JP2016154139A - 導電性粒子粉体、導電性粒子粉体の製造方法、導電材料及び接続構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】電極間を電気的に接続した場合に、初期の接続抵抗を低くし、かつ高温高湿下での接続抵抗の上昇を抑えることができる導電性粒子粉体を提供する。【解決手段】本発明に係る導電性粒子粉体は、複数の導電性粒子を含有し、前記導電性粒子は、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された第１の導電部と、前記第１の導電部の外表面上に配置された第２の導電部とを備え、前記第２の導電部が金又はパラジウムを含み、前記第２の導電部の厚みが３０ｎｍ以下であり、導電性粒子粉体に含まれる前記導電性粒子の全個数１００％中、前記第２の導電部が欠けたディンプルを有する導電性粒子の個数の割合が１０％以下である。【選択図】図１

Description

本発明は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する複数の導電性粒子を含有する導電性粒子粉体及び導電性粒子粉体の製造方法に関する。また、本発明は、上記導電性粒子粉体を用いた導電材料及び接続構造体に関する。

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。

上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献１には、ニッケル層と、該ニッケル層上に形成されており、かつ平均膜厚が３００Å以下である金層とを備える導電性粒子が開示されている。この導電性粒子では、金層は最外層である。また、この導電性粒子では、Ｘ線光電子分光分析による導電性粒子の表面におけるニッケル及び金の元素組成比（Ｎｉ／Ａｕ）が０．４以下である。

下記の特許文献２には、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とを有する導電性粒子が開示されている。上記基材粒子の粒子径は３．０μｍ以下である。上記導電性粒子は表面にクレーターを有する。該クレーターの数は、導電性粒子１個あたり０．２個以上３個以下である。上記クレーターの平均長径をＬ（ｎｍ）とし導電性粒子の平均直径をＤ（ｎｍ）としたときに、Ｌ／Ｄの値は０．０５以上０．３以下である。上記導電性粒子の表面に存在する長径５０ｎｍ以上の突起部の数は、導電性粒子１個あたり２０個未満である。

下記の特許文献３には、コア粒子と、Ｎｉめっき層と、貴金属めっき層と、防錆膜とを備える導電性粒子が開示されている。上記Ｎｉめっき層は、上記コア粒子を被覆し、Ｎｉを含む。上記貴金属めっき層は、上記Ｎｉめっき層の少なくとも一部を被覆し、Ａｕ及びＰｄのうちの少なくともいずれかを含む。上記防錆膜は、上記Ｎｉめっき層及び上記貴金属めっき層のうち少なくともいずれかを被覆し、有機化合物を含む。

特開２００９−１０２７３１号公報 特開２０１３−１２５６４９号公報 特開２０１３−２０７２１号公報

特許文献１〜３に記載のような従来の導電性粒子が高温高湿下に晒された後に電極間の接続に用いられたり、導電性粒子を用いた接続構造体が高温高湿下に晒されたりすると、接続抵抗が高くなりやすいという問題がある。

本発明の目的は、電極間を電気的に接続した場合に、初期の接続抵抗を低くし、かつ高温高湿下での接続抵抗の上昇を抑えることができる導電性粒子粉体及び導電性粒子粉体の製造方法を提供することである。また、本発明は、上記導電性粒子粉体を用いた導電材料及び接続構造体を提供することも目的とする。

本発明の広い局面によれば、複数の導電性粒子を含有する導電性粒子粉体であって、前記導電性粒子は、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された第１の導電部と、前記第１の導電部の外表面上に配置された第２の導電部とを備え、前記第２の導電部が金又はパラジウムを含み、前記第２の導電部の厚みが３０ｎｍ以下であり、導電性粒子粉体に含まれる前記導電性粒子の全個数１００％中、前記第２の導電部が欠けたディンプルを有する導電性粒子の個数の割合が１０％以下である、導電性粒子粉体が提供される。

本発明に係る導電性粒子粉体のある特定の局面では、前記第１の導電部がニッケルを含む。

本発明に係る導電性粒子粉体のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記第２の導電部の外表面上に、窒素原子を含有する官能基を有する水溶性ポリマーを備える。

本発明に係る導電性粒子粉体のある特定の局面では、前記水溶性ポリマーの重量平均分子量が５００以上、５００００００以下である。

本発明に係る導電性粒子粉体のある特定の局面では、導電性粒子粉体１ｇを水１０ｇに入れた粉体含有水を１２０℃で２４時間熱処理したときに、熱処理後の粉体含有水の水中に含まれる前記水溶性ポリマーの含有量が１ｐｐｍ以上、１０００ｐｐｍ以下である。

本発明に係る導電性粒子粉体のある特定の局面では、前記第１の導電部がニッケルと、リン又はボロンとを含む。

本発明に係る導電性粒子粉体のある特定の局面では、前記第２の導電部が金を含む。

本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された第１の導電部とを備える第２の導電部形成前の複数の導電性粒子を用意し、前記第１の導電部の外表面上に、無電解めっきによって第２の導電部を配置して、前記第１の導電部の外表面上に配置された第２の導電部を備える複数の導電性粒子を含有する導電性粒子粉体を得る工程を備え、前記第２の導電部として、金又はパラジウムを含み、かつ厚みが３０ｎｍ以下である第２の導電部を形成し、前記第２の導電部の形成時に、無電解めっき液に、窒素原子を含有する官能基を有する水溶性ポリマーを含有させる、導電性粒子粉体の製造方法が提供される。

本発明に係る導電性粒子粉体の製造方法のある特定の局面では、前記第２の導電部を形成した後、前記第２の導電部の外表面上に配置された前記窒素原子を含有する官能基を有する水溶性ポリマーを酸又は酵素により除去する。

本発明に係る導電性粒子粉体の製造方法のある特定の局面では、前記導電性粒子の全個数１００％中、前記第２の導電部が欠けたディンプルを有する導電性粒子の個数の割合が１０％以下である導電性粒子粉体を得る。

本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子粉体と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。

