WO2024101449A1

WO2024101449A1 - 導電性粒子、導電材料及び接続構造体

Info

Publication number: WO2024101449A1
Application number: PCT/JP2023/040596
Authority: WO
Inventors: 豪湯川; 洋小林
Original assignee: 積水化学工業株式会社
Priority date: 2022-11-11
Filing date: 2023-11-10
Publication date: 2024-05-16

Abstract

得られる接続構造体の導通信頼性及び冷熱サイクル特性を高めることができる導電性粒子を提供する。　本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子であり、前記導電部が、インジウムを含み、前記導電性粒子を大気雰囲気下かつ１６０℃の条件で１分間加熱したときに、前記導電部が溶融する。

Description

導電性粒子、導電材料及び接続構造体

　本発明は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。

　異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。

　上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために用いられている。上記異方性導電材料を用いる接続としては、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ　ｏｎ　Ｂｏａｒｄ））等が挙げられる。

　近年、接続構造体を用いたデバイスの小型化及び軽量化が進んでいる。これに伴い、接続構造体に用いられる導電性粒子には、大容量及び低抵抗性等の高い導電性能が求められている。上記導電性粒子として、金属溶融により電極と接合して、導電性能を高めることができる錫粒子が用いられることがある。

　下記の特許文献１には、基材微粒子、及び前記基材微粒子を被覆する金属被覆層を備える導電性粒子が開示されている。前記導電性粒子では、前記金属被覆層は、無電解メッキされた内側の銅メッキ層および外側の錫メッキ層を備える。前記導電性粒子では、前記錫メッキ層が、還元剤を含む無電解錫メッキ浴によって形成されている。前記導電性粒子では、前記銅メッキ層の膜厚が０．０４０μｍ以上であり、前記錫メッキ層の膜厚が０．０５０μｍ以上であり、前記銅メッキ層の膜厚と前記錫メッキ層の膜厚との合計値が、０．０９０μｍ以上、０．１８０μｍ以下である。

特開２０１１－１３４４８０号公報

　近年、基板等への負担を減らすため、２００℃未満の低温環境下で実装が行われることがある。

　しかしながら、特許文献１に記載のような導電性粒子、即ち導電部が２層構造を有し、かつ外側が錫層である導電性粒子では、２００℃未満の実装条件では錫の金属溶融が発現しづらく、電極間を電気的に接続して接続構造体を作製した場合に、導通信頼性を十分に高くすることができない（接続抵抗を十分に低くすることができない）という課題がある。

　また、従来の導電性粒子を用いて作製した接続構造体では、冷却及び加熱が繰り返し行われた場合に、該導電性粒子が基板から剥離したり、該導電性粒子にクラックが生じたりすることがある。すなわち、従来の導電性粒子では、得られる接続構造体の冷熱サイクル特性を高めることは難しいという課題がある。

　本発明の目的は、得られる接続構造体の導通信頼性及び冷熱サイクル特性を高めることができる導電性粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。

　本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子であり、前記導電部が、インジウムを含み、前記導電性粒子を大気雰囲気下かつ１６０℃の条件で１分間加熱したときに、前記導電部が溶融する、導電性粒子が提供される。

　本発明に係る導電性粒子のある特定の局面によれば、前記導電部が、錫とインジウムとの合金を含む合金層を有する。

　本発明に係る導電性粒子のある特定の局面によれば、前記導電部が、融点が２００℃以下である導電層を有し、前記導電部１００重量％中、前記融点が２００℃以下である導電層の含有量が、１０重量％以上である。

　本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部が、銅又はニッケルを含む層を有し、前記基材粒子が、前記銅又はニッケルを含む層に接する。

　本発明に係る導電性粒子のある特定の局面によれば、前記銅又はニッケルを含む層の厚みが、０．０５μｍ以上２μｍ以下である。

　本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部が、錫を含み、前記導電部１００重量％中、錫の含有量が、２重量％以上である。

　本発明に係る導電性粒子のある特定の局面によれば、前記導電部の外表面に複数の突起を有する。

　本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部のＸ線回折スペクトルを測定したときに、３２°以上３４°以下の領域と、５５．５°以上５７．５°以下の領域とに、ピークが存在する。

　本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面が、フラックスにより表面処理されている。

　本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子の粒子径が０．５μｍ以上１００μｍ以下である。

　本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。

　本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電性粒子を含み、前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。

　本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子である。本発明に係る導電性粒子では、上記導電部が、インジウムを含み、上記導電性粒子を大気雰囲気下かつ１６０℃の条件で１分間加熱したときに、上記導電部が溶融する。本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、得られる接続構造体の導通信頼性及び冷熱サイクル特性を高めることができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。図４は、本発明の第４の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。図５は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。

　以下、本発明の詳細を説明する。

　（導電性粒子）
　本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子である。本発明に係る導電性粒子では、上記導電部が、インジウムを含み、上記導電性粒子を大気雰囲気下かつ１６０℃の条件で１分間加熱したときに、上記導電部が溶融する。本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、電極間を電気的に接続した場合に、導電部が溶融することにより、導通信頼性を高めることができる。すなわち、接続されるべき上下の電極間の導通信頼性を高めることができる。また、上記導電部が速やかに溶融するため、接続されてはならない横方向の電極間の絶縁信頼性も確保できる。

　また、本発明に係る導電性粒子では、インジウムを含む導電部が非常に柔らかく、かつ延展性に富んでいるため、冷却及び加熱が繰り返し行われ、基板が膨張又は収縮を繰り返した場合にも、該導電性粒子が基板から剥離したり、該導電性粒子にクラックが生じたりすることを防ぐ（得られる接続構造体の冷熱サイクル特性を高める）ことができる。

　なお、本明細書において、「導電部が溶融する」とは、導電部の少なくとも表面部分が溶融することを示す。

　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明する。

　図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

　図１に示す導電性粒子１は、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された導電部３とを有する。導電部３は、基材粒子２の表面を被覆している。導電性粒子１は、基材粒子２の表面が導電部３により被覆された被覆粒子である。

　導電性粒子１では、導電部３は、単層の導電層である。

　導電性粒子１では、導電部３が、インジウムを含む。導電性粒子１では、導電性粒子１を大気雰囲気下かつ１６０℃の条件で１分間加熱したときに、導電部３が溶融する。

　導電性粒子１では、導電部３が、２種類以上の金属の合金を含む合金層であってもよい。

　図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

　図２に示す導電性粒子１１は、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された導電部１３とを有する。導電部１３は、基材粒子２の表面を被覆している。導電性粒子１１は、基材粒子２の表面が導電部１３により被覆された被覆粒子である。

　導電性粒子１１では、導電部１３は、２層構造を有する導電層である。導電部１３は、第１の導電部１３Ａと、第２の導電部１３Ｂとを有する。第１の導電部１３Ａは、基材粒子２の表面上に配置されている。第１の導電部１３Ａは、基材粒子２に接している。基材粒子２と第２の導電部１３Ｂとの間に、第１の導電部１３Ａが配置されている。第２の導電部１３Ｂは、第１の導電部１３Ａの表面上に配置されている。第２の導電部１３Ｂは、第１の導電部１３Ａに接している。第２の導電部１３Ｂは、導電性粒子１１における最外層の導電部である。

　導電性粒子１１では、導電部１３が、インジウムを含む。導電性粒子１１では、第１の導電部１３Ａがインジウムを含んでいてもよく、第２の導電部１３Ｂがインジウムを含んでいてもよい。導電性粒子１１では、導電性粒子１１を大気雰囲気下かつ１６０℃の条件で１分間加熱したときに、導電部１３が溶融する。

　導電性粒子１１では、導電部１３が、２種類以上の金属の合金を含む合金層を有していてもよい。導電性粒子１１では、第１の導電部１３Ａが、２種類以上の金属の合金を含む合金層であってもよく、第２の導電部１３Ｂが、２種類以上の金属の合金を含む合金層であってもよい。

　図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

　図３に示す導電性粒子２１は、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された導電部２３とを有する。導電部２３は、基材粒子２の表面を被覆している。導電性粒子２１は、基材粒子２の表面が導電部２３により被覆された被覆粒子である。

　導電性粒子２１では、導電部２３は、３層構造を有する導電層である。導電部２３は、第１の導電部２３Ａと、第２の導電部２３Ｂと、第３の導電部２３Ｃとを有する。第１の導電部２３Ａは、基材粒子２の表面上に配置されている。第１の導電部２３Ａは、基材粒子２に接している。基材粒子２と第２の導電部２３Ｂとの間に、第１の導電部２３Ａが配置されている。第２の導電部２３Ｂは、第１の導電部２３Ａの表面上に配置されている。第２の導電部２３Ｂは、第１の導電部２３Ａに接している。第１の導電部２３Ａと第３の導電部２３Ｃとの間に、第２の導電部２３Ｂが配置されている。第３の導電部２３Ｃは、第２の導電部２３Ｂの表面上に配置されている。第３の導電部２３Ｃは、第２の導電部２３Ｂに接している。第３の導電部２３Ｃは、導電性粒子２１における最外層の導電部である。

