド製の直径50μm の円柱の平滑な端面で
基材微粒子を圧縮する。この際、圧縮荷重を電磁力とし
て電気的に検出し、圧縮変位を作動トランスによる変位
として電気的に検出する。
【0049】そして、図3に示すような圧縮変位−荷重
の関係が求められる。図3から、基材微粒子の10%圧縮
変形における荷重値、圧縮変位がそれぞれ求められ、こ
れらの値と(5)式とから図4に示すようなK値と圧縮
歪との関係が求められる。
【0050】但し、圧縮歪は圧縮変位を基材微粒子の粒
子径で割った値を%で表したものである。
【0051】(ii)圧縮速度 定負荷速度圧縮方式で行った。毎秒の0.27グラム重(gr
f)の割合で荷重が増加した。
【0052】(iii)試験荷重 最大10grfとした。
【0053】(B)圧縮変形後の回復率の測定方法及び条
件 (i)測定方法 室温において、平滑表面を有する鋼板の上に基材微粒子
を散布し、その中から1個の基材微粒子を選ぶ。次に、
微小圧縮試験機(PCT-200型 島津製作所製)を用い
て、ダイヤモンド製の直径50μm の円柱の平滑な端面で
基材微粒子を圧縮する。この際、圧縮荷重を電磁力とし
て電気的に検出し、圧縮変位を作動トランスによる変位
として電気的に検出する。
【0054】そして、図5に示すように、基材微粒子を
反転荷重値まで圧縮した後(図5中、曲線(a)で示
す)、逆に荷重を減らしていく(図5中、曲線(b)で
示す)。この際、荷重と圧縮変位との関係を測定する。
ただし、除荷重における終点は荷重値ゼロではなく、0.
1g以上の原点荷重値とする。回復率は反転の点までの変
位L1と反転の点から原点荷重値を取る点までの変位差
2の比(L2/L1)を%で表した値で定義する。
【0055】(ii)測定条件 反転荷重値 1grf 原点荷重値 0.1grf 負荷および除負荷における圧縮速度 0.27grf/sec 測定室温度 20℃ 本発明の基材微粒子は着色されていてもよい。着色され
た基材微粒子の例は、例えば、特開昭57-189117号公
報、特開昭63-89890号公報、特開平1-144021号公報、特
開平1-144429号公報などに開示されており、これらに開
示された着色基材微粒子を用いてもよい。
【0056】
【作用】導電性微粒子9を対向する電極4、5間に配設
して、外側金属層1の融点以上900℃未満の温度で加
熱すると、図1から図2に示すように、外側金属層1は
溶融し、内側金属層2と電極4、5との接触部分の間隙
を埋めるようになる。一方、内側金属層2の融点は90
0℃以上と高いため、加熱時において溶融することはな
く、外側金属層1が溶融した後も所定厚みの導電層が基
材微粒子3表面に存在する。
【0057】従って、導電性微粒子9と電極4、5表面
との接触部の導電には外側金属層1の溶融部1aが寄与
し、導電性微粒子9の導通には高融点の内側金属層2が
寄与することになり、両電極4、5は、外側金属層1の
溶融部1a、1a、内側金属層2を介して導電接続され
ることになる。
【0058】このような構成の電極接続構造体において
は、導電性微粒子9と電極4、5との接触面積が広がっ
ているため、接触抵抗値は大幅に低減される。また、外
側金属層1の溶融部1aは導電性微粒子9と電極4、5
との間隙を埋め、かつ電極面に密着しているため上下二
つの電極4、5は強固に接続される。そのために、電極
接続構造体のヒートサイクル試験を行う際、従来しばし
ば見られた電極4、5表面から導電性微粒子9が離れる
ような不都合が全く見られないものである。
【0059】
【実施例】以下に本発明を実施例に基づいて詳細に説明
する。
【0060】実施例1 テトラメチロールメタントリアクリレートを懸濁重合さ
せた後、分級により平均粒子径7.05μm 、標準偏差
0.25μm の樹脂微粒子を得た。この樹脂微粒子の圧
縮歪10%におけるK値は475kgf/mm2であ
り、圧縮変形後の回復率は55%であった。
【0061】この樹脂微粒子に無電解ニッケルメッキを
行った後、更に、その外周に無電解インジュウムメッキ
を行った。
【0062】このようにして得られた導電性微粒子を分
析した結果、ニッケルが20.3重量%、インジュウム
が11.2重量%メッキされていた。
【0063】次に、導電性微粒子1.0gとガラスファ
イバー(直径5.5μm 、平均長さ27.5μm )0.