本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電性粒子粉体であるか、又は前記導電性粒子粉体とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。

本発明に係る導電性粒子粉体は、複数の導電性粒子を含有し、上記導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された第１の導電部と、上記第１の導電部の外表面上に配置された第２の導電部とを備え、上記第２の導電部が金又はパラジウムを含み、上記第２の導電部の厚みが３０ｎｍ以下であり、導電性粒子粉体に含まれる上記導電性粒子の全個数１００％中、上記第２の導電部が欠けたディンプルを有する導電性粒子の個数の割合が１０％以下であるので、本発明に係る導電性粒子粉体を用いて電極間を電気的に接続した場合に、初期の接続抵抗を低くし、かつ高温高湿下での接続抵抗の上昇を抑えることができる。

本発明に係る導電性粒子粉体の製造方法は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された第１の導電部とを備える第２の導電部形成前の複数の導電性粒子を用意し、上記第２の導電部形成前の複数の導電性粒子の上記第１の導電部の外表面上に、無電解めっきによって第２の導電部を配置して、上記第１の導電部の外表面上に配置された第２の導電部を備える複数の導電性粒子を含有する導電性粒子粉体を得る工程を備え、上記第２の導電部として、金又はパラジウムを含み、かつ厚みが３０ｎｍ以下である第２の導電部を形成し、上記第２の導電部の形成時に、無電解めっき液に、窒素原子を含有する官能基を有する水溶性ポリマーを含有させるので、上記第２の導電部が欠けたディンプルを少なくすることができる。このため、得られた導電性粒子粉体を用いて電極間を電気的に接続した場合に、初期の接続抵抗を低くし、かつ高温高湿下での接続抵抗の上昇を抑えることができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子粉体に含まれる導電性粒子を示す断面図である。 図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子粉体に含まれる導電性粒子を示す断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子粉体を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。

以下、本発明の詳細を説明する。

（導電性粒子粉体）
本発明に係る導電性粒子粉体は、複数の導電性粒子を含有する。上記導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された第１の導電部と、上記第１の導電部の外表面上に配置された第２の導電部とを備える。上記第２の導電部は、金又はパラジウムを含む。上記第２の導電部の厚みは３０ｎｍ以下であり、上記第２の導電部の厚みは薄い。本発明に係る導電性粒子粉体では、該導電性粒子粉体に含まれる上記導電性粒子の全個数１００％中、上記第２の導電部が欠けたディンプルを有する導電性粒子の個数の割合が１０％以下である。

本発明では、上記の構成が備えられているので、本発明に係る導電性粒子粉体を用いて電極間を電気的に接続した場合に、初期の接続抵抗を低くし、かつ高温高湿下での接続抵抗の上昇を抑えることができ、接続信頼性を高めることができる。

導電性粒子が高温高湿下に晒された後に電極間の接続に用いられたり、導電性粒子を用いた接続構造体が高温高湿下に晒されたりしても、接続抵抗の上昇を抑えることができる。さらに、接続抵抗のばらつきを低減し、接続信頼性を高めることができる。

また、金又はパラジウムを含む第２の導電部の厚みが３０ｎｍを超える場合や、第２の導電部の厚みが２０ｎｍを超える場合や、第２の導電部の厚みが１５ｎｍ以上である場合や、第２の導電部の厚みが１０ｎｍ以上である場合に、電極間の接続抵抗及び高温高湿下での電極間の接続信頼性がさほど問題にならなくても、第２の導電部の厚みがかなり薄い場合には、高温高湿下での電極間の接続信頼性が大きな問題となることがある。本発明では、第２の導電部の厚みが薄くても、高温高湿下での電極間の接続信頼性を高めることができる。本発明では、第２の導電部の厚みが薄いほど、本発明の効果がより効果的に得られる。特に、本発明に係る導電性粒子粉体では、上記の構成が採用されているため、上記第２の導電部の厚みが薄くかつ上記第２の導電部の内側にニッケルなどを含む第１の導電部があるにもかかわらず、接続抵抗の上昇を抑えることができる。

上記ディンプルは、例えば、第２の導電部の形成時に、複数の導電性粒子が接合した後に剥離することで、又は複数の導電性粒子が衝突して第２の導電部が剥離することで、上記第２の導電部が欠けることによって形成される。例えば、上記第１の導電部上で、上記第２の導電部が欠けた部分がディンプルである。

導電性粒子の粒子径をＤとする。本明細書において、上記ディンプルは、上記第２の導電部が欠けた欠損部分であって、最大長さ方向の寸法が０．０５Ｄ以上、０．５Ｄ以下の大きさを有する欠損部分を意味する。

一般に、無電解めっきなどにより導電部を形成した場合に、微小なピンホールが形成される場合がある。ピンホールの最大長さ方向寸法は一般に０．０５Ｄ未満であり、このような小さなピンホールは上記ディンプルには含まれない。

上記ディンプルの個数の割合が少ないほど、初期の接続抵抗が効果的に低くなり、高温高湿下での接続抵抗の上昇が効果的に抑えられる。上記導電性粒子粉体に含まれる上記導電性粒子の全個数１００％中、上記第２の導電部が欠けたディンプルを有する導電性粒子の個数は好ましくは１０％以下、より好ましくは７．５％以下、更に好ましくは５％以下である。

上記第２の導電部の外表面は防錆処理されていることが好ましい。上記第２の導電部の外表面が防錆処理されている場合には、高温高湿下などに長期間保管された導電性粒子を用いて、接続構造体を作製したときに、接続抵抗の上昇をより一層抑えることができる。

上記導電性粒子粉体は、例えば、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された第１の導電部とを備える第２の導電部形成前の複数の導電性粒子を用意し、上記第２の導電部形成前の複数の導電性粒子の上記第１の導電部の外表面上に、無電解めっきによって第２の導電部を配置して、上記第１の導電部の外表面上に配置された第２の導電部を備える複数の導電性粒子を含有する導電性粒子粉体を得る工程を経て得ることができる。この製造方法では、上記第２の導電部として、金又はパラジウムを含み、かつ厚みが３０ｎｍ以下である第２の導電部を形成する。上記第２の導電部の形成時に、無電解めっき液に、窒素原子を含有する官能基を有する水溶性ポリマーを含有させることで、ディンプル数をかなり少なくすることができる。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。なお、参照した図面では、大きさ及び厚みなどは、図示の便宜上、実際の大きさ及び厚みから適宜変更している。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子粉体に含まれる導電性粒子を示す断面図である。