　導電性粒子２１では、導電部２３が、インジウムを含む。導電性粒子２１では、第１の導電部２３Ａがインジウムを含んでいてもよく、第２の導電部２３Ｂがインジウムを含んでいてもよく、第３の導電部２３Ｃがインジウムを含んでいてもよい。導電性粒子２１では、導電性粒子２１を大気雰囲気下かつ１６０℃の条件で１分間加熱したときに、導電部２３が溶融する。

　導電性粒子２１では、導電部２３が、２種類以上の金属の合金を含む合金層を有していてもよい。導電性粒子２１では、第１の導電部２３Ａが、２種以上の金属の合金を含む合金層であってもよく、第２の導電部２３Ｂが、２種類以上の金属の合金を含む合金層であってもよく、第３の導電部２３Ｃが、２種類以上の金属の合金を含む合金層であってもよい。

　図４は、本発明の第４の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

　図４に示す導電性粒子３１は、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された導電部３３と、複数の芯物質３４と、複数の絶縁性物質３５とを有する。

　導電性粒子３１では、導電部３３は、単層の導電層である。上記導電性粒子では、上記導電部が上記基材粒子の表面の全体を覆っていてもよく、一部を覆っていてもよい。上記導電性粒子では、上記導電部は、単層の導電層であってもよく、２層以上の層から構成される多層の導電層であってもよい。

　導電性粒子３１（特に、導電部３３）は表面に、複数の突起３３ａを有する。複数の芯物質３４が、基材粒子２の表面上に配置されている。複数の芯物質３４は、導電部３３内に埋め込まれている。芯物質３４は、突起３３ａの内側に配置されている。導電部３３は、複数の芯物質３４を被覆している。複数の芯物質３４により導電部３３の外表面が隆起されており、突起３３ａが形成されている。

　導電性粒子３１は、導電部３３の外表面上に配置された絶縁性物質３５を有する。導電部３３の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質３５により被覆されている。絶縁性物質３５は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、本発明に係る導電性粒子は、導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。但し、本発明に係る導電性粒子は、絶縁性物質を必ずしも有していなくてもよい。

　導電性粒子３１では、導電部３３が、インジウムを含む。導電性粒子３１では、この場合、導電性粒子３１を大気雰囲気下かつ１６０℃の条件で１分間加熱したときに、導電部３３が溶融する。

　導電性粒子３１では、導電部３３が、２種類以上の金属の合金を含む合金層であってもよい。

　以下、導電性粒子の他の詳細を説明する。

　なお、本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとを示す。「（メタ）アクリル」のは、アクリルとメタクリルとを示す。「（メタ）アクリロイル」は、アクリロイルとメタクリロイルとを示す。

　上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは０．８μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは１０５μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下である。上記導電性粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導通信頼性及び絶縁信頼性を良好にすることができる。

　上記導電性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、該平均粒子径は数平均粒子径を示す。上記導電性粒子の粒子径は、例えば、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各導電性粒子の粒子径の平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。

　本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記導電性粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。上記導電性粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）の下限は、特に限定されない。上記導電性粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、０％以上であってもよく、１％以上であってもよい。

　上記変動係数（ＣＶ値）は、以下のようにして測定できる。

　ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
　ρ：導電性粒子の粒子径の標準偏差
　Ｄｎ：導電性粒子の粒子径の平均値

　上記導電性粒子の形状は、特に限定されない。上記導電性粒子の形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、扁平状等であってもよい。

　応力負荷時のクラックの発生をより一層抑える観点からは、上記導電性粒子の１０％Ｋ値は、好ましくは５００Ｎ／ｍｍ^２以上、より好ましくは１０００Ｎ／ｍｍ^２以上であり、好ましくは１７０００Ｎ／ｍｍ^２以下、より好ましくは１３０００Ｎ／ｍｍ^２以下である。

　上記導電性粒子の１０％Ｋ値は、例えば、以下のようにして測定できる。

　微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径５０μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、２５℃、最大試験荷重６０ｍＮを２０秒かけて負荷する条件下で導電性粒子を圧縮する。このときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得られた測定値から、上記１０％Ｋ値（圧縮弾性率）を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ－１００」等が用いられる。

　１０％Ｋ値（Ｎ／ｍｍ^２）＝（３／２^１／２）・Ｆ・Ｓ^－３／２・Ｒ^－１／２
　Ｆ：導電性粒子が１０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
　Ｓ：導電性粒子が１０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
　Ｒ：導電性粒子の半径（ｍｍ）

　上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料を得るために好適に用いられる。

　＜基材粒子＞
　上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを備えるコアシェル粒子であってもよい。上記コアが有機コアであってもよく、上記シェルが無機シェルであってもよい。

　上記樹脂粒子の材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、及びポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及びジビニルベンゼン重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン重合体は、ジビニルベンゼン共重合体であってもよい。上記ジビニルベンゼン共重合体等としては、ジビニルベンゼン－スチレン共重合体及びジビニルベンゼン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記樹脂粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子の材料は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。

　上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合には、該エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。

　上記非架橋性の単量体としては、スチレン、及びα－メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、及び無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、及びイソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート化合物；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、及びグリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート化合物；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、及びプロピルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、及びステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物；エチレン、プロピレン、イソプレン、及びブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、及びクロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。

　上記架橋性の単量体としては、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールポリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、及び１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート化合物；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、並びに、γ－（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、及びビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。上記樹脂粒子のガラス転移温度においてもフラックス含有粒子が形状を保つ観点からは、上記架橋性の単量体は、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、又はジペンタエリスリトールポリ（メタ）アクリレートであることが好ましい。

　上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。

　上記基材粒子が金属を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は、金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。

　上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。

　上記有機コアの材料としては、上述した樹脂粒子の材料等が挙げられる。

　上記無機シェルの材料としては、上述した基材粒子の材料として挙げた無機物が挙げられる。上記無機シェルの材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。

　上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子の材料である金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。

　上記基材粒子の粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは９．５μｍ以上であり、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは４９．９５μｍ以下、さらに好ましくは３９．９５μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の間隔が小さくなり、かつ導電部の厚みを厚くしても、粒子径が小さい導電性粒子が得られる。さらに基材粒子の表面に導電部を形成する際に粒子が凝集し難くなり、凝集した導電性粒子が形成され難くなる。

　上記基材粒子の形状は、特に限定されない。上記基材粒子の形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、扁平状等であってもよい。

　上記基材粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、該平均粒子径は数平均粒子径を示す。上記基材粒子の粒子径は粒度分布測定装置等を用いて求められる。基材粒子の粒子径は、任意の基材粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。導電性粒子において、上記基材粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。

　導電性粒子の含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子を含む検査用埋め込み樹脂体を作製する。上記検査用埋め込み樹脂体中に分散した導電性粒子（基材粒子）の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を１０００倍に設定し、５０個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の基材粒子を観察する。各導電性粒子における基材粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して基材粒子の粒子径とする。上記画像倍率は、導電性粒子の粒子径によって、例えば１００倍などに変更してもよい。

　＜芯物質及び突起＞
　上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に複数の突起を有することが好ましい。一般的に、導電性粒子と接触する電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。表面に突起を有する導電性粒子を用いた場合には、導電接続時に、突起により上記酸化被膜を効果的に排除できる。このため、電極と導電性粒子とがより一層確実に接触し、導電性粒子と電極との接触面積を十分に大きくすることができ、接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。さらに、導電性粒子がバインダーに分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間のバインダーをより一層効果的に排除できる。このため、導電性粒子と電極との接触面積を十分に大きくすることができ、接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。

　導電性粒子の表面に突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電層を形成する方法等が挙げられる。

　基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。

　上記導電性粒子は、上記基材粒子の表面上に第１の導電部を有し、かつ、第１の導電部の表面上に第２の導電部を有し、かつ、第２の導電部の表面上に第３の導電部を有していてもよい。上記基材粒子の表面に芯物質を付着させてもよい。この場合に、上記芯物質は、上記第１の導電部、上記第２の導電部、及び上記第３の導電部により被覆されていることが好ましい。また、上記第１の導電部の表面に芯物質を付着させてもよい。この場合に、上記芯物質は、上記第２の導電部及び上記第３の導電部により被覆されていることが好ましい。また、上記第２の導電部の表面に芯物質を付着させてもよい。この場合に、上記芯物質は、上記第３の導電部により被覆されていることが好ましい。

　上記芯物質を構成する物質としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ及びジルコニア等が挙げられる。導電性を高める観点からは、上記芯物質を構成する物質は、金属が好ましい。上記芯物質は、金属粒子であることが好ましい。

　上記金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫－鉛合金、錫－銅合金、錫－銀合金、錫－鉛－銀合金及び炭化タングステン等の２種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。なかでも、ニッケル、銅、銀又は金が好ましい。上記芯物質を構成する金属は、上記導電部（導電層）を構成する金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。

　上記芯物質の形状は、特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。

　複数の上記突起の平均高さは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記突起の平均高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗を効果的に低くし、導通信頼性をより一層高めることができる。

　＜導電部＞
　本発明では、上記導電性粒子は、導電部を表面に有する。上記導電部は、上記基材粒子の表面上に配置されている。

　上記導電部を構成する金属としては、錫、金、銀、銅、錫、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いてもよい。上記金属は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

