JPH11179585A - クリームはんだ - Google Patents
クリームはんだInfo
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- JPH11179585A JPH11179585A JP9353594A JP35359497A JPH11179585A JP H11179585 A JPH11179585 A JP H11179585A JP 9353594 A JP9353594 A JP 9353594A JP 35359497 A JP35359497 A JP 35359497A JP H11179585 A JPH11179585 A JP H11179585A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リフロー後のはんだボールがなく、かつ微細
なパターン形成ができるクリームはんだを提供すること
を目的とする。 【解決手段】 はんだ粉末を樹脂の微粒子を核とし、そ
の表面にはんだ合金として、融点２５０℃以下の合金の
めっきまたは同合金を構成する単体金属の積層被膜を形
成した粒子を用いるものである。
なパターン形成ができるクリームはんだを提供すること
を目的とする。 【解決手段】 はんだ粉末を樹脂の微粒子を核とし、そ
の表面にはんだ合金として、融点２５０℃以下の合金の
めっきまたは同合金を構成する単体金属の積層被膜を形
成した粒子を用いるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品のはんだ
付けに用いられる、はんだ粉末とフラックスとを混練し
たクリームはんだに関する。
付けに用いられる、はんだ粉末とフラックスとを混練し
たクリームはんだに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、クリームはんだのはんだ粉末は、
アトマイズ法によって得られたものが用いられていた。
このアトマイズ法によって得られたはんだ粉末をふるい
にかけてある粒度分布をもったはんだ粉末とし、これを
フラックスと混練してクリームはんだとしていた。たと
えば、はんだ粉末の粒度分布は、２０μｍ以上５０μｍ
以下というものである。
アトマイズ法によって得られたものが用いられていた。
このアトマイズ法によって得られたはんだ粉末をふるい
にかけてある粒度分布をもったはんだ粉末とし、これを
フラックスと混練してクリームはんだとしていた。たと
えば、はんだ粉末の粒度分布は、２０μｍ以上５０μｍ
以下というものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような構成のク
リームはんだでは、はんだ粒子の酸化の問題から粒径１
０μｍ以下のものを作ることができなかった。そのた
め、クリームはんだを微細に印刷しようとすると限界が
あった。また、実際のクリームはんだには１０μｍ以下
のはんだ粒子も混入しているため、リフロー後のはんだ
ボールの発生の原因にもなっていた。従って、本発明
は、酸化させることなくはんだ粒子を１０μｍ以下に微
粉にして微細なパターン形成ができるクリームはんだを
提供することを目的とする。
リームはんだでは、はんだ粒子の酸化の問題から粒径１
０μｍ以下のものを作ることができなかった。そのた
め、クリームはんだを微細に印刷しようとすると限界が
あった。また、実際のクリームはんだには１０μｍ以下
のはんだ粒子も混入しているため、リフロー後のはんだ
ボールの発生の原因にもなっていた。従って、本発明
は、酸化させることなくはんだ粒子を１０μｍ以下に微
粉にして微細なパターン形成ができるクリームはんだを
提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、はんだ粉末を
従来のようにはんだ合金のみで構成するのではなく、樹
脂の微粒子を核とし、その表面にはんだ合金として、融
点２５０℃以下の合金のめっきまたは同合金を構成する
単体金属の積層被膜を形成した粒子を用いるものであ
る。
従来のようにはんだ合金のみで構成するのではなく、樹
脂の微粒子を核とし、その表面にはんだ合金として、融
点２５０℃以下の合金のめっきまたは同合金を構成する
単体金属の積層被膜を形成した粒子を用いるものであ
る。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明のクリームはんだは、はん
だ粉末とフラックスからなり、前記はんだ粉末が、表面
にニッケルめっき被膜および融点２５０℃以下の合金め
っき被膜を順次形成された粒径１０μｍ以下の樹脂ボー
ルからなることを特徴とする。また、本発明のクリーム
はんだは、はんだ粉末とフラックスからなり、前記はん
だ粉末が、表面にニッケルめっき被膜および融点２５０
℃以下の合金を構成する単体金属のめっき被膜の積層膜
が順次形成された粒径１０μｍ以下の樹脂ボールからな
ることを特徴とする。
だ粉末とフラックスからなり、前記はんだ粉末が、表面
にニッケルめっき被膜および融点２５０℃以下の合金め
っき被膜を順次形成された粒径１０μｍ以下の樹脂ボー
ルからなることを特徴とする。また、本発明のクリーム
はんだは、はんだ粉末とフラックスからなり、前記はん
だ粉末が、表面にニッケルめっき被膜および融点２５０
℃以下の合金を構成する単体金属のめっき被膜の積層膜
が順次形成された粒径１０μｍ以下の樹脂ボールからな
ることを特徴とする。
【０００６】ここに用いる融点２５０℃以下の合金とし
ては、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓ
ｎ−Ａｇ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ、Ｉｎ−Ｂｉなどが
好適に用いられる。樹脂ボールを構成する樹脂材料は、
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれでもよい。樹脂ボー
ルは、まず前処理として、たとえばフッ酸と硝酸を含む
処理液で処理した後、塩化第一錫の塩酸酸性液でセンセ
タイジング、次いで塩化パラジウムの塩酸酸性液でアク
チベイチングにより活性化処理をし、硫酸ニッケル、リ
ン酸二水素ナトリウムおよびクエン酸ナトリウムからな
る無電解めっき浴を用いて下地めっきとしてニッケルの
めっき被膜を形成する。このニッケルのめっき被膜は、
０．１〜１．０μｍの厚みが適当である。
ては、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓ
ｎ−Ａｇ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ、Ｉｎ−Ｂｉなどが
好適に用いられる。樹脂ボールを構成する樹脂材料は、
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれでもよい。樹脂ボー
ルは、まず前処理として、たとえばフッ酸と硝酸を含む
処理液で処理した後、塩化第一錫の塩酸酸性液でセンセ
タイジング、次いで塩化パラジウムの塩酸酸性液でアク
チベイチングにより活性化処理をし、硫酸ニッケル、リ
ン酸二水素ナトリウムおよびクエン酸ナトリウムからな
る無電解めっき浴を用いて下地めっきとしてニッケルの
めっき被膜を形成する。このニッケルのめっき被膜は、
０．１〜１．０μｍの厚みが適当である。
【０００７】次に、上記のニッケルめっき被膜を形成し
た樹脂ボールに電解めっきにより合金めっきまたは合金
を構成する単体金属の積層めっき被膜を形成する。この
電解めっきは、バレルを用いる方法が適当である。合金
のめっき被膜または合金を構成する単体金属の積層めっ
き被膜の厚みは、１〜３μｍが好ましい。
た樹脂ボールに電解めっきにより合金めっきまたは合金
を構成する単体金属の積層めっき被膜を形成する。この
電解めっきは、バレルを用いる方法が適当である。合金
のめっき被膜または合金を構成する単体金属の積層めっ
き被膜の厚みは、１〜３μｍが好ましい。
【０００８】本発明のクリームはんだを用いれば、０．
５ｍｍピッチ以下のクリームはんだの印刷も簡単に行う
ことができるとともに、リフロー後のはんだボール不良
もない。以下に、本発明の種々の実施形態にかかるクリ
ームはんだを図１および図２に基づいて詳細に説明す
る。
５ｍｍピッチ以下のクリームはんだの印刷も簡単に行う
ことができるとともに、リフロー後のはんだボール不良
もない。以下に、本発明の種々の実施形態にかかるクリ
ームはんだを図１および図２に基づいて詳細に説明す
る。
【０００９】
【実施の形態１】図１に示すはんだ粉末１は、直径５μ
ｍの樹脂ボール２にニッケルのめっき被膜３を形成した
のち、ＳｎとＰｂとの共晶はんだのめっき被膜４を形成
したものである。このようにして作製したはんだ粉末を
フラックスと混ぜ合わせることによりクリームはんだを
調製する。このクリームはんだでは、フラックス含有量
は１５ｗｔ％以下である。フラックスとしては、従来の
クリームはんだと同じくロジン、ヒマシ油等が使われ
る。このように、本発明のクリームはんだでは、樹脂ボ
ール２の径を５μｍと微細にかつ均一にしているため
に、微細なパターン形成ができるとともに、酸化度が非
常に少ないためにリフロー後のはんだボールがない。
ｍの樹脂ボール２にニッケルのめっき被膜３を形成した
のち、ＳｎとＰｂとの共晶はんだのめっき被膜４を形成
したものである。このようにして作製したはんだ粉末を
フラックスと混ぜ合わせることによりクリームはんだを
調製する。このクリームはんだでは、フラックス含有量
は１５ｗｔ％以下である。フラックスとしては、従来の
クリームはんだと同じくロジン、ヒマシ油等が使われ
る。このように、本発明のクリームはんだでは、樹脂ボ
ール２の径を５μｍと微細にかつ均一にしているため
に、微細なパターン形成ができるとともに、酸化度が非
常に少ないためにリフロー後のはんだボールがない。
【００１０】
【実施の形態２】図２に示すはんだ粉末１１は、直径５
μｍの樹脂ボール１２にニッケルのめっき被膜１３を形
成したのち、めっきによりＳｎ被膜１４ａとＰｂ被膜１
４ｂをそれぞれ単体の膜として形成したものである。こ
のはんだ粉末をフラックスと混ぜ合わせることによりク
リームはんだを調製する。このクリームはんだでも、フ
ラックスには実施例１と同様のものを用いることができ
る。このように、本実施の形態では、はんだ合金を構成
する単体金属のめっき被膜を積層して形成しているため
に、はんだ組成が制御しやすいという特徴をもってい
る。
μｍの樹脂ボール１２にニッケルのめっき被膜１３を形
成したのち、めっきによりＳｎ被膜１４ａとＰｂ被膜１
４ｂをそれぞれ単体の膜として形成したものである。こ
のはんだ粉末をフラックスと混ぜ合わせることによりク
リームはんだを調製する。このクリームはんだでも、フ
ラックスには実施例１と同様のものを用いることができ
る。このように、本実施の形態では、はんだ合金を構成
する単体金属のめっき被膜を積層して形成しているため
に、はんだ組成が制御しやすいという特徴をもってい
る。
【００１１】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではなく、種々の形態で実施することができる。
たとえば、めっきの際にフラックス成分、たとえばめっ
き浴に光沢剤として添加されるものをめっき被膜中に吸
蔵させれば、クリームはんだにするためにフラックス以
外の増粘剤やチクソ剤等だけを前記のはんだ粉末と混ぜ
合わせてクリームはんだを作製することができる。
るものではなく、種々の形態で実施することができる。
たとえば、めっきの際にフラックス成分、たとえばめっ
き浴に光沢剤として添加されるものをめっき被膜中に吸
蔵させれば、クリームはんだにするためにフラックス以
外の増粘剤やチクソ剤等だけを前記のはんだ粉末と混ぜ
合わせてクリームはんだを作製することができる。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、リフロー後のはんだボ
ールがなく、かつ微細なパターン形成ができるクリーム
はんだを提供することができる。
ールがなく、かつ微細なパターン形成ができるクリーム
はんだを提供することができる。
【図１】本発明の一実施の形態にかかるクリームはんだ
のはんだ粉末の断面模式図である。
のはんだ粉末の断面模式図である。
【図２】本発明の他の実施の形態にかかるクリームはん
だのはんだ粉末の断面模式図である。
だのはんだ粉末の断面模式図である。
１、１１ はんだ粉末 ２、２ 樹脂ボール ３、１３ ニッケルのめっき被膜 ４ 合金のめっき被膜 １４ａ、１４ｂ 合金を構成する単体金属のめっき被膜
Claims (2)
- 【請求項１】 はんだ粉末とフラックスからなり、前記
はんだ粉末が、表面にニッケルめっき被膜および融点２
５０℃以下の合金めっき被膜を順次形成された粒径１０
μｍ以下の樹脂ボールからなることを特徴とするクリー
ムはんだ。 - 【請求項２】 はんだ粉末とフラックスからなり、前記
はんだ粉末が、表面にニッケルめっき被膜および融点２
５０℃以下の合金を構成する単体金属のめっき被膜の積
層膜が順次形成された粒径１０μｍ以下の樹脂ボールか