図１に示すように、導電性粒子１は、基材粒子２と、第１の導電部３（導電層）と、第２の導電部４（導電層）とを備える。第２の導電部４は、金又はパラジウムを含む。第２の導電部４の厚みは３０ｎｍ以下である。図１では、ディンプルＤが１つ図示されている。なお、ディンプルＤはないことが好ましい。第２の導電部４は、導電部における最表面に位置し、最外層である。導電性粒子１では、多層の導電部が形成されている。

第１の導電部３は、基材粒子２の表面上に配置されており、基材粒子２に接している。基材粒子２と第２の導電部４との間に、第１の導電部３が配置されている。第２の導電部４は、第１の導電部３の外表面上に配置されており、第１の導電部３に接している。導電性粒子１は、基材粒子２の表面が、第１の導電部３及び第２の導電部４により被覆された被覆粒子である。

図示しないが、第２の導電部４の外表面は防錆処理されている。従って、導電性粒子１は、第２の導電部４の外表面に、防錆膜を備える。

導電性粒子１は、芯物質を有さない。導電性粒子１は、導電部の外表面に突起を有さない。導電性粒子１は球状である。第１の導電部３及び第２の導電部４は外表面に突起を有さない。このように、本発明に係る導電性粒子は導電部の表面に突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。また、導電性粒子１は、絶縁物質を有さない。但し、導電性粒子１は、第２の導電部４の外表面上に配置された絶縁物質を有していてもよい。

また、第１の導電部３は、導電性粒子１では、基材粒子２の表面上に直接積層されている。基材粒子２と第１の導電部３との間に他の導電部が配置されていてもよい。基材粒子２の表面上に、他の導電部を介して、第１の導電部３が配置されていてもよい。

図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子粉体に含まれる導電性粒子を示す断面図である。

図２に示す導電性粒子２１は、基材粒子２と、第１の導電部２２と、第２の導電部２３と、芯物質２４と、絶縁物質２５とを備える。第２の導電部２３は、金又はパラジウムを含む。第２の導電部２３の厚みは３０ｎｍ以下である。第１の導電部２２は、基材粒子２の表面上に配置されている。第２の導電部２３は、第１の導電部２２の外表面上に配置されている。

導電性粒子２１は、導電部の外表面に突起２１ａを有する。突起２１ａは複数である。第１の導電部２２及び第２の導電部２３は外表面に、複数の突起２２ａ，２３ａを有する。複数の芯物質２４が、基材粒子２の表面上に配置されている。複数の芯物質２４は第１の導電部２２及び第２の導電部２３内に埋め込まれている。芯物質２４は、突起２１ａ，２２ａ，２３ａの内側に配置されている。第１の導電部２２及び第２の導電部２３は、複数の芯物質２４を被覆している。複数の芯物質２４により第１の導電部２２及び第２の導電部２３の外表面が隆起されており、突起２１ａ，２２ａ，２３ａが形成されている。このように、上記導電性粒子は導電部の外表面に突起を有していてもよい。また、本発明に係る導電性粒子は、第１の導電部の外表面に突起を有さず、かつ第２の導電部の外表面に突起を有していてもよい。上記導電性粒子は、第２の導電部の内部又は内側において、複数の突起を形成するように、第２の導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を備えていてもよい。上記芯物質は、第１の導電部の内側に位置していてもよく、第１の導電部の内部に位置してもよく、第１の導電部の外側に位置していてもよい。

導電性粒子２１は、第２の導電部２３の外表面上に配置された絶縁物質２５を有する。第２の導電部２３の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁物質２５により被覆されている。絶縁物質２５は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。

このように、上記導電性粒子は、第２の導電部の外表面上に配置された絶縁物質を有していてもよい。

以下、基材粒子及び導電部の詳細を説明する。なお、以下の説明において、「（メタ）アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味し、「（メタ）アクリレート」は「アクリレート」と「メタクリレート」との一方又は双方を意味する。

［基材粒子］
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアシェル粒子であってもよい。

上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが更に好ましく、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。これらの好ましい基材粒子の使用により、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られる。

上記導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。

上記樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種もしくは２種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成することができ、かつ基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。

上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合には、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。

上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。

上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート類；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。

上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。

上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。

上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。

上記有機コアを形成するための材料としては、上述した樹脂粒子を形成するための樹脂等が挙げられる。

上記無機シェルを形成するための材料としては、上述した基材粒子を形成するための無機物が挙げられる。上記無機シェルを形成するための材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。

上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。

上記基材粒子の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、更に好ましくは２μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の間隔が小さくなり、かつ導電部の厚みを厚くしても、小さい導電性粒子が得られる。

上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。

［導電部（第１の導電部及び第２の導電部）］
上記導電性粒子は、上記第１の導電部を有する。上記第１の導電部は、ニッケル又は銅を含むことが好ましく、ニッケルを含むことがより好ましい。上記ニッケルを含む導電部は、金属として、ニッケルのみを用いた場合だけでなく、ニッケルと他の金属とを用いた場合も含まれる。上記ニッケルを含む導電部は、ニッケル合金部であってもよい。上記銅を含む導電部は、金属として、銅のみを用いた場合だけでなく、銅と他の金属とを用いた場合も含まれる。上記銅を含む導電部は、銅合金部であってもよい。

上記第１の導電部に用いることができる金属としては、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及び錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等が挙げられる。これらの金属は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

導電部及び突起が効果的に硬くなるので、上記第１の導電部はニッケルとタングステンとを含むことが好ましい。導電部及び突起が硬くなると、酸化膜が効果的に排除されやすくなる。