　上記導電性粒子では、上記導電部が、インジウムを含み、導電性粒子を大気雰囲気下かつ１６０℃の条件で１分間加熱したときに、上記導電部が溶融する。

　上記導電性粒子では、上記導電部は、１つの層により形成されていてもよく、複数の層により形成されていてもよい。上記導電部は、２層以上の積層構造を有していてもよい。本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記導電部が複数の層により形成されている場合には、インジウムは、上記導電部の最外層に含まれることが好ましい。

　上記導電性粒子では、上記導電部が、融点の異なる２種類以上の金属を含んでいてもよく、融点の異なる３種類以上の金属を含んでいてもよく、融点の異なる４種類以上の金属を含んでいてもよく、融点の異なる５種類以上の金属を含んでいてもよい。上記導電性粒子では、上記導電部が、融点の異なる１０種類以下の金属を含んでいてもよく、融点の異なる５種類以下の金属を含んでいてもよく、融点の異なる４種類以下の金属を含んでいてもよく、融点の異なる３種類以下の金属を含んでいてもよく、融点の異なる２種類以下の金属を含んでいてもよい。

　上記導電性粒子では、１つの層が、融点の異なる２種類以上の金属を含んでいてもよく、融点の異なる３種類以上の金属を含んでいてもよく、融点の異なる４種類以上の金属を含んでいてもよく、融点の異なる５種類以上の金属を含んでいてもよい。上記導電性粒子では、１つの層が、融点の異なる１０種類以下の金属を含んでいてもよく、融点の異なる５種類以下の金属を含んでいてもよく、融点の異なる４種類以下の金属を含んでいてもよく、融点の異なる３種類以下の金属を含んでいてもよく、融点の異なる２種類以下の金属を含んでいてもよい。上記導電性粒子では、１つの層が、１種類の金属（インジウムのみ）を含んでいてもよい。

　導電部を良好に溶融させる観点からは、上記導電性粒子では、上記導電部が、２種類以上の金属の合金を含む合金層を有することが好ましい。上記合金層は、２種類以上の金属の合金を含んでいてもよく、３種類以上の金属の合金を含んでいてもよく、１０種類以下の金属の合金を含んでいてもよく、５種類以下の金属の合金を含んでいてもよい。得られる接続構造体の冷熱サイクル特性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子では、上記導電部が、インジウムとインジウム以外の金属との合金を含む合金層を有することが好ましく、錫とインジウムとの合金を含む合金層を有することがより好ましい。

　上記導電性粒子において、上記導電部が、２種類以上の金属の合金を含む合金層（例えば、錫とインジウムとの合金を含む合金層）を有する場合には、得られる接続構造体の冷熱サイクル特性をより一層高める観点からは、上記２種類以上の金属の合金を含む合金層（錫とインジウムとの合金を含む合金層）は、導電部の最外層であることが好ましい。

　上記錫とインジウムとの合金を含む合金層の厚みは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、さらに好ましくは０．１μｍ以上であり、好ましくは０．７５μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．３μｍ以下である。上記錫とインジウムとの合金を含む合金層の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、得られる接続構造体の冷熱サイクル特性をより一層高めることができる。なお、上記錫とインジウムとの合金を含む合金層の厚みは、上記導電性粒子１個当たりの平均厚みである。

　上記錫とインジウムとの合金を含む合金層の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。

　得られる接続構造体の冷熱サイクル特性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子では、上記導電部が、ビスマスを含まないことが好ましい。

　本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記導電性粒子における上記導電部１００重量％中、インジウムの含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、さらに好ましくは１８重量％以上であり、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは３５重量％以下、さらに好ましくは２５重量％以下である。

　本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記導電性粒子におけるインジウムを含む層（インジウム層）１００重量％中、インジウムの含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは４４重量％以上である。本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記導電性粒子におけるインジウムを含む層（インジウム層）１００重量％中、インジウムの含有量は、好ましくは９９．９重量％以下、より好ましくは９８重量％以下、さらに好ましくは９５重量％以下である。本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記導電性粒子におけるインジウムを含む層（インジウム層）１００重量％中、インジウムの含有量は、さらに一層好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下、最も好ましくは７２重量％以下である。

　上記導電部が、錫とインジウムとの合金を含む合金層を有する場合には、上記錫とインジウムとの合金を含む合金層１００重量％中、インジウムの含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは４４重量％以上である。上記錫とインジウムとの合金を含む合金層１００重量％中、インジウムの含有量は、好ましくは９９．９重量％以下、より好ましくは９８重量％以下、さらに好ましくは９５重量％以下、さらに一層好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下、最も好ましくは７２重量％以下である。上記インジウムの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。

　上記導電部、上記インジウム層、及び上記錫とインジウムとの合金を含む合金層における上記インジウム（及び他の金属）の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置、又は蛍光Ｘ線分析装置等を用いて測定することができる。上記高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置としては、堀場製作所社製「ＩＣＰ－ＡＥＳ」等が挙げられる。上記蛍光Ｘ線分析装置としては、島津製作所社製「ＥＤＸ－８００ＨＳ」等が挙げられる。

　上記導電性粒子では、上記導電性粒子を大気雰囲気下かつ１６０℃の条件で１分間加熱（溶融試験Ａ）したときに、上記導電部が溶融する。上記導電部は、少なくとも表面部分が溶融する。上記導電部は、表面全体が溶融することが好ましい。導電部の外表面に複数の突起を有する導電性粒子においては、突起がある部分の上記導電部の表面部分及び突起がない部分の上記導電部の表面部分の双方が溶融することが好ましい。

　［溶融試験Ａ］
　上記導電性粒子を、Ｃｕ板上に散布し、大気雰囲気下かつ１６０℃の条件で１分間加熱する。ＦＩＢ－ＳＥＭにて収束イオンビーム（ＦＩＢ）により、加熱後の上記導電性粒子の断面を切り出す。断面を切り出した後、加熱後の上記導電性粒子における上記導電部の溶融状態を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて導電性粒子とＣｕ板との接合部近傍にて観察する。

　上記導電性粒子では、上記導電性粒子を大気雰囲気下かつ２００℃の条件で１分間加熱（溶融試験Ｂ）したときに、上記導電部が溶融することが好ましい。この場合に、上記導電部は、少なくとも表面部分が溶融することが好ましく、表面全体が溶融することがより好ましい。導電部の外表面に複数の突起を有する導電性粒子においては、突起がある部分の上記導電部の表面部分及び突起がない部分の上記導電部の表面部分の双方が溶融することが好ましい。

　［溶融試験Ｂ］
　上記導電性粒子を、Ｃｕ板上に散布し、大気雰囲気下かつ２００℃の条件で１分間加熱する。ＦＩＢ－ＳＥＭにて収束イオンビーム（ＦＩＢ）により、加熱後の上記導電性粒子の断面を切り出す。断面を切り出した後、加熱後の上記導電性粒子における上記導電部の溶融状態を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて導電性粒子とＣｕ板との接合部近傍にて観察する。

　上記導電性粒子では、上記導電性粒子を大気雰囲気下かつ１３５℃の条件で１分間加熱（溶融試験Ｃ）したときに、上記導電部が溶融することが好ましい。この場合に、上記導電部は、少なくとも表面部分が溶融することが好ましく、表面全体が溶融することがより好ましい。導電部の外表面に複数の突起を有する導電性粒子においては、突起がある部分の上記導電部の表面部分及び突起がない部分の上記導電部の表面部分の双方が溶融することが好ましい。

　［溶融試験Ｃ］
　上記導電性粒子を、Ｃｕ板上に散布し、大気雰囲気下かつ１３５℃の条件で１分間加熱する。ＦＩＢ－ＳＥＭにて収束イオンビーム（ＦＩＢ）により、加熱後の上記導電性粒子の断面を切り出す。断面を切り出した後、加熱後の上記導電性粒子における上記導電部の溶融状態を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて導電性粒子とＣｕ板との接合部近傍にて観察する。

　なお、溶融試験Ａ、溶融試験Ｂ、及び溶融試験Ｃにおいて、「導電部が溶融する」とは、以下の事象（１）及び事象（２）の少なくとも一方が認められることをいうものとする。（１）電子顕微鏡（ＳＥＭ）での観察時に、導電性粒子とＣｕ板との接合部近傍（界面部分）に境界線が観察されないこと。（２）電子顕微鏡（ＳＥＭ）での観察時のＳＥＭ－ＥＤＸを用いた元素分析において、Ｃｕ板側から導電性粒子（特に、導電部）の内部に向かってＣｕ元素が拡散していること。また、上記事象（１）及び上記事象（２）の双方が認められなかったとき（導電性粒子とＣｕ板との界面に沿って境界線が観察され、かつ、Ｃｕ板側から導電性粒子（特に、導電部）の内部に向かってＣｕ元素が拡散していないとき）に、「導電部が溶融していない」と判定する。ただし、導電性粒子の導電部があらかじめＣｕ元素を含む場合には、上記事象（１）をもって導電部が溶融していると判定する。

　導電部と基材粒子との密着性を良好にする観点からは、上記導電性粒子における上記導電部は、銅又はニッケルを含むことが好ましい。上記導電性粒子における上記導電部は、銅を含んでいてもよく、ニッケルを含んでいてもよい。