らなることを特徴とするクリームはんだ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35359497A JP3795650B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | クリームはんだ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35359497A JP3795650B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | クリームはんだ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11179585A true JPH11179585A (ja) | 1999-07-06 |
| JP3795650B2 JP3795650B2 (ja) | 2006-07-12 |
Family
ID=18431902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35359497A Expired - Fee Related JP3795650B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | クリームはんだ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3795650B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004158212A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Sekisui Chem Co Ltd | 実装用導電性微粒子 |
| JP2004249359A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Sekisui Chem Co Ltd | ハンダペースト及び導電接続構造体 |
| JP2004303956A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Sekisui Chem Co Ltd | プリント基板の製造方法 |
| JP2018089683A (ja) * | 2016-12-06 | 2018-06-14 | テトス カンパニー，リミテッド | はんだ粒子 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471591A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-16 | Sumitomo Spec Metals | Joining method for metal or alloy piece |
| JPH0536306A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Sekisui Fine Chem Kk | 導電性微粒子、電極接続構造体及びその製造方法 |
| JPH05337679A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | クリーム半田用半田粉末およびその製造方法 |
| JPH07155980A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-20 | Nec Kansai Ltd | 接合方法 |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP35359497A patent/JP3795650B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471591A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-16 | Sumitomo Spec Metals | Joining method for metal or alloy piece |
| JPH0536306A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Sekisui Fine Chem Kk | 導電性微粒子、電極接続構造体及びその製造方法 |
| JPH05337679A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | クリーム半田用半田粉末およびその製造方法 |
| JPH07155980A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-20 | Nec Kansai Ltd | 接合方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2004158212A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Sekisui Chem Co Ltd | 実装用導電性微粒子 |
| JP2004249359A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Sekisui Chem Co Ltd | ハンダペースト及び導電接続構造体 |
| JP2004303956A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Sekisui Chem Co Ltd | プリント基板の製造方法 |
| JP2018089683A (ja) * | 2016-12-06 | 2018-06-14 | テトス カンパニー，リミテッド | はんだ粒子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3795650B2 (ja) | 2006-07-12 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050804 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051104 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051118 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20051201 |
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