上記ニッケルを含む導電部はニッケルを主金属として含むことが好ましい。上記銅を含む導電部は銅を主金属として含むことが好ましい。上記ニッケルを含む導電部全体１００重量％中、及び上記銅を含む導電部全体１００重量％中、ニッケル又は銅の含有量は５０重量％以上であることが好ましい。上記ニッケルを含む導電部全体１００重量％中、及び上記銅を含む導電部全体１００重量％中、ニッケル又は銅の含有量は好ましくは６５重量％以上、より好ましくは８０重量％以上、更に好ましくは９０重量％以上である。ニッケル又は銅の含有量が上記下限以上であると、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。

電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記ニッケルを含む導電部は、ニッケルとリン又はボロンとを含むことが好ましい。上記ニッケルを含む導電部全体１００重量％中、リンとボロンとの合計の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、更に好ましくは３重量％以上であり、好ましくは１０重量％以下である。リンとボロンとの合計の含有量が上記上限以下であると、導電部の抵抗がより一層低くなり、またニッケルなどの金属の含有量が相対的に多くなるので、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。

上記第１の導電部の厚みは、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは６０ｎｍ以上であり、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下である。上記第１の導電部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極の表面の酸化膜がより一層効果的に除去され、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。上記第１の導電部の厚みは、導電性粒子における第１の導電部の平均厚みを示す。

上記導電性粒子は、上記第２の導電部を備える。上記第２の導電部は、金又はパラジウムを含む。金を含む導電部には、金属として、金のみを用いた場合だけでなく、金と他の金属とを用いた場合も含まれる。金を含む導電部は、金合金部であってもよい。パラジウムを含む導電部には、金属として、パラジウムのみを用いた場合だけでなく、パラジウムと他の金属とを用いた場合も含まれる。パラジウムを含む導電部は、パラジウム合金部であってもよい。

上記第２の導電部に用いることができる金属としては、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及び錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等が挙げられる。これらの金属は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記金を含む導電部は金を主金属として含むことが好ましい。上記パラジウムを含む導電部はパラジウムを主金属として含むことが好ましい。上記金を含む導電部全体１００重量％中、及び上記パラジウムを含む導電部全体１００重量％中、金又はパラジウムの含有量は５０重量％以上であることが好ましい。上記金を含む導電部全体１００重量％中、及び上記パラジウムを含む導電部全体１００重量％中、金又はパラジウムの含有量は好ましくは６５重量％以上、より好ましくは８０重量％以上、更に好ましくは９０重量％以上である。金又はパラジウムの含有量が上記下限以上であると、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。

上記第２の導電部の厚みは、３０ｎｍ以下である。上記第２の導電部の厚みは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下、更に好ましくは１５ｎｍ以下、特に好ましくは１０ｎｍ未満、好ましくは３ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上である。上記第２の導電部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、接続抵抗の上昇が効果的に抑えられる。本発明に係る導電性粒子粉体では、上記第２の導電部の厚みが薄くても、電極間の接続抵抗を低くすることができ、電極間の接続抵抗のばらつきを抑えることができる。また、上記第２の導電部の厚みが１０ｎｍ未満であって上記第２の導電部の厚みがかなり薄くても、上記第２の導電部の外表面が防錆処理されている場合には、上記第２の導電部の厚みが薄くかつ上記第２の導電部の内側に第１の導電部があるにもかかわらず、接続抵抗の上昇を抑えることができる。上記第２の導電部の厚みは、導電性粒子における第２の導電部の平均厚みを示す。

上記導電部を形成する方法は特に限定されない。上記導電部を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、上記導電部の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。

上記導電部におけるニッケル、ボロン及びリンの含有量を制御する方法としては、例えば、無電解ニッケルめっきにより導電部を形成する際に、ニッケルめっき液のｐＨを制御する方法、無電解ニッケルめっきにより導電部を形成する際に、ボロン含有還元剤の濃度を調整する方法、無電解ニッケルめっきにより導電部を形成する際に、リン含有還元剤の濃度を調整する方法、並びにニッケルめっき液中のニッケル濃度を調整する方法等が挙げられる。

上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上であり、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下である。上記導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。上記導電性粒子の粒子径は、３μｍ以下であることも好ましい。

上記導電性粒子の粒子径は、導電性粒子が真球状である場合には、直径を示し、導電性粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。

上記導電性粒子は、導電部の外表面に突起を有することが好ましい。上記第１の導電部は、外表面に突起を有することが好ましい。上記第２の導電部は、外表面に突起を有することが好ましい。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化膜が形成されていることが多い。導電性を有する突起を有する導電性粒子の使用により、電極間に導電性粒子を配置した後、圧着させることにより、突起により酸化膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。さらに、導電性粒子が表面に絶縁物質を有する場合、又は導電性粒子が樹脂中に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の絶縁物質又は樹脂を効果的に排除できる。このため、電極間の導通信頼性を高めることができる。

上記突起は複数であることが好ましい。上記導電性粒子１個当たりの上記導電部（上記第２の導電部）の外表面の突起は、好ましくは３個以上、より好ましくは５個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。

複数の上記突起の平均高さは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記突起の平均高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。

接続抵抗を効果的に低くし、高温高湿下での電極間の接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記第２の導電部の外表面の全表面積１００％中、上記突起がある部分の表面積は好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、更に好ましくは３０％以上である。上記第２の導電部の外表面の全表面積１００％中、上記突起がある部分の表面積の占める割合の上限は特に限定されない。上記第２の導電部の外表面の全表面積１００％中、上記突起がある部分の表面積は好ましくは９９％以下、より好ましくは９５％以下である。

［芯物質］
上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部（上記第２の導電部）が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子及び導電部の外表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよく、芯物質を用いないことが好ましい。上記導電性粒子は、上記導電部の外表面を隆起させるための芯物質を有さないことが好ましく、上記導電部の外表面を隆起させるための芯物質を有さないことが好ましい。但し、上記導電性粒子は、上記第２の導電部の外表面を隆起させている芯物質を有していてもよく、上記第１の導電部の外表面を隆起させている芯物質を有していてもよい。上記芯物質が用いられる場合に、上記芯物質は、上記第２の導電部の内側又は内部に配置されることが好ましい。