　導電部と基材粒子との密着性を良好にする観点からは、上記導電性粒子における上記導電部は、銅又はニッケルを含む層を有することが好ましい。導電層と基材粒子との密着性を良好にする観点からは、上記基材粒子が、上記銅又はニッケルを含む層に接することが好ましい。導電層と基材粒子との密着性を良好にする観点からは、上記銅又はニッケルを含む層は、上記導電部の最内層であることが好ましい。導電層と基材粒子との密着性を良好にする観点からは、上記導電部の最内層を構成する金属は、銅又はニッケルであることが好ましく、ニッケルであることがより好ましい。導電層と基材粒子との密着性を良好にする観点、及び本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記基材粒子が、上記銅又はニッケルを含む層に接し、かつ上記銅又はニッケルを含む層が、上記インジウムを含む層に接することが好ましい。導電層と基材粒子との密着性をより一層良好にする観点、及び本発明の効果を更に一層効果的に発揮する観点からは、上記ニッケルを含む層に接し、かつ上記ニッケルを含む層が、上記インジウムを含む層に接することがより好ましい。本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記インジウムを含む層は、上記錫とインジウムとの合金を含む合金層であることが好ましい。

　上記銅又はニッケルを含む層の厚みは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、さらに好ましくは０．０５μｍ以上、特に好ましくは０．１μｍ以上であり、好ましくは２μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以下、特に好ましくは０．７５μｍ以下である。上記銅又はニッケルを含む層の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子と電極との接触面積を大きくし、導通信頼性をより一層高めることができる。なお、上記銅又はニッケルを含む層の厚みは、上記導電性粒子１個当たりの平均厚みである。

　上記銅又はニッケルを含む層の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。

　導電性粒子と電極との接触面積を大きくし、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部は、錫を含むことが好ましい。導電性粒子との接触面積を大きくし、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部１００重量％中、錫の含有量は、好ましくは２重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、さらに好ましくは１６重量％以上であり、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下、さらに好ましくは２２重量％以下である。

　導電性粒子と電極との接触面積を大きくし、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記錫を含む層（錫層）１００重量％中、錫の含有量は、好ましくは２重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、さらに好ましくは１８重量％以上であり、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下、さらに好ましくは５６重量％以下である。

　上記導電部、及び上記錫層における上記錫（及び他の金属）の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置、又は蛍光Ｘ線分析装置等を用いて測定することができる。上記高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置としては、堀場製作所社製「ＩＣＰ－ＡＥＳ」等が挙げられる。上記蛍光Ｘ線分析装置としては、島津製作所社製「ＥＤＸ－８００ＨＳ」等が挙げられる。

　導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部は、融点が２００℃以下である導電層を有することが好ましい。上記導電部は、融点が１９０℃以下である導電層を有することが好ましく、融点が１８０℃以下である導電層を有することがより好ましく、融点が１７０℃以下である導電層を有することがより一層好ましく、融点が１６０℃以下である導電層を有することがさらに好ましく、融点が１６０℃以下である導電層を有することがさら一層に好ましい。上記導電部は、融点が１５５℃以下である導電層を有することがさらに一層好ましく、融点が１５０℃以下である導電層を有することが特に好ましく、融点が１４０℃以下である導電層を有することが特に一層好ましく、融点が１３５℃以下である導電層を有することが最も好ましい。上記導電部が上記の好ましい導電層を有する場合には、導通信頼性をより一層高めることができる。上記導電部は、融点が２００℃以下である導電層を１層のみ有していてもよく、２層以上有していてもよい。

　導電性粒子と電極との接合性及び密着性を高める観点からは、上記融点が２００℃以下である導電層は、上記導電部の外表面層であることが好ましい。導電性粒子と電極との接合性及び密着性を高める観点からは、上記導電部が２層以上の導電層であり、上記融点が２００℃以下である導電層が、上記導電部の最外層であることが好ましい。

　導電部を良好に溶融させる観点からは、上記導電部１００重量％中、上記融点が２００℃以下である導電層の含有量が、好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上、さらに好ましくは１０重量％以上であり、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは５０重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以下である。

　導電部を良好に溶融させる観点からは、上記導電部が、２層以上の導電層であり、上記導電部の外表面から内表面に向かって、上記導電層の融点が順に高くなるように、２層以上の上記導電層が積層（配置）されていることが好ましい。導電部を良好に溶融させる観点からは、上記導電部が、２層以上の導電層であり、上記導電部の外表面から内表面に向かって、２層以上の上記導電層が、融点の低い順に積層されていることが好ましい。導電部を良好に溶融させる観点からは、隣接する２層以上の導電層において、外側の導電層の融点が、内側の導電層の融点より低いことが好ましい。

　導電部を良好に溶融させる観点、及び本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記導電部が、銅又はニッケルを含む層と、錫とインジウムとの合金を含む合金層とを有することが好ましい。導電部を良好に溶融させる観点からは、上記銅又はニッケル層の外表面上に、上記錫とインジウムとの合金を含む合金層が配置されていることが好ましい。

　導通信頼性をより一層高める観点からは、上記ニッケル層１００重量％中、ニッケルの含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは４４重量％以上であり、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８０重量％以下、さらに好ましくは７２重量％以下である。

　上記ニッケル層における上記ニッケル（及び他の金属）の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置、又は蛍光Ｘ線分析装置等を用いて測定することができる。上記高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置としては、堀場製作所社製「ＩＣＰ－ＡＥＳ」等が挙げられる。上記蛍光Ｘ線分析装置としては、島津製作所社製「ＥＤＸ－８００ＨＳ」等が挙げられる。

　本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記導電性粒子における上記導電部全体の融点は、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１６０℃以下、さらに好ましくは１５５℃以下、特に好ましくは１５０℃以下、最も好ましくは１４０℃以下である。上記導電性粒子における上記導電部全体の融点は、２５℃以上であってもよく、５０℃以上であってもよい。

　上記導電部全体の融点は、以下の方法で測定することができる。

　示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて昇温速度５℃／分にて、粒子３５ｍｇを測定する。ピークが複数である場合には、最も融点の低いピークを導電部全体のピークとする。

　導電部の溶融温度を十分に低くする観点からは、上記導電部のＸ線回折スペクトルを測定したときに、３２°以上３４°以下の領域に、ピークが存在することが好ましい。導電部の溶融温度を十分に低くする観点からは、上記導電部のＸ線回折スペクトルを測定したときに、５５．５°以上５７．５°以下の領域に、ピークが存在することが好ましい。導電部の溶融温度を十分に低くする観点からは、上記導電部のＸ線回折スペクトルを測定したときに、３２°以上３４°以下の領域と、５５．５°以上５７．５°以下の領域とに、ピークが存在することが好ましい。

　上記導電部のＸ線回折スペクトルにおいて、３２°以上３４°以下の領域と、５５．５°以上５７．５°以下の領域とにピークが存在する場合に、３２°以上３４°以下の領域における最も高いピーク高さが、５５．５°以上５７．５°以下の領域における最も高いピーク高さよりも高いことが好ましい。この場合には、導電部における融点の低い合金の含有量を良好な範囲にし、導電部の溶融温度を十分に低くすることができる。

　上記導電部のＸ線回折スペクトルは、Ｘ線回折装置（例えば、理学電機社製「ＲＩＮＴ２５００ＶＨＦ」）を用いて測定することができる。

　上記導電部の金属の酸化を防ぎ、上記導電部の表面の酸化被膜や異物を除去することにより、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面は、フラックスにより表面処理されていることが好ましい。上記フラックスは、特に限定されない。

　上記フラックスとしては、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、アミン化合物、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

　上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸、又は松脂であることが好ましい。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸であってもよく、松脂であってもよい。カルボキシル基を２個以上有する有機酸、松脂の使用により、接続強度及び導通信頼性がより一層高くなる。

　上記カルボキシル基を２個以上有する有機酸としては、例えば、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、及びセバシン酸等が挙げられる。

　上記アミン化合物としては、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ベンズヒドリルアミン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、フェニルイミダゾール、カルボキシベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、及びカルボキシベンゾトリアゾール等が挙げられる。

　上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。上記ロジン類としては、アビエチン酸、及びアクリル変性ロジン等が挙げられる。フラックスはロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、フラックス効果がより一層高くなる。

　上記フラックスの活性温度（融点）は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは７０℃以上、更に好ましくは８０℃以上であり、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１９０℃以下、より一層好ましくは１６０℃以下、更に好ましくは１５０℃以下、さらに一層好ましくは１４０℃以下である。上記フラックスの活性温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、フラックス効果がより一層高くなる。

　上記フラックスの融点は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により求めることができる。示差走査熱量測定（ＤＳＣ）装置としては、ＳＩＩ社製「ＥＸＳＴＡＲ　ＤＳＣ７０２０」等が挙げられる。

　また、上記フラックスの沸点は２００℃以下であることが好ましい。上記フラックスの沸点の下限は、特に限定されない。上記フラックスの沸点は、１０℃以上であってもよく、３０℃以上であってもよい。

　上記フラックスは、加熱によりカチオンを放出するフラックスであることが好ましい。加熱によりカチオンを放出するフラックスの使用により、接続強度及び導通信頼性がより一層高くなる。