5gとを、エポキシ樹脂(吉川化工製SE-4500)75g
及びその硬化剤25gに混ぜ合わせてペーストを作成し
た。次に、全面に30Ωの表面抵抗を有するITO膜が
形成されたガラス電極上に、上記ペーストを一定厚みで
塗布した後、FPC電極(電極幅100μm 、電極間幅
100μm の銅電極が30本ポリイミドフィルム上に形
成されたもの)を重ね合わせた。次に、この積層体をプ
レス機に挟み、0.2kg/cm2の圧力、180℃の
温度で20分間加熱圧着した。その後、プレスを冷却
し、導電性微粒子の溶融したインジュウムを固化させ
た。
【0064】このようにして作製した電極接続構造体
を、高温側が90℃、1時間、低温側が−40℃、1時
間で作動する冷熱衝撃試験器(タバイエスペック(株)
製TSV-40型)にセットして、240サイクルまで試験し
た。
【0065】この電極接続構造体における、銅電極端部
での隣接銅電極間の抵抗値を測定した。
【0066】上記の信頼性試験前後での抵抗値を測定し
たところ、表1に示す結果が得られた。この結果より導
電性微粒子と電極との接続信頼性はきわめて優れている
ことがわかった。
【0067】実施例2 実施例1で使用したものと同じ樹脂微粒子に無電解ニッ
ケルメッキを行った後、さらにその外周に無電解錫メッ
キを行った。このようにして得られた導電性微粒子を分
析した結果、ニッケルニッケルが22.4重量%、錫が
10.3重量%メッミされていた。
【0068】次に、この導電性微粒子を用いて実施例1
と同様にしてペースト化し、このペーストを用い、25
0℃、5分間、0.2kg/cm2で熱圧着したこと以
外は実施例1と同様にして電極接続構造体を作製し、信
頼性試験を実施した。
【0069】その結果、表1に示すように、導電性微粒
子と電極との接続信頼性はきわめて優れていることがわ
かった。
【0070】実施例3 実施例1で使用したものと同じ樹脂微粒子に無電解ニッ
ケルメッキを行い、ニッケルコート微粒子を作成した。
次に、このニッケルコート微粒子10gに対して、平均
粒径が0.3μm のハンダ微粒子を3g混ぜ合わせたも
のをハイブリダイザーO型機((株)奈良機械製作所
製)にかけ、コーティング処理を行った。その結果、ハ
ンダがニッケルコート微粒子の周りに均一にコートされ
た。得られた導電性微粒子を分析した結果、ニッケル含
有率は18.0重量%、ハンダ含有率は13.8重量%
であった。
【0071】この導電性微粒子を実施例1と同様にして
ペースト化し、このペーストを用い、200℃、10分
間、0.2kg/cm2で熱圧着したこと以外は実施例
1と同様にして電極接続構造体を作製した。これについ
て信頼性試験を実施した。
【0072】その結果、表1に示すように、導電性微粒
子と電極との接続信頼性はきわめて優れていることがわ
かった。
【0073】比較例1 無電解インジュウムメッキを行わないこと以外は、実施
例1と同様にして電極接続構造体を作製し、これについ
て信頼性試験を実施した。
【0074】その結果、表1に示すように、導電性微粒
子と電極との接続信頼性はきわめて劣っていることがわ
かった。
【0075】比較例2 ニッケルメッキのかわりに、スズメッキを行ったこと以
外は、実施例1と同様にして電極接続構造体を作製し、
これについて信頼性試験を実施した。
【0076】その結果、表1に示すように、導電性微粒
子と電極との接続信頼性はきわめて劣っていることがわ
かった。
【0077】
【表1】
【0078】
【発明の効果】本発明によれば以下の利点を有する。
【0079】導電性微粒子と電極との接触部分に、外
側金属層の溶融部が固着して導電性微粒子が電極に強固
に接着するので、導電性微粒子と電極との接続信頼性が
向上する。
【0080】導電性微粒子と電極との接触部分に外側
金属層の溶融部が存在し、また導電性微粒子の表面には
所定厚みの内側金属層が存在するので、導電性微粒子と
電極との接触抵抗値が低減される。
【0081】電極接続構造体を作製するときの熱圧着
時に過大な圧力を必要としないために電極面を傷付ける
ことがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電極接続構造体の一実施例の要部断面
図である。
【図2】図1の電極接続構造体の要部の拡大図である。
【図3】荷重とスペーサーの圧縮変位との関係を示すグ
ラフである。
【図4】K値とスペーサーの圧縮歪みとの関係を示すグ
ラフである。
【図5】スペーサーの圧縮変形後の回復率の測定方法を
説明する図である。
【符号の説明】
1 外側金属層 1a 外側金属層の溶融部 2 内側金属層 3 基材微粒子 4 ITO電極 5 銅電極 6 ガラス基板 7 ポリイミドフィルム 8 バインダー 9 導電性微粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01B 1/14 7244−5G // B23K 35/22 310 A 7362−4E H01R 9/09 C 6901−5E 43/02 B 9174−5E

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基材微粒子の表面に融点が900℃以上の
    内側金属層が形成され、その内側金属層の外側に融点が
    350℃以下の外側金属層が形成されていることを特徴
    とする導電性微粒子。
  2. 【請求項2】請求項1記載の導電性微粒子が、対向する
    電極の間に配設され、該導電性微粒子の外側金属層が該
    電極に溶融固着されていることを特徴とする電極接続構
    造体。
  3. 【請求項3】請求項1記載の導電性微粒子を対向する電
    極の間に配設し、外側金属層の融点以上かつ900℃未
    満の温度に加熱することを特徴とする電極接続構造体の
    製造方法。
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