上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に、第１の導電部を形成した後、該第１の導電部上に芯物質を配置し、次に第２の導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面上に導電部を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。

上記基材粒子の表面上に芯物質を配置する方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。

上記芯物質を構成する物質としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、更に接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。

上記金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金及び炭化タングステン等の２種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。なかでも、ニッケル、銅、銀又は金が好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電部を形成するための金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電部を形成するための金属を含むことが好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、ニッケルを含むことが好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、ニッケルを含むことが好ましい。

上記芯物質の材料の具体例としては、チタン酸バリウム（モース硬度４．５）、ニッケル（モース硬度５）、シリカ（二酸化珪素、モース硬度６〜７）、酸化チタン（モース硬度７）、ジルコニア（モース硬度８〜９）、アルミナ（モース硬度９）、炭化タングステン（モース硬度９）及びダイヤモンド（モース硬度１０）等が挙げられる。上記芯物質の材料は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましく、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましく、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが更に好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度は好ましくは５以上、より好ましくは６以上、更に好ましくは７以上、特に好ましくは７．５以上である。

上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。

上記芯物質の平均径（平均粒子径）は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の平均径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。

上記芯物質の「平均径（平均粒子径）」は、数平均径（数平均粒子径）を示す。芯物質の平均径は、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。

［絶縁物質］
上記導電性粒子は、上記第２の導電部の外表面上に配置された絶縁物質を備えることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁物質を容易に排除できる。導電性粒子が導電部の外表面に複数の突起を有する場合には、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁物質を容易に排除できる。

電極間の圧着時に上記絶縁物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。

上記絶縁物質の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、（メタ）アクリレート重合体、（メタ）アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。

上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリレート重合体としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート及びポリブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、ＳＢ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びＳＢＳ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。

上記絶縁物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。なかでも、絶縁物質が脱離し難いことから、上記導電部の表面に、化学結合を介して上記絶縁物質を配置する方法が好ましい。

上記導電部（上記第２の導電部）の外表面、及び絶縁物質の表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。導電部の外表面と絶縁性粒子の表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。導電部の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミンなどの高分子電解質を介して絶縁物質の表面の官能基と化学結合していても構わない。

上記絶縁物質の平均径（平均粒子径）は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁物質の平均径（平均粒子径）は好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下である。絶縁物質の平均径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電部同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の平均径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁物質を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。

上記絶縁物質の「平均径（平均粒子径）」は、数平均径（数平均粒子径）を示す。絶縁物質の平均径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。

［防錆処理］
導電性粒子の腐食を抑え、電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記第２の導電部の外表面は防錆処理されていることが好ましい。

導通信頼性をより一層高める観点からは、上記第２の導電部の外表面は、炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物により、防錆処理されていることが好ましい。上記第２の導電部の表面は、リンを含まない化合物により防錆処理されていてもよく、炭素数６〜２２のアルキル基を有しかつリンを含まない化合物により防錆処理されていてもよい。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記第２の導電部の外表面は、アルキルリン酸化合物、アルキルシランカンプリング化合物又はアルキルチオールにより、防錆処理されていることが好ましい。防錆処理により、上記第２の導電部の外表面に、防錆膜を形成できる。

（窒素原子を含有する官能基を有するポリマー）
上記導電性粒子は、上記第２の導電部の外表面上に、窒素原子を含有する官能基を有する水溶性ポリマーを備えることが好ましい。上記導電性粒子は、上記第２の導電部の外表面上に、窒素原子を含有する有機基を有する水溶性ポリマーを備えることがより好ましい。例えば、無電解めっき時に、窒素原子を含有する官能基を有する水溶性ポリマーを含有させることで、ディンプル数を少なくすることができる。窒素原子を含有する官能基は、アミノ基であることが好ましい。上記ポリマーは、末端に窒素原子を含有する官能基を有することが好ましく、窒素原子を含有する有機基を有することがより好ましい。上記ポリマーは、末端にアミノ基を有することが好ましい。

上記水溶性ポリマーとしては、ゼラチン、及びコラーゲンペプチド等が挙げられる。上記ゼラチンは、アミノ基とカルボキシル基とを有することが好ましい。

無電解めっき後に、上記第２の導電部の外表面上の上記水溶性ポリマーの量は、洗浄又は分解により少なくすることができる。但し、上記水溶性ポリマーの量は、一般的な洗浄のみによっては、大幅に少なくすることは困難である。上記水溶性ポリマーの量を少なくするために、上記水溶性ポリマーを酸又は酵素により分解させることが好ましく、酵素により分解させることがより好ましい。上記水溶性ポリマーを酸又は酵素により除去することが好ましく、酵素により除去することがより好ましい。但し、この場合に、水溶性ポリマーの全部を除去せずに、一部のみを除去してもよい。水溶性ポリマーの量が少ないほど、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。

ディンプル数を効果的に少なくする観点からは、上記水溶性ポリマーの重量平均分子量は好ましくは５００以上であり、好ましくは５００００００以下、より好ましくは５０００００以下である。

上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー測定によるポリスチレン換算での重量平均分子量である。

上記第２の導電部の外表面上の上記水溶性ポリマーの存在は、上記導電性粒子の導電部の外表面において、飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）により窒素原子を含有する官能基のスペクトルが検出されるか否かで確認することができる。

上記第２の導電部の外表面上の上記水溶性ポリマーの量は、以下のようにして、測定することができる。上記導電性粒子粉体１ｇを水１０ｇに入れて、粉体含有水を得る。得られた粉体含有水を、内容積が２０ｍＬの容器中に入れ、密閉する。粉体含有水を１２０℃で２４時間熱処理する。熱処理後の粉体含有水の水中に含まれる上記水溶性ポリマーの含有量を測定する。