　上記加熱によりカチオンを放出するフラックスとしては、上記熱カチオン開始剤（熱カチオン硬化剤）が挙げられる。

　フラックス効果をより一層高める観点からは、上記フラックスは、酸化合物と塩基化合物との塩であることが好ましい。

　上記酸化合物は、カルボキシル基を有する有機化合物であることが好ましい。上記酸化合物としては、脂肪族系カルボン酸であるマロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、クエン酸、リンゴ酸、環状脂肪族カルボン酸であるシクロヘキシルカルボン酸、１，４－シクロヘキシルジカルボン酸、芳香族カルボン酸であるイソフタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸、及びエチレンジアミン四酢酸等が挙げられる。接続強度をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記酸化合物は、グルタル酸、シクロヘキシルカルボン酸、又はアジピン酸であることが好ましい。

　上記塩基化合物は、アミノ基を有する有機化合物であることが好ましい。上記塩基化合物としては、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、エチルジエタノールアミン、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ベンズヒドリルアミン、２－メチルベンジルアミン、３－メチルベンジルアミン、４－ｔｅｒｔ－ブチルベンジルアミン、Ｎ－メチルベンジルアミン、Ｎ－エチルベンジルアミン、Ｎ－フェニルベンジルアミン、Ｎ－ｔｅｒｔ－ブチルベンジルアミン、Ｎ－イソプロピルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルベンジルアミン、イミダゾール化合物、及びトリアゾール化合物が挙げられる。接続強度をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記塩基化合物は、ベンジルアミンであることが好ましい。

　上記基材粒子の全表面積１００％中、上記導電部の面積（導電部による被覆率）は、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上である。上記導電部による被覆率の上限は、特に限定されない。上記導電部による被覆率は１００％であってもよく、１００％以下であってもよく、９９％以下であってもよい。上記導電部による被覆率が、上記下限以上であると、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。

　上記導電部の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、さらに好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．５μｍ以下である。上記導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、導通信頼性をより一層効果的に高め、かつ、導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子を十分に変形させることができる。なお、上記導電部の厚みは、上記導電性粒子１個当たりの平均厚みである。

　上記導電部が複数の層により形成されている場合に、導電部の最外層の厚みは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以下である。上記導電部の最外層の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、導電部の最外層が均一になり、耐腐食性が十分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗を十分に低くすることができる。なお、上記導電部の最外層の厚みは、上記導電性粒子１個当たりの平均厚みである。

　上記導電部の厚み及び導電部の最外層の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。

　上記基材粒子の表面上に導電部を形成する方法は、特に限定されない。上記導電部を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的な衝突による方法、メカノケミカル反応による方法、物理的蒸着又は物理的吸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。上記導電部を形成する方法は、無電解めっき、電気めっき又は物理的な衝突による方法であることが好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。また、上記物理的な衝突による方法では、例えば、シーターコンポーザ（徳寿工作所社製）等が用いられる。

　＜絶縁性粒子＞
　本発明に係る導電性粒子は、上記導電性粒子の表面上に複数の絶縁性粒子を備えていることが好ましい。この場合、上記導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子同士が接触したときに、複数の電極間に絶縁性粒子が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子と電極との間の絶縁性粒子を容易に排除できる。さらに、導電部の外表面に複数の突起を有する導電性粒子である場合には、導電性粒子と電極との間の絶縁性粒子をより一層容易に排除できる。

　上記絶縁性粒子は、重合性化合物の重合体であることが好ましい。上記重合性化合物は、特に限定されない。上記重合性化合物としては、上述した樹脂粒子の材料等が挙げられる。導電性粒子と絶縁性粒子との密着性を良好にし、絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記絶縁性粒子は、樹脂粒子であることが好ましい。

　上記導電部の表面上に上記絶縁性粒子を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。電極間を電気的に接続した場合に、絶縁信頼性及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記導電部の表面上に上記絶縁性粒子を配置する方法は、物理的方法であることが好ましい。

　上記絶縁性粒子の粒子径は、上記導電性粒子の粒子径及び上記導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁性粒子の粒子径は、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、さらに好ましくは２００ｎｍ以上、特に好ましくは３００ｎｍ以上であり、好ましくは４０００ｎｍ以下、より好ましくは２０００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５００ｎｍ以下、特に好ましくは１０００ｎｍ以下である。上記絶縁性粒子の粒子径が、上記下限以上であると、上記導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の上記導電性粒子同士が接触し難くなる。上記絶縁性粒子の粒子径が、上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁性粒子を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。

　上記絶縁性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、該平均粒子径は数平均粒子径を示す。上記絶縁性粒子の粒子径は粒度分布測定装置等を用いて求められる。上記絶縁性粒子の粒子径は、任意の絶縁性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求めることが好ましい。上記導電性粒子において、上記絶縁性粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。

　導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子を含む検査用埋め込み樹脂を作製する。上記検査用埋め込み樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、５０個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の絶縁性粒子を観察する。各導電性粒子における絶縁性粒子の円相当径を粒子径として計測し、それらを算術平均して絶縁性粒子の粒子径とする。

　本発明に係る導電性粒子では、粒子径の異なる２種以上の絶縁性粒子を併用してもよい。粒子径の異なる２種以上の絶縁性粒子を併用することにより、粒子径の大きい絶縁性粒子により被覆された隙間に、粒子径の小さい絶縁性粒子が入り込み、導電性粒子の表面上に絶縁性粒子をより一層効率的に配置することができる。

　上記絶縁性粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、２０％以下であることが好ましい。上記絶縁性粒子の粒子径の変動係数が、上記上限以下であると、得られる導電性粒子における絶縁性粒子の厚みがより一層均一となり、導電接続の際に均一に圧力をより一層容易に付与することができ、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。

　ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
　ρ：絶縁性粒子の粒子径の標準偏差
　Ｄｎ：絶縁性粒子の粒子径の平均値

　上記絶縁性粒子の形状は、特に限定されない。上記絶縁性粒子の形状は、球状であってもよく、球形状以外の形状であってもよく、扁平状等の形状であってもよい。

　絶縁信頼性を良好にする観点からは、上記導電部の全表面積１００％中、上記絶縁性粒子により被覆されている部分の面積（絶縁性粒子による被覆率）は、好ましくは３０％以上、より好ましくは３５％以上であり、好ましくは７０％以下、より好ましくは６０％以下である。

　上記絶縁性粒子による被覆率は、例えば、以下の方法で測定することができる。電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の表面を観察する。得られた導電性粒子において、絶縁性粒子により被覆されている部分の表面積の粒子全体の投影面積に対する百分率を計測し、それを算術平均して絶縁性粒子による被覆率とする。

　また、上記絶縁性粒子による被覆率はＳＥＭに付随するＥＤＸ等のマッピング分析によっても測定が可能である。

　上記絶縁性粒子による被覆率を調節する方法は、特に限定されない。上記絶縁性粒子による被覆率は、例えば、無機粒子の基材粒子に対する添加量、及び混合時間等によって、調節することができる。

　（導電材料）
　本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられることが好ましい。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極間の電気的な接続に用いられることが好ましい。上記導電材料は回路接続用導電材料であることが好ましい。

　上記バインダー樹脂は、特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分（熱可塑性化合物）又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。

　上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

　上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン－ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル－スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。

　上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。

　上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ、特に限定されない。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法としては、例えば、以下の方法等が挙げられる。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記導電性粒子を水又は有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、上記バインダー樹脂中に添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記バインダー樹脂を水又は有機溶剤等で希釈した後、上記導電性粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。

　上記導電材料の２５℃での粘度（η２５）は、好ましくは３０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは４００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３００Ｐａ・ｓ以下である。上記導電材料の２５℃での粘度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記粘度（η２５）は、配合成分の種類及び配合量により適宜調整することができる。

　上記粘度（η２５）は、例えば、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）等を用いて、２５℃及び５ｒｐｍの条件で測定することができる。

　上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。上記導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。

　上記導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上であり、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性をより一層高めることができる。

　上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上であり、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは４０重量％以下、特に好ましくは２０重量％以下、最も好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高めることができる。

　（接続構造体）
　本発明に係る接続構造体は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、上記第１の接続対象部材と、上記第２の接続対象部材を接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部の材料が、上述した導電性粒子を含む。本発明に係る接続構造体では、上記第１の電極と上記第２の電極とが、上記導電性粒子により電気的に接続されている。

　図５は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。

　図５に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１の接続対象部材５２及び第２の接続対象部材５３を接続している接続部５４とを備える。接続部５４の材料は、導電性粒子１を含む。接続部５４は、導電性粒子１を含む導電材料により形成されていてもよい。接続部５４は、複数の導電性粒子１を含む導電材料を硬化させることにより形成されていることが好ましい。なお、図４では、導電性粒子１は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子１にかえて、導電性粒子１１、導電性粒子２１又は導電性粒子３１を用いてもよい。

　第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１により電気的に接続されている。従って、第１の接続対象部材５２及び第２の接続対象部材５３が導電性粒子１における導電部３により電気的に接続されている。

　上記接続構造体の製造方法は、特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記熱圧着の圧力は好ましくは４０ＭＰａ以上、より好ましくは６０ＭＰａ以上であり、好ましくは９０ＭＰａ以下、より好ましくは７０ＭＰａ以下である。上記熱圧着の加熱の温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上であり、好ましくは１４０℃以下、より好ましくは１２０℃以下である。上記熱圧着の圧力及び温度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導電接続時に導電性粒子の表面から上記絶縁性粒子が容易に脱離でき、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。