熱処理後の粉体含有水の水中に含まれる上記水溶性ポリマーの含有量は好ましくは０ｐｐｍ（未含有）以上であり、好ましくは１００００ｐｐｍ以下、より好ましくは１０００ｐｐｍ以下、更に好ましくは１００ｐｐｍ以下である。上記水溶性ポリマーを完全に除去することは困難であることから、上記水溶性ポリマーの含有量は１ｐｐｍ以上であってもよい。

（導電材料）
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子粉体と、バインダー樹脂とを含む。上述した導電性粒子粉体と、バインダー樹脂とを配合することで、上記導電材料が得られる。上記導電性粒子粉体は、バインダー樹脂中に分散されて用いられることが好ましく、バインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。

上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分（熱可塑性化合物）又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。

上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。

上記導電材料は、上記導電性粒子粉体及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。

本発明に係る導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。

上記導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上であり、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。

上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上であり、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、更に好ましくは４０重量％以下、特に好ましくは２０重量％以下、最も好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。

（接続構造体）
上記導電性粒子粉体を用いて、又は上記導電性粒子粉体とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。

上記接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、第１，第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、該接続部の材料が上述した導電性粒子粉体であるか、又は、上述した導電性粒子粉体とバインダー樹脂とを含む導電材料である接続構造体であることが好ましい。上記接続部が上述した導電性粒子粉体により形成されているか、又は上述した導電性粒子粉体とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。導電性粒子が用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子粉体である。すなわち、第１，第２の接続対象部材が導電性粒子粉体により接続される。上述した導電性粒子粉体を用いるか、又は上述した導電性粒子粉体とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、上記接続部を形成することで、上記接続構造体が得られる。

図３に、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子粉体を用いた接続構造体を模式的に断面図で示す。

図３に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１，第２の接続対象部材５２，５３を接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、複数の導電性粒子１（導電性粒子粉体）を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図３では、導電性粒子１は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子１にかえて、導電性粒子２１等を用いてもよい。

第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材５２，５３が導電性粒子１により電気的に接続されている。

上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は９．８×１０^４〜４．９×１０^６Ｐａ程度である。上記加熱の温度は、１２０〜２２０℃程度である。

上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記導電性粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、ＳＵＳ電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

導電性粒子を得るために、下記の基材粒子を用意した。

基材粒子Ａ：樹脂粒子；粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０３」）
基材粒子Ｂ：樹脂粒子；粒子径が３．０μｍである樹脂粒子、ジビニルベンゼンとＰＴＭＧＡ（共栄社化学社製）とを重量比率３：７で重合して作製
基材粒子Ｃ：有機無機ハイブリッド粒子；架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された粒子径が３．０μｍの有機無機ハイブリッド粒子
基材粒子Ｄ：樹脂粒子；粒子径が２．５μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０２５」）
基材粒子Ｅ：樹脂粒子；粒子径が１０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２１０」）

（実施例１）
（１）ニッケル層の形成
パラジウム触媒液を５重量％含むアルカリ溶液１００重量部に、上記基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液を得た。

また、硫酸ニッケル０．２５ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌ、及びクエン酸ナトリウム０．１５ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ９．０）を用意した。

得られた懸濁液を７０℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液を懸濁液に徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。その後、懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面にニッケル−リン層（厚み０．１μｍ）が配置された粒子を得た。導電層１００重量％中のニッケルの含有量は９７．６重量％、リンの含有量は２．４重量％であった。

（２）金層の形成
添加剤であるペプチドコラーゲン（Ｍｗ１０，０００）を１ｇ／Ｌ含む無電解金めっきを用いて、上記粒子を処理し、水で洗浄することにより、上記ニッケル−リン層の外表面上に金層（厚み２８ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、ディンプルを有する導電性粒子の個数の割合Ｒ（以下、割合Ｒと記載することがある）は５％であった。

（実施例２）
添加剤であるペプチドコラーゲン（Ｍｗ１０，０００）を、アミノエチル化アクリルポリマー（Ｍｗ２０，０００）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、上記ニッケル−リン層の外表面上に金層（厚み２８ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは８％であった。

（実施例３）
添加剤であるペプチドコラーゲン（Ｍｗ１０，０００）を、タンパク質（Ｍｗ４，０００，０００）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、上記ニッケル−リン層の外表面上に金層（厚み２８ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは３％であった。

（実施例４）
添加剤であるペプチドコラーゲン（Ｍｗ１０，０００）をタンパク質変性体（Ｍｗ３００，０００）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、上記ニッケル−リン層の外表面上に金層（厚み２８ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは２％であった。

（実施例５）
添加剤であるペプチドコラーゲン（Ｍｗ１０，０００）をポリジアリルジメチルアンモニウムクロライド（Ｍｗ５，０００）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、上記ニッケル−リン層の外表面上に金層（厚み２８ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは９％であった。

（実施例６）
ペプチドコラーゲン（Ｍｗ１０，０００）の添加量１ｇ／Ｌを１０ｇ／Ｌに変更したこと以外は実施例１と同様にして、上記ニッケル−リン層の外表面上に金層（厚み２８ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは４％であった。

（参考例１）
ペプチドコラーゲン（Ｍｗ１０，０００）の添加量１ｇ／Ｌを２０ｇ／Ｌに変更したこと以外は実施例１と同様にして、上記ニッケル−リン層の外表面上に金層（厚み２８ｎｍ）が配置された粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは１５％であった。

（比較例１）
ペプチドコラーゲン（Ｍｗ１０，０００）を添加しなかったこと以外は実施例１と同様にして、上記ニッケル−リン層の外表面上に金層（厚み２８ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは３４％であった。

（実施例７）
ニッケル−リン層の外表面上の金層（厚み２８ｎｍ）を金層（厚み８ｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、上記ニッケル−リン層の外表面上に金層（厚み８ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは６％であった。

（実施例８）
金層の形成後、防錆剤２−エチルヘキシルアジッドホスフェイトを用いて、粒子を分散させたこと以外は実施例１と同様にして、上記ニッケル−リン層の外表面上に金層（厚み２８ｎｍ）が配置されており、かつ防錆処理されている導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは６％であった。

（実施例９）
ニッケル−リン層の外表面上の金層（厚み２８ｎｍ）をパラジウム層（厚み２８ｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、上記ニッケル−リン層の外表面上にパラジウム層（厚み２８ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは５％であった。

（実施例１０）
基材粒子Ａを基材粒子Ｂに変更したこと以外は実施例１と同様にして、上記ニッケル−リン層の外表面上に金層（厚み２８ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは５％であった。

（実施例１１）
基材粒子Ａを基材粒子Ｃに変更したこと以外は実施例１と同様にして、上記ニッケル−リン層の外表面上に金層（厚み２８ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは６％であった。

（実施例１２）
基材粒子Ａを基材粒子Ｄに変更したこと以外は実施例１と同様にして、上記ニッケル−リン層の外表面上に金層（厚み２８ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは５％であった。

（実施例１３）
基材粒子の種類Ａを基材粒子Ｅに変更したこと以外は実施例１と同様にして、上記ニッケル−リン層の外表面上に金層（厚み２８ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは５％であった。

（実施例１４）
（１）ニッケル層の形成
パラジウム触媒液を５重量％含むアルカリ溶液１００重量部に、上記基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液を得た。

また、硫酸ニッケル０．２５ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．１５ｍｏｌ／Ｌ及びタングステン酸ナトリウム０．１２ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ７．０）を用意した。

得られた懸濁液を６０℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液を懸濁液に徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。続いて、硫酸ニッケル０．２５ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．１５ｍｏｌ／Ｌ及びタングステン酸ナトリウム０．１２ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を懸濁液に徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。その後、懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面にニッケル−タングステン−リン層（厚み０．１μｍ）が配置された粒子を得た。導電層１００重量％中のニッケルの含有量は８２．１重量％、リンの含有量は２．３重量％、タングステンの含有量は１５．６重量％であった。

（２）金層の形成
実施例１と同様に無電解金めっき処理することにより、上記ニッケル−タングステン−リン層の外表面上に金層（厚み２８ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは６％であった。

（実施例１５）
上記基材粒子Ａをエッチングし、水洗した。次に、パラジウム触媒を８重量％含むパラジウム触媒化液１００ｍＬ中に上記基材粒子Ａを添加し、攪拌した。その後、ろ過し、洗浄した。ｐＨ６の０．５重量％ジメチルアミンボラン液に上記基材粒子Ａを添加し、パラジウムが付着された基材粒子Ａを得た。

パラジウムが付着された基材粒子Ａをイオン交換水３００ｍＬ中で３分間攪拌し、分散させ、分散液を得た。次に、金属ニッケル粒子スラリー（平均粒子径１００ｎｍ）１ｇを３分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ａを得た。

芯物質が付着された基材粒子Ａを用いて、ニッケル層及び金層を形成したこと、並びに導電層１００重量％中のニッケルの含有量を９７．８重量％、リンの含有量を２．２重量％に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは６％であった。

（実施例１６）
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル１００ｍｍｏｌと、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−Ｎ−２−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌと、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとを含むモノマー組成物を固形分率が５重量％となるようにイオン交換水に秤取した後、２００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径２２０ｎｍ及びＣＶ値１０％の絶縁性粒子を得た。

絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の１０重量％粉体含有水を得た。

実施例１で得られた導電性粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、絶縁性粒子の粉体含有水４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積（即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積）を算出したところ、被覆率は３０％であった。

絶縁性粒子を用いたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは５％であった。

（実施例１７）
（１）ニッケル層の形成
パラジウム触媒液を５重量％含むアルカリ溶液１００重量部に、上記基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液を得た。

また、硫酸ニッケル０．２ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．１ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．１５ｍｏｌ／Ｌ及びタングステン酸ナトリウム０．１２ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ８．５）を用意した。

得られた懸濁液を６０℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液を懸濁液に徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。その後、懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面にニッケル−タングステン−ボロン層（厚み０．１μｍ）が配置された粒子を得た。導電層１００重量％中のニッケルの含有量は８３．３重量％、ボロンの含有量は１．５重量％、タングステンの含有量は１５．２重量％であった。

（２）金層の形成
実施例１と同様に無電解金めっき処理することにより、上記ニッケル−タングステン−ボロン層の外表面上に金層（厚み２８ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは６％であった。

（実施例１８）
次亜リン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む前期無電解ニッケルめっき液を用意した。また、次亜リン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む後期無電解ニッケルめっき液を用意した。

また、次亜リン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌ及び水酸化ナトリウム０．０５ｍｏｌ／Ｌを含む突起形成用めっき液を用意した。

上記基材粒子Ａと、上記前期無電解ニッケルめっき液とを用いて、無電解めっき処理した。次に、その後、導電層に突起を形成するために、上記突起形成用めっき液を徐々に滴下し、突起を形成した。めっき液中に発生したＮｉ突起核を超音波撹拌により分散しながらニッケルめっきを行った。上記後期無電解ニッケルめっき液を用いて、無電解めっき処理することにより、樹脂粒子の表面上にニッケル層（ニッケル−リン合金層、厚み８０ｎｍ）と析出突起とが形成された粒子を得た。導電層１００重量％中のニッケルの含有量は９７．９重量％、リンの含有量は２．１重量％であった。

その後、実施例１と同様にして金層を形成して、導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡にて導電性粒子の表面のディンプル数を測定すると、割合Ｒは５％であった。

（評価）
（１）ディンプルを有する導電性粒子の個数の割合Ｒ
走査型電子顕微鏡にて導電性粒子表面を観察することで、導電性粒子粉体に含まれる導電性粒子の全個数１００％中、第２の導電部が欠けたディンプルを有する導電性粒子の個数の割合Ｒを求めた。

（２）水溶性ポリマーの存在の確認及び含有量
得られた導電性粒子粉体１ｇを水１０ｇに入れて、粉体含有水を得た。得られた粉体含有水を、内容積が２０ｍＬの容器中に入れ、密閉した。粉体含有水を１２０℃で２４時間熱処理した。熱処理後の粉体含有水の水中に含まれる上記水溶性ポリマーの含有量を、液体クロマトグラフィーで測定した。