　上記積層体を加熱及び加圧する際に、上記導電性粒子と、上記第１の電極及び上記第２の電極との間に存在している上記絶縁性粒子を排除することができる。例えば、上記加熱及び加圧の際には、上記導電性粒子と、上記第１の電極及び上記第２の電極との間に存在している上記絶縁性粒子が、上記絶縁性粒子付き導電性粒子の表面から容易に脱離する。なお、上記加熱及び加圧の際には、上記絶縁性粒子付き導電性粒子の表面から一部の上記絶縁性粒子が脱離して、上記導電部の表面が部分的に露出することがある。上記導電部の表面が露出した部分が、上記第１の電極及び上記第２の電極に接触することにより、上記導電性粒子を介して第１の電極と第２の電極とを電気的に接続することができる。

　上記第１の接続対象部材及び第２の接続対象部材は、特に限定されない。上記第１の接続対象部材及び第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、半導体パッケージ、ＬＥＤチップ、ＬＥＤパッケージ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記第１の接続対象部材及び第２の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。

　上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、ＳＵＳ電極、及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。

　以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

　（実施例１）
　（１）導電性粒子の作製
　第１の導電部の形成：
　基材粒子Ａとして、アクリル系共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＥＺ３Ｐ－０２０」、平均粒子径２０μｍ）を用意した。パラジウム触媒液を５重量％含むアルカリ溶液１００重量部に、基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、基材粒子Ａを含む分散液Ａを得た。分散液Ａに、ニッケル粒子スラリー（平均粒子径１００ｎｍ）１ｇを３分間かけて添加し、芯物質が付着された基材粒子Ａを含む懸濁液Ａを得た。

　また、ニッケルめっき液として、硫酸ニッケル０．１４ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．４６ｍｏｌ／Ｌ、及びクエン酸ナトリウム０．２ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ８．５）を用意した。

　得られた懸濁液Ａを７０℃にて撹拌しながら、上記ニッケルめっき液を懸濁液Ａに、滴下速度３０ｍＬ／分の条件で１０分間滴下した。続いて、滴下速度１０ｍＬ／分の条件で４０分間滴下し、その後、滴下速度４ｍＬ／分の条件で８０分間滴下することで、めっき膜中に取り込まれるボロンの含有量を制御しながら、無電解ニッケル－ボロン合金めっきを行った。

　その後、上記懸濁液Ａをろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥させて、基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（ニッケル層、厚み２５０ｎｍ）が配置された粒子Ａを得た。

　第２の導電部の形成：
　得られた粒子Ａ１０重量部を、超音波処理機により、イオン交換水５００重量部に分散させて、懸濁液Ｂを得た。

　硫酸錫１５ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸４５ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、及びホスフィン酸１．５ｇ／Ｌを含む錫めっき液（水酸化ナトリウムにてｐＨ８．５に調整）を用意した。また、水素化ホウ素ナトリウム５ｇ／Ｌを含む還元液（水酸化ナトリウムにてｐＨ１０．０に調整）を用意した。

　得られた懸濁液Ｂを５５℃で撹拌しながら、上記錫めっき液を徐々に添加した後、還元液により還元させることで無電解錫めっきを行い、第２の導電部を形成した。第２の導電部の厚みが１２５ｎｍになった時点で無電解錫めっきを終了した。上記第１の導電部の表面上に第２の導電部（錫層、厚み１２５ｎｍ）が配置された粒子Ｂを得た。

　第３の導電部の形成：
　得られた粒子Ｂ１０重量部を、超音波処理機により、イオン交換水５００重量部に分散させて、懸濁液Ｃを得た。

　硫酸インジウム０．０２ｍｏｌ／Ｌ、錯化剤としてエチレンジアミン０．０４ｍｏｌ／Ｌ、及びグルコン酸ナトリウム０．０４ｍｏｌ／Ｌを含む結晶調整剤を含むインジウムめっき液（水酸化ナトリウムにてｐＨ１０．０に調整）を用意した。また水素化ホウ素ナトリウム５ｇ／Ｌを含む還元液（水酸化ナトリウムにてｐＨ１０．０に調整）を用意した。

　得られた懸濁液Ｃを６０℃で撹拌しながら、上記インジウムめっき液を徐々に添加した後、還元液により還元させることで無電解インジウムめっきを行い、第３の導電部を形成した。第３の導電部の厚みが１２５ｎｍになった時点で無電解インジウムめっきを終了した。上記第２の導電部の表面上に第３の導電部（インジウム層、厚み１２５ｎｍ）が配置された導電性粒子（フラックス処理前）を得た。

　フラックス処理：
　得られた導電性粒子をエタノール２００ｍＬに分散させ、分散液を得た。その後、この分散液とフラックス０．５ｇが溶解されたエタノール３００ｍＬとを混合し、温度５０℃、超音波分散にて１０分撹拌した。３μｍのメッシュフィルターでろ過した後乾燥させた。このようにして、導電部の外表面がフラックスにより表面処理されている導電性粒子を得た。

　（２）導電材料の作製
　以下の材料を混合して、混合物を得た。ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「エピコート１００９」）１０重量部。アクリルゴム（重量平均分子量約８０万）４０重量部。メチルエチルケトン２００重量部。マイクロカプセル型硬化剤（旭化成イーマテリアルズ社製「ＨＸ３９４１ＨＰ」）５０重量部。シランカップリング剤（東レダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ６０４０」）２重量部。この混合物に導電性粒子を含有量が３重量％となるように添加し、分散させ、導電材料を得た。

　得られた導電材料を、片面が離型処理された厚さ５０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムに塗布し、７０℃の熱風で５分間乾燥し、異方性導電フィルムを作製した。得られた異方性導電フィルムの厚さは５０μｍであった。

　（３）接続構造体の作製
　Ｌ／Ｓが２００μｍ／２００μｍのＡｕ電極パターン（電極（Ａｕ回路）：Ｃｕ上にＮｉ／Ａｕ薄膜）を上面に有するポリイミド基板（フレキシブルプリント基板）を用意した。また、Ｌ／Ｓが２００μｍ／２００μｍのＡｕ電極パターン（電極（Ａｕバンプ）：Ｃｕ上にＮｉ／Ａｕ薄膜）を下面に有するプリント基板を用意した。上記ポリイミド基板の上面に、得られた異方性導電フィルムを８０℃、０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ^２）で貼り付けた後、セパレータを剥離した。その後、プリント基板のＡｕバンプとポリイミド基板のＡｕ回路との位置合わせを行った。次いで、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、圧着面積から算出される１ＭＰａの低圧力を付与しつつ、異方性導電材料層を１）１３５℃、２）１６０℃又は３）各導電性粒子における導電部の融点＋２０℃で硬化させ、接続構造体を得た。

　（実施例５）
　第２の導電部の形成：
　実施例１と同様にして、基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（ニッケル層、厚み２５０ｎｍ）が配置された粒子Ａを用意した。粒子Ａ１０重量部を十分に水洗した後、超音波処理機により、蒸留水５００重量部に分散させて、懸濁液（Ｂ５）を得た。

　シアン化金カリウム０．０１１ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．２０ｍｏｌ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸０．０８ｍｏｌ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌを含む金めっき液（ｐＨ９．０）２Ｌを用意した。また、ジメチルアミンボラン０．０９ｍｏｌ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．１０ｍｏｌ／Ｌを含む還元液（ｐＨ９．０）１．５Ｌを用意した。

　得られた懸濁液（Ｂ５）を５５℃で撹拌しながら、上記金めっき液０．５Ｌを徐々に滴下し、置換金めっきを行った。次に、上記金めっき液１．５Ｌと上記還元液１．５Ｌとを同時に懸濁液（Ｂ５）に徐々に滴下し、還元金めっきを行った。

　その後、懸濁液（Ｂ５）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥させて、上記第１の導電部の表面上に第２の導電部（金層、厚み２０ｎｍ）が配置された粒子（Ｂ５）を得た。

　第３，第４の導電部の形成：
　その後、得られた粒子（Ｂ５）１０重量部を十分に水洗した後、超音波処理機により、イオン交換水５００重量部に分散させて、懸濁液（Ｃ５）を得た。得られた懸濁液（Ｃ５）を用いたこと以外は、実施例１の第２の導電部の形成方法及び第３の導電部の形成方法と同様にして、上記第２の導電部の表面上に第３の導電部（錫層、厚み１２５ｎｍ）、及び第４の導電部（インジウム層、厚み１２５ｎｍ）が配置された導電性粒子（フラックス処理前）を得た。得られた導電性粒子（フラックス処理前）について、実施例１と同様にしてフラックス処理を行い、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

　（実施例６）
　第１の導電部の形成：
　硫酸銅２００ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸１５０ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド５０ｇ／Ｌを含む銅めっき液（アンモニアにてｐＨ１０．５に調整）を用意した。実施例１の第１の導電部の形成におけるニッケルめっき液に代えて銅めっき液を用いて、懸濁液Ａを６５℃で撹拌しながら、銅めっき液２５０ｍｌを１０ｍｌ／分で懸濁液Ａに滴下し、無電解銅めっきを行った。その後、ｐＨが安定するまで撹拌し、水素の発泡が停止するのを確認した後、ろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥させて、基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（銅層、厚み２５０ｎｍ）を形成した。