なお、得られた導電性粒子において、窒素原子を含有する官能基を有する水溶性ポリマーの存在を確認する場合は、上記方法の他、上記導電性粒子の導電部の外表面において、飛行時間型二次イオン質量分析装置（ＩＯＮ−ＴＯＦ社製ＴＯＦ−ＳＩＭＳ ５型）により窒素原子を含有する官能基のスペクトルが検出されるか否かによっても確認することができた。

（３）初期の接続抵抗
得られた導電性粒子を含有量が１０重量％となるように、三井化学社製「ストラクトボンドＸＮ−５Ａ」に添加し、分散させて、異方性導電ペーストを作製した。

Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍであるＩＴＯ電極パターンを上面に有する透明ガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍである金電極パターンを下面に有する半導体チップを用意した。

上記透明ガラス基板上に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ３０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、１ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を１８５℃で硬化させて、接続構造体を得た。

得られた接続構造体の上下の電極間の接続抵抗を、４端子法により測定した。２つの接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。初期の接続抵抗を下記の基準で判定した。

［初期の接続抵抗の判定基準］
○○：接続抵抗が２．０Ω以下
○：接続抵抗が２．０Ωを超え、３．０Ω以下
△：接続抵抗が３．０Ωを超え、５．０Ω以下
×：接続抵抗が５．０Ωを超える

（４）信頼性試験後の接続抵抗（導通信頼性）
上記（３）初期の接続抵抗の評価で得られた接続構造体を、８５℃及び相対湿度８５％の条件で放置した。放置開始から１５０時間後に、上記（３）初期の接続抵抗の評価と同様に電極間の接続抵抗を４端子法により測定した。信頼性試験後の接続抵抗を下記の基準で判定した。

［信頼性試験後の接続抵抗の判定基準］
○○：接続抵抗（放置前）の平均値に比べ、接続抵抗（放置後）の平均値が１２５％未満
○：接続抵抗（放置前）の平均値に比べ、接続抵抗（放置後）の平均値が１２５％以上、１５０％未満
△：接続抵抗（放置前）の平均値に比べ、接続抵抗（放置後）の平均値が１５０％以上、２００％未満
×：接続抵抗（放置前）の平均値に比べ、接続抵抗（放置後）の平均値が２００％以上

結果を下記の表１に示す。

なお、上記（４）信頼性試験後の接続抵抗の評価では、得られた接続構造体を８５℃及び相対湿度８５％の条件で放置した。接続構造体を得る前の導電性粒子を８５℃及び相対湿度８５％の条件で放置した後に、接続構造体を得た場合にも、接続抵抗の上昇傾向について、上記（４）信頼性試験後の接続抵抗の評価結果と同様の傾向が見られた。また、実施例１５，１８において、金層の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が３０％以上であった。

１…導電性粒子
２…基材粒子
３…第１の導電部
４…第２の導電部
２１…導電性粒子
２１ａ…突起
２２…第１の導電部
２２ａ…突起
２３…第２の導電部
２３ａ…突起
２４…芯物質
２５…絶縁物質
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…第２の電極
５４…接続部
Ｄ…ディンプル

Claims (12)

1. 複数の導電性粒子を含有する導電性粒子粉体であって、
   前記導電性粒子は、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された第１の導電部と、前記第１の導電部の外表面上に配置された第２の導電部とを備え、
   前記第２の導電部が金又はパラジウムを含み、
   前記第２の導電部の厚みが３０ｎｍ以下であり、
   導電性粒子粉体に含まれる前記導電性粒子の全個数１００％中、前記第２の導電部が欠けたディンプルを有する導電性粒子の個数の割合が１０％以下である、導電性粒子粉体。
2. 前記第１の導電部がニッケルを含む、請求項１に記載の導電性粒子粉体。
3. 前記導電性粒子は、前記第２の導電部の外表面上に、窒素原子を含有する官能基を有する水溶性ポリマーを備える、請求項１又は２に記載の導電性粒子粉体。
4. 前記水溶性ポリマーの重量平均分子量が５００以上、５００００００以下である、請求項３に記載の導電性粒子粉体。
5. 導電性粒子粉体１ｇを水１０ｇに入れた粉体含有水を１２０℃で２４時間熱処理したときに、熱処理後の粉体含有水の水中に含まれる前記水溶性ポリマーの含有量が１ｐｐｍ以上、１０００ｐｐｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性粒子粉体。
6. 前記第１の導電部がニッケルと、リン又はボロンとを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性粒子粉体。
7. 前記第２の導電部が金を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性粒子粉体。
8. 基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された第１の導電部とを備える第２の導電部形成前の複数の導電性粒子を用意し、前記第１の導電部の外表面上に、無電解めっきによって第２の導電部を配置して、前記第１の導電部の外表面上に配置された第２の導電部を備える複数の導電性粒子を含有する導電性粒子粉体を得る工程を備え、
   前記第２の導電部として、金又はパラジウムを含み、かつ厚みが３０ｎｍ以下である第２の導電部を形成し、
   前記第２の導電部の形成時に、無電解めっき液に、窒素原子を含有する官能基を有する水溶性ポリマーを含有させる、導電性粒子粉体の製造方法。
9. 前記第２の導電部を形成した後、前記第２の導電部の外表面上に配置された前記窒素原子を含有する官能基を有する水溶性ポリマーを酸又は酵素により除去する、請求項８に記載の導電性粒子粉体の製造方法。
10. 前記導電性粒子の全個数１００％中、前記第２の導電部が欠けたディンプルを有する導電性粒子の個数の割合が１０％以下である導電性粒子粉体を得る、請求項８又は９に記載の導電性粒子粉体の製造方法。
11. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性粒子粉体と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。
12. 第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
    第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
    前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
    前記接続部の材料が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性粒子粉体であるか、又は前記導電性粒子粉体とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、
    前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。

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