　第２，第３の導電部の形成：
　第１の導電部を銅層としたこと以外は、実施例１と同様にして第２の導電部及び第３の導電部を形成し、導電性粒子、導電材料及び接続構造体を得た。

　（実施例７）
　第２の導電部の形成：
　実施例１と同様にして、基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（ニッケル層、厚み２５０ｎｍ）が配置された粒子Ａが分散した懸濁液Ｂを用意した。また、硫酸錫１５ｇ／Ｌ、硫酸インジウム３４ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸７０ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、及びホスフィン酸１．５ｇ／Ｌを含む錫・インジウムめっき液（１）（水酸化ナトリウムにてｐＨ８．５に調整）を用意した。また、水素化ホウ素ナトリウム５ｇ／Ｌを含む還元液（水酸化ナトリウムにてｐＨ１０．０に調整）を用意した。

　上記懸濁液Ｂを５５℃で撹拌しながら、上記錫・インジウムめっき液（１）を徐々に添加した後、上記還元液により還元させることで無電解錫・インジウムめっきを行い、第２の導電部を形成した。第１の導電部（ニッケル層、厚み２５０ｎｍ）の表面上に第２の導電部（錫－インジウム層、厚み２５０ｎｍ）が配置された導電性粒子（フラックス処理前）を得た。得られた導電性粒子（フラックス処理前）について、実施例１と同様にしてフラックス処理を行い、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

　（実施例１１）
　第１の導電部の形成：
　実施例６と同様にして、基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（銅層、厚み２５０ｎｍ）を形成した。

　第２の導電部の形成：
　その後、実施例７の第２の導電部の形成方法と同様にして、上記第１の導電部の表面上に第２の導電部（錫－インジウム層、厚み２５０ｎｍ）が配置された導電性粒子（フラックス処理前）を得た。得られた導電性粒子（フラックス処理前）について、実施例１と同様にしてフラックス処理を行い、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

　（比較例１）
　実施例１と同様にして、基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（ニッケル層、厚み２５０ｎｍ）、及び第２の導電部（錫層、厚み２５０ｎｍ）が配置された導電性粒子（フラックス処理前）を得た。得られた導電性粒子（フラックス処理前）について、実施例１と同様にしてフラックス処理を行い、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

　（比較例３）
　実施例１と同様にして、基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（ニッケル層、厚み１０００ｎｍ）が配置された粒子を得た。その後、シータコンポーザ（徳寿工作所社製）を用いて、上記第１の導電部の表面上で、はんだ微粉末（錫９０重量％とビスマス１０重量％とを含む、平均粒子径２００ｎｍ）を溶融させて、第１の導電部の表面上に第２の導電部（錫－ビスマス層、厚み１０００ｎｍ）を形成した。次に、シータコンポーザ（徳寿工作所社製）を用いて、得られた第２の導電部の表面上で、はんだ微粉末（錫４２重量％とビスマス５８重量％とを含む、平均粒子径２００ｎｍ）を溶融させて、第２の導電部の表面上に第３の導電部（錫－ビスマス層、厚み１０００ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。得られた導電性粒子を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電材料、及び接続構造体を得た。

　（比較例４）
　実施例６と同様にして、基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（銅層、厚み１０００ｎｍ）が配置された粒子を得た。その後、比較例３の第２の導電部の形成方法と同様にして、上記第１の導電部の表面上に第２の導電部（錫－ビスマス層、錫９０重量％とビスマス１０重量％とを含むはんだ微粉末を用いて形成、厚み１０００ｎｍ）を形成した。次に、比較例３の第３の導電部の形成方法と同様にして、第２の導電部の表面上に第３の導電部（錫－ビスマス層、錫４２重量％とビスマス５８重量％とを含むはんだ微粉末を用いて形成、厚み１０００ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。得られた導電性粒子を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電材料、及び接続構造体を得た。

　（比較例６）
　第１，第２の導電部の形成：
　実施例１と同様にして、基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（ニッケル層、厚み２５０ｎｍ）、及び第２の導電部（錫層、厚み１１８ｎｍ）が配置された粒子（Ｘ６）を得た。その後、得られた粒子（Ｘ６）１０重量部を、超音波処理機により、イオン交換水５００重量部に分散させて、懸濁液（Ｘ６）を得た。

　硫酸ビスマス０．０１３ｍｏｌ／Ｌ、及び錯化剤としてエチレンジアミン０．０４ｍｏｌ／Ｌを含む結晶調整剤を含むビスマスめっき液（水酸化ナトリウムにてｐＨ１０．０に調整）を用意した。また、水素化ホウ素ナトリウム５ｇ／Ｌを含む還元液（水酸化ナトリウムにてｐＨ１０．０に調整）を用意した。

　得られた懸濁液（Ｘ６）を６０℃で撹拌しながら、上記ビスマスめっき液を徐々に添加した後、還元液により還元させることで無電解ビスマスめっきを行い、第３の導電部を形成した。第３の導電部の厚みが１３０ｎｍになった時点で無電解ビスマスめっきを終了した。上記第２の導電部の表面上に第３の導電部（ビスマス層、厚み１３０ｎｍ）が配置された導電性粒子（フラックス処理前）を得た。得られた導電性粒子（フラックス処理前）について、実施例１と同様にしてフラックス処理を行い、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

　（比較例１０）
　実施例５と同様にして、基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（ニッケル層、厚み２５０ｎｍ）及び第２の導電部（金層、厚み２０ｎｍ）が配置された粒子を得た。その後、実施例１の第３の導電部の形成方法と同様にして、第２の導電部の表面上に第３の導電部（インジウム層、１２５ｎｍ）が配置された導電性粒子（フラックス処理前）を得た。得られた導電性粒子（フラックス処理前）について、実施例１と同様にしてフラックス処理を行い、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

　（比較例１１）
　実施例５と同様にして、基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（ニッケル層、厚み２５０ｎｍ）及び第２の導電部（金層、厚み２０ｎｍ）が配置された粒子を得た。その後、比較例６の第２の導電部の形成方法及び第３の導電部の形成方法と同様にして、第２の導電部の表面上に第３の導電部（錫層、１１８ｎｍ）、第４の導電部（ビスマス層、厚み１３０ｎｍ）が配置された導電性粒子（フラックス処理前）を得た。得られた導電性粒子（フラックス処理前）について、実施例１と同様にしてフラックス処理を行い、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

　（比較例１２）
　実施例６と同様にして、基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（銅層、厚み２５０ｎｍ）及び第２の導電部（錫層、厚み１１８ｎｍ）が配置された粒子を得た。その後、比較例６の第３の導電部の形成方法と同様にして、第３の導電部（ビスマス層、厚み１３０ｎｍ）が配置された導電性粒子（フラックス処理前）を得た。得られた導電性粒子（フラックス処理前）について、実施例１と同様にしてフラックス処理を行い、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

　（比較例１３）
　実施例６と同様にして、基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（銅層、厚み２５０ｎｍ）が形成された粒子（Ｘ１３）を得た。

　その後、粒子（Ｘ１３）１０重量部を十分に水洗した後、超音波処理機により、イオン交換水５００重量部に分散させて、懸濁液（Ｘ１３）を得た。

　ニッケルめっき液として、硫酸ニッケル０．１４ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．４６ｍｏｌ／Ｌ、及びクエン酸ナトリウム０．２ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ８．５）を用意した。

　得られた懸濁液（Ｘ１３）を７０℃で撹拌しながら、上記ニッケルめっき液を滴下速度３０ｍＬ／分の条件で１０分間滴下した。続いて、上記ニッケルめっき液を滴下速度１０ｍＬ／分の条件で４０分間滴下し、その後、滴下速度４ｍＬ／分の条件で８０分間滴下することで、めっき膜中に取り込まれるボロンの含有量を制御しながら、無電解ニッケル－ボロン合金めっきを行った。

　その後、上記懸濁液（Ｘ１３）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥させて、第１の導電部の表面上に第２の導電部（ニッケル層、厚み２５０ｎｍ）が配置された粒子を得た。

　その後、実施例１の第３の導電部の形成方法と同様にして、第２の導電部の表面上に第３の導電部（インジウム層、厚み１２５ｎｍ）が配置された導電性粒子（フラックス処理前）を得た。得られた導電性粒子（フラックス処理前）について、実施例１と同様にしてフラックス処理を行い、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

　（比較例１４）
　実施例１の基材粒子Ａに対し、電解めっきを施すことで基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（亜鉛層、２５０ｎｍ）が配置された粒子を得た。その後、実施例１の第２の導電部の形成方法及び第３の導電部の形成方法と同様にして、上記第１の導電部の表面上に第２の導電部（錫層、厚み１２５ｎｍ）、及び第３の導電部（インジウム層、厚み１２５ｎｍ）が配置された導電性粒子（フラックス処理前）を得た。得られた導電性粒子（フラックス処理前）について、実施例１と同様にしてフラックス処理を行い、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

　（比較例１６）
　実施例１と同様にして、基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（ニッケル層、厚み２５０ｎｍ）が配置された粒子Ａが分散した懸濁液Ｂを用意した。また、硫酸錫１５ｇ／Ｌ、硫酸ビスマス２４ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸７０ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、及びホスフィン酸１．５ｇ／Ｌを含む錫・インジウムめっき液（１）（水酸化ナトリウムにてｐＨ８．５に調整）を用意した。また、水素化ホウ素ナトリウム５ｇ／Ｌを含む還元液（水酸化ナトリウムにてｐＨ１０．０に調整）を用意した。

　上記懸濁液Ｂを５５℃で撹拌しながら、上記錫・ビスマスめっき液（１）を懸濁液Ｂに徐々に添加した後、上記還元液により還元させることで無電解錫・ビスマスめっきを行い、第２の導電部を形成した。上記第１の導電部の表面上に第２の導電部（錫－ビスマス層、厚み２４８ｎｍ）が配置された導電性粒子（フラックス処理前）を得た。得られた導電性粒子（フラックス処理前）について、実施例１と同様にしてフラックス処理を行い、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

　（比較例１７）
　実施例６と同様にして、基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（銅層、厚み２５０ｎｍ）が形成された粒子を得た。その後、比較例１６と同様にして、無電解錫・ビスマスめっきを行い、第２の導電部を形成した。上記第１の導電部の表面上に第２の導電部（錫－ビスマス層、厚み２４８ｎｍ）が配置された導電性粒子（フラックス処理前）を得た。得られた導電性粒子（フラックス処理前）について、実施例１と同様にしてフラックス処理を行い、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

　（実施例２～４，８～１０，１２～１３及び比較例２，５，７～９，１５）
　実施例２～４、比較例２，５について、導電部の構成、突起の有無、及びフラックス処理の有無を下記の表１，５，７のように変更したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。実施例８～１０，１２～１３、比較例１５について、導電部の構成、突起の有無、及びフラックス処理の有無を下記の表３，５，１１のように変更したこと以外は、実施例７と同様にして、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。比較例７～９について、導電部の構成、突起の有無、及びフラックス処理の有無を下記の表７，９のように変更したこと以外は、比較例６と同様にして、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。なお、表中「導電部１００重量％中の含有量」は、導電部（第１、第２、第３、及び第４の導電部の合計）１００重量％中の第１、第２、第３、及び第４の導電部の各含有量（重量％）を示し、「導電性粒子１００重量％中の含有量」は、導電性粒子１００重量％中の第１、第２、第３、及び第４の導電部の各含有量（重量％）を示す。

　（評価）
　（１）導電部全体の融点
　得られた導電性粒子における導電部全体の融点を、上述した方法で測定した。

　（２）Ｘ線回折スペクトル
　得られた導電性粒子について、Ｘ線回折装置（理学電機社製「ＲＩＮＴ２５００ＶＨＦ」）を用いて、導電部のＸ線回折スペクトルを測定し、３２°以上３４°以下の領域と、５５．５°以上５７．５°以下の領域とにおけるピークの有無を観察した。Ｘ線回折スペクトルの測定条件は４５ｋＶ、５０ｍＡでスキャンレート４．０ｄｅｇ／分、スキャンステップ０．０２ｄｅｇ、測定範囲を２θで５．０ｄｅｇから１１０．０ｄｅｇとした。

　（３）冷熱サイクル特性
　２）１６０℃の条件で作製した接続構造体を－６５℃から１５０℃に加熱し、－６５℃に冷却する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を１０００サイクル実施した。超音波探傷装置（ＳＡＴ）により、導電性粒子のクラック及び剥離の発生の有無を観察した。クラック及び剥離の発生から、冷熱サイクル特性を以下の基準で判定した。

　［冷熱サイクル特性の判定基準］
　○○：クラック又は剥離ありの数が５サンプル中０個
　○：クラック又は剥離ありの数が５サンプル中１～２個
　×：クラック又は剥離ありの数が５サンプル中３～５個

　（４）導電部の溶融
　得られた導電性粒子を、Ｃｕ板上に散布し、大気雰囲気下で、１）１３５℃で１分間、２）１５５℃で１分間、３）１６０℃で１分間、及び４）２００℃で１分間、の各条件でそれぞれ加熱した。ＦＩＢ－ＳＥＭにて収束イオンビーム（ＦＩＢ）により、加熱後の上記導電性粒子の断面を切り出した。断面を切り出した後、加熱後の導電性粒子における導電部の溶融状態を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて導電性粒子とＣｕ板との接合部近傍にて観察し、導電部の溶融の有無を判定した。なお、以下の事象（１）及び事象（２）の少なくとも一方が認められたときに、「導電部が溶融している」と判定した。（１）電子顕微鏡（ＳＥＭ）での観察時に、導電性粒子とＣｕ板との接合部近傍（界面部分）に境界線が観察されないこと。（２）電子顕微鏡（ＳＥＭ）での観察時のＳＥＭ－ＥＤＸを用いた元素分析において、Ｃｕ板側から導電性粒子（特に、導電部）の内部に向かってＣｕ元素が拡散していること。また、上記事象（１）及び上記事象（２）の双方が認められなかったとき（導電性粒子とＣｕ板との界面に沿って境界線が観察され、かつ、Ｃｕ板側から導電性粒子（特に、導電部）の内部に向かってＣｕ元素が拡散していないとき）に、「導電部が溶融していない」と判定した。なお、導電性粒子の導電部があらかじめＣｕ元素を含む場合には、上記事象（１）をもって導電部が溶融していると判定した。

　（５）導通信頼性（上下の電極間）
　得られた２０個の接続構造体（該接続構造体は、１）１３５℃、２）１６０℃、及び３）各導電性粒子における導電部全体の融点＋２０℃の各条件でそれぞれ作製した接続構造体）について、上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通信頼性を下記の基準で判定した。

　［導通信頼性の判定基準］
　Ａ：接続抵抗が０．３５Ω以下
　Ｂ：接続抵抗が０．３５Ωを超え０．４１Ω以下
　Ｃ：接続抵抗が０．４１Ωを超える

　［導通信頼性の総合判定基準］
　○○○：１）１３５℃の条件で作製した接続構造体、２）１６０℃の条件で作製した接続構造体、及び３）各導電性粒子における導電部全体の融点＋２０℃の条件で作製した接続構造体の全てにおいて、導通信頼性の判定基準がＡ又はＢである
　○○：１）１３５℃の条件で作製した接続構造体において導通信頼性の判定がＣであり、かつ、２）１６０℃の条件で作製した接続構造体、及び３）各導電性粒子における導電部全体の融点＋２０℃の条件で作製した接続構造体の双方において、導通信頼性の判定基準がＡ又はＢである
　○：１）１３５℃の条件で作製した接続構造体において導通信頼性の判定がＣであり、かつ、２）１６０℃の条件で作製した接続構造体、及び３）各導電性粒子における導電部全体の融点＋２０℃の条件で作製した接続構造体の一方において、導通信頼性の判定基準がＣである
　×：１）１３５℃の条件で作製した接続構造体、２）１６０℃の条件で作製した接続構造体、及び３）各導電性粒子における導電部全体の融点＋２０℃の条件で作製した接続構造体の全てにおいて、導通信頼性の判定基準がＣである

　導電性粒子の構成及び結果を下記の表１～１２に示す。

　１，１１，２１，３１…導電性粒子
　２…基材粒子
　３，１３，２３，３３…導電部
　１３Ａ，２３Ａ…第１の導電部
　１３Ｂ，２３Ｂ…第２の導電部
　２３Ｃ…第３の導電部
　３３ａ…突起
　３４…芯物質
　３５…絶縁性物質
　５１…接続構造体
　５２…第１の接続対象部材
　５２ａ…第１の電極
　５３…第２の接続対象部材
　５３ａ…第２の電極
　５４…接続部

Claims

　基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子であり、
　前記導電部が、インジウムを含み、
　前記導電性粒子を大気雰囲気下かつ１６０℃の条件で１分間加熱したときに、前記導電部が溶融する、導電性粒子。
　前記導電部が、錫とインジウムとの合金を含む合金層を有する、請求項１に記載の導電性粒子。
　前記導電部が、融点が２００℃以下である導電層を有し、
　前記導電部１００重量％中、前記融点が２００℃以下である導電層の含有量が、１０重量％以上である、請求項１又は２に記載の導電性粒子。
　前記導電部が、銅又はニッケルを含む層を有し、
　前記基材粒子が、前記銅又はニッケルを含む層に接する、請求項１～３のいずれか１項に記載の導電性粒子。
　前記銅又はニッケルを含む層の厚みが、０．０５μｍ以上２μｍ以下である、請求項４に記載の導電性粒子。
　前記導電部が、錫を含み、
　前記導電部１００重量％中、錫の含有量が、２重量％以上である、請求項１～５のいずれか１項に記載の導電性粒子。
　前記導電部の外表面に複数の突起を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の導電性粒子。
　前記導電部のＸ線回折スペクトルを測定したときに、３２°以上３４°以下の領域と、５５．５°以上５７．５°以下の領域とに、ピークが存在する、請求項１～７のいずれか１項に記載の導電性粒子。
　前記導電部の外表面が、フラックスにより表面処理されている、請求項１～８のいずれか１項に記載の導電性粒子。
　前記基材粒子の粒子径が０．５μｍ以上１００μｍ以下である、請求項１～９のいずれか１項に記載の導電性粒子。
　請求項１～１０のいずれか１項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。
　第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
　第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
　前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、
　前記接続部の材料が、請求項１～１０のいずれか１項に記載の導電性粒子を含み、
　